JPH10233394A - 金属配線加工装置 - Google Patents
金属配線加工装置Info
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- JPH10233394A JPH10233394A JP3510997A JP3510997A JPH10233394A JP H10233394 A JPH10233394 A JP H10233394A JP 3510997 A JP3510997 A JP 3510997A JP 3510997 A JP3510997 A JP 3510997A JP H10233394 A JPH10233394 A JP H10233394A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｃｕを含有するＡｌ合金配線の配線加工時や
後処理時にアルミニウムＡｌの孔食を防止し信頼性の高
い配線を得ることができる金属配線加工装置を提案する
ことを目的とする。 【解決手段】 半導体基板１上にＣｕを含有するＡｌ合
金配線を形成する金属配線加工装置であって、真空の搬
送室１２を介してエッチング処理室１３、アッシング処
理室１４及び化学気相成長法による成膜を行う成膜処理
室１５を設けたものである。
後処理時にアルミニウムＡｌの孔食を防止し信頼性の高
い配線を得ることができる金属配線加工装置を提案する
ことを目的とする。 【解決手段】 半導体基板１上にＣｕを含有するＡｌ合
金配線を形成する金属配線加工装置であって、真空の搬
送室１２を介してエッチング処理室１３、アッシング処
理室１４及び化学気相成長法による成膜を行う成膜処理
室１５を設けたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えばＩＣ，ＬＳ
Ｉ，ＣＣＤ，ＬＣＤ等の半導体装置に金属配線を形成す
るのに適用して好適な金属配線加工装置に関する。
Ｉ，ＣＣＤ，ＬＣＤ等の半導体装置に金属配線を形成す
るのに適用して好適な金属配線加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、例えばＩＣ，ＬＳＩ，ＣＣＤ，Ｌ
ＣＤ等の高集積化された半導体装置においては金属配線
としてエレクトロマイグレーション（Ｅｌｅｃｔｒｏ
Ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）耐性に優れたいわゆる金属配線の
断線の少ない高信頼性の金属配線として銅（Ｃｕ）を含
有するアルミニウム（Ａｌ）合金配線例えばＡｌ−Ｃ
ｕ，Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｃｕ−Ｔｉ配線が使用さ
れている。
ＣＤ等の高集積化された半導体装置においては金属配線
としてエレクトロマイグレーション（Ｅｌｅｃｔｒｏ
Ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）耐性に優れたいわゆる金属配線の
断線の少ない高信頼性の金属配線として銅（Ｃｕ）を含
有するアルミニウム（Ａｌ）合金配線例えばＡｌ−Ｃ
ｕ，Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｃｕ−Ｔｉ配線が使用さ
れている。
【０００３】このＣｕを含有するＡｌ合金配線の例とし
ては、図３Ｃに示す如く、半導体基板１上に形成された
例えばＳｉＯ2 の絶縁層２上に、密着性を良くするＴｉ
層３を設け、このＴｉ層３上にバリアメタル層としての
ＴｉＮ層４を形成し、このＴｉＮ層４上に所定厚のＣｕ
を含有するＡｌ合金例えばＡｌ−Ｃｕ合金配線層５を設
け、このＡｌ−Ｃｕ合金配線層５上にバリアメタル層と
してＴｉＮ層６を設け、このＴｉ層３、ＴｉＮ層４、Ａ
ｌ−Ｃｕ合金配線層５及びＴｉＮ層６より成る配線の外
周とＳｉＯ2 の絶縁層２上とを覆う如くＳｉＯ2 の絶縁
層より成る保護膜７を設けたものである。
ては、図３Ｃに示す如く、半導体基板１上に形成された
例えばＳｉＯ2 の絶縁層２上に、密着性を良くするＴｉ
層３を設け、このＴｉ層３上にバリアメタル層としての
ＴｉＮ層４を形成し、このＴｉＮ層４上に所定厚のＣｕ
を含有するＡｌ合金例えばＡｌ−Ｃｕ合金配線層５を設
け、このＡｌ−Ｃｕ合金配線層５上にバリアメタル層と
してＴｉＮ層６を設け、このＴｉ層３、ＴｉＮ層４、Ａ
ｌ−Ｃｕ合金配線層５及びＴｉＮ層６より成る配線の外
周とＳｉＯ2 の絶縁層２上とを覆う如くＳｉＯ2 の絶縁
層より成る保護膜７を設けたものである。
【０００４】従来、この図３Ｃに示す如き、Ｃｕを含有
するＡｌ合金配線を形成するのに、まず図３Ａに示す如
く、半導体基板１上にＳｉＯ2 の絶縁層２、Ｔｉ層３、
ＴｉＮ層４、Ａｌ−Ｃｕ合金配線層５及びＴｉＮ層６を
順次形成した半導体装置を用意し、このＴｉＮ層６上に
所定配線パターンのホトレジストマスク８を形成する。
するＡｌ合金配線を形成するのに、まず図３Ａに示す如
く、半導体基板１上にＳｉＯ2 の絶縁層２、Ｔｉ層３、
ＴｉＮ層４、Ａｌ−Ｃｕ合金配線層５及びＴｉＮ層６を
順次形成した半導体装置を用意し、このＴｉＮ層６上に
所定配線パターンのホトレジストマスク８を形成する。
【０００５】その後、この半導体装置をエッチング装置
に搬送し、このエッチング装置で、このホトレジストマ
スク８をマスクとして、塩化物ガスを使用して、図３Ｂ
に示す如く絶縁層２までエッチングを行う。この場合、
配線の側壁に反応生成物が付着する。
に搬送し、このエッチング装置で、このホトレジストマ
スク８をマスクとして、塩化物ガスを使用して、図３Ｂ
に示す如く絶縁層２までエッチングを行う。この場合、
配線の側壁に反応生成物が付着する。
【０００６】従来はこのエッチング装置で簡単なホトレ
ジストマスク８を除去するアッシング（２００℃程度）
を行うと共にこの配線の側壁に付着した反応生成物を除
去するアルカリ性洗浄液（ＥＫＣ）による洗浄をし、そ
の後純水による洗浄を行ってこのアルカリ性洗浄液を洗
浄除去していた。
ジストマスク８を除去するアッシング（２００℃程度）
を行うと共にこの配線の側壁に付着した反応生成物を除
去するアルカリ性洗浄液（ＥＫＣ）による洗浄をし、そ
の後純水による洗浄を行ってこのアルカリ性洗浄液を洗
浄除去していた。
【０００７】その後、この半導体装置をこのエッチング
装置より外気に取り出して、アッシング装置に搬送し、
このアッシング装置において、２００℃でアッシングし
この半導体装置のホトレジストマスク８を完全にアッシ
ングして除去する。
装置より外気に取り出して、アッシング装置に搬送し、
このアッシング装置において、２００℃でアッシングし
この半導体装置のホトレジストマスク８を完全にアッシ
ングして除去する。
【０００８】次にこの半導体装置をこのアッシング装置
より取り出して、第１の洗浄装置に搬送し、この第１の
洗浄装置でアルカリ性洗浄液（ＥＫＣ）により洗浄し、
この配線の側壁に付着した反応生成物を完全に除去す
る。更にこの第１の洗浄装置でこの半導体装置を簡単に
純水による洗浄し、アルカリ性洗浄液（ＥＫＣ）を洗浄
除去する。
より取り出して、第１の洗浄装置に搬送し、この第１の
洗浄装置でアルカリ性洗浄液（ＥＫＣ）により洗浄し、
この配線の側壁に付着した反応生成物を完全に除去す
る。更にこの第１の洗浄装置でこの半導体装置を簡単に
純水による洗浄し、アルカリ性洗浄液（ＥＫＣ）を洗浄
除去する。
【０００９】次にこの半導体装置を第１の洗浄装置より
取り出し、第２の洗浄装置に搬送し、この第２の洗浄装
置において純水で十分に洗浄してアルカリ性洗浄液等を
完全に洗浄除去し、その後乾燥する。
取り出し、第２の洗浄装置に搬送し、この第２の洗浄装
置において純水で十分に洗浄してアルカリ性洗浄液等を
完全に洗浄除去し、その後乾燥する。
【００１０】その後、図３Ｃに示す如くＳｉＯ2 をプラ
ズマＣＶＤ装置を使用してプラズマＣＶＤにより被着
し、保護膜７を形成する。
ズマＣＶＤ装置を使用してプラズマＣＶＤにより被着
し、保護膜７を形成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く高集積化さ
れた半導体装置においてはエレクトロマイグレーション
耐性に優れた高信頼性のＣｕを含有するＡｌ合金配線を
使用しているが、このＣｕを含有するＡｌ合金配線は、
配線加工時や後処理時例えば上述の如く２回のアッシン
グ処理時にかかる熱によりＣｕの偏析やＡｌ−Ｃｕ合金
が析出し、その後の例えば上述の如く３回の純水による
洗浄処理時にこの部分で局部電池効果によるアルミニウ
ムＡｌの孔食を引き起こす。この現象は配線加工及び後
処理時にかかる熱により銅Ｃｕの偏析やＡｌ−Ｃｕ合金
が析出し、純水洗浄を繰り返すうち、局部電池効果によ
りアルミニウムＡｌの孔食を引き起こすものである。
れた半導体装置においてはエレクトロマイグレーション
耐性に優れた高信頼性のＣｕを含有するＡｌ合金配線を
使用しているが、このＣｕを含有するＡｌ合金配線は、
配線加工時や後処理時例えば上述の如く２回のアッシン
グ処理時にかかる熱によりＣｕの偏析やＡｌ−Ｃｕ合金
が析出し、その後の例えば上述の如く３回の純水による
洗浄処理時にこの部分で局部電池効果によるアルミニウ
ムＡｌの孔食を引き起こす。この現象は配線加工及び後
処理時にかかる熱により銅Ｃｕの偏析やＡｌ−Ｃｕ合金
が析出し、純水洗浄を繰り返すうち、局部電池効果によ
りアルミニウムＡｌの孔食を引き起こすものである。
【００１２】このアルミニウムＡｌの孔食がこの配線の
微細欠陥となり、配線の信頼性が劣化する不都合があっ
た。
微細欠陥となり、配線の信頼性が劣化する不都合があっ
た。
【００１３】本発明は斯る点に鑑み、Ｃｕを含有するＡ
ｌ合金配線の配線加工時や後処理時にアルミニウムＡｌ
の孔食を防止するようにし、信頼性の高いＣｕを含有す
るＡｌ合金配線を加工できる金属配線加工装置を提案せ
んとするものである。
ｌ合金配線の配線加工時や後処理時にアルミニウムＡｌ
の孔食を防止するようにし、信頼性の高いＣｕを含有す
るＡｌ合金配線を加工できる金属配線加工装置を提案せ
んとするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明金属配線加工装置
は半導体基板上にＣｕを含有するＡｌ合金配線を形成す
る金属配線加工装置であって、真空の搬送室を介してエ
ッチング処理室、アッシング処理室及び化学気相成長法
による成膜を行う成膜処理室を設けたものである。
は半導体基板上にＣｕを含有するＡｌ合金配線を形成す
る金属配線加工装置であって、真空の搬送室を介してエ
ッチング処理室、アッシング処理室及び化学気相成長法
による成膜を行う成膜処理室を設けたものである。
【００１５】斯る本発明によれば熱履歴及び純水洗浄の
回数を削減すると共に加工終了後ただちに配線表面を覆
うようにしているので、アルミニウムＡｌの孔食を防止
することができ、配線の信頼性を向上することができ
る。
回数を削減すると共に加工終了後ただちに配線表面を覆
うようにしているので、アルミニウムＡｌの孔食を防止
することができ、配線の信頼性を向上することができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図１及び図２を参照して本
発明金属配線加工装置の一実施例につき説明しよう。
発明金属配線加工装置の一実施例につき説明しよう。
【００１７】図１、図２において、１０はこれから配線
加工しようとする半導体装置が収納されたカセットが搬
入され、このカセットより半導体装置を取り出すと共に
配線加工後の半導体装置をこのカセットに装填する半導
体装置取り出し及び装填室を示す。本例においては、こ
の半導体装置の処理は枚葉処理を行うものとする。
加工しようとする半導体装置が収納されたカセットが搬
入され、このカセットより半導体装置を取り出すと共に
配線加工後の半導体装置をこのカセットに装填する半導
体装置取り出し及び装填室を示す。本例においては、こ
の半導体装置の処理は枚葉処理を行うものとする。
【００１８】この半導体装置取り出し及び装填室１０に
おいて、カセットより取り出した半導体装置は、真空処
理（真空引き）を行う真空処理室１１を介して、真空の
搬送室１２に搬送する如くする。
おいて、カセットより取り出した半導体装置は、真空処
理（真空引き）を行う真空処理室１１を介して、真空の
搬送室１２に搬送する如くする。
【００１９】この半導体装置取り出し及び装填室１０よ
り搬送室１２に搬送される半導体装置は図３Ａに示す如
く半導体基板１上にＳｉＯ2 の絶縁層２、Ｔｉ層３、Ｔ
ｉＮ層４、Ａｌ−Ｃｕ合金配線層５及びＴｉＮ層６が順
次形成されると共にこのＴｉＮ層６上に所定配線パター
ンのホトレジストマスク８を形成したものである。
り搬送室１２に搬送される半導体装置は図３Ａに示す如
く半導体基板１上にＳｉＯ2 の絶縁層２、Ｔｉ層３、Ｔ
ｉＮ層４、Ａｌ−Ｃｕ合金配線層５及びＴｉＮ層６が順
次形成されると共にこのＴｉＮ層６上に所定配線パター
ンのホトレジストマスク８を形成したものである。
【００２０】本例においては、図１に示す如く、この搬
送室１２に連続して、エッチング処理室１３、アッシン
グ処理室１４及び化学気相成長法（ＣＶＤ）によるＳｉ
Ｏ2の成膜を行う成膜処理室１５を夫々設ける。
送室１２に連続して、エッチング処理室１３、アッシン
グ処理室１４及び化学気相成長法（ＣＶＤ）によるＳｉ
Ｏ2の成膜を行う成膜処理室１５を夫々設ける。
【００２１】更に本例においては、この搬送室１２に真
空処理室１６及び搬送ステージ１７を介して洗浄処理室
１８を設ける。
空処理室１６及び搬送ステージ１７を介して洗浄処理室
１８を設ける。
【００２２】本例においては、この搬送室１２に搬送さ
れてきた図３Ａに示す如き半導体装置をエッチング処理
室１３に導き、このエッチング処理室１３で、このホト
レジストマスク８をマスクとして塩化物ガスを使用して
図３Ｂに示す如く絶縁層２までエッチングを行う。
れてきた図３Ａに示す如き半導体装置をエッチング処理
室１３に導き、このエッチング処理室１３で、このホト
レジストマスク８をマスクとして塩化物ガスを使用して
図３Ｂに示す如く絶縁層２までエッチングを行う。
【００２３】その後、この図３Ｂに示す如き半導体装置
をこの搬送室１２を介してアッシング処理室１４に搬送
し、このアッシング処理室１４において、この図３Ｂに
示す如き半導体装置のホトレジストマスク８を２００℃
でアッシングし、このホトレジストマスク８をアッシン
グして除去する如くする。
をこの搬送室１２を介してアッシング処理室１４に搬送
し、このアッシング処理室１４において、この図３Ｂに
示す如き半導体装置のホトレジストマスク８を２００℃
でアッシングし、このホトレジストマスク８をアッシン
グして除去する如くする。
【００２４】その後、この半導体装置を搬送室１２を経
て真空処理室１６に送り、この真空処理室１６で、この
半導体装置を一旦大気状態とし、その後この半導体装置
を搬送ステージ１７を経て洗浄処理室１８に搬送する。
て真空処理室１６に送り、この真空処理室１６で、この
半導体装置を一旦大気状態とし、その後この半導体装置
を搬送ステージ１７を経て洗浄処理室１８に搬送する。
【００２５】この洗浄処理室１８においては先ずアルカ
リ性洗浄液（ＥＫＣ）により十分に洗浄して配線の側壁
に付着した反応生成物を除去し、その後、純水により十
分に洗浄して、アルカリ性洗浄液等を洗浄除去し、その
後乾燥する。
リ性洗浄液（ＥＫＣ）により十分に洗浄して配線の側壁
に付着した反応生成物を除去し、その後、純水により十
分に洗浄して、アルカリ性洗浄液等を洗浄除去し、その
後乾燥する。
【００２６】その後、この半導体装置を再度搬送ステー
ジ１７を経て、真空処理室１１に搬送し、この真空処理
室１１で真空引きを行い、その後真空の搬送室１２を経
て、プラズマＣＶＤ法により成膜する成膜処理室１５に
搬送する。
ジ１７を経て、真空処理室１１に搬送し、この真空処理
室１１で真空引きを行い、その後真空の搬送室１２を経
て、プラズマＣＶＤ法により成膜する成膜処理室１５に
搬送する。
【００２７】この成膜処理室１５においては、図３Ｃに
示す如くＴｉ層３、ＴｉＮ層４、Ａｌ−Ｃｕ合金配線層
５及びＴｉＮ層６より成る配線の外周及びその周辺のＳ
ｉＯ2 の絶縁層２を覆う如くＳｉＯ2 の絶縁層より成る
保護膜７をプラズマＣＶＤ法により成膜する。
示す如くＴｉ層３、ＴｉＮ層４、Ａｌ−Ｃｕ合金配線層
５及びＴｉＮ層６より成る配線の外周及びその周辺のＳ
ｉＯ2 の絶縁層２を覆う如くＳｉＯ2 の絶縁層より成る
保護膜７をプラズマＣＶＤ法により成膜する。
【００２８】その後、この図３Ｃに示す如き、配線加工
及び後処理が終了した半導体装置をこの真空の搬送室１
２を経て真空処理室１７に搬送し、この真空処理室１７
で大気状態に戻され、半導体装置取り出し及び装填室１
０に搬送され、この図３Ｃに示す如き、半導体装置をカ
セットに装填し、この金属配線加工装置より取り出し、
その他の処理を行う如くする。
及び後処理が終了した半導体装置をこの真空の搬送室１
２を経て真空処理室１７に搬送し、この真空処理室１７
で大気状態に戻され、半導体装置取り出し及び装填室１
０に搬送され、この図３Ｃに示す如き、半導体装置をカ
セットに装填し、この金属配線加工装置より取り出し、
その他の処理を行う如くする。
【００２９】斯る本例の金属配線加工装置によれば従来
は配線加工後に２回行っていたアッシング処理を、この
金属配線加工装置のアッシング処理室１４で充分なアッ
シング処理を行うことで１回に削減し、また従来３回行
っていた純水洗浄を洗浄室１８で１回にし、更に真空の
搬送室１２を経て連続的にプラズマＣＶＤ法によりＳｉ
Ｏ2 の成膜を行う成膜処理室１５で保護膜７を形成して
いるので、本例による図３Ｃに示す如きＣｕを含有する
Ａｌ合金配線によれば、Ｃｕの偏析、Ａｌ−Ｃｕ合金の
析出は一切発生せずアルミニウム孔食を防止することが
でき、配線の信頼性を向上することができた。
は配線加工後に２回行っていたアッシング処理を、この
金属配線加工装置のアッシング処理室１４で充分なアッ
シング処理を行うことで１回に削減し、また従来３回行
っていた純水洗浄を洗浄室１８で１回にし、更に真空の
搬送室１２を経て連続的にプラズマＣＶＤ法によりＳｉ
Ｏ2 の成膜を行う成膜処理室１５で保護膜７を形成して
いるので、本例による図３Ｃに示す如きＣｕを含有する
Ａｌ合金配線によれば、Ｃｕの偏析、Ａｌ−Ｃｕ合金の
析出は一切発生せずアルミニウム孔食を防止することが
でき、配線の信頼性を向上することができた。
【００３０】また、本例によれば従来のＣｕを含有する
Ａｌ合金配線を加工処理する場合に比し、工程数を少な
くできると共に使用する純水、アルカリ性洗浄液及び塩
化物ガスの使用量を削減することができた。
Ａｌ合金配線を加工処理する場合に比し、工程数を少な
くできると共に使用する純水、アルカリ性洗浄液及び塩
化物ガスの使用量を削減することができた。
【００３１】尚、上述実施例ではＡｌ−Ｃｕ合金を配線
層５に使用したが、この代わりにＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合
金、Ａｌ−Ｃｕ−Ｔｉ合金等であっても良いことは勿論
である。
層５に使用したが、この代わりにＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合
金、Ａｌ−Ｃｕ−Ｔｉ合金等であっても良いことは勿論
である。
【００３２】また本発明は上述実施例に限ることなく、
本発明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成が採
り得ることは勿論である。
本発明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成が採
り得ることは勿論である。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば熱履歴及び純水洗浄の回
数を削減すると共に加工終了後ただちに配線表面を保護
膜により覆うようにしているので、アルミニウムＡｌの
孔食を防止することができ、配線の信頼性を向上するこ
とができる利益がある。
数を削減すると共に加工終了後ただちに配線表面を保護
膜により覆うようにしているので、アルミニウムＡｌの
孔食を防止することができ、配線の信頼性を向上するこ
とができる利益がある。
【図１】本発明金属配線加工装置の一実施例を示す平面
図である。
図である。
【図２】図１の斜視図である。
【図３】金属配線の加工工程の例を示す断面図である。
【符号の説明】 １ 半導体基板、２ 絶縁層、３ Ｔｉ層、４，６ Ｔ
ｉＮ層、５ Ａｌ−Ｃｕ合金配線層、７ 保護膜、８
ホトレジストマスク、１０ 半導体装置取り出し及び装
填室、１１，１６ 真空処理室、１２ 真空の搬送室、
１３ エッチング処理室、１４ アッシング処理室、１
５ 成膜処理室、１７ 搬送ステージ、１８ 洗浄処理
室
ｉＮ層、５ Ａｌ−Ｃｕ合金配線層、７ 保護膜、８
ホトレジストマスク、１０ 半導体装置取り出し及び装
填室、１１，１６ 真空処理室、１２ 真空の搬送室、
１３ エッチング処理室、１４ アッシング処理室、１
５ 成膜処理室、１７ 搬送ステージ、１８ 洗浄処理
室
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上にＣｕを含有するＡｌ合金
配線を形成する金属配線加工装置であって、真空の搬送
室を介してエッチング処理室、アッシング処理室及び化
学気相成長法による成膜を行う成膜処理室を設けたこと
を特徴とする金属配線加工装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の金属配線加工装置におい
て、 前記搬送室に真空処理室及び搬送ステージを介して洗浄
処理室を設けたことを特徴とする金属配線加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3510997A JPH10233394A (ja) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | 金属配線加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3510997A JPH10233394A (ja) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | 金属配線加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10233394A true JPH10233394A (ja) | 1998-09-02 |
Family
ID=12432774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3510997A Pending JPH10233394A (ja) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | 金属配線加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10233394A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100796626B1 (ko) | 2005-04-08 | 2008-01-22 | 어플라이드 매터리얼스 게엠베하 운트 컴퍼니 카게 | 기판 코팅 장치 및 모듈 |
-
1997
- 1997-02-19 JP JP3510997A patent/JPH10233394A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100796626B1 (ko) | 2005-04-08 | 2008-01-22 | 어플라이드 매터리얼스 게엠베하 운트 컴퍼니 카게 | 기판 코팅 장치 및 모듈 |
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