JPH10243552A - サージ吸収装置 - Google Patents
サージ吸収装置Info
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- JPH10243552A JPH10243552A JP4208497A JP4208497A JPH10243552A JP H10243552 A JPH10243552 A JP H10243552A JP 4208497 A JP4208497 A JP 4208497A JP 4208497 A JP4208497 A JP 4208497A JP H10243552 A JPH10243552 A JP H10243552A
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- surge absorbing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 サージ吸収素子が導通モードになった場合
に、その故障を短時間に発見させることができるサージ
吸収装置を提供する。 【解決手段】 電子機器の高周波ライン２０，３０，４
０を介して、第１，第２のサージ吸収素子Ｚ１１，Ｚ１
２に許容以上の過大なサージ電圧が印加され、前記第
１，第２のサージ吸収素子の少なくとも一方が破壊さ
れ、短絡状態になった場合、短絡状態になった前記第
１，第２のサージ吸収素子が属する第１，第２のサージ
吸収回路１０１，１０２の第１，第２の発光素子Ｐ１
１，Ｐ１２には、バイアス用電源から電流が流れるので
発光する。この発光により、電子機器の管理者は、直ち
に第１，第２のサージ吸収素子Ｚ１１，Ｚ１２の短絡状
態を認識でき、この電子機器の復旧を図ることが容易に
できる。
に、その故障を短時間に発見させることができるサージ
吸収装置を提供する。 【解決手段】 電子機器の高周波ライン２０，３０，４
０を介して、第１，第２のサージ吸収素子Ｚ１１，Ｚ１
２に許容以上の過大なサージ電圧が印加され、前記第
１，第２のサージ吸収素子の少なくとも一方が破壊さ
れ、短絡状態になった場合、短絡状態になった前記第
１，第２のサージ吸収素子が属する第１，第２のサージ
吸収回路１０１，１０２の第１，第２の発光素子Ｐ１
１，Ｐ１２には、バイアス用電源から電流が流れるので
発光する。この発光により、電子機器の管理者は、直ち
に第１，第２のサージ吸収素子Ｚ１１，Ｚ１２の短絡状
態を認識でき、この電子機器の復旧を図ることが容易に
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、雷サージを含む高
電圧のサージが印加されることが予測される電子機器の
信号ラインに装着されて、前記サージが前記信号ライン
に印加された場合に、前記サージを吸収して前記サージ
から前記電子機器を保護するサージ吸収装置に関する。
電圧のサージが印加されることが予測される電子機器の
信号ラインに装着されて、前記サージが前記信号ライン
に印加された場合に、前記サージを吸収して前記サージ
から前記電子機器を保護するサージ吸収装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、放送機器、例えば送信機等の電子
機器の電力増幅部に使用する部品は、真空管から半導体
装置に変更されてきている。しかし、電子機器に組み込
まれたこの半導体装置は、真空管に比較して耐電圧の特
性が低く、使用された半導体装置が、アンテナや電源等
から侵入してくる雷サージなどの高電圧のサージによっ
て非常に破壊され易いことが問題となる。そこで、サー
ジが印加され易い出力信号ラインや電源ライン等にサー
ジ吸収装置を装着してサージを吸収しようとするのが一
般的である。特に、半導体を使用した電力増幅器の出力
の高周波ラインから侵入するサージ（例えば、送信機の
出力すなわちアンテナからの雷サージ、真空管のフラッ
シュオーバによる電圧サージ等）を低減するために、半
導体のサージ吸収素子を組み込んだサージ吸収装置を高
周波ラインに接続することが行われている。
機器の電力増幅部に使用する部品は、真空管から半導体
装置に変更されてきている。しかし、電子機器に組み込
まれたこの半導体装置は、真空管に比較して耐電圧の特
性が低く、使用された半導体装置が、アンテナや電源等
から侵入してくる雷サージなどの高電圧のサージによっ
て非常に破壊され易いことが問題となる。そこで、サー
ジが印加され易い出力信号ラインや電源ライン等にサー
ジ吸収装置を装着してサージを吸収しようとするのが一
般的である。特に、半導体を使用した電力増幅器の出力
の高周波ラインから侵入するサージ（例えば、送信機の
出力すなわちアンテナからの雷サージ、真空管のフラッ
シュオーバによる電圧サージ等）を低減するために、半
導体のサージ吸収素子を組み込んだサージ吸収装置を高
周波ラインに接続することが行われている。
【０００３】図２は、従来のサージ吸収装置を示す回路
図である。このサージ吸収装置は、一端が高周波ライン
５０に接続された第１のサージ吸収素子Ｚ５１と、アノ
ードが第１のサージ吸収素子Ｚ５１の他端に、カソード
がグランドにそれぞれ接続された第１のダイオードＤ５
１と、一端が高周波ライン５０に接続された第２のサー
ジ吸収素子Ｚ５２と、カソードが第２のサージ吸収素子
Ｚ５２の他端に、アノードがグランドにそれぞれ接続さ
れた第２のダイオードＤ５２とから構成されている。こ
のように、正負両極に対応しているのは、サージの極性
には正負の両方があるからである。
図である。このサージ吸収装置は、一端が高周波ライン
５０に接続された第１のサージ吸収素子Ｚ５１と、アノ
ードが第１のサージ吸収素子Ｚ５１の他端に、カソード
がグランドにそれぞれ接続された第１のダイオードＤ５
１と、一端が高周波ライン５０に接続された第２のサー
ジ吸収素子Ｚ５２と、カソードが第２のサージ吸収素子
Ｚ５２の他端に、アノードがグランドにそれぞれ接続さ
れた第２のダイオードＤ５２とから構成されている。こ
のように、正負両極に対応しているのは、サージの極性
には正負の両方があるからである。
【０００４】このサージ吸収装置において、サージが正
極性の場合、サージ電圧が第１のサージ吸収素子Ｚ５１
のクランプ電圧を越えるように第１のサージ吸収素子Ｚ
５１にかかると、そのサージは、第１のサージ吸収素子
Ｚ５１および第１のダイオードＤ５１によって吸収さ
れ、サージが負極性の場合、サージ電圧が第２のサージ
吸収素子Ｚ５２のクランプ電圧を越えるように第２のサ
ージ吸収素子Ｚ５２にかかると、そのサージは、第２の
サージ吸収素子Ｚ５２および第２のダイオードＤ５２に
よって吸収される。
極性の場合、サージ電圧が第１のサージ吸収素子Ｚ５１
のクランプ電圧を越えるように第１のサージ吸収素子Ｚ
５１にかかると、そのサージは、第１のサージ吸収素子
Ｚ５１および第１のダイオードＤ５１によって吸収さ
れ、サージが負極性の場合、サージ電圧が第２のサージ
吸収素子Ｚ５２のクランプ電圧を越えるように第２のサ
ージ吸収素子Ｚ５２にかかると、そのサージは、第２の
サージ吸収素子Ｚ５２および第２のダイオードＤ５２に
よって吸収される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来のサージ吸
収装置は、通常のサージに対しては、充分に効力を発揮
するのであるが、第１，第２のサージ吸収素子Ｚ５１，
Ｚ５２に許容以上の過大なサージ電圧が印加されると、
第１，第２のサージ吸収素子Ｚ５１，Ｚ５２は、一般に
破壊され導通モードとなってしまう。第１，第２のサー
ジ吸収素子Ｚ５１，Ｚ５２の少なくとも一方が導通モー
ドとなると、高周波ライン５０は、グランドに対して短
絡状態になり、それが組み込まれた電子機器は、正常に
運用することができなくなる。この故障原因を探索する
際に、サージ吸収素子Ｚ５１，Ｚ５２が短絡状態になっ
ていることを発見するのは、外観上からは非常に困難で
あり、この電子機器の故障原因の探索に多くの時間をか
ける一因となっている。
収装置は、通常のサージに対しては、充分に効力を発揮
するのであるが、第１，第２のサージ吸収素子Ｚ５１，
Ｚ５２に許容以上の過大なサージ電圧が印加されると、
第１，第２のサージ吸収素子Ｚ５１，Ｚ５２は、一般に
破壊され導通モードとなってしまう。第１，第２のサー
ジ吸収素子Ｚ５１，Ｚ５２の少なくとも一方が導通モー
ドとなると、高周波ライン５０は、グランドに対して短
絡状態になり、それが組み込まれた電子機器は、正常に
運用することができなくなる。この故障原因を探索する
際に、サージ吸収素子Ｚ５１，Ｚ５２が短絡状態になっ
ていることを発見するのは、外観上からは非常に困難で
あり、この電子機器の故障原因の探索に多くの時間をか
ける一因となっている。
【０００６】本発明の目的は、サージ吸収素子が短絡状
態になった場合の電子機器の故障探索に多大な時間がか
かるという従来技術の問題点を解決し、サージ吸収素子
の短絡状態に起因する故障を短時間に復旧させることが
できるサージ吸収装置を提供することである。
態になった場合の電子機器の故障探索に多大な時間がか
かるという従来技術の問題点を解決し、サージ吸収素子
の短絡状態に起因する故障を短時間に復旧させることが
できるサージ吸収装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前述した課題を解決する
ために、第１の発明は、雷サージを含む高電圧のサージ
が印加されることが予測される電子機器の信号ラインに
装着されて、前記サージが前記信号ラインに印加された
場合に、前記サージを吸収して前記サージから前記電子
機器を保護するサージ吸収装置であって、前記信号ライ
ンの第１のサージ吸収点に接続された第１のサージ吸収
回路と、前記信号ラインの第２のサージ吸収点に接続さ
れた第２のサージ吸収回路と、前記第１，第２のサージ
吸収点の間で前記信号ラインに挿入され、前記第１，第
２のサージ吸収点を直流的に切り離している第１の直流
電流阻止用コンデンサと、前記第１の直流電流阻止用コ
ンデンサから前記第１の吸収点側に延びる前記信号ライ
ンに、前記第１の吸収点を超えた位置で挿入された第２
の直流電流阻止用コンデンサと、前記第１の直流電流阻
止用コンデンサから前記第２の吸収点側に延びる前記信
号ラインに、前記第２の吸収点を超えた位置で挿入され
た第３の直流電流阻止用コンデンサとを有するととも
に、前記第１のサージ回路は、一端が前記第１のサージ
吸収点に接続された第１のサージ吸収素子と、アノード
が前記第１のサージ吸収素子の他端に、カソードがグラ
ンドにそれぞれ接続された第１のダイオードと、一端が
前記第１のサージ吸収点に接続された第１の電流制限用
抵抗と、一端が前記第１の電流制限用抵抗の他端に、他
端がバイアス用電源の正極性の端子にそれぞれ接続され
た第１の発光素子と、一端が前記第１の電流制限用抵抗
の他端に、他端がグランドにそれぞれ接続された第１の
高周波バイパス用コンデンサとを有し、前記第２のサー
ジ回路は、一端が前記第２のサージ吸収点に接続された
第２のサージ吸収素子と、アノードが前記第２のサージ
吸収素子の他端に、カソードがグランドにそれぞれ接続
された第２のダイオードと、一端が前記第２のサージ吸
収点に接続された第２の電流制限用抵抗と、一端が前記
第２の電流制限用抵抗の他端に、他端がバイアス用電源
の負極性の端子にそれぞれ接続された第２の発光素子
と、一端が前記第２の電流制限用抵抗の他端に、他端が
グランドにそれぞれ接続された第２の高周波バイパス用
コンデンサとを有する。
ために、第１の発明は、雷サージを含む高電圧のサージ
が印加されることが予測される電子機器の信号ラインに
装着されて、前記サージが前記信号ラインに印加された
場合に、前記サージを吸収して前記サージから前記電子
機器を保護するサージ吸収装置であって、前記信号ライ
ンの第１のサージ吸収点に接続された第１のサージ吸収
回路と、前記信号ラインの第２のサージ吸収点に接続さ
れた第２のサージ吸収回路と、前記第１，第２のサージ
吸収点の間で前記信号ラインに挿入され、前記第１，第
２のサージ吸収点を直流的に切り離している第１の直流
電流阻止用コンデンサと、前記第１の直流電流阻止用コ
ンデンサから前記第１の吸収点側に延びる前記信号ライ
ンに、前記第１の吸収点を超えた位置で挿入された第２
の直流電流阻止用コンデンサと、前記第１の直流電流阻
止用コンデンサから前記第２の吸収点側に延びる前記信
号ラインに、前記第２の吸収点を超えた位置で挿入され
た第３の直流電流阻止用コンデンサとを有するととも
に、前記第１のサージ回路は、一端が前記第１のサージ
吸収点に接続された第１のサージ吸収素子と、アノード
が前記第１のサージ吸収素子の他端に、カソードがグラ
ンドにそれぞれ接続された第１のダイオードと、一端が
前記第１のサージ吸収点に接続された第１の電流制限用
抵抗と、一端が前記第１の電流制限用抵抗の他端に、他
端がバイアス用電源の正極性の端子にそれぞれ接続され
た第１の発光素子と、一端が前記第１の電流制限用抵抗
の他端に、他端がグランドにそれぞれ接続された第１の
高周波バイパス用コンデンサとを有し、前記第２のサー
ジ回路は、一端が前記第２のサージ吸収点に接続された
第２のサージ吸収素子と、アノードが前記第２のサージ
吸収素子の他端に、カソードがグランドにそれぞれ接続
された第２のダイオードと、一端が前記第２のサージ吸
収点に接続された第２の電流制限用抵抗と、一端が前記
第２の電流制限用抵抗の他端に、他端がバイアス用電源
の負極性の端子にそれぞれ接続された第２の発光素子
と、一端が前記第２の電流制限用抵抗の他端に、他端が
グランドにそれぞれ接続された第２の高周波バイパス用
コンデンサとを有する。
【０００８】また、第２の発明は、前記信号ラインは、
前記電子機器の高周波の出力信号がアンテナに向かって
流される高周波ラインであって、前記第１，第２のサー
ジ吸収素子のそれぞれは、トランゾーバを含む半導体型
サージ吸収素子のである。
前記電子機器の高周波の出力信号がアンテナに向かって
流される高周波ラインであって、前記第１，第２のサー
ジ吸収素子のそれぞれは、トランゾーバを含む半導体型
サージ吸収素子のである。
【０００９】また、第３の発明は、前記第１，第２のサ
ージ回路と、前記第１，第２，第３の直流電流阻止用コ
ンデンサと、前記第１，第２，第３の直流電流阻止用コ
ンデンサの間の信号ラインとがユニット化され、前記電
子機器に着脱自在にされている。
ージ回路と、前記第１，第２，第３の直流電流阻止用コ
ンデンサと、前記第１，第２，第３の直流電流阻止用コ
ンデンサの間の信号ラインとがユニット化され、前記電
子機器に着脱自在にされている。
【００１０】さらに、第４の発明は、前記第１，第２の
サージ回路がそれぞれユニット化され、そのユニット毎
に前記電子機器に着脱自在にされている。
サージ回路がそれぞれユニット化され、そのユニット毎
に前記電子機器に着脱自在にされている。
【００１１】このような構成によれば、前記第１，第２
のサージ吸収素子に許容以上の過大なサージ電圧が印加
され、前記第１，第２のサージ吸収素子の少なくとも一
方、例えば、第１のサージ吸収素子が破壊され、短絡状
態になった場合、前記第１の発光素子、第１の電流制限
抵抗、短絡状態の第１のサージ吸収素子、第１のダイオ
ードを経て、前記バイアス用電源から電流が流れるの
で、前記第１の発光素子が発光する。また、第２のサー
ジ吸収素子が短絡状態になれば、前記第２の発光素子が
発光する。
のサージ吸収素子に許容以上の過大なサージ電圧が印加
され、前記第１，第２のサージ吸収素子の少なくとも一
方、例えば、第１のサージ吸収素子が破壊され、短絡状
態になった場合、前記第１の発光素子、第１の電流制限
抵抗、短絡状態の第１のサージ吸収素子、第１のダイオ
ードを経て、前記バイアス用電源から電流が流れるの
で、前記第１の発光素子が発光する。また、第２のサー
ジ吸収素子が短絡状態になれば、前記第２の発光素子が
発光する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて添付図面に基づいて説明する。図１は、この発明に
係わるサージ吸収装置の実施の形態を示す回路図であ
る。このサージ吸収装置１００は、電子機器（例えば、
送信機）内に取り付けられており、送信出力が通過する
高周波ライン２０の第１，第２のサージ吸収点２１，２
２にそれぞれ接続された第１，第２のサージ吸収回路１
０１，１０２と、第１，第２のサージ吸収回路１０１，
１０２をそれぞれ他の部分から直流的に切り離している
第１，第２，第３の直流電流阻止用コンデンサＣ３１，
Ｃ３２，Ｃ３３とから構成されている。
いて添付図面に基づいて説明する。図１は、この発明に
係わるサージ吸収装置の実施の形態を示す回路図であ
る。このサージ吸収装置１００は、電子機器（例えば、
送信機）内に取り付けられており、送信出力が通過する
高周波ライン２０の第１，第２のサージ吸収点２１，２
２にそれぞれ接続された第１，第２のサージ吸収回路１
０１，１０２と、第１，第２のサージ吸収回路１０１，
１０２をそれぞれ他の部分から直流的に切り離している
第１，第２，第３の直流電流阻止用コンデンサＣ３１，
Ｃ３２，Ｃ３３とから構成されている。
【００１３】この場合、第１の直流電流阻止用コンデン
サＣ３１は、高周波ライン２０の第１，第２の２つのサ
ージ吸収点２１，２２の間を直流的に切り離し（したが
って、第１，第２のサージ吸収回路１０１，１０２の間
を直流的に切り離し）、第２の直流電流阻止用コンデン
サＣ３２は、電子機器の外部側（例えば、送信アンテナ
側）の高周波ライン３０を電子機器の内部側の第１のサ
ージ吸収点２１から直流的に切り離し、さらに、第３の
直流電流阻止用コンデンサＣ３３は、電子機器の内部側
の高周波ライン４０を第２のサージ吸収点２２から直流
的に切り離している。
サＣ３１は、高周波ライン２０の第１，第２の２つのサ
ージ吸収点２１，２２の間を直流的に切り離し（したが
って、第１，第２のサージ吸収回路１０１，１０２の間
を直流的に切り離し）、第２の直流電流阻止用コンデン
サＣ３２は、電子機器の外部側（例えば、送信アンテナ
側）の高周波ライン３０を電子機器の内部側の第１のサ
ージ吸収点２１から直流的に切り離し、さらに、第３の
直流電流阻止用コンデンサＣ３３は、電子機器の内部側
の高周波ライン４０を第２のサージ吸収点２２から直流
的に切り離している。
【００１４】第１のサージ吸収回路１０１は、一端が第
１のサージ吸収点２１に接続された第１のサージ吸収素
子Ｚ１１（例えば、トランゾーバ等の半導体型サージ吸
収素子）と、アノードが第１のサージ吸収素子Ｚ１１の
他端に、カソードがグランドにそれぞれ接続された第１
のダイオードＤ１１と、一端が第１のサージ吸収点２１
に接続された第１の電流制限用抵抗Ｒ１１と、一端が第
１の電流制限用抵抗Ｒ１１の他端に、他端がバイアス用
電源の正極性の端子にそれぞれ接続された第１の発光素
子Ｐ１１と、一端が第１の電流制限用抵抗Ｒ１１の他端
に、他端がグランドにそれぞれ接続され、バイアス用電
源側と高周波ライン側とを高周波的に影響しないように
している第１の高周波バイパス用コンデンサＣ１１とか
ら構成されている。
１のサージ吸収点２１に接続された第１のサージ吸収素
子Ｚ１１（例えば、トランゾーバ等の半導体型サージ吸
収素子）と、アノードが第１のサージ吸収素子Ｚ１１の
他端に、カソードがグランドにそれぞれ接続された第１
のダイオードＤ１１と、一端が第１のサージ吸収点２１
に接続された第１の電流制限用抵抗Ｒ１１と、一端が第
１の電流制限用抵抗Ｒ１１の他端に、他端がバイアス用
電源の正極性の端子にそれぞれ接続された第１の発光素
子Ｐ１１と、一端が第１の電流制限用抵抗Ｒ１１の他端
に、他端がグランドにそれぞれ接続され、バイアス用電
源側と高周波ライン側とを高周波的に影響しないように
している第１の高周波バイパス用コンデンサＣ１１とか
ら構成されている。
【００１５】第２のサージ吸収回路１０２は、一端が第
２のサージ吸収点２２に接続された第２のサージ吸収素
子Ｚ１２と、アノードが第２のサージ吸収素子Ｚ１２の
他端に、カソードがグランドにそれぞれ接続された第２
のダイオードＤ１２と、一端が第２のサージ吸収点２２
に接続された第２の電流制限用抵抗Ｒ１２と、一端が第
２の電流制限用抵抗Ｒ１２の他端に、他端がバイアス用
電源の負極性の端子にそれぞれ接続された第２の発光素
子Ｐ１２と、一端が第２の電流制限用抵抗Ｒ１２の他端
に、他端がグランドにそれぞれ接続され、バイアス用電
源側と高周波ライン側とを高周波的に影響しないように
している第２の高周波バイパス用コンデンサＣ１２とか
ら構成されている。
２のサージ吸収点２２に接続された第２のサージ吸収素
子Ｚ１２と、アノードが第２のサージ吸収素子Ｚ１２の
他端に、カソードがグランドにそれぞれ接続された第２
のダイオードＤ１２と、一端が第２のサージ吸収点２２
に接続された第２の電流制限用抵抗Ｒ１２と、一端が第
２の電流制限用抵抗Ｒ１２の他端に、他端がバイアス用
電源の負極性の端子にそれぞれ接続された第２の発光素
子Ｐ１２と、一端が第２の電流制限用抵抗Ｒ１２の他端
に、他端がグランドにそれぞれ接続され、バイアス用電
源側と高周波ライン側とを高周波的に影響しないように
している第２の高周波バイパス用コンデンサＣ１２とか
ら構成されている。
【００１６】上述の第１，第２のサージ吸収回路１０
１，１０２において、正常な第１，第２のサージ吸収素
子Ｚ１１，Ｚ１２に印加されるバイアス用電源の電圧
は、第１，第２のサージ吸収素子Ｚ１１，Ｚ１２のクラ
ンプ電圧より低くなるようにされている。したがって、
第１，第２のサージ吸収点２１，２２にはバイアス用電
源からバイアス電圧が印加されているが、グランドに対
しては、正常な第１，第２のサージ吸収素子Ｚ１１，Ｚ
１２によって直流電流が流れるのが阻止され、高周波ラ
イン３０，４０および第１，第２のサージ吸収回路１０
１，１０２の相互間は、第１，第２，第３の直流電流阻
止用コンデンサＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３で直流的に切り
離されているので、第１，第２の発光素子Ｐ１１，Ｐ１
２には電流は流れず、第１，第２の発光素子Ｐ１１，Ｐ
１２は発光しない。他方、高周波信号（この例の場合に
は高周波送信信号）は、第１，第２，第３の直流電流阻
止用コンデンサＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３および高周波ラ
イン２０，３０，４０を自由に通過する。
１，１０２において、正常な第１，第２のサージ吸収素
子Ｚ１１，Ｚ１２に印加されるバイアス用電源の電圧
は、第１，第２のサージ吸収素子Ｚ１１，Ｚ１２のクラ
ンプ電圧より低くなるようにされている。したがって、
第１，第２のサージ吸収点２１，２２にはバイアス用電
源からバイアス電圧が印加されているが、グランドに対
しては、正常な第１，第２のサージ吸収素子Ｚ１１，Ｚ
１２によって直流電流が流れるのが阻止され、高周波ラ
イン３０，４０および第１，第２のサージ吸収回路１０
１，１０２の相互間は、第１，第２，第３の直流電流阻
止用コンデンサＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３で直流的に切り
離されているので、第１，第２の発光素子Ｐ１１，Ｐ１
２には電流は流れず、第１，第２の発光素子Ｐ１１，Ｐ
１２は発光しない。他方、高周波信号（この例の場合に
は高周波送信信号）は、第１，第２，第３の直流電流阻
止用コンデンサＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３および高周波ラ
イン２０，３０，４０を自由に通過する。
【００１７】雷サージが高周波ライン２０，３０，４０
に印加される（通常は、高周波ライン３０に印加され
る）と、これを第１，第２のサージ吸収素子Ｚ１１，Ｚ
１２が吸収する。この場合、雷サージを吸収した第１，
第２のサージ吸収素子Ｚ１１，Ｚ１２の少なくとも一方
が破壊されることがあり（通常では破壊されると短絡状
態となる）、その場合、例えば第１のサージ吸収素子Ｚ
１１が短絡状態となる。第１のサージ吸収素子Ｚ１１が
短絡状態になると、バイアス用電源から第１の発光素子
Ｐ１１、第１の電流制限用抵抗Ｒ１１、破壊された第１
のサージ吸収素子Ｚ１１、第１のダイオードＤ１１を通
過してグランドに電流が流れる。この電流により、第１
の発光素子Ｐ１１は発光し、この発光からこの電子機器
の管理者は、第１のサージ吸収素子Ｚ１１が破壊された
ことを直ちに認識できることとなる。第２のサージ吸収
素子Ｚ１２についても極性が逆になるだけで同様なこと
が言える。
に印加される（通常は、高周波ライン３０に印加され
る）と、これを第１，第２のサージ吸収素子Ｚ１１，Ｚ
１２が吸収する。この場合、雷サージを吸収した第１，
第２のサージ吸収素子Ｚ１１，Ｚ１２の少なくとも一方
が破壊されることがあり（通常では破壊されると短絡状
態となる）、その場合、例えば第１のサージ吸収素子Ｚ
１１が短絡状態となる。第１のサージ吸収素子Ｚ１１が
短絡状態になると、バイアス用電源から第１の発光素子
Ｐ１１、第１の電流制限用抵抗Ｒ１１、破壊された第１
のサージ吸収素子Ｚ１１、第１のダイオードＤ１１を通
過してグランドに電流が流れる。この電流により、第１
の発光素子Ｐ１１は発光し、この発光からこの電子機器
の管理者は、第１のサージ吸収素子Ｚ１１が破壊された
ことを直ちに認識できることとなる。第２のサージ吸収
素子Ｚ１２についても極性が逆になるだけで同様なこと
が言える。
【００１８】上述の第１，第２の発光素子としては、発
光ダイオードやフォトカプラ等を用いて、直接観察でき
るようにしてもよいし、警報装置に伝達して警報を発す
るようにしてもよいし、サージ吸収素子の短絡に伴う後
続する必要な処置を自動的に行わせるようにしてもよ
い。また、装着する電子機器に対してサージ吸収装置１
００を着脱自在なユニットにしておけば、第１，第２の
サージ吸収素子Ｚ１１，Ｚ１２の少なくとも一方が破壊
されたことが分かった場合に、直ちにユニットを交換し
て短時間で修理ができることとなる。第１，第２のサー
ジ吸収回路１０１，１０２を別々にユニット化しておけ
ば、第１，第２のサージ吸収回路１０１，１０２を個別
に交換できることは言うまでもない。このようなユニッ
ト化の場合に、第１，第２，第３の直流電流阻止用コン
デンサＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３をユニットの中に含める
か否かは、都合に合わせて適宜に考慮すればよい。
光ダイオードやフォトカプラ等を用いて、直接観察でき
るようにしてもよいし、警報装置に伝達して警報を発す
るようにしてもよいし、サージ吸収素子の短絡に伴う後
続する必要な処置を自動的に行わせるようにしてもよ
い。また、装着する電子機器に対してサージ吸収装置１
００を着脱自在なユニットにしておけば、第１，第２の
サージ吸収素子Ｚ１１，Ｚ１２の少なくとも一方が破壊
されたことが分かった場合に、直ちにユニットを交換し
て短時間で修理ができることとなる。第１，第２のサー
ジ吸収回路１０１，１０２を別々にユニット化しておけ
ば、第１，第２のサージ吸収回路１０１，１０２を個別
に交換できることは言うまでもない。このようなユニッ
ト化の場合に、第１，第２，第３の直流電流阻止用コン
デンサＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３をユニットの中に含める
か否かは、都合に合わせて適宜に考慮すればよい。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、第１の発明に係わ
るサージ吸収装置は、雷サージを含む高電圧のサージが
印加されることが予測される電子機器の信号ラインに装
着されて、前記サージが前記信号ラインに印加された場
合に、前記サージを吸収して前記サージから前記電子機
器を保護するサージ吸収装置であって、前記信号ライン
の第１，第２のサージ吸収点にそれぞれ接続された第
１，第２のサージ吸収回路と、第１，第２のサージ吸収
点を直流的に切り離している第１の直流電流阻止用コン
デンサと、第１の直流電流阻止用コンデンサから第１，
第２のサージ吸収点を越えて延びている前記信号ライン
をそれぞれ直流的に切り離している第２，第３の直流電
流阻止用コンデンサとから構成され、前記第１のサージ
回路は、一端が前記第１のサージ吸収点に接続された第
１のサージ吸収素子と、アノードが前記第１のサージ吸
収素子の他端に、カソードがグランドにそれぞれ接続さ
れた第１のダイオードと、一端が前記第１のサージ吸収
点に接続された第１の電流制限用抵抗と、一端が前記第
１の電流制限用抵抗の他端に、他端がバイアス用電源の
正極性の端子にそれぞれ接続された第１の発光素子と、
一端が前記第１の電流制限用抵抗の他端に、他端がグラ
ンドにそれぞれ接続された第１の高周波バイパス用コン
デンサとを有し、前記第２のサージ回路は、一端が前記
第２のサージ吸収点に接続された第２のサージ吸収素子
と、アノードが前記第２のサージ吸収素子の他端に、カ
ソードがグランドにそれぞれ接続された第２のダイオー
ドと、一端が前記第２のサージ吸収点に接続された第２
の電流制限用抵抗と、一端が前記第２の電流制限用抵抗
の他端に、他端がバイアス用電源の負極性の端子にそれ
ぞれ接続された第２の発光素子と、一端が前記第２の電
流制限用抵抗の他端に、他端がグランドにそれぞれ接続
された第２の高周波バイパス用コンデンサとを有するこ
とにより、前記第１，第２のサージ吸収素子に許容以上
の過大なサージ電圧が印加され、前記第１，第２のサー
ジ吸収素子の少なくとも一方が破壊され、短絡状態にな
った場合、短絡状態になった前記第１，第２のサージ吸
収素子の属する前記第１，第２のサージ吸収回路の前記
第１，第２の発光素子には、バイアス用電源から電流が
流れるので発光する。この発光により、電子機器の管理
者は、直ちに第１，第２のサージ吸収素子の短絡状態を
認識でき、この電子機器の復旧を図ることが容易にでき
るという効果を奏する。
るサージ吸収装置は、雷サージを含む高電圧のサージが
印加されることが予測される電子機器の信号ラインに装
着されて、前記サージが前記信号ラインに印加された場
合に、前記サージを吸収して前記サージから前記電子機
器を保護するサージ吸収装置であって、前記信号ライン
の第１，第２のサージ吸収点にそれぞれ接続された第
１，第２のサージ吸収回路と、第１，第２のサージ吸収
点を直流的に切り離している第１の直流電流阻止用コン
デンサと、第１の直流電流阻止用コンデンサから第１，
第２のサージ吸収点を越えて延びている前記信号ライン
をそれぞれ直流的に切り離している第２，第３の直流電
流阻止用コンデンサとから構成され、前記第１のサージ
回路は、一端が前記第１のサージ吸収点に接続された第
１のサージ吸収素子と、アノードが前記第１のサージ吸
収素子の他端に、カソードがグランドにそれぞれ接続さ
れた第１のダイオードと、一端が前記第１のサージ吸収
点に接続された第１の電流制限用抵抗と、一端が前記第
１の電流制限用抵抗の他端に、他端がバイアス用電源の
正極性の端子にそれぞれ接続された第１の発光素子と、
一端が前記第１の電流制限用抵抗の他端に、他端がグラ
ンドにそれぞれ接続された第１の高周波バイパス用コン
デンサとを有し、前記第２のサージ回路は、一端が前記
第２のサージ吸収点に接続された第２のサージ吸収素子
と、アノードが前記第２のサージ吸収素子の他端に、カ
ソードがグランドにそれぞれ接続された第２のダイオー
ドと、一端が前記第２のサージ吸収点に接続された第２
の電流制限用抵抗と、一端が前記第２の電流制限用抵抗
の他端に、他端がバイアス用電源の負極性の端子にそれ
ぞれ接続された第２の発光素子と、一端が前記第２の電
流制限用抵抗の他端に、他端がグランドにそれぞれ接続
された第２の高周波バイパス用コンデンサとを有するこ
とにより、前記第１，第２のサージ吸収素子に許容以上
の過大なサージ電圧が印加され、前記第１，第２のサー
ジ吸収素子の少なくとも一方が破壊され、短絡状態にな
った場合、短絡状態になった前記第１，第２のサージ吸
収素子の属する前記第１，第２のサージ吸収回路の前記
第１，第２の発光素子には、バイアス用電源から電流が
流れるので発光する。この発光により、電子機器の管理
者は、直ちに第１，第２のサージ吸収素子の短絡状態を
認識でき、この電子機器の復旧を図ることが容易にでき
るという効果を奏する。
【００２０】また、第２の発明に係わるサージ吸収装置
は、前記信号ラインは、前記電子機器の高周波の出力信
号がアンテナに向かって流される高周波ラインであっ
て、前記第１，第２のサージ吸収素子のそれぞれは、ト
ランゾーバを含む半導体型サージ吸収素子であることに
より、最もサージの発生し易い場所を小型の装置で保護
できるという効果がある。
は、前記信号ラインは、前記電子機器の高周波の出力信
号がアンテナに向かって流される高周波ラインであっ
て、前記第１，第２のサージ吸収素子のそれぞれは、ト
ランゾーバを含む半導体型サージ吸収素子であることに
より、最もサージの発生し易い場所を小型の装置で保護
できるという効果がある。
【００２１】また、第３の発明に係わるサージ吸収装置
は、前記第１，第２のサージ回路と、前記第１，第２，
第３の直流電流阻止用コンデンサと、前記第１，第２，
第３の直流電流阻止用コンデンサの間の信号ラインとが
ユニット化され、前記電子機器に着脱自在にされている
ことにより、復旧が極めて短時間に実施できるという効
果を奏する。
は、前記第１，第２のサージ回路と、前記第１，第２，
第３の直流電流阻止用コンデンサと、前記第１，第２，
第３の直流電流阻止用コンデンサの間の信号ラインとが
ユニット化され、前記電子機器に着脱自在にされている
ことにより、復旧が極めて短時間に実施できるという効
果を奏する。
【００２２】さらに、第４の発明に係わるサージ吸収装
置は、前記第１，第２のサージ回路が、それぞれユニッ
ト化され、そのユニット毎に前記電子機器に着脱自在に
されていることにより、第３の発明のものよりもより小
さい区分毎に復旧することができるという効果を奏す
る。
置は、前記第１，第２のサージ回路が、それぞれユニッ
ト化され、そのユニット毎に前記電子機器に着脱自在に
されていることにより、第３の発明のものよりもより小
さい区分毎に復旧することができるという効果を奏す
る。
【図１】この発明に係わるサージ吸収装置の実施の形態
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図２】従来のサージ吸収装置を示す回路図である。
２０，３０，４０ 高周波ライン ２１ 第１のサージ吸収点 ２２ 第２のサージ吸収点 １００ サージ吸収装置 １０１ 第１のサージ吸収回路 １０２ 第２のサージ吸収回路 Ｃ３１ 第１の直流電流阻止用コンデンサ Ｃ３２ 第２の直流電流阻止用コンデンサ Ｃ３３ 第３の直流電流阻止用コンデンサ Ｚ１１ 第１のサージ吸収素子 Ｚ１２ 第２のサージ吸収素子 Ｄ１１ 第１のダイオード Ｄ１２ 第２のダイオード Ｒ１１ 第１の電流制限用抵抗 Ｒ１２ 第２の電流制限用抵抗 Ｐ１１ 第１の発光素子 Ｐ１２ 第２の発光素子 Ｃ１１ 第１の高周波バイパス用コンデンサ Ｃ１２ 第２の高周波バイパス用コンデンサ
Claims (4)
- 【請求項１】 雷サージを含む高電圧のサージが印加さ
れることが予測される電子機器の信号ラインに装着され
て、前記サージが前記信号ラインに印加された場合に、
前記サージを吸収して前記サージから前記電子機器を保
護するサージ吸収装置であって、 前記信号ラインの第１のサージ吸収点に接続された第１
のサージ吸収回路と、 前記信号ラインの第２のサージ吸収点に接続された第２
のサージ吸収回路と、 前記第１，第２のサージ吸収点の間で前記信号ラインに
挿入され、前記第１，第２のサージ吸収点を直流的に切
り離している第１の直流電流阻止用コンデンサと、 前記第１の直流電流阻止用コンデンサから前記第１の吸
収点側に延びる前記信号ラインに、前記第１の吸収点を
超えた位置で挿入された第２の直流電流阻止用コンデン
サと、 前記第１の直流電流阻止用コンデンサから前記第２の吸
収点側に延びる前記信号ラインに、前記第２の吸収点を
超えた位置で挿入された第３の直流電流阻止用コンデン
サとを有するとともに、 前記第１のサージ回路は、一端が前記第１のサージ吸収
点に接続された第１のサージ吸収素子と、アノードが前
記第１のサージ吸収素子の他端に、カソードがグランド
にそれぞれ接続された第１のダイオードと、一端が前記
第１のサージ吸収点に接続された第１の電流制限用抵抗
と、一端が前記第１の電流制限用抵抗の他端に、他端が
バイアス用電源の正極性の端子にそれぞれ接続された第
１の発光素子と、一端が前記第１の電流制限用抵抗の他
端に、他端がグランドにそれぞれ接続された第１の高周
波バイパス用コンデンサとを有し、 前記第２のサージ回路は、一端が前記第２のサージ吸収
点に接続された第２のサージ吸収素子と、アノードが前
記第２のサージ吸収素子の他端に、カソードがグランド
にそれぞれ接続された第２のダイオードと、一端が前記
第２のサージ吸収点に接続された第２の電流制限用抵抗
と、一端が前記第２の電流制限用抵抗の他端に、他端が
バイアス用電源の負極性の端子にそれぞれ接続された第
２の発光素子と、一端が前記第２の電流制限用抵抗の他
端に、他端がグランドにそれぞれ接続された第２の高周
波バイパス用コンデンサとを有するサージ吸収装置。 - 【請求項２】 前記信号ラインは、前記電子機器の高周
波の出力信号がアンテナに向かって流される高周波ライ
ンであって、前記第１，第２のサージ吸収素子のそれぞ
れは、トランゾーバを含む半導体型サージ吸収素子であ
る請求項１記載のサージ吸収装置。 - 【請求項３】 前記第１，第２のサージ回路と、前記第
１，第２，第３の直流電流阻止用コンデンサと、前記第
１，第２，第３の直流電流阻止用コンデンサの間の信号
ラインとはユニット化され、前記電子機器に着脱自在に
されている請求項１または２記載のサージ吸収装置。 - 【請求項４】 前記第１，第２のサージ回路は、それぞ
れユニット化され、そのユニット毎に前記電子機器に着
脱自在にされている請求項１または２記載のサージ吸収
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4208497A JPH10243552A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | サージ吸収装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4208497A JPH10243552A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | サージ吸収装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10243552A true JPH10243552A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12626180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4208497A Pending JPH10243552A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | サージ吸収装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10243552A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019526223A (ja) * | 2016-12-23 | 2019-09-12 | 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | インターフェース保護回路および装置インターフェース |
-
1997
- 1997-02-26 JP JP4208497A patent/JPH10243552A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019526223A (ja) * | 2016-12-23 | 2019-09-12 | 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | インターフェース保護回路および装置インターフェース |
| US11509134B2 (en) | 2016-12-23 | 2022-11-22 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Communication interface protection circuit having transient voltage suppression |
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