JPH0614454A

JPH0614454A - フィルタ装置

Info

Publication number: JPH0614454A
Application number: JP4161134A
Authority: JP
Inventors: Toshio Nojima; 俊雄野島; Yoshiaki Tarusawa; 芳明垂澤; Yohei Ishikawa; 容平石川; Jun Hattori; 準服部; Tomiya Sonoda; 富哉園田; Shinichi Miyazaki; 新一宮▲崎▼
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd; Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd; Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1992-06-19
Filing date: 1992-06-19
Publication date: 1994-01-21

Abstract

(57)【要約】【目的】アクティブ共振器を用いたフィルタ装置におい
て、雷に対する耐性を飛躍的に高める。【構成】雷から保護すべきフィルタ装置４の入力側で、
雷電流を大地へ導く避雷器２を設けるとともに、フィル
タ装置４の内部に設けられている能動素子の近傍に、そ
の能動素子に対する雷サージを吸収するサージ吸収回路
を設ける。【効果】アンテナ１が直撃雷を受けると、雷インパルス
電流Ｉｏが避雷器２を通して大地へ流れる。避雷器２に
より吸収しきれなかった残留成分は雷サージとしてフィ
ルタ装置４へ侵入するが、前記サージ吸収回路により雷
サージが吸収される。これにより能動素子が保護され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、通信システム等に用
いられるフィルタ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、８００ＭＨｚ帯を用いた移動体通
信システムにおいてセルラーシステムが広く使用される
ようになった。このようなセルラーシステムにおいて
は、セル（無線ゾーン）ごとに一つの無線基地局が設け
られ、各無線局には送受信機とアンテナとの間に複数チ
ャンネル分の送信共用装置と受信フィルタが設けられて
いる。

【０００３】このような装置における受信フィルタとし
ては、一般に受信帯域の周波数のみ通過させる帯域通過
フィルタが用いられるが、たとえば異なる二つのセルラ
ーシステムが運用され、その受信帯域の一部が接近して
いる場合には、混信（他のセルラーシステムを用いる移
動局からの受信信号による相互変調歪に起因するもの）
の影響を防止するため、不要帯域の信号を除去する帯域
阻止フィルタが要求される。

【０００４】このような目的で使用される帯域阻止フィ
ルタとしては、小型でかつ尖鋭度（Ｑ）の高い誘電体共
振器が適しているが、所定帯域において必要な減衰特性
を備え、しかも阻止帯域に隣接する通過帯域で挿入損失
の少ないフィルタを得るためには、共振器に帰還回路を
接続したアクティブフィルタが有効である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】一般に、通信システム
では、システム全体がダウンしないようにするために、
所謂サブシステムを設けることが考えられる。すなわ
ち、通信システムを構成する各要素を多重化し、ある１
つの系統が故障した場合でも、他の系統によって通信シ
ステムとしての機能を維持させるものである。例えば前
記フィルタを多重化すれば、フィルタ部分の信頼性を高
めることはできる。しかしながら、多重化した分だけコ
ストが嵩み、設置スペースが大きくなるため、限られた
スペースで多重化することは困難である。ところが、幸
いにもアクティブ共振器は、パッシブ共振器に対して、
能動素子を用いた帰還回路を結合させたものであり、仮
にアクティブフィルタが故障したとしても、誘電体共振
器自体が故障するのは極めて稀であるため、パッシブ共
振器としての機能は残り、通信システムとしての機能は
果たされる。このようにアクティブ共振器をアクティブ
フィルタとして通信システムに用いる場合、サブシステ
ムを設けなくともシステムダウンが生じることがないと
いう優れた特性を備えることになる。

【０００６】アクティブフィルタの故障は殆どの場合、
帰還回路、特に内部の能動素子の故障に起因する。能動
素子は各端子間の印加電圧および電流の最大定格が定め
られていて、帰還回路として正常に動作している状態で
は定格内で作動するが、アクティブフィルタを設けた設
備や装置が落雷を受ければ、アクティブフィルタに異常
過電圧が印加される。落雷時に流れる雷電流はインパル
ス性であり、その成分は高周波帯域におよび、アクティ
ブフィルタ内の能動素子にまで高周波の過電圧（以下
「雷サージ」という。）が印加されるため、前記能動素
子が破壊される場合があった。

【０００７】また、アクティブフィルタ内において信号
伝送線に雷サージが重畳されると、サージノイズによっ
て帰還回路内の増幅回路の増幅率が低下し、フィルタ特
性が低下する。また、雷サージの周波数成分が使用帯域
内にノイズとして混入することになる。

【０００８】したがって、サブシステムの不要なアクテ
ィブフィルタといえども、雷サージに対する耐性を高め
ることは、通信システムの信頼性を高める上で重要な技
術的課題である。

【０００９】この発明の目的は、雷サージによる前記種
々の悪影響を防止したフィルタ装置を提供することにあ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
るフィルタ装置は、受動型共振器に能動素子を結合させ
てなるアクティブ共振器を用いたフィルタ装置におい
て、入力側および／または出力側に、雷電流を大地へ導
く避雷器を設けるとともに、能動素子の近傍に、その能
動素子に対する雷サージを吸収するサージ吸収回路を接
続したことを特徴とする。

【００１１】請求項２に係るフィルタ装置は、請求項１
記載のフィルタ装置において、順方向のサージ電流およ
び逆方向のサージ電流をバイパスさせる電圧非直線性素
子をサージ吸収回路として用いたことを特徴とする。

【００１２】請求項３に係るフィルタ装置は、請求項１
記載のフィルタ装置において、順方向のサージ電流をバ
イパスさせる電圧非直線性素子と、逆方向のサージ電流
をバイパスさせる電圧非直線性素子とを並列に接続して
サージ吸収回路を構成したことを特徴とする。

【００１３】請求項４に係るフィルタ装置は、請求項１
記載のフィルタ装置において、順方向のサージ電流をバ
イパスさせる電圧非直線性素子と、逆方向のサージ電流
をバイパスさせる電圧非直線性素子とを直列に接続して
サージ吸収回路を構成したことを特徴とする。

【００１４】請求項５に係るフィルタ装置は、請求項１
記載のフィルタ装置において、順方向のサージ電流をバ
イパスさせるダイオードと、逆方向のサージ電流をバイ
パスさせるダイオードにより前記サージ吸収回路を構成
したことを特徴とする。

【００１５】請求項６に係るフィルタ装置は、請求項１
記載のフィルタ装置において、バリスタとダイオードに
より順方向のサージ電流および逆方向のサージ電流をバ
イパスさせるサージ吸収回路を構成したことを特徴とす
る。

【００１６】請求項７に係るフィルタ装置は、請求項２
記載のフィルタ装置において、電圧非直線性素子として
対称特性を有するバリスタを用いたことを特徴とする。

【００１７】請求項８に係るフィルタ装置は、請求項２
記載のフィルタ装置において、電圧非直線性素子として
ツェナーダイオードを用いたことを特徴とする。

【００１８】請求項９に係るフィルタ装置は、請求項３
記載のフィルタ装置において、電圧非直線性素子として
バリスタを用いたことを特徴とする。

【００１９】請求項１０に係るフィルタ装置は、請求項
３記載のフィルタ装置において、電圧非直線性素子とし
てバリスタとツェナーダイオードを用いたことを特徴と
する。

【００２０】請求項１１に係るフィルタ装置は、請求項
４記載のフィルタ装置において、電圧非直線性素子とし
てツェナーダイオードを用いたことを特徴とする。

【００２１】

【作用】この発明の請求項１記載のフィルタ装置では、
フィルタ装置自体は、受動型共振器に能動素子を結合さ
せたアクティブ共振器からなる。このフィルタ装置の入
力側および／または出力側には避雷器が設けられてい
て、能動素子の近傍に、その能動素子に対する雷サージ
を吸収するサージ吸収回路が接続されている。したがっ
て、直撃雷や誘導雷によって、このフィルタ装置の入力
側に過電圧が印加された時、入力側に設けられている避
雷器が放電して、雷インパルス電流が大地へ吸収され
る。また、直撃雷または誘導雷による過電圧がフィルタ
装置の出力側に印加された時、出力側の避雷器が放電し
て、雷インパルス電流が大地へ吸収される。このように
して雷による過電圧の内いわば直流成分の大部分が除去
される。

【００２２】そして、サージ吸収回路は、避雷器だけで
は吸収しきれない雷サージを吸収する。これにより、能
動素子に印加されるサージ電圧が十分抑制され、能動素
子が保護される。

【００２３】請求項２記載のフィルタ装置では、電圧非
直線性素子がサージ吸収回路として用いられる。電圧非
直線性素子は、電圧−電流非直線性すなわち非直線抵抗
特性を有する素子であり、或る臨界電圧以下では高抵抗
を示し、臨界電圧を超えると抵抗値が急激に低下する。
したがって臨界電圧を超える成分は電圧非直線性素子を
通って吸収され、前記臨界電圧を超える電圧が能動素子
に印加されることはない。

【００２４】請求項３記載のフィルタ装置では、サージ
吸収回路として、順方向のサージ電流をバイパスさせる
電圧非直線性素子と、逆方向のサージ電流をバイパスさ
せる電圧非直線性素子とが並列接続されている。電圧非
直線性に極性のある場合、すなわち正の印加電圧に対し
て電圧非直線性を示し、負の電圧に対して高抵抗を示す
素子であれば、これを逆並列接続することによって、雷
サージのうち正電圧および負電圧がそれぞれ吸収され、
能動素子が過電圧から保護される。

【００２５】請求項４記載のフィルタ装置では、サージ
吸収回路として、順方向のサージ電流をバイパスさせる
電圧非直線性素子と、逆方向のサージ電流をバイパスさ
せる電圧非直線性素子とが直列接続されている。電圧非
直線性素子が、順方向に電圧非直線性を示し、逆方向に
対して低抵抗を示す素子である場合、二つの電圧非直線
性素子を逆直列接続することによって、雷サージのうち
正電圧と負電圧がそれぞれ吸収され、能動素子が過電圧
から保護される。

【００２６】請求項５記載のフィルタ装置では、或るダ
イオードは順方向のサージ電流をバイパスし、他のダイ
オードは逆方向のサージ電流をバイパスする。これによ
って雷サージの正負両成分が吸収される。

【００２７】請求項６記載のフィルタ装置では、サージ
吸収回路を構成するバリスタとダイオードにより、順方
向のサージ電流および逆方向のサージ電流がバイパスさ
れる。これにより能動素子が過電圧から保護される。

【００２８】請求項７記載のフィルタ装置では、請求項
２記載の電圧非直線性素子として対称特性を有するバリ
スタが用いられる。したがって雷サージの正負両成分が
吸収される。

【００２９】請求項８記載のフィルタ装置では、請求項
２記載の電圧非直線性素子としてツェナーダイオードが
用いられる。ツェナーダイオードはカソードを正、アノ
ードを負としてツェナー電圧を超える電圧が印加された
際導通し、また、カソードを負、アノードを正として順
方向降下電圧を超える電圧が印加された際導通するた
め、雷サージの正負両電圧が吸収され、これにより能動
素子が過電圧から保護される。

【００３０】請求項９記載のフィルタ装置では、請求項
３記載の電圧非直線性素子としてバリスタが用いられ
る。したがって非対称特性のバリスタであっても、逆並
列接続することによって、雷サージの正負両成分が吸収
される。

【００３１】請求項１０記載のフィルタ装置では、請求
項３記載の電圧非直線性素子としてバリスタとツェナー
ダイオードが用いられる。バリスタの臨界電圧とツェナ
ーダイオードのツェナー電圧の設定によって、雷サージ
の極性に応じたサージ吸収特性を設定することができ
る。

【００３２】請求項１１記載のフィルタ装置では、請求
項４記載の電圧非直線性素子として、順方向のサージ電
流をバイパスさせるツェナダイオードと、逆方向のサー
ジ電流をバイパスさせるツェナダイオードにより構成さ
れる。これによりツェナー電圧を超える正負両電圧が吸
収され、能動素子は雷サージによる過電圧から保護され
る。

【００３３】

【実施例】この発明の第１の実施例に係るフィルタ装置
の構成を図１〜図５に基づいて説明する。

【００３４】図１は無線基地局の部分構成を示すブロッ
ク図である。図１において２はアンテナ１に対する直撃
雷から送受信器装置全体を保護する避雷器である。避雷
器２としてはたとえば放電型の避雷器（アレスタ）を用
いる。デュプレクサ３はアンテナ１を送受信に兼用す
る。帯域阻止フィルタ装置４は受信信号に含まれる不要
帯域の信号成分を除去し、受信信号を受信装置５へ与え
る。このような構成において、アンテナ１が直撃雷を受
けると、雷インパルス電流Ｉｏが避雷器２を通って大地
へ流れる。避雷器２により吸収しきれなかった残留電圧
は雷サージ電流Ｉ１としてデュプレクサ３を通して帯域
阻止フィルタ４の入力側へ導かれる。また、他の設備等
に落雷が生じれば、信号ラインにその誘導（以下「誘導
雷」という。）によって帯域阻止フィルタ装置４の出力
側から雷サージ電流Ｉ２が導かれる。

【００３５】次に、図１に示した帯域阻止フィルタ装置
４の構造を図２および図３に示す。

【００３６】図２はケースの上部カバーを取り除いた状
態での上面図、図３は左側面図である。

【００３７】図２においてＲ１〜Ｒ４はそれぞれシング
ルモードのＴＭモード誘電体フィルタユニット、Ｆ１〜
Ｆ４は帰還回路である。また、Ｒ５〜Ｒ８はそれぞれデ
ュアルモードのＴＭモード誘電体フィルタユニットであ
り、この４つのフィルタユニットによって８段のフィル
タを構成し、全体で１２段の帯域阻止フィルタ装置を構
成している。この例では、フィルタユニットＲ１〜Ｒ４
は高域側を、フィルタユニットＲ５〜Ｒ８は低域側をそ
れぞれ減衰させるために用い、利用周波数の隣接する高
域側の境界をアクティブフィルタＲ１〜Ｒ４で急峻に減
衰させている。

【００３８】これらの誘電体フィルタユニットはケース
２０内に設け、ケースの左側面には、図３に示すよう
に、信号入力コネクタ２３および信号出力コネクタ２２
を取り付けている。

【００３９】前記帯域阻止フィルタ装置の等価回路図を
図４に示す。図４においてＲ１・・・Ｒ４・・・Ｒ８は
それぞれタンク回路で表した共振器である。第１段から
第４段までは、同図に示すように伝送線Ｌを介して増幅
回路Ａ１・・・Ａ４を接続して帰還回路Ｆ１・・・Ｆ４
を構成している。

【００４０】図４に示した増幅回路Ａ１・・・Ａ４はた
とえばＦＥＴを用いた狭帯域増幅回路を構成する。その
能動素子付近のサージ吸収回路を図５に示す。図５にお
いて４０はＮチャンネル接合型ＧａＡｓＦＥＴ、４１は
バリスタである。この例ではソース接地増幅回路を構成
し、ゲート−ソース間にバリスタ４１を接続している。
このバリスタ４１は対称特性を有する。通常はゲート電
位が接地電位に対し負となるが、入力側から正の過電圧
が印加されて、その電圧がバリスタ４１の臨界電圧を超
えた時、バリスタ４１が導通して雷サージを吸収する。
また、入力側が負電位であっても、その電圧の絶対値が
バリスタ４１の臨界電圧を超えれば、バリスタ４１が導
通して雷サージを吸収する。

【００４１】次に、サージ吸収回路の他の例を図６〜図
１０に基づいて説明する。

【００４２】図６において、４２，４４はダイオード、
４３，４５はダイオード４２，４４に対しそれぞれバイ
アス電圧を与える回路である。ＦＥＴ４０のゲートに４
５のバイアス電圧を超えた時（正確にはそのバイアス電
圧にダイオード４４の順方向降下電圧を加算した電圧を
超えた時）ダイオード４４が導通してＦＥＴ４０のゲー
ト−ソース間を正の過電圧から保護する。また、ゲート
電位が４３のバイアス電圧よりさらに負電位となった
時、ダイオード４２が導通して、ＦＥＴ４０のゲート−
ソース間を負の過電圧から保護する。なお、バイアス電
圧を発生する回路４３，４５をダイオードの直列回路で
構成することができる。また、正常状態ではゲート電位
は常に負電位であるため、バイアス電圧発生回路４５は
必須ではない。

【００４３】図７において４６，４７はそれぞれツェナ
ーダイオードであり、同図に示すように、逆方向に直列
接続してＦＥＴ４０のゲート−ソース間に接続してい
る。したがってゲート電位はツェナーダイオード４６の
ツェナー電圧を超える正の過電圧が印加された時、ツェ
ナーダイオード４６が導通してＦＥＴ４０のゲート−ソ
ース間を正の過電圧から保護する。また、ゲート電位が
ツェナーダイオード４７のツェナー電圧を超える負の電
圧が印加された時、ツェナーダイオード４７が導通して
ＦＥＴ４０のゲート−ソース間を負の過電圧から保護す
る。

【００４４】図８において４８はツェナーダイオードで
ある。ゲート電位がツェナーダイオード４８の順方向降
下電圧を超える正の電位となれば、ツェナーダイオード
４８がアノード→カソード方向に導通し、ＦＥＴ４０の
ゲート−ソース間を正の過電圧から保護する。ゲート電
位がツェナーダイオード４８のツェナー電圧を超える負
の電位となれば、ツェナーダイオード４８がカソード→
アノード方向に導通し、これによりＦＥＴ４０のゲート
−ソース間を負の過電圧から保護する。

【００４５】図９において４９はバリスタ、５０はツェ
ナーダイオードである。ＦＥＴ４０のゲート電位がツェ
ナーダイオード５０の順方向降下電圧を超える正の電位
となった時、ツェナーダイオード５０がアノード→カソ
ード方向に導通し、ＦＥＴ４０のゲート−ソース間を正
の過電圧から保護する。ゲート電位がバリスタ４９の臨
界電圧を超える正の電位となった時、バリスタ４９が導
通する。これによりＦＥＴ４０とともにツェナーダイオ
ード５０を保護する。また、ゲート電位がツェナーダイ
オード５０のツェナー電圧を超える負の電位となれば、
ツェナーダイオード５０はカソード→アノード方向に導
通し、ＦＥＴ４０のゲート−ソース間を負の過電圧から
保護する。ゲート電位がさらに負電位となってバリスタ
４９の臨界電圧を超えれば、バリスタ４９が導通して、
ＦＥＴ４０を保護するとともに、ツェナーダイオード５
０のツェナー電流を抑制して、ツェナーダイオード５０
を保護する。

【００４６】図１０において５１はバリスタ、５２はダ
イオード、５３はダイオード５２にバイアス電圧を与え
る回路である。ＦＥＴ４０のゲート電位が５３のバイア
ス電圧を超えた時ダイオード５２が導通して、ＦＥＴ４
０のゲート−ソース間を正の過電圧から保護する。ゲー
ト電位がさらに高くなって、バリスタ５１の臨界電圧を
超えると、バリスタ５１が導通する。これによりＦＥＴ
４０を保護するとともに、ダイオード５２の順方向電流
を抑制してダイオード５２も保護される。ゲート電位が
バリスタ５１の臨界電圧を超える負の電位となれば、バ
リスタ５１が導通する。これによりＦＥＴ４０を保護す
るとともに、ダイオード５２を耐圧破壊から保護する。

【００４７】次に、増幅回路内にサージ吸収回路を設け
るだけでなく、避雷器とアクティブフィルタ間にさらに
別のサージ吸収回路を設けた例を第２の実施例として次
に示す。

【００４８】この発明の第２の実施例に係るフィルタ装
置の構造を図１１〜図１３に示す。

【００４９】図１１はケースの上部カバーを取り除いた
状態での上面図、図１２は信号入力コネクタ部分の部分
斜視図である。

【００５０】図１１においてＲ１〜Ｒ４はそれぞれシン
グルモードのＴＭモード誘電体フィルタユニット、Ｆ１
〜Ｆ４は帰還回路である。また、Ｒ５〜Ｒ８はそれぞれ
デュアルモードのＴＭモード誘電体フィルタユニットで
あり、この４つのフィルタユニットによって８段のフィ
ルタを構成し、全体で１２段の帯域阻止フィルタ装置を
構成している。これらの誘電体フィルタユニットはケー
ス２０内に設け、ケース２０の左側面に信号入力コネク
タ２３および信号出力コネクタ２２を取り付けている。

【００５１】図１２において、信号入力コネクタ２３は
Ｎ型コネクタであり、そのフランジ部裏面側に基板２５
を半田付けしている。基板２５はたとえばガラスエポキ
シまたはガラス／ＰＴＦＥ基板であり、図における上面
にアース電極Ｇ，ＧとストリップラインＳを形成し、裏
面にほぼ全面アース電極を形成している。図３に示すよ
うに、基板２５はそのアース電極部分でコネクタ２３に
半田付けし、ストリップラインＳの一端をコネクタ２３
の中心導体に半田付けしている。この基板上のストリッ
プラインＳとアース電極Ｇ間にはサージ吸収用素子２７
を半田付けしている。このサージ吸収用素子としては、
高周波特性に優れたバリスタ等をチップ状に形成したも
のを用いる。基板２５の裏面側アース電極には、たとえ
ばＳＭＡ型コネクタを、そのフランジ部で半田付けする
とともに、中心導体をストッリプラインＳの他端に半田
付けしている。このように信号入力コネクタ２３に基板
２５とコネクタ２９を一体的に取り付けたものを図１１
に示したようにケース２０の側面に取り付け、一段目の
フィルタユニットに接続しているケーブルのコネクタ
を、図１２に示したコネクタ２９に接続している。信号
出力コネクタ側についても同様に構成している。

【００５２】図１１および図１２に示したフィルタ装置
の等価回路図を図１３に示す。図１３において信号入力
コネクタ２３に雷サージが印加されて、印加電圧がサー
ジ吸収用素子２７の臨界電圧を超えた時、そのインピー
ダンスが急激に低下し、サージ電流ｉ１が流れる。これ
により、信号伝送線を介してフィルタ装置内部へ侵入し
ようとする雷サージを吸収する。同様に、信号出力コネ
クタ２２に雷サージが印加された時、サージ吸収用素子
２３にサージ電流ｉ２が流れて、信号伝送線を介してフ
ィルタ装置内部へ侵入しようとするサージを吸収する。

【００５３】次に、第３の実施例に係るフィルタ装置の
構成を図１４に示す。図１４はケースの上部カバーを取
り除いた状態での上面図である。図１４おいて図１１に
示した構造のフィルタ装置と異なる点は、信号入力コネ
クタ２３または信号出力コネクタ２２側にサージ吸収回
路を設けず、多段フィルタ回路の途中にサージ吸収回路
を設けていることである。すなわち、図１４において３
１はサージ吸収用素子、３０はサージ吸収用素子３１を
設けるとともにコネクタを取り付けるための基板であ
る。同図に示すようにＲ１〜Ｒ４で示す多段アクティブ
フィルタとＲ５〜Ｒ８で示す多段パッシブフィルタとの
間に、ケーブルを介してサージ吸収回路を接続してい
る。この構成により、信号出力コネクタ２２から侵入し
たサージはサージ吸収用素子３１に吸収される。したが
ってアクティブフィルタＲ１〜Ｒ４がサージから保護さ
れる。

【００５４】

【発明の効果】この発明のフィルタ装置によれば、避雷
器によって、フィルタ装置の入力側および出力側におい
て雷インパルス電流が吸収され、能動素子の近傍に設け
たサージ吸収回路によって雷サージが吸収されるため、
能動素子には、その最大定格を超えるような過電圧が印
加されず、破壊から保護される。したがって、このフィ
ルタ装置を無線基地局において使用した場合、たとえば
アンテナからの直撃雷による雷サージや通信回線からの
誘導雷による雷サージに対する耐性が飛躍的に高まり、
能動素子の故障によるフィルタ特性の劣化が防止され、
雷サージによる使用帯域におけるノイズレベルを十分に
抑圧することができる。これにより通信システムの信頼
性が大幅に向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例に係るフィルタ装置を適用した無
線基地局の部分構成図である。

【図２】第１の実施例に係るフィルタ装置の構造を示す
上面図である。

【図３】第１の実施例に係るフィルタ装置の左側面図で
ある。

【図４】第１の実施例に係るフィルタ装置の等価回路図
である。

【図５】増幅回路におけるサージ吸収回路の回路図であ
る。

【図６】増幅回路におけるサージ吸収回路の回路図であ
る。

【図７】増幅回路におけるサージ吸収回路の回路図であ
る。

【図８】増幅回路におけるサージ吸収回路の回路図であ
る。

【図９】増幅回路におけるサージ吸収回路の回路図であ
る。

【図１０】増幅回路におけるサージ吸収回路の回路図で
ある。

【図１１】第２の実施例に係るフィルタ装置の構造を示
す上面図である。

【図１２】第２の実施例に係るフィルタ装置の信号入力
コネクタ部分の構成を示す斜視図である。

【図１３】第２の実施例に係るフィルタ装置の等価回路
図である。

【図１４】第３の実施例に係るフィルタ装置の構造を示
す上面図である。

【符号の説明】

１−アンテナ２−避雷器３−デュプレクサ４−帯域阻止フィルタ装置５−受信装置２０−ケース２２−信号出力コネクタ２３−信号入力コネクタ４０−Ｎチャンネル型ＦＥＴ４１，４９，５１−バリスタ４２，４４，５２−ダイオード４３，４５，５３−バイアス回路４６，４７，４８，５０−ツェナーダイオード

フロントページの続き (72)発明者石川容平京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内 (72)発明者服部準京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内 (72)発明者園田富哉京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内 (72)発明者宮▲崎▼ 新一京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】受動型共振器に能動素子を結合させてなる
アクティブ共振器を用いたフィルタ装置において、入力側および／または出力側に、雷電流を大地へ導く避
雷器を設けるとともに、能動素子の近傍に、その能動素
子に対する雷サージを吸収するサージ吸収回路を接続し
たことを特徴とするフィルタ装置。
【請求項２】順方向のサージ電流および逆方向のサージ
電流をバイパスさせる電圧非直線性素子を前記サージ吸
収回路として用いた請求項１記載のフィルタ装置。
【請求項３】順方向のサージ電流をバイパスさせる電圧
非直線性素子と、逆方向のサージ電流をバイパスさせる
電圧非直線性素子とを並列に接続して前記サージ吸収回
路を構成した請求項１記載のフィルタ装置。
【請求項４】順方向のサージ電流をバイパスさせる電圧
非直線性素子と、逆方向のサージ電流をバイパスさせる
電圧非直線性素子とを直列に接続して前記サージ吸収回
路を構成した請求項１記載のフィルタ装置。
【請求項５】順方向のサージ電流をバイパスさせるダイ
オードと、逆方向のサージ電流をバイパスさせるダイオ
ードにより前記サージ吸収回路を構成した請求項１記載
のフィルタ装置。
【請求項６】バリスタとダイオードにより順方向のサー
ジ電流および逆方向のサージ電流をバイパスさせるサー
ジ吸収回路を構成した請求項１記載のフィルタ装置。
【請求項７】前記電圧非直線性素子として対称特性を有
するバリスタを用いた請求項２記載のフィルタ装置。
【請求項８】前記電圧非直線性素子としてツェナーダイ
オードを用いた請求項２記載のフィルタ装置。
【請求項９】前記電圧非直線性素子としてバリスタを用
いた請求項３記載のフィルタ装置。
【請求項１０】前記電圧非直線性素子としてバリスタと
ツェナーダイオードを用いた請求項３記載のフィルタ装
置。
【請求項１１】前記電圧非直線性素子としてツェナーダ
イオードを用いた請求項４記載のフィルタ装置。