JP2001291215A - 磁気ヘッド装置及びその実装方法 - Google Patents
磁気ヘッド装置及びその実装方法Info
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- JP2001291215A JP2001291215A JP2000105936A JP2000105936A JP2001291215A JP 2001291215 A JP2001291215 A JP 2001291215A JP 2000105936 A JP2000105936 A JP 2000105936A JP 2000105936 A JP2000105936 A JP 2000105936A JP 2001291215 A JP2001291215 A JP 2001291215A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来では、ＭＲヘッドに導通する導電パター
ン間には、導電性材料により形成された薄膜パターンが
形成され、前記導電パターン間を短絡させて静電気対策
がなされたものがあったが、電磁波が発生すると前記導
電パターンに過大電流が流れてＭＲヘッドが破壊・劣化
する問題があった。 【解決手段】 導電パターン２０，２１の端末間Ｂに
は、１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上１０12Ω／ｓｑｕａｒ
ｅ以下の表面抵抗率を有する半導電性塗料２５が塗布さ
れ、前記導電パターン２０，２１間が半導通状態にされ
ている。これにより電磁波が発生しても前記導電パター
ンには徐々にしか電流が流れず、ＭＲヘッドが破壊・劣
化することがない。
ン間には、導電性材料により形成された薄膜パターンが
形成され、前記導電パターン間を短絡させて静電気対策
がなされたものがあったが、電磁波が発生すると前記導
電パターンに過大電流が流れてＭＲヘッドが破壊・劣化
する問題があった。 【解決手段】 導電パターン２０，２１の端末間Ｂに
は、１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上１０12Ω／ｓｑｕａｒ
ｅ以下の表面抵抗率を有する半導電性塗料２５が塗布さ
れ、前記導電パターン２０，２１間が半導通状態にされ
ている。これにより電磁波が発生しても前記導電パター
ンには徐々にしか電流が流れず、ＭＲヘッドが破壊・劣
化することがない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭＲヘッド（再生
用ヘッド）を有する薄膜素子を搭載した薄膜磁気ヘッド
装置に係り、特に前記ＭＲヘッドに導通する導電パター
ン間を半導電体によって電気的に接続させておくこと
で、電磁波による前記ＭＲヘッドの劣化または破損を防
止できるようにした薄膜磁気ヘッド装置及びその実装方
法に関する。
用ヘッド）を有する薄膜素子を搭載した薄膜磁気ヘッド
装置に係り、特に前記ＭＲヘッドに導通する導電パター
ン間を半導電体によって電気的に接続させておくこと
で、電磁波による前記ＭＲヘッドの劣化または破損を防
止できるようにした薄膜磁気ヘッド装置及びその実装方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６はハードディスク装置などに設置さ
れる薄膜磁気ヘッド装置の平面図である。
れる薄膜磁気ヘッド装置の平面図である。
【０００３】この磁気ヘッド装置は、弾性支持部材であ
るロードビーム４の先部に同じく弾性支持部材であるフ
レキシャ（図示しない）が取付けられ、このフレキシャ
にセラミック製のスライダ３が取付けられている。また
ロードビーム４の基端部にはマウント板５が接合されて
いる。
るロードビーム４の先部に同じく弾性支持部材であるフ
レキシャ（図示しない）が取付けられ、このフレキシャ
にセラミック製のスライダ３が取付けられている。また
ロードビーム４の基端部にはマウント板５が接合されて
いる。
【０００４】前記スライダ３のトレーリング側の端部に
は薄膜素子１１が搭載されている。前記薄膜素子１１
は、磁気抵抗効果を利用してハードディスクなどの記録
媒体からの漏れ磁界を検出するＭＲ素子を有するＭＲヘ
ッド（再生用ヘッド）、およびコイルパターンを有して
記録媒体に磁気信号を記録するインダクティブヘッド
（記録用ヘッド）とを備えている。
は薄膜素子１１が搭載されている。前記薄膜素子１１
は、磁気抵抗効果を利用してハードディスクなどの記録
媒体からの漏れ磁界を検出するＭＲ素子を有するＭＲヘ
ッド（再生用ヘッド）、およびコイルパターンを有して
記録媒体に磁気信号を記録するインダクティブヘッド
（記録用ヘッド）とを備えている。
【０００５】前記薄膜素子１１の電極パッドには銅箔の
導電パターンを有する配線板１が接続されている。前記
配線板１は例えばフレキシブルプリント基板である。
導電パターンを有する配線板１が接続されている。前記
配線板１は例えばフレキシブルプリント基板である。
【０００６】図６に示すように前記配線板１の基端に
は、前記配線板１の幅寸法よりも広い幅寸法を有する端
子部２が一体に設けられている。
は、前記配線板１の幅寸法よりも広い幅寸法を有する端
子部２が一体に設けられている。
【０００７】図７は前記端子部２の拡大平面図である。
図７に示す符号６ないし９は、導電パターンである。前
記導電パターンのうち符号６及び７は、再生用のＭＲヘ
ッドと導通接続している導電パターンであり、符号８及
び９は、記録用のインダクティブヘッドと導通接続して
いる導電パターンである。
図７に示す符号６ないし９は、導電パターンである。前
記導電パターンのうち符号６及び７は、再生用のＭＲヘ
ッドと導通接続している導電パターンであり、符号８及
び９は、記録用のインダクティブヘッドと導通接続して
いる導電パターンである。
【０００８】従来における薄膜磁気ヘッド装置では、特
に静電気の帯電によるＭＲヘッドの破壊、劣化を適切に
防止すべく、前記薄膜磁気ヘッド装置をハードディスク
装置に設置する前の段階において、前記ＭＲヘッドと導
通接続する導電パターン６，７には、次のような工夫が
なされていた。
に静電気の帯電によるＭＲヘッドの破壊、劣化を適切に
防止すべく、前記薄膜磁気ヘッド装置をハードディスク
装置に設置する前の段階において、前記ＭＲヘッドと導
通接続する導電パターン６，７には、次のような工夫が
なされていた。
【０００９】すなわち図７に示すように前記導電パター
ン６，７の端末からは、開放端方向にさらに薄膜パター
ン１０がコの字状に延び、前記導電パターン６，７の端
末間が前記薄膜パターン１０によって短絡されていた。
前記薄膜パターン１０は前記導電パターン６，７と同様
に銅箔などで形成されていた。
ン６，７の端末からは、開放端方向にさらに薄膜パター
ン１０がコの字状に延び、前記導電パターン６，７の端
末間が前記薄膜パターン１０によって短絡されていた。
前記薄膜パターン１０は前記導電パターン６，７と同様
に銅箔などで形成されていた。
【００１０】このように前記導電パターン６，７を前記
薄膜パターン１０によって短絡させておくと、前記導電
パターン６，７間の電位差がなくなるため、前記導電パ
ターン６，７に金属等の導電性材料やあるいは絶縁材料
が接しても、前記導電パターン６，７内に過大電流が流
れ込まず、前記ＭＲヘッドを静電気による破壊・劣化か
ら適切に保護することが可能になる。
薄膜パターン１０によって短絡させておくと、前記導電
パターン６，７間の電位差がなくなるため、前記導電パ
ターン６，７に金属等の導電性材料やあるいは絶縁材料
が接しても、前記導電パターン６，７内に過大電流が流
れ込まず、前記ＭＲヘッドを静電気による破壊・劣化か
ら適切に保護することが可能になる。
【００１１】そして前記薄膜磁気ヘッドをハードディス
ク装置内に実装した後に、例えば鋏によって図７に示す
Ａ−Ａ線から前記薄膜パターン１０を切断し、前記導電
パターン６，７を短絡状態から開放状態にする。
ク装置内に実装した後に、例えば鋏によって図７に示す
Ａ−Ａ線から前記薄膜パターン１０を切断し、前記導電
パターン６，７を短絡状態から開放状態にする。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図７に示
す静電気対策の方法では以下のような問題点があった。
す静電気対策の方法では以下のような問題点があった。
【００１３】すなわち図７に示す薄膜パターン１０は、
前記導電パターン６，７と同じ材質、あるいは前記導電
パターン６，７と同様の導電性材料で形成されていたた
め、前記導電パターン６，７間は導通状態になってい
た。
前記導電パターン６，７と同じ材質、あるいは前記導電
パターン６，７と同様の導電性材料で形成されていたた
め、前記導電パターン６，７間は導通状態になってい
た。
【００１４】このため前記導電パターン６，７及び薄膜
パターン１０の近くで、例えば放電が起こり電磁波が発
生した場合には、この電磁波の影響を受けて導電パター
ン６，７−薄膜パターン１０−ＭＲヘッドを経て形成さ
れた閉回路に過大電流が流れ、結果的に前記ＭＲヘッド
は前記過大電流によって破壊・劣化してしまう。
パターン１０の近くで、例えば放電が起こり電磁波が発
生した場合には、この電磁波の影響を受けて導電パター
ン６，７−薄膜パターン１０−ＭＲヘッドを経て形成さ
れた閉回路に過大電流が流れ、結果的に前記ＭＲヘッド
は前記過大電流によって破壊・劣化してしまう。
【００１５】また上記したように、薄膜磁気ヘッド装置
をハードディスク装置内に設置するとき、図７に示す薄
膜パターン１０を鋏で切断し、前記導電パターン６，７
を短絡状態から開放しなければならないが、上記したよ
うに薄膜パターン１０の表面抵抗率は非常に低いために
前記鋏の刃が導電性材料であると、前記薄膜パターン１
０を切断したときに、前記鋏の刃から多量の電子が開放
された導電パターン６，７に流れ、この結果前記導電パ
ターン６，７に過大電流が流れ、ＭＲヘッドが破壊・劣
化してしまう。前記鋏の刃が絶縁物で形成されている場
合にも同様の問題が起こる。
をハードディスク装置内に設置するとき、図７に示す薄
膜パターン１０を鋏で切断し、前記導電パターン６，７
を短絡状態から開放しなければならないが、上記したよ
うに薄膜パターン１０の表面抵抗率は非常に低いために
前記鋏の刃が導電性材料であると、前記薄膜パターン１
０を切断したときに、前記鋏の刃から多量の電子が開放
された導電パターン６，７に流れ、この結果前記導電パ
ターン６，７に過大電流が流れ、ＭＲヘッドが破壊・劣
化してしまう。前記鋏の刃が絶縁物で形成されている場
合にも同様の問題が起こる。
【００１６】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、前記導電パターンの端末間を半導電体によって短
絡させることにより、電磁波による前記ＭＲヘッドの劣
化または破損を防止できるようにした薄膜磁気ヘッド装
置及びその実装方法を提供することを目的としている。
あり、前記導電パターンの端末間を半導電体によって短
絡させることにより、電磁波による前記ＭＲヘッドの劣
化または破損を防止できるようにした薄膜磁気ヘッド装
置及びその実装方法を提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、記録媒体に記
録された磁気信号を磁気抵抗効果により検出する薄膜素
子が設けられたスライダと、前記薄膜素子に導通される
複数の導電パターンを有する配線板と、を有している磁
気ヘッド装置において、前記複数の導電パターンの端末
間が、１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕ
ａｒｅ以下の表面抵抗率を有する半導電体により接続さ
れていることを特徴とするものである。
録された磁気信号を磁気抵抗効果により検出する薄膜素
子が設けられたスライダと、前記薄膜素子に導通される
複数の導電パターンを有する配線板と、を有している磁
気ヘッド装置において、前記複数の導電パターンの端末
間が、１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕ
ａｒｅ以下の表面抵抗率を有する半導電体により接続さ
れていることを特徴とするものである。
【００１８】本発明では、上記のようにＭＲヘッドに導
通される導電パターンの端末間を、１０4Ω／ｓｑｕａ
ｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面抵抗率を
有する半導電体により接続することにより、たとえ前記
導電パターンの近くで、放電による電磁波が発生したと
しても、前記導電パターンには電荷が遅い速度で流れ、
ＭＲヘッドに流れる電流は微小であり、前記ＭＲヘッド
の劣化・破壊を適切に防止することができる。
通される導電パターンの端末間を、１０4Ω／ｓｑｕａ
ｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面抵抗率を
有する半導電体により接続することにより、たとえ前記
導電パターンの近くで、放電による電磁波が発生したと
しても、前記導電パターンには電荷が遅い速度で流れ、
ＭＲヘッドに流れる電流は微小であり、前記ＭＲヘッド
の劣化・破壊を適切に防止することができる。
【００１９】なお本発明では、前記導電パターン間を以
下の手段を用いて１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で１０12
Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面抵抗率を有して半導通状態
にすることができる。
下の手段を用いて１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で１０12
Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面抵抗率を有して半導通状態
にすることができる。
【００２０】まず本発明では、前記導電パターンの端末
間には、半導電性塗料が塗布されていることが好まし
い。
間には、半導電性塗料が塗布されていることが好まし
い。
【００２１】または本発明では、前記導電パターンの端
末間には、半導電性の薄膜パターンが形成されているこ
とが好ましい。なお前記導電パターンの端末間を接続す
る前記薄膜パターンは、前記導電パターンの端末から突
出して形成されていることが好ましい。この形状によっ
て前記薄膜パターンの部分を鋏で切断するとき、前記鋏
の刃が導電性材料あるいは絶縁性材料で形成されていて
も、前記導電パターンに過大な電流が流れることはな
く、したがって一般的に使用されている鋏を用いること
ができ、作業効率を向上させることができる。
末間には、半導電性の薄膜パターンが形成されているこ
とが好ましい。なお前記導電パターンの端末間を接続す
る前記薄膜パターンは、前記導電パターンの端末から突
出して形成されていることが好ましい。この形状によっ
て前記薄膜パターンの部分を鋏で切断するとき、前記鋏
の刃が導電性材料あるいは絶縁性材料で形成されていて
も、前記導電パターンに過大な電流が流れることはな
く、したがって一般的に使用されている鋏を用いること
ができ、作業効率を向上させることができる。
【００２２】または本発明では、前記導電パターンの端
末間には、半導電性粘着剤を用いたテープが貼られてい
ることが好ましい。
末間には、半導電性粘着剤を用いたテープが貼られてい
ることが好ましい。
【００２３】さらには本発明では、半導電性の挟持部を
有するクリップにより、前記配線板の端部が挟持され、
前記挟持部により前記導電パターンの端末間が接続され
ていることが好ましい。なお前記挟持部は、半導電性ゴ
ムあるいは半導電性エラストマーで形成されることが好
ましい。
有するクリップにより、前記配線板の端部が挟持され、
前記挟持部により前記導電パターンの端末間が接続され
ていることが好ましい。なお前記挟持部は、半導電性ゴ
ムあるいは半導電性エラストマーで形成されることが好
ましい。
【００２４】上記したいずれの手段を用いても、前記導
電パターンの端末間を、１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で
１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面抵抗率を有して半導
通状態にすることができる。
電パターンの端末間を、１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で
１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面抵抗率を有して半導
通状態にすることができる。
【００２５】また本発明は、記録媒体に記録された磁気
信号を磁気抵抗効果により検出する薄膜素子が設けられ
たスライダと、前記薄膜素子に導通される複数の導電パ
ターンを有する配線板とを有し、前記複数の導電パター
ンの端末間が、１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で１０12Ω
／ｓｑｕａｒｅ以下の表面抵抗率を有する半導電体によ
り接続されている磁気ヘッド装置の実装方法において、
前記磁気ヘッド装置を機器本体に実装する際、機器本体
の電気回路に前記導電パターンを導通させた後に、前記
半導電体における導電パターンの端末間の接続を除去す
ることを特徴とするものである。
信号を磁気抵抗効果により検出する薄膜素子が設けられ
たスライダと、前記薄膜素子に導通される複数の導電パ
ターンを有する配線板とを有し、前記複数の導電パター
ンの端末間が、１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で１０12Ω
／ｓｑｕａｒｅ以下の表面抵抗率を有する半導電体によ
り接続されている磁気ヘッド装置の実装方法において、
前記磁気ヘッド装置を機器本体に実装する際、機器本体
の電気回路に前記導電パターンを導通させた後に、前記
半導電体における導電パターンの端末間の接続を除去す
ることを特徴とするものである。
【００２６】具体的には本発明では、前記導電パターン
の端末間に半導電性塗料を塗布し、機器本体に実装した
後に、前記配線板の前記半導電性塗料が塗布されている
部分を除去することが好ましい。
の端末間に半導電性塗料を塗布し、機器本体に実装した
後に、前記配線板の前記半導電性塗料が塗布されている
部分を除去することが好ましい。
【００２７】または前記導電パターンの端末間が半導電
性の薄膜パターンで接続された配線板を用い、機器本体
に実装した後に、前記配線板の前記薄膜パターンが形成
されている部分を除去することが好ましい。この場合、
前記配線板として、その基端部に突出部が形成されて、
この突出部に、前記導電パターンの端末間を接続する前
記半導電性塗料または前記薄膜パターンが形成されてい
るものを使用し、機器本体に実装した後に、前記突出部
を切断することが好ましい。
性の薄膜パターンで接続された配線板を用い、機器本体
に実装した後に、前記配線板の前記薄膜パターンが形成
されている部分を除去することが好ましい。この場合、
前記配線板として、その基端部に突出部が形成されて、
この突出部に、前記導電パターンの端末間を接続する前
記半導電性塗料または前記薄膜パターンが形成されてい
るものを使用し、機器本体に実装した後に、前記突出部
を切断することが好ましい。
【００２８】また本発明では、前記導電パターンの端末
部に半導電性粘着剤を用いたテープを貼り、機器本体に
実装した後に、テープを除去することが好ましい。
部に半導電性粘着剤を用いたテープを貼り、機器本体に
実装した後に、テープを除去することが好ましい。
【００２９】さらには本発明では、半導電性の挟持部を
有するクリップにより、前記配線板の端部を挟持して、
前記挟持部により前記導電パターンの端末間を接続させ
ておき、機器本体に実装した後に、前記クリップを除去
することが好ましい。
有するクリップにより、前記配線板の端部を挟持して、
前記挟持部により前記導電パターンの端末間を接続させ
ておき、機器本体に実装した後に、前記クリップを除去
することが好ましい。
【００３０】上記のいずれの実装方法においても、前記
磁気ヘッド装置を機器本体に実装するときに、前記導電
パターンが電磁波等の影響を受け難く、ＭＲヘッドの破
壊・劣化を適切に防止しながら、前記導電パターンを、
機器本体の電気回路に導通させることが可能になる。
磁気ヘッド装置を機器本体に実装するときに、前記導電
パターンが電磁波等の影響を受け難く、ＭＲヘッドの破
壊・劣化を適切に防止しながら、前記導電パターンを、
機器本体の電気回路に導通させることが可能になる。
【００３１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明における配線板の
端子部の拡大平面図であり、前記配線板は、薄膜磁気ヘ
ッド装置に設けられた薄膜素子に接続されるものであ
る。
端子部の拡大平面図であり、前記配線板は、薄膜磁気ヘ
ッド装置に設けられた薄膜素子に接続されるものであ
る。
【００３２】前記薄膜磁気ヘッド装置は図６に示す形状
と同様である。図６に示すスライダ３のトレーリング側
端面には、磁気抵抗効果を発揮し、記録媒体に記録され
た磁気信号を検出するＭＲヘッドを有する薄膜素子１１
が設けられている。なお前記薄膜素子１１には、コアと
コイルとからなる記録媒体に磁気信号を記録するための
インダクティブヘッドが設けられていてもよい。なお本
発明では前記薄膜素子１１にＭＲヘッドとインダクティ
ブヘッドの双方が設けられているとして説明する。
と同様である。図６に示すスライダ３のトレーリング側
端面には、磁気抵抗効果を発揮し、記録媒体に記録され
た磁気信号を検出するＭＲヘッドを有する薄膜素子１１
が設けられている。なお前記薄膜素子１１には、コアと
コイルとからなる記録媒体に磁気信号を記録するための
インダクティブヘッドが設けられていてもよい。なお本
発明では前記薄膜素子１１にＭＲヘッドとインダクティ
ブヘッドの双方が設けられているとして説明する。
【００３３】前記ＭＲヘッド及びインダクティブヘッド
には導電パターンを有する配線板１が接続され、前記配
線板１は例えばフレキシブルプリント基板によって形成
されている。
には導電パターンを有する配線板１が接続され、前記配
線板１は例えばフレキシブルプリント基板によって形成
されている。
【００３４】図１に示すように前記配線板１上には４本
の導電パターン２０〜２３が、薄膜技術を用いてパター
ン形成されている。
の導電パターン２０〜２３が、薄膜技術を用いてパター
ン形成されている。
【００３５】なお符号２０及び２１の導電パターンが、
ＭＲヘッドに導通接続されており、符号２２及び２３の
導電パターンが、インダクティブヘッドに導通接続され
ている。
ＭＲヘッドに導通接続されており、符号２２及び２３の
導電パターンが、インダクティブヘッドに導通接続され
ている。
【００３６】図１に示すように前記配線板１の開放端側
には前記配線板１の幅寸法よりも幅の広い端子部２が設
けられ、この端子部２上に前記導電パターン２０〜２３
が形成されている。なお前記端子部２上の導電パターン
２０〜２３は、後にハードディスク装置側の端子と接続
されるために露出形成されている。そして前記端子部２
上の導電パターン２０〜２３の端末が、ハードディスク
装置側の電気回路に半田付け等で導通接続されて、図６
に示す薄膜磁気ヘッド装置はハードディスク装置内に実
装されることになる。
には前記配線板１の幅寸法よりも幅の広い端子部２が設
けられ、この端子部２上に前記導電パターン２０〜２３
が形成されている。なお前記端子部２上の導電パターン
２０〜２３は、後にハードディスク装置側の端子と接続
されるために露出形成されている。そして前記端子部２
上の導電パターン２０〜２３の端末が、ハードディスク
装置側の電気回路に半田付け等で導通接続されて、図６
に示す薄膜磁気ヘッド装置はハードディスク装置内に実
装されることになる。
【００３７】既に述べたように、前記薄膜磁気ヘッド装
置がハードディスク装置に設置される前の段階では、前
記薄膜磁気ヘッド装置の特にＭＲヘッドを静電気の帯電
及び電磁波による破壊・劣化から適切に保護する必要が
ある。
置がハードディスク装置に設置される前の段階では、前
記薄膜磁気ヘッド装置の特にＭＲヘッドを静電気の帯電
及び電磁波による破壊・劣化から適切に保護する必要が
ある。
【００３８】そこで本発明では、以下に説明する手段に
よってＭＲヘッドに導通接続する導電パターン２０及び
２１に過大電流が流れるのを防止し、前記ＭＲヘッドの
破壊・劣化を防止している。
よってＭＲヘッドに導通接続する導電パターン２０及び
２１に過大電流が流れるのを防止し、前記ＭＲヘッドの
破壊・劣化を防止している。
【００３９】図１に示すように、導電パターン２０，２
１の端末間Ｂには、半導電性塗料２５が塗布されてい
る。これにより前記導電パターン２０，２１の端末間Ｂ
は半導通状態にされ、導電パターン２０，２１−半導電
性塗料２５−ＭＲヘッドを経る閉回路が形成される。
１の端末間Ｂには、半導電性塗料２５が塗布されてい
る。これにより前記導電パターン２０，２１の端末間Ｂ
は半導通状態にされ、導電パターン２０，２１−半導電
性塗料２５−ＭＲヘッドを経る閉回路が形成される。
【００４０】本発明では、前記半導電性塗料２５は、１
０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以
下の表面抵抗率を有している。
０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以
下の表面抵抗率を有している。
【００４１】上記した表面抵抗率を有する半導電性塗料
２５により前記導電パターン２０，２１の端末間Ｂが半
導通状態にされていると、前記導電パターン２０，２１
の近くで、たとえ放電による電磁波が発生しても、前記
導電パターン２０，２１内には遅い速度で電流が流れ、
ＭＲヘッドに流れる電流は微小である。したがって前記
ＭＲヘッドは電磁波により破壊したり劣化するといった
問題が起こらない。
２５により前記導電パターン２０，２１の端末間Ｂが半
導通状態にされていると、前記導電パターン２０，２１
の近くで、たとえ放電による電磁波が発生しても、前記
導電パターン２０，２１内には遅い速度で電流が流れ、
ＭＲヘッドに流れる電流は微小である。したがって前記
ＭＲヘッドは電磁波により破壊したり劣化するといった
問題が起こらない。
【００４２】また本発明では図２に示すように、インダ
クティブヘッドに導通接続されている導電パターン２
２，２３上にも前記半導電性塗料２５が塗布され、端子
部２上の４本の導電パターン２０〜２３全てが前記塗料
２５によって覆われていてもよい。
クティブヘッドに導通接続されている導電パターン２
２，２３上にも前記半導電性塗料２５が塗布され、端子
部２上の４本の導電パターン２０〜２３全てが前記塗料
２５によって覆われていてもよい。
【００４３】すなわち図１のようにＭＲヘッドに導通接
続される導電パターン２０，２１端末間Ｂのみに前記半
導電性塗料２５を塗布する必要はなく、端子部２上の全
ての導電パターンを前記半導電性塗料２５で覆う作業工
程とすれば、作業効率の向上、歩留まりの向上を図りや
すくなる。
続される導電パターン２０，２１端末間Ｂのみに前記半
導電性塗料２５を塗布する必要はなく、端子部２上の全
ての導電パターンを前記半導電性塗料２５で覆う作業工
程とすれば、作業効率の向上、歩留まりの向上を図りや
すくなる。
【００４４】次に本発明では、以下に例示する高分子帯
電防止剤またはカーボンナノチューブを半導電性塗料２
５に混入させて、前記半導電性塗料２５を、１０4Ω／
ｓｑｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面
抵抗率を有するようにしている。
電防止剤またはカーボンナノチューブを半導電性塗料２
５に混入させて、前記半導電性塗料２５を、１０4Ω／
ｓｑｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面
抵抗率を有するようにしている。
【００４５】前記高分子帯電防止剤としては、ポリエチ
レンオキシド、ポリエーテルアミドイミド、ポリエチレ
ングリコール系ポリアミド共重合体、ポリエチレングリ
コールメタクリレート共重合体、ポリエチレンオキシド
エピクロルヒドリン共重合体、あるいは超高分子量ポリ
エチレングリコール等のポリエーテル系、または４級ア
ンモニウム塩基含有（メタ）アクリレート共重合体、４
級アンモニウム塩基含有マレイミド共重合体、あるいは
４級アンモニウム塩基含有メタクリルイミド共重合体等
の４級アンモニウム塩系、またはポリスチレンスルホン
酸ソーダ系、またはカルボペンタイングラフト共重合
体、さらには高分子電荷移動型結合体を提示することが
できる。
レンオキシド、ポリエーテルアミドイミド、ポリエチレ
ングリコール系ポリアミド共重合体、ポリエチレングリ
コールメタクリレート共重合体、ポリエチレンオキシド
エピクロルヒドリン共重合体、あるいは超高分子量ポリ
エチレングリコール等のポリエーテル系、または４級ア
ンモニウム塩基含有（メタ）アクリレート共重合体、４
級アンモニウム塩基含有マレイミド共重合体、あるいは
４級アンモニウム塩基含有メタクリルイミド共重合体等
の４級アンモニウム塩系、またはポリスチレンスルホン
酸ソーダ系、またはカルボペンタイングラフト共重合
体、さらには高分子電荷移動型結合体を提示することが
できる。
【００４６】またカーボンナノチューブは、チューブの
円柱状軸に実質的に同心的に沿って沈着されているグラ
ファイト外層を有し、その中心軸は直線状ではなく、曲
がりくねった管状の形態を有する。前記カーボンナノチ
ューブは、径が数ｎｍ〜数十ｎｍ、長さが数μｍ程度か
らなる。
円柱状軸に実質的に同心的に沿って沈着されているグラ
ファイト外層を有し、その中心軸は直線状ではなく、曲
がりくねった管状の形態を有する。前記カーボンナノチ
ューブは、径が数ｎｍ〜数十ｎｍ、長さが数μｍ程度か
らなる。
【００４７】これら高分子帯電防止剤またはカーボンナ
ノチューブの混合比を適切に調整することで、前記半導
電性塗料２５の表面抵抗率を、１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ
以上で１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下にすることが可能で
ある。
ノチューブの混合比を適切に調整することで、前記半導
電性塗料２５の表面抵抗率を、１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ
以上で１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下にすることが可能で
ある。
【００４８】また塗料として有機溶媒等に可溶な材質を
用いることが好ましい。前記塗料を有機溶媒等で溶ける
材料で形成すれば、後に前記半導電性塗料２５を有機溶
媒で容易に剥離できて好ましい。
用いることが好ましい。前記塗料を有機溶媒等で溶ける
材料で形成すれば、後に前記半導電性塗料２５を有機溶
媒で容易に剥離できて好ましい。
【００４９】図１及び図２に示す半導電性塗料２５を用
いる場合は、上記した高分子帯電防止剤やカーボンナノ
チューブを混入した半導電性塗料２５を、単に導電パタ
ーン２０，２１上に塗るだけで作業を終了させることが
できるので、作業効率・歩留まりの向上を図ることが可
能である。
いる場合は、上記した高分子帯電防止剤やカーボンナノ
チューブを混入した半導電性塗料２５を、単に導電パタ
ーン２０，２１上に塗るだけで作業を終了させることが
できるので、作業効率・歩留まりの向上を図ることが可
能である。
【００５０】上記のように前記導電パターン２０，２１
の端末間Ｂに半導電性塗料２５を塗布した磁気ヘッド装
置を用い、前記磁気ヘッド装置をハードディスク装置
（機器本体）に実装した後に、前記配線板の前記半導電
性塗料２５が塗布されている部分を除去し、前記導電パ
ターン２０，２１を前記ハードディスク装置側の電気回
路に接続する。
の端末間Ｂに半導電性塗料２５を塗布した磁気ヘッド装
置を用い、前記磁気ヘッド装置をハードディスク装置
（機器本体）に実装した後に、前記配線板の前記半導電
性塗料２５が塗布されている部分を除去し、前記導電パ
ターン２０，２１を前記ハードディスク装置側の電気回
路に接続する。
【００５１】上記の実装方法によれば、実装される前の
段階において、ＭＲヘッドは前記半導電性塗料２５の存
在により過大電流による破壊・劣化から適切に保護され
ており、実装するときに前記半導電性塗料２５を除去す
るだけでよく、よって実装が簡単であり、また前記半導
電性塗料２５を除去する前に導電パターン２０，２１に
電荷が溜まっていないから、電気回路側の接続部と半田
付け等により電気接続させるとき、前記導電パターン２
０，２１に過大電流が流れるといった心配がない。
段階において、ＭＲヘッドは前記半導電性塗料２５の存
在により過大電流による破壊・劣化から適切に保護され
ており、実装するときに前記半導電性塗料２５を除去す
るだけでよく、よって実装が簡単であり、また前記半導
電性塗料２５を除去する前に導電パターン２０，２１に
電荷が溜まっていないから、電気回路側の接続部と半田
付け等により電気接続させるとき、前記導電パターン２
０，２１に過大電流が流れるといった心配がない。
【００５２】次に図３に示すように、前記導電パターン
２０，２１の端末間を、半導電性の薄膜パターン２６に
よって半導通状態にすることもできる。
２０，２１の端末間を、半導電性の薄膜パターン２６に
よって半導通状態にすることもできる。
【００５３】なお前記薄膜パターン２６は、１０4Ω／
ｓｑｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面
抵抗率を有している必要がある。前記導電パターン２
０，２１の端末間を上記した表面抵抗率を有する薄膜パ
ターン２６によって半導通状態にすることにより、前記
導電パターン２０，２１の近くで、たとえ放電による電
磁波が発生しても、前記導電パターン２０，２１内には
微小な電流しか流れず、前記ＭＲヘッドは前記電磁波に
より破壊したり劣化するといった問題が起こらない。
ｓｑｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面
抵抗率を有している必要がある。前記導電パターン２
０，２１の端末間を上記した表面抵抗率を有する薄膜パ
ターン２６によって半導通状態にすることにより、前記
導電パターン２０，２１の近くで、たとえ放電による電
磁波が発生しても、前記導電パターン２０，２１内には
微小な電流しか流れず、前記ＭＲヘッドは前記電磁波に
より破壊したり劣化するといった問題が起こらない。
【００５４】前記半導電性の薄膜パターン２６には、上
記した高分子帯電防止剤あるいはカーボンナノチューブ
が混入されている。また本発明では、前記薄膜パターン
２６により前記導電パターン２０，２１の端末間を半導
通状態にするときは、特に図３に示す形状・位置に前記
薄膜パターン２６を形成することが好ましい。
記した高分子帯電防止剤あるいはカーボンナノチューブ
が混入されている。また本発明では、前記薄膜パターン
２６により前記導電パターン２０，２１の端末間を半導
通状態にするときは、特に図３に示す形状・位置に前記
薄膜パターン２６を形成することが好ましい。
【００５５】すなわち図３に示すように、前記薄膜パタ
ーン２６は、前記導電パターン２０，２１の端末から突
出して形成されていることが好ましい。具体的な形状と
しては図３に示すように例えば、前記薄膜パターン２６
は、前記導電パターン２０，２１の端末からコの字状に
延びて形成されている。
ーン２６は、前記導電パターン２０，２１の端末から突
出して形成されていることが好ましい。具体的な形状と
しては図３に示すように例えば、前記薄膜パターン２６
は、前記導電パターン２０，２１の端末からコの字状に
延びて形成されている。
【００５６】そして、このようにして形成された導電パ
ターン２０，２１を有する薄膜磁気ヘッド装置を、ハー
ドディスク装置に設置するとき、前記薄膜パターン２６
をＣ−Ｃ線から切断して、前記導電パターン２０，２１
を短絡状態から開放状態にしなければならないが、本発
明では図７に示す従来の場合に比べて以下のような利点
がある。
ターン２０，２１を有する薄膜磁気ヘッド装置を、ハー
ドディスク装置に設置するとき、前記薄膜パターン２６
をＣ−Ｃ線から切断して、前記導電パターン２０，２１
を短絡状態から開放状態にしなければならないが、本発
明では図７に示す従来の場合に比べて以下のような利点
がある。
【００５７】すなわち本発明では、前記薄膜パターン２
６が上記した表面抵抗率を有する半導電性であるため、
仮に、鋏の刃が導電性材料あるいは絶縁性材料で形成さ
れていても、前記鋏の刃からの電子は、前記導電パター
ン２０，２１内に多量に入り込まず、よって前記導電パ
ターン２０，２１には電流が徐々に流れて、前記ＭＲヘ
ッドに過大電流が流れることはない。
６が上記した表面抵抗率を有する半導電性であるため、
仮に、鋏の刃が導電性材料あるいは絶縁性材料で形成さ
れていても、前記鋏の刃からの電子は、前記導電パター
ン２０，２１内に多量に入り込まず、よって前記導電パ
ターン２０，２１には電流が徐々に流れて、前記ＭＲヘ
ッドに過大電流が流れることはない。
【００５８】このように前記薄膜パターン２６を半導電
性の表面抵抗率を有して形成することにより、一般的な
鋏を使用して前記薄膜パターン２６の部分を切断でき、
また前記切断の際に従来のように相当の注意を払う必要
も低く、作業効率を向上させることが可能である。
性の表面抵抗率を有して形成することにより、一般的な
鋏を使用して前記薄膜パターン２６の部分を切断でき、
また前記切断の際に従来のように相当の注意を払う必要
も低く、作業効率を向上させることが可能である。
【００５９】また磁気ヘッド装置をハードディスク装置
に実装した後に、前記薄膜パターン２６を除去するだけ
でよく、よって実装が簡単であり、また前記薄膜パター
ン２６を切断する前に、導電パターン２０，２１に電荷
が溜まっていないから、電気回路側の接続部と半田付け
等により電気接続させるとき、前記導電パターン２０，
２１に過大電流が流れるといった心配がない。
に実装した後に、前記薄膜パターン２６を除去するだけ
でよく、よって実装が簡単であり、また前記薄膜パター
ン２６を切断する前に、導電パターン２０，２１に電荷
が溜まっていないから、電気回路側の接続部と半田付け
等により電気接続させるとき、前記導電パターン２０，
２１に過大電流が流れるといった心配がない。
【００６０】図４は、前記導電パターン２０，２１の端
末間Ｂに、半導電性粘着剤を有するテープ２７を貼っ
て、前記導電パターン２０，２１の端末間Ｂを半導通状
態にしている。前記半導電性粘着剤は、１０4Ω／ｓｑ
ｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面抵抗
率を有している。これによって前記導電パターン２０，
２１の端末間Ｂは半導通状態になり、前記導電パターン
２０，２１の近くで、たとえ放電による電磁波が発生し
ても、前記導電パターン２０，２１内には微小な電流し
か流れず、前記ＭＲヘッドは前記電磁波により破壊した
り劣化するといった問題が起こらない。
末間Ｂに、半導電性粘着剤を有するテープ２７を貼っ
て、前記導電パターン２０，２１の端末間Ｂを半導通状
態にしている。前記半導電性粘着剤は、１０4Ω／ｓｑ
ｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面抵抗
率を有している。これによって前記導電パターン２０，
２１の端末間Ｂは半導通状態になり、前記導電パターン
２０，２１の近くで、たとえ放電による電磁波が発生し
ても、前記導電パターン２０，２１内には微小な電流し
か流れず、前記ＭＲヘッドは前記電磁波により破壊した
り劣化するといった問題が起こらない。
【００６１】また前記半導電性粘着剤には、上記した高
分子帯電防止剤あるいはカーボンナノチューブが混入さ
れている。
分子帯電防止剤あるいはカーボンナノチューブが混入さ
れている。
【００６２】特にこの発明では、単にテープ２７を導電
パターン２０，２１上に貼るだけで作業を終了でき、さ
らに薄膜磁気ヘッド装置をハードディスク装置に設置し
た後に、前記テープ２７を剥がすだけであるから、作業
効率の向上を適切に図ることが可能である。また前記テ
ープ２７を剥がす前に、導電パターン２０，２１に電荷
が溜まっていないから、電気回路側の接続部と半田付け
等により電気接続させるとき、前記導電パターン２０，
２１に過大電流が流れるといった心配がない。
パターン２０，２１上に貼るだけで作業を終了でき、さ
らに薄膜磁気ヘッド装置をハードディスク装置に設置し
た後に、前記テープ２７を剥がすだけであるから、作業
効率の向上を適切に図ることが可能である。また前記テ
ープ２７を剥がす前に、導電パターン２０，２１に電荷
が溜まっていないから、電気回路側の接続部と半田付け
等により電気接続させるとき、前記導電パターン２０，
２１に過大電流が流れるといった心配がない。
【００６３】次に図５のように、半導電性からなる挟持
部２８を有するクリップ２９が、前記配線板１を挟持
し、このとき前記挟持部２８がＭＲヘッドと導通接続す
る導電パターン２０，２１の端末間Ｂに当接されていて
もよい。
部２８を有するクリップ２９が、前記配線板１を挟持
し、このとき前記挟持部２８がＭＲヘッドと導通接続す
る導電パターン２０，２１の端末間Ｂに当接されていて
もよい。
【００６４】前記挟持部２８は、１０4Ω／ｓｑｕａｒ
ｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面抵抗率を有
している。これによって前記導電パターン２０，２１の
端末間Ｂは半導通状態になり、前記導電パターン２０，
２１の近くで、たとえ放電による電磁波が発生しても、
前記導電パターン２０，２１内には微小な電流しか流れ
ず、前記ＭＲヘッドは前記電磁波により破壊したり劣化
するといった問題が起こらない。
ｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面抵抗率を有
している。これによって前記導電パターン２０，２１の
端末間Ｂは半導通状態になり、前記導電パターン２０，
２１の近くで、たとえ放電による電磁波が発生しても、
前記導電パターン２０，２１内には微小な電流しか流れ
ず、前記ＭＲヘッドは前記電磁波により破壊したり劣化
するといった問題が起こらない。
【００６５】また前記挟持部２８は、例えば半導電性ゴ
ムあるいは半導電性エラストマーで形成されていること
が好ましい。前記半導電性ゴムあるいは半導電性エラス
トマーには、上記した高分子帯電防止剤あるいはカーボ
ンナノチューブが混入されている。
ムあるいは半導電性エラストマーで形成されていること
が好ましい。前記半導電性ゴムあるいは半導電性エラス
トマーには、上記した高分子帯電防止剤あるいはカーボ
ンナノチューブが混入されている。
【００６６】またゴム剤及びエラストマーについては、
Ｓ（硫黄）等の腐食物質を含まないものであることが好
ましい。本発明ではポリウレタンエラストマー、ポリエ
ステルエラストマー、ポリスチレンエラストマー、ポリ
アミドエラストマー、フッ素ゴム、シリコンゴム、その
他ゴムのパーオキサイド加硫品を用いることができる。
Ｓ（硫黄）等の腐食物質を含まないものであることが好
ましい。本発明ではポリウレタンエラストマー、ポリエ
ステルエラストマー、ポリスチレンエラストマー、ポリ
アミドエラストマー、フッ素ゴム、シリコンゴム、その
他ゴムのパーオキサイド加硫品を用いることができる。
【００６７】また本発明では、前記クリップ２９の挟持
部２８の表面にポリピロール、ポリアニリン、ＤＬＣ、
またはポリウレタンをコーティングしたり、あるいはア
ルマイト処理をして、前記挟持部２８表面の表面抵抗率
を、１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａ
ｒｅ以下に調整することができる。
部２８の表面にポリピロール、ポリアニリン、ＤＬＣ、
またはポリウレタンをコーティングしたり、あるいはア
ルマイト処理をして、前記挟持部２８表面の表面抵抗率
を、１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａ
ｒｅ以下に調整することができる。
【００６８】なお前記クリップ２９の挟持部２８以外の
部分、たとえば人が手で持つ把持部３０等は金属などで
形成されていてもよいし、また前記挟持部２８以外の部
分全てを１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑ
ｕａｒｅ以下の表面抵抗率を有するようにしてもよい。
クリップ２９全体が、１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で１
０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面抵抗率を有していれ
ば、ＭＲヘッドをより適切に静電気や電磁波から保護す
ることが可能である。
部分、たとえば人が手で持つ把持部３０等は金属などで
形成されていてもよいし、また前記挟持部２８以外の部
分全てを１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑ
ｕａｒｅ以下の表面抵抗率を有するようにしてもよい。
クリップ２９全体が、１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で１
０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面抵抗率を有していれ
ば、ＭＲヘッドをより適切に静電気や電磁波から保護す
ることが可能である。
【００６９】なおこの発明では、単にクリップ２９を挟
持部２８に挟むだけで、ＭＲヘッドに導通する導電パタ
ーン２０,２１端末間Ｂを半導通に接続にでき、しかも
薄膜磁気ヘッド装置をハードディスク装置内に設置した
後、前記クリップ２９を取り外すだけであるから、実装
作業が非常に楽である。また前記クリップ２９を取り外
す前は、導電パターン２０，２１に電荷が溜まっていな
いから、電気回路側の接続部と半田付け等により電気接
続させるとき、前記導電パターン２０，２１に過大電流
が流れるといった心配がない。
持部２８に挟むだけで、ＭＲヘッドに導通する導電パタ
ーン２０,２１端末間Ｂを半導通に接続にでき、しかも
薄膜磁気ヘッド装置をハードディスク装置内に設置した
後、前記クリップ２９を取り外すだけであるから、実装
作業が非常に楽である。また前記クリップ２９を取り外
す前は、導電パターン２０，２１に電荷が溜まっていな
いから、電気回路側の接続部と半田付け等により電気接
続させるとき、前記導電パターン２０，２１に過大電流
が流れるといった心配がない。
【００７０】以上のように本発明では、図１及び２で説
明した半導電性塗料２５、図３で説明した半導電性の薄
膜パターン２６、図４で説明した半導電性粘着剤を有す
るテープ２７及び図５で説明した半導電性の挟持部を有
するクリップ２９を用いて、ＭＲヘッドに導通接続する
導電パターン２０，２１端末間Ｂを半導通状態にするも
のであるが、前記導電パターン２０，２１の端末間Ｂ
を、１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａ
ｒｅ以下の表面抵抗率を有して半導通状態にできれば、
上記以外の手段を用いてもかまわない。
明した半導電性塗料２５、図３で説明した半導電性の薄
膜パターン２６、図４で説明した半導電性粘着剤を有す
るテープ２７及び図５で説明した半導電性の挟持部を有
するクリップ２９を用いて、ＭＲヘッドに導通接続する
導電パターン２０，２１端末間Ｂを半導通状態にするも
のであるが、前記導電パターン２０，２１の端末間Ｂ
を、１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａ
ｒｅ以下の表面抵抗率を有して半導通状態にできれば、
上記以外の手段を用いてもかまわない。
【００７１】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、ＭＲヘッ
ドに導通接続される導電パターン間を、１０4Ω／ｓｑ
ｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面抵抗
率を有して半導通状態とすることにより、静電気及び電
磁波によってもＭＲヘッドに過大電流が流れるのを防止
でき、ＭＲヘッドの破壊・劣化を適切に防止することが
できる。
ドに導通接続される導電パターン間を、１０4Ω／ｓｑ
ｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面抵抗
率を有して半導通状態とすることにより、静電気及び電
磁波によってもＭＲヘッドに過大電流が流れるのを防止
でき、ＭＲヘッドの破壊・劣化を適切に防止することが
できる。
【００７２】特に本発明では、半導電性塗料、半導電性
の薄膜パターン、半導電性粘着剤を有するテープ、ある
いは半導電性の挟持部を有するクリップを使用すること
により、前記導電パターンの端末間を半導通状態にでき
るので、製造も容易で作業効率を向上させることが可能
である。
の薄膜パターン、半導電性粘着剤を有するテープ、ある
いは半導電性の挟持部を有するクリップを使用すること
により、前記導電パターンの端末間を半導通状態にでき
るので、製造も容易で作業効率を向上させることが可能
である。
【００７３】また磁気ヘッド装置を機器本体に実装した
後に、前記半導電性塗料等を除去するだけで前記導電パ
ターンの端末を開放でき、実装作業が楽であり、また前
記半導電性塗料等を除去する前は、導電パターンに電荷
が溜まっていないから、電気回路側の接続部と半田付け
等により電気接続させるとき、前記導電パターンに過大
電流が流れるといった心配がない。
後に、前記半導電性塗料等を除去するだけで前記導電パ
ターンの端末を開放でき、実装作業が楽であり、また前
記半導電性塗料等を除去する前は、導電パターンに電荷
が溜まっていないから、電気回路側の接続部と半田付け
等により電気接続させるとき、前記導電パターンに過大
電流が流れるといった心配がない。
【図１】本発明における導電パターンが形成された配線
板の構造を示す部分平面図、
板の構造を示す部分平面図、
【図２】本発明における導電パターンが形成された他の
配線板の構造を示す部分平面図、
配線板の構造を示す部分平面図、
【図３】本発明における導電パターンが形成された他の
配線板の構造を示す部分平面図、
配線板の構造を示す部分平面図、
【図４】本発明における導電パターンが形成された他の
配線板の部分平面図、
配線板の部分平面図、
【図５】本発明における導電パターンが形成された他の
配線板の部分斜視図、
配線板の部分斜視図、
【図６】磁気ヘッド装置の平面図、
【図７】従来における導電パターンが形成された配線板
の部分平面図、
の部分平面図、
１ 配線板 ２ 端子部 １１ 薄膜素子 ２０、２１、２２、２３ 導電パターン ２５ 半導電性塗料 ２６ 薄膜パターン ２７ テープ ２８ 挟持部 ２９ クリップ Ｂ 端末間
Claims (13)
- 【請求項１】 記録媒体に記録された磁気信号を磁気抵
抗効果により検出する薄膜素子が設けられたスライダ
と、前記薄膜素子に導通される複数の導電パターンを有
する配線板と、を有している磁気ヘッド装置において、 前記複数の導電パターンの端末間が、１０4Ω／ｓｑｕ
ａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａｒｅ以下の表面抵抗率
を有する半導電体により接続されていることを特徴とす
る磁気ヘッド装置。 - 【請求項２】 前記導電パターンの端末間に、半導電性
塗料が塗布されている請求項１記載の磁気ヘッド装置。 - 【請求項３】 前記導電パターンの端末間に、半導電性
の薄膜パターンが形成されている請求項１記載の磁気ヘ
ッド装置。 - 【請求項４】 前記導電パターンの端末間を接続する前
記薄膜パターンは、前記導電パターンの端末から突出し
て形成されている請求項３記載の磁気ヘッド装置。 - 【請求項５】 前記導電パターンの端末間に、半導電性
粘着剤を用いたテープが貼られている請求項１記載の磁
気ヘッド装置。 - 【請求項６】 半導電性の挟持部を有するクリップによ
り、前記配線板の端部が挟持され、前記挟持部により前
記導電パターンの端末間が接続されている請求項１記載
の磁気ヘッド装置。 - 【請求項７】 前記挟持部は、半導電性ゴムあるいは半
導電性エラストマーで形成される請求項６記載の磁気ヘ
ッド装置。 - 【請求項８】 記録媒体に記録された磁気信号を磁気抵
抗効果により検出する薄膜素子が設けられたスライダ
と、前記薄膜素子に導通される複数の導電パターンを有
する配線板とを有し、前記複数の導電パターンの端末間
が、１０4Ω／ｓｑｕａｒｅ以上で１０12Ω／ｓｑｕａ
ｒｅ以下の表面抵抗率を有する半導電体により接続され
ている磁気ヘッド装置の実装方法において、 前記磁気ヘッド装置を機器本体に実装する際、機器本体
の電気回路に前記導電パターンを導通させた後に、前記
半導電体における導電パターンの端末間の接続を除去す
ることを特徴とする磁気ヘッド装置の実装方法。 - 【請求項９】 前記導電パターンの端末間に半導電性塗
料を塗布し、機器本体に実装した後に、前記配線板の前
記半導電性塗料が塗布されている部分を除去する請求項
８記載の磁気ヘッド装置の実装方法。 - 【請求項１０】 前記導電パターンの端末間が半導電性
の薄膜パターンで接続された配線板を用い、機器本体に
実装した後に、前記配線板の前記薄膜パターンが形成さ
れている部分を除去する請求項８記載の磁気ヘッド装置
の実装方法。 - 【請求項１１】 前記配線板として、その基端部に突出
部が形成されて、この突出部に、前記導電パターンの端
末間を接続する前記半導電性塗料または前記薄膜パター
ンが形成されているものを使用し、機器本体に実装した
後に、前記突出部を切断する請求項９または１０記載の
磁気ヘッド装置の実装方法。 - 【請求項１２】 前記導電パターンの端末部に半導電性
粘着剤を用いたテープを貼り、機器本体に実装した後
に、テープを除去する請求項８記載の磁気ヘッド装置の
実装方法。 - 【請求項１３】 半導電性の挟持部を有するクリップに
より、前記配線板の端部を挟持して、前記挟持部により
前記導電パターンの端末間を接続させておき、機器本体
に実装した後に、前記クリップを除去する請求項８記載
の磁気ヘッド装置の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000105936A JP2001291215A (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 磁気ヘッド装置及びその実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000105936A JP2001291215A (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 磁気ヘッド装置及びその実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001291215A true JP2001291215A (ja) | 2001-10-19 |
Family
ID=18619187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000105936A Withdrawn JP2001291215A (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 磁気ヘッド装置及びその実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001291215A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7355821B2 (en) | 2004-03-16 | 2008-04-08 | Fujifilm Corporation | Magneto resistive (MR) head |
| US7542232B2 (en) | 2005-05-24 | 2009-06-02 | Nidec Corporation | Motor unit including spindle motor and recording-disk-driving device including the same |
| US7643252B2 (en) | 2005-02-21 | 2010-01-05 | Nhk Spring Co., Ltd. | Head suspension having wiring disposed with conductive layer |
| US7692899B2 (en) | 2005-02-21 | 2010-04-06 | Nhk Spring Co., Ltd. | Head suspension having wiring disposed in contact with slightly conductive flexible resin |
-
2000
- 2000-04-07 JP JP2000105936A patent/JP2001291215A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7355821B2 (en) | 2004-03-16 | 2008-04-08 | Fujifilm Corporation | Magneto resistive (MR) head |
| US7643252B2 (en) | 2005-02-21 | 2010-01-05 | Nhk Spring Co., Ltd. | Head suspension having wiring disposed with conductive layer |
| US7692899B2 (en) | 2005-02-21 | 2010-04-06 | Nhk Spring Co., Ltd. | Head suspension having wiring disposed in contact with slightly conductive flexible resin |
| US7542232B2 (en) | 2005-05-24 | 2009-06-02 | Nidec Corporation | Motor unit including spindle motor and recording-disk-driving device including the same |
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