JPH10245286A - セラミック電子部品の電極パターン形成方法及び誘電体共振器の入出力電極形成方法 - Google Patents
セラミック電子部品の電極パターン形成方法及び誘電体共振器の入出力電極形成方法Info
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- JPH10245286A JPH10245286A JP9305933A JP30593397A JPH10245286A JP H10245286 A JPH10245286 A JP H10245286A JP 9305933 A JP9305933 A JP 9305933A JP 30593397 A JP30593397 A JP 30593397A JP H10245286 A JPH10245286 A JP H10245286A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミック焼結体の外表面に、複数の導電部
からなる電極パターンを簡単な工程で安価にかつ高精度
に形成することを可能とする電極パターン形成方法を得
る。 【解決手段】 セラミック焼結体としての誘電体ブロッ
ク１の外表面に導電膜を形成した後、導電膜上にマスク
８を被せブラスト装置により砥材を投射し、マスクの開
口部において導電膜を部分的に除去することにより電極
パターンを形成する、セラミック電子部品の電極パター
ン形成方法。
からなる電極パターンを簡単な工程で安価にかつ高精度
に形成することを可能とする電極パターン形成方法を得
る。 【解決手段】 セラミック焼結体としての誘電体ブロッ
ク１の外表面に導電膜を形成した後、導電膜上にマスク
８を被せブラスト装置により砥材を投射し、マスクの開
口部において導電膜を部分的に除去することにより電極
パターンを形成する、セラミック電子部品の電極パター
ン形成方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック焼結体
を用いたセラミック電子部品の表面に電極パターンを形
成する方法、並びにセラミック焼結体を用いた誘電体共
振器の入出力電極を形成する方法に関する。
を用いたセラミック電子部品の表面に電極パターンを形
成する方法、並びにセラミック焼結体を用いた誘電体共
振器の入出力電極を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、誘電体セラミックスからなるセラ
ミック焼結体を用いた誘電体共振器が知られている。こ
の種の誘電体共振器の中で、例えば誘電体同軸共振器
は、セラミック焼結体よりなる誘電体ブロックに、貫通
孔を形成し、該貫通孔の内周面に内導体を形成すると共
に、誘電体ブロックの外表面に外導体を形成した構造を
有するものがある。また、誘電体ブロックの外表面にお
いては、外導体と電気的に絶縁された状態で、入出力電
極が形成されている。
ミック焼結体を用いた誘電体共振器が知られている。こ
の種の誘電体共振器の中で、例えば誘電体同軸共振器
は、セラミック焼結体よりなる誘電体ブロックに、貫通
孔を形成し、該貫通孔の内周面に内導体を形成すると共
に、誘電体ブロックの外表面に外導体を形成した構造を
有するものがある。また、誘電体ブロックの外表面にお
いては、外導体と電気的に絶縁された状態で、入出力電
極が形成されている。
【０００３】上記外導体及び入出力電極の形成について
は、従来より種々の方法が採用されていた。第１の方法
は、誘電体ブロックの外表面において、入出力電極の形
成が予定されている領域と、外導体の形成が予定されて
いる領域との間の領域にレジストを塗布し、しかる後誘
電体ブロックの外表面の全面にメッキを施し導電膜を形
成し、導電膜形成後にレジストを除去する方法である。
この方法では、レジストが塗布されていた部分に導電膜
が形成されないため、メッキ後にレジストを除去するこ
とにより、入出力電極と外導体とが形成されることにな
る。
は、従来より種々の方法が採用されていた。第１の方法
は、誘電体ブロックの外表面において、入出力電極の形
成が予定されている領域と、外導体の形成が予定されて
いる領域との間の領域にレジストを塗布し、しかる後誘
電体ブロックの外表面の全面にメッキを施し導電膜を形
成し、導電膜形成後にレジストを除去する方法である。
この方法では、レジストが塗布されていた部分に導電膜
が形成されないため、メッキ後にレジストを除去するこ
とにより、入出力電極と外導体とが形成されることにな
る。
【０００４】第２の方法は、誘電体ブロックの外表面に
おいて、入出力電極の形成が予定されている領域と、外
導体の形成が予定されている領域とを開口部とするマス
クを誘電体ブロックに被せ、Ａｇペーストなどをスクリ
ーン印刷により印刷し、入出力電極と外導体とを形成す
る方法である。
おいて、入出力電極の形成が予定されている領域と、外
導体の形成が予定されている領域とを開口部とするマス
クを誘電体ブロックに被せ、Ａｇペーストなどをスクリ
ーン印刷により印刷し、入出力電極と外導体とを形成す
る方法である。
【０００５】第３の方法は、特開平６−３３４４１４号
公報に開示されている方法であり、誘電体ブロックの外
表面の全面にメッキを施して導電膜を形成し、しかる
後、超音波加工機を用いて部分的に導電膜を除去し、入
出力電極と外導体とに分離する方法である。
公報に開示されている方法であり、誘電体ブロックの外
表面の全面にメッキを施して導電膜を形成し、しかる
後、超音波加工機を用いて部分的に導電膜を除去し、入
出力電極と外導体とに分離する方法である。
【０００６】第４の方法は、特開平７−３２１５１９号
公報開示されている方法であり、誘電体ブロックの外表
面にメッキ膜を形成した後、フィルム状レジスト材より
なるレジストマスキングを表面に部分的にラミネート
し、しかる後レジストマスキングで覆われていない部分
のメッキ膜をサンドブラスト法により除去する方法であ
る。
公報開示されている方法であり、誘電体ブロックの外表
面にメッキ膜を形成した後、フィルム状レジスト材より
なるレジストマスキングを表面に部分的にラミネート
し、しかる後レジストマスキングで覆われていない部分
のメッキ膜をサンドブラスト法により除去する方法であ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】第１の方法では、入出
力電極及び外導体の形成に際し、レジストの塗布、メッ
キ、及びレジストの除去といった多数の工程を実施しな
ければならず、従って、レジスト剤を必要とするためコ
ストが高くつくだけでなく、生産性が十分でなかった。
力電極及び外導体の形成に際し、レジストの塗布、メッ
キ、及びレジストの除去といった多数の工程を実施しな
ければならず、従って、レジスト剤を必要とするためコ
ストが高くつくだけでなく、生産性が十分でなかった。
【０００８】第２の方法では、マスクを繰り返し使用す
ることができ、かつ工程数も第１の方法に比べて少ない
が、誘電体共振器の入出力電極は２つの面にまたがって
形成されることが多く、マスク等により誘電体ブロック
を被覆してスクリーン印刷等により導電ペーストを印刷
する方法では、入出力電極と外導体とを高精度に形成す
ることが困難であり、かつ生産性が悪いという問題があ
った。
ることができ、かつ工程数も第１の方法に比べて少ない
が、誘電体共振器の入出力電極は２つの面にまたがって
形成されることが多く、マスク等により誘電体ブロック
を被覆してスクリーン印刷等により導電ペーストを印刷
する方法では、入出力電極と外導体とを高精度に形成す
ることが困難であり、かつ生産性が悪いという問題があ
った。
【０００９】他方、第３の方法では、誘電体ブロックの
外表面に全面にメッキを施して導電膜を形成した後、該
導電膜を部分的に除去するだけでよいため、工程の簡略
化を果たし得るものの、超音波加工機を用いて部分的に
導電膜を除去する工程は、誘電体ブロック毎に行わねば
ならなかった。すなわち、多数の誘電体ブロックを同時
に処理することができないため、生産性が十分でなかっ
た。
外表面に全面にメッキを施して導電膜を形成した後、該
導電膜を部分的に除去するだけでよいため、工程の簡略
化を果たし得るものの、超音波加工機を用いて部分的に
導電膜を除去する工程は、誘電体ブロック毎に行わねば
ならなかった。すなわち、多数の誘電体ブロックを同時
に処理することができないため、生産性が十分でなかっ
た。
【００１０】また、超音波加工機では、工具の摩耗が激
しいため、工具を比較的頻繁に交換しなければならず、
かつ工具の取付け精度について高い精度が求められる。
従って、工具の交換に長時間を要するため、結果とし
て、導電膜形成工程の簡略化を果たし得るものの、入出
力電極と外導体とを分離する工程の生産性が十分でなか
った。
しいため、工具を比較的頻繁に交換しなければならず、
かつ工具の取付け精度について高い精度が求められる。
従って、工具の交換に長時間を要するため、結果とし
て、導電膜形成工程の簡略化を果たし得るものの、入出
力電極と外導体とを分離する工程の生産性が十分でなか
った。
【００１１】また、第４の方法では、フィルム状レジス
ト材よりなるレジストマスキングを誘電体ブロックの外
表面にコーティングすなわちラミネートする工程、並び
にレジストマスキングで覆われていないメッキ膜を除去
した後に、レジストマスキングを除去するための溶剤を
用いた煩雑な工程を実施しなければならなかった。従っ
て、第１の方法と同様に、レジスト材を必要とするため
コストが高くつくだけでなく、該レジストマスキングを
繰り返し使用することができず、生産性が十分でなかっ
た。
ト材よりなるレジストマスキングを誘電体ブロックの外
表面にコーティングすなわちラミネートする工程、並び
にレジストマスキングで覆われていないメッキ膜を除去
した後に、レジストマスキングを除去するための溶剤を
用いた煩雑な工程を実施しなければならなかった。従っ
て、第１の方法と同様に、レジスト材を必要とするため
コストが高くつくだけでなく、該レジストマスキングを
繰り返し使用することができず、生産性が十分でなかっ
た。
【００１２】本発明の目的は、セラミック焼結体の外表
面に、入出力電極と外導体のような複数の導電部からな
る電極パターンを簡単な工程で安価にかつ高精度に形成
することを可能とするセラミック電子部品の電極パター
ン形成方法、並びにこのような電極パターンを有する誘
電体共振器の入出力電極形成方法を提供することにあ
る。
面に、入出力電極と外導体のような複数の導電部からな
る電極パターンを簡単な工程で安価にかつ高精度に形成
することを可能とするセラミック電子部品の電極パター
ン形成方法、並びにこのような電極パターンを有する誘
電体共振器の入出力電極形成方法を提供することにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、セラミック焼結体の表面に形成された導電膜を部分
的に除去して電極パターンを形成する方法において、セ
ラミック焼結体表面に導電膜を形成する工程と、前記導
電膜上に、開口部を有しかつ導電膜上に対して着脱自在
のマスクを被せてブラスト装置により砥材を投射し、マ
スクの開口部において導電膜を部分的に除去することに
より電極パターンを形成する工程と、マスクを導電膜上
から取り外す工程とを備えることを特徴とする。
は、セラミック焼結体の表面に形成された導電膜を部分
的に除去して電極パターンを形成する方法において、セ
ラミック焼結体表面に導電膜を形成する工程と、前記導
電膜上に、開口部を有しかつ導電膜上に対して着脱自在
のマスクを被せてブラスト装置により砥材を投射し、マ
スクの開口部において導電膜を部分的に除去することに
より電極パターンを形成する工程と、マスクを導電膜上
から取り外す工程とを備えることを特徴とする。
【００１４】上記マスクは、導電膜上に対して着脱が自
在とされている。すなわち、マスクは、上記開口部を有
する適宜の弾性もしくは剛性材料、すなわち保形性を有
する材料により構成されており、それによって導電膜上
への載置、及び導電膜からの取り外しを容易に行うこと
ができる。マスクを構成する材料としては、例えば、耐
衝撃性に優れかつマスクの寿命が長いため、ウレタンゴ
ムなどの弾性材料が好ましく用いられるが、超硬合金な
どのような金属を用いてもよく、その場合には、マスク
開口部の精度を高めることができる。
在とされている。すなわち、マスクは、上記開口部を有
する適宜の弾性もしくは剛性材料、すなわち保形性を有
する材料により構成されており、それによって導電膜上
への載置、及び導電膜からの取り外しを容易に行うこと
ができる。マスクを構成する材料としては、例えば、耐
衝撃性に優れかつマスクの寿命が長いため、ウレタンゴ
ムなどの弾性材料が好ましく用いられるが、超硬合金な
どのような金属を用いてもよく、その場合には、マスク
開口部の精度を高めることができる。
【００１５】請求項２に記載の発明では、請求項１に記
載の発明にかかる電極パターン形成方法において、前記
セラミック焼結体の表面に導電膜を形成する工程におい
て、セラミック焼結体の外表面の全面に導電膜を形成す
ることを特徴とする。
載の発明にかかる電極パターン形成方法において、前記
セラミック焼結体の表面に導電膜を形成する工程におい
て、セラミック焼結体の外表面の全面に導電膜を形成す
ることを特徴とする。
【００１６】請求項３に記載の発明では、請求項１また
は２に記載の発明にかかる電極パターン形成方法におい
て、上記導電膜として、Ｃｕを主成分とするものを形成
することを特徴とする。
は２に記載の発明にかかる電極パターン形成方法におい
て、上記導電膜として、Ｃｕを主成分とするものを形成
することを特徴とする。
【００１７】請求項４に記載の発明は、誘電体共振器を
構成するためのセラミック焼結体よりなる誘電体ブロッ
クの外表面の全面にＣｕを主成分とする導電膜を形成す
る工程と、前記導電膜にマスクを被せてブラスト装置に
より砥材を投射し、マスクの開口部において導電膜を部
分的に除去することにより、外導体と入出力電極とを形
成する工程とを備えることを特徴とする誘電体共振器の
入出力電極形成方法である。
構成するためのセラミック焼結体よりなる誘電体ブロッ
クの外表面の全面にＣｕを主成分とする導電膜を形成す
る工程と、前記導電膜にマスクを被せてブラスト装置に
より砥材を投射し、マスクの開口部において導電膜を部
分的に除去することにより、外導体と入出力電極とを形
成する工程とを備えることを特徴とする誘電体共振器の
入出力電極形成方法である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
にかかるセラミック電子部品の電極パターン形成方法を
説明する。なお、以下の説明は、セラミック電子部品と
しての誘電体同軸共振器において、誘電体ブロックの外
表面に入出力電極と外導体とを有する電極パターンを形
成する方法に適用したものである。
にかかるセラミック電子部品の電極パターン形成方法を
説明する。なお、以下の説明は、セラミック電子部品と
しての誘電体同軸共振器において、誘電体ブロックの外
表面に入出力電極と外導体とを有する電極パターンを形
成する方法に適用したものである。
【００１９】図１は、誘電体同軸共振器を構成するため
のセラミック焼結体よりなる誘電体ブロックを示す斜視
図である。誘電体ブロック１は、例えば、主原料がチタ
ン酸バリウムなどの誘電体セラミックスにより構成され
ており、略直方体状の形状を有する。誘電体ブロック１
の側面１ａから側面１ｂに向かって貫通孔１ｃ，１ｄが
形成されている。貫通孔１ｃ，１ｄは、誘電体ブロック
１に同軸共振器を構成するために設けられている。
のセラミック焼結体よりなる誘電体ブロックを示す斜視
図である。誘電体ブロック１は、例えば、主原料がチタ
ン酸バリウムなどの誘電体セラミックスにより構成され
ており、略直方体状の形状を有する。誘電体ブロック１
の側面１ａから側面１ｂに向かって貫通孔１ｃ，１ｄが
形成されている。貫通孔１ｃ，１ｄは、誘電体ブロック
１に同軸共振器を構成するために設けられている。
【００２０】上記誘電体ブロック１の貫通孔１ｃ，１ｄ
の内周面には、導電膜が形成されて内導体が形成され、
誘電体ブロック１の外表面には、外導体と入出力電極と
が形成される。これらの電極が形成された誘電体同軸共
振器を図２に斜視図で示す。誘電体同軸共振器２では、
誘電体ブロックの上記貫通孔１ｃ，１ｄの内周面に導電
膜が形成されることにより内導体３ａ，３ｂが形成され
ており、かつ入出力電極４，５が形成されている部分を
除いて、かつ入出力電極４，５と電気的に絶縁されるよ
うに誘電体ブロック１の外表面に外導体６が形成されて
いる。
の内周面には、導電膜が形成されて内導体が形成され、
誘電体ブロック１の外表面には、外導体と入出力電極と
が形成される。これらの電極が形成された誘電体同軸共
振器を図２に斜視図で示す。誘電体同軸共振器２では、
誘電体ブロックの上記貫通孔１ｃ，１ｄの内周面に導電
膜が形成されることにより内導体３ａ，３ｂが形成され
ており、かつ入出力電極４，５が形成されている部分を
除いて、かつ入出力電極４，５と電気的に絶縁されるよ
うに誘電体ブロック１の外表面に外導体６が形成されて
いる。
【００２１】以下の方法は、図１に示した誘電体ブロッ
ク１の外表面に、上記入出力電極４，５と、外導体６と
からなる電極パターンを形成するものである。まず、誘
電体ブロック１を用意し、誘電体ブロック１の外表面の
全面に導電膜を形成する。この導電膜の形成方法につい
ては特に限定されず、メッキ、蒸着、導電ペーストの塗
布、スパッタリングなどの適宜の方法で行うことができ
る。もっとも、誘電体ブロック１の外表面の全面に容易
に導電膜を形成し得るため、好ましくは、上記導電膜は
メッキにより形成される。この導電膜を構成するための
材料についても特に限定されるものではないが、導電性
に優れ、安価であり、かつメッキによる製膜が容易であ
るＣｕを主成分とするものが、好ましく用いられる。
ク１の外表面に、上記入出力電極４，５と、外導体６と
からなる電極パターンを形成するものである。まず、誘
電体ブロック１を用意し、誘電体ブロック１の外表面の
全面に導電膜を形成する。この導電膜の形成方法につい
ては特に限定されず、メッキ、蒸着、導電ペーストの塗
布、スパッタリングなどの適宜の方法で行うことができ
る。もっとも、誘電体ブロック１の外表面の全面に容易
に導電膜を形成し得るため、好ましくは、上記導電膜は
メッキにより形成される。この導電膜を構成するための
材料についても特に限定されるものではないが、導電性
に優れ、安価であり、かつメッキによる製膜が容易であ
るＣｕを主成分とするものが、好ましく用いられる。
【００２２】次に、誘電体ブロック１の外表面の全面に
導電膜を形成した後に、導電膜上にウレタンゴムよりな
るマスクを被せ、ブラスト装置により砥材を投射する。
すなわち、図３に示すように、ブラスト装置７に、マス
ク８が被せられた誘電体ブロック１を配置する。マスク
８は、入出力電極４，５が形成される領域と、外導体６
が形成される領域との間の領域、すなわち、図２に矢印
Ａ，Ｂで示す領域を開口部とする形状を有する。好まし
くは、上記マスクとして、図４及び図５に示す２種類の
マスク８，９が用いられる。マスク８は、下方に開いた
形状を有し、誘電体ブロック１の上面及び側面１ａ，１
ｂ，１ｅ，１ｆ（図１参照）を覆うような形状とされて
いる。また、略コの字状の開口部８ａ，８ｂがマスク８
の上面に形成されている。
導電膜を形成した後に、導電膜上にウレタンゴムよりな
るマスクを被せ、ブラスト装置により砥材を投射する。
すなわち、図３に示すように、ブラスト装置７に、マス
ク８が被せられた誘電体ブロック１を配置する。マスク
８は、入出力電極４，５が形成される領域と、外導体６
が形成される領域との間の領域、すなわち、図２に矢印
Ａ，Ｂで示す領域を開口部とする形状を有する。好まし
くは、上記マスクとして、図４及び図５に示す２種類の
マスク８，９が用いられる。マスク８は、下方に開いた
形状を有し、誘電体ブロック１の上面及び側面１ａ，１
ｂ，１ｅ，１ｆ（図１参照）を覆うような形状とされて
いる。また、略コの字状の開口部８ａ，８ｂがマスク８
の上面に形成されている。
【００２３】他方、マスク９も誘電体ブロック１の上面
及び全側面を覆う形状とされており、側面に開口部９
ａ，９ｂを有する。開口部９ａ，９ｂは、前述した導電
膜が形成されていない領域Ａ，Ｂのうち、側面に位置す
る領域に対応した形状を有する。
及び全側面を覆う形状とされており、側面に開口部９
ａ，９ｂを有する。開口部９ａ，９ｂは、前述した導電
膜が形成されていない領域Ａ，Ｂのうち、側面に位置す
る領域に対応した形状を有する。
【００２４】図３に戻り、ブラスト装置７は、砥材液タ
ンク１１を有する。砥材液タンク１１内には、砥材液１
２が収納されている。砥材液１２は、砥粒と水とを混合
してなり、砥粒としては、ガラスビーズ、アルミナなど
の粒状研削剤が用いられる。また、砥粒を分散させるた
めの液体については、水などの適宜の液体を用いること
ができる。
ンク１１を有する。砥材液タンク１１内には、砥材液１
２が収納されている。砥材液１２は、砥粒と水とを混合
してなり、砥粒としては、ガラスビーズ、アルミナなど
の粒状研削剤が用いられる。また、砥粒を分散させるた
めの液体については、水などの適宜の液体を用いること
ができる。
【００２５】砥材液タンク１１には、ポンプ１３が連結
されており、該ポンプ１３により砥材液１２が高圧投射
装置１４に供給される。高圧投射装置１４には、圧縮空
気を供給するための圧縮空気供給管１５が連結されてい
る。高圧投射装置１４において、圧縮空気の力で、砥材
液が下方に向かって投射される。この砥材液が投射され
る部分に、誘電体ブロック１を配置する。この場合、誘
電体ブロック１の上面に上記マスク８を被せ、その状態
で砥材液１２を投射する。その結果、マスク８の開口部
８ａ，８ｂに砥材が衝突し、開口部８ａ，８ｂに臨む部
分において導電膜が除去される。
されており、該ポンプ１３により砥材液１２が高圧投射
装置１４に供給される。高圧投射装置１４には、圧縮空
気を供給するための圧縮空気供給管１５が連結されてい
る。高圧投射装置１４において、圧縮空気の力で、砥材
液が下方に向かって投射される。この砥材液が投射され
る部分に、誘電体ブロック１を配置する。この場合、誘
電体ブロック１の上面に上記マスク８を被せ、その状態
で砥材液１２を投射する。その結果、マスク８の開口部
８ａ，８ｂに砥材が衝突し、開口部８ａ，８ｂに臨む部
分において導電膜が除去される。
【００２６】次に、一端砥材液の投射を停止し、誘電体
ブロック１上からマスク８を除去し、図５に示したマス
ク９を被せ、再度砥材液を投射する。マスク９を用いた
砥材液の投射により、開口部９ａ，９ｂに臨んでいる部
分の導電膜が除去される。
ブロック１上からマスク８を除去し、図５に示したマス
ク９を被せ、再度砥材液を投射する。マスク９を用いた
砥材液の投射により、開口部９ａ，９ｂに臨んでいる部
分の導電膜が除去される。
【００２７】従って、上記マスク８，９を利用して砥材
液を投射することにより、誘電体ブロックの外表面に形
成されていた導電膜が、図２に示す入出力電極４，５
と、外導体６とに分離されることになる。
液を投射することにより、誘電体ブロックの外表面に形
成されていた導電膜が、図２に示す入出力電極４，５
と、外導体６とに分離されることになる。
【００２８】なお、マスク８，９は、目的とする入出力
電極４，５の形状に応じて、適宜の開口部を有するよう
に変形し得るものであり、かつ上記のように２種類のマ
スク８，９を用いて砥材の投射を行う必要は必ずしもな
く、１種類のマスクのみを用いて入出力電極と外導体と
の間の領域の導電膜を除去してもよい。
電極４，５の形状に応じて、適宜の開口部を有するよう
に変形し得るものであり、かつ上記のように２種類のマ
スク８，９を用いて砥材の投射を行う必要は必ずしもな
く、１種類のマスクのみを用いて入出力電極と外導体と
の間の領域の導電膜を除去してもよい。
【００２９】なお、マスク８，９を誘電体ブロック１に
被せる場合、誘電体ブロック１からマスク８，９が浮き
上がらないように押さえつけることが好ましく、それに
よってマスク８，９の開口部の形状に正確に対応するよ
うに導電膜を除去することができる。
被せる場合、誘電体ブロック１からマスク８，９が浮き
上がらないように押さえつけることが好ましく、それに
よってマスク８，９の開口部の形状に正確に対応するよ
うに導電膜を除去することができる。
【００３０】また、砥材の投射に際しては、一定の圧力
で投射することが好ましく、かつ投射部分を一定の速度
で移動させることが望ましい。このように投射圧力及び
投射装置の移動速度を一定にすることにより、加工精度
を高めることができ、マスク８，９の開口部の形状に応
じて正確に導電膜を除去することができる。
で投射することが好ましく、かつ投射部分を一定の速度
で移動させることが望ましい。このように投射圧力及び
投射装置の移動速度を一定にすることにより、加工精度
を高めることができ、マスク８，９の開口部の形状に応
じて正確に導電膜を除去することができる。
【００３１】なお、本発明において用いられるブラスト
装置としては、上記のように圧縮空気の力で砥材と液体
との混合体を投射するものに限らず、圧縮空気の力で砥
粒を直接噴射するドライブラスト装置、圧力を加えた水
で砥材と液体との混合体を噴射する水圧ブラスト装置な
どの適宜の形態の装置を用いることができる。何れの装
置を用いた場合であっても、上記と同様にマスクの開口
部に臨む導電膜を確実にかつ容易に除去することができ
る。
装置としては、上記のように圧縮空気の力で砥材と液体
との混合体を投射するものに限らず、圧縮空気の力で砥
粒を直接噴射するドライブラスト装置、圧力を加えた水
で砥材と液体との混合体を噴射する水圧ブラスト装置な
どの適宜の形態の装置を用いることができる。何れの装
置を用いた場合であっても、上記と同様にマスクの開口
部に臨む導電膜を確実にかつ容易に除去することができ
る。
【００３２】なお、上述した入出力電極４，５と外導体
６とを形成する方法に限らず、本発明にかかるセラミッ
ク電子部品の電極パターン形成方法は、セラミック焼結
体の外表面に導電膜を形成し、該導電膜を部分的に除去
して電極パターンを形成する方法一般に適用することが
できる。この場合、セラミック焼結体の外表面に最初に
形成される導電膜は、必ずしも焼結体の外表面の全面に
形成されずともよい。
６とを形成する方法に限らず、本発明にかかるセラミッ
ク電子部品の電極パターン形成方法は、セラミック焼結
体の外表面に導電膜を形成し、該導電膜を部分的に除去
して電極パターンを形成する方法一般に適用することが
できる。この場合、セラミック焼結体の外表面に最初に
形成される導電膜は、必ずしも焼結体の外表面の全面に
形成されずともよい。
【００３３】
【発明の効果】請求項１に記載の発明にかかるセラミッ
ク電子部品の電極パターン形成方法では、セラミック焼
結体表面に導電膜を形成した後、マスクを被せてブラス
ト装置により砥材を投射し、マスクの開口部において導
電膜を部分的に除去することにより電極パターンを形成
するため、超音波加工機を用いた導電膜除去方法と異な
り、多数のセラミック焼結体を同時に処理することがで
きる。また、超音波加工機を用いた場合には、工具の交
換に長時間を要し、生産性が低下していたが、本発明に
かかる電極パターン形成方法では、上記のようにブラス
ト装置から砥材を投射することにより導電膜を除去する
ものであるため、このような生産性を低下させる工具の
取替え工程を必要としない。
ク電子部品の電極パターン形成方法では、セラミック焼
結体表面に導電膜を形成した後、マスクを被せてブラス
ト装置により砥材を投射し、マスクの開口部において導
電膜を部分的に除去することにより電極パターンを形成
するため、超音波加工機を用いた導電膜除去方法と異な
り、多数のセラミック焼結体を同時に処理することがで
きる。また、超音波加工機を用いた場合には、工具の交
換に長時間を要し、生産性が低下していたが、本発明に
かかる電極パターン形成方法では、上記のようにブラス
ト装置から砥材を投射することにより導電膜を除去する
ものであるため、このような生産性を低下させる工具の
取替え工程を必要としない。
【００３４】しかも、レジストやレジストマスキングを
用いる方法とは異なり、上記マスクは導電膜上への着脱
が自在に構成されており、繰り返し使用することができ
る。従って、工程の簡略化を図り得ると共に、コストの
低減も果たし得る。
用いる方法とは異なり、上記マスクは導電膜上への着脱
が自在に構成されており、繰り返し使用することができ
る。従って、工程の簡略化を図り得ると共に、コストの
低減も果たし得る。
【００３５】従って、請求項１に記載の発明によれば、
セラミック焼結体の表面に導電膜を形成した後、ブラス
ト装置により砥材を投射するだけで確実に導電膜を部分
的に除去して電極パターンを形成し得るので、例えば、
請求項４に記載の発明にかかる誘電体共振器の入出力電
極の形成を容易かつ高精度に、さらに安価に行うことが
可能となる。
セラミック焼結体の表面に導電膜を形成した後、ブラス
ト装置により砥材を投射するだけで確実に導電膜を部分
的に除去して電極パターンを形成し得るので、例えば、
請求項４に記載の発明にかかる誘電体共振器の入出力電
極の形成を容易かつ高精度に、さらに安価に行うことが
可能となる。
【００３６】請求項３に記載の発明では、上記導電膜が
Ｃｕを主成分とするため、セラミック焼結体表面にメッ
キ等により容易にかつ安価に付与することができ、かつ
電気抵抗の小さい電極パターンを形成することができ
る。
Ｃｕを主成分とするため、セラミック焼結体表面にメッ
キ等により容易にかつ安価に付与することができ、かつ
電気抵抗の小さい電極パターンを形成することができ
る。
【００３７】請求項４に記載の発明では、誘電体ブロッ
クの外表面の全面にＣｕを主成分とする導電膜を形成
し、上記ブラスト装置により砥材を投射するだけで、外
導体と入出力電極とを形成することができるので、誘電
体共振器の外表面に構成される入出力電極及び外導体を
容易かつ高精度に形成することができ、さらに誘電体共
振器のコストを低減することが可能となる。
クの外表面の全面にＣｕを主成分とする導電膜を形成
し、上記ブラスト装置により砥材を投射するだけで、外
導体と入出力電極とを形成することができるので、誘電
体共振器の外表面に構成される入出力電極及び外導体を
容易かつ高精度に形成することができ、さらに誘電体共
振器のコストを低減することが可能となる。
【図１】本発明にかかる電極パターン形成方法で用いら
れる誘電体ブロックを示す斜視図。
れる誘電体ブロックを示す斜視図。
【図２】図１に示した誘電体ブロックの外表面に入出力
電極及び外導体を形成した状態を示す斜視図。
電極及び外導体を形成した状態を示す斜視図。
【図３】導電膜に砥材を投射するためのブラスト装置を
説明するための概略構成図。
説明するための概略構成図。
【図４】導電膜に被せられるマスクの一例を示す斜視
図。
図。
【図５】導電膜に被せられるマスクの他の例を示す斜視
図。
図。
１…誘電体ブロック ２…誘電体同軸共振器 ４，５…入出力電極 ６…外導体 ７…ブラスト装置 ８，９…マスク ８ａ，８ｂ，９ａ，９ｂ…マスクの開口部
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミック焼結体の表面に形成された導
電膜を部分的に除去して電極パターンを形成する方法に
おいて、 セラミック焼結体表面に導電膜を形成する工程と、 前記導電膜上に、開口部を有しかつ導電膜上に対して着
脱自在のマスクを被せてブラスト装置により砥材を投射
し、マスクの開口部において導電膜を部分的に除去する
ことにより電極パターンを形成する工程と、 マスクを導電膜上から取り外す工程とを備えることを特
徴とするセラミック電子部品の電極パターン形成方法。 - 【請求項２】 前記セラミック焼結体の表面に導電膜を
形成する工程において、セラミック焼結体の外表面の全
面に導電膜を形成することを特徴とする、請求項１に記
載のセラミック電子部品の電極パターン形成方法。 - 【請求項３】 前記導電膜がＣｕを主成分とする、請求
項１または２の記載のセラミック電子部品の電極パター
ン形成方法。 - 【請求項４】 誘電体共振器を構成するためのセラミッ
ク焼結体よりなる誘電体ブロックの外表面の全面にＣｕ
を主成分とする導電膜を形成する工程と、 前記導電膜にマスクを被せてブラスト装置により砥材を
投射し、マスクの開口部において導電膜を部分的に除去
することにより、外導体と入出力電極とを形成する工程
とを備えることを特徴とする誘電体共振器の入出力電極
形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9305933A JPH10245286A (ja) | 1997-01-06 | 1997-11-07 | セラミック電子部品の電極パターン形成方法及び誘電体共振器の入出力電極形成方法 |
| US08/999,313 US6074697A (en) | 1997-01-06 | 1997-12-29 | Method for forming an electrode pattern such as a pattern of input-output electrodes of dielectric resonators |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-340 | 1997-01-06 | ||
| JP34097 | 1997-01-06 | ||
| JP9305933A JPH10245286A (ja) | 1997-01-06 | 1997-11-07 | セラミック電子部品の電極パターン形成方法及び誘電体共振器の入出力電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10245286A true JPH10245286A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=26333305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9305933A Pending JPH10245286A (ja) | 1997-01-06 | 1997-11-07 | セラミック電子部品の電極パターン形成方法及び誘電体共振器の入出力電極形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6074697A (ja) |
| JP (1) | JPH10245286A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009004852A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-01-08 | Toppan Forms Co Ltd | アンテナの形成方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7069645B2 (en) * | 2001-03-29 | 2006-07-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing a circuit board |
| DE102013110037B4 (de) * | 2013-09-12 | 2018-05-09 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4232059A (en) * | 1979-06-06 | 1980-11-04 | E-Systems, Inc. | Process of defining film patterns on microelectronic substrates by air abrading |
| US4952420A (en) * | 1988-10-12 | 1990-08-28 | Advanced Dielectric Technologies, Inc. | Vapor deposition patterning method |
| JP2881963B2 (ja) * | 1990-05-25 | 1999-04-12 | ソニー株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
| US5120572A (en) * | 1990-10-30 | 1992-06-09 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of fabricating electrical components in high density substrates |
| US5578974A (en) * | 1995-04-28 | 1996-11-26 | Motorola, Inc. | Piezoelectric filter with a curved electrode |
-
1997
- 1997-11-07 JP JP9305933A patent/JPH10245286A/ja active Pending
- 1997-12-29 US US08/999,313 patent/US6074697A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009004852A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-01-08 | Toppan Forms Co Ltd | アンテナの形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6074697A (en) | 2000-06-13 |
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