KR100905720B1 - 전계 재생/기록 헤드와 그의 제조방법 및 전계 재생/기록헤드를 포함한 정보 저장 장치 - Google Patents

전계 재생/기록 헤드와 그의 제조방법 및 전계 재생/기록헤드를 포함한 정보 저장 장치 Download PDF

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Abstract

전계 재생/기록 헤드와 그의 제조방법 및 전계 재생/기록 헤드를 포함한 정보 저장 장치에 대해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 전계 재생/기록 헤드는, 기판 내에 형성된 것으로서, 기록 매체와 대향하는 끝면을 갖는 저항영역, 상기 저항영역 양측의 상기 기판 내에 각각 형성된 소오스 및 드레인, 및 상기 저항영역 상에 차례로 구비된 절연층 및 쓰기전극을 포함하되, 상기 저항영역의 길이(ℓ)와 폭(w)은 (ℓ/w)≥0.2를 만족하는 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드를 제공한다.

Description

전계 재생/기록 헤드와 그의 제조방법 및 전계 재생/기록 헤드를 포함한 정보 저장 장치{Electric field read/write head and method for manufacturing the same and information storage device comprising electric field read/write head}
본 발명은 재생/기록 헤드와 그의 제조방법 및 정보 저장 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전계 재생/기록 헤드와 그의 제조방법 및 상기 전계 재생/기록 헤드를 포함한 정보 저장 장치에 관한 것이다.
컴퓨터의 주 저장 장치로 주로 사용되는 HDD(Hard disk drive)는 데이터 기록 매체를 회전시키면서 그 위에 재생/기록(read/write) 헤드를 부상시켜 정보를 읽고 쓰는 장치이다. 이러한 HDD에서는 일반적으로 자기 기록 방식이 사용된다. 즉, HDD에서는 자기장을 이용해서 자성 기록 매체 내에 제1 방향 및 그의 역방향(이하, 제2 방향이라 함)으로 자화된 다수의 자기 도메인(magnetic domain)을 만들고, 상기 제1 및 제2 방향으로 자화된 자기 도메인을 데이터 '0' 및 '1'에 대응시킨다.
이러한 자기 기록 방식이 사용되는 HDD의 기록 밀도는 최근 수십 년간 급격 하게 증가하여 왔다. 수평 자기 기록 방식의 HDD의 경우 100Gb/in2 정도의 기록 밀도를 얻을 수 있고, 수직 자기 기록 방식의 HDD의 경우 최대 500Gb/in2 정도의 기록 밀도를 얻을 수 있을 것으로 예상된다.
그러나, 자기장은 기본적으로 루프(loop) 모양을 갖기 때문에 자기 기록 방식의 재생/기록 헤드(자성 재생/기록 헤드)로는 강한 국부 자기장을 생성하기 어렵다. 이러한 기본적인 제약으로 인해 자기 기록 방식으로는 기록 밀도를 높이는데 한계가 있다.
그러므로, 전통적으로 자기 기록 방식을 채택해온 HDD의 기록 밀도를 높이기 위해서는 근본적으로 기록 방식의 변경이 고려되어야 한다.
한편, 최근 자기장이 아닌 전계에 의해 데이터가 기록되는 강유전성 기록 매체 및 그의 재생/기록 헤드(전계 재생/기록 헤드)에 대한 연구가 이루어지고 있다. 전계 기록 방식은 전계를 이용해서 강유전체 표면에 제1 방향 및 그의 역방향(이하, 제2 방향이라 함)으로 분극된 전기 도메인(electric domain)들을 형성하고, 상기 제1 및 제2 방향으로 분극된 전기 도메인을 데이터 '0' 및 '1'에 각각 대응시키는 방식이다. 전기 도메인의 분극 방향에 따라 그 위에 위치되는 전계 재생/기록 헤드의 저항이 달라지므로 전기 도메인에 쓰여진 정보가 판별될 수 있다.
이러한 전계 기록 방식을 위한 전계 재생/기록 헤드로는 전계 효과 트랜지스터 채널(field effect transistor channel) 구조를 가지는 스캐닝 프로브(scanning probe), 저항성 팁(resistive tip)을 구비한 스캐닝 프로브 등이 있다. 이러한 스 캐닝 프로브가 사용되는 SPM(scanning probe microscope) 기술을 이용하면, 자기 기록 방식에서 보다 강하고 국부적인 에너지(전계)의 발생이 가능하므로 기록 밀도를 1Tb/in2 이상으로 높일 수 있다.
그러나, 상기 SPM에 기반을 둔 전계 기록 방식은 첨예한 프로브와 기록 매체간 접촉면에서의 마찰 및 마모와 관련된 문제가 있다. 또한, 프로브형 헤드를 사용하여 소형 대용량의 정보 저장 장치를 구현하기 위해서는 수천 개의 프로브 어레이(probe array)를 만들어주어야 하고, 기록 매체를 선형 운동시켜 수천 개의 프로브가 기록 매체 위를 정밀하게 움직이도록 해야 한다. 그리고, 이 경우 쓰기 동작시 각각의 프로브에 독립적으로 신호를 인가해야하고, 읽기 동작시 역시 각각의 프로브에서 나오는 신호를 독립적으로 처리해주어야 한다. 이와 같은 문제와 제약 요소들로 인해 상기 SPM에 기반을 둔 전계 기록 방식으로 소형 대용량의 정보 저장 장치를 구현하는 것은 현실적으로 어렵다.
그러므로, 프로브 사용에 따른 문제점들을 해결할 수 있는 새로운 재생/기록 헤드가 사용되고, 아울러 보다 안정적이고 신뢰할 수 있는 구동 메카니즘이 적용된 전계 기록 방식에 의한 정보 저장 장치가 요구되고 있다.
본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 1Tb/in2 이상의 높은 기록 밀도를 구현할 수 있고, 안정적으로 구동될 수 있는 전계 재생/기록 헤드를 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자하는 다른 기술적 과제는 상기 전계 재생/기록 헤드의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자하는 또 다른 기술적 과제는 상기 전계 재생/기록 헤드를 포함하고, 안정적인 구동 시스템을 갖는 정보 저장 장치를 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 기판 내에 형성된 것으로서, 기록 매체와 대향하는 끝면을 갖는 저항영역; 상기 저항영역 양측의 상기 기판 내에 각각 형성된 소오스 및 드레인; 및 상기 저항영역 상에 차례로 구비된 절연층 및 쓰기전극;을 포함하되, 상기 저항영역의 길이(ℓ)와 폭(w)은 (ℓ/w)≥0.2를 만족하는 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드를 제공한다.
상기 저항영역의 길이(ℓ)와 폭(w)은 (ℓ/w)≥0.2를, 바람직하게는 (ℓ/w)≥1을 만족할 수 있다. 이때, 상기 저항영역의 길이(ℓ)/폭(w)은 50 이하일 수 있다.
상기 저항영역의 길이(ℓ)는 20㎚∼1㎛, 바람직하게는, 20㎚∼100㎚일 수 있다.
상기 소오스는 상기 저항영역과 인접한 제1 부분과 상기 제1 부분과 인접한 제2 부분으로 구성되고, 상기 제1 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)과 동일하고, 상기 제2 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)보다 클 수 있다.
상기 드레인은 상기 저항영역과 인접한 제3 부분과 상기 제3 부분과 인접한 제4 부분으로 구성되고, 상기 제3 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)과 동일하고, 상기 제4 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)보다 클 수 있다.
상기 기판의 기록 매체 대향면 상에 ABS(air bearing surface) 패턴층이 구비될 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 활성영역을 한정하는 소자분리막이 구비된 기판을 마련하는 단계; 상기 활성영역에 도전성 불순물을 저농도로 도핑하는 단계; 상기 기판 상에 상기 활성영역의 중앙부를 가로지르는 것으로서, 절연층과 쓰기전극의 적층구조물을 형성하는 단계; 상기 적층구조물 양측의 상기 활성영역 내에 도전성 불순물을 고농도로 도핑하여 소오스 및 드레인을 형성함과 아울러 상기 소오스 및 상기 드레인 사이의 저농도 도핑영역인 저항영역을 한정하는 단계; 및 상기 저항영역의 일부가 제거되도록 상기 기판의 기록 매체 대향면을 연마하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드의 제조방법을 제공한다.
상기 소오스 및 상기 드레인을 형성하는 단계와 상기 기판의 상기 기록 매체 대향면을 연마하는 단계 사이에, 상기 기판을 절단하는 단계를 더 포함할 수 있고, 상기 절단에 의해 노출된 면은 상기 기록 매체 대향면일 수 있다.
상기 소오스 및 상기 드레인과 각각 접하는 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 소오스 및 상기 드레인과 각각 접하는 전극을 형성하는 단계는 상기 소오스 및 상기 드레인을 형성하는 단계와 상기 기판을 절단하는 단계 사이에 수행할 수 있다.
상기 연마는 상기 소오스와 상기 드레인 사이의 전류를 측정하면서 수행할 수 있다.
상기 기록 매체 대향면을 연마하는 단계 후, 상기 기록 매체 대향면 상에 ABS(air bearing surface) 패턴층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 저항영역의 길이(ℓ)와 폭(w)은 (ℓ/w)≥0.2를, 바람직하게는 (ℓ/w)≥1을 만족할 수 있다. 이때, 상기 저항영역의 길이(ℓ)/폭(w)은 50 이하일 수 있다.
상기 저항영역의 길이(ℓ)는 20㎚∼1㎛, 바람직하게는, 20㎚∼100㎚일 수 있다.
상기 소오스는 상기 저항영역과 인접한 제1 부분과 상기 제1 부분과 인접한 제2 부분으로 구성되고, 상기 제1 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)과 동일하고, 상기 제2 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)보다 클 수 있다.
상기 드레인은 상기 저항영역과 인접한 제3 부분과 상기 제3 부분과 인접한 제4 부분으로 구성되고, 상기 제3 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)과 동일하고, 상기 제4 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)보다 클 수 있다.
상기 또 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 강유전체로 이루어 진 기록층을 갖는 기록 매체와 전계 재생/기록 헤드를 구비한 정보 저장 장치에 있어서, 상기 전계 재생/기록 헤드는 기판 내에 형성된 것으로서, 상기 기록 매체와 대향하는 끝면을 갖는 저항영역; 상기 저항영역 양측의 상기 기판 내에 각각 형성된 소오스 및 드레인; 및 상기 저항영역 상에 차례로 구비된 절연층 및 쓰기전극;을 포함하되, 상기 저항영역의 길이(ℓ)와 폭(w)은 (ℓ/w)≥0.2를 만족하는 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치를 제공한다.
상기 저항영역의 길이(ℓ)와 폭(w)은 (ℓ/w)≥0.2를, 바람직하게는 (ℓ/w)≥1을 만족할 수 있다. 이때, 상기 저항영역의 길이(ℓ)/폭(w)은 50 이하일 수 있다.
상기 저항영역의 길이(ℓ)는 20㎚∼1㎛, 바람직하게는, 20㎚∼100㎚일 수 있다.
상기 소오스는 상기 저항영역과 인접한 제1 부분과 상기 제1 부분과 인접한 제2 부분으로 구성되고, 상기 제1 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)과 동일하고, 상기 제2 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)보다 클 수 있다.
상기 드레인은 상기 저항영역과 인접한 제3 부분과 상기 제3 부분과 인접한 제4 부분으로 구성되고, 상기 제3 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)과 동일하고, 상기 제4 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)보다 클 수 있다.
상기 기판의 기록 매체 대향면 상에 ABS(air bearing surface) 패턴층을 더 구비할 수 있다.
상기 기록 매체는 회전 운동하는 디스크 타입이고, 상기 전계 재생/기록 헤드는 상기 기록 매체 표면으로부터 부상하여 회동할 수 있다.
상기 전계 재생/기록 헤드가 부착되어 회동하는 서스펜션(suspension)을 더 구비할 수 있다.
본 발명은 HDD의 구동 시스템에 전계 기록 방식을 적용함으로써, 시스템 개발에 대한 부담 없이 안정적으로 구동되면서도 1Tb/in2 이상의 높은 기록 밀도를 갖는 정보 저장 장치를 구현할 수 있다.
특히, 본 발명은 저항영역의 길이(ℓ)/폭(w)을 특정한 값으로 맞춰줌으로써, 전계 재생/기록 헤드의 감도를 향상시킬 수 있다.
부가해서, 본 발명의 전계 재생/기록 헤드의 제조방법에서 쓰기전극에 의해 저항영역의 위치가 자동적으로 결정되기 때문에, 둘 사이의 오정렬(mis-align) 문제가 발생하지 않는다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전계 재생/기록 헤드와 그의 제조방법 및 전계 재생/기록 헤드를 포함하는 정보 저장 장치를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면에 도시된 층이나 영역들의 폭 및 두께는 명세서의 명확성을 위해 다소 과장되게 도시된 것이다. 그리고 첨부된 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 가리킨다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계 재생/기록 헤드(100)의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 기판(10)은 기록 매체와 대향하는 제1면(S1)과, 제1면(S1) 과 하나의 모서리를 공유하는 제2면을 포함한다. 도 1에서 상기 제2면은 기판(10)의 상면이다. 기판(10)은 p형 또는 n형 반도체로 이루어진 육면체 구조물일 수 있다.
기판(10)의 상부(upper part)에 활성영역(A1)을 한정하는 소자분리막(7)이 구비되어 있다. 소자분리막(7)은 제1면(S1)을 향하는 개구(opening)를 갖는 3자 형태일 수 있다. 따라서 활성영역(A1)은 U자 형태일 수 있다. 소자분리막(7) 및 활성영역(A1)의 모양은 다양하게 변경될 수 있다. 활성영역(A1)의 X축에 따른 중앙부에 저항영역(20)이 구비되어 있다. 저항영역(20)은 기판(10)의 제1면(S1)의 일단의 중앙부로부터 제1면(S1)과 마주하는 면을 향하여 연장된 형태를 갖는다. 저항영역(20)의 일측 끝면은 제1면(S1) 내에 배치되어 있기 때문에, 저항영역(20)의 상기 끝면은 상기 기록 매체와 대향한다. 저항영역(20)은 도전성 불순물이 저농도로 도핑된 영역이다. 기판(10)이 p형 반도체인 경우 저항영역(20)은 n형 불순물영역이고, 기판(10)이 n형 반도체인 경우 저항영역(20)은 p형 불순물영역이다. 저항영역(20)의 폭(w)은 활성영역(A1)의 상기 중앙부의 폭과 같다. 저항영역(20)의 길이(ℓ)는 소자분리막(7)의 중앙의 돌출부, 즉, 리지(ridge)의 길이(L)보다 작다. 저항영역(20)의 길이(ℓ)와 폭(w)은 (ℓ/w)≥0.2를 만족하는 것이 바람직하다. 그 이유에 대해서는 후술한다.
저항영역(20) 양측의 활성영역(A1) 내에 각각 소오스(30a) 및 드레인(30b)이 구비되어 있다. 소오스(30a) 및 드레인(30b)은 도전성 불순물이 고농도로 도핑된 영역이다. 기판(10)이 p형 반도체인 경우 소오스(30a) 및 드레인(30b)은 n형 불순 물영역이고, 기판(10)이 n형 반도체인 경우 소오스(30a) 및 드레인(30b)은 p형 불순물영역이다. 소오스(30a) 및 드레인(30b)은 저항영역(20)을 제외한 활성영역(A1) 내에 존재하므로, 저항영역(20)을 중심으로 대칭적인 모양을 가질 수 있다. 즉, 저항영역(20)과 소오스(30a) 및 드레인(30b)의 평면도인 도 2에 도시된 바와 같이, 소오스(30a)는 저항영역(20)과 인접한 제1 부분(1)과 제1 부분(1)과 인접한 제2 부분(2)으로 구성될 수 있는데, 여기서, 제1 부분(1)의 폭은 저항영역(20)의 폭(w)과 동일하고, 제2 부분(2)의 폭은 저항영역(20)의 폭(w)보다 클 수 있다. 이와 유사하게, 드레인(30b)은 저항영역(20)과 인접한 제3 부분(3)과 제3 부분(3)과 인접한 제4 부분(4)으로 구성될 수 있는데, 제3 부분(3)의 폭은 저항영역(20)의 폭(w)과 동일하고, 제4 부분(4)의 폭은 저항영역(20)의 폭(w)보다 클 수 있다. 이와 같이, 제2 및 제4 부분(2, 4)을 저항영역(20)보다 크게 형성하면, 제2 및 제4 부분(2, 4)과 각각 접촉하는 전극의 형성이 용이하다. 소오스(30a), 드레인(30b) 및 저항영역(20)의 형상은 도시된 것에 한정되지 않는다. 소오스(30a), 드레인(30b) 및 저항영역(20)의 형상은 활성영역(A1)의 형상을 변경함으로써 다양하게 변경될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 저항영역(20) 상에 절연층(40)과 쓰기전극(50)이 차례로 구비되어 있다. 절연층(40)과 쓰기전극(50)은 라인(line) 형태로서 소자분리막(7) 상에도 구비될 수 있다. 절연층(40)과 쓰기전극(50)의 X축에 따른 길이는 저항영역(20)의 길이(ℓ)와 동일할 수 있다.
기판(10)의 제1면(S1) 상에는 공기 베어링 면(air bearing surface)(이하, ABS) 패턴층(60)이 구비될 수 있다. ABS 패턴층(60)은 그것을 포함한 전계 재생/기 록 헤드(100)가 기록 매체의 표면으로부터 부상할 수 있도록 작용한다.
한편, 도시하지는 않았지만, 소오스(30a) 및 드레인(30b)과 각각 접하는 제1 및 제2 전극이 구비될 수 있다.
본 발명의 전계 재생/기록 헤드에서 저항영역(20)의 길이(ℓ)와 폭(w)은 (ℓ/w)≥0.2를, 바람직하게는 0.2≤(ℓ/w)≤50을, 보다 바람직하게는 1≤(ℓ/w)≤50을 만족한다. 이때, 저항영역(20)의 길이(ℓ)는 20㎚∼1㎛, 바람직하게는 20㎚∼100㎚ 정도일 수 있다. 상기한 조건을 만족하는 저항영역(20)은 우수한 감도(sensitivity)를 나타낼 수 있다. 만약, 저항영역(20)의 길이(ℓ)/폭(w)이 0.2보다 작으면, 저항영역(20)의 감도가 매우 낮아져 정보의 재생이 어려울 수 있다. 그 이유는 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 전계 재생/기록 헤드를 사용해서 정보를 재생함에 있어서, 저항영역(20)의 폭(w)과 감도(sensitivity)(%)와의 상관 관계를 보여주는 그래프이다. 도 3은 저항영역(20)의 길이(ℓ)를 1㎛로 고정하고, 저항영역(20)의 폭(w)을 변화시키면서 감도를 측정한 결과이다. 여기서, 제1 드레인 전류(Id0)는 저항영역(20)에 인가되는 전압이 0V 일 때 소오스(30a)와 드레인(30b)간 전류이고, 제2 드레인 전류(Id1)는 저항영역(20)에 인가되는 전압이 +1V 일 때 소오스(30a)와 드레인(30b)간 전류이다.
도 3을 참조하면, 저항영역(20)의 폭(w)이 증가할수록 저항영역(20)의 감도는 나빠진다. 저항영역(20)의 폭(w)이 증가함에 따라 감도가 감소하는 문제는 저항 영역(20)의 길이(ℓ)가 짧아질수록 심화될 수 있다. 왜냐하면, 저항영역(20)의 길이(ℓ)가 약 100㎚ 이하인 단채널(short channel) 구조에서는, 소오스(30a)와 드레인(30b)간 간섭이 커지기 때문이다. 저항영역(20)의 바람직한 길이(ℓ)가 20㎚∼100㎚ 정도인 것을 감안하면, 저항영역(20)의 폭(w)은 100㎚ 이하에서 되도록 정밀하게 조절되는 것이 바람직하다. 그러므로 저항영역(20)의 길이(ℓ)/폭(w)이 적절히 조절되지 않으면, 감도가 우수한 전계 재생/기록 헤드를 구현하기 어렵다. 본 발명은 저항영역(20)의 길이(ℓ)/폭(w)을 적정한 값으로 맞춰줌으로써, 감도가 우수한 전계 재생/기록 헤드를 구현한다.
도 4a, 도 5a, 도 6a, 도 7a, 도 8 및 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 전계 재생/기록 헤드의 제조방법을 보여주는 평면도이다. 한편, 도 4b, 도 5b, 도 6b 및 도 7b는 각각 도 4a, 도 5a, 도 6a 및 도 7a의 a-a'선에 따른 단면도이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 활성영역(A1)을 한정하는 소자분리막(7)이 구비된 기판(10)을 마련한다. 기판(10)은 n형 또는 p형 반도체 기판일 수 있다. 소자분리막(7)은 잘 알려진 STI(shallow trench isolation) 공정 또는 LOCOS(local oxidation of silicon) 공정으로 형성할 수 있다. 소자분리막(7)과 활성영역(A1)의 모양은 도 1을 참조하여 설명한 바와 같다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 활성영역(A1)에 도전성 불순물을 저농도로 도핑하여, 저농도 불순물영역(20)을 형성한다. 이때, 기판(10)이 n형 반도체 기판이면 p형 불순물을 도핑하고, p형 반도체 기판이면 n형 불순물을 도핑한다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 기판(10) 상에 활성영역(A1)의 X축에 따른 중앙 부를 가로지르는 적층구조물(C1)을 형성한다. 적층구조물(C1)은 라인 형태로서, 소자분리막(7) 상에도 형성할 수 있다. 적층구조물(C1)의 길이(ℓ')는 소자분리막(7)의 중앙의 돌출부, 즉, 리지(ridge)의 길이(L)보다 작다. 적층구조물(C1)의 길이(ℓ')는 20㎚∼1㎛, 바람직하게는 20㎚∼100㎚ 정도일 수 있다. 도 6b에 도시된 바와 같이, 적층구조물(C1)은 절연층(40)과 쓰기전극(50)이 차례로 적층된 구조물이다. 절연층(40)은 실리콘 산화물층으로 형성할 수 있고, 쓰기전극(50)은 금속 및/또는 도전성 반도체로 형성할 수 있다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 적층구조물(C1)을 이온주입 마스크로 이용해서 적층구조물(C1) 양측의 활성영역(A1) 내에 도전성 불순물을 고농도로 도핑하여 소오스(30a) 및 드레인(30b)을 형성한다. 이때, 사용하는 불순물의 종류는 도 4a 단계에서 저농도 불순물영역(20)을 형성하기 위해 사용한 불순물의 종류와 같을 수 있다. 적층구조물(C1)에 의해 가려진 저농도 불순물영역(20)의 도핑 농도는 소오스(30a) 및 드레인(30b)의 도핑 농도보다 낮다. 이하에서는, 소오스(30a) 및 드레인(30b) 사이의 저농도 불순물영역(20)을 저항영역(20)이라 한다. 저항영역(20)의 길이(ℓ)는 적층구조물(C1)의 길이(ℓ')와 동일하다. 쓰기전극(50)에 의해 저항영역(20)의 위치가 자동적으로 정해지기 때문에, 쓰기전극(50)과 저항영역(20) 사이의 오정렬(mis-align) 문제가 발생하지 않는다.
도 8을 참조하면, 쓰기전극(50)과 수직한 방향으로 기판(10) 및 기판(10)에 형성된 구조물을 절단한다. 이때, 절단면은 도 7b의 저항영역(20) 내에서 결정된다. 상기 절단에 의해 저항영역(20), 소오스(30a), 드레인(30b), 적층구조물(C1) 및 소자분리막(7) 각각의 일부가 제거된다. 상기 절단은 선택적(optional) 공정일 수 있다.
다음, 저항영역(20)의 일부가 제거되도록 상기 절단에 의해 노출된 면, 즉 절단면(S1')을 연마한다. 상기 연마를 통해 얻어진 결과물이 도 9에 도시되어 있다. 도 9에서 도면 부호 S1은 매체 대향면을 나타낸다. 이러한 연마를 통해 저항영역(20)의 폭(w)을 원하는 수준으로 맞춰줄 수 있다. 이때, 저항영역(20)의 폭(w)은 저항영역(20)의 길이(ℓ)를 고려하여 정해지는 것이 바람직하다. 예컨대, 저항영역(20)의 길이(ℓ)와 폭(w)이 (ℓ/w)≥0.2를, 바람직하게는 0.2≤(ℓ/w)≤50을, 보다 바람직하게는 1≤(ℓ/w)≤50을 만족하도록 상기 연마를 수행하는 것이 바람직하다.
상기 연마는 소오스(30a)와 드레인(30b) 사이의 전류를 측정하면서, 즉, 저항영역(20)의 전기 저항을 측정하면서 수행하는 것이 바람직하다. 이때, 측정되는 저항영역(20)의 전기 저항은 소정의 기준 저항과 비교될 수 있다. 상기 연마는 저항영역(20)의 전기 저항이 상기 기준 저항과 같아질 때까지 수행될 수 있다.
상기 연마를 통해 쓰기전극(50)의 일부도 제거된다. 상기 연마를 거친 쓰기전극(50) 및 저항영역(20)의 기록 매체를 대향하는 끝면들은 동일한 평면에 존재한다.
도시하지는 않았지만, 도 7a의 소오스(30a) 및 드레인(30b)을 형성하는 단계와 도 8의 기판(10)을 절단하는 단계 사이에, 소오스(30a) 및 드레인(30b)과 각각 접하는 전극을 형성할 수 있다. 또한, 도 9의 매체 대향면(S1) 상에 ABS 패턴층을 형성할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 전계 재생/기록 헤드를 웨이퍼(wafer)로부터 제조하는 공정을 간략히 설명하면 다음과 같다. 웨이퍼 상에 소자분리막(7), 저항영역(20), 소오스(30a), 드레인(30b), 절연층(40) 및 쓰기전극(50)을 적어도 한 세트 이상 형성하는 제1 단계; 상기 세트들을 몇 개의 그룹으로 묶어 유닛(unit) 단위로 분리되도록 웨이퍼를 절단하는 제2 단계; 상기 유닛의 절단면을 연마하는 제3 단계; 상기 유닛의 매체 대향면에 ABS 패턴층을 형성하는 제4 단계; 및 상기 ABS 패턴층이 형성된 유닛을 각각의 전계 재생/기록 헤드로 분리하는 제5 단계;를 통해 도 1에 도시된 바와 같은 전계 재생/기록 헤드(100)를 제조할 수 있다. 여기서, 상기 제2 단계는 도 8의 절단 단계와 동일할 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 전계 재생/기록 헤드(100)를 포함하는 정보 저장 장치의 사시도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 정보 저장 장치는 강유전체로 이루어진 기록층을 갖는 기록 매체(500)와, 기록 매체(500)에 정보를 기록하고 기록 매체(500)로부터 정보를 재생하는 전계 재생/기록 헤드(100)를 구비한다. 여기서, 상기 전계 재생/기록 헤드(100)는 도 1의 전계 재생/기록 헤드(100)와 동일하므로 그에 대한 설명은 반복하지 않는다.
본 발명의 정보 저장 장치에서 기록 매체(500)는 회전 운동하는 디스크 타입으로서 그 하부에 접지된 하부전극(미도시)이 구비된다. 그리고, 전계 재생/기록 헤드(100)는 스윙암(swing arm)(300)의 끝단의 서스펜션(suspension)(200)에 부착 된 상태로 기록 매체(500) 표면으로부터 부상하여 회동한다. 미설명된 도면부호 400은 스윙암(300)을 회동시키는 VCM(voice coil motor)을 나타낸다. 이러한 본 발명의 정보 저장 장치의 구동 시스템은 종래 HDD의 그것과 유사하다.
이러한 본 발명의 정보 저장 장치의 재생 및 기록 원리를 간략히 설명하면 다음과 같다.
< 재생 원리 >
전계 재생/기록 헤드(100)의 소오스(30a) 및 드레인(30b)이 n+ 영역이고, 저항영역(20)이 n- 영역인 경우, 저항영역(20)이 위치하는 기록 매체(500)의 표면전하가 음(-)이면, 저항영역(20)의 전자(electron) 밀도가 감소하여 저항영역(20)의 저항 값은 커지고 소오스(30a)과 드레인(30b)간 전류는 감소하게 된다. 반대로, 상기 저항영역(20)이 위치하는 기록 매체(500)의 표면전하가 양(+)이면, 저항영역(20)의 전자 밀도가 증가하여 저항영역(20)의 저항 값은 작아지고 소오스(30a)과 드레인(30b)간 전류는 증가하게 된다. 이러한 저항 및 전류의 변화를 검출함으로써 기록 매체(500) 표면에 기록된 정보를 알아낼 수 있다.
< 기록 원리 >
전계 재생/기록 헤드(100)의 쓰기전극(50)에 임계 전압 이상의 양(+)의 전압을 인가하면, 기록 매체(500) 하부에 배치된 하부전극은 OV이므로 기록 매체(500)의 표면은 음(-)극화 된다. 반대로, 전계 재생/기록 헤드(100)의 쓰기전극(50)에 임계 전압 이하의 음(-)의 전압을 인가하면, 기록 매체(500) 하부에 배치된 하부전극은 OV이므로 기록 매체(500)의 표면은 양(+)극화 된다. 이와 같이 쓰기전극(50) 에 인가되는 전압의 크기에 따라 강유전성 기록 매체(500)의 전기 도메인(electric domain)의 분극 방향이 달라지고, 그에 따라 정보가 기록될 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계 재생/기록 헤드의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전계 재생/기록 헤드의 저항영역, 소오스 및 드레인을 포함하는 활성영역의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 전계 재생/기록 헤드를 사용해서 정보를 재생함에 있어서, 저항영역의 폭에 따른 감도(sensitivity)의 변화를 보여주는 그래프이다.
도 4a, 도 5a, 도 6a, 도 7a, 도 8 및 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 전계 재생/기록 헤드의 제조방법을 단계별로 보여주는 평면도이다.
도 4b, 도 5b, 도 6b 및 도 7b는 각각 도 4a, 도 5a, 도 6a 및 도 7a의 a-a'선에 따른 단면도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 전계 재생/기록 헤드를 포함하는 정보 저장 장치의 사시도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1∼4 : 제1 내지 제4 부분 7 : 소자분리막
10 : 기판 20 : 저항영역
30a : 소오스 30b : 드레인
40 : 절연층 50 : 쓰기전극
60 : ABS 패턴층 100 : 전계 재생/기록 헤드
200 : 서스펜션 300 : 스윙암
400 : VCM 500 : 기록 매체
A1 : 활성영역 C1 : 적층구조물
S1 : 제1면(매체 대향면) S1' : 절단면
ℓ : 저항영역의 길이 ℓ' : 적층구조물의 길이
w : 저항영역의 폭 L : 리지(ridge)의 길이

Claims (31)

  1. 기판 내에 형성된 것으로서, 기록 매체와 대향하는 끝면을 갖는 저항영역;
    상기 저항영역 양측의 상기 기판 내에 각각 형성된 소오스 및 드레인; 및
    상기 저항영역 상에 차례로 구비된 절연층 및 쓰기전극;을 포함하되,
    상기 저항영역의 길이(ℓ)와 폭(w)은 (ℓ/w)≥0.2를 만족하는 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드.
  2. 청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항에 있어서, 상기 저항영역의 길이(ℓ)와 폭(w)은 (ℓ/w)≥1을 만족하는 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드.
  3. 청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항에 있어서, 상기 저항영역의 길이(ℓ)와 폭(w)은 (ℓ/w)≤50을 만족하는 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드.
  4. 제 1 내지 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저항영역의 길이(ℓ)는 20㎚∼1㎛ 인 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드.
  5. 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 4 항에 있어서, 상기 저항영역의 길이(ℓ)는 20㎚∼100㎚ 인 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 소오스는 상기 저항영역과 인접한 제1 부분과 상기 제1 부분과 인접한 제2 부분으로 구성되고, 상기 제1 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)과 동일하고, 상기 제2 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)보다 큰 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드.
  7. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 드레인은 상기 저항영역과 인접한 제3 부분과 상기 제3 부분과 인접한 제4 부분으로 구성되고, 상기 제3 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)과 동일하고, 상기 제4 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)보다 큰 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드.
  8. 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항에 있어서, 상기 기판의 기록 매체 대향면 상에 ABS(air bearing surface) 패턴층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드.
  9. 활성영역을 한정하는 소자분리막이 구비된 기판을 마련하는 단계;
    상기 활성영역에 도전성 불순물을 저농도로 도핑하는 단계;
    상기 기판 상에 상기 활성영역의 중앙부를 가로지르는 것으로서, 절연층과 쓰기전극의 적층구조물을 형성하는 단계;
    상기 적층구조물 양측의 상기 활성영역 내에 도전성 불순물을 고농도로 도핑하여 소오스 및 드레인을 형성함과 아울러 상기 소오스 및 상기 드레인 사이의 저농도 도핑영역인 저항영역을 한정하는 단계; 및
    상기 저항영역의 일부가 제거되도록 상기 기판의 기록 매체 대향면을 연마하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 소오스 및 상기 드레인을 형성하는 단계와 상기 기판의 상기 기록 매체 대향면을 연마하는 단계 사이에, 상기 기판을 절단하는 단계를 더 포함하고, 상기 절단에 의해 노출된 면은 상기 기록 매체 대향면인 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드의 제조방법.
  11. 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 9 항에 있어서, 상기 소오스 및 상기 드레인과 각각 접하는 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드의 제조방법.
  12. 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 10 항에 있어서, 상기 소오스 및 상기 드레인을 형성하는 단계와 상기 기판을 절단하는 단계 사이에, 상기 소오스 및 상기 드레인과 각각 접하는 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드의 제조방법.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 연마는 상기 소오스와 상기 드레인 사이의 전류를 측정하면서 수행하는 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드의 제조방법.
  14. 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 9 항에 있어서, 상기 기록 매체 대향면을 연마하는 단계 후, 상기 기록 매체 대향면 상에 ABS(air bearing surface) 패턴층을 형성하는 단계를 더 포함하 는 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드의 제조방법.
  15. 제 9 항에 있어서, 상기 저항영역의 길이(ℓ)와 폭(w)은 (ℓ/w)≥0.2를 만족하는 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드의 제조방법.
  16. 청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 15 항에 있어서, 상기 저항영역의 길이(ℓ)와 폭(w)은 (ℓ/w)≥1을 만족하는 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드의 제조방법.
  17. 청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 15 항에 있어서, 상기 저항영역의 길이(ℓ)와 폭(w)은 (ℓ/w)≤50을 만족하는 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드의 제조방법.
  18. 청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 15 내지 17 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저항영역의 길이(ℓ)는 20㎚∼1㎛ 인 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드의 제조방법.
  19. 청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 18 항에 있어서, 상기 저항영역의 길이(ℓ)는 20㎚∼100㎚ 인 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드의 제조방법.
  20. 청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 9 항에 있어서, 상기 소오스는 상기 저항영역과 인접한 제1 부분과 상기 제1 부분과 인접한 제2 부분으로 구성되고, 상기 제1 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)과 동일하고, 상기 제2 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)보다 큰 것을 특징 으로 하는 전계 재생/기록 헤드의 제조방법.
  21. 청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 9 항 또는 제 20 항에 있어서, 상기 드레인은 상기 저항영역과 인접한 제3 부분과 상기 제3 부분과 인접한 제4 부분으로 구성되고, 상기 제3 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)과 동일하고, 상기 제4 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)보다 큰 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드의 제조방법.
  22. 강유전체로 이루어진 기록층을 갖는 기록 매체와 전계 재생/기록 헤드를 구비한 정보 저장 장치에 있어서,
    상기 전계 재생/기록 헤드는
    기판 내에 형성된 것으로서, 상기 기록 매체와 대향하는 끝면을 갖는 저항영역;
    상기 저항영역 양측의 상기 기판 내에 각각 형성된 소오스 및 드레인; 및
    상기 저항영역 상에 차례로 구비된 절연층 및 쓰기전극;을 포함하되,
    상기 저항영역의 길이(ℓ)와 폭(w)은 (ℓ/w)≥0.2를 만족하는 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치.
  23. 청구항 23은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 22 항에 있어서, 상기 저항영역의 길이(ℓ)와 폭(w)은 (ℓ/w)≥1을 만족하는 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치.
  24. 청구항 24은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
  25. 제 22 내지 24 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저항영역의 길이(ℓ)는 20㎚∼1㎛ 인 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치.
  26. 청구항 26은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 25 항에 있어서, 상기 저항영역의 길이(ℓ)는 20㎚∼100㎚ 인 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치.
  27. 제 22 항에 있어서, 상기 소오스는 상기 저항영역과 인접한 제1 부분과 상기 제1 부분과 인접한 제2 부분으로 구성되고, 상기 제1 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)과 동일하고, 상기 제2 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)보다 큰 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치.
  28. 제 22 항 또는 제 27 항에 있어서, 상기 드레인은 상기 저항영역과 인접한 제3 부분과 상기 제3 부분과 인접한 제4 부분으로 구성되고, 상기 제3 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)과 동일하고, 상기 제4 부분의 폭은 상기 저항영역의 폭(w)보다 큰 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치.
  29. 청구항 29은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 22 항에 있어서, 상기 기판의 기록 매체 대향면 상에 ABS(air bearing surface) 패턴층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치.
  30. 청구항 30은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 22 항에 있어서, 상기 기록 매체는 회전 운동하는 디스크 타입이고, 상기 전계 재생/기록 헤드는 상기 기록 매체 표면으로부터 부상하여 회동하는 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치.
  31. 청구항 31은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 30 항에 있어서, 상기 전계 재생/기록 헤드가 부착되어 회동하는 서스펜션(suspension)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치.
KR1020070071286A 2007-07-16 2007-07-16 전계 재생/기록 헤드와 그의 제조방법 및 전계 재생/기록헤드를 포함한 정보 저장 장치 KR100905720B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080090932A (ko) * 2007-04-06 2008-10-09 삼성전자주식회사 강유전체 하드디스크 장치
KR20100000321A (ko) * 2008-06-24 2010-01-06 삼성전자주식회사 전계기록 재생장치 및 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030087372A (ko) * 2002-05-08 2003-11-14 삼성전자주식회사 저항성 팁을 구비하는 반도체 탐침 및 그 제조방법 및 이를 구비하는 정보 기록장치, 정보재생장치 및 정보측정장치
JP2004039017A (ja) 2002-06-28 2004-02-05 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置
KR100763926B1 (ko) 2006-10-09 2007-10-05 삼성전자주식회사 정보 기록 매체, 정보 기록 매체의 제조방법, 기록/재생헤드 및 기록/재생 헤드의 제조방법
KR100773556B1 (ko) 2006-08-02 2007-11-07 삼성전자주식회사 전계 재생/기록 헤드와 그의 제조방법 및 전계 재생/기록헤드를 포함한 정보 재생/기록 장치

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5757591A (en) * 1996-11-25 1998-05-26 International Business Machines Corporation Magnetoresistive read/inductive write magnetic head assembly fabricated with silicon on hard insulator for improved durability and electrostatic discharge protection and method for manufacturing same
US6515957B1 (en) * 1999-10-06 2003-02-04 International Business Machines Corporation Ferroelectric drive for data storage

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030087372A (ko) * 2002-05-08 2003-11-14 삼성전자주식회사 저항성 팁을 구비하는 반도체 탐침 및 그 제조방법 및 이를 구비하는 정보 기록장치, 정보재생장치 및 정보측정장치
JP2004039017A (ja) 2002-06-28 2004-02-05 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置
KR100773556B1 (ko) 2006-08-02 2007-11-07 삼성전자주식회사 전계 재생/기록 헤드와 그의 제조방법 및 전계 재생/기록헤드를 포함한 정보 재생/기록 장치
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