JP6527480B2 - 磁気記録ヘッド及び磁気記録装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、磁気記録ヘッド及び磁気記録装置に関する。

磁気記録ヘッドを用いて、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）などの磁気記憶媒体に情報が記録される。例えば、垂直磁気記録は、高密度記録に有利である。磁気記録ヘッド及び磁気記録装置において、記録密度の向上が望まれる。

特開２０１１−２２７９８７号公報

本発明の実施形態は、記録密度が向上できる磁気記録ヘッド及び磁気記録装置を提供する。

本発明の実施形態によれば、磁気記録ヘッドは、第１シールドと、第２シールドと、磁極と、第１絶縁部と、第１中間層と、を含む。前記第２シールドは、第１方向において前記第１シールドから離れる。前記磁極は、前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられる。前記磁極は、第１端部と、前記第１方向と交差する第２方向において前記第１端部から離れた第２端部と、を含む。前記第１端部の前記第１方向に沿った第１端部長は、前記第２端部の前記第１方向に沿った第２端部長よりも長い。前記第１絶縁部は、前記第１シールドと前記磁極との間に設けられる。前記第１中間層は、前記第１シールドと前記第１絶縁部との間に設けられ、Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む。

第１の実施形態に係る磁気記録ヘッドを例示する模式的平面図である。 第１の実施形態に係る磁気記録ヘッドを例示する模式的断面図である。 磁気記録ヘッドの特性を例示するグラフ図である。 図４（ａ）〜図４（ｃ）は、磁気記録ヘッドの特性を例示する模式図である。 磁気記録ヘッドの特性を例示するグラフ図である。 第１の実施形態に係る別の磁気記録ヘッドを例示する模式的平面図である。 第１の実施形態に係る磁気記録ヘッドの動作を例示する模式的平面図である。 第２の実施形態に係る別の磁気記録ヘッドを例示する模式的平面図である。 磁気記録ヘッドの特性を例示するグラフ図である。 第３の実施形態に係る磁気記録ヘッドを例示する模式的平面図である。 第３の実施形態に係る別の磁気記録ヘッドを例示する模式的平面図である。 第４の実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。 第４の実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。 実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。 図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。

以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る磁気記録ヘッドを例示する模式的平面図である。
図１は、後述する媒体対向面からみた、磁気記録ヘッド１１０の平面図である。
図１に示すように、本実施形態に係る磁気記録ヘッド１１０は、第１シールド４１と、第２シールド４２と、磁極２０と、第１絶縁部３１と、第２絶縁部３２と、第１中間層６１と、第２中間層６２と、を含む。この例では、第３シールド４３、第４シールド４４、第３絶縁部３３及び第４絶縁部３４が、さらに設けられている。

第１シールド４１及び第２シールド４２は、例えば、サイドシールドである。第２シールド４２は、第１方向において、第１シールド４１から離れている。

第１方向をＹ軸方向とする。Ｙ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｙ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＺ軸方向とする。

磁極２０は、第１シールド４１と第２シールド４２との間に設けられる。磁極２０は、第１端部２１及び第２端部２２を含む。第２端部２２は、第２方向において、第１端部２１から離れている。第２方向は、第１方向と交差する。この例では、第２方向は、Ｘ軸方向である。

第１端部２１は、第１方向（Ｙ軸方向）に沿った長さ（第１端部長Ｌ１）を有する。第２端部２２は、第１方向（Ｙ軸方向）に沿った長さ（第２端部長Ｌ２）を有する。第１端部長Ｌ１は、第２端部長Ｌ２よりも長い。

第１端部２１は、例えば、トレーリング側の端である。第２端部２２は、例えば、リーディング側の端である。磁極２０は、側面（第１側面２１ｓ及び第２側面２２ｓ）を有する。側面は、第１方向及び第２方向に対して傾斜している。この傾斜により、上記の長さの違いが生じる。

第１絶縁部３１は、第１シールド４１と磁極２０との間に設けられる。例えば、第１絶縁部３１は、磁極２０の第１側面２１ｓに対向する。

第２絶縁部３２は、第２シールド４２と磁極２０との間に設けられる。例えば、第２絶縁部３２は、磁極２０の第２側面２２ｓに対向する。

第１中間層６１は、第１シールド４１と第１絶縁部３１との間に設けられる。第１中間層６１は、Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む。第１中間層６１の第１方向（Ｙ軸方向）に沿った厚さ（第１厚ｔ１）は、例えば、２（ｎｍ）以上２０ｎｍ以下である。第１中間層６１は、第１シールド４１と物理的に接しても良い。

第２中間層６２は、第２シールド４２と第２絶縁部３２との間に設けられる。第２中間層６２は、Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む。第２中間層６２の第１方向（Ｙ軸方向）に沿った厚さ（第２厚ｔ２）は、例えば、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。第２中間層６２は、第２シールド４２と物理的に接しても良い。

第４シールド４４は、第２方向（この例では、Ｘ軸方向）において、第３シールド４３から離れている。第３シールド４３と第４シールド４４との間に、磁極２０が配置される。この例では、第３シールド４３と第４シールド４４との間に、第１シールド４１及び第２シールド４２が配置される。

磁極２０の第１端部２１は、第３シールド４３と第４シールド４４との間に設けられる。磁極２０の第２端部２２は、第１端部２１と第４シールド４４との間に設けられる。磁極２０は、磁気記録媒体に記録磁界を印加する。磁極２０は、例えば、主磁極である。第３シールド４３は、例えば、トレーリングシールドである。

第３絶縁部３３は、第３シールド４３と第１端部２１との間に設けられる。第４絶縁部３４は、第４シールド４４と第２端部２２との間に設けられる。

第１〜第４絶縁部３１〜３４は、例えば、シリコン（Ｓｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）の少なくともいずれかの酸化物を含む。これらの絶縁部は、Ｓｉ及びＡｌの少なくともいずれかの窒化物を含んでも良い。これらの絶縁部は、Ｓｉ及びＡｌの少なくともいずれかの酸窒化物を含んでも良い。

第１〜第４シールド４１〜４４は、例えば、鉄及びコバルトを含む。第１シールド４１及び第２シールド４２におけるコバルトの組成比は、第３シールド４３及び第４シールド４４におけるコバルトの組成比とは異なっても良い。

第１シールド４１と第２シールド４２とを結ぶ方向（第１方向、Ｙ軸方向）は、例えばトラック幅方向に対応する。第３シールド４３と第４シールド４４とを結ぶ方向（第２方向、Ｘ軸方向）は、例えば、スキュー角がゼロの場合のダウントラック方向に対応する。Ｚ軸方向は、ハイト方向に対応する。

実施形態において、第１端部２１は、第１部分２１ｅと、第２部分２１ｆと、を含む。第１部分２１ｅの第１方向における位置は、第１シールド４１の第１方向における位置と、第２シールド４２の第１方向における位置と、の間に設けられる。第２部分２１ｆの第１方向における位置は、第１部分２１ｅの第１方向における位置と、第２シールド４２の第１方向における位置と、の間に設けられる。例えば、第１部分２１ｅは、第１シールド４１の側の端である。例えば、第２部分２１ｆは、第２シールド４２の側の端である。例えば、第１部分２１ｅと第２部分２１ｆとの間の第１方向に沿った距離が、第１端部長Ｌ１に対応する。

図２は、第１の実施形態に係る磁気記録ヘッドを例示する模式的断面図である。
磁気記録ヘッド１１０は、磁気記録媒体８０（例えば磁気ディスクなど）に対向して配置される。磁気記録ヘッド１１０は、媒体対向面５１（ＡＢＳ：Air Bearing Surface）を有する。

トラック幅方向（Ｙ軸方向）は、媒体対向面５１に対して実質的に平行である。磁気記録媒体８０は、例えば、媒体基板８２と、磁気記録層８１と、を含む。磁気記録層８１は、媒体基板８２の上に設けられる。磁気記録層８１に複数の記録ビット８４が設けられる。磁気記録媒体８０は、媒体移動方向８５に沿って、磁気記録ヘッド１１０に対して相対的に移動する。媒体移動方向８５は、例えば、第２方向（Ｘ軸方向）に沿う。

磁気記録媒体８０の特定の部分８０ｐは、磁極２０と対向した後に、第３シールド４３と対向する。磁気記録ヘッド１１０から印加される磁界により、複数の記録ビット８４のそれぞれにおいて、磁化８３が制御される。これにより記録動作が実施される。磁気記録ヘッド１１０において、磁化８３の方向を検出する再生部（図示しない）がさらに設けられても良い。

以下、実施形態に係る磁気記録ヘッド１１０の特性の例について説明する。
図３は、磁気記録ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
図３では、磁気記録ヘッド１１０を用いて瓦書きしたときの特性が示されている。図３には、実施形態に係る磁気記録ヘッド１１０の特性の他に、第１参考例の磁気記録ヘッド１１９ａ及び第２参考例の磁気記録ヘッド１１９ｂの特性が示されている。

磁気記録ヘッド１１０において、第１端部長Ｌ１は、約７０ｎｍである。第１端部長Ｌ１は、例えば、主磁極幅に対応する。磁極２０の第２方向（Ｘ軸方向）に沿った長さ（主磁極長）は、約９０ｎｍである。サイドシールドギャップは、約３５ｎｍである。サイドシールドギャップ（ＳＳギャップＳＳｇ、図１参照）は、磁極２０と第１シールド４１との間のＹ軸方向に沿った距離である。磁極２０と第２シールド４２との間のＹ軸方向に沿った距離は、磁極２０と第１シールド４１との間のＹ軸方向に沿った距離と同じである。中間層の厚さ（第１厚ｔ１及び第２厚ｔ２のそれぞれ）は、２０ｎｍである。サイドシールド（第１シールド４１及び第２シールド４２）には、ＦｅＣｏが用いられている。このとき、ギルバートダンピング定数（ダンピング定数α）は、０．０８である。

一方、第１参考例の磁気記録ヘッド１１９ａにおいては、中間層が設けられていない。この他は、磁気記録ヘッド１１０と同様である。この時のサイドシールドのダンピング定数αは、０．０３である。

第２参考例の磁気記録ヘッド１１９ｂにおいては、中間層が設けられておらず、さらに、サイドシールドの材料が、磁気記録ヘッド１１０のそれとは異なる。すなわち、第２参考例においては、サイドシールド（第１シールド４１及び第２シールド４２）には、ＦｅＣｏが用いられている。すなわち、第２参考例においては、サイドシールドの材料においては、磁気記録ヘッド１１０における材料にＴａが添加されている。第２参考例において、サイドシールドのダンピング定数αは、０．１である。

図３において横軸は、ラッピング深さＲＤ（ｎｍ）である。磁気記録ヘッドの作製において、磁気記録ヘッドとなる積層膜が形成される。そして、媒体対向面５１の側の部分において、積層膜のラッピングが行われる。これにより、媒体対向面５１が形成される。ラッピング深さＲＤにより、主磁極幅、主磁極長、及び、ＳＳギャップＳＳｇが変化する。図３において、縦軸はＳＮ比ＳＮＲ１（ｄＢ）である。この場合、ＳＮ比ＳＮＲ１は、オントラックのＳＮ比である。

図３に示すように、第１参考例の磁気記録ヘッド１１９ａにおいては、ＳＮ比ＳＮＲ１は低い。第２参考例の磁気記録ヘッド１１９ｂにおいては、ラッピング深さＲＤが大きい領域で、ＳＮ比ＳＮＲ１は、第１参考例よりも向上する。しかしながら、向上の程度は、僅かである。

これに対して、実施形態に係る磁気記録ヘッド１１０においては、高いＳＮ比ＳＮＲ１が得られる。磁気記録ヘッド１１０と第２参考例との間で、ＳＮ比ＳＮＲ１の差は約４％である。すなわち、実施形態によれば、ＳＮ比を約４％向上できる。これにより、記録密度が向上できる。

実施形態において、ＳＮ比ＳＮＲ１が高くなるのは、中間層（第１中間層６１及び第２中間層６２）を設けることにより、サイドシールド部分において、ギルバートダンピング定数α（ダンピング定数）が大きくなることによると考えられる。

例えば、Ｃｏ層におけるダンピング定数αは、約０．０１である。これに対して、Ｃｏ層及びＰｔ層の積層膜においては、ダンピング定数αは、例えば、約０．０６となる。

例えば、サイドシールドとして、Ｃｏ及びＦｅを含む磁性材料が用いられる。例えば、Ｃｏの組成比などに応じてダンピング定数αは、変化する。しかしながら、組成比を変更した場合においても、ダンピング定数αは、約０．０１〜０．０４程度である。

ここで、これらのダンピング定数α（約０．０６、及び、約０．０１〜０．０４程度）の値は、図３に関して説明したダンピング定数αの値（０．０８、及び、０．０３）と、少し異なっている。実験に用いられる単純な構造の膜と、磁気記録ヘッドの状態の膜と、において、測定されるダンピング定数αの値に差が生じることが多い。例えば、磁気記録ヘッドの状態の膜のダンピング定数αは、単純な構造の膜のダンピング定数よりも大きくことが多い。これは、膜の結晶定数または不純物の状態が、互いに異なることが原因であると考えられる。

いずれにしても、Ｃｏ層及びＰｔ層の積層膜のダンピング定数α（約０．０６）は、Ｃｏ及びＦｅを含む磁性材料のダンピング定数α（約０．０１〜０．０４程度）よりも大きい。

このとき、Ｃｏ及びＦｅを含む磁性材料の膜と、中間層と、を組み合わせることで、大きなダンピング定数αが得られる。

一方、第２参考例においては、サイドシールドには、ダンピング定数αが大きい材料が用いられている。このため、第２参考例においても、ＳＮ比ＳＮＲ１が大きくなることが期待される。しかしながら、図３に示すように、第２参考例においては、ＳＮ比ＳＮＲ１が低い。第２参考例においては、サイドシールドの材料において、ダンピング定数αが大きくなるように重金属が添加されており、このため飽和磁束密度Ｂｓが小さくなったと考えられる。このため、ＳＮ比ＳＮＲ１が低くなったと考えられる。

ダンピング定数αを大きくするために、Ｃｏ及びＦｅを含む磁性材料に重金属を添加する方法が考えられる。しかしながら、重金属を添加することにより、飽和磁束密度Ｂｓが小さくなる。このため、第２参考例においては、ＳＮ比ＳＮＲ１が十分に高くならないと考えられる。

これに対して、実施形態においては、サイドシールドの磁性体に非磁性重金属を混ぜるのではなく、非磁性重金属を含む中間層を、サイドシールドと、主磁極と、の間に設けることで、実質的なダンピング定数αを大きくしている。これにより、飽和磁束密度Ｂｓの低下のような悪影響がなく、大きな実質的なダンピング定数αが得られる。これにより、高いＳＮ比ＳＮＲ１が得られると考えられる。

実施形態において、第１シールド４１と第１中間層６１とを含む部分（第１シールド４１と第１中間層６１とが接する部分）のダンピング定数αは、例えば、０．０８以上０．２以下である。第１シールド４１の飽和磁束密度は、１．６テスラ以上２．４テスラ以下である。同様に、第２シールド４２と第２中間層６２とを含む部分のダンピング定数αは、例えば、０．０８以上０．２以下である。第２シールド４２の飽和磁束密度は、１．６テスラ以上２．４テスラ以下である。

このように、実施形態においては、中間層を設けることで、高いＳＮ比ＳＮＲ１が得られる。以下、中間層を設ける構成に着想した検討について説明する。

図４（ａ）〜図４（ｃ）は、磁気記録ヘッドの特性を例示する模式図である。
図４（ａ）は、磁気記録媒体８０における記録磁界の時間変化を例示している。図４（ａ）の横軸は、時間ｔ（ｎｓｅｃ）である。縦軸は、磁気記録媒体８０における記録磁界Ｈ１（ｋＯｅ）である。磁気記録ヘッド１１０で生じた記録磁界が、磁気記録媒体８０に加わる。磁気記録媒体８０の位置における記録磁界が、記録磁界Ｈ１に対応する。この例では、「１」と「０」とが交互に記録される。

図４（ａ）において、第１状態ＳＴ１と、第２状態ＳＴ２と、に着目する。第１状態ＳＴ１においては、記録磁界Ｈ１がほぼ最大である。第２状態ＳＴ２においては、記録磁界Ｈ１がほぼ０であり、記録磁界Ｈ１の極性が反転する。すなわち、記録磁界Ｈ１の正・負が入れ替わる。

図４（ｂ）及び図４（ｃ）は、記録磁界Ｈ１の面内分布のシミュレーション結果を示している。図４（ｂ）は、第１状態ＳＴ１に対応する。図４（ｃ）は、第２状態ＳＴ２に対応する。これらの図において、図中の濃度は、磁界（記録磁界Ｈ１）の強度を示している。

図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すように、「１」から「０」、または、「０」から「１」に遷移するときに、サイドシールドとサイドギャップとの境界に対応する領域で、磁界（記録磁界Ｈ１）が高いことが分かった。

図４（ｂ）に示すように、第１状態ＳＴ１においては、磁極２０の第１端部２１に対応する領域において、記録磁界Ｈ１は高い。記録磁界Ｈ１の最大値は、約１６ｋＯｅである。第１状態ＳＴ１においては、所望の記録磁界Ｈ１が磁気記録媒体８０に印加されていると考えられる。

図４（ｃ）に示すように、第２状態ＳＴ２においては、サイドシールドに対応する領域において、記録磁界Ｈ１が高いことが分かった。サイドシールドに対応する領域で記録磁界Ｈ１が高くなる現象が、極性の反転時に生じる。この現象は、正から負への反転と、負から正への反転と、で異なる場合もある。サイドシールドとサイドギャップの境界領域に対応する領域で記録磁界Ｈ１が高くなることで、隣接トラックを重ね書きした時にオントラックの記録特性が悪化すると考えられる。この例は、瓦書き記録の場合である。ＣＭＲ記録（Conventional Magnetic Recording）の場合でも、隣接トラックを書いた後の記録特性の変動において、同様の現象が見られる。

このように、記録磁界Ｈ１の極性が反転するときに、サイドシールドのエッジに大きな磁界（フリンジ磁界）が発生する。トラックピッチを小さくするために、ＳＳギャップＳＳｇを小さくして、主磁極から発生する磁界の幅を小さくすることが行われる。このとき、ＳＳギャップＳＳｇを小さくすると、このフリンジ磁界の影響が大きくなる。このため、ＳＳギャップＳＳｇを十分に小さくできない。このため、トラックピッチを十分に小さくすることが困難である。さらに、主磁極幅（第１端部長Ｌ１）が大きくなると、このフリンジ磁界も強くなる。このため、瓦書き記録においても、主磁極幅（第１端部長Ｌ１）は十分に大きくできない。

このフリンジ磁界（記録磁界Ｈ１の極性が反転するときにサイドシールドのエッジに対応する位置に発生する磁界）が、着目された。このフリンジ磁界を小さくするためには、サイドシールドのダンピング定数αを大きくすることが有効であると考えられる。サイドシールドの材料を変更することで、ダンピング定数αが変化する。

以下、ダンピング定数αとＳＮ比ＳＮＲ１との関係について説明する。

図５は、磁気記録ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
図５の横軸は、ＳＳギャップＳＳｇ（ｎｍ）である。縦軸は、ＳＮ比ＳＮＲ１（ｄＢ）である。図５は、サイドシールドの物性値を変更したときのＳＮ比ＳＮＲ１のシミュレーション結果を示している。シミュレーションのモデルにおいて、中間層は設けられていない。

図５において、第３〜第６参考例の磁気記録ヘッド１１９ｃ〜１１９ｆの特性が示されている。磁気記録ヘッド１１９ｃにおいては、ダンピング定数αは、０．０３であり、飽和磁束密度Ｂｓは１Ｔ（テスラ）である。磁気記録ヘッド１１９ｄにおいては、ダンピング定数αは、０．１であり、飽和磁束密度Ｂｓは１Ｔ（テスラ）である。磁気記録ヘッド１１９ｅにおいては、ダンピング定数αは、０．０３であり、飽和磁束密度Ｂｓは１．６Ｔ（テスラ）である。磁気記録ヘッド１１９ｆにおいては、ダンピング定数αは、０．１であり、飽和磁束密度Ｂｓは１．６Ｔ（テスラ）である。

図５に示すように、飽和磁束密度Ｂｓが同じときに、ダンピング定数αが大きくなると、ＳＮ比ＳＮＲ１は高くなる。そして、ダンピング定数αが同じときに、飽和磁束密度Ｂｓが大きくなると、ＳＮ比ＳＮＲ１は大きくなる。

大きな飽和磁束密度Ｂｓを維持しつつダンピング定数αを大きくすることができれば、ＳＮ比ＳＮＲ１を高くできる。しかしながら、サイドシールドの材料の工夫によりダンピング定数αを大きくしようとすると、飽和磁束密度Ｂｓが小さくなってしまう。

このとき、実施形態においては、サイドシールドに加えて、中間層を設ける。この中間層は、Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む。これにより、サイドシールドの部分において、ダンピング定数が実質的に大きくなる。このような特性により、ＳＮ比ＳＮＲ１が向上できる。これにより、記録密度が向上できる。

このように、記録磁界Ｈ１の極性が変化するときの記録磁界Ｈ１の特性が着目された。特に、フリンジ磁界（記録磁界Ｈ１の極性が反転するときにサイドシールドのエッジに対応する位置に発生する磁界）が着目された。このフリンジ磁界を小さくすることが検討された。

サイドシールドの材料のダンピング定数αを大きくすることで、磁界反応速度を高める。これにより、フリンジ磁界が小さくすることができ、ＳＮ比ＳＮＲ１が向上できる。このとき、サイドシールドの材料のダンピング定数αを大きくすると、飽和磁束密度Ｂｓが低下してしまう。このため、実際の特性の向上は困難である。実施形態においては、サイドシールドに加えて、中間層を設けることで、ＳＮ比ＳＮＲ１が向上できる。

一方、サイドシールドと主磁極との間における応答速度の差により、ＷＡＴＥ（Wide Adjacent track erasure）が発生する。このＷＡＴＥは、オントラックではなく、離れたトラックにおいて生じる。ＷＡＴＥは、サイドシールドの幅の全体に生じる現象である。このため、ＷＡＴＥは、サイドシールドの全体のダンピング定数αと関係がある。

これに対して、図４（ｃ）に関して説明したように、フリンジ磁界は、オントラックに生じる特性の劣化である。フリンジ磁界は、サイドシールドのエッジにおいて局所的に生じる。実施形態におけるフリンジ磁界の対策の発想は、ＷＡＴＥの対策の発想（サイドシールドの全体のダンピング定数の制御）とは異なる。

図６は、第１の実施形態に係る別の磁気記録ヘッドを例示する模式的平面図である。
図６に示すように、本実施形態に係る別の磁気記録ヘッド１１１は、第１〜第４シールド４１〜４４、磁極２０、第１〜第４絶縁部３１〜３４、第１中間層６１、及び、第２中間層６２に加えて、第４中間層６４をさらに含む。これに以外は、磁気記録ヘッド１１０と同様なので説明を省略する。

この場合も、第４シールド４４は、第２方向（Ｘ軸方向）において、第３シールド４３から離れる。第１端部２１は、第３シールド４３と第４シールド４４との間に設けられる。第２端部２２は、第１端部２１と第４シールド４４との間に設けられる。第４絶縁部３４は、第４シールド４４と第２端部２２との間に設けられる。第４中間層６４は、第４シールド４４と第４絶縁部３４との間に設けられる。第４中間層６４は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｔｒ、Ｐｄ及びＰｔの少なくともいずれかを含む。

例えば、第４中間層６４は、第１中間層６１と連続していても良い。第４中間層６４は、第２中間層６２と連続していても良い。第２中間層６２は、第４中間層６４を介して、第１中間層６１と連続していても良い。

第４中間層６４は、第２方向（Ｘ軸方向）の厚さ（第４厚ｔ４）を有する。第４厚ｔ４は、例えば、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。第４厚ｔ４は、例えば、第１厚ｔ１と実質的に同じでも良い。

磁気記録ヘッド１１１においても、高いＳＮ比ＳＮＲ１が得られる。

磁気記録ヘッド１１１の製造方法の例について説明する。
例えば、基体（図示しない）の上に第４シールド４４が形成される。この上に、第１シールド４１及び第２シールド４２となる膜が形成される。この膜の一部が除去され、開口部が形成される。開口部の側面に、中間層となる膜が形成される。このとき、開口部の底面にも、中間層となる膜が形成される場合に、磁気記録ヘッド１１１が作製される。一方、開口部の底面を除いて、開口部の側面に、中間層となる膜が形成される場合は、磁気記録ヘッド１１０が作製される。この後、第１絶縁部３１、第２絶縁部３２及び第４絶縁部３４となる絶縁層が形成される。この後、磁極２０となる膜が形成される。加工体の上面を平坦化する。これにより、第１シールド４１、第２シールド４２及び磁極２０が形成される。この後、第３絶縁部３３となる膜が形成される。さらに、第３シールド４３となる膜が形成される。加工体を所定の形状に加工して、磁気記録ヘッドが得られる。

磁気記録ヘッド１１１においては、磁気記録ヘッド１１０に比べて、例えば、製造が容易である。

本実施形態においては、第１中間層６１及び第２中間層６２の少なくともいずれかが設けられる。これにより、サイドシールドの部分において、実効的なダンピング定数αが高くできる。このため、記録トラックのトラック幅方向の端において、記録特性が向上する。トラック幅方向の端における記録特性の向上は、例えば、瓦書き記録（ＳＭＲ：Shingled Magnetic Recording）における記録特性を向上させる。

本実施形態においては、第１中間層６１及び第２中間層６２の少なくともいずれかは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、及び、Ｔｒの少なくともいずれかを含んでも良い。このとき、第１中間層６１は、第１シールド４１に物理的に接する。第２中間層６２は、第２シールド４２に物理的に接する。これにより、例えば、記録特性が向上する。例えば、トラック幅方向の端における記録特性の向上は、例えば、瓦書き記録（ＳＭＲ：Shingled Magnetic Recording）における記録特性を向上させる。実施形態において、第１中間層６１が、Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む場合は、実質的なダンピング定数αを大きくする効果が特に高い。これにより、既に説明したように、例えば、高いＳＮ比ＳＮＲ１が得られる。例えば、記録特性が特に向上する。

以下、瓦書き記録の例について説明する。
図７は、第１の実施形態に係る磁気記録ヘッドの動作を例示する模式的平面図である。 図７は、瓦書きの状態を例示している。磁気記録媒体８０において、第１位置８６ａにおいて情報が記録される。その後、第２位置８６ｂにおいて情報が記録される。その後、第３位置８６ｃにおいて情報が記録される。

例えば、磁気記録媒体８０は、トラック幅方向に並ぶ第１〜第３領域８７ａ〜８７ｃを含む。第１領域８７ａと第３領域８７ｃの間に第２領域８７ｂが配置されている。

第１時刻において、第１部分２１ｅが第１領域８７ａに対向する。磁極２０は、第１領域８７ａの磁化８３の方向を制御する。その第１時刻において、第２部分２１ｆが第２領域８７ｂに対向している。磁極２０は、第２領域８７ｂの磁化８３の方向を制御する。

第１時刻の後の第２時刻において、第１部分２１ｅが第２領域８７ｂに対向する。磁極２０は、第２領域８７ｂの磁化８３の方向を制御する。この第２時刻において、第２部分２１ｆが第３領域８７ｃに対向している。磁極２０は、第３領域８７ｃの磁化８３の方向を制御する。

このようにして、磁気記録媒体８０の１つの領域において、複数回、情報の記録が行われる。

そして、第１部分２１ｅは、瓦書きにおいて、第２部分２１ｆよりも後に、磁気記録媒体８０に情報を記録する。すなわち、第２部分２１ｆにより情報が記録された領域において、第１部分２１ｅにより、重ねて情報が記録される。

実施形態に係る磁気記録ヘッド１１０及び１１１においては、第１中間層６１が設けられる。これにより、第１部分２１ｅを含む部分における記録特性が向上する。磁気記録媒体８０への記録の際に、トラック幅方向において２つの方向がある。例えば、外周から内周に向かう方向と、内周から外周に向かう方向と、がある。第１中間層６１を設けることで、これらの２つの方向の１つに沿った瓦書きにおいて特性が向上する。第２中間層６２を設けることで、これらの２つの方向の別の１つに沿った瓦書きにおいて特性が向上する。

本実施形態に係る構成を瓦書き動作に適用することは、特に有利である。実施形態によれば、記録密度が向上できる磁気記録ヘッド及び磁気記録装置を提供できる。さらに、本実施形態に係る構成は、ＣＭＲ記録（Conventional Magnetic Recording）に適用しても良い。
（第２の実施形態）
図８は、第２の実施形態に係る別の磁気記録ヘッドを例示する模式的平面図である。
図８に示すように、本実施形態に係る別の磁気記録ヘッド１２０は、第１〜第４シールド４１〜４４、磁極２０、及び、第１〜第４絶縁部３１〜３４に加えて、第３中間層６３をさらに含む。これに以外は、磁気記録ヘッド１１０と同様なので説明を省略する。

この場合も、第４シールド４４は、第１方向（Ｘ軸方向）において、第３シールド４３から離れる。第１端部２１は、第３シールド４３と第４シールド４４との間に設けられる。第２端部２２は、第１端部２１と第４シールド４４との間に設けられる。第３絶縁部３３は、第３シールド４３と第１端部２１との間に設けられる。第３中間層６３は、第３シールド４３と第３絶縁部３３との間に設けられる。第３中間層６３は、Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む。

第３中間層６３は、第１方向（Ｘ軸方向）の厚さ（第３厚ｔ３）を有する。第３厚ｔ３は、例えば、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。第３厚ｔ３は、例えば、第１厚ｔ１と実質的に同じでも良い。

磁気記録ヘッド１２０においては、第３シールド４３（トレーリングシールド）の部分において、ダンピング定数αが実質的に大きくなる。例えば、第３中間層６３を設けることで、第３中間層６３を設けない場合に比べて、例えば、トレーシングシールドと中間層接触部分の緩和時間が３０％短くなる。これにより、記録密度が向上できる。

図９は、磁気記録ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
図９の横軸は、ラッピング深さＲＤ（ｎｍ）である。縦軸は、ＳＮ比ＳＮＲ１（ｄＢ）である。図９は、トレーリングシールド（例えば第３シールド４３）の物性値を変更したときのＳＮ比ＳＮＲ１のシミュレーション結果を示している。シミュレーションのモデルにおいて、中間層は設けられていない。

図９において、第７〜第１０参考例の磁気記録ヘッド１１９ｇ〜１１９ｊの特性が示されている。磁気記録ヘッド１１９ｇにおいては、ダンピング定数αは、０．０３であり、飽和磁束密度Ｂｓは１．９Ｔ（テスラ）である。磁気記録ヘッド１１９ｈにおいては、ダンピング定数αは、０．０８であり、飽和磁束密度Ｂｓは１．９Ｔ（テスラ）である。磁気記録ヘッド１１９ｉにおいては、ダンピング定数αは、０．０３であり、飽和磁束密度Ｂｓは２．４Ｔ（テスラ）である。磁気記録ヘッド１１９ｊにおいては、ダンピング定数αは、０．０８であり、飽和磁束密度Ｂｓは２．４Ｔ（テスラ）である。

図９に示すように、飽和磁束密度Ｂｓが同じときに、ダンピング定数αが大きくなると、ＳＮ比ＳＮＲ１は高くなる。そして、ダンピング定数αが同じときに、飽和磁束密度Ｂｓが大きくなると、ＳＮ比ＳＮＲ１は大きくなる。

既に説明したように、大きな飽和磁束密度Ｂｓを維持しつつダンピング定数αを大きくすることができれば、ＳＮ比ＳＮＲ１を高くできる。しかしながら、サイドシールドの材料の工夫によりダンピング定数αを大きくしようとすると、飽和磁束密度Ｂｓが小さくなってしまう。

本実施形態においては、第３中間層６３を設けることで、トレーリングシールドの部分において、記録特性を向上できる。これにより、記録密度が向上できる。

例えば、磁気記録ヘッド１２０においては、例えば、ＣＭＲ動作において、ＳＮ比が向上する。

（第３の実施形態）
図１０は、第３の実施形態に係る磁気記録ヘッドを例示する模式的平面図である。
図１０に示すように、本実施形態に係る別の磁気記録ヘッド１３０は、第１〜第４シールド４１〜４４、磁極２０、第１〜第４絶縁部３１〜３４、第１中間層６１及び第２中間層６２に加えて、第３中間層６３をさらに含む。これに以外は、磁気記録ヘッド１１０と同様なので説明を省略する。

磁気記録ヘッド１３０においては、第１中間層６１が設けられていることから、例えば、トラック幅方向において、記録特性が向上する。さらに、第３中間層６３が設けられることで、トレーリング方向において、記録特性が向上する。これにより、記録密度が向上できる磁気記録ヘッド及び磁気記録装置が提供できる。

図１１は、第３の実施形態に係る別の磁気記録ヘッドを例示する模式的平面図である。 図１１に示すように、本実施形態に係る別の磁気記録ヘッド１３１は、第１〜第４シールド４１〜４４、磁極２０、第１〜第４絶縁部３１〜３４、第１中間層６１、第２中間層６２及び第３中間層６３に加えて、第４中間層６４をさらに含む。これに以外は、磁気記録ヘッド１１０と同様なので説明を省略する。

磁気記録ヘッド１３１においても、例えば、トラック幅方向及びトレーリング方向において、記録特性が向上する。これにより、記録密度が向上できる磁気記録ヘッド及び磁気記録装置が提供できる。

（第４の実施形態）
第４の実施形態は、磁気記憶装置に係る。本実施形態に係る磁気記憶装置は、第１〜第３の実施形態のいずれか、及び、その変形の磁気記録ヘッドと、磁気記録媒体と、を含む。以下では、磁気記録ヘッド１１０が用いられる場合について、説明する。

図１２は、第４の実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。
図１２においては、第３シールド４３、第４シールド４４、第１シールド４１及び第２シールド４２などが省略されている。

磁気記録ヘッド１１０の磁極２０に記録コイル２８が設けられる。記録コイル２８に供給される電流により、磁極２０において、記録磁界が発生する。発生した記録磁界が、磁気記録媒体８０に加わる。磁気記録媒体８０には、複数のトラック（例えば第１〜第４トラックＴｒ１〜Ｔｒ４など）が形成される。複数のトラックのピッチが、トラックピッチＴｒｐに対応する。

図１２に示すように、磁気記録ヘッド１１０は、再生部７０をさらに含んでも良い。再生部７０は、第１再生シールド７２ａと、第２再生シールド７２ｂと、再生素子７１と、を含む。再生素子７１は、第１再生シールド７２ａと第２再生シールド７２ｂとの間に設けられる。再生素子７１により、情報が記録された記録ビット８４の磁化８３の状態が検出される。

磁気記録装置１５０において、制御部５５が設けられても良い。制御部５５からの記録コイル２８に電気信号が供給される。制御部５５は、再生素子７１の電気抵抗の状態を検出しても良い。

図１３は、第４の実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。 図１３は、磁気記録ヘッドが搭載されるヘッドスライダを例示している。
磁気記録ヘッド１１０は、ヘッドスライダ３に搭載される。ヘッドスライダ３には、例えばＡｌ_２Ｏ_３／ＴｉＣなどが用いられる。ヘッドスライダ３は、磁気記録媒体８０の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体８０に対して相対的に運動する。

ヘッドスライダ３は、例えば、空気流入側３Ａと空気流出側３Ｂとを有する。磁気記録ヘッド１１０は、ヘッドスライダ３の空気流出側３Ｂの側面などに配置される。これにより、ヘッドスライダ３に搭載された磁気記録ヘッド１１０は、磁気記録媒体８０の上を浮上または接触しながら磁気記録媒体８０に対して相対的に運動する。

図１４は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図１４に示したように、実施形態に係る磁気記録装置１５０は、ロータリーアクチュエータを用いた形式の装置である。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ４に装着され、駆動装置制御部からの制御信号に応答するモータにより矢印Ａの方向に回転する。本実施形態に係る磁気記録装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を備えても良い。磁気記録装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。例えば、磁気記録装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）である。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。

記録用媒体ディスク１８０に格納する情報の記録再生を行うヘッドスライダ３は、既に説明したような構成を有し、薄膜状のサスペンション１５４の先端に取り付けられている。ここで、ヘッドスライダ３の先端付近に、例えば、既に説明した実施形態に係る磁気記録ヘッドのいずれかが搭載される。

記録用媒体ディスク１８０が回転すると、サスペンション１５４による押し付け圧力とヘッドスライダ３の媒体対向面（ＡＢＳ）で発生する圧力とがつりあい、ヘッドスライダ３の媒体対向面は、記録用媒体ディスク１８０の表面から所定の浮上量をもって保持される。なお、ヘッドスライダ３が記録用媒体ディスク１８０と接触するいわゆる「接触走行型」としても良い。

サスペンション１５４は、アーム１５５（例えばアクチュエータアーム）の一端に接続されている。アーム１５５は、例えば、駆動コイルを保持するボビン部などを有する。アーム１５５の他端には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ１５６が設けられている。ボイスコイルモータ１５６は、アーム１５５のボビン部に巻き上げられた駆動コイルと、このコイルを挟み込むように対向して配置された永久磁石及び対向ヨークからなる磁気回路とを含むことができる。サスペンション１５４は、一端と他端とを有し、磁気記録ヘッドは、サスペンション１５４の一端に搭載され、アーム１５５は、サスペンション１５４の他端に接続されている。

アーム１５５は、軸受部１５７の上下２箇所に設けられたボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ１５６により回転摺動が自在にできるようになっている。その結果、磁気記録ヘッドを記録用媒体ディスク１８０の任意の位置に移動可能となる。

図１５（ａ）は、磁気記録装置の一部の構成を例示しており、ヘッドスタックアセンブリ１６０の拡大斜視図である。
また、図１５（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気記録ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する斜視図である。

図１５（ａ）に示したように、ヘッドスタックアセンブリ１６０は、軸受部１５７と、ヘッドジンバルアセンブリ１５８と、支持フレーム１６１と、を含む。ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１は、軸受部１５７からＨＧＡと反対方向に延びる。支持フレーム１６１は、ボイスコイルモータのコイル１６２を支持する。

また、図１５（ｂ）に示したように、ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びたアーム１５５と、アーム１５５から延びたサスペンション１５４と、を有している。

サスペンション１５４の先端には、ヘッドスライダ３が取り付けられている。そして、ヘッドスライダ３には、実施形態に係る磁気記録ヘッドのいずれかが搭載される。

すなわち、実施形態に係る磁気記録ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ）１５８は、実施形態に係る磁気記録ヘッドと、磁気記録ヘッドが搭載されたヘッドスライダ３と、ヘッドスライダ３を一端に搭載するサスペンション１５４と、サスペンション１５４の他端に接続されたアーム１５５と、を備える。

サスペンション１５４は、信号の記録及び再生用、浮上量調整のためのヒーター用、及び、例えばスピントルク発振子用などのためのリード線（図示しない）を有する。これらのリード線と、ヘッドスライダ３に組み込まれた磁気記録ヘッドの各電極と、が電気的に接続される。

また、磁気記録ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う信号処理部１９０が設けられる。信号処理部１９０は、例えば、磁気記録装置１５０の一部（図１４参照）に設けられる。信号処理部１９０の入出力線は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の電極パッドに接続され、磁気記録ヘッドと電気的に結合される。

このように、本実施形態に係る磁気記録装置１５０は、磁気記録媒体と、上記の実施形態に係る磁気記録ヘッドと、磁気記録媒体と磁気記録ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とした可動部と、磁気記録ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする位置制御部と、磁気記録ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う信号処理部と、を備える。

すなわち、上記の磁気記録媒体として、記録用媒体ディスク１８０が用いられる。
上記の可動部は、ヘッドスライダ３を含むことができる。
また、上記の位置制御部は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８を含むことができる。

このように、本実施形態に係る磁気記録装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気記録ヘッドアセンブリと、磁気記録ヘッドアセンブリに搭載された磁気記録ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う信号処理部と、を備える。

実施形態は、以下の構成を備える、
（構成１）
第１シールドと、
第１方向において前記第１シールドから離れた第２シールドと、
前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられた磁極であって、前記磁極は、第１端部と、前記第１方向と交差する第２方向において前記第１端部から離れた第２端部と、を含み、前記第１端部の前記第１方向に沿った第１端部長は、前記第２端部の前記第１方向に沿った第２端部長よりも長い、前記磁極と、
前記第１シールドと前記磁極との間に設けられた第１絶縁部と、
前記第１シールドと前記第１絶縁部との間に設けられ、Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む第１中間層と、
を備えた磁気記録ヘッド。

（構成２）
前記第２シールドと前記磁極との間に設けられた第２絶縁部と、
前記第２シールドと前記第２絶縁部との間に設けられ、Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む第２中間層と、
をさらに備えた、構成１記載の磁気記録ヘッド。

（構成３）
前記第２中間層の前記第１方向に沿った厚さは、２ナノメートル以上２０ナノメートル以下である、構成２記載の磁気記録ヘッド。

（構成４）
前記第１中間層の前記第１方向に沿った厚さは、２ナノメートル以上２０ナノメートル以下である、構成１〜３のいずれか１つに記載の磁気記録ヘッド。

（構成５）
第３シールドと、
前記第１方向において前記第３シールドから離れた第４シールドと、
第３絶縁部と、
Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む第３中間層と、
をさらに備え、
前記第１端部は、前記第３シールドと前記第４シールドとの間に設けられ、
前記第２端部は、前記第１端部と前記第４シールドとの間に設けられ、
前記第３絶縁部は、前記第３シールドと前記第１端部との間に設けられ、
前記第３中間層は、前記第３シールドと前記第３絶縁部との間に設けられた、構成１〜４のいずれか１つに記載の磁気記録ヘッド。

（構成６）
第３シールドと、
前記第１方向において前記第３シールドから離れた第４シールドと、
第４絶縁部と、
Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む第４中間層と、
をさらに備え、
前記第１端部は、前記第３シールドと前記第４シールドとの間に設けられ、
前記第２端部は、前記第１端部と前記第４シールドとの間に設けられ、
前記第４絶縁部は、前記第４シールドと前記第２端部との間に設けられ、
前記第４中間層は、前記第４シールドと前記第４絶縁部との間に設けられた、構成１〜４のいずれか１つに記載の磁気記録ヘッド。

（構成７）
前記第４中間層は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｔｒ、Ｐｄ及びＰｔの少なくともいずれかを含む、構成６記載の磁気記録ヘッド。

（構成８）
前記第１シールドは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉの少なくとも１つを含む構成１〜７のいずれか１つに記載の磁気記録ヘッド。

（構成９）
前記第１シールドと前記第１中間層とを含む部分のダンピング定数は、０．０８以上０．２以下である構成１〜８のいずれか１つに記載の磁気記録ヘッド。

（構成１０）
前記第１シールドの飽和磁束密度は、１．６テスラ以上２．４テスラ以下である構成１〜９のいずれか１つに記載の磁気記録ヘッド。

（構成１１）
前記第３シールドは、トレーリングシールドである構成１〜１０のいずれか１つに記載の磁気記録ヘッド。

（構成１２）
第１シールドと、
第１方向において前記第１シールドから離れた第２シールドと、
前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられた磁極であって、前記磁極は、第１端部と、前記第１方向と交差する第２方向において前記第１端部から離れた第２端部と、を含み、前記第１端部の前記第１方向に沿った第１端部長は、前記第２端部の前記第１方向に沿った第２端部長よりも長い、前記磁極と、
前記第１シールドと前記磁極との間に設けられた第１絶縁部と、
前記第１シールドと前記第１絶縁部との間に設けられ前記第１シールドと接し、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、及び、Ｔｒの少なくともいずれかを含む第１中間層と、
を備えた磁気記録ヘッド。

（構成１３）
前記第２シールドと前記磁極との間に設けられた第２絶縁部と、
前記第２シールドと前記第２絶縁部との間に設けられ前記第２シールドと接し、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、及び、Ｔｒの少なくともいずれかを含む、第２中間層と、
をさらに備えた、構成１２記載の磁気記録ヘッド。

（構成１４）
構成１〜１３のいずれか１つに記載の磁気記録ヘッドと、
前記磁極により情報が記録される磁気記録媒体と、
を備えた磁気記録装置。

（構成１５）
前記第１端部は、第１部分と、第２部分と、を含み、
前記第１部分の前記第１方向における位置は、前記第１シールドの前記第１方向における位置と、前記第２シールドの前記第１方向における位置と、の間に設けられ、
前記第２部分の前記第１方向における位置は、前記第１部分の前記第１方向における前記位置と前記第２シールドの前記第１方向における前記位置との間に設けられ、
磁気記録媒体に情報を記録する際に、前記第１部分は、磁気記録媒体に情報を記録する際に、前記第２部分よりも後に前記磁気記録媒体に前記情報を記録する、構成１４記載の磁気記録装置。

（構成１６）
前記第１端部は、第１部分と、第２部分と、を含み、
前記第１部分の前記第１方向における位置は、前記第１シールドの前記第１方向における位置と、前記第２シールドの前記第１方向における位置と、の間に設けられ、
前記第２部分の前記第１方向における位置は、前記第１部分の前記第１方向における前記位置と前記第２シールドの前記第１方向における前記位置との間に設けられ、
前記磁気記録媒体は、前記第１方向に並ぶ第１〜第３領域を含み、前記第１領域と前記第３領域の間に前記第２領域が配置され、
前記磁極は、
第１時刻において、前記第１部分が前記第１領域に対向して前記第１領域の磁化の方向を制御し、
前記第１時刻において、前記第２部分が前記第２領域に対向して前記第２領域の磁化の方向を制御し、
前記磁極は、
前記第１時刻の後の第２時刻において、前記第１部分が前記第２領域に対向して前記第２領域の前記磁化の方向を制御し、
前記第２時刻において、前記第２部分が前記第３領域に対向して前記第３領域の前記磁化の方向を制御する、構成１４記載の磁気記録装置。

（構成１７）
前記磁気記録媒体は、垂直磁気記録媒体である、構成１４〜１６のいずれか１つに記載の磁気記録装置。

実施形態によれば、記録密度が向上できる磁気記録ヘッド及び磁気記録装置が提供される。

なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気記録ヘッドに含まれるシールド、磁極、中間層及び絶縁部、並びに、磁気記録装置に含まれる磁気記録媒体などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

その他、本発明の実施の形態として上述した磁気記録装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気記録装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

３…ヘッドスライダ、 ３Ａ…空気流入側、 ３Ｂ…空気流出側、 ４…スピンドルモータ、 ２０…磁極、 ２１ｅ、２１ｆ…第１、第２部分、 ２１、２２…第１、第２端部、 ２１ｅ、２１ｆ…第１、第２部分、 ２１ｓ、２２ｓ…第１、第２側面、 ２８…記録コイル、 ３１〜３４…第１〜第４絶縁部、 ４１〜４４…第１〜第４シールド、 ５１…媒体対向面、 ５５…制御部、 ６１〜６４…第１〜第４中間層、 ７０…再生部、 ７１…再生素子、 ７１ａ、７１ｂ…第１、第２再生シールド、 ８０…磁気記録媒体、 ８０ｐ…部分、 ８１…磁気記録層、 ８２…媒体基板、 ８３…磁化、 ８４…記録ビット、 ８５…媒体移動方向、 ８６ａ〜８６ｃ…第１〜第３位置、 ８７ａ〜８７ｃ…第１〜第３領域、 １１０、１１１、１１９ａ〜１１９ｊ、１２０、１３０、１３１…磁気記録ヘッド、 １５０…磁気記録装置、 １５４…サスペンション、 １５５…アクチュエータアーム、 １５６…ボイスコイルモータ、 １５７…軸受部、 １５８…ヘッドジンバルアセンブリ、 １６０…ヘッドスタックアセンブリ、 １６１…支持フレーム、 １６２…コイル、 １８０…記録用媒体ディスク、 １８１…記録媒体、 １９０…信号処理部、 Ａ…矢印、 Ｈ１…記録磁界、 Ｌ１、Ｌ２…第１、第２端部長、 ＲＤ…ラッピング深さ、 ＳＮＲ１…ＳＮ比、 ＳＳｇ…ＳＳギャップ、 ＳＴ１、ＳＴ２…第１、第２状態、 Ｔｒ１、Ｔｒ４…第１〜第４トラック、 Ｔｒｐ…トラックピッチ、 ｔ…時間、 ｔ１〜ｔ４…第１〜第４厚

Claims (9)

1. 第１シールドと、
   第１方向において前記第１シールドから離れた第２シールドと、
   前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられた磁極であって、前記磁極は、第１端部と、前記第１方向と交差する第２方向において前記第１端部から離れた第２端部と、を含み、前記第１端部の前記第１方向に沿った第１端部長は、前記第２端部の前記第１方向に沿った第２端部長よりも長い、前記磁極と、
   前記第１シールドと前記磁極との間に設けられた第１絶縁部と、
   前記第１シールドと前記第１絶縁部との間に設けられ、Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む第１中間層と、
   を備えた磁気記録ヘッド。
2. 第３シールドと、
   前記第１方向において前記第３シールドから離れた第４シールドと、
   第３絶縁部と、
   Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む第３中間層と、
   をさらに備え、
   前記第１端部は、前記第３シールドと前記第４シールドとの間に設けられ、
   前記第２端部は、前記第１端部と前記第４シールドとの間に設けられ、
   前記第３絶縁部は、前記第３シールドと前記第１端部との間に設けられ、
   前記第３中間層は、前記第３シールドと前記第３絶縁部との間に設けられた、請求項１記載の磁気記録ヘッド。
3. 第３シールドと、
   前記第１方向において前記第３シールドから離れた第４シールドと、
   第４絶縁部と、
   Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む第４中間層と、
   をさらに備え、
   前記第１端部は、前記第３シールドと前記第４シールドとの間に設けられ、
   前記第２端部は、前記第１端部と前記第４シールドとの間に設けられ、
   前記第４絶縁部は、前記第４シールドと前記第２端部との間に設けられ、
   前記第４中間層は、前記第４シールドと前記第４絶縁部との間に設けられた、請求項１または２に記載の磁気記録ヘッド。
4. 前記第４中間層は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｔｒ、Ｐｄ及びＰｔの少なくともいずれかを含む、請求項３記載の磁気記録ヘッド。
5. 前記第１シールドと前記第１中間層とを含む部分のダンピング定数は、０．０８以上０．２以下である請求項１〜４のいずれか１つに記載の磁気記録ヘッド。
6. 前記第１シールドの飽和磁束密度は、１．６テスラ以上２．４テスラ以下である請求項１〜５のいずれか１つに記載の磁気記録ヘッド。
7. 請求項１〜６のいずれか１つに記載の磁気記録ヘッドと、
   前記磁極により情報が記録される磁気記録媒体と、
   を備えた磁気記録装置。
8. 前記第１端部は、第１部分と、第２部分と、を含み、
   前記第１部分の前記第１方向における位置は、前記第１シールドの前記第１方向における位置と、前記第２シールドの前記第１方向における位置と、の間に設けられ、
   前記第２部分の前記第１方向における位置は、前記第１部分の前記第１方向における前記位置と前記第２シールドの前記第１方向における前記位置との間に設けられ、
   磁気記録媒体に情報を記録する際に、前記第１部分は、磁気記録媒体に情報を記録する際に、前記第２部分よりも後に前記磁気記録媒体に前記情報を記録する、請求項７記載の磁気記録装置。
9. 前記第１端部は、第１部分と、第２部分と、を含み、
   前記第１部分の前記第１方向における位置は、前記第１シールドの前記第１方向における位置と、前記第２シールドの前記第１方向における位置と、の間に設けられ、
   前記第２部分の前記第１方向における位置は、前記第１部分の前記第１方向における前記位置と前記第２シールドの前記第１方向における前記位置との間に設けられ、
   前記磁気記録媒体は、前記第１方向に並ぶ第１〜第３領域を含み、前記第１領域と前記第３領域の間に前記第２領域が配置され、
   前記磁極は、
   第１時刻において、前記第１部分が前記第１領域に対向して前記第１領域の磁化の方向を制御し、
   前記第１時刻において、前記第２部分が前記第２領域に対向して前記第２領域の磁化の方向を制御し、
   前記磁極は、
   前記第１時刻の後の第２時刻において、前記第１部分が前記第２領域に対向して前記第２領域の前記磁化の方向を制御し、
   前記第２時刻において、前記第２部分が前記第３領域に対向して前記第３領域の前記磁化の方向を制御する、請求項７記載の磁気記録装置。