JPH10255235A - 磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ及びその製造方法 - Google Patents

磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ及びその製造方法

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JPH10255235A
JPH10255235A JP9313094A JP31309497A JPH10255235A JP H10255235 A JPH10255235 A JP H10255235A JP 9313094 A JP9313094 A JP 9313094A JP 31309497 A JP31309497 A JP 31309497A JP H10255235 A JPH10255235 A JP H10255235A
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Japan
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inductive write
substrate
head assembly
magnetoresistive read
magnetic head
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JP9313094A
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Jeffrey William Carr
ジェフェリー・ウィリアム・カー
Moris Musa Dovek
モーリス・ミュサ・ドウヴェック
Mohamad Towfik Krounbi
モハマド・ターフィック・クラーンビー
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International Business Machines Corp
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    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 硬い電気絶縁基板上に形成されかつ静電気放
電（ＥＳＤ）保護を備えた磁気抵抗（ＭＲ）読取り／誘
導書込み磁気ヘッド・アセンブリを提供する。 【解決手段】 ＭＲヘッド・アセンブリ５０は、好適に
はサファイア又はアルミナ−ＴｉＣから形成される硬い
電気絶縁基板５２と、基板上に形成される複数のアルミ
ナ層５４と、アルミナ層の間に配置される磁気抵抗読取
り／誘導書込みヘッド５６と、基板により支持されるシ
リコン層５８と、ヘッドに対する静電気放電保護を設け
るべくシリコン層へ組み込まれかつ磁気抵抗読取り／誘
導書込みヘッドと接続される半導体回路６０とを有す
る。シリコン層はサファイア基板の場合は基板上へエピ
タキシャル成長させられ、アルミナ−ＴｉＣ基板の場合
は基板へ接合される。硬い電気絶縁基板及びアルミナ層
によりアセンブリは、ほぼ均一な重なり度とエッチング
特性並びに優れた耐久性を具備する硬いエア・ベアリン
グ面６２を設けられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク・ド
ライブに関係し、特に、硬い絶縁基板へ付設されそして
さらに硬いエア・ベアリング面をもつシリコン層に集積
された半導体回路素子により、静電気放電に対し保護さ
れた磁気抵抗読取りセンサを用いる読取り／書込み変換
器に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ヘッド・ディスク・ドライブ・シス
テムは、コスト的に有利な形態のデータ記憶機構として
コンピュータ産業において広く認められている。磁気デ
ィスク・ドライブ・システムにおいては、ディスク形状
の磁気記録媒体が高速回転する一方、いわゆる磁気ヘッ
ドである磁気読取り／書込み変換器が、回転するディス
ク表面のわずかに上方を「浮動（fly）」する。磁気デ
ィスクは、主軸駆動モータを用いて回転させられる。磁
気ヘッドは、「スライダ」に付設されるか又は一体的に
形成される。スライダは、アクチュエータ・アームとし
て知られる、バネにより付勢された支持アームからディ
スクの上方に吊り下げられている。磁気ディスクが動作
速度で回転すると、スライダの物理的設計と関連して回
転ディスクにより発生する移動する空気が磁気ヘッドを
持ち上げ、それにより磁気ヘッドは、エア・クッション
に乗ってディスク表面のわずか上方を滑り動く（glid
e）すなわち「浮動」することができる。これをエア・
ベアリングと称する。ディスク表面状の磁気ヘッドの浮
動高度は、通常、わずか数マイクロインチ若しくはそれ
未満であり、そして基本的には、ディスク回転、スライ
ダ構造の空気力学特性、及びバネ付勢されたアクチュエ
ータ・アームから受ける力の関数である。
【０００３】磁気抵抗センサは、「ＭＲヘッド」とも称
されるが、特に、磁気変換器における読取り素子（エレ
メント）として、とりわけ高いデータ記録密度において
有用である。ＭＲセンサは、誘導性読取りヘッドよりも
大きな出力信号が得られる。この大きな出力信号によ
り、記録チャネルの信号対雑音比が高くなり、磁気ディ
スク表面上の記録データの面密度をさらに高くすること
ができる。
【０００４】ＭＲヘッドは、通常、アルミナ−ＴｉＣの
セラミック基板上に作製される。しかしながら、ＭＲヘ
ッドの断面積が小さくなると、膜厚及びストライプ高さ
の双方が縮小される結果、静電気放電（ＥＳＤ）感度が
増大する。ＥＳＤとは、Electro Static Dischargeの略
である。静電気放電ともいう。物質と物質が摩擦、加
圧、衝突など接触・分離することで双方の物質に静電気
が発生する。そして絶縁物や絶縁された導電体に残留
（帯電）し、残留した静電気は、物体に触れると瞬時に
放電する。これを静電気放電という。コンピュータの電
子回路に使用されている素子は静電気の影響を受けやす
いので、種々の対策が取られている。スピン・バルブ材
料は、静電気放電に曝されたとき更なる回復可能な故障
モードを有する。すなわち、反強磁性体の低いブロック
温度に起因するピン止め層のアンダーピニング(underpi
nning)である。
【０００５】静電荷は、例えば、ヘッドの製造及びその
後の取扱いの間にプラスチック等の所与の材料の存在に
より発生することがある。これらの電荷は、磁極片と近
傍の導電体層の間の絶縁層の端を渡るようにアーク放電
する。磁極片と導電体層は、記録媒体に向き合ったスラ
イダ・エア・ベアリング面の変換間隙に露出して設置さ
れている。この放電は、磁極片を侵食すると共に、デー
タの読取り及び書込みにおける変換器劣化の原因とな
る。
【０００６】上記のように、ＭＲセンサがＥＳＤに曝さ
れるとき、あるいは、正常な動作条件下で意図されたよ
りも大きな電圧又は電流が入力されるような電気的過負
荷すなわちＥＯＳ（Electrical Over Stress）と称され
る状態のときでさえ、ＭＲセンサ及び他のヘッド部品は
損傷を被る場合がある。この電気的損傷に対する感度
は、特にＭＲ読取りセンサにおいて厳しい。なぜなら、
ＭＲ読取りセンサの物理的サイズが相対的に小さいから
である。例えば、極めて高い記録密度に用いられるＭＲ
センサは、１００オンク゛ストローム(Å)×１．０マイクロメートル(μm)
若しくはそれ以下の断面を有することになる。このよう
に物理的に小さいセンサにかかるわずか数ボルトの電圧
の放電は、そのセンサを抵抗と同様に考えると、そのＭ
Ｒセンサを甚だしく損傷したり完全に破壊したりできる
電流を発生するに十分である。ＭＲセンサの被る可能性
のある損傷の性質は、非常に様々であり、例えば、溶融
及び蒸発を経るセンサの完全な破壊、エア・ベアリング
面の汚染、電気的絶縁破壊を経る短絡の発生、ヘッド性
能が低下してしまう緩慢な形態の損傷等が含まれる。Ｍ
Ｒヘッドに対するこのタイプの損傷は、処理上の使用お
いても操作上の使用においても発生することが判明して
いる。よって、ＭＲ読取りセンサを組み込む磁気ヘッド
の製造及び取り扱いにおける深刻な問題となっている。
【０００７】薄膜誘導性読取り／書込みヘッドに関連す
る静電気放電（ＥＳＤ）問題は、十分に記述され幾つか
の解決策が提示されている。Elserらによる米国特許第
４３１７１４９号は、絶縁層に形成された凹部に導電材
料を蒸着することにより短絡放電経路を設けた誘導ヘッ
ドを開示する。これにより、静電気放電は、スライダ・
エア・ベアリング面での重要な磁極片と間隙領域から離
れた領域で発生することになる。Schwartsらによる米国
特許第４８００４５４号は、磁極片と誘導性巻コイルが
スライダへ結合されることにより、形成されるいかなる
静電荷も放電させることができるような誘導ヘッド構造
を開示する。巻コイルは、大きな順方向及び逆方向電圧
降下をもつダイオードを介して、あるいは溶融性リンク
を介してスライダ本体へ接続される。
【０００８】米国特許第５４６５１８６号は、磁気記憶
システムの製造及び組み立ての間の電気的過負荷及び静
電気放電の影響から磁気読取り／書込み変換器を保護す
る方策を開示している。磁気抵抗（ＭＲ）センサ素子の
導電性リードは、低抵抗とするために互いに短絡され、
導電性パスは、ＭＲ素子を迂回して、静電荷の放電中に
ＭＲ検知素子を通る電流を最小限とする。ＭＲセンサ・
リード端子パッドは、はんだ付けにより互いに短絡され
る。ＭＲ磁気シールド、誘導コイル、誘導磁気ヨーク構
造等の他の変換器要素もまた、リード端子パッドをスラ
イダ表面で互いにはんだ付けすることによりＭＲセンサ
・リードへ短絡させることができる。別の方法として、
ＭＲ端子を互いに短絡させるために導電性の対より線を
用いてもよい。逆向きダイオード対等の離れて配置され
る保護用素子もまた、対より線を用いてＭＲセンサ素子
を渡るように接続することができる。この短絡は、ＭＲ
ヘッドを磁気記憶システム内で動作させるために設置す
る前に取り除かれる。
【０００９】米国特許第５４９１６０５号は、電気的過
負荷（Electrical Overstress：ＥＯＳ）及びＥＳＤか
ら磁気読取り／書込み変換器を保護するための方策を開
示する。ＭＲヘッド及び誘導ヘッドの要素は、互いに短
絡されかつスライダ基板へ短絡されることにより、静電
荷の放電の際にＭＲセンサ素子を迂回してＭＲ素子を通
る電流を最小限とする低抵抗の導電性パスを実現する。
スライダ・エア・ベアリング面において露出したＭＲセ
ンサ素子、ＭＲ導電性リード、ＭＲ磁気シールド要素、
及び誘導性磁極片は、スライダ・エア・ベアリング面を
覆って形成されるタングステン等の導電性材料の層によ
り互いに短絡されかつスライダ基板へ短絡される。導電
層は、ヘッド素子を互いに短絡させかつスライダ基板へ
と短絡させることにより、その後の取扱い及び組立の際
におけるＥＳＤ／ＥＯＳ損傷からヘッドを保護する。導
電層は、磁気ヘッドを磁気記憶システムで動作させるべ
く設置する前に、湿式エッチングにより取り除かれる。
【００１０】上記のＥＳＤ及びＥＯＳ保護方法の限界の
一つは、はんだ付けされた短絡路すなわち導電層の除去
後に、ヘッド構造が再びＥＤＳ／ＥＯＳ損傷に対して弱
くなってしまうにも拘わらず、更なる製造プロセスに供
され、そしてその後に動作させられることである。さら
に、このような短絡路及び／又は導電層の除去は、ヘッ
ドの損傷の原因となりかねない更なる製造ステップを必
要とする。
【００１１】ダイオードは、様々な処理ステップにおけ
るＭＲヘッドの検査性に悪影響を与えることなくＥＳＤ
保護を強化できることで知られている。さらに、順方向
バイアスのダイオードの容量を最小値に維持できる場
合、ダイオードが、そのファイルのＭＲヘッドの性能に
対して感知されるほどの影響を与えないことも知られて
いる。しかしながら、アルミナ−ＴｉＣ基板上に作製で
きる唯一の種類のダイオードは、「薄膜ダイオード」と
して知られているが、それらの特性はよく理解されてい
ない。
【００１２】シリコンは、普通に入手できる低コストの
材料であり、十分に確立されたｐ-ｎ結合ダイオードの
プロセスをサポートする。シリコン上に形成されるｐ-
ｎ結合ダイオードは、順方向バイアス電流及びキャリア
再結合時間に比例する容量を有する。ＥＳＤ保護は順方
向バイアス電流に比例するので、所与のレベルのＥＳＤ
保護において容量を低減する唯一のパラメータは、キャ
リア再結合時間が短くなることである。シリコンは、ア
ルミナ−ＴｉＣよりも硬度が低いため、アルミナ−Ｔｉ
Ｃよりも傷つきやすい。従って、露出したシリコン表面
をもつＭＲヘッドの場合、ヘッド−ディスク間のインタ
フェース性能が劣ることになる。さらに、シリコンの歩
留り強度は、アルミナ−ＴｉＣのそれより低い。よっ
て、シリコン構造を組み込んだＭＲヘッドは、様々な製
造ステップを経て取り扱われる間に、並べられた形でさ
らに容易に破損してしまう傾向がある。さらに、二酸化
ケイ素（ＳｉＯ2）等の上被膜材料は、エア・ベアリン
グのパターン形成においてシリコン基板と同程度の速度
で反応性イオン・エッチングやイオン粉砕されるので、
シリコン基板と互換性があることが知られている。この
ような上被膜材料は、エア・ベアリング面が重ねられた
とき、シリコン基板より上に突き出てくることが観察さ
れている。このような突き出しは、ハードディスクとの
接触のおそれがあり、ディスク表面上に掻き傷を生じる
可能性がある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、周知
の製造技術を用いてコスト的に効果的な方法でＭＲヘッ
ド・アセンブリに永久的に組み込まれたＥＳＤ／ＥＯＳ
保護機構を具備するＭＲ読取り／書込みヘッド・アセン
ブリを提供することにある。
【００１４】本発明の他の目的は、基本的ソリッドステ
ート型ダイオードの形成を支持する、アルミナ−ＴｉＣ
に匹敵する硬度及び歩留まり強度を有する基板上に形成
されたＭＲヘッドを提供することにある。
【００１５】本発明の更なる目的は、標準的上被覆材料
に匹敵する材料から作製されるＭＲヘッドであって、こ
れらの材料の全てが同じ様な重なりの程度を有するもの
を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、硬い絶縁基板
上に形成され静電気放電保護を具備する磁気抵抗読取り
／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリを提供する。この
アセンブリは、好適にはサファイア若しくはアルミナ−
ＴｉＣから形成される硬い電気絶縁基板と、この基板の
上に形成される複数のアルミナ層と、アルミナ層同士の
間に設置される磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッドと、
上記基板により支持されるシリコン層と、このシリコン
層に組み込まれかつ上記磁気抵抗読取り／誘導書込みヘ
ッドと互いに接続される半導体回路とを有する。この半
導体回路は、このアセンブリの製造中及びその後の操作
中における静電気放電を吸収する短絡経路を設ける。シ
リコン層はサファイア上にエピタキシャル成長させられ
るか、又はアルミナＴｉＣへ接合される。硬い絶縁基板
及びアルミナ層は、ほぼ均一な重なり特性とエッチング
特性を具備した耐久性に優れた硬いエア・ベアリング面
をもつアセンブリを実現する。
【００１７】本発明の別の態様では、上記アセンブリ
が、硬い絶縁基板と、この基板上に形成される複数のア
ルミナ層と、アルミナ層同士の間に設置される磁気抵抗
読取り／誘導書込みヘッドとを有することにより、耐久
性に優れた硬いエア・ベアリング面を具備するアセンブ
リを実現する。このような優れた耐久性により、損傷の
危険性が低減されるので製造中におけるアセンブリの取
扱い及び処理が容易となる。
【００１８】本発明はさらに、静電気放電保護を具備し
かつ硬い絶縁基板上に形成される磁気抵抗読取り／誘導
書込み磁気ヘッド・アセンブリを製造する方法としても
特徴付けられる。本発明の方法は、基板へシリコン層を
付設するステップと、シリコン層に半導体回路を組み込
むステップと、基板上に磁気抵抗読取り／誘導書込みヘ
ッド及び複数のアルミナ層を含む多層構造を形成するス
テップと、上記半導体構造を磁気抵抗読取り／誘導書込
みヘッドと電気的に相互接続するステップとを含む。
【００１９】本発明の利点の１つは、ＭＲヘッド・アセ
ンブリ内に永久的に組み込まれかつ標準的なフォトリソ
グラフィ式シリコン処理を用いて製造できるＥＳＤ／Ｅ
ＯＳ保護を具備するＭＲ読取り／誘導書込みヘッド・ア
センブリを提供することである。本発明の更なる利点
は、硬いエア・ベアリング面を具備するＭＲ読取り／誘
導書込みヘッド・アセンブリを提供することである。こ
れらの及び他の本発明の利点は、以下の図面及び説明か
ら容易に明らかにされるであろう。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施例である磁
気ディスク記憶システム１０を示す図である。しかしな
がら本発明は、他のタイプの磁気記録システム、例えば
磁気テープ記録システムにおいても、あるいは、磁場を
検知するために磁気抵抗（ＭＲ）センサが用いられる他
のタイプのシステムにおいても利用できる。磁気ディス
ク記憶システムは、少なくとも１つの回転回能な磁気デ
ィスク１２を有し、磁気ディスク１２は、主軸１４に支
持されディスク駆動モータ１８により回転させられる。
ディスク１２上には、少なくとも１つのスライダ１３が
設置される。各スライダ１３は、１又は複数の磁気読取
り／書込み変換器２１を支持する。変換器２１は、ＭＲ
読取り／誘導書込みヘッドと、若しくは単にＭＲ読取り
／書込みヘッドとも称せられる。各ディスク１２上の磁
気記録媒体は、同心データ・トラックの環状パターン
（図示せず）を形成している。ディスク１２が回転する
と、スライダ１３はディスク表面２２の上を径方向に往
復移動することにより、ヘッド２１は、所望するデータ
の記録されている部分又はデータを書込もうとする部分
であるディスク１２の様々な部分にアクセスすることが
できる。各スライダ１３は、サスペンション１５を用い
てアクチュエータ・アーム１９へ取り付けられる。サス
ペンション１５は、ディスク表面２２に対してスライダ
１３を押し付ける僅かなバネ力を与える。例えば、各ア
クチュエータ・アーム１９は、ボイス・コイル・モータ
（ＶＣＭ）等のアクチュエータ・システム２７へ取り付
けられる。ＶＣＭは、固定された磁場内で移動可能なコ
イルを有する。ＶＣＭのコイル移動の方向及び速度は、
制御ユニット２９により設けられる位置制御信号２８に
より制御される。
【００２１】ディスク記憶システム１０の動作中、ディ
スク１２の回転は、スライダ１３とディスク表面２２と
の間にエア・ベアリングを発生することによりスライダ
に対し上向きの力すなわち揚力を働かせる。エア・ベア
リングはサスペンション１５の僅かなバネ力と釣り合う
ことで、動作中、小さな実質的に一定の間隙によりスラ
イダ１３をディスク表面２２の僅か上方で支持する。一
般にその間隔の範囲は約２５．４μm〜５０．８μm（約
１．０乃至２．０マイクロインチ）である。
【００２２】ディスク記憶システムの様々な構成要素
は、動作中、制御ユニット２９により発生される制御信
号、例えばアクセス制御信号や内部クロック信号等によ
り制御される。通常、制御ユニット２９は、論理制御回
路、記憶手段及びマイクロプロセッサを有する。制御ユ
ニット２９は、駆動モータ制御信号２３及び位置制御信
号２８を発生する。位置制御信号２８は、選択されたス
ライダ１３を関連するディスク１２上の所望されたデー
タ・トラックへ最適に移動し位置決めするために現在の
状態を与える。駆動モータ制御信号２３は、ディス１２
を回転させるディスク駆動モータ１８を制御する。読取
り及び書込み信号は、記録チャネル２５により読取り／
書込みヘッド２１との間で通信される。
【００２３】通常の磁気ディスク記憶システム１０及び
図１の上述の説明は、説明のためだけのものである。デ
ィスク記憶システムは、非常に多数のディスク及びアク
チュエータを具備することができ、各アクチュエータ多
数のスライダを支持することができる。
【００２４】図２及び図３はそれぞれ、回転磁気記録デ
ィスク３２と変換する関係にあるＭＲ読取り／誘導書込
み磁気ヘッド・アセンブリ３０（以下、「ＭＲ読取り／
書込みヘッド」とも称する）の断面図である。このと
き、ヘッド・エア・ベアリング面４５（ＡＢＳ）が、デ
ィスク３２の記録面３４と向き合う関係にありかつ僅か
上方に位置するようになる。ＭＲ読取り／書込みヘッド
３０は、ＭＲ読取りアセンブリ及び誘導書込みアセンブ
リを含み、これらは硬い電気絶縁基板３１の表面上に互
いに隣接して形成され、通常、スライダ１３の追跡端を
形成する（図１参照）。「硬い（hard）」基板とは、約
１０乃至４０ギガパスカル(ＧＰａ)の範囲の硬度を有
し、さらに好適には約５０ＧＰａ以上のヤング率も有す
る材料で形成された基板を称する。このような特性を備
えた基板は、優れた耐久性及び弾性を有するＭＲ読取り
／書込みヘッドを実現する。これにより、製造中の破損
及び使用時の引っ掻き（スクラッチ）に対してさらに耐性の
あるヘッドを作製することができる。ＭＲ読取りアセン
ブリは、ニッケル−鉄（ＮｉＦｅ）合金等の強磁性材料
から作製されるＭＲ検知素子３５を有し、例えば、第１
と第２の磁気シールド要素３３と３７の間に挿入され
る。ＭＲ検知素子３５は、通常パーマロイ(Permalloy)
と称されるＮｉＦｅの単一層を有することもある。ＭＲ
検知素子３５はさらに、米国特許第4,785,366号又は同
第5,206,590号に記載された巨大ＭＲ効果（ジャイアン
トＭＲ効果）を利用するタイプの磁気バイアス層を含む
多層磁気構造として実施することもできる。これらの特
許を参照されたい。
【００２５】シールド要素３３及び３７は、一般に透磁
性の高い磁性材料、例えばパーマロイ若しくはセンダス
ト(Sendust)、アルミニウム−シリコン−鉄の合金から
作られる。磁性シールド要素３３及び３７は、磁気干渉
がＭＲ素子３５に及ぼす影響を最小限とするか若しくは
排除する。これらがなければ、無関係な電気的パルスを
生じるおそれがある。図示されていない導電性リード
は、一般に銅（Ｃｕ）又は他の適宜の導電性材料から形
成され、ＭＲ素子３５の末端部分にてＭＲ素子を外部回
路へ結合するために取り付けられる。外部回路はＭＲ素
子の抵抗を検知するためのものである。このような導電
性リードは、本出願人による米国特許第5,465,186号に
記載されたタイプでよい。この特許を参照されたい。
【００２６】ＭＲ読取り／書込みヘッド・アセンブリ
は、標準的な真空蒸着技術を用いて基板３１上に製造す
ることができる。例えば、スパッタ蒸着等である。ＭＲ
アセンブリの様々な要素は、例えばスパッタリングされ
たアルミナ等の硬い絶縁材料の層４２により互いに囲い
合いかつ絶縁される。ＳｉＯ2及びＳｉＮ等の他の絶縁
材料もまた用いることができる。アルミナは、硬い絶縁
基板３１と共に用いられるとき絶縁材料として特に望ま
しい。なぜなら、これらの材料は共にＭＲ読取り／書込
みヘッド３５に対して硬いエア・ベアリング面を提供す
るからである。この面は高い引っ掻き耐性を有する上、
アルミナ−ＴｉＣ及びサファイヤと非常に類似した重な
り度及びエッチング度を有する。これらの材料を組み合
わせて用いることにより、非常に精度良く作製されたエ
ア・ベアリング面を有するＭＲ読取り／書込みヘッド・
アセンブリの高い製造歩留まりが容易に実現される。例
えば、このようなエア・ベアリング面の表面粗さ（surf
ace roughness）すなわち微細仕上げ（microfinish）
は、約０．１乃至１．５nmＲＡ（Roughness Average:平
均粗さ）の範囲である。この値は走査型プローブ顕微鏡
（ＳＰＭ）を用いて決定でき、平坦度（フラットネス）
は、２mm走査において約１０乃至４０nmの範囲である。
【００２７】図２を参照すると、誘導書込みアセンブリ
が、下側のすなわち第１の極片（極ピース）３８と、上
側のすなわち第２の極片４０とを有する。第１の極片３
８と第２の極片４０とはそれぞれ、例えばＮｉＦｅ等の
透磁性の高い磁性材料から作製されることが好ましく、
それぞれ第１の極先端（極チップ）３９と第２の極先端
４１により背面間隙部分（図示せず）にて互いに磁気的
に接続される磁気回路を形成する。これにより、エア・
ベアリング面４５において磁気的間隙４７を形成する。
例えば一般的にＣｕから作製される１又は複数の導電体
の層４３は、第１の極片３８と第２の極片４０との間に
配置される誘導コイルを形成する。誘導コイルは導電体
４３を有し、図示しない導電性リードを介して外部回路
へも接続される。極片３８及び４０並びに導電体４３
は、好適には電界メッキやスパッタ蒸着等の周知のプロ
セスを用いて製造される。極片３８及び４０は、スパッ
タリングされたアルミナ等の電気絶縁材料の層４２によ
り誘導コイル及びＭＲ読取りアセンブリから電気的に絶
縁される。その後、アセンブリ全体が、アルミナ等の絶
縁及び保護材料からなる図示しないキャップ層により被
覆される。
【００２８】図２に示すヘッド３０は、ときには「ピギ
ーバック(piggyback)・ヘッド」と称される。図３に示
す別の構成の「マージド(merged)・ヘッド」と称される
ものでは、第２の磁気シールド要素３７（図２）が誘導
アセンブリである第１の極片３８と併合されることによ
り、双方の機能を実行する単一の要素４９を形成してい
る。
【００２９】前述のように、静電荷は、ヘッド・アセン
ブリ３０の様々な構成要素、ヘッド・アセンブリに接触
するか若しくは近づくいかなる物体、器具若しくは人
間、又はヘッド・アセンブリに取り付けられるいかなる
電気的リードにも蓄積する可能性がある。このような静
電荷は、深刻なＥＳＯ／ＥＳＤ損傷をヘッドに生じさせ
るおそれがある。これらの電荷は、製造プロセス中及び
それに続くヘッド取扱い中に蓄積する可能性がある。例
えば、ディスク・ドライブアセンブリの製造途中におけ
るヘッドと他の構成要素との組立てにより、比較的大き
な量の静電荷がヘッド素子上に蓄積されることがある。
電荷は、それらが発生した領域から導電性経路に沿って
成長するように移動していく。このように静電荷の成長
は、その次には、容量性放電の形で１つの導電性要素か
ら誘電材料を横切って別の導電性要素への放電となる、
すなわち「絶縁破壊（breakdown）」が起きる。放電
は、通常、蓄積された静電エネルギーの放電のための端
末として働く導電材料の領域においてバーンアウト等に
よる損傷を生じることとなる。
【００３０】誘導コイルを有する導電体４３、並びに磁
極片３８及び４０は、比較的高電圧及び高電流に耐え得
る。しかしながら、ＭＲ検知素子３５は、物理的に断面
積が小さいので電流及び電圧の過負荷に特に弱い。ＭＲ
検知素子３５の活性な検知部分は、通常０．５乃至２０
マイクロメートルの範囲の長さ、０．５乃至５マイクロ
メートルの範囲の幅、１０乃至１００ナノメートル(nm)
の厚さ、及び、約２０乃至８０オームの抵抗を有する。
図２及び図３に示すタイプのＭＲ読取り／書込みアセン
ブリにおいては、蓄積された静電荷が必ずしも磁気シー
ルド要素や第１の極片や基板３１（スライダ本体）を通
るとは限らず、ＭＲ素子３５を直接通って放電されると
きにＥＳＤ及び／又はＥＯＳ損傷がＭＲ素子３５の検知
領域に沿って発生することが判明している。
【００３１】図４は、磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気
ヘッド・アセンブリ（以下、「ＭＲヘッド・アセンブ
リ」とも称する）５０を示しており、本発明の様々な特
徴を具現化している。本発明は、硬い電気絶縁基板５
２、基板５２上に形成された複数のアルミナ層５４、ア
ルミナ層５４の間に配置された磁気抵抗読取り／誘導書
込みヘッド５６、基板５２へ取り付けられたシリコン層
５８、及びシリコン層５８に組み込まれ磁気抵抗読取り
／誘導書込みヘッド５６と互いに接続される半導体回路
６０を有する。以下、基板５２に適用される様々な製造
プロセスのいずれによって得られる「インプロセス構
造」も、「ウェハ」と称する場合がある。磁気抵抗読取
り／誘導書込みヘッド５６は、図２及び図３を参照して
説明したタイプの１つとすることが好ましい。基板５２
は、好適には、１０乃至４０ＧＰａの範囲の硬度及び約
５０ＧＰａ以上のヤング率を有する均一な若しくは不均
一な電気絶縁構造へと構築される材料から作製される。
基板５２は、サファイア又はアルミナ−ＴｉＣから作製
できる。これらの材料は上記の好適な範囲内の特性を有
するからである。サファイアは、約３０ＧＰａの硬度と
約３３０ＧＰａのヤング率を有する。アルミナ−ＴｉＣ
は、約３０ＧＰａの硬度と約５０ＧＰａのヤング率を有
する。しかしながら、本発明の範囲には、基板材料とし
て用いる好適範囲内の特性を有する他の材料系を使用す
る場合も含まれることを理解されたい。サファイアは、
その上でシリコン層をエピタキシャル成長させることが
できるので好適な基板材料である。基板５２がアルミナ
−ＴｉＣから作られる適用については、シリコン層５８
を基板へ接合することができる。硬く強靱な基板５２及
び複数のアルミナ層５４は、優れた硬度と強靱性を備え
たエア・ベアリング面６２を有するＭＲヘッド・アセン
ブリ５０を実現する。
【００３２】本発明の重要な態様は、硬い電気絶縁基板
を有しその上にシリコン層が付設されるＭＲヘッド・ア
センブリを提供することである。基板５２の硬度及び強
靱性により、ＭＲヘッド５０の耐久性及び弾性が強化さ
れ、それにより製造中の破損及び使用時の引っ掻きに対
するヘッドの耐性が高くなる。さらに、基板５２がシリ
コン層を接合させ、成長させ、若しくは取り付けられる
材料から作られるという事実から、周知のフォトリソグ
ラフィ技術を用いて半導体ダイオード回路６０をシリコ
ン層へ組み込むことが可能となり、それによりＭＲヘッ
ド・アセンブリ５０に対して永久的なＥＯＳ及びＥＳＤ
保護を設けることができる。
【００３３】図５は、図４に示された磁気抵抗読取り／
誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ５０の平面図であ
る。図６及び図７は、一実施例のＭＲヘッド５０のＡ−
Ａ及びＢ−Ｂに沿った断面図をそれぞれ示し、これらは
ＭＲヘッド・アセンブリ５０及びシリコン層５８へ組み
込まれた１つの半導体ダイオード回路６０の多層構造を
明確に示す。
【００３４】図６では、好適にはサファイヤ、単結晶ア
ルミナ(Ａｌ2Ｏ3)から作られる基板５２上にエピタキシ
ャル成長させられたシリコン層５８を示し、極めて高品
質のダイオードを併せて作ることができる。半導体回路
６０は、標準的フォトリソグラフィ技術を用いてシリコ
ン層５８に組み込まれた１又は複数のダイオード（１つ
のみを図示）７４を含む。図６では、説明のために１つ
のダイオード７４のみが示されている。しかしながら、
特定用途の必要に合わせて任意の数のダイオード７４を
シリコン層５８に組み込むことができることを理解され
たい。
【００３５】各ダイオード７４は、シリコン層５８に形
成されたｎ−ウェル（well）８２を有する集積回路とし
て汎用的に実施される。その後、１個のｐ＋ウェル８４
及び２個のｎ＋ウェル８６が、例えばｐ＋ウェル８４が
ｎ＋ウェル８６の間に挟まれるように標準的なリソグラ
フィ技術を用いて適宜のドーパント種をｎ−ウェル８２
にイオン注入することにより形成される。その後、ウェ
ハ上に二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の電気絶縁層９０が
形成されるが、この層は、間隙構造８８を形成するべく
選択的にエッチングされる。ｐ＋ウェル８４及びｎ＋ウ
ェル８６はそれぞれ、シリコン層５８の表面に入り込み
かつ表面の僅か上に突出する電気絶縁間隙構造８８によ
り分離される。ｎ＋ウェル８６及びｐ＋ウェル８４は、
金属の相互接続部９４により外部回路へ電気的に結合さ
れる。相互接続部９４は、間隙構造８８、ｎ＋ウェル８
６、及びｐ＋ウェル８４の選択された領域上に形成され
る電気絶縁層９２により互いに電気的に絶縁されてい
る。金属の相互接続部９４は、例えば、アルミニウム又
は金等の他の適宜の導電性材料から作られる。電気絶縁
層９２は、スパッタリングされたアルミナ等の電気絶縁
材料から形成することができる。その後、（１又は複数
の）ダイオード７４、シリコン層５８、及びサファイア
基板５２を含むウェハは、外部環境からウェハを隔絶し
かつ密封するためにスパッタリングされるアルミナ上被
覆層１００で被覆される。
【００３６】図７では、ＭＲヘッド・アセンブリ５０が
さらに、アルミナ上被覆層１００の上に周知の技術によ
り形成された磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッド（以
下、「ＭＲヘッド」とも称する）１１０を含む。ＭＲヘ
ッド１１０は、ニッケル−鉄(ＮｉＦｅ)合金等の強磁性
材料から作られるＭＲ素子１１２を含み、ＭＲ素子１１
２は、第１と第２の絶縁間隙層１１４と１１６の間に挿
入される。これらの絶縁間隙層は、好適には、スパッタ
リングされたアルミナから形成される。第１の間隙層１
１４は、図示の通り、上被覆層１００上に形成された第
１の磁気シールド層１１８の上にスパッタリングされ
る。別の例として、上被覆層１００の選択された領域が
基板から除去された場合には、シールド層１１８を直接
基板５２上に形成してもよい。その後、第２のシールド
層１２０が第２の間隙層１１６上に形成されることによ
り、第１と第２の間隙層１１４と１１６が、それぞれ第
１と第２のシールド層１１８と１２０の間に挿入され
る。磁気シールド層１１８と１２０は、磁気干渉がＭＲ
センサ１１２に及ぼす影響を最小限とし又は排除するも
ので、パーマロイやセンダスト等の透磁性の高い磁性材
料から作ることができる。導電性リードは、図示しない
が、一般に銅若しくは他の適宜の導電性材料から作ら
れ、ＭＲセンサ１１０の末端にて電気的に結合される。
このことは、米国特許第5,465,186号に開示されてお
り、ここに参照する。これにより、ＭＲセンサ１１０の
抵抗を外部回路（図示せず）により検知することができ
る。好適にはスパッタリングされるアルミナから作製さ
れる第３の間隙層１２２もまた、第２のシールド層１２
０の上に形成される。その後、第３の間隙層１２２上に
極片１２４がＮｉＦｅ合金等の強磁性材料から作製され
る。極片１２４は、磁気記録ヘッド産業では普通「Ｐ−
２」と称されている。それにより第３の間隙層１２２
は、第２のシールド層１２０と極片１２４の間に挿入さ
れる。その後、通常スパッタリングされるアルミナから
なる電気絶縁上被覆層１２６が、ウェハ全体の上に形成
される。
【００３７】図８及び図９を参照して説明するＭＲヘッ
ド・アセンブリ５０の別の実施例においては、薄いシリ
コン・ウェハが厚く硬い電気絶縁基板へ接合されること
により、硬い電気絶縁基板上のシリコン膜を形成する。
硬い電気絶縁基板５２は、アルミナ−ＴｉＣから形成す
ることができ、その上にスパッタリングされる二酸化シ
リコン（ＳｉＯ2）層１４０が形成される。シリコン・
ウェハ１４２の上に熱的に二酸化シリコン層１４１が成
長させられるが、シリコンウェハ１４２を薄くすること
により、半導体回路６０が組み込まれる薄膜部分すなわ
ちウェブ１４５を設ける。シリコン・ウェハ１４２は、
シリコン・ウェハ１４２に剛性を付与するフランジ１４
６に接合されるモノリシック構造とされることが好まし
い。シリコン・ウェハ１４２の熱的な二酸化シリコン層
１４１は、基板５２のスパッタリングされる二酸化シリ
コン層１４０と接するように配置される。その後、２つ
の構造１４２と５２とは、約４００乃至５００℃の範囲
で約３乃至５時間加熱されることによりシリコン・ウェ
ハ１４２が二酸化シリコン層１４０へ接合される。この
ようにして、アルミナ−ＴｉＣの硬い電気絶縁基板５２
へ接合されたシリコン層５８を有する接合構造１４８が
形成される。シリコン・ウェハ１４２が基板５２へ接合
された後にシリコン・ウェハ１４２の活性領域１４５を
薄くすることも可能であり、その場合、接合中の構造的
剛性が強化されることとなる。別の例として、プラズマ
・エンハンスト化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）技術を用いてシ
リコン層をアルミナ−ＴｉＣ基板上に蒸着することがで
きる。しかしながら、この代替法では、ほとんどの場合
多結晶シリコンが生成されることになる。
【００３８】熱的な二酸化シリコン層１４１を含むシリ
コン・ウェハ１４２は、シリコン・ウェブ１４５の領域
以外の領域からエッチングすることもでき、この領域に
は硬い基板５２に露出する（１又は複数の）半導体回路
６０を組み込まれる。ダイオード７４は、図６を参照し
て説明したようにシリコン・ウェハ１４２のウェブ１４
５に形成することができ、図１０に示すＭＲ読取り／書
込みアセンブリ５０を設ける。アセンブリ１１０（図
７）のＭＲヘッドは、前述の技術によって製造でき、図
１１に示すＭＲヘッド・アセンブリ５０を設ける。
【００３９】再び図４を参照すると、ＭＲヘッド・アセ
ンブリ５０のエア・ベアリング面６２は、硬い基板５２
の露出面により規定される表面を、図６及び図７に示す
ようにアルミナ層１００、第１と第２のシールド層１１
８と１２０、ＭＲセンサ１１２、間隙層１１４、１１６
及び１２２、並びにＰ−２極片１２４と重ねることによ
り形成される。重ねられたエア・ベアリング面６２（図
４）は、好適には、０．１乃至１．５nmＲＡ（平均粗
さ）の範囲でかつ２mmスパンで１０乃至４０nmの範囲の
平坦度であるような微細仕上げすなわち表面粗さを有す
る。重ねられたエア・ベアリング面６２の表面微細仕上
げ及び平坦度は、ＳＰＭ計測器具を用いて決定できる。
ＭＲヘッド１１０を有する金属以外のエア・ベアリング
面６２全体は、サファイア（単結晶アルミナ）若しくは
スパッタリングされたアルミナからなり、従って一般的
に均一な重なり度を有する。このような重なり度である
ため、エア・ベアリング面６２は、極めて精密に重ねら
れることが可能である。
【００４０】重ねられた後、エア・ベアリング面６２の
選択領域が、標準的フォトリソグラフィ技術を用いて、
例えば０．１乃至５．０マイクロメートルの範囲の深さ
でエッチングされ、これによりエア・ベアリング面６２
の空気力学的揚力特性を制御する。好適な一実施例にお
いては、図２及び図３に示すように、ＭＲヘッド・アセ
ンブリ５０が所定の高さｈ、例えば１．５±０．５マイ
クロインチの位置で回転するディスク上を浮動するよう
にエア・ベアリング面６２の揚力特性を制限することが
求められる。エッチングされた後のエア・ベアリング面
は、重ねられた基板（例えば、サファイア若しくはアル
ミナ−ＴｉＣ）の領域、重ねられたアルミナ領域１５
２、エッチングされた基板領域１５４、及びエッチング
されたアルミナの領域１５６を含む。
【００４１】図１２は、例として、ＭＲヘッド・アセン
ブリ５０における半導体回路６０のダイオード７４と、
ＭＲ検知素子１１２と、第１の磁気シールド層１１８と
の間の相互接続の電気的構成図を示す。反対向きのダイ
オードＤ１とＤ２は、ＭＲセンサ１１２にまたがって並
列に接続される。ダイオードＤ１とＤ２は共同的に、制
限範囲内でＭＲセンサ１１２の周囲のいかなるＥＯＳ及
び／又はＥＳＤも短絡させる回路を設ける。ＥＯＳ及び
／又はＥＳＤは、ＭＲセンサ１１２に対して正電位を有
するノードＲ＋、若しくはＭＲセンサ１１２に対して負
電位を有するノードＲ−のいずれにおいても蓄積される
可能性がある。任意であるが、反対向きのダイオードＤ
３とＤ４を並列に接続することによりノードＲ＋と磁気
シールド要素１１８の間の短絡路を設けることができ
る。同様に、やはり任意であるが、反対向きのダイオー
ドＤ５とＤ６を並列に接続することによりノードＲ−と
磁気シールド要素１１８の間の短絡路を設けることがで
きる。ダイオードＤ１乃至Ｄ６は、前述したタイプのダ
イオード７４でよい。通常、これらのダイオードは、そ
の動作点において、約０．６ボルトの動作電圧
（Ｖop）、２ミリアンペア未満の順方向電流（Ｉf）、
Ｉｆ未満の逆方向電流（Ｉr）、５０ピコファラド未満
の容量、及び５オーム未満の直列抵抗を呈する。ダイオ
ードＤ１乃至Ｄ６は、周知の集積回路製造技術によっ
て、図６のシリコン層５８又はウェハ１４８（図９）の
シリコン膜１４５へ組み込むことができ、ＭＲセンサ１
１２及び磁気シールド要素１１８へ接続することができ
る。
【００４２】ダイオードＤ１乃至Ｄ６の各々の抵抗は、
ＭＲ検知素子１１２に電流が流れないように零となるこ
とが理想的であろう。しかしながら、実際には有限の抵
抗があるため、すなわちいかなる順方向バイアスのダイ
オードでも抵抗Ｒshortがあり、ＭＲセンサ１１２には
ＲMRで表される抵抗があるため並列回路を形成し、その
中のＭＲ検知素子を通る電流の量は、次式で与えられ
る。 ＩMR＝Ｉr×Ｒshort／（Ｒshort＋ＲMR）
【００４３】従って、ＭＲセンサ１１２を通る電流を最
小限とするためには、ダイオードＤ１乃至Ｄ６の各々の
抵抗を、実際に得られる限り小さくするべきである。一
般に、有効な値として、短絡回路抵抗の上限がＲshort
＜０．５ＲMRで与えられる。しかしながら、いかなる実
施態様においても、Ｒshortはこの上限値より遥かに小
さくなるであろう。
【００４４】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【００４５】（１）硬い電気絶縁基板上に形成されかつ
静電気放電保護を備えた磁気抵抗読取り／誘導書込み磁
気ヘッド・アセンブリにおいて、硬い電気絶縁基板と、
前記基板上に形成される複数のアルミナ層と、前記複数
のアルミナ層の間に配置される磁気抵抗読取り／誘導書
込みヘッドと、前記基板により支持されるシリコン層
と、前記シリコン層へ組み込まれかつ前記磁気抵抗読取
り／誘導書込みヘッドと互いに接続された半導体回路と
を有する磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセ
ンブリ。 （２）前記半導体回路がダイオードを含む上記（１）の
磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。 （３）前記磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッドが磁気抵
抗センサを含み、かつ、前記半導体回路が前記磁気抵抗
センサにまたがって電気的に並列に接続された互いに反
対向きのダイオードを含む上記（２）の磁気抵抗読取り
／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。 （４）前記磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッドが磁気シ
ールド層を含み、かつ、前記半導体回路が前記磁気シー
ルド層へ電気的に接続される互いに反対向きのダイオー
ドを含む上記（２）の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気
ヘッド・アセンブリ。 （５）前記基板が実質的にサファイアからなる上記
（１）の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセ
ンブリ。 （６）前記シリコン層が前記サファイア基板上にエピタ
キシャル成長させられる上記（５）の磁気抵抗読取り／
誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。 （７）前記シリコン層が実質的にアルミナ−ＴｉＣから
なる上記（１）の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッ
ド・アセンブリ。 （８）前記シリコン層が前記基板へ接合される上記
（１）の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセ
ンブリ。 （９）前記磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッドがマ
ージド・ヘッドである上記（１）の磁気抵抗読取り／誘
導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。 （１０）前記磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッドが
ピギーバック・ヘッドである上記（１）の磁気抵抗読取
り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。 （１１）前記基板が少なくとも１０ＧＰａの硬度を有す
る上記（１）の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド
・アセンブリ。 （１２）前記基板が少なくとも５０ＧＰａのヤング率を
有する上記（１）の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘ
ッド・アセンブリ。 （１３）前記基板が少なくとも１０ＧＰａの硬度と少な
くとも５０ＧＰａのヤング率とを有する上記（１）の磁
気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。 （１４）硬い電気絶縁基板上に形成されかつ静電気放電
保護を備えた磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・
アセンブリにおいて、硬い電気絶縁基板及び前記基板上
に形成される複数のアルミナ層により規定されるエア・
ベアリング面と、前記複数のアルミナ層の間に配置され
かつ前記エア・ベアリング面にて露出した磁気抵抗読取
り／誘導書込みヘッドと、前記基板により支持されるシ
リコン層と、前記シリコン層へ組み込まれかつ前記磁気
抵抗読取り／誘導書込みヘッドと互いに接続される半導
体回路とを有する磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッ
ド・アセンブリ。 （１５）前記半導体回路がダイオードを含む上記（１
４）の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセン
ブリ。 （１６）前記磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッドが磁気
抵抗センサを含み、かつ、前記半導体回路が前記磁気抵
抗センサにまたがって並列に電気的に接続される互いに
反対向きのダイオードを含む上記（１５）の磁気抵抗読
取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。 （１７）前記磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッドが磁気
シールド層を含み、かつ、前記半導体回路が前記磁気シ
ールド層へ電気的に接続される互いに反対向きのダイオ
ードを含む上記（１５）の磁気抵抗読取り／誘導書込み
磁気ヘッド・アセンブリ。 （１８）前記基板が実質的にサファイアからなる上記
（１４）の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・ア
センブリ。 （１９）前記シリコン層が前記サファイア基板上にエピ
タキシャル成長させられる上記（１８）の磁気抵抗読取
り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。 （２０）前記基板が実質的にアルミナ−ＴｉＣからなる
上記（１４）の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド
・アセンブリ。 （２１）前記シリコン層が前記基板へ接合される上記
（２０）の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・ア
センブリ。 （２２）前記磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッドが
マージド・ヘッドである上記（１４）の磁気抵抗読取り
／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。 （２３）前記磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッドが
ピギーバック・ヘッドである上記（１４）の磁気抵抗読
取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。 （２４）前記基板が少なくとも１０ＧＰａの硬度を有す
る上記（１４）の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッ
ド・アセンブリ。 （２５）前記基板が少なくとも５０Ｇｐａのヤング率を
有する上記（１４）の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気
ヘッド・アセンブリ。 （２６）前記基板が少なくとも１０Ｇｐａの硬度と少な
くとも５０Ｇｐａのヤング率とを有する上記（１４）の
磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。 （２７）前記エア・ベアリング面が約２mmのスパンにお
いて約１０乃至４０nmの範囲の平坦度と、平均粗さ約
０．１乃至１．５の範囲の表面微細仕上げとを有する上
記（１４）の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・
アセンブリ。 （２８）前記エア・ベアリング面が約２mmのスパンにお
いて約１０乃至４０nmの範囲の平坦度を有する上記（１
４）の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセン
ブリ。 （２９）前記エア・ベアリング面が平均粗さ約０．１乃
至１．５の範囲の表面微細仕上げとを有する上記（１
４）の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセン
ブリ。 （３０）前記エア・ベアリング面が重ねられた領域を含
む上記（１４）の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッ
ド・アセンブリ。 （３１）前記エア・ベアリング面がエッチングされた領
域を含む上記（１４）の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁
気ヘッド・アセンブリ。 （３２）静電気放電保護を備えかつ硬い電気絶縁基板上
に形成される磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・
アセンブリを製造する方法において、硬い電気絶縁基板
上にシリコン層を支持するステップと、前記シリコン層
に半導体回路を組み込むステップと、磁気抵抗読取り／
誘導書込みヘッド及び複数のアルミナ層を含む多層構造
を前記基板上に形成するステップと、前記半導体回路と
前記磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッドとを電気的に互
いに接続するステップとを含む磁気抵抗読取り／誘導書
込み磁気ヘッド・アセンブリを製造する方法。 （３３）前記基板が実質的にサファイアからなる上記
（３２の方法。 （３４）前記シリコン層が前記サファイア基板上にエピ
タキシャル成長させられる上記（３３の方法。 （３５）前記シリコン層が前記基板へ接合される上記
（３３の方法。 （３６）前記基板が実質的にアルミナ−ＴｉＣからなる
上記（３２の方法。 （３７）前記基板が少なくとも１０Ｇｐａの硬度を有す
る上記（３２の方法。 （３８）エア・ベアリング面を形成するべく前記基板及
び前記多層構造により規定される面を重ねるステップを
含む上記（３２の方法。 （３９）前記エア・ベアリング面をエッチングするステ
ップを含む上記（３８の方法。 （４０）前記半導体回路を組み込むステップがダイオー
ドを形成することを含む上記（３２の方法。 （４１）前記多層構造を形成するステップが磁気抵抗セ
ンサを形成するステップを含み、かつ、前記互いに接続
するステップが、前記磁気抵抗センサと並列に電気的に
接続された互いに反対向きのダイオード対を形成するべ
く前記ダイオードを互いに接続することを含む上記（４
０の方法。 （４２）前記多層構造を形成するステップが磁気シール
ド要素を形成することを含み、かつ、前記互いに接続す
るステップが、前記磁気シールド要素へ電気的に接続さ
れる互いに反対向きのダイオード対を形成するべく前記
ダイオードを互いに接続することを含む上記（４０の方
法。 （４３）静電気放電保護を組み込んだ磁気抵抗読取り／
誘導書込みヘッド・アセンブリにおいて、硬い電気絶縁
基板と、磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッドとを有し、
前記磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッドが、第１の絶縁
間隙層と第２の絶縁間隙層との間に挿入される磁気抵抗
センサと、前記第１及び第２の絶縁間隙層を間に挿入す
るように前記基板上に形成される第１の磁気シールド層
と第２の磁気シールド層と、前記第２の磁気シールド層
の上に形成される磁極要素と、前記第２の磁気シールド
層と前記磁極要素との間に挿入される第２の間隙層と、
前記基板により支持されるシリコン層と、前記シリコン
層に組み込まれかつ前記磁気抵抗読取り／誘導書込みヘ
ッドと互いに接続される半導体素子回路とを有する磁気
抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。 （４４）前記磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッドがエア
・ベアリング面にて露出される上記（４３）の磁気抵抗
読取り／誘導書込みヘッド・アセンブリ。 （４５）前記基板が実質的にサファイアからなる上記
（４３）の磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッド・アセン
ブリ。 （４６）前記シリコン層が前記サファイア基板上にエピ
タキシャル成長させられる上記（４５）の磁気抵抗読取
り／誘導書込みヘッド・アセンブリ。 （４７）前記シリコン層が前記基板へ接合される上記
（４３）の磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッド・アセン
ブリ。 （４８）前記基板が実質的にアルミナ−ＴｉＣからなる
上記（４３）の磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッド・ア
センブリ。 （４９）前記磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッド上に形
成される第１の電気絶縁層を有する上記（４３）の磁気
抵抗読取り／誘導書込みヘッド・アセンブリ。 （５０）前記半導体素子回路上に形成される第２の電気
絶縁層を有する上記（４９）の磁気抵抗読取り／誘導書
込みヘッド・アセンブリ。 （５１）前記第２の電気絶縁層が前記基板と前記第１の
磁気シールド層の間に挿入される上記（５０）の磁気抵
抗読取り／誘導書込みヘッド・アセンブリ。 （５２）前記半導体素子回路がダイオード回路を含む上
記（４３）の磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッド・アセ
ンブリ。 （５３）前記ダイオード回路が、前記磁気抵抗センサに
またがって並列に電気的に接続される互いに反対向きの
ダイオードを含む上記（５２）の磁気抵抗読取り／誘導
書込みヘッド・アセンブリ。 （５４）前記ダイオード回路が、前記第１の磁気シール
ド層に電気的に接続される並列で互いに反対向きのダイ
オードを含む上記（５２）の磁気抵抗読取り／誘導書込
みヘッド・アセンブリ。 （５５）前記第１、第２、及び第３の間隙層が実質的に
アルミナから形成される上記（４３）の磁気抵抗読取り
／誘導書込みヘッド・アセンブリ。 （５６）前記第１の電気絶縁層が実質的にアルミナから
形成される上記（４９）の磁気抵抗読取り／誘導書込み
ヘッド・アセンブリ。 （５７）前記第２の電気絶縁層が実質的にアルミナから
形成される上記（５０）の磁気抵抗読取り／誘導書込み
ヘッド・アセンブリ。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を実施する磁気ディスク記憶システムの
簡略化された構成図である。
【図２】磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッドの断面図で
ある。
【図３】磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッドの断面図で
ある。
【図４】エア・ベアリング面を示す磁気抵抗読取り／誘
導書込み磁気ヘッド・アセンブリの斜視図である。
【図５】シリコン層へ組み込まれたダイオードを示す図
４の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブ
リの平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａに沿った磁気抵抗読取り／誘導書
込み磁気ヘッド・アセンブリの断面図である。
【図７】図５のＢ−Ｂに沿った磁気抵抗読取り／誘導書
込み磁気ヘッド・アセンブリの断面図である。
【図８】硬い電気絶縁基板上に配置されるシリコン基板
を示す図である。
【図９】硬い電気絶縁基板へ接続されるシリコン層を示
す図である。
【図１０】硬い電気絶縁基板へ接合されるシリコン層へ
組み込まれた半導体回路を含む磁気抵抗読取り／誘導書
込み磁気ヘッド・アセンブリの例を示す図である。
【図１１】シリコン層へ接合された硬い電気絶縁基板上
へ形成されたＭＲヘッドを含む磁気抵抗読取り／誘導書
込み磁気ヘッド・アセンブリの例を示す図である。
【図１２】第１のシールド要素へ接続され、磁気抵抗セ
ンサにまたがって接続されたダイオードの相互接続を示
す構成図である。
【符号の説明】
１０ 磁気ディスク記憶システム １２ 磁気ディスク １３ スライダ １４ 主軸 １５ サスペンション １８ ディスク駆動モータ １９ アクチュエータ・アーム ２１ 磁気読取り／書込み変換器 ２２ ディスク表面 ２７ アクチュエータ・システム２７ ２８ 位置制御信号 ２９ 制御ユニット ３０ 磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセン
ブリ ３１ 硬い電気絶縁基板 ３２ 磁気記録ディスク ３３ 第１の磁気シールド要素 ３４ 記録面 ３５ 磁気抵抗検知素子 ３７ 第２の磁気シールド要素 ３８ 第１の磁極片 ３９ 第２の極先端 ４０ 第２の磁極片 ４１ 第２の極先端 ４２ 電気絶縁層 ４３ 導電体層 ４５ エア・ベアリング面 ４７ 磁気的間隙
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 モーリス・ミュサ・ドウヴェック アメリカ合衆国94070、カリフォルニア州、 サン・カルロス、ヴァイオレット・レイン ２ (72)発明者 モハマド・ターフィック・クラーンビー アメリカ合衆国95120、カリフォルニア州、 サン・ノゼ、パソ・ロス・セリィートス 6238

Claims (57)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】硬い電気絶縁基板上に形成されかつ静電気
    放電保護を備えた磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッ
    ド・アセンブリにおいて、 硬い電気絶縁基板と、 前記基板上に形成される複数のアルミナ層と、 前記複数のアルミナ層の間に配置される磁気抵抗読取り
    ／誘導書込みヘッドと、 前記基板により支持されるシリコン層と、 前記シリコン層へ組み込まれかつ前記磁気抵抗読取り／
    誘導書込みヘッドと互いに接続された半導体回路とを有
    する磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブ
    リ。
  2. 【請求項２】前記半導体回路がダイオードを含む請求項
    １の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブ
    リ。
  3. 【請求項３】前記磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッドが
    磁気抵抗センサを含み、かつ、前記半導体回路が前記磁
    気抵抗センサにまたがって電気的に並列に接続された互
    いに反対向きのダイオードを含む請求項２の磁気抵抗読
    取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。
  4. 【請求項４】前記磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッドが
    磁気シールド層を含み、かつ、前記半導体回路が前記磁
    気シールド層へ電気的に接続される互いに反対向きのダ
    イオードを含む請求項２の磁気抵抗読取り／誘導書込み
    磁気ヘッド・アセンブリ。
  5. 【請求項５】前記基板が実質的にサファイアからなる請
    求項１の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセ
    ンブリ。
  6. 【請求項６】前記シリコン層が前記サファイア基板上に
    エピタキシャル成長させられる請求項５の磁気抵抗読取
    り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。
  7. 【請求項７】前記シリコン層が実質的にアルミナ−Ｔｉ
    Ｃからなる請求項１の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気
    ヘッド・アセンブリ。
  8. 【請求項８】前記シリコン層が前記基板へ接合される請
    求項１の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセ
    ンブリ。
  9. 【請求項９】前記磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッ
    ドがマージド・ヘッドである請求項１の磁気抵抗読取り
    ／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。
  10. 【請求項１０】前記磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘ
    ッドがピギーバック・ヘッドである請求項１の磁気抵抗
    読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。
  11. 【請求項１１】前記基板が少なくとも１０ＧＰａの硬度
    を有する請求項１の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘ
    ッド・アセンブリ。
  12. 【請求項１２】前記基板が少なくとも５０ＧＰａのヤン
    グ率を有する請求項１の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁
    気ヘッド・アセンブリ。
  13. 【請求項１３】前記基板が少なくとも１０ＧＰａの硬度
    と少なくとも５０ＧＰａのヤング率とを有する請求項１
    の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブ
    リ。
  14. 【請求項１４】硬い電気絶縁基板上に形成されかつ静電
    気放電保護を備えた磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘ
    ッド・アセンブリにおいて、 硬い電気絶縁基板及び前記基板上に形成される複数のア
    ルミナ層により規定されるエア・ベアリング面と、 前記複数のアルミナ層の間に配置されかつ前記エア・ベ
    アリング面にて露出した磁気抵抗読取り／誘導書込みヘ
    ッドと、 前記基板により支持されるシリコン層と、 前記シリコン層へ組み込まれかつ前記磁気抵抗読取り／
    誘導書込みヘッドと互いに接続される半導体回路とを有
    する磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブ
    リ。
  15. 【請求項１５】前記半導体回路がダイオードを含む請求
    項１４の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセ
    ンブリ。
  16. 【請求項１６】前記磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッド
    が磁気抵抗センサを含み、かつ、前記半導体回路が前記
    磁気抵抗センサにまたがって並列に電気的に接続される
    互いに反対向きのダイオードを含む請求項１５の磁気抵
    抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。
  17. 【請求項１７】前記磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッド
    が磁気シールド層を含み、かつ、前記半導体回路が前記
    磁気シールド層へ電気的に接続される互いに反対向きの
    ダイオードを含む請求項１５の磁気抵抗読取り／誘導書
    込み磁気ヘッド・アセンブリ。
  18. 【請求項１８】前記基板が実質的にサファイアからなる
    請求項１４の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・
    アセンブリ。
  19. 【請求項１９】前記シリコン層が前記サファイア基板上
    にエピタキシャル成長させられる請求項１８の磁気抵抗
    読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。
  20. 【請求項２０】前記基板が実質的にアルミナ−ＴｉＣか
    らなる請求項１４の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘ
    ッド・アセンブリ。
  21. 【請求項２１】前記シリコン層が前記基板へ接合される
    請求項２０の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・
    アセンブリ。
  22. 【請求項２２】前記磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘ
    ッドがマージド・ヘッドである請求項１４の磁気抵抗読
    取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。
  23. 【請求項２３】前記磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘ
    ッドがピギーバック・ヘッドである請求項１４の磁気抵
    抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。
  24. 【請求項２４】前記基板が少なくとも１０ＧＰａの硬度
    を有する請求項１４の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気
    ヘッド・アセンブリ。
  25. 【請求項２５】前記基板が少なくとも５０Ｇｐａのヤン
    グ率を有する請求項１４の磁気抵抗読取り／誘導書込み
    磁気ヘッド・アセンブリ。
  26. 【請求項２６】前記基板が少なくとも１０Ｇｐａの硬度
    と少なくとも５０Ｇｐａのヤング率とを有する請求項１
    ４の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブ
    リ。
  27. 【請求項２７】前記エア・ベアリング面が約２mmのスパ
    ンにおいて約１０乃至４０nmの範囲の平坦度と、平均粗
    さ約０．１乃至１．５の範囲の表面微細仕上げとを有す
    る請求項１４の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド
    ・アセンブリ。
  28. 【請求項２８】前記エア・ベアリング面が約２mmのスパ
    ンにおいて約１０乃至４０nmの範囲の平坦度を有する請
    求項１４の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・ア
    センブリ。
  29. 【請求項２９】前記エア・ベアリング面が平均粗さ約
    ０．１乃至１．５の範囲の表面微細仕上げとを有する請
    求項１４の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・ア
    センブリ。
  30. 【請求項３０】前記エア・ベアリング面が重ねられた領
    域を含む請求項１４の磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気
    ヘッド・アセンブリ。
  31. 【請求項３１】前記エア・ベアリング面がエッチングさ
    れた領域を含む請求項１４の磁気抵抗読取り／誘導書込
    み磁気ヘッド・アセンブリ。
  32. 【請求項３２】静電気放電保護を備えかつ硬い電気絶縁
    基板上に形成される磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘ
    ッド・アセンブリを製造する方法において、 硬い電気絶縁基板上にシリコン層を支持するステップ
    と、 前記シリコン層に半導体回路を組み込むステップと、 磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッド及び複数のアルミナ
    層を含む多層構造を前記基板上に形成するステップと、 前記半導体回路と前記磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッ
    ドとを電気的に互いに接続するステップとを含む磁気抵
    抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリを製造す
    る方法。
  33. 【請求項３３】前記基板が実質的にサファイアからなる
    請求項３２の方法。
  34. 【請求項３４】前記シリコン層が前記サファイア基板上
    にエピタキシャル成長させられる請求項３３の方法。
  35. 【請求項３５】前記シリコン層が前記基板へ接合される
    請求項３３の方法。
  36. 【請求項３６】前記基板が実質的にアルミナ−ＴｉＣか
    らなる請求項３２の方法。
  37. 【請求項３７】前記基板が少なくとも１０Ｇｐａの硬度
    を有する請求項３２の方法。
  38. 【請求項３８】エア・ベアリング面を形成するべく前記
    基板及び前記多層構造により規定される面を重ねるステ
    ップを含む請求項３２の方法。
  39. 【請求項３９】前記エア・ベアリング面をエッチングす
    るステップを含む請求項３８の方法。
  40. 【請求項４０】前記半導体回路を組み込むステップがダ
    イオードを形成することを含む請求項３２の方法。
  41. 【請求項４１】前記多層構造を形成するステップが磁気
    抵抗センサを形成するステップを含み、かつ、前記互い
    に接続するステップが、前記磁気抵抗センサと並列に電
    気的に接続された互いに反対向きのダイオード対を形成
    するべく前記ダイオードを互いに接続することを含む請
    求項４０の方法。
  42. 【請求項４２】前記多層構造を形成するステップが磁気
    シールド要素を形成することを含み、かつ、前記互いに
    接続するステップが、前記磁気シールド要素へ電気的に
    接続される互いに反対向きのダイオード対を形成するべ
    く前記ダイオードを互いに接続することを含む請求項４
    ０の方法。
  43. 【請求項４３】静電気放電保護を組み込んだ磁気抵抗読
    取り／誘導書込みヘッド・アセンブリにおいて、 硬い電気絶縁基板と、 磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッドとを有し、前記磁気
    抵抗読取り／誘導書込みヘッドが、 第１の絶縁間隙層と第２の絶縁間隙層との間に挿入され
    る磁気抵抗センサと、 前記第１及び第２の絶縁間隙層を間に挿入するように前
    記基板上に形成される第１の磁気シールド層と第２の磁
    気シールド層と、 前記第２の磁気シールド層の上に形成される磁極要素
    と、 前記第２の磁気シールド層と前記磁極要素との間に挿入
    される第２の間隙層と、 前記基板により支持されるシリコン層と、 前記シリコン層に組み込まれかつ前記磁気抵抗読取り／
    誘導書込みヘッドと互いに接続される半導体素子回路と
    を有する磁気抵抗読取り／誘導書込み磁気ヘッド・アセ
    ンブリ。
  44. 【請求項４４】前記磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッド
    がエア・ベアリング面にて露出される請求項４３の磁気
    抵抗読取り／誘導書込みヘッド・アセンブリ。
  45. 【請求項４５】前記基板が実質的にサファイアからなる
    請求項４３の磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッド・アセ
    ンブリ。
  46. 【請求項４６】前記シリコン層が前記サファイア基板上
    にエピタキシャル成長させられる請求項４５の磁気抵抗
    読取り／誘導書込みヘッド・アセンブリ。
  47. 【請求項４７】前記シリコン層が前記基板へ接合される
    請求項４３の磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッド・アセ
    ンブリ。
  48. 【請求項４８】前記基板が実質的にアルミナ−ＴｉＣか
    らなる請求項４３の磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッド
    ・アセンブリ。
  49. 【請求項４９】前記磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッド
    上に形成される第１の電気絶縁層を有する請求項４３の
    磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッド・アセンブリ。
  50. 【請求項５０】前記半導体素子回路上に形成される第２
    の電気絶縁層を有する請求項４９の磁気抵抗読取り／誘
    導書込みヘッド・アセンブリ。
  51. 【請求項５１】前記第２の電気絶縁層が前記基板と前記
    第１の磁気シールド層の間に挿入される請求項５０の磁
    気抵抗読取り／誘導書込みヘッド・アセンブリ。
  52. 【請求項５２】前記半導体素子回路がダイオード回路を
    含む請求項４３の磁気抵抗読取り／誘導書込みヘッド・
    アセンブリ。
  53. 【請求項５３】前記ダイオード回路が、前記磁気抵抗セ
    ンサにまたがって並列に電気的に接続される互いに反対
    向きのダイオードを含む請求項５２の磁気抵抗読取り／
    誘導書込みヘッド・アセンブリ。
  54. 【請求項５４】前記ダイオード回路が、前記第１の磁気
    シールド層に電気的に接続される並列で互いに反対向き
    のダイオードを含む請求項５２の磁気抵抗読取り／誘導
    書込みヘッド・アセンブリ。
  55. 【請求項５５】前記第１、第２、及び第３の間隙層が実
    質的にアルミナから形成される請求項４３の磁気抵抗読
    取り／誘導書込みヘッド・アセンブリ。
  56. 【請求項５６】前記第１の電気絶縁層が実質的にアルミ
    ナから形成される請求項４９の磁気抵抗読取り／誘導書
    込みヘッド・アセンブリ。
  57. 【請求項５７】前記第２の電気絶縁層が実質的にアルミ
    ナから形成される請求項５０の磁気抵抗読取り／誘導書
    込みヘッド・アセンブリ。
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