JPH10256221A - 半導体２５６ｍｄｒａｍ用スピンドライヤー - Google Patents

半導体２５６ｍｄｒａｍ用スピンドライヤー

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JPH10256221A
JPH10256221A JP30546096A JP30546096A JPH10256221A JP H10256221 A JPH10256221 A JP H10256221A JP 30546096 A JP30546096 A JP 30546096A JP 30546096 A JP30546096 A JP 30546096A JP H10256221 A JPH10256221 A JP H10256221A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
watermark
wafers
spin drier
water
Prior art date
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Pending
Application number
JP30546096A
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English (en)
Inventor
Sumio Hamaya
澄雄 浜谷
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Individual
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ２５６ＭＤＲＡＭ用乾燥において、ウォ
ーターマークを１００％除去及び、残留カーボンゼロ 【解決手段】 乾燥直前のファイナル洗浄において、
オゾン水を活用し、乾燥工程で超クリーンＮ２ガス雰囲
気の中でＩＰＡ水又は、ＩＰＡベーパの化学作用で解決
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】［発明の属する技術分野］本発明は、２５
６ＭＤＲＡＭラインにおいて、デザインルール０．２６
ミクロン及び、高アスペクト比において、ウォーターマ
ークを１００％除去及び、残留カーボンが残らない装置
である。
【０００２】［従来の技術］クリーンルームのエアーを
吸い込んでローターを回転したり、また、ＩＰＡベーパ
乾燥機において、ＩＰＡベーパが水と置換する化学作用
を利用して乾燥していた。
【０００３】［発明が解決しようとする課題］シリコン
ウエハ面において、ウォーターマークを１００％除去及
び、残留カーボンをゼロにする。
【０００４】［課題を解決するための手段］本発明は、
空気に触れさせずにＮ2ガス雰囲気の中でＩＰＡ水又
は、ＩＰＡベーパをウエハ両面に吹き付ける事によっ
て、ウエハ表面のウォーターマークを１００％除去する
と同時に、乾燥前のオゾン水（７５℃）の化学力で残留
カーボンを除去する。
【０００５】［発明の実施の形態］半導体、デバイスメ
ーカーにおいて、２５６ＭＤＲＡＭラインにおいて、ウ
エハ１３枚プラスウエハ１３枚、２カセットレス式自動
洗浄装置で実施する。
【０００６】［実施例］スピンドライヤーのグローブ内
部に超クリーンなＮ２ガスを充満してＮ２ガス雰囲気内
でウエハ両面に対して、ＩＰＡ水をジェットスプレー式
に吹き付けたり、または、ＩＰＡベーパを吹き付ける。
【０００７】［発明の効果］ウォーターマークを１００
％除去すると同時に、残留カーボンが残らないため、ウ
エハの歩留アップに対して、良い効果をもたらす。
【図面の簡単な説明】
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年３月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】ウエハ収納治具ツーカセット完了後超クリ
ーンＮ２ガスがチャンバー内に約１秒間で充満しま
す。超クリーンＮ２ガス雰囲気の中でモータが作動し
てロータ軸を通してロータが低速回転します。回転
速度は２５０ Ｒ／Ｍ〜３００ Ｒ／Ｍです。回転時間
は３０秒位です。完了後、ウエハ収納治具９０度回転
機構が作動します．当然▲１０▼ウエハは垂直になりま
す。超クリーンＮ２ガスの雰囲気の中でＩＰＡベーパを
ウエハ両面に目がけてブローします．約４分位です．完
了後これで乾燥終了です．ウエハ収納治具がスピンドラ
イヤーのチャンバー内に入っている時、内部は超クリ
ーンＮ２ガス雰囲気の中にあります。
【符号の説明】 超クリーンＮ２ガス ＩＰＡベーパ８３℃位 モータ ロータ軸 排気及び排水機構 ウエハ収納治具 ウエハ収納治具９０度回転機構 ロータ チャンバー ▲１０▼ウエハ
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 オゾン超純水（７５℃）で洗浄した後、
    ウォーターマークを除去する為、Ｎ２ガス雰囲気の中で
    ＩＰＡ水（イソプロピルアルコール４０％位、超純水６
    ０％位）をジェットスプレー式にウエハ両面に吹き付け
    る。又は、ＩＰＡベーパをウエハ両面に吹き付けなが
    ら、スピンドライヤーのローターが回転して１００％ウ
    ォーターマークを除去すると同時に、残留カーボンを除
    去する。
JP30546096A 1996-10-11 1996-10-11 半導体２５６ｍｄｒａｍ用スピンドライヤー Pending JPH10256221A (ja)

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JP30546096A JPH10256221A (ja) 1996-10-11 1996-10-11 半導体２５６ｍｄｒａｍ用スピンドライヤー

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JP30546096A JPH10256221A (ja) 1996-10-11 1996-10-11 半導体２５６ｍｄｒａｍ用スピンドライヤー

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Family

ID=17945420

Family Applications (1)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003511849A (ja) * 1999-10-06 2003-03-25 セミトゥール・インコーポレイテッド 蒸気援助回転乾燥方法および装置
KR100436900B1 (ko) * 2001-10-29 2004-06-23 삼성전자주식회사 웨이퍼 세정 장치
US7364625B2 (en) 2000-05-30 2008-04-29 Fsi International, Inc. Rinsing processes and equipment
US8070884B2 (en) 2005-04-01 2011-12-06 Fsi International, Inc. Methods for rinsing microelectronic substrates utilizing cool rinse fluid within a gas enviroment including a drying enhancement substance

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