JPH10247834A - 高周波減衰装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 温度変化に対してアッテネータの減衰率を変
化させることにより、アンテナから出力される送信波
は、出力変動が低減される。 【解決手段】 高周波減衰装置を、検出温度Ｔに対応し
た制御信号Ｖcontを出力する温度検出回路１７と、制御
信号Ｖcontに基づいて減衰率を可変するＰＩＮダイオー
ド１４を有する可変アッテネータ１１とから構成する。
温度検出回路１７で温度変化を監視し、可変アッテネー
タ１１では温度変化に対応した減衰率に設定する。そし
て、温度検出回路１７による制御信号Ｖcontと検出温度
との関係は、アンテナ１の出力利得が有する温度特性を
相殺するように設定する。これにより、アンテナ１から
出力される送信波は、出力変動が低減される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば携帯電話、
コードレス電話等の無線通信機器に用いて好適な高周波
減衰装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、例えばＰＨＳ（ｐｅｒｓｏｎａ
ｌ ｈａｎｄｙ ｐｈｏｎｅ ｓｙｓｔｅｍ）等の携帯
電話、コードレス電話等の無線通信機器の回路構成は、
送信波の送信と受信波の受信とを行うアンテナ部と、該
アンテナ部で受信された受信波とアンテナ部から送信す
る送信波とを増幅する送受信部と、該送受信部から出力
される受信波を復調すると共に送受信部に入力される送
信波を変調する変復調部と、該変復調部から出力される
受信波と変復調部に入力される送信波を制御する制御部
とから大略構成されている。

【０００３】そして、これらの無線通信機器の送受信部
には高周波増幅装置が設けられ、ある専用の周波数帯
域、例えばＰＨＳでは１８９５．１５〜１９１７．９５
ＭＨzの高周波信号のみを増幅する。

【０００４】高周波増幅装置としては、高周波特性に優
れた、例えばガリウムヒ素（ＧａＡｓ）を用いたＦＥＴ
等が広く用いられる。しかしながら、ガリウムヒ素を用
いたＦＥＴは温度が高くなると利得が小さくなるという
特性を有し、またアンテナ部、送受信部、変復調部、制
御部についてもそれぞれに温度特性を有している。この
ため、無線通信機器を使用する際に温度が変化すると、
無線通信機器の出力電力が低下する場合がある。

【０００５】一方、高周波増幅装置に例えば二酸化シリ
コン（ＳｉＯ₂ ）を用いたＦＥＴ等を用いる場合には、
温度が高くなると無線通信機器の出力電力が上昇する場
合もある。従って、無線通信機器には、出力電力を一定
に保つための補償回路が設けられている。

【０００６】ここで、補償回路が設けられた無線通信機
器について、図１８を参照しつつ具体的に説明する。な
お、高周波増幅装置が送受信部の送信側に設けられた場
合を一例として説明するが、送信側だけでなく受信側に
も高周波増幅装置を設けてもよい。

【０００７】１はアンテナで、該アンテナ１はバンドパ
スフィルタ２と送受信切換スイッチ３とを介してレシー
バ側（以下、ＲX という）と後述する高周波増幅装置に
接続されている。前記送受信切換スイッチ３は受信（レ
シーバ）側と送信（トランスミッタ）側への切換えを行
っている。

【０００８】４は可変電力増幅回路で、該可変電力増幅
回路４の入力側はトランスミッタ端子（以下、ＴXin 端
子という）に接続され、出力側は後述する他の電力増幅
回路５、カプラ６を介して送受信切換スイッチ３に接続
されている。また、該可変電力増幅回路４には、増幅率
制御端子４Ａが設けられ、該増幅率制御端子４Ａは後述
する処理回路９に接続されている。そして、該可変電力
増幅回路４は、処理回路９から出力される制御信号Ｖco
ntが増幅率制御端子４Ａに入力されることにより、増幅
率を可変にする構成となっている。

【０００９】５は他の電力増幅回路を示し、該電力増幅
回路５は前記可変電力増幅回路４とカプラ６との間に接
続され、該可変電力増幅回路４から出力される高周波信
号を増幅するものである。

【００１０】なお、前記可変電力増幅回路４と電力増幅
回路５とにより高周波増幅装置を構成し、該電力増幅回
路４，５はガリウムヒ素を用いたＦＥＴ等により形成さ
れている。

【００１１】６は高周波用のカプラで、該カプラ６はそ
の１次側が送受信切換スイッチ３と可変電力増幅回路４
との間に接続され、２次側の一方はアース側に位置した
抵抗７に接続され、他方は検波回路８を介して処理回路
９に接続されている。そして、該カプラ６は、可変電力
増幅回路４から送受信切換スイッチ３に向けて出力され
る送信波のうち、例えば５％を２次側に取出すものであ
る。

【００１２】８はカプラ６の２次側に接続された検波回
路を示し、該検波回路８は、カプラ６の２次側にアノー
ドが向くように直列接続された整流用のダイオード８Ａ
と、該ダイオード８Ａのカソードとアースとの間に接続
され、並列回路をなすコンデンサ８Ｂと抵抗８Ｃとから
なり、前記ダイオード８Ａは半波整流回路として構成さ
れ、コンデンサ８Ｂと抵抗８Ｃは平滑回路として構成さ
れている。そして、該検波回路８は、カプラ６で取出さ
れた送信波の一部となるＡＣ分をＤＣ分に変換し、この
信号を検波信号として処理回路９に出力する。

【００１３】９は検波回路８の後段に接続された処理回
路を示し、該処理回路９は入出力部、演算部、記憶部
（いずれも図示せず）からなり、該記憶部には、検波信
号に対する可変電力増幅回路４の増幅率と、増幅率に対
する制御信号Ｖcontがマップ化されてそれぞれ格納され
ている。これにより、該処理回路９は、検波回路８から
入力される検波信号に基づいて可変電力増幅回路４の増
幅率を設定する。なお、該処理回路９は、送受信部では
なく、送信波，受信波を制御する制御部内に設けられて
いる。

【００１４】１０は温度補償回路を示し、該温度補償回
路１０は、抵抗７と、前記送信波の一部を取出すカプラ
６と、該カプラ６で取出された信号を直流の検波信号に
変換する検波回路８と、該検波回路８から出力される検
波信号を受けて、前記可変電力増幅回路４の増幅率を決
める制御信号Ｖcontを増幅率制御端子４Ａに出力する処
理回路９とにより構成されている。

【００１５】このように、従来技術による高周波増幅装
置は、ＴXin 端子から入力される所定周波数の送信波を
増幅してアンテナ１に送信するものである。

【００１６】前記温度補償回路１０は、可変電力増幅回
路４から出力される送信波をカプラ６と検波回路８から
出力される検波信号により監視し、処理回路９ではこの
検波信号を受けて該可変電力増幅回路４の増幅率を制御
する制御信号Ｖcontを可変電圧増幅回路４の増幅率制御
端子４Ａに出力する。この結果、周囲温度等の影響で送
信波が変動した場合には、可変電力増幅回路４の増幅率
が制御され、アンテナ１から出力される送信波の温度変
化に対する変動をなくすことができる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに可変電力増幅回路４、電力増幅回路５、温度補償回
路１０等を用いた従来技術による無線通信機器では、温
度補償回路１０が設けられていないと、ＴXin 端子での
入力電力Ｐin（ｄＢｍ）に対し、アンテナ１による出力
利得（ｄＢｍ）は、図６中に示す特性線（イ）のよう
に、検出温度Ｔの上昇に伴って低下するという温度依存
性がある。このため、従来技術では、カプラ６、抵抗
７、検波回路８、処理回路９からなる温度補償回路１０
を設け、アンテナ１を含む無線通信機器の出力利得を一
定に保つように補償している。このため、部品点数が多
くなると共に、コスト高になるという問題がある。

【００１８】また、利得変動の補償に処理回路９を用い
ているため、該処理回路９の入出力部にはＡＤコンバー
タとＤＡコンバータが必要となり、部品点数がさらに増
加するという問題がある。

【００１９】また、処理回路９は制御部に設けられ、該
処理回路９ではメインの処理である送信波と受信波の制
御に加えて、送信波の変動を補償する処理を行わせてい
る。このため、該処理回路９の処理能力が低下するとい
う問題がある。

【００２０】さらに、送受信部に設けた高周波増幅装置
の温度補償を、制御部に設けた処理回路９によって行っ
ているから、制御部との間に信号の入出力があり、回路
設計が複雑になるという問題がある。

【００２１】本発明は上述した従来技術の問題に鑑みな
されたもので、本発明は周囲温度の変化に対応させて減
衰率を変化させることにより、無線通信機器の出力電力
を一定にすることができる高周波減衰装置を提供するこ
とを目的としている。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１に係る発明は、高周波信号を減衰する
高周波減衰装置において、制御信号に応じて減衰特性を
変化させるべくＰＩＮダイオードを有した可変アッテネ
ータと、該可変アッテネータの減衰率制御端子に接続さ
れ、検出温度に応じた制御信号を出力する温度検出回路
とから構成したことを特徴とする。

【００２３】このように構成することにより、温度検出
回路によって温度変化を監視し、可変アッテネータで
は、温度変化に対応した制御信号を減衰率制御端子で受
け、検出温度に対応した減衰率で高周波信号を減衰させ
る。これにより、温度検出回路から出力される制御信号
の温度に対する特性を、例えば無線通信機器の温度に対
する出力変動を相殺するように設定すれば、無線通信機
器の出力電力の変動を低減することができる。

【００２４】請求項２の発明では、可変アッテネータ
を、π型アッテネータにより構成したことにある。

【００２５】可変アッテネータをこのように構成した場
合、可変アッテネータの入出力信号に対して一定のイン
ピーダンスとすることができる。

【００２６】請求項３の発明では、可変アッテネータ
を、入力端子と出力端子との間に接続されたＰＩＮダイ
オードと、該ＰＩＮダイオードに制御信号を印加すべく
該ＰＩＮダイオードのアノード側に位置した減衰率制御
端子とから構成したことにある。

【００２７】可変アッテネータをこのように構成した場
合、ＰＩＮダイオードに印加される制御信号を大きくす
れば該ＰＩＮダイオードの内部抵抗は小さくなり、制御
信号を小さくすれば該ＰＩＮダイオードの内部抵抗は大
きくなる。このように、可変アッテネータでは制御信号
に対応した減衰率で高周波信号を減衰させる。そして、
この制御信号は温度検出回路によって温度に対応した信
号となるから、可変アッテネータの減衰率は温度に対応
させて設定することができる。

【００２８】請求項４の発明では、可変アッテネータ
を、入力端子と出力端子との間に接続された第１のＰＩ
Ｎダイオードと、該第１のＰＩＮダイオードと並列に接
続された第２，第３のＰＩＮダイオードと、前記第１の
ＰＩＮダイオードに制御信号を印加すべく該第１のＰＩ
Ｎダイオードのアノード側に位置した減衰率制御端子
と、前記第２のＰＩＮダイオードと第３のＰＩＮダイオ
ードに基準電圧を印加すべく第２のＰＩＮダイオードの
アノード側に位置した基準電圧端子とから構成したこと
にある。

【００２９】可変アッテネータをこのように構成した場
合、第１のＰＩＮダイオードに印加される制御信号を大
きくすれば該第１のＰＩＮダイオードの内部抵抗は小さ
くなり、制御信号を小さくすれば該第１のＰＩＮダイオ
ードの内部抵抗は大きくなる。一方、第２，第３のＰＩ
Ｎダイオードでは、制御信号が大きくすれば基準電圧が
高くなり、第２，第３のＰＩＮダイオードの内部抵抗は
小さくなり、制御信号が小さくすれば基準電圧が低くな
り、第２，第３のＰＩＮダイオードの内部抵抗は大きく
なる。このように、可変アッテネータでは制御信号に対
応した減衰率で高周波信号を減衰させる。そして、この
制御信号は温度検出回路によって温度に対応した信号と
なるから、可変アッテネータの減衰率は温度に対応させ
て設定することができる。

【００３０】請求項５の発明では、温度検出回路を、サ
ーミスタ，正特性サーミスタまたはＩＣ化温度センサを
用いたことにある。

【００３１】温度検出回路をこのように構成した場合、
サーミスタ，正特性サーミスタまたはＩＣ化温度センサ
からは検出した温度に対する制御信号が出力され、この
制御信号を可変アッテネータの減衰率制御端子に入力す
ることにより、該可変アッテネータの減衰率を調整し
て、例えば無線通信機器の出力電力の変動を防止するこ
とができる。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明による実施の形態
を、図１ないし図１７を参照しつつ詳細に説明する。

【００３３】まず、本発明に係る第１の実施例を、送受
信部の送信側に設けた高周波増幅装置を例に挙げ、図１
ないし図６により説明する。なお、実施例では前述した
従来技術と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説
明を省略する。

【００３４】１１は従来技術で述べた可変電力増幅回路
４の代わりに、本実施例に用いられる可変アッテネータ
で、該可変アッテネータ１１はトランスミッタ端子（Ｔ
Xin端子）と電力増幅回路５との間に設けられている。
なお、後述する温度検出回路１７が接続された可変アッ
テネータ１１と電力増幅回路５は、本実施例による高周
波増幅装置を構成し、該高周波増幅装置のうち温度検出
回路１７と可変アッテネータ１１により高周波減衰装置
を構成している。

【００３５】１２は入力側に位置した入力コンデンサ、
１３は出力側に位置した出力コンデンサをそれぞれ示
し、該コンデンサ１２，１３は可変アッテネータ１１に
入力される高周波信号中のＤＣ分をカットするカップリ
ングコンデンサとなる。

【００３６】１４はＰＩＮダイオードを示し、該ＰＩＮ
ダイオード１４は、そのアノード側が入力コンデンサ１
２側に接続され、カソード側が出力コンデンサ１３側に
接続されている。また、該ＰＩＮダイオード１４は、Ｐ
Ｎ接合ダイオードの中央に真性半導体層（Ｉ層）を設け
てＰ−Ｉ−Ｎ接合とした構造のもので、アノード側に印
加される電圧が大きくなると内部抵抗が小さくなり、印
加される電圧が小さくなると内部抵抗が大きくなるとい
う特性を有する高周波可変抵抗素子となる。

【００３７】なお、ＰＩＮダイオード１４のアノード側
と入力コンデンサ１２との間は接続点ａとなり、また該
ＰＩＮダイオード１４のカソード側と出力コンデンサ１
３との間は接続点ｂとなっている。

【００３８】１５は高周波用のチョークコイルで、該チ
ョークコイル１５は、その一方が接続点ａに接続され、
他方が後述する温度検出回路１７に接続されている。そ
して、該チョークコイル１５は可変アッテネータ１１内
を流れる高周波信号が温度検出回路１７側に流れ込むの
を防止している。

【００３９】また、前記チョークコイル１５の他側が可
変アッテネータ１１の減衰率制御端子１１Ａとなり、該
減衰率制御端子１１Ａには温度検出回路１７から出力さ
れる制御信号Ｖcontが入力される。

【００４０】１６は接続点ｂとアースとの間に接続され
た抵抗で、該抵抗１６は、ＰＩＮダイオード１４に電圧
を印加すると共に、その抵抗値を大きく設定することに
より可変アッテネータ１１内を流れる高周波信号がアー
スに流れるのを防止している。

【００４１】１７は電源電圧ＶCCとアースとの間に接続
された温度検出回路を示し、該温度検出回路１７は、図
２に示すように、抵抗１８とサーミスタ１９とを直列接
続したもので、該抵抗１８とサーミスタ１９との接続点
ｃが可変アッテネータ１１の減衰率制御端子１１Ａに接
続されている。また、サーミスタ１９は接続点ｃに対し
て低電圧側に位置しているから、接続点ｃから減衰率制
御端子１１Ａに出力される制御信号Ｖcontは、図３のよ
うな検出温度Ｔに対する制御信号Ｖcontの特性（以下、
温度特性という）となる。

【００４２】ここで、ＰＩＮダイオード１４を用いた可
変アッテネータ１１について説明する。まず、温度検出
回路１７、チョークコイル１５、ＰＩＮダイオード１
４、抵抗１６を閉回路としてみなして考える。

【００４３】いま、制御信号Ｖcontが大きい場合には、
ＰＩＮダイオード１４に印加される電圧は大きくなり、
該ＰＩＮダイオード１４の内部抵抗が小さくなる。これ
により、可変アッテネータ１１から出力される高周波信
号の利得は小さくなる。一方、制御信号Ｖcontが小さい
場合には、ＰＩＮダイオード１４に印加される電圧は小
さくなり、該ＰＩＮダイオード１４の内部抵抗が大きく
なる。これにより、可変アッテネータ１１から出力され
る高周波信号の利得は大きくなる。この結果、前記可変
アッテネータ１１による制御信号Ｖcontに対する利得
は、図４に示すようになる。

【００４４】このように、前記可変アッテネータ１１に
よる利得は、制御信号Ｖcontに対して、図４のようにリ
ニアな特性となる。また、温度検出回路１７による制御
信号Ｖcontは、検出温度Ｔに対して、図３のようにな
る。従って、可変アッテネータ１１による利得は、検出
温度Ｔに対して、図５のようになる。即ち、可変アッテ
ネータ１１では、検出温度Ｔが低いときには利得は小さ
く、検出温度Ｔが高いときには利得が大きくなる特性線
（ロ）となる。

【００４５】そこで、本実施例では、先の述べたよう
に、従来技術によれば、アンテナ１による出力利得は、
図６中の特性線（イ）であったのに対し、本実施例では
可変アッテネータ１１と温度検出回路１７を使用するこ
とにより、図６中の特性線（ハ）を得ることができる。

【００４６】本実施例はこのように構成されるが、次に
その動作について説明する。本実施例による高周波減衰
装置では、検出温度Ｔに対応した制御信号Ｖcontを出力
する温度検出回路１７と、該温度検出回路１７から出力
される制御信号Ｖcontに応じて減衰率を変化させる可変
アッテネータ１１とから構成し、該可変アッテネータ１
１は内部抵抗が変化するＰＩＮ接合のＰＩＮダイオード
１４を有して構成している。これにより、温度検出回路
１７で検出された検出温度Ｔに対する制御信号Ｖcont
は、図３のような特性となり、可変アッテネータ１１の
検出温度Ｔに対する利得は図５の特性線（ロ）のように
なる。

【００４７】従って、本実施例による高周波減衰装置で
は、図５、図６に示す如く、補正前の利得が小さいとき
には可変アッテネータ１１の減衰率を小さくして利得を
増加させ、補正前の利得が大きいときには可変アッテネ
ータ１１の減衰率を大きくして利得を減少させる。これ
により、アンテナ１を含む無線通信機器の出力利得を、
図６に示すように、補正前の特性線（イ）を特性線
（ハ）のように補正でき、温度変化に拘らずほぼ一定の
利得Ｂ0 に設定することができる。

【００４８】この結果、本実施例では、簡単な回路構成
によって温度変化に対する利得の変動を低減することが
でき、アンテナ１から出力される送信波の出力変動を低
減し、無線通信機器の信頼性を高めることができる。

【００４９】また、本実施例では、従来技術のように、
可変電力増幅回路４の増幅率を補正するために、カプラ
６、抵抗７、検波回路８、処理回路９からなる温度補償
回路１０を設けることなくアンテナ１の出力利得を一定
にすることができる。これにより、部品点数を少なくす
ることができ、コスト低減を図ることができる。

【００５０】さらに、本実施例では、従来技術のような
温度補償処理を行う処理回路９を必要としないため、送
受信部と制御部との間で信号の入出力をなくすことがで
きると共に、高周波部と変復調部の回路設計を独立して
行うことができ、回路設計がし易くなる。

【００５１】次に、図７を参照しつつ第２の実施例を説
明するに、本実施例の特徴は、可変アッテネータにπ型
のアッテネータを用いたものである。なお、本実施例で
は、前述した第１の実施例と同一の構成要素に同一の符
号を付し、その説明を省略するものとする。

【００５２】２１は本実施例に用いる可変アッテネータ
を示し、該可変アッテネータ２１は第１の実施例による
可変アッテネータ１１と同様に、トランスミッタ端子
（ＴXin 端子）と電力増幅回路５との間に設けられてい
る。

【００５３】２２は入力側に位置した入力コンデンサ、
２３は該入力コンデンサ２２の後段に位置したコンデン
サ、２４は出力側に位置した出力コンデンサをそれぞれ
示し、該コンデンサ２２，２３，２４は可変アッテネー
タ２１内を流れる高周波信号中のＤＣ分をカットするカ
ップリングコンデンサとなる。

【００５４】２５は第１のＰＩＮダイオードを示し、該
第１のＰＩＮダイオード２５は、そのアノード側がコン
デンサ２３に接続され、カソード側が出力コンデンサ２
４に接続されている。また、該第１のＰＩＮダイオード
２５は、第１の実施例によるＰＩＮダイオード１４と同
様に、高周波可変抵抗素子となる。

【００５５】なお、入力コンデンサ２２とコンデンサ２
３との間は基準電圧Ｖ１が印加される基準電圧端子とし
ての接続点ｄとなり、第１のＰＩＮダイオード２５のカ
ソード側と出力コンデンサ２４との間は接続点ｅとな
り、第１のＰＩＮダイオード２５のアノード側とコンデ
ンサ２３との間は接続点ｆとなっている。

【００５６】２６は第２のＰＩＮダイオード、２７は第
３のＰＩＮダイオードをそれぞれ示し、該ＰＩＮダイオ
ード２６，２７は直列接続され、該直列回路は前記第１
のＰＩＮダイオード２５と並列に接続点ｄ，ｅ間に接続
されている。

【００５７】また、第２のＰＩＮダイオード２６と第３
のＰＩＮダイオード２７との間は接続点ｇとなり、該接
続点ｇとアースとの間にはバイパス用のコンデンサ２８
が接続され、該コンデンサ２８は高周波分のみをアース
に接続するものである。

【００５８】２９は電源電圧ＶCCと接続点ａとの間に接
続された入力抵抗で、該入力抵抗２９は後述する抵抗３
２と共に分圧器として機能し、ＰＩＮダイオード２６，
２７に基準電圧Ｖ１を印加するものである。

【００５９】３０はチョークコイルで、該チョークコイ
ル３０は、その一方が接続点ｆに接続され、他方が前記
温度検出回路１７に接続されている。そして、該チョー
クコイル３０は可変アッテネータ２１内を流れる高周波
信号が温度検出回路１７側に流れ込むのを防止してい
る。

【００６０】また、前記チョークコイル３０の他側が可
変アッテネータ２１の減衰率制御端子２１Ａとなり、該
減衰率制御端子２１Ａには温度検出回路１７から出力さ
れる制御信号Ｖcontが入力される。

【００６１】３１は減衰率制御端子２１Ａとアースとの
間に接続されたコンデンサで、該コンデンサ３１は温度
検出回路１７から出力される制御信号Ｖcontの急激な変
動を吸収するものである。

【００６２】３２は抵抗で、該抵抗３２は接続点ｅとア
ースとの間に接続され、前記ＰＩＮダイオード２５に制
御信号Ｖcontを印加すると共に、抵抗値を大きく設定す
ることにより可変アッテネータ２１内を流れる高周波信
号がアースに流れるのを防止している。

【００６３】このように本実施例による高周波減衰装置
は、可変アッテネータ２１と温度検出回路１７とから構
成されるが、次にその動作について説明する。本実施例
による可変アッテネータ２１は、第１の実施例と異な
り、３個のＰＩＮダイオード２５，２６，２７を用いた
可変アッテネータ２１は、等価的にπ型アッテネータを
構成している。そして、可変アッテネータ２１は、減衰
率制御端子２１Ａに入力される制御信号Ｖcontの大きさ
に応じて利得を制御できる。

【００６４】ここで、温度検出回路１７、チョークコイ
ル３０、第１のＰＩＮダイオード２５、抵抗３２を閉回
路としてみなして考えると、本実施例による可変アッテ
ネータ２１は、第１の実施例で述べた可変アッテネータ
１１と同様に作動し、制御信号Ｖcontが大きいときに
は、高周波信号の利得を小さくし、制御信号Ｖcontが小
さいときには、高周波信号の利得は大きくなる。

【００６５】次に、第２のＰＩＮダイオード２６と第３
のＰＩＮダイオード２７に関しては、電源電圧ＶCC、入
力抵抗２９、第２のＰＩＮダイオード２６、第３のＰＩ
Ｎダイオード２７、抵抗３２を閉回路とみなして考え
る。

【００６６】いま、制御信号Ｖcontが大きい場合には、
基準電圧Ｖ１の電位が高くなり基準電圧Ｖ１と電源電圧
ＶCCとの電位差が小さくなる。そして、第２のＰＩＮダ
イオード２６，第３のＰＩＮダイオード２７に印加され
る電圧は大きくなり、該ＰＩＮダイオード２６，２７の
内部抵抗が小さくなる。これにより、可変アッテネータ
２１から出力される高周波信号の利得は小さくなる。

【００６７】一方、制御信号Ｖcontが小さい場合には、
基準電圧Ｖ１の電位が低くなり、基準電圧Ｖ１と電源電
圧ＶCCとの電位差が小さくなる。そして、第２のＰＩＮ
ダイオード２６，第３のＰＩＮダイオード２７に印加さ
れる電圧は小さくなり、該ＰＩＮダイオード２６，２７
の内部抵抗が大きくなる。これにより、可変アッテネー
タ１１から出力される高周波信号の利得は大きくなる。

【００６８】この結果、可変アッテネータ２１ではＰＩ
Ｎダイオード２５，２６，２７を用いることによりπ型
アッテネータを構成したから、該可変アッテネータ２１
では制御信号Ｖcontに対する利得は図４のようになり、
検出温度Ｔに対する利得は図５中の特性線（ロ）のよう
になる。

【００６９】従って、本実施例では、前述したように３
個のＰＩＮダイオード２５，２６，２７を用いたπ型の
可変アッテネータ２１と、該可変アッテネータ２１の減
衰率制御端子２１Ａに温度検出回路１７を接続するよう
にしている。

【００７０】そこで、本実施例においても、第１の実施
例と同様に、先の述べたように、従来技術による出力利
得（図６中の特性線（イ）参照）を、図６中の特性線
（ハ）に補正することができ、アンテナの出力利得は、
温度変化に拘らず常に利得Ｂ0の一定値に設定すること
ができ、送信波の出力変動を低減することができる。

【００７１】次に、本発明に係る第３の実施例を図８を
参照しつつ説明するに、本実施例の特徴は、高周波減衰
装置を可変アッテネータ４１と温度検出回路１７とから
なり、前記可変アッテネータ４１は４個のＰＩＮダイオ
ード４２，４３，４４，４５等から構成している。

【００７２】このように構成される可変アッテネータ４
１においても、減衰率制御端子４１Ａに制御信号Ｖcont
を入力することにより、該可変アッテネータ４１の制御
信号Ｖcontに対する利得は図４のようになる。一方、可
変アッテネータ４１の検出温度に対する利得の特性をみ
るに、図３に示す如くで、温度検出回路１７の検出温度
Ｔが高くなると、制御信号Ｖcontは低くなる。

【００７３】そこで、本実施例においても、第１の実施
例と同様に、先の述べたように、従来技術による出力利
得（図６中の特性線（イ）参照）を、図６中の特性線
（ハ）に補正することができる。

【００７４】これにより、本実施例においても、前記第
１の実施例と同様に、アンテナ１から出力される送信波
の出力変動を低減することができる。

【００７５】なお、前記各実施例では、温度検出回路１
７を、図２に示すように、抵抗１８とサーミスタ１９の
直列回路から構成した。しかし、本発明はこれに限ら
ず、図９〜図１４に示す変形例のように構成してもよ
く、この場合には、図３に示すような温度特性が得られ
れば良い。

【００７６】即ち、図９は第１の変形例による温度検出
回路５１を示し、該温度検出回路５１は、電源電圧ＶCC
とアースとの間に、正特性サーミスタ５２と抵抗５３と
を直列接続する構成としたもので、その接続点５１Ａか
ら制御信号Ｖcontが出力される。

【００７７】図１０は第２の変形例による温度検出回路
５４を示し、該温度検出回路５４は、電源電圧ＶCCとア
ースとの間に、抵抗５５とサーミスタ５６とを直列接続
し、その接続点５４Ａと電源電圧ＶCCとの間にトランジ
スタ５７を接続する構成としたもので、該トランジスタ
５７はそのベースが接続点５４Ａに接続され、コレクタ
が電源電圧ＶCCに接続され、エミッタから制御信号Ｖco
ntが出力される。

【００７８】図１１は第３の変形例による温度検出回路
５８を示し、該温度検出回路５８は、電源電圧ＶCCとア
ースとの間に、正特性サーミスタ５９と抵抗６０とを直
列接続し、その接続点５８Ａと電源電圧ＶCCとの間にト
ランジスタ６１を接続する構成としたもので、該トラン
ジスタ６１はそのベースが接続点５８Ａに接続され、コ
レクタが電源電圧ＶCCに接続され、エミッタから制御信
号Ｖcontが出力される。

【００７９】図１２は第４の変形例による温度検出回路
６２を示し、該温度検出回路６２は、電源電圧ＶCCとア
ースとの間に、抵抗６３とサーミスタ６４とを直列接続
し、その接続点６２Ａとアースとの間にオペアンプから
なるバッファ回路６５を接続する構成としたもので、該
バッファ回路６５の出力端子から制御信号Ｖcontが出力
される。

【００８０】図１３は第５の変形例による温度検出回路
６６を示し、該温度検出回路６６は、電源電圧ＶCCとア
ースとの間に、正特性サーミスタ６７と抵抗６８とを直
列接続し、その接続点６６Ａとアースとの間にオペアン
プからなるバッファ回路６９を接続する構成としたもの
で、該バッファ回路６９の出力端子から制御信号Ｖcont
が出力される。

【００８１】図１４は第６の変形例による温度検出回路
を示し、該温度検出回路は、内部に温度センサ、定電流
回路、オペアンプ等が一体に集積化されたＩＣ化温度セ
ンサ７０によって構成され、該ＩＣ化温度センサ７０で
検出される信号を制御信号Ｖcontとして出力する。

【００８２】なお、前記各実施例では、可変アッテネー
タ１１（２１，４１）の次段に電力増幅回路５を設けた
場合について例示したが、本発明はこれに限らず、電力
増幅回路５を廃止してもよい。一方、可変アッテネータ
１１（２１，４１）と電力増幅回路５との間に別個にプ
リアンプを設けるようにしてもよい。

【００８３】また、前記各実施例による高周波減衰装置
は、送受信部の送信側に用いた場合を例に挙げて述べた
が、本発明はこれに限らず、受信側に用いてもよいこと
は勿論である。

【００８４】さらに、前記各実施例では、回路素子にガ
リウムヒ素からなるＦＥＴを用いた場合を考慮して、ア
ンテナ１の出力利得が、図６の特性線（イ）のようにな
ったものを補正する場合について述べた。しかし、本発
明はこれに限らず、回路素子に二酸化シリコンからなる
ＦＥＴを用いた場合に、アンテナ１の出力利得が、図１
５に示す特性であっても、この出力利得を補正すること
ができる。

【００８５】この補正を行う場合には、可変アッテネー
タ１１の検出温度Ｔに対する出力利得の特性を図１６に
示すように設定すればよく、このためには前記温度検出
回路１７（５１，５４，５８，６２，６６）またはＩＣ
化温度センサ７０の検出温度Ｔに対する特性を、図１７
のように、検出温度Ｔが低いときには制御信号Ｖcontが
小さくなり、検出温度Ｔが高いときには制御信号Ｖcont
が大きくなる特性に設定すればよい。

【００８６】具体的には、温度検出回路１７（５４，６
２）では基準信号ＶCC側にサーミスタ１９（５６，６
４）を接続し、温度検出回路５１（５８，６６）ではア
ース側に正特性サーミスタ５２（５９，６７）を接続す
ればよい。さらに、ＩＣ化温度センサ７０に関しては、
特性が図１７になるものを用いればよい。

【００８７】

【発明の効果】以上詳述した如く、請求項１の発明によ
れば、温度検出回路によって温度変化を監視し、可変ア
ッテネータでは、温度変化に対応した制御信号を減衰率
制御端子で受けて、検出温度に対応した減衰率で高周波
信号を増減する。例えば、可変アッテネータの減衰率を
制御する制御信号の温度に対する特性を、検出温度が変
化した場合に、利得が変動するのを相殺するように設定
すれば、温度変化に対して可変アッテネータの減衰率を
変化させ、アンテナを含む無線通信機器から出力される
出力電力の変動を低減することができる。これにより、
無線通信機器の信頼性を高めることができる。

【００８８】請求項２の発明では、可変アッテネータを
π型アッテネータにより構成することにより、アッテネ
ータの入出力信号に対して一定のインピーダンスとする
ことができる。

【００８９】請求項３の発明では、可変アッテネータ
を、入力端子と出力端子との間にＰＩＮダイオードを接
続し、該ＰＩＮダイオードは減衰率制御端子から印加さ
れる制御信号によって該ＰＩＮダイオードの内部抵抗を
可変にしたから、温度検出回路から出力される制御信号
によって温度変化に対して減衰率を可変にでき、温度変
化に対する高周波信号の変動を低減することができる。

【００９０】請求項４の発明では、可変アッテネータ
を、入力端子と出力端子との間に第１のＰＩＮダイオー
ドを接続し、該第１のＰＩＮダイオードと並列に第２，
第３のＰＩＮダイオードを接続し、前記第１のＰＩＮダ
イオードのアノード側には減衰率制御端子を介して制御
信号を印加し、第２，第３のＰＩＮダイオードには基準
電圧端子を介して基準電圧を印加する。これにより、制
御信号の大きさを変えることによって、各ＰＩＮダイオ
ードの内部抵抗が変化して減衰率を可変にでき、温度変
化に対する高周波信号の変動を低減することができる。

【００９１】請求項５の発明では、温度検出回路を、サ
ーミスタ，正特性サーミスタまたはＩＣ化温度センサを
用い、これらの温度特性を無線通信機器の出力変動を相
殺するための減衰率に対応させることにより、アンテナ
を含む無線通信機器から出力される出力電力の変動を低
減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例による高周波減衰装置を含む高周
波増幅装置とアンテナ部を示す回路図である。

【図２】図１中の温度検出回路の構成を示す回路図であ
る。

【図３】温度検出回路で検出する検出温度と制御信号と
の関係を示す特性線図である。

【図４】制御信号と可変アッテネータの利得との関係を
示す特性線図である。

【図５】検出温度と可変アッテネータの利得との関係を
示す特性線図である。

【図６】検出温度とアンテナの出力利得との関係を示す
特性線図である。

【図７】第２の実施例による高周波減衰装置と電力増幅
回路を示す回路図である。

【図８】第３の実施例による高周波減衰装置と電力増幅
回路を示す回路図である。

【図９】第１の変形例による温度検出回路を示す回路図
である。

【図１０】第２の変形例による温度検出回路を示す回路
図である。

【図１１】第３の変形例による温度検出回路を示す回路
図である。

【図１２】第４の変形例による温度検出回路を示す回路
図である。

【図１３】第５の変形例による温度検出回路を示す回路
図である。

【図１４】第６の変形例による温度検出回路を示す回路
図である。

【図１５】実施例と異なった特性を有する高周波増幅装
置について、検出温度とアンテナの出力利得との関係を
示す特性線図である。

【図１６】図１５の特性を補正するために必要な検出温
度と可変アッテネータの利得との関係を示す特性線図で
ある。

【図１７】可変アッテネータによって図１６の特性を得
るために必要な検出温度と温度検出回路の制御信号との
関係を示す特性線図である。

【図１８】従来技術による高周波増幅装置とアンテナ部
を示す回路図である。

【符号の説明】

１１，２１，４１ 可変アッテネータ １１Ａ，２１Ａ，４１Ａ 減衰率制御端子 １４ ＰＩＮダイオード １７，５１，５４，５８，６２，６６ 温度検出回路 １９，５６，６４ サーミスタ ２５ 第１のＰＩＮダイオード ２６ 第２のＰＩＮダイオード ２７ 第３のＰＩＮダイオード ５２，５９，６７ 正特性サーミスタ ７０ ＩＣ化温度センサ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高周波信号を減衰する高周波減衰装置に
   おいて、制御信号に応じて減衰特性を変化させるべくＰ
   ＩＮダイオードを有した可変アッテネータと、該可変ア
   ッテネータの減衰率制御端子に接続され、検出温度に応
   じた制御信号を出力する温度検出回路とから構成したこ
   とを特徴とする高周波減衰装置。
2. 【請求項２】 前記可変アッテネータは、π型アッテネ
   ータにより構成してなる請求項１記載の高周波減衰装
   置。
3. 【請求項３】 前記可変アッテネータは、入力端子と出
   力端子との間に接続されたＰＩＮダイオードと、該ＰＩ
   Ｎダイオードに制御信号を印加すべく該ＰＩＮダイオー
   ドのアノード側に位置した減衰率制御端子とから構成し
   てなる請求項１記載の高周波減衰装置。
4. 【請求項４】 前記可変アッテネータは、入力端子と出
   力端子との間に接続された第１のＰＩＮダイオードと、
   該第１のＰＩＮダイオードと並列に接続された第２，第
   ３のＰＩＮダイオードと、前記第１のＰＩＮダイオード
   に制御信号を印加すべく該第１のＰＩＮダイオードのア
   ノード側に位置した減衰率制御端子と、前記第２のＰＩ
   Ｎダイオードと第３のＰＩＮダイオードに基準電圧を印
   加すべく第２のＰＩＮダイオードのアノード側に位置し
   た基準電圧端子とから構成してなる請求項１記載の高周
   波減衰装置。
5. 【請求項５】 前記温度検出回路は、サーミスタ，正特
   性サーミスタまたはＩＣ化温度センサを用いてなる請求
   項１記載の高周波減衰装置。