JPH10255248A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH10255248A JPH10255248A JP5460397A JP5460397A JPH10255248A JP H10255248 A JPH10255248 A JP H10255248A JP 5460397 A JP5460397 A JP 5460397A JP 5460397 A JP5460397 A JP 5460397A JP H10255248 A JPH10255248 A JP H10255248A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 十分な保磁力を持ち、保磁力の面内分布が小
さく均一な特性を持った磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 表面の算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下、
かつ、表面上に機械的加工による同心円状のテキスチャ
ーを有さない非磁性基板上に、Ｇｅを９０原子％を超え
る量含有する下地層、Ｃｒを８０原子％を超える量含有
する下地層、Ｃｏ合金磁性層を順次設けてなる磁気記録
媒体。
さく均一な特性を持った磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 表面の算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下、
かつ、表面上に機械的加工による同心円状のテキスチャ
ーを有さない非磁性基板上に、Ｇｅを９０原子％を超え
る量含有する下地層、Ｃｒを８０原子％を超える量含有
する下地層、Ｃｏ合金磁性層を順次設けてなる磁気記録
媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気ディスク装置な
どに使用される磁気記録媒体に関する。
どに使用される磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク媒体は、例えば、ＮｉＰ無
電解めっきを施したＡｌ−Ｍｇ系合金基板上にスパッタ
リング法によりＣｒ下地層、Ｃｏ合金磁性層、カーボン
などを主成分とする保護層の順に成膜されるのが一般的
である。磁気ディスク装置においては、記録再生用ヘッ
ドが磁気ディスク媒体上を一定の浮上量で飛んでいるの
が普通であるが、近年、磁気ディスクの面記録密度の急
激な増加に伴ってこの浮上量が極めて小さい値になって
きている。これに対応するためには媒体の表面の平滑性
および表面粗さはそれ以上に小さいものでなければなら
なくなっている。既に媒体表面粗さはＲａで１ｎｍ以下
（数オングストローム）程度まで小さくなっており、こ
のため、基板そのもののＲａも１ｎｍ以下のものが使用
されている。
電解めっきを施したＡｌ−Ｍｇ系合金基板上にスパッタ
リング法によりＣｒ下地層、Ｃｏ合金磁性層、カーボン
などを主成分とする保護層の順に成膜されるのが一般的
である。磁気ディスク装置においては、記録再生用ヘッ
ドが磁気ディスク媒体上を一定の浮上量で飛んでいるの
が普通であるが、近年、磁気ディスクの面記録密度の急
激な増加に伴ってこの浮上量が極めて小さい値になって
きている。これに対応するためには媒体の表面の平滑性
および表面粗さはそれ以上に小さいものでなければなら
なくなっている。既に媒体表面粗さはＲａで１ｎｍ以下
（数オングストローム）程度まで小さくなっており、こ
のため、基板そのもののＲａも１ｎｍ以下のものが使用
されている。
【０００３】また一部では耐衝撃性、表面平滑性などの
見地から、Ａｌ−Ｍｇ系合金基板に代わってやはり表面
の算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下というガラス、Ｓｉ、
Ｔｉなどからなる代替基板が使用され始めている。これ
らをはじめとするＲａが１ｎｍ以下である基板群を以下
では平滑基板と呼ぶ。
見地から、Ａｌ−Ｍｇ系合金基板に代わってやはり表面
の算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下というガラス、Ｓｉ、
Ｔｉなどからなる代替基板が使用され始めている。これ
らをはじめとするＲａが１ｎｍ以下である基板群を以下
では平滑基板と呼ぶ。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これまでのＮｉＰめっ
きを施したＡｌ−Ｍｇ合金基板においては多くの場合、
その表面に砥粒による研磨等の機械的加工を施し、基板
円周方向に略同心円状のテキスチャーを設けるのが一般
的であった。そして、一般的なスパッタリング型磁気デ
ィスクにおいては、基板上に設けられたＣｒ下地層およ
びＣｏ合金磁性層の結晶構造が前述のテキスチャーに沿
って配向し、結果的にディスクの円周方向に強い一軸磁
気異方性を持つことが知られていた。
きを施したＡｌ−Ｍｇ合金基板においては多くの場合、
その表面に砥粒による研磨等の機械的加工を施し、基板
円周方向に略同心円状のテキスチャーを設けるのが一般
的であった。そして、一般的なスパッタリング型磁気デ
ィスクにおいては、基板上に設けられたＣｒ下地層およ
びＣｏ合金磁性層の結晶構造が前述のテキスチャーに沿
って配向し、結果的にディスクの円周方向に強い一軸磁
気異方性を持つことが知られていた。
【０００５】このことにより、実際に磁気記録が行われ
る方向すなわちディスクの円周方向で測定した場合の保
磁力は十分大きい値を得ることができたのである。しか
し、前述の平滑基板においては、これまで使われてきた
同心円状のテキスチャーを施した基板に比べ、十分な磁
気特性、特に保磁力を得ることが困難である。
る方向すなわちディスクの円周方向で測定した場合の保
磁力は十分大きい値を得ることができたのである。しか
し、前述の平滑基板においては、これまで使われてきた
同心円状のテキスチャーを施した基板に比べ、十分な磁
気特性、特に保磁力を得ることが困難である。
【０００６】なぜならば、このような基板上にＣｒ下地
層、Ｃｏ合金磁性層を形成しても従来のような円周方向
への強い一軸磁気異方性が得られないために円周方向の
保磁力も低下してしまうからである。また、これと同時
に大きな問題となるのが保磁力、残留磁束密度、磁気異
方性などの静磁気特性の値の基板面内変動が大きくなっ
てしまうことである。
層、Ｃｏ合金磁性層を形成しても従来のような円周方向
への強い一軸磁気異方性が得られないために円周方向の
保磁力も低下してしまうからである。また、これと同時
に大きな問題となるのが保磁力、残留磁束密度、磁気異
方性などの静磁気特性の値の基板面内変動が大きくなっ
てしまうことである。
【０００７】すなわち、同心円状のテキスチャー加工が
施されている基板を使用した場合は、このテキスチャー
のはたらきでかなり強力に基板円周方向への磁気異方性
が生じるため、基板面全域にわたっての静磁気特性の値
のばらつきはほとんど問題とならないレベルであった。
しかし、上述の平滑基板群を用いて製造した磁気記録媒
体においては、同心円状テキスチャーによる積極的な磁
気異方性制御が得られず、かわりに基板表面を平滑化す
る際の鏡面研磨加工等により生じた不規則なポリッシュ
痕、研磨痕などの表面構造に沿って好ましくない局所的
な磁気異方性が生じてしまい、静磁気特性の面内変動が
無視できないほど大きくなってしまうことが多く、これ
が媒体製造上極めて大きな問題となっていた。
施されている基板を使用した場合は、このテキスチャー
のはたらきでかなり強力に基板円周方向への磁気異方性
が生じるため、基板面全域にわたっての静磁気特性の値
のばらつきはほとんど問題とならないレベルであった。
しかし、上述の平滑基板群を用いて製造した磁気記録媒
体においては、同心円状テキスチャーによる積極的な磁
気異方性制御が得られず、かわりに基板表面を平滑化す
る際の鏡面研磨加工等により生じた不規則なポリッシュ
痕、研磨痕などの表面構造に沿って好ましくない局所的
な磁気異方性が生じてしまい、静磁気特性の面内変動が
無視できないほど大きくなってしまうことが多く、これ
が媒体製造上極めて大きな問題となっていた。
【０００８】保磁力を増大させる手段としては、磁性膜
の材料にＰｔを添加するなどして材料自体の異方性磁界
Ｈｋを高めることなどが試みられているが、高価なＰｔ
を使用することによるコストの上昇、媒体ノイズの増加
など多くの課題が残されているのが実状である。また、
この場合でも静磁気特性の面内変動の問題は全く改善す
ることができない。
の材料にＰｔを添加するなどして材料自体の異方性磁界
Ｈｋを高めることなどが試みられているが、高価なＰｔ
を使用することによるコストの上昇、媒体ノイズの増加
など多くの課題が残されているのが実状である。また、
この場合でも静磁気特性の面内変動の問題は全く改善す
ることができない。
【０００９】さらに、テキスチャーのない平滑基板は、
従来から使用されてきた機械的テキスチャー加工を施さ
れたＲａが１ｎｍを越える基板に比べて、ヘッドスライ
ダとの摩擦係数が大きく、磁気ディスクドライブに用い
られる際の耐久性を確保するのが困難であった。本発明
はこのような機械的テキスチャーを施さない平滑基板、
すなわちＲａが１ｎｍ以下のＮｉＰめっき付きＡｌ−Ｍ
ｇ合金基板、ガラス、シリコン、チタンなどの基板を用
いて、十分な保磁力を持ちなおかつ面内の保磁力分布が
小さく抑えられた磁気記録媒体を提供することを目的と
する。
従来から使用されてきた機械的テキスチャー加工を施さ
れたＲａが１ｎｍを越える基板に比べて、ヘッドスライ
ダとの摩擦係数が大きく、磁気ディスクドライブに用い
られる際の耐久性を確保するのが困難であった。本発明
はこのような機械的テキスチャーを施さない平滑基板、
すなわちＲａが１ｎｍ以下のＮｉＰめっき付きＡｌ−Ｍ
ｇ合金基板、ガラス、シリコン、チタンなどの基板を用
いて、十分な保磁力を持ちなおかつ面内の保磁力分布が
小さく抑えられた磁気記録媒体を提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、表面の
算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下、かつ、表面上に機械的
加工による同心円状のテキスチャーを有さない非磁性基
板上に、Ｇｅを９０原子％を超える量含有する下地層、
Ｃｒを８０原子％を超える量含有する下地層、Ｃｏ合金
磁性層を順次設けてなることを特徴とする磁気記録媒体
に存する。好ましくは、磁気ヘッドがＣＳＳを行う領域
のみにエネルギー線照射によるテキスチャー加工が施さ
れてなる。
算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下、かつ、表面上に機械的
加工による同心円状のテキスチャーを有さない非磁性基
板上に、Ｇｅを９０原子％を超える量含有する下地層、
Ｃｒを８０原子％を超える量含有する下地層、Ｃｏ合金
磁性層を順次設けてなることを特徴とする磁気記録媒体
に存する。好ましくは、磁気ヘッドがＣＳＳを行う領域
のみにエネルギー線照射によるテキスチャー加工が施さ
れてなる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明における非磁性基板としては、算術平均粗
さＲａ（ＪＩＳ Ｂ０６０１）が１ｎｍ以下であって、
アルミナ、ダイヤモンドなどの砥粒や研磨テープなどを
用いた機械的手法で形成された同心円状のテキスチャー
が施されていない基板を用いる。
する。本発明における非磁性基板としては、算術平均粗
さＲａ（ＪＩＳ Ｂ０６０１）が１ｎｍ以下であって、
アルミナ、ダイヤモンドなどの砥粒や研磨テープなどを
用いた機械的手法で形成された同心円状のテキスチャー
が施されていない基板を用いる。
【００１２】基板の材質は例えばＡｌ−Ｍｇ合金、ソー
ダガラス、アルミノシリケートガラス、シリコン、カー
ボン、チタン、セラミックス、各種の樹脂などが挙げら
れる。基板表面には、無電解メッキ法あるいはスパッタ
法によりＮｉＰ合金層が施されていることが好ましい。
ダガラス、アルミノシリケートガラス、シリコン、カー
ボン、チタン、セラミックス、各種の樹脂などが挙げら
れる。基板表面には、無電解メッキ法あるいはスパッタ
法によりＮｉＰ合金層が施されていることが好ましい。
【００１３】本発明の効果は、基板の表面粗さＲａが１
ｎｍ以下のいずれの場合においても十分得られるが、ヘ
ッド浮上量はできるだけ小さいことが高密度磁気記録の
実現には有効であることから、基板表面のＲａは好まし
くは０．７ｎｍ以下、さらに好ましくは０．５ｎｍ以下
である。なお、Ｒａは、半径０．２μｍの触針式表面粗
さ計を用いて測定した値である。
ｎｍ以下のいずれの場合においても十分得られるが、ヘ
ッド浮上量はできるだけ小さいことが高密度磁気記録の
実現には有効であることから、基板表面のＲａは好まし
くは０．７ｎｍ以下、さらに好ましくは０．５ｎｍ以下
である。なお、Ｒａは、半径０．２μｍの触針式表面粗
さ計を用いて測定した値である。
【００１４】本発明においては、上記非磁性基板を洗浄
および乾燥後、基板上に、Ｇｅ下地層、Ｃｒ下地層、Ｃ
ｏ合金磁性層、必要に応じて保護層および潤滑層を順次
積層して磁気ディスクを形成する。膜厚の比較的小さい
Ｇｅ下地層をあらかじめスパッタリング法を用いて形成
した後にＣｒ下地層、Ｃｏ系合金磁性層を形成すること
により、Ｇｅ下地層を形成しない場合と比較して、保磁
力を損なうことなく、場合によってはむしろ増加させな
がら、基板表面に残されたかすかなポリッシュ痕などの
微小構造の影響による静磁気特性の面内変動を小さく抑
えることができる。
および乾燥後、基板上に、Ｇｅ下地層、Ｃｒ下地層、Ｃ
ｏ合金磁性層、必要に応じて保護層および潤滑層を順次
積層して磁気ディスクを形成する。膜厚の比較的小さい
Ｇｅ下地層をあらかじめスパッタリング法を用いて形成
した後にＣｒ下地層、Ｃｏ系合金磁性層を形成すること
により、Ｇｅ下地層を形成しない場合と比較して、保磁
力を損なうことなく、場合によってはむしろ増加させな
がら、基板表面に残されたかすかなポリッシュ痕などの
微小構造の影響による静磁気特性の面内変動を小さく抑
えることができる。
【００１５】この理由としては、極薄いＧｅ薄膜におい
てはＧｅの結晶粒がひとつひとつ独立した形に凝集して
おり、この物理的な膜形状がこれに続いて形成されたＣ
ｒ下地層およびＣｏ合金磁性層に引き継がれることによ
り、最終的にＣｏ合金磁性層の結晶粒が細かく分離した
形になり、結晶粒間交換相互作用が小さくなってこれが
磁性層の静磁気特性を膜構造面から制御し、結果として
静磁気特性の変動を最小限に抑える働きをしているもの
と考えられる。
てはＧｅの結晶粒がひとつひとつ独立した形に凝集して
おり、この物理的な膜形状がこれに続いて形成されたＣ
ｒ下地層およびＣｏ合金磁性層に引き継がれることによ
り、最終的にＣｏ合金磁性層の結晶粒が細かく分離した
形になり、結晶粒間交換相互作用が小さくなってこれが
磁性層の静磁気特性を膜構造面から制御し、結果として
静磁気特性の変動を最小限に抑える働きをしているもの
と考えられる。
【００１６】Ｇｅ下地層の膜厚は上述のように比較的小
さく、好ましくは２〜５０ｎｍ、より好ましくは５〜２
０ｎｍである。Ｇｅ下地層の材料としてはＧｅのみから
なる薄膜のほか、合計で１０原子％以下の他の１〜２元
素を含有してもよい。Ｃｒ下地層の膜厚は、目的とする
媒体磁気特性にあわせて任意に設定できるが、通常１０
〜１００ｎｍ程度に調整される。Ｃｒ下地層の材料とし
てはＣｒのみからなる薄膜のほか、合計で２０原子％以
下の他の１〜２元素を含有してもよい。当然ながら、他
の元素としては下地層の効果を損なわないようなものが
選択される。
さく、好ましくは２〜５０ｎｍ、より好ましくは５〜２
０ｎｍである。Ｇｅ下地層の材料としてはＧｅのみから
なる薄膜のほか、合計で１０原子％以下の他の１〜２元
素を含有してもよい。Ｃｒ下地層の膜厚は、目的とする
媒体磁気特性にあわせて任意に設定できるが、通常１０
〜１００ｎｍ程度に調整される。Ｃｒ下地層の材料とし
てはＣｒのみからなる薄膜のほか、合計で２０原子％以
下の他の１〜２元素を含有してもよい。当然ながら、他
の元素としては下地層の効果を損なわないようなものが
選択される。
【００１７】Ｃｏ合金磁性層の材料としては、通常用い
られる磁気ディスク用材料が使用可能である。例えば、
ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰ
ｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＮｉＰ
ｔ、ＣｏＮｉＣｒＢＴａ、ＣｏＳｍなどである。これら
媒体の最上部には保護層を施してもよい。保護層の材料
としてはアモルファスカーボン膜や水素化カーボン膜な
どのＣ膜、あるいはＳｉＯ2、Ｚｒ2Ｏ3など、通常用い
られる保護層材料が使用可能である。また、保護層は２
層以上の膜から構成されていてもかまわない。
られる磁気ディスク用材料が使用可能である。例えば、
ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰ
ｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＮｉＰ
ｔ、ＣｏＮｉＣｒＢＴａ、ＣｏＳｍなどである。これら
媒体の最上部には保護層を施してもよい。保護層の材料
としてはアモルファスカーボン膜や水素化カーボン膜な
どのＣ膜、あるいはＳｉＯ2、Ｚｒ2Ｏ3など、通常用い
られる保護層材料が使用可能である。また、保護層は２
層以上の膜から構成されていてもかまわない。
【００１８】さらに保護層の上部にはフッ素系液体潤滑
剤などのような任意の潤滑剤を塗布し、潤滑層を設ける
のが一般的である。非磁性基板上に下地層、Ｃｏ系磁性
層を形成する成膜方法は、直流スパッタリング法、高周
波スパッタリング法、真空蒸着法などの物理的蒸着法で
あればよい。また、基板に対して一定の電圧を印加しな
がら成膜しても本発明の効果にはなんら影響はない。基
板バイアス電圧の値は目的とする媒体の特性にあわせて
任意に設定ができるが、通常、数百ボルト程度である。
剤などのような任意の潤滑剤を塗布し、潤滑層を設ける
のが一般的である。非磁性基板上に下地層、Ｃｏ系磁性
層を形成する成膜方法は、直流スパッタリング法、高周
波スパッタリング法、真空蒸着法などの物理的蒸着法で
あればよい。また、基板に対して一定の電圧を印加しな
がら成膜しても本発明の効果にはなんら影響はない。基
板バイアス電圧の値は目的とする媒体の特性にあわせて
任意に設定ができるが、通常、数百ボルト程度である。
【００１９】本発明の磁気記録媒体は、Ｇｅ下地層、Ｃ
ｒ下地層、Ｃｏ合金磁性層を連続スパッタリング成膜し
て製造するのが一般的である。この場合には、インライ
ン装置などの磁気ディスク製造用スパッタリング装置を
利用して大量生産を図り製品のコストダウンが可能であ
る。ただし、それぞれの真空チャンバ内圧力、基板温
度、放電出力などの成膜条件を適宜選択して各層を独立
して成膜したり、下地層を成膜した後、一旦大気中に取
り出し、再び成膜装置に挿入し、排気、基板加熱後、Ｃ
ｏ合金磁性層を成膜するなどのことも可能である。
ｒ下地層、Ｃｏ合金磁性層を連続スパッタリング成膜し
て製造するのが一般的である。この場合には、インライ
ン装置などの磁気ディスク製造用スパッタリング装置を
利用して大量生産を図り製品のコストダウンが可能であ
る。ただし、それぞれの真空チャンバ内圧力、基板温
度、放電出力などの成膜条件を適宜選択して各層を独立
して成膜したり、下地層を成膜した後、一旦大気中に取
り出し、再び成膜装置に挿入し、排気、基板加熱後、Ｃ
ｏ合金磁性層を成膜するなどのことも可能である。
【００２０】上記Ｃｏ合金磁性層の成膜後は、通常、引
き続きインライン装置でアモルファスカーボン保護膜や
水素化カーボン保護膜などを成膜し、その後、液体潤滑
剤などを塗布する。なお、成膜時には、一般的に基板を
加熱することが優れた磁気特性を得るために好ましい
が、樹脂基板などの耐熱性の低い基板についてはこの限
りでない。
き続きインライン装置でアモルファスカーボン保護膜や
水素化カーボン保護膜などを成膜し、その後、液体潤滑
剤などを塗布する。なお、成膜時には、一般的に基板を
加熱することが優れた磁気特性を得るために好ましい
が、樹脂基板などの耐熱性の低い基板についてはこの限
りでない。
【００２１】本発明においては、好ましくは、磁気ヘッ
ドがＣＳＳ（コンタクトスタートアンドストップ）を行
う領域のみエネルギー線照射によるテキスチャー加工が
施されてなる。ここで本発明において、エネルギー線照
射によるテキスチャー加工とは、磁気記録媒体の基板な
どの表面にパルス状レーザーなどのエネルギー線を照射
して基板などの表面に突起を形成することである。この
エネルギー線照射によるテキスチャー加工は機械的なテ
キスチャー加工とは異なり、円周方向への一軸磁気異方
性を発生させる効果はない。
ドがＣＳＳ（コンタクトスタートアンドストップ）を行
う領域のみエネルギー線照射によるテキスチャー加工が
施されてなる。ここで本発明において、エネルギー線照
射によるテキスチャー加工とは、磁気記録媒体の基板な
どの表面にパルス状レーザーなどのエネルギー線を照射
して基板などの表面に突起を形成することである。この
エネルギー線照射によるテキスチャー加工は機械的なテ
キスチャー加工とは異なり、円周方向への一軸磁気異方
性を発生させる効果はない。
【００２２】これらエネルギー線照射によるテキスチャ
ー加工により形成された突起の高さは一般的に５〜１０
０ｎｍ程度であり、また、突起密度は面積１ｍｍ2あた
り１０3〜１０8個程度である。その配列は螺旋状に並ん
でいるものや、不規則に並んでいるものなどさまざまで
ある。本発明においては、媒体表面粗さＲａが１ｎｍ以
下であれば、データ記録再生領域にエネルギー線照射に
よるテキスチャー加工が施されていてもよい。
ー加工により形成された突起の高さは一般的に５〜１０
０ｎｍ程度であり、また、突起密度は面積１ｍｍ2あた
り１０3〜１０8個程度である。その配列は螺旋状に並ん
でいるものや、不規則に並んでいるものなどさまざまで
ある。本発明においては、媒体表面粗さＲａが１ｎｍ以
下であれば、データ記録再生領域にエネルギー線照射に
よるテキスチャー加工が施されていてもよい。
【００２３】磁気ディスク装置においては、磁気ヘッド
がＣＳＳを行う領域のみにエネルギー線照射によるテキ
スチャー加工を施して適切な高さの突起を設けることに
より、ＣＳＳ領域では摩擦係数を下げて耐久性を増し、
かつデータ記録再生領域ではテキスチャー加工を施さな
いため表面粗さを最小限に抑えることができ、高密度記
録が可能となるという利点がある。
がＣＳＳを行う領域のみにエネルギー線照射によるテキ
スチャー加工を施して適切な高さの突起を設けることに
より、ＣＳＳ領域では摩擦係数を下げて耐久性を増し、
かつデータ記録再生領域ではテキスチャー加工を施さな
いため表面粗さを最小限に抑えることができ、高密度記
録が可能となるという利点がある。
【００２４】従って、ＣＳＳ領域にのみエネルギー線照
射によるテキスチャー加工を施すことにより、静磁気特
性において優れ、また耐久性においても極めて優れた磁
気記録媒体を得ることができる。エネルギー線照射は基
板上に直接行っても、あるいは媒体を構成するいずれか
の薄膜上に行ってもよい。また、照射方法についても特
に制限はなく、どのような光源を使用してもよい。
射によるテキスチャー加工を施すことにより、静磁気特
性において優れ、また耐久性においても極めて優れた磁
気記録媒体を得ることができる。エネルギー線照射は基
板上に直接行っても、あるいは媒体を構成するいずれか
の薄膜上に行ってもよい。また、照射方法についても特
に制限はなく、どのような光源を使用してもよい。
【００２５】
【実施例】次に、実施例および比較例により本発明を更
に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り以下の実施例に限定されるものではない。 実施例１ Ａｌ−Ｍｇ基板にＮｉＰ無電解めっき層を約２０μｍ厚
さに形成した後、下記の研磨条件により基板表面の研磨
を行った。
に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り以下の実施例に限定されるものではない。 実施例１ Ａｌ−Ｍｇ基板にＮｉＰ無電解めっき層を約２０μｍ厚
さに形成した後、下記の研磨条件により基板表面の研磨
を行った。
【００２６】研磨条件 研磨機：９Ｂ−ＩＶポリッシュマシン パッド：Ｐｏｌｉｔｅｘ ＤＧ 研磨液：Ｐｒａｘａｉｒ ２７１６ ４倍希釈液＋界面
活性剤（０．４５μｍ径のアルミナ砥粒） スラリー供給量：１３０〜１８０ｍｌ／ｍｉｎ 加工圧力：１００ｇ／ｃｍ2 回転数：３０ｒｐｍ キャリア材質：ＧＦ 研磨時間：３〜４ｍｉｎ 得られたＮｉＰめっき付きＡｌ−Ｍｇ基板の表面粗さＲ
ａは０．５ｎｍであり、表面には不規則なポリッシュ痕
が見られた。このときＮｉＰめっきの厚さは約１０μｍ
であった。
活性剤（０．４５μｍ径のアルミナ砥粒） スラリー供給量：１３０〜１８０ｍｌ／ｍｉｎ 加工圧力：１００ｇ／ｃｍ2 回転数：３０ｒｐｍ キャリア材質：ＧＦ 研磨時間：３〜４ｍｉｎ 得られたＮｉＰめっき付きＡｌ−Ｍｇ基板の表面粗さＲ
ａは０．５ｎｍであり、表面には不規則なポリッシュ痕
が見られた。このときＮｉＰめっきの厚さは約１０μｍ
であった。
【００２７】なお、表面粗さは、触針式表面粗さ計（商
品名：タリステップ触針：０．２×０．２μｍ）を用い
て基板上の２５０μｍの長さにわたって粗さを測定し、
これを場所の異なる６箇所で繰り返し、それぞれの測定
結果から得られた平均表面粗さをさらに平均して決定し
た。この基板に、枚葉型スパッタリング装置を用いて以
下のように薄膜を形成した。
品名：タリステップ触針：０．２×０．２μｍ）を用い
て基板上の２５０μｍの長さにわたって粗さを測定し、
これを場所の異なる６箇所で繰り返し、それぞれの測定
結果から得られた平均表面粗さをさらに平均して決定し
た。この基板に、枚葉型スパッタリング装置を用いて以
下のように薄膜を形成した。
【００２８】まず、真空チャンバを４×１０-8ｔｏｒｒ
まで排気し、その状態でランプヒータを用いて基板温度
を約２５０℃まで加熱した。そののち、チャンバ内に微
量の高純度アルゴンガスを導入し、チャンバ内真空度が
４．５×１０-3Ｔｏｒｒとなるように調整し、基板上に
Ｇｅ下地層１０ｎｍ、Ｃｒ下地層２０ｎｍ、Ｃｏ−１３
Ｃｒ−４Ｔａ（原子％）の合金磁性層２０ｎｍ、アモル
ファスカーボン保護層１０ｎｍを順次形成した。なお、
Ｃｏ合金磁性層を形成する際、基板に−２００Ｖの直流
電圧を印加した。
まで排気し、その状態でランプヒータを用いて基板温度
を約２５０℃まで加熱した。そののち、チャンバ内に微
量の高純度アルゴンガスを導入し、チャンバ内真空度が
４．５×１０-3Ｔｏｒｒとなるように調整し、基板上に
Ｇｅ下地層１０ｎｍ、Ｃｒ下地層２０ｎｍ、Ｃｏ−１３
Ｃｒ−４Ｔａ（原子％）の合金磁性層２０ｎｍ、アモル
ファスカーボン保護層１０ｎｍを順次形成した。なお、
Ｃｏ合金磁性層を形成する際、基板に−２００Ｖの直流
電圧を印加した。
【００２９】次に、得られた試料につき、Ｋｅｒｒ効果
を利用して媒体表面の保磁力分布を測定し、標準偏差σ
を求めた。測定には最大印加磁界５ｋＯｅに設定したＫ
ｅｒｒループ利用磁気特性測定装置を使用した。測定位
置は半径ｒ＝２０、３０、４０、４４．５ｍｍで角度θ
＝０、３０、６０、９０、１２０、１５０、１８０、２
１０、２４０、２７０、３００、３３０度の点であり、
試料１枚につき合計４８点であった。なお、角度０度の
方向は任意に決定した。結果を表−１に示した。なお、
保磁力の標準偏差σは、測定点数をｎ、各点での保磁力
の測定値をｘi、保磁力の平均値をｘとし、これらを下
記式（１）及び式（２）にあてはめて求めた。
を利用して媒体表面の保磁力分布を測定し、標準偏差σ
を求めた。測定には最大印加磁界５ｋＯｅに設定したＫ
ｅｒｒループ利用磁気特性測定装置を使用した。測定位
置は半径ｒ＝２０、３０、４０、４４．５ｍｍで角度θ
＝０、３０、６０、９０、１２０、１５０、１８０、２
１０、２４０、２７０、３００、３３０度の点であり、
試料１枚につき合計４８点であった。なお、角度０度の
方向は任意に決定した。結果を表−１に示した。なお、
保磁力の標準偏差σは、測定点数をｎ、各点での保磁力
の測定値をｘi、保磁力の平均値をｘとし、これらを下
記式（１）及び式（２）にあてはめて求めた。
【００３０】
【数１】
【００３１】比較例１ Ｇｅ下地層を形成しないこと以外は実施例１と同様にし
て磁気記録媒体を作製し、保磁力を測定した。結果を表
−１に示した。
て磁気記録媒体を作製し、保磁力を測定した。結果を表
−１に示した。
【００３２】
【表１】
【００３３】表−１より、Ｇｅ下地層を設けた実施例１
では、比較例１より高い保磁力を示し、かつ、保磁力の
標準偏差σも半分以下に抑えられていることが分かる。
では、比較例１より高い保磁力を示し、かつ、保磁力の
標準偏差σも半分以下に抑えられていることが分かる。
【００３４】実施例２ 実施例１と同様に作製した基板を使用し、磁気ヘッドが
ＣＳＳを行う領域のみに次のようにテキスチャー加工を
施した。３００ｍＷに精度良く制御されたアルゴンパル
スレーザーを、基板線速度８５７ｍｍ／ｓ、平均照射時
間２．５μ秒で基板上に照射し、突起を形成させた。突
起は基板表面のうち、半径ｒ＝１７ｍｍ〜２１ｍｍのド
ーナツ状の全領域にわたって平均突起密度４１２０個／
ｍｍ2、平均突起高さ３７ｎｍで形成した。
ＣＳＳを行う領域のみに次のようにテキスチャー加工を
施した。３００ｍＷに精度良く制御されたアルゴンパル
スレーザーを、基板線速度８５７ｍｍ／ｓ、平均照射時
間２．５μ秒で基板上に照射し、突起を形成させた。突
起は基板表面のうち、半径ｒ＝１７ｍｍ〜２１ｍｍのド
ーナツ状の全領域にわたって平均突起密度４１２０個／
ｍｍ2、平均突起高さ３７ｎｍで形成した。
【００３５】なお、表面粗さの測定は実施例１と同様に
行ったが、測定はテキスチャー加工が施された領域以外
の場所で行った。このようにテキスチャーを形成した基
板に、実施例１と同じ枚葉型スパッタリング装置を用い
て以下のように薄膜を形成した。まず、真空チャンバを
４×１０-8ｔｏｒｒまで排気し、その状態でランプヒー
タを用いて基板温度を約２５０℃まで加熱した。そのの
ち、チャンバ内に微量の高純度アルゴンガスを導入し、
チャンバ内真空度が４．５×１０-3Ｔｏｒｒとなるよう
に調整し、基板上にＧｅ下地層１０ｎｍ、Ｃｒ下地層２
０ｎｍ、Ｃｏ−２０Ｎｉ−１２Ｃｒ−４Ｔａ−３Ｂ（原
子％）の合金磁性層２０ｎｍ、アモルファスカーボン保
護層１０ｎｍを順次形成した。Ｃｏ合金磁性層を形成す
る際には、基板に−２００Ｖの直流電圧を印加した。次
に、得られた試料につき、実施例１と同様に媒体表面の
保磁力分布を測定した。結果を表−１に示す。また、得
られた試料はＣＣＳテストにおいて高い耐久性を示し
た。
行ったが、測定はテキスチャー加工が施された領域以外
の場所で行った。このようにテキスチャーを形成した基
板に、実施例１と同じ枚葉型スパッタリング装置を用い
て以下のように薄膜を形成した。まず、真空チャンバを
４×１０-8ｔｏｒｒまで排気し、その状態でランプヒー
タを用いて基板温度を約２５０℃まで加熱した。そのの
ち、チャンバ内に微量の高純度アルゴンガスを導入し、
チャンバ内真空度が４．５×１０-3Ｔｏｒｒとなるよう
に調整し、基板上にＧｅ下地層１０ｎｍ、Ｃｒ下地層２
０ｎｍ、Ｃｏ−２０Ｎｉ−１２Ｃｒ−４Ｔａ−３Ｂ（原
子％）の合金磁性層２０ｎｍ、アモルファスカーボン保
護層１０ｎｍを順次形成した。Ｃｏ合金磁性層を形成す
る際には、基板に−２００Ｖの直流電圧を印加した。次
に、得られた試料につき、実施例１と同様に媒体表面の
保磁力分布を測定した。結果を表−１に示す。また、得
られた試料はＣＣＳテストにおいて高い耐久性を示し
た。
【００３６】比較例２ Ｇｅ下地層を形成しないこと以外は実施例２と同様にし
て磁気記録媒体を作製し、保磁力を測定した。結果を表
−１に示した。なお、得られた試料はＣＣＳテストにお
いて高い耐久性を示した。表−１より、Ｇｅ下地層を設
けた実施例２では保磁力の標準偏差σが比較例２の半分
程度に抑えられていることが分かる。
て磁気記録媒体を作製し、保磁力を測定した。結果を表
−１に示した。なお、得られた試料はＣＣＳテストにお
いて高い耐久性を示した。表−１より、Ｇｅ下地層を設
けた実施例２では保磁力の標準偏差σが比較例２の半分
程度に抑えられていることが分かる。
【００３７】また、実施例２ではＣｏ−２０Ｎｉ−１２
Ｃｒ−４Ｔａ−３Ｂ合金磁性層を用いたため保磁力値そ
のものも高い。Ｃｏ−２０Ｎｉ−１２Ｃｒ−４Ｔａ−３
Ｂ合金磁性層は高保磁力が出やすく、また、Ｇｅ下地層
の挿入により保磁力値が増大する効果も高いためであ
る。すなわち実施例２では、耐久性が高く、かつ保磁力
値が高く面内分布も小さい磁気記録媒体が得られた。
Ｃｒ−４Ｔａ−３Ｂ合金磁性層を用いたため保磁力値そ
のものも高い。Ｃｏ−２０Ｎｉ−１２Ｃｒ−４Ｔａ−３
Ｂ合金磁性層は高保磁力が出やすく、また、Ｇｅ下地層
の挿入により保磁力値が増大する効果も高いためであ
る。すなわち実施例２では、耐久性が高く、かつ保磁力
値が高く面内分布も小さい磁気記録媒体が得られた。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、機械的なテキスチャー
を施さないＲａが１ｎｍ以下の平滑基板を用いても、十
分な保磁力を持ち、保磁力の面内分布が小さく均一な特
性を持った磁気記録媒体を提供することができる。
を施さないＲａが１ｎｍ以下の平滑基板を用いても、十
分な保磁力を持ち、保磁力の面内分布が小さく均一な特
性を持った磁気記録媒体を提供することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 表面の算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下、
かつ、表面上に機械的加工による同心円状のテキスチャ
ーを有さない非磁性基板上に、Ｇｅを９０原子％を超え
る量含有する下地層、Ｃｒを８０原子％を超える量含有
する下地層、Ｃｏ合金磁性層を順次設けてなることを特
徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 磁気ヘッドがＣＳＳを行う領域のみにエ
ネルギー線照射によるテキスチャー加工が施されてなる
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5460397A JPH10255248A (ja) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5460397A JPH10255248A (ja) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10255248A true JPH10255248A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=12975321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5460397A Pending JPH10255248A (ja) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10255248A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10573805B2 (en) | 2017-09-21 | 2020-02-25 | Toshiba Memory Corporation | Magnetic memory device |
-
1997
- 1997-03-10 JP JP5460397A patent/JPH10255248A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10573805B2 (en) | 2017-09-21 | 2020-02-25 | Toshiba Memory Corporation | Magnetic memory device |
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