JP2001240976A - 無電解メッキ方法、インクジェットヘッドの製造方法および電極基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 必要な位置におけるメッキ膜の成膜速度を均
一にすることができる無電解メッキ方法を得る。 【解決手段】 第１の触媒核１３ａとこの第１の触媒核
１３ａの近傍に配置された第１または第２の触媒核１３
ａ、１３ｂとの間の間隙を全ての第１の触媒核１３ａに
ついて略同一する第２の触媒核１３ｂを形成した。これ
によって、電極形成工程に際しては第１の触媒核上での
化学的な反応エネルギーの活性度をほぼ等しくすること
が可能になるので、必要な位置におけるメッキ膜の成膜
速度を均一にすることができる無電解メッキ方法を得る
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、無電解メッキ方
法、インクジェットヘッドの製造方法および電極基板に
関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、基板の表面に電極を形成する方
法の一つとして、電極を形成したい部分に金属を析出さ
せることで電極を形成するようにした無電解メッキ方法
がある。この無電解メッキ方法は量産性に優れている。
無電解メッキ方法により電極を形成した電極基板は、例
えば、インクジェットプリンタのインクジェットヘッド
やサーマルプリンタのサーマルヘッド等に使用される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、無電解メッ
キ方法におけるメッキ膜の成長速度(以降、成膜速度と
する)は、形成するメッキ膜のパターンの密度に左右さ
れ、パターンの密度が低い部分である程成膜速度が遅く
なることが一般的に知られている。これは、パターンの
集中している部分の方が、化学的な反応エネルギーの活
性度が高くなって反応が容易に進行するためである。同
一基板上においては、形成するメッキ膜のパターン同士
の間隔が広い部分は、パターン同士の間隔が狭い部分よ
りも成膜速度が遅くなる。

【０００４】ここで、図７(ａ)は基板上に形成される配
線パターンの一例を示す平面図であり、図７(ｂ)は無電
解メッキ方法により図７(ａ)に示すパターンでメッキ膜
を形成した電極基板の各位置毎のメッキ膜の膜厚分布を
図示したものである。各位置とは、図７(ａ)の配線パタ
ーンでの各メッキ膜の形成位置に対応している。図７
(ｂ)からは、電極基板３０の端部側あるいは隣接するメ
ッキ膜との間隔が広い部分に形成されるメッキ膜３２の
膜厚は、形成するパターンの密度が高い位置のメッキ膜
３１の膜厚より明らかに薄いことがわかる。

【０００５】このような電極基板３０では、各電極のメ
ッキ膜の膜厚の差異に応じて電気抵抗の差が生じる。こ
のため、このような電極基板３０を使用した種々の装置
では、制御にばらつきが生じ、良好な制御を行うことが
できない。

【０００６】本発明は、必要な位置におけるメッキ膜の
成膜速度を均一にすることができる無電解メッキ方法を
得ることを目的とする。

【０００７】本発明は、電極として機能させるメッキ膜
における成膜速度を均一にすることができるインクジェ
ットヘッド製造方法を得ることを目的とする。

【０００８】本発明は、必要な電極におけるメッキ膜の
膜厚が均一な電極基板を得ることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の無
電解メッキ方法は、基板に対してセンシタイジング−ア
クチベーション法またはキャタライジング−アクセラレ
ーティング法による前処理を施すことにより前記基板表
面に複数の第１の触媒核を形成する触媒核形成工程と、
前記第１の触媒核上にメッキ膜を形成する成膜工程とを
含んでなる無電解メッキ方法において、前記メッキ膜を
形成する前に、前記基板に対してセンシタイジング−ア
クチベーション法またはキャタライジング−アクセラレ
ーティング法による前処理を施すことにより第２の触媒
核を形成することで前記第１の触媒核と前記第１または
第２の触媒核との間の間隙を全ての前記第１の触媒核に
ついて略同一とし、前記成膜工程に際しては前記第１お
よび第２の触媒核上に前記メッキ膜を形成する。

【００１０】したがって、第２の触媒核が形成されるこ
とにより、第１の触媒核と第１または第２の触媒核との
間の間隙が全ての第１の触媒核について略同一とされ
る。これによって、メッキ膜の形成に際しては第１の触
媒核上での化学的な反応エネルギーの活性度をほぼ等し
くすることが可能になる。

【００１１】請求項２記載の発明のインクジェットヘッ
ドの製造方法は、板厚方向に分極された圧電部材を形成
する基板形成工程および支柱により両側を仕切られて平
行に延出する複数の溝を前記基板に形成する溝形成工程
を経た前記基板に対してセンシタイジング−アクチベー
ション法またはキャタライジング−アクセラレーティン
グ法による前処理を施すことにより前記基板表面に複数
の第１の触媒核を形成する触媒核形成工程と、前記第１
の触媒核上にメッキ膜を形成する電極形成工程と、前記
電極形成工程を経た前記基板に対してインク吐出口を有
するノズル板と蓋部材とを設けることにより前記溝を閉
塞してインク室を形成するインク室形成工程とにより形
成するインクジェットヘッドの製造方法において、前記
メッキ膜を形成する前に、前記基板に対してセンシタイ
ジング−アクチベーション法またはキャタライジング−
アクセラレーティング法による前処理を施すことにより
第２の触媒核を形成することで、前記第１の触媒核と前
記第１または第２の触媒核との間の間隙を全ての前記第
１の触媒核について略同一とし、前記電極形工程に際し
ては前記第１および第２の触媒核上に前記メッキ膜を形
成する。

【００１２】したがって、第２の触媒核が形成されるこ
とにより、第１の触媒核と第１または第２の触媒核との
間の間隙が全ての第１の触媒核について略同一とされ
る。これによって、メッキ膜の形成に際しては第１の触
媒核上での化学的な反応エネルギーの活性度をほぼ等し
くすることが可能になる。

【００１３】請求項３記載の発明の電極基板は、請求項
１記載の無電解メッキ方法により成膜されて、前記第１
の触媒核上に形成される前記メッキ膜を電極として機能
させる第１の電極とし、前記第２の触媒核上に形成され
る前記メッキ膜を電極として機能させない第２の電極と
する。

【００１４】したがって、この電極基板を、例えば、イ
ンクジェットプリンタヘッドに適用し、第１の電極のみ
に配線等を接続して正規の電極として使用することによ
り、各電極において電気抵抗を等しくできるので充電さ
れた電荷の充電または放電時間のばらつきを低減するこ
とが可能になる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図１ない
し図６に基づいて説明する。本実施の形態は、無電解メ
ッキ方法により形成した電極基板を使用したインクジェ
ットプリンタへの適用例を示すものである。従来の技術
として説明した部分と同一部分は同一符号で示し、一部
説明を省略する。

【００１６】図１は、インクジェットプリンタの一部を
示す斜視図である。金属により形成された底板としての
ベース基板１には、表面に銅線等により形成された回路
(図示せず)を有する駆動回路基板２と、圧電素子により
形成される基板としてのヘッド基板３とが取り付けられ
ている。本実施の形態では、ヘッド基板３が圧電部材と
されており、その分極方向は板厚方向に沿っている。

【００１７】駆動回路基板２上には、複数のＩＣ回路チ
ップ４が設けられている。このＩＣ回路チップ４に形成
された回路(図示せず)は、駆動回路基板２に形成された
回路にリード端子５により接続されている。また、駆動
回路基板２に形成された回路には、図示しない制御部や
電源に接続されたフレキシブルケーブル６が接続されて
いる。このフレキシブルケーブル６を介して、駆動パル
ス電圧や印字信号等が駆動回路基板２に入力される。

【００１８】ヘッド基板３には、上側および前面側に向
けて開口する複数の溝７が平行に形成されている。これ
らの溝７は、それぞれが支柱８により仕切られている。
溝７の内面およびヘッド基板３の表面には、無電解メッ
キ方法の一つである無電解ニッケルメッキ法により形成
された複数の電極９が設けられている。

【００１９】本実施の形態では、ヘッド基板３の表面に
形成される電極９には、リード端子１０を介して対応す
るＩＣ回路チップ４へ接続されて使用される第１の電極
としての正規の電極９ａと、駆動回路基板２に接続され
ない第２の電極としての補助電極９ｂとが設けられてい
る。正規の電極９ａは、複数のブロックに分割されてお
り、各ブロック毎に対応するＩＣ回路チップ４へ接続さ
れている(図６(ａ)参照)。

【００２０】溝７のヘッド基板３の前面側に向けて開口
している前面開口部７ａは、複数のインク吐出口１６が
形成されたノズル板１７により閉塞されている。溝７の
ヘッド基板３の上側に向けて開口している上側開口部７
ｂは、蓋部材１９により閉塞されている。これにより、
ヘッド基板３の溝７の開口部分７ａ、７ｂが閉塞されて
溝７部分にインク室２０が形成される。蓋部材１９に
は、各インク室２０にインクを供給するインク供給管２
１が接続されるインク供給路２２が形成されている。

【００２１】このようなインクジェットヘッドでは、圧
電素子により形成されるヘッド基板３自体が誘電体を形
成している。印字に際しては、インク室２０内にインク
を供給した状態で所定の電極９へ電圧を印加する。電圧
が印加された電極９に対応する支柱８は、インク室２０
の容積を大きくする方向へシェアモード変形する。この
電極９に印加する電圧の極性を逆転させると、支柱８が
急激に初期位置に復帰する。支柱８が初期位置に復帰し
た際に、インク室２０内のインクが加圧されて、インク
室２０内のインクの一部がインク滴となってインク吐出
口１６から吐出する。

【００２２】インクジェットヘッドの各電極９へ駆動電
圧を印加し、支柱８を変形させることによりインク室２
０に圧力を発生させ、インク吐出口１６よりインク滴を
吐出させる場合、インクジェットヘッドの各電極９への
駆動電圧の印加時間は、支柱８における誘電体自体の静
電容量と、駆動回路基板２に形成された回路の内部抵抗
およびヘッド基板３での配線抵抗との和で決定される駆
動源のインピーダンスとの積により取得される。支柱８
における誘電体自体の静電容量が一定と仮定すると、印
加時間は、駆動源のインピーダンスが低い場合には充電
または放電時間が短くなり、駆動源のインピーダンスが
高い場合には充電または放電時間が長くなる。この充電
または放電時間はインクの吐出速度や吐出体積等に影響
を及ぼす。したがって、前記メッキ膜の膜厚を均一にす
ることによりインクの吐出のばらつきをなくする効果を
有するものである。

【００２３】ここで、図２ないし図５を参照して、電極
９の製作工程について説明する。本実施の形態では、無
電解メッキ方法の一つである無電解ニッケルメッキ法に
より電極９を製作している。無電解メッキ方法は、析出
する金属の平衡電位と、溶液中の還元剤の酸化還元電位
との差を駆動力としてメッキの形成反応が進行し、電気
エネルギー等の外部からのエネルギーを必要としないメ
ッキ方法である。なお、ここでは、インク室２０(溝７)
部分を省略してヘッド基板３の上面の電極９についての
み示している。

【００２４】まず、無電解ニッケルメッキ法によるメッ
キ膜の形成を開始する前に、純水を用いた超音波洗浄を
行ってヘッド基板３上の研削粉を落す。次いで、ヘッド
基板３上の埃やゴミや有機物の除去、及び、親水化を図
るための純水を用いた超音波洗浄を行う。さらに、エタ
ノール等の有機溶剤を用いた超音波洗浄を行った後この
エタノールを置換するために純水での十分な流水洗浄を
行い、１２０℃で乾燥させる。

【００２５】このような洗浄，乾燥処理が終了した後、
ＤＦＲラミネータを用いてヘッド基板の表面全体にドラ
イフィルム１１を貼り付ける(図２参照)。

【００２６】次に、所定のパターンを形成するためのパ
ターニング処理を行う。ここで、図３はリード端子１０
が接続されて正規に使用される電極９ａの配線パターン
Ａの一部を示す斜視図、図４は本実施の形態のインクジ
ェットプリンタに適用される正規の電極９ａおよび補助
電極９ｂの配線パターンＢの一部を示す斜視図である。

【００２７】従来のパターニング処理では、ヘッド基板
３の表面に貼り付けたドライフィルム１１の上にレジス
ト用マスク(図示せず)を載せて露光、現像処理を行うこ
とで、ヘッド基板３のメッキ膜を形成したい配線パター
ンＡの部分以外を覆うパターンレジスト膜１２を形成す
る(図３参照)。

【００２８】本実施の形態のパターニング処理では、ヘ
ッド基板３の表面に貼り付けたドライフィルム１１の上
にレジスト用マスク(図示せず)を載せて露光、現像処理
を行うことで、インクジェットプリンタにおいて電極９
として使用される正規の電極９ａが形成される配線パタ
ーンＡで示される部分のヘッド基板３を露出させる正規
電極部１２ａと、補助電極９ｂが形成される部分のヘッ
ド基板３を露出させる補助電極部１２ｂが形成されたパ
ターンレジスト膜１２を形成する(図４参照)。

【００２９】なお、補助電極９ｂとは、電極９の形成後
にリード端子１０を介して駆動回路基板２に形成された
回路に接続されない擬似的な電極を意味する。この補助
電極９ｂは、各正規電極部１２ａと正規電極部１２ａま
たは補助電極部１２ｂとの間のドライフィルム１１の幅
を、全ての正規電極部１２ａについて略同一とする位置
に形成される。

【００３０】次に、無電解ニッケルメッキ法の前処理と
して、センシタイジング−アクチベーション処理を行
う。センシタイジング処理は、所定の濃度のＳｎＦ２と
ＨＦとの混合溶液の中へパターンレジスト膜１２を形成
したヘッド基板３を所定時間撹拌しながら浸漬させるこ
とにより行う。この処理により、ヘッド基板３における
パターンレジスト膜１２に覆われていない部分に対して
Ｓｎの吸着とエッチングとが行われる。

【００３１】本来、メッキで析出した金属はそれ自体の
アンカー効果によって母体(ここではヘッド基板３)との
密着性を保っているが、本実施の形態では、ヘッド基板
３の表面をエッチングで所定の粗さにして表面積を広げ
ることで、ヘッド基板３の表面においてもよりメッキ膜
の密着性を強固にすることができる。

【００３２】センシタイジング処理が終了した後、アク
チベーション処理を二段階に分けて行う。一段階目のア
クチベーション処理は、センシタイジング処理が終了し
たヘッド基板３を所定濃度のＡｇＮＯ３の溶液中に撹拌
しながら所定時間浸漬させることにより行う。この処理
により、センシタイジング処理で吸着されたＳｎとＡｇ
との置換反応が起こり、ヘッド基板３にＡｇが吸着す
る。さらに、二段階目のアクチベーション処理は、一段
階目のアクチベーション処理が終了したヘッド基板３を
所定濃度のＰｄＣｌ２とＨＣｌとの混合溶液中に撹拌し
ながら所定時間浸漬させることにより行う。この処理に
より、ＡｇとＰｄとの置換反応が起こり、正規の電極９
ａの配線パターン部分および補助電極９ｂの配線パター
ン部分にニッケルメッキの触媒核となるＰｄが吸着す
る。

【００３３】以上のようにしてセンシタイジング−アク
チベーション処理が終了した後、このヘッド基板３をＮ
ａＯＨ溶液に浸漬させてパターンレジスト膜１２を剥離
すると、図５に示すように、ヘッド基板３の表面に、正
規の電極９ａおよび補助電極９ｂを形成する部分に無電
解ニッケルメッキの触媒核となるＰｄが吸着した第１お
よび第２の触媒核１３ａ、１３ｂが形成される。これに
よって、第２の触媒核１３ｂにより第１の触媒核１３ａ
と第１または第２の触媒核１３ａ、１３ｂとの間の間隙
は全ての第１の触媒核１３ａについて略同一とされる。
また、本実施の形態では、第１の触媒核１３ａと第１ま
たは第２の触媒核１３ａ、１３ｂとの間の間隙とは、第
１の触媒核１３ａと第１または第２の触媒核１３ａ、１
３ｂとの間に位置して、第１あるいは第２の触媒核１３
ａ、１３ｂのいずれも形成されず、ヘッド基板３が露出
される部分を意味する。

【００３４】次に、上述した前処理が終了したヘッド基
板３をメッキ液に浸漬させることによりＰｄ上にＮｉの
メッキ膜を成膜する。

【００３５】ここで、メッキ液は、金属塩として所定濃
度のニッケル塩、錯化剤として所定濃度の酒石酸塩また
はグリシン、還元剤として所定濃度のジメチルアミンボ
ランを含む。さらに、ｐＨを５．０〜７．０に調整する
ための水酸化ナトリウムを含む。

【００３６】このメッキ液は活性度が高いため、メッキ
膜の析出速度は早くなる。また、Ｐｄを吸着させること
により形成した第１および第２の触媒核１３ａ、１３ｂ
においては、第２の触媒核１３ｂにより第１の触媒核１
３ａと第１または第２の触媒核１３ａ、１３ｂとの間の
間隙が全ての第１の触媒核１３ａについて略同一とされ
ているため、Ｐｄを触媒核としたメッキ膜の析出におけ
る化学的な反応エネルギーの活性度が第１の触媒核１３
ａ上でほぼ等しくなる。これによって、必要とする正規
の電極９ａの基礎となる第１の触媒核１３ａにおけるＮ
ｉのメッキ膜の成膜速度をヘッド基板３全体で均一にす
ることができる。

【００３７】なお、Ｎｉのメッキ膜の形成に際して、メ
ッキ膜となる金属の析出反応に伴って水素ガスが発生す
る。この水素ガスが反応表面に吸着していると析出反応
を阻害してピンホールの原因となるため、本実施の形態
では、メッキ液にヘッド基板３を浸漬させている際に、
定期的にヘッド基板３に振動を与えて水素ガスの除去を
行った。

【００３８】これによって、正規の電極９ａとして使用
されるメッキ膜の膜厚がヘッド基板３の全体に亘って均
一に形成された電極基板３ａを製作することができる
(図６参照)。

【００３９】ここで、図６(ａ)は本実施の形態の電極基
板３ａの配線パターンＢの一部を示す平面図であり、図
６(ｂ)は配線パターンＢの電極基板３ａを無電解ニッケ
ルメッキ法により形成した場合の各位置毎のメッキ膜の
膜厚分布を示す図である。各位置とは、図６(ａ)の配線
パターンＢで形成された電極基板３ａの各電極９ａ、９
ｂに対応している。図６(ｂ)からも分かるように、補助
電極９ｂとして形成したメッキ膜の膜厚は正規の電極９
ａよりも薄くなっているが、リード端子１０が接続され
る正規の電極９ａとして形成したメッキ膜の膜厚は、ヘ
ッド基板３上でほぼ等しくなる。

【００４０】このような電極基板３ａを使用したインク
ジェットヘッドでは、正規の電極９ａにおけるメッキ膜
の膜厚が等しいために駆動源のインピーダンスが均一と
なるので電荷の充放電時間が等しくなる。つまり、いず
れのインク吐出口１６からインクを吐出させる場合に
も、インクの吐出速度や吐出体積を均一にすることがで
き、良好な印字を得ることができる。

【００４１】また、本実施の形態では、上述のように作
成した電極基板３ａをインクジェットプリンタのインク
ジェットヘッドに適用したが、これに限るものではな
く、例えば、サーマルプリンタのサーマルヘッドに適用
してもよい。

【００４２】なお、本実施例においては、無電解ニッケ
ルメッキ法の前処理としてセンシタイジング−アクチベ
ーション処理を行った場合を例に挙げて説明したが、こ
のセンシタイジング−アクチベーション処理に代えてキ
ャタライジング−アクセラレーティング処理を行っても
よい。

【００４３】また、本実施の形態では無電解メッキ方法
の１つとして無電解ニッケルメッキ法について説明した
が、これに限るものではなく、無電解メッキ方法全般に
適用することが可能である。

【００４４】さらに、本実施の形態では上述した無電解
メッキ方法により電極基板３ａを形成したが、これに限
るものではなく、無電解メッキ方法により形成したメッ
キ膜を必要とし、そのパターンが所定の方向へ断続的に
連なるものであれば適宜適用することが可能である。

【００４５】

【発明の効果】請求項１記載の発明の無電解メッキ方法
によれば、第２の触媒核を形成することにより第１の触
媒核と第１または第２の触媒核との間の間隙を全ての第
１の触媒核について略同一とすることで、メッキ膜の形
成に際しては第１の触媒核上での化学的な反応エネルギ
ーの活性度をほぼ等しくすることが可能になるので、必
要な位置におけるメッキ膜の成膜速度を均一にすること
ができる無電解メッキ方法を得ることができる。

【００４６】請求項２記載の発明のインクジェットヘッ
ド製造方法によれば、第２の触媒核を形成することによ
り第１の触媒核と第１または第２の触媒核との間の間隙
を全ての第１の触媒核について略同一とすることで、メ
ッキ膜の形成に際しては第１の触媒核上での化学的な反
応エネルギーの活性度をほぼ等しくすることが可能にな
るので、電極として機能させるメッキ膜における成膜速
度を均一にすることができるインクジェットヘッド製造
方法を得ることができる。

【００４７】請求項３記載の発明の電極基板によれば、
請求項１記載の無電解メッキ方法により成膜された第１
の電極および第２の電極を有する電極基板を、例えば、
インクジェットプリンタヘッドに適用し、第１の電極の
みを正規の電極として使用することにより、必要な電極
におけるメッキ膜の膜厚が均一な電極基板を得ることが
でき、各電極において、電荷の充電または放電時間を等
しくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態のインクジェットプリン
タの一部を示す斜視図である。

【図２】表面全体にドライフィルムを貼り付けたヘッド
基板の一部を示す斜視図である。

【図３】第１の触媒核を形成するためにパターンレジス
ト膜を形成した状態のヘッド基板の一部を示す斜視図で
ある。

【図４】第１および第２の触媒核を形成するためにパタ
ーンレジスト膜を形成した状態のヘッド基板の一部を示
す斜視図である。

【図５】正規の電極および補助電極を形成する部分に、
無電解ニッケルメッキの触媒核となるＰｄが吸着された
ヘッド基板の一部を示す斜視図である。

【図６】(ａ)は本実施の形態の電極基板の配線パターン
の一部を示す平面図であり、(ｂ)はこの配線パターンの
電極基板を無電解ニッケルメッキ法により形成した場合
の各位置毎のメッキ膜の膜厚分布を示す図である。

【図７】(ａ)は従来のインクジェットヘッドの電極パタ
ーンの一部を示す平面図であり、(ｂ)はこのパターンで
メッキ膜を形成した電極基板の各位置毎のメッキ膜の膜
厚分布を図示したものである。

【符号の説明】

１ 底板(ベース基板) ３ 基板、圧電部材(ヘッド基板) ７ 溝 ８ 支柱 ９ａ 第１の電極(正規の電極) ９ｂ 第２の電極(補助電極) １３ａ 第１の触媒核 １３ｂ 第２の触媒核 １６ インク吐出口 １７ ノズル板 １９ 蓋部材 ２０ インク室

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に対してセンシタイジング−アクチ
   ベーション法またはキャタライジング−アクセラレーテ
   ィング法による前処理を施すことにより前記基板表面に
   複数の第１の触媒核を形成する触媒核形成工程と、前記
   第１の触媒核上にメッキ膜を形成する成膜工程とを含ん
   でなる無電解メッキ方法において、 前記メッキ膜を形成する前に、前記基板に対してセンシ
   タイジング−アクチベーション法またはキャタライジン
   グ−アクセラレーティング法による前処理を施すことに
   より第２の触媒核を形成することで前記第１の触媒核と
   前記第１または第２の触媒核との間の間隙を全ての前記
   第１の触媒核について略同一とし、前記成膜工程に際し
   ては前記第１および第２の触媒核上に前記メッキ膜を形
   成することを特徴とする無電解メッキ方法。
2. 【請求項２】 板厚方向に分極された圧電部材を形成す
   る基板形成工程および支柱により両側を仕切られて平行
   に延出する複数の溝を前記基板に形成する溝形成工程を
   経た前記基板に対してセンシタイジング−アクチベーシ
   ョン法またはキャタライジング−アクセラレーティング
   法による前処理を施すことにより前記基板表面に複数の
   第１の触媒核を形成する触媒核形成工程と、前記第１の
   触媒核上にメッキ膜を形成する電極形成工程と、前記電
   極形成工程を経た前記基板に対してインク吐出口を有す
   るノズル板と蓋部材とを設けることにより前記溝を閉塞
   してインク室を形成するインク室形成工程とにより形成
   するインクジェットヘッドの製造方法において、 前記メッキ膜を形成する前に、前記基板に対してセンシ
   タイジング−アクチベーション法またはキャタライジン
   グ−アクセラレーティング法による前処理を施すことに
   より第２の触媒核を形成することで前記第１の触媒核と
   前記第１または第２の触媒核との間の間隙を全ての前記
   第１の触媒核について略同一とし、前記電極形工程に際
   しては前記第１および第２の触媒核上に前記メッキ膜を
   形成することを特徴とするインクジェットヘッドの製造
   方法。
3. 【請求項３】 請求項１記載の無電解メッキ方法により
   成膜されて、前記第１の触媒核上に形成される前記メッ
   キ膜を電極として機能させる第１の電極とし、前記第２
   の触媒核上に形成される前記メッキ膜を電極として機能
   させない第２の電極とする電極基板。