JP2005267666A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents

Abstract

【課題】 磁気抵抗効果型素子が静電破壊しない磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。
【解決手段】 基板１１および保護基板１２と、絶縁層１３と、絶縁層１３に配置されたＭＲ素子１４およびＭＲ素子１４を磁場からシールドするシールド層１５、１５とを具備し、走行する磁気テープＭＴに摺接する磁気抵抗効果型ヘッドＨ１であって、磁気テープＭＴに摺接する摺接側に、導電性を有し、且つ、基板１１および保護基板１２に電気的に接続した導電層２１と、導電層２１を保護する保護層２２とを備え、磁気テープＭＴの静電気が、導電層２１を介して基板１１、保護基板１２に放電可能とした磁気抵抗効果型ヘッドＨ１である。
【選択図】 図１

Description

本発明は、磁気抵抗効果型素子を有する磁気抵抗効果型ヘッドに関する。

近年、磁気テープの磁気信号（データ信号）の記録および再生を行うテープドライブ（磁気記録再生装置）においては、取り扱う磁気信号の増大にともなって、更なる記録密度の向上が望まれており、磁気信号の読み取り用のヘッドとして、従来のインダクティブヘッドに代わり、ＭＲ（Magneto Resistive：磁気抵抗効果型）ヘッドが必須のデバイスとなっている。ＭＲヘッドは、磁気信号の検出感度が高く、大きな再生出力が得られるＭＲ素子（磁気抵抗効果型素子）を有しているため、磁気テープ上の記録トラック幅を容易に縮小可能であると共に、線方向の記録密度が高められ、高密度の記録および再生を行うことが可能となる。

ところが、ＭＲヘッドは、従来のインダクティブヘッドに比較して、静電気や熱に弱いという性質を有している。すなわち、例えば、静電気を帯びた磁気テープがＭＲヘッドに接近、接触すると、ＭＲヘッドに静電気が流れ、その結果ＭＲヘッドが静電破壊（ESD: Electro Static Discharge）してしまう場合があった。

そこで、従来は、ＭＲ素子を挟むように、ＭＲ素子の両側に磁気シールド層、絶縁層を配置するＭＲヘッドにおいて、絶縁層の両外側に配置した基板と保護基板を接地し、帯電した磁気テープがＭＲヘッドに接触した場合、磁気テープの電荷をＭＲ素子に流さずに、基板および保護基板に流れさせ放電させることによって、ＭＲヘッドの静電破壊を防止していた（特許文献１参照）。
特開２００３−１２３２１５号公報（段落００２１〜００４６、図１）

しかしながら、静電気を帯びた磁気テープの電荷が基板および保護基板を介して十分に放電されず、ＭＲ素子に静電気が流れたり、ＭＲ素子の近傍の絶縁層に電荷が溜まったりして、ＭＲ素子が静電破壊を起こしてしまう場合があった。

そこで、本発明は、磁気抵抗効果型素子が静電破壊しない磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを課題とする。

前記課題を解決するための手段として、第１の発明は、基板と、絶縁層と、当該絶縁層に配置された磁気抵抗効果型素子および当該磁気抵抗効果型素子を磁場からシールドするシールド層とを具備し、走行する磁気テープに摺接する磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記磁気テープに摺接する摺接側に、導電性を有し、且つ、前記基板に電気的に接続した導電層を備え、前記磁気テープの静電気が、前記導電層を介して前記基板に放電可能としたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドである。

このような磁気抵抗効果型ヘッドによれば、導電層を備えたことにより、磁気テープの静電気は、導電層を経由して基板に放電する。したがって、静電気を帯びた磁気テープが接近または接触しても、磁気抵抗効果型素子には、前記静電気は導通しない。よって、磁気抵抗効果型素子が発熱することもなく、静電破壊することもない。ゆえに、磁気抵抗効果型ヘッドが静電破壊することもない。

第２の発明は、前記導電層を保護する保護層を、さらに備えたことを特徴とする第１の発明に記載の磁気抵抗効果型ヘッドである。

このような磁気抵抗効果型ヘッドによれば、保護層を備えたことにより、導電層は、磁気テープの磁性粉などによる傷、磨耗から保護される。

第３の発明は、基板と、絶縁層と、当該絶縁層に配置された磁気抵抗効果型素子および当該磁気抵抗効果型素子を磁場からシールドするシールド層とを具備し、走行する磁気テープに摺接する磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記絶縁層は、前記シールド層と前記基板との間において、炭素を含んでなり導電性が高められると共に、前記磁気テープに摺接する摺接面に露出し、且つ、前記基板に電気的に接続した導電部を有し、前記磁気テープの静電気が、前記導電部を介して前記基板に放電可能としたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドである。

このような磁気抵抗効果型ヘッドによれば、導電部を備えたことにより、磁気テープの静電気は、前記導電部を経由して基板に放電する。したがって、静電気を帯びた磁気テープが接近または接触しても、磁気抵抗効果型素子には、前記静電気は導通せず、磁気抵抗効果型素子が発熱することもない。よって、磁気抵抗効果型素子が静電破壊することもない。ゆえに、磁気抵抗効果型ヘッドが静電破壊することもない。

第４の発明は、前記絶縁層の前記導電部と前記基板との間に、導電性を有する境界層を、さらに備えたことを特徴とする第３の発明に記載の磁気抵抗効果型ヘッドである。

このような磁気抵抗効果型ヘッドによれば、導電部に流れた静電気が、導電性を有する境界層を経由して基板に流れる。すなわち、静電気は基板に流れやすくなる。したがって、磁気抵抗効果型素子には、静電気がさらに流れにくくなり、磁気抵抗効果型素子の静電破壊を防止することができる。

本発明によれば、静電気を帯びた磁気テープが接触または接近しても、磁気抵抗効果素子が静電破壊しない磁気抵抗効果型ヘッドを提供することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、各実施形態の説明において、同一の構成要素に関しては同一の符号を付し、重複した説明は省略するものとする。

≪第１実施形態≫
まず、第１実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドについて、図１を参照して説明する。参照する図面において、図１は、第１実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドの構成を模式的に示す断面図である。

＜磁気抵抗効果型ヘッドの構成＞
図１に示すように、第１実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドＨ１は、主として、磁気抵抗効果型ヘッド本体１０と、磁気抵抗効果型ヘッド本体１０の磁気テープＭＴの摺接側であり、後記するＭＲ素子１４の一部およびシールド層１５、１５の一部が露出した上面１０ａ（一端面）に順に積層した、導電層２１と、保護層２２とを備えて構成されている。そして、保護層２２の上面が、磁気テープＭＴに摺接する磁気テープ摺接面ＭＳ１となっており、磁気抵抗効果型ヘッドＨ１が、図１において左から右へ走行する磁気テープＭＴに記録された磁気信号を、磁気抵抗効果型素子１４（以下、ＭＲ素子という）によって読み出す再生側のＭＲヘッドである場合について説明する。

［磁気抵抗効果型ヘッド本体］
磁気抵抗効果型ヘッド本体１０は、主として、基板１１と、この基板１１の一端面１１ａに順に積層した絶縁層１３と、保護基板１２と、磁気抵抗効果型ヘッド本体１０の上面１０ａに一部を露出すると共に、絶縁層１３の所定位置に埋没するようにして配置されたＭＲ素子１４と、シールド層１５、１５とを備えて構成されている。すなわち、磁気抵抗効果型ヘッド本体１０は、所定位置に配置されたＭＲ素子１４およびシールド層１５、１５を有する絶縁層１３を、基板１１と保護基板１２とで挟持した構成となっている。

（基板、保護基板）
基板１１および保護基板１２は、磁気抵抗効果型ヘッドＨ１の骨格となる支持体であり、一般にはアルチック（ＡｌＴｉＣ）と称されるアルミナ−チタンカーバイド（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ）系の合金から形成される。したがって、基板１１および保護基板１２は、導電性を有する炭素（Ｃ）を含むため導電性を有している。
また、基板１１および保護基板１２は、銀などの導電性ペースト（図示しない）により、テープドライブ（図示しない）の金属製のシャーシ（図示しない）に固定されており、基板１１および保護基板１２は接地電位を有している。すなわち、第１実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドＨ１は、前記導電性ペーストによって、前記シャーシに固定された固定型のヘッドである。

（絶縁層）
絶縁層１３は、その上面側に埋め込まれたＭＲ素子１４を、磁気的に絶縁するための層であり、例えば、絶縁性を有するアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）やシリカ（ＳｉＯ₂）から形成される。

（ＭＲ素子）
ＭＲ素子１４は、磁気テープＭＴに記録された磁気信号を読み取るための素子であり、ＭＲ素子１４には、図示しない検出器に接続する配線が接続している。そして、磁気テープＭＴの磁気信号に応じたＭＲ素子１４の抵抗値の変化を、前記検出器で検出することにより、磁気テープＭＴの磁気信号を読み取り可能となっている。

（シールド層）
シールド層１５、１５は、磁性材料であるＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金（センダスト）、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロイ）、Ｎｉ−Ｚｎ系合金（ヘタマイト）などから形成されている。

ここで、ＭＲ素子１４とシールド層１５、１５の配置について説明する。ＭＲ素子１４は、一対のシールド層１５、１５が所定間隔を隔てることで形成されたギャップ内に配置している。さらに説明すると、ＭＲ素子１４は、絶縁層１３の厚さ方向（図１示す磁気テープＭＴの走行方向と略平行な方向）の略中央で、その一部を上面１０ａに露出しつつ絶縁層１３に埋没している。また、シールド層１５、１５は、ＭＲ素子１４の両側に所定間隔を隔てた位置であって、絶縁層１３と基板１１または保護基板１２との界面から所定間隔を隔てた位置で、その一部を上面１０ａに露出しつつ絶縁層１３に埋没している。
このようにＭＲ素子１４の両側に所定間隔を隔て、シールド層１５、１５を配置したことによって、ノイズとなる磁場からＭＲ素子１４をシールド（保護）し、ＭＲ素子１４の周波数特性および分解能の向上が図られている。なお、ＭＲ素子１４とシールド層１５、１５の間の絶縁層１３の部分は、ギャップ層、絶縁膜とも称される部分である。

［導電層］
導電層２１は、磁気抵抗効果型ヘッド本体１０の上面１０ａに被覆するように形成されると共に、導電層２１のさらに上側に形成された保護層２２の下地層となっている。すなわち、導電層２１は、ＭＲ素子１４およびシールド層１５、１５が配置した絶縁層１３、基板１１、保護基板１２の一端面を被覆している。

導電層２１は、例えば、非磁性材料である珪素（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）や、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）と炭素（Ｃ）などの混合層から構成される。このように導電層２１は炭素（Ｃ）を含有するため、導電層２１は良好な導電性を有する。よって、導電層２１は、基板１１および保護基板１２に電気的に接続していることになる。
したがって、磁気テープＭＴの静電気は、導電層２１に流れやすく、さらに、導電層２１に流れ込んだ静電気が基板１１、保護基板１２に良好に導電可能となっている。すなわち、静電気を帯びた磁気テープＭＴの電荷ＥＣを、導電層２１、基板１１、保護基板１２を介して、前記シャーシに逃し、ＭＲ素子１４の静電破壊を防止可能となっている。

導電層２１における炭素（Ｃ）の量は、導電性を考慮し、炭素元素の比率が５０％以上であり、導電層２１の比抵抗値が１Ωｃｍ〜１０⁶Ωｃｍの範囲内であることが好ましい。
また、導電層２１の厚さは、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内であることが好ましい。これは、導電層２１が１ｎｍより薄いと、層として形成されにくく、つまり不連続となる傾向が高いからである。一方、導電層２１が２０ｎｍより厚いと、スペーシングロスが発生したり、磁気信号の再生効率がダウンするからである。

［保護層］
保護層２２は、導電層２１の上側（磁気テープＭＴ側）に層状で形成されており、磁気テープＭＴの摺動によるヘッド磨耗防止する層であると共に、磁気テープＭＴの磁性粉の付着などによる導電層２１の汚れを防止し、さらにＭＲ素子１４の酸化劣化を防止する層である。そして、保護層２２の上面が磁気テープ摺接面ＭＳ１となっている。
また、保護層２２は、例えば、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ:Diamond Like Carbon）、アモルファス状カーボンなどによって形成される。このように保護層２２が、炭素（Ｃ）を含むことになり、前記したように炭素（Ｃ）を含有する導電層２１との親和性が高まる。したがって、保護層２２と導電層２１との密着性は高くなり、その結果として、磁気テープＭＴの走行によって保護層２２が剥がれにくくなる。さらに、ダイヤモンド状カーボンまたはアモルファス状カーボンは硬質であるため、磁気テープＭＴの走行による保護層２２の磨耗、すなわちヘッド磨耗を低減することができる。
保護層２２の厚さは、２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、ＭＲ素子１４の保護を考慮するならば厚い方が望ましい。保護層２２が５０ｎｍより厚いと、ＭＲ素子１４による磁気テープＭＴに記録された磁気信号の検出精度が低下するからである。

＜磁気抵抗効果型ヘッドの動作＞
次に、磁気抵抗効果型ヘッドＨ１の動作について、図１を参照して簡単に説明する。
図１示すように、静電気を帯びた磁気テープＭＴ、つまり、電荷ＥＣを有する磁気テープＭＴが、磁気抵抗効果型ヘッドＨ１に摺接すると、電荷ＥＣは、保護層２２を介して、導電性の高い導電層２１に導電し、その後、基板１１に導電する（図１に示す矢印Ａ１参照）。そして、基板１１に導電した電荷ＥＣは、前記導電性ペーストを介して、テープドライブのシャーシに導電する（図１に示す矢印Ａ２参照）。

このようにして磁気テープＭＴに帯びた静電気は放電する。したがって、静電気の放電時に、ＭＲ素子１４に高圧電流が流れたり、ＭＲ素子１４付近の絶縁層１３に電荷ＥＣが溜まることもない。よって、ＭＲ素子１４が発熱することもなく、ＭＲ素子１４が静電破壊することもない。ゆえに、磁気抵抗効果型ヘッドＨ１の静電破壊を防止することができる。

＜磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法＞
次に、磁気抵抗効果型ヘッドＨ１の製造方法について、図１を参照して簡単に説明する。

まず、所定形状を有するアルチック製の基板１１の片面に、例えば、スパッタリング法などによって、所定の元素、化合物をターゲットとして、絶縁層１３、ＭＲ素子１４、シールド層１５、１５を形成する。さらに説明すると、絶縁層１３を段階的に形成し、所定段階において、シールド層１５、ＭＲ素子１４、シールド層１５を順次形成する。その後、所定形状の保護基板１２を接合した後、所定の研磨処理を行うことで磁気抵抗効果型ヘッド本体１０が作製される。

そして、磁気抵抗効果型ヘッド本体１０の上面１０ａに、例えば、珪素（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）と炭素（Ｃ）をターゲットとするスパッタリング法によって、ターゲットを堆積させた後、所定の研磨処理を行うことによって、導電層２１が形成される。

次いで、導電層１６の上面に、炭素（Ｃ）をターゲットとするスパッタリング法によって、炭素（Ｃ）を堆積させた後、所定の研磨処理を行うことによって、保護層２２が形成されると共に、磁気抵抗効果型ヘッドＨ１が製造される。
なお、保護層２２の形成において、スパッタリングガスの流量、時間、ターゲットの距離、高周波の出力、真空圧、自転・公転速度を所定に制御することによって、ダイヤモンド状カーボン、アモルファス状カーボンの保護層２２を形成することができる。

≪第２実施形態≫
続いて、第２実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドについて、図２を参照して説明する。参照する図面において、図２は、第２実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドの構成を模式的に示す断面図である。

＜磁気抵抗効果型ヘッドの構成＞
図２に示すように、第２実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドＨ２は、第１実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドＨ１における、導電層２１および保護層２２を備えず（図１参照）、絶縁層１３が、その一部に炭素（Ｃ）濃度が高められ導電性を有する導電部１３Ａを有し、さらに境界層２３、２３を備えたことを特徴とし、図２において上方に磁気テープＭＴが摺接する磁気テープ摺接面ＭＳ２を有する。

［導電部］
導電部１３Ａは、絶縁層１３を形成するアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）などに、炭素（Ｃ）が部分的に混入され、導電性が高められた部分である。導電部１３Ａは、その一部が磁気テープ摺接面ＭＳ２に露出しており、また、境界層２３に電気的に接続している。後記するように、境界層２３は導電性を有するため、導電部１３Ａは、境界層２３を介して、基板１１または保護基板１２に電気的に接続している。

［境界層］
境界層２３、２３は、基板１１と絶縁層１３との間に、絶縁層１３と保護基板１２との間に、それぞれ設けられている。境界層２３は、第１実施形態に係る導電層２１と同様に、例えば、非磁性材料である珪素（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）と炭素（Ｃ）などからなり、炭素（Ｃ）を含むため良好な導電性を有している。さらに説明すると、境界層２３における炭素の量は、導電性を考慮して炭素元素の比率が５０％以上とし、境界層２３の比抵抗値を１Ωｃｍ〜１０⁶Ωｃｍの範囲内とすることが好ましい。
また、境界層２３は、このように炭素（Ｃ）リッチであるため、炭素（Ｃ）を含む導電部１３Ａとの親和性が高まるため、良好な密着性を有し、剥がれにくくなっている。
さらに、境界層２３の厚さは、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内であることが好ましい。これは、境界層が１ｎｍより薄いと、層として形成されにくく、つまり不連続となる傾向が高いからである。一方、導電層２１が２０ｎｍより厚いと、スペーシングロスが発生したり、磁気信号の再生効率がダウンするからである。

したがって、導電部１３Ａは、境界層２３を介して、基板１１または保護基板１２に電気的に接続しており、磁気テープＭＴの静電気が、導電部１３Ａ、境界層２３を経由して、基板１１または保護基板１２に流れやすくなっている。よって、ＭＲ素子１４には静電気は流れず、ＭＲ素子１４の発熱による静電破壊を防止可能となっている。

＜磁気抵抗効果型ヘッドの動作＞
次に、磁気抵抗効果型ヘッドＨ２の動作について、図２を参照して簡単に説明する。
図２に示すように、静電気を帯びた磁気テープＭＴ、つまり、電荷ＥＣを有する磁気テープＭＴが磁気抵抗効果型ヘッドＨ２に摺接すると、電荷ＥＣが導電性の高い導電部１３Ａ、境界層２３の順に導電し、その後、基板１１または保護基板１２に導電する（図２に示す矢印Ａ３参照）。
そして、基板１１に導電した電荷ＥＣは、テープドライブのシャーシに導電し（図２に示す矢印Ａ４参照）、磁気テープＭＴに帯びた静電気が放電する。したがって、静電気の放電時に、ＭＲ素子１４に高圧電流が流れたり、ＭＲ素子１４の近傍の絶縁層１３に静電気が溜まることもない。よって、ＭＲ素子１４が発熱することもなく、静電破壊することもない。

＜磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法＞
次に、磁気抵抗効果型ヘッドＨ２の製造方法について、図２を参照して簡単に説明する。

まず、磁気抵抗効果型ヘッドＨ２における導電部１３Ａは、第１実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドＨ１の製造において、絶縁層１３を段階的に形成する際に、導電部１３Ａを形成する部分において、ターゲットとして炭素（Ｃ）を併用する。例えば、絶縁層１３をアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）で形成する場合においては、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）と炭素（Ｃ）を９：１〜８：２に混合したものをターゲットとすることによって、導電部１３Ａを形成することができる。

また、境界層２３は、基板１１に絶縁層１３を形成する前、および、導電部１３Ａを含む絶縁層１３を形成した後、保護基板１２を形成する前に、例えば、珪素（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）と炭素（Ｃ）をターゲットとするスパッタリング法により形成することができる。

以上、本発明の好適な実施形態について一例を説明したが、本発明は前記実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、実施形態で説明した各構成要素を適宜組み合わせてもよいし、その他に例えば以下のような適宜な変更が可能である。

例えば、第２実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドＨ２の磁気テープ摺接面ＭＳ２上に、第１実施形態に係る導電層２１、保護層２２を形成してもよい。

また、前記した第１実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドＨ１は、導電層２１を保護する保護層２２を備えたとしたが、例えば、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）の含有率が高く、導電層２１が十分な硬質を有し、その表面が平滑である場合は、保護層２２を備えなくてもよい。

さらに、前記した第１実施形態では、導電層２１は、ＭＲ素子１４の一部およびシールド層１５、１５の一部が露出した上面１０ａの全面を被覆するように形成されたとしたが、全面に限らず、導電層２１は、少なくともＭＲ素子１４の一部およびシールド層１５、１５の一部が露出した上面１０ａの部分を被覆し、かつ、接地された基板１１または保護基板１２に電気的に接続していればよい。

前記した第１実施形態では、磁気抵抗効果型ヘッドＨ１は再生用のＭＲヘッドとしたが、本発明を記録再生用のＭＲヘッドに適用してもよいし、コバルト系磁気抵抗効果型素子を使用し、感度が高められたＧＭＲヘッドに本発明を適用してもよい。

前記した第１実施形態では、本発明をテープドライブのシャーシに固定された固定ヘッドとした場合について説明したが、本発明の適用はこれに限定されず、ヘリカルスキャン式の回転ヘッドに適用してもよい。

第１実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドの構成を模式的に示す断面図である。 第２実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドの構成を模式的に示す断面図である。

符号の説明

Ｈ１、Ｈ２ 磁気抵抗効果型ヘッド
１１ 基板
１２ 保護基板
１３ 絶縁層
１３Ａ 導電部
１４ ＭＲ素子（磁気抵抗効果型素子）
１５ シールド層
２１ 導電層
２２ 保護層
２２ 境界層
ＭＳ１、ＭＳ２ 磁気テープ摺接面
ＭＴ 磁気テープＭＴ
ＥＣ 電荷

Claims (4)

1. 基板と、絶縁層と、当該絶縁層に配置された磁気抵抗効果型素子および当該磁気抵抗効果型素子を磁場からシールドするシールド層とを具備し、走行する磁気テープに摺接する磁気抵抗効果型ヘッドであって、
   前記磁気テープに摺接する摺接側に、導電性を有し、且つ、前記基板に電気的に接続した導電層を備え、
   前記磁気テープの静電気が、前記導電層を介して前記基板に放電可能としたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
2. 前記導電層を保護する保護層を、さらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
3. 基板と、絶縁層と、当該絶縁層に配置された磁気抵抗効果型素子および当該磁気抵抗効果型素子を磁場からシールドするシールド層とを具備し、走行する磁気テープに摺接する磁気抵抗効果型ヘッドであって、
   前記絶縁層は、前記シールド層と前記基板との間において、導電性を有すると共に、前記磁気テープに摺接する摺接面に露出し、且つ、前記基板に電気的に接続した導電部を有し、
   前記磁気テープの静電気が、前記導電部を介して前記基板に放電可能としたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
4. 前記絶縁層の前記導電部と前記基板との間に、導電性を有する境界層を、さらに備えたことを特徴とする請求項３に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。

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