JPH10242088A - ウエハ研磨装置 - Google Patents

ウエハ研磨装置

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JPH10242088A
JPH10242088A JP4055697A JP4055697A JPH10242088A JP H10242088 A JPH10242088 A JP H10242088A JP 4055697 A JP4055697 A JP 4055697A JP 4055697 A JP4055697 A JP 4055697A JP H10242088 A JPH10242088 A JP H10242088A
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JP
Japan
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wafer
cleaning
polishing
liquid
holding mechanism
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JP4055697A
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English (en)
Inventor
Hideaki Hirabayashi
英明 平林
Naoaki Sakurai
直明 桜井
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 トップリングや研磨盤洗浄ユニットに付着し
ているパーティクルを確実に除去して研磨加工を良好に
行えるウエハ研磨装置を提供すること。 【解決手段】 ウエハ研磨装置1において、ウエハ11
を保持して回転駆動するウエハ保持機構と、上記ウエハ
保持機構に保持された上記ウエハ11と接触し、このウ
エハ11を研磨加工する研磨盤8と、上記研磨盤8を洗
浄する研磨盤洗浄ユニットと、上記ウエハ保持機構およ
び上記研磨盤洗浄ユニットを移送可能とする移送手段
と、上記ウエハ保持機構を洗浄液で洗浄する第1の洗浄
手段13と、上記保持機構洗浄手段を洗浄した洗浄液の
パーティクルを測定する測定手段と、を具備したことを
特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はウエハを研磨盤を用
いて研磨加工するウエハ研磨装置に関する。
【0002】
【従来の技術】各種半導体デバイスを形成するためには
ウエハが用いられるが、このウエハは各種半導体デバイ
スを形成するために表面を鏡面研磨する必要があり、こ
のように表面研磨された後に次工程の、例えばエッチン
グ処理などがこのウエハに対して行われるようになって
いる。
【0003】このようなウエハを鏡面研磨する装置とし
ては、ウエハ研磨装置がある。このウエハ研磨装置に
は、ウエハが外部から供給されたウエハ供給部が設けら
れており、このウエハ供給部に供給されたウエハはトッ
プリングの下面に、例えばワックスを塗布して貼付保持
される。
【0004】上記トップリングは移送機構によって上記
ウエハ供給部から研磨布が張設された研磨盤の位置まで
駆動される構成となっており、ウエハは上記トップリン
グに貼付保持された状態で、研磨盤の中心部から所定量
偏心した位置に押圧される。
【0005】上記トップリングおよび上記研磨盤はウエ
ハが押圧されたままで回転駆動され、また研磨盤上には
研磨液が供給される。それによって、上記トップリング
に保持されたウエハが研磨加工される。
【0006】ウエハに対してこのような研磨加工を行っ
た後、上記研磨盤の表面部の研磨布を洗浄ブラシにて洗
浄する。上記研磨布は表面にダイヤモンドの微細砥粒が
付着固定されており、上記ウエハをこのダイヤモンドの
微細砥粒で研磨する。しかしながら、このような研磨加
工を行うと、上記研磨布に付着されたダイヤモンド砥粒
が離脱したり上記ウエハの研磨時に発生するシリコン微
細粒子が研磨布上に残留するから、研磨加工後に上記ダ
イヤモンド砥粒やシリコン粒子を洗浄除去する必要があ
る。そのため、研磨加工後に上記研磨布を洗浄ブラシで
洗浄するようにしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な構成のウエハ研磨装置において、ウエハの研磨加工と
研磨盤の洗浄とを繰り返し行うと、上記洗浄ブラシに上
記ダイヤモンド砥粒やシリコン微細粒子などのパーティ
クルが残留するため、洗浄ブラシから研磨盤にパーティ
クルが転移してしまうということがある。また、ウエハ
を保持するトップリングの保持面にもパーティクルが付
着し、ウエハの保持精度が低下するということがある。
【0008】そのため、上記ウエハの研磨面にパーティ
クルによって傷が付いたり、研磨面の平面精度が上記ト
ップリングに保持されたウエハの保持精度に応じて低下
するなどのことがあった。
【0009】本発明は上記の事情にもとづきなされたも
ので、その目的とするところは、トップリングや研磨盤
洗浄ユニットに付着しているパーティクルを確実に除去
してウエハの研磨加工を良好に行うことができるように
したウエハ研磨装置を提供しようとするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1記載の発明は、ウエハを研磨加工するウエ
ハ研磨装置において、上記ウエハを保持して回転駆動す
るウエハ保持機構と、上記ウエハ保持機構に保持された
上記ウエハと接触して、このウエハを研磨加工する研磨
盤と、上記ウエハ保持機構を移送可能とする移送手段
と、上記ウエハ保持機構を洗浄液で洗浄する第1の洗浄
手段と、上記ウエハ保持機構を洗浄した洗浄液の清浄度
を測定する第1の測定手段と、を具備したことを特徴と
している。
【0011】請求項2記載の発明は、ウエハを研磨加工
するウエハ研磨装置において、上記ウエハを保持して回
転駆動するウエハ保持機構と、上記ウエハ保持機構に保
持された上記ウエハと接触して、このウエハを研磨加工
する研磨盤と、上記研磨盤を洗浄する研磨盤洗浄ユニッ
トと、上記研磨盤洗浄ユニットを洗浄液で洗浄する第2
の洗浄手段と、上記ウエハ保持機構および上記研磨盤洗
浄ユニットを移送可能とする移送手段と、上記研磨盤洗
浄ユニットを洗浄した洗浄液の清浄度を測定する第2の
測定手段と、を具備したことを特徴としている。
【0012】請求項3記載の発明は、上記第1、第2の
測定手段は上記ウエハ保持機構または上記研磨盤洗浄ユ
ニットの洗浄後の洗浄液を撮像する撮像手段と、この洗
浄液中のパーティクルを判別する判別手段とからなるこ
とを特徴とする請求項1または請求項2記載のウエハ研
磨装置である。
【0013】請求項1の発明によると、上記ウエハ研磨
装置には、上記ウエハ保持機構を第1の洗浄手段で洗浄
した洗浄液の清浄度を測定する測定手段が設けられたた
め、この第1の洗浄手段が基準の清浄度以上を保ってい
るかどうかが認識可能となる。
【0014】請求項2の発明によると、上記ウエハ研磨
装置には上記研磨盤洗浄ユニットを第2の洗浄手段で洗
浄した洗浄液の清浄度を測定する測定手段が設けられた
ため、この研磨盤洗浄ユニットが基準の清浄度以上とな
っているかどうかの認識が可能となる。
【0015】請求項3の発明によると、上記測定手段は
モニター装置を用いており、このモニター装置を用いて
上記ウエハ保持機構または上記研磨盤洗浄ユニットの洗
浄後の洗浄液中のパーティクルを計測して洗浄液中の清
浄度を測定するため、この洗浄液中に含まれるパーティ
クルの計測が容易となる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下本発明の一実施の形態につい
て、図1ないし図5に基づいて説明する。図1、図2に
示すように、ウエハ研磨装置1は本体2を有しており、
この本体2には脱着部3、研磨部4、第1、第2の洗浄
機構5,6が一列に形成されている。
【0017】上記研磨部4は本体2の中央付近に凹状に
形成された凹状部7に研磨盤8が設けられている。この
研磨盤8は下方に駆動源9が接続されて回転駆動可能と
なっており、また研磨盤8の上面に研磨布10が貼設さ
れるものである。研磨布10は、ウエハ11を鏡面研磨
するために、非常に微細な粒径を有するダイヤモンド砥
粒を例えば人工革皮の表面に付着固定して構成されてお
り、上記研磨盤8上に高精度な平面となるように張り合
わされている。
【0018】上記研磨盤8の上方側には、研磨液供給ノ
ズル12が設けられており、外方から研磨盤8に対して
研磨液を供給するようになっている。研磨部4の凹状部
7の底面は研磨液を受け止める液受部13となってお
り、この液受部13の一部に研磨液を排出させる排液路
14が接続された構成となっている。
【0019】上記研磨部4の一側には、図示されない外
部のウエハ供給源からウエハ11が供給される上記脱着
部3が設けられている。本実施の形態では、脱着部3も
上記研磨部4と同様凹状の部分に設けられており、この
部分にウエハ11を載置する基台3aが設けられてい
る。この基台3aから後述するトップリング25によっ
てウエハ11が保持されるようになっており、上記脱着
部3から上記研磨部4に向かってウエハ11が移送され
るようになっている。
【0020】なお、上記脱着部3は必ずしも凹状の部分
に設けられていなくても良い。上記脱着部3の研磨部4
とは反対側の他側に第1の洗浄機構5が設けられてい
る。この第1の洗浄機構5には凹状部15が形成され、
この凹状部15の内部に純水などの液体を蓄える液槽1
6が設けられている。液槽16の内部には、後述するト
ップリング25の下面に付着したパーティクルを除去す
るためのブラシ体17が設けられている。上記液槽16
には、洗浄液供給路18が下面に形成されており、上記
液槽16に例えば純水などの液体が一定量ずつ供給され
て、この液槽16からオーバーフローするようになって
いる。
【0021】上記凹状部15の液槽16の外方側には排
液路19が形成されており、上記液槽16からオーバー
フローした液体を排出するようになっている。上記研磨
部4の他側には、第2の洗浄機構6が設けられている。
この第2の洗浄機構6は後述する洗浄ブラシ27を洗浄
するものであり、そのため上記第1の洗浄機構5と同様
に、凹状部20が形成され、この凹状部20に液槽21
が設けられるようになっている。また液槽21に洗浄液
供給路22が接続されて例えば純水などの液体を一定ず
つ供給するように設けられている。そして凹状部20の
液槽21の外方側には排液路23が形成され、液槽21
からオーバーフローした液体を排出するようになってい
る。
【0022】上記本体2に形成された各部の上方には、
図3に示すガイド体24が位置するようになっている。
このガイド体24には、本体2から所定寸法離間した位
置を中心として、アームが回動自在に設けられている。
本実施の形態では、ウエハ11を貼付するトップリング
25が先端に取付けられた第1のアーム26と、上記研
磨布10を洗浄する洗浄ブラシ27が先端に取付けられ
た第2のアーム28が設けられている。第1のアーム2
6は図2に矢印Aで示すように、研磨盤8、脱着部3、
第1の洗浄機構5に沿って弧状に回動する。
【0023】また、第2のアーム28は上記第1のアー
ム26と同様に、研磨盤8、第2の洗浄機構6に沿って
矢印Bで示すように弧状に回動するよう設けられてい
る。そして各アーム26,28の基端は図3に示すよう
にシリンダ29のロッド29aに連結され、上下駆動可
能なように設けられている。
【0024】上記第1のアーム26に取付けられるトッ
プリング25は、図1に示すように第1のアーム26に
連結されている筒体25aとヘッド部25bから形成さ
れており、本実施の形態では、このヘッド部25bの下
面でウエハ11を、例えばワックスなどを薄く塗布して
貼着するため、この下面が高精度な平面度の保持面とな
るように形成されている。
【0025】また、上記第2のアーム28に取付けられ
る洗浄ブラシ27は、上記トップリング25と同様に筒
体27aとヘッド部27bとによって構成されており、
ヘッド部27bは筒体27aの下端部に設けられた図示
されないモータなどの駆動源によって回転駆動可能に設
けられている。このヘッド部27bの下面にはブラシ体
30が設けられ、このブラシ体30を研磨盤8に接触さ
せ、研磨盤の上方から例えば純水や洗浄液などを供給し
ながら研磨盤8を洗浄することが可能となっている。
【0026】ここで図1に示すように、上記第1の洗浄
機構5および第2の洗浄機構6には、第1のパーティク
ルカウンタ31および第2のパーティクルカウンタ32
が取付けられるようになっている。これら第1、第2の
パーティクルカウンタ31,32は、本体2の外方側に
設けられており、上記排液路19,23を流れるパーテ
ィクルの計測が可能となって設けられている。
【0027】上記パーティクルカウンタ31,32には
径小な排出液導入配管33,33が設けられており、一
端開口を上記排液路19,23を流れる排出液に向けて
設けられている。また上記排出液導入管33,33の他
端側は上記排出液導入管33,33を流れる排出液に含
まれるパーティクルを検出するモニター装置34,34
に連結されている。
【0028】上記モニター装置34,34は、上記排出
液導入配管33,33を流れる排出液の撮像を行うもの
であり、そしてこのモニター装置34,34には判別装
置35,35が接続されている。この判別装置35,3
5はモニター装置34,34の撮像信号を処理して排出
液に含まれるパーティクル数を検出する。
【0029】上記判別装置35,35は制御装置36,
36に接続されており、上記判別装置35,35によっ
て計測されたパーティクル数があらかじめ設定された基
準値以下となった場合には、上記第1の洗浄機構5およ
び第2の洗浄機構6の作動を停止し、上記トップリング
25および洗浄ブラシ27の洗浄を終了させるようにな
っている。
【0030】以上のような構成を有するウエハ研磨装置
1の作用について、以下に説明する。トップリング25
は、第1のアーム26の下降によって外部からウエハ1
1が供給される脱着部3でウエハ11を貼着保持し、再
びトップリング25を持ち上げて、上記第1のアーム2
6の回動によって研磨盤8の上面までウエハ11を移送
する。そして第1のアーム26を下降させ、上記トップ
リング25の下面に貼着されたウエハ11を研磨盤8の
上面の研磨布10の中心から、所定寸法離間した偏心位
置に押圧する。
【0031】そして上記研磨液供給ノズル12により、
研磨盤8に対して研磨液を供給しながらこのトップリン
グ25を回転駆動させ、これとともに研磨盤8も回転駆
動させて上記ウエハ11を鏡面研磨加工する。
【0032】この鏡面研磨加工が終了すると、上記トッ
プリング25に貼着されたウエハ11を、例えば脱着部
3に保持状態を解除して載置する。このウエハ11が図
示されない搬出手段により、外部に設けられたウエハ積
載部へと移送される。
【0033】そして第1のアーム26を回動させて、上
記トップリング25を研磨盤8の位置する反対の他端側
の第1の洗浄機構5まで移動させて上記トップリング2
5とブラシ体17とを対向させる。そしてトップリング
25をその下面がブラシ体17と接触するまで下降さ
せ、ついで上記トップリング25のヘッド部25bを回
転駆動させることで、その下面が洗浄され、パーティク
ルなどが除去される。
【0034】上記液槽16には、洗浄液供給路18によ
って純水などの液体が常に一定量ずつ供給されているこ
とで、オーバフローしている。そのためオーバーフロー
する液体に、上記トップリング25の下面から除去され
たパーティクルが含まれる。上記液槽16からオーバー
フローする液体は、上記排液路19から流出し、その一
部が、第1のパーティクルカウンタ31を構成する排出
液導入管33に流入する。
【0035】排出液導入管33に流入した排出液は、モ
ニター装置34によって撮像され、この撮像信号が判別
装置35へ伝送される。この判別装置35は、伝送され
てきた撮像信号によって、排出される液体中のパーティ
クル数をカウントする。パーティクル数が基準値以上の
ときは、洗浄が不十分であることになるから、洗浄が継
続され、パーティクル数が基準値以下となったときに
は、洗浄が十分に行われたことになるから、上記第1の
洗浄手段13の作動を停止させ、この洗浄を終了させ
る。
【0036】また、上記ウエハ11の鏡面研磨が終了し
た後に、上記研磨盤8の洗浄作業を行う。すなわち、洗
浄ブラシ27によって、研磨盤8の表面に張付された研
磨布10の洗浄作業を行ってこの研磨布10に付着して
いるパーティクルの除去を行い、このときに洗浄ブラシ
27に付着したパーティクルを洗浄によって除去する。
【0037】この洗浄作業を行うと、上記洗浄ブラシ2
7にパーティクルが多量に付着した状態となるが、上記
洗浄ブラシ27に付着したパーティクルを除去するため
に、上記トップリング25の下面の洗浄作業と同様な、
上記洗浄ブラシ27の洗浄作業を行う。すなわち、この
洗浄ブラシ27を上記第2の洗浄機構6と対向する位置
まで移動させ、この位置で上記洗浄ブラシ27を下降さ
せてブラシ体17を液槽21に没入させる。ついで上記
洗浄ブラシ27のヘッド部27bを回転駆動させること
で、上記ブラシ体17に付着しているパーティクルが除
去される。
【0038】上記液槽21にも、洗浄液供給路22によ
って純水などの液体が常に一定量ずつ供給され、オーバ
ーフローしている。そのためオーバーフローしている液
体に、上記ブラシ体17から除去されたパーティクルが
含まれて、上記排液路23から流出する。この流出した
液体は、第2のパーティクルカウンタ32を構成する排
出液導入管33に流入し、以下上記第1のパーティクル
カウンタ31と同様なパーティクル数の計測が行われ、
洗浄作業が終了する。
【0039】このような洗浄作業を行った場合の実験結
果を以下に示す。図5の三角形の黒点で示すように、洗
浄ブラシ27を液槽21の液体中に液没させ、このヘッ
ド部27bを回転駆動させないで純水を0.8l/mi
nで供給してオーバーフローさせた場合、粒径が0.5
μm以上のパーティクル数が400個程度となるのに約
1200秒程かかっている。
【0040】また、図5の黒丸点で示すように、ヘッド
部27bを回転駆動させ、この液槽21に純水を0.8
l/minで供給した場合、粒径が0.5μm以上のパ
ーティクル数が200個程度となるのに約700秒かか
っている。
【0041】さらに、図5の四角形の白抜き点で示すよ
うに、ヘッド部27bを回転駆動させ、この液槽21に
純水を3.1l/minで供給した場合、粒径が0.5
μm以上のパーティクル数が200個程度の定常状態と
なるのに約420秒かかっている。
【0042】すなわち、純水の供給量を多くして、上記
洗浄ブラシ27を回転駆動させながら洗浄を行うと、こ
の洗浄ブラシ27が早く洗浄されるといえる。このよう
な構成のウエハ研磨装置1では、排出液のパーティクル
数を計測する測定手段としてのパーティクルカウンター
19が設けられた構成のため、この排出液中のパーティ
クル数が基準値以下となっているかどうかを容易に認識
することが可能となる。
【0043】また、このパーティクルカウンター19に
連結されて制御装置23が設けられた構成のため、この
認識に基づいて上記トップリング25および洗浄ブラシ
27の洗浄作業を制御することが可能となる。
【0044】以上、本発明の一実施の形態について述べ
たが、本発明はこれ以外にも種々変形可能である。以
下、それについて述べる。上記実施の形態では、パーテ
ィクルカウンター19を第1の洗浄手段13および第2
の洗浄手段28にそれぞれ設けた構成となっているが、
装置を簡略化したい場合には、いずれか一つの洗浄手段
のみに設ける構成としても構わない。
【0045】また上記構成では、トップリング25の下
面にウエハを、例えばワックスを介して貼付する構成と
なっているが、上記ウエハ11をこのトップリング25
の下面で真空吸引する構成であっても構わない。その
他、本発明はこの要旨を変更しない限りにおいて、種々
変形可能となっている。
【0046】
【発明の効果】以上述べたように、請求項1記載の発明
によると、ウエハ研磨装置にはウエハを保持するウエハ
保持機構を上記第1の洗浄手段で洗浄したときに、その
洗浄液の清浄度を測定する測定手段が設けられている。
そのため、上記洗浄液の清浄度によってウエハ保持機構
を確実に洗浄できるから、このウエハ保持機構によるウ
エハの保持状態が損なわれるのを防止できる。
【0047】請求項2記載の発明によると、上記ウエハ
研磨装置には上記研磨盤洗浄ユニットを洗浄した洗浄液
の清浄度を測定する測定手段が設けられているため、こ
の研磨盤洗浄ユニットを確実に洗浄することができる。
それによってウエハの研磨を良好に行うことが可能とな
る。
【0048】請求項3記載の発明によると、上記第1、
第2の測定手段は上記ウエハ保持機構または上記研磨盤
洗浄ユニットの洗浄後の洗浄液を撮像する撮像手段およ
び洗浄液中のパーティクルを判別する判別手段とからな
るため、この洗浄液中に含まれるパーティクルを撮像し
て判別するだけでパーティクルの計測を容易に行うこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係わるウエハ研磨装置
の構成を示す側方から見た断面図。
【図2】同実施の形態に係わるウエハ研磨装置の構成を
示す上方から見た断面図。
【図3】同実施の形態に係わるウエハを研磨するブラシ
の構成を示す図。
【図4】同実施の形態に係わる第1または第2の洗浄手
段の構成を示すシステム図。
【図5】同実施の形態に係わる研磨布洗浄ブラシを洗浄
した場合の排出液の清浄度の推移を示す図。
【符号の説明】
1…ウエハ研磨装置 3…脱着部 4…研磨部 5…第1の洗浄機構 6…第2の洗浄機構 8…研磨盤 10…研磨布 11…ウエハ 16,21…液槽 23…制御装置 25…トップリング 27…洗浄ブラシ 31,32…第1、第2のパーティクルカウンタ 33…排出液導入管 34…モニター装置 35…判別装置

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウエハを研磨加工するウエハ研磨装置に
    おいて、 上記ウエハを保持して回転駆動するウエハ保持機構と、 上記ウエハ保持機構に保持された上記ウエハと接触し
    て、このウエハを研磨加工する研磨盤と、 上記ウエハ保持機構を移送可能とする移送手段と、 上記ウエハ保持機構を洗浄液で洗浄する第1の洗浄手段
    と、 上記ウエハ保持機構を洗浄した洗浄液の清浄度を測定す
    る第1の測定手段と、を具備したことを特徴とするウエ
    ハ研磨装置。
  2. 【請求項2】 ウエハを研磨加工するウエハ研磨装置に
    おいて、 上記ウエハを保持して回転駆動するウエハ保持機構と、 上記ウエハ保持機構に保持された上記ウエハと接触し
    て、このウエハを研磨加工する研磨盤と、 上記研磨盤を洗浄する研磨盤洗浄ユニットと、 上記研磨盤洗浄ユニットを洗浄液で洗浄する第2の洗浄
    手段と、 上記ウエハ保持機構および上記研磨盤洗浄ユニットを移
    送可能とする移送手段と、 上記研磨盤洗浄ユニットを洗浄した洗浄液の清浄度を測
    定する第2の測定手段と、 を具備したことを特徴とするウエハ研磨装置。
  3. 【請求項3】 上記第1、第2の測定手段は上記ウエハ
    保持機構または上記研磨盤洗浄ユニットの洗浄後の洗浄
    液を撮像する撮像手段と、この洗浄液中のパーティクル
    を判別する判別手段とからなることを特徴とする請求項
    1または請求項2記載のウエハ研磨装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2001070454A1 (en) * 2000-03-17 2001-09-27 Wafer Solutions, Inc. Cluster tool systems and methods for processing wafers
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