JPH10232386A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH10232386A JPH10232386A JP9033918A JP3391897A JPH10232386A JP H10232386 A JPH10232386 A JP H10232386A JP 9033918 A JP9033918 A JP 9033918A JP 3391897 A JP3391897 A JP 3391897A JP H10232386 A JPH10232386 A JP H10232386A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 屈折率が約１.４程度の熔融石英ガラスを用
いて構成した基板側面より光を入射させる方式の液晶表
示装置を提供する。 【解決手段】 屈折率ｎgの背面基板２と屈折率ｎg′の
前面基板３との間に屈折率異方性を示す液晶８を封入し
てなる液晶パネルを屈折率ｎaの媒質中（通常は空気）
に置き、背面基板２から液晶へ偏光を ｓｉｎθg≧ｎa／ｎg なる入射角θgで入射させるようにし、液晶８へ印加す
る電圧の制御によって、前面基板から媒質へ入射する光
の前記媒質に対する入射角θkを ｓｉｎθk≧ｎa／ｎg′から ｓｉｎθk′＜ｎa／ｎg′ を満足するθk′へ変化させることにより、表示を行な
うようにする。このとき、液晶の最大屈折率ｎnax、最
小屈折率をｎminとし、 （ｎnax／ｎmin）×（ｎa／ｎg）＞ｓｉｎθg なる関係を有するように各部材の屈折率及び入射角を設
定する。
いて構成した基板側面より光を入射させる方式の液晶表
示装置を提供する。 【解決手段】 屈折率ｎgの背面基板２と屈折率ｎg′の
前面基板３との間に屈折率異方性を示す液晶８を封入し
てなる液晶パネルを屈折率ｎaの媒質中（通常は空気）
に置き、背面基板２から液晶へ偏光を ｓｉｎθg≧ｎa／ｎg なる入射角θgで入射させるようにし、液晶８へ印加す
る電圧の制御によって、前面基板から媒質へ入射する光
の前記媒質に対する入射角θkを ｓｉｎθk≧ｎa／ｎg′から ｓｉｎθk′＜ｎa／ｎg′ を満足するθk′へ変化させることにより、表示を行な
うようにする。このとき、液晶の最大屈折率ｎnax、最
小屈折率をｎminとし、 （ｎnax／ｎmin）×（ｎa／ｎg）＞ｓｉｎθg なる関係を有するように各部材の屈折率及び入射角を設
定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特に基板側面より光を入射させる構成を有する液晶
表示装置に関する。
し、特に基板側面より光を入射させる構成を有する液晶
表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に特開昭５９−５８４２１号公報で
示された基板側面より光を入射させる液晶表示装置（以
下、側面入射型液晶表示側面と略称する）の構成を図１
７を参照して説明する。図１７は、従来の側面入射型液
晶表示装置の一例を概念的に示す断面図で、図中、２
１，２２は透明電極、２３は前面基板、２４は背面基
板、２５はネマチック液晶、２６は末端側面、２７は光
源、２８は光散乱板、２９は背面基板突出部である。図
１８は、誘電異方性が正のネマチック液晶における一般
的な駆動波形を示す波形図である。
示された基板側面より光を入射させる液晶表示装置（以
下、側面入射型液晶表示側面と略称する）の構成を図１
７を参照して説明する。図１７は、従来の側面入射型液
晶表示装置の一例を概念的に示す断面図で、図中、２
１，２２は透明電極、２３は前面基板、２４は背面基
板、２５はネマチック液晶、２６は末端側面、２７は光
源、２８は光散乱板、２９は背面基板突出部である。図
１８は、誘電異方性が正のネマチック液晶における一般
的な駆動波形を示す波形図である。
【０００３】図１７に示すごとくに、この液晶表示装置
においては、前面基板２３と背面基板２４との間に透明
電極２１，２２を形成し、その間に誘電異方性が正のネ
マチック液晶２５を封入し、その透明電極２１，２２の
交差部を画素（イ），（ロ）とし、背面基板２４の屈折
率ｎbとネマチック液晶２５の常光屈折率ｎo（ｎ┴）と
異常光屈折率ｎe（ｎ‖）との間に、 ｎe＞ｎb＞ｎo （１） の関係が成立するよう背面基板２４及びネマチック液晶
２５を選択する。また、背面基板突出部２９の末端側面
２６には光源２７を配置し、その光源からの光が画素
（イ），（ロ）へ入射する角度θiを ｓｉｎθi≧ｎo／ｎb （２） の関係を満足するよう背面基板突出部２９の長さを決め
る。
においては、前面基板２３と背面基板２４との間に透明
電極２１，２２を形成し、その間に誘電異方性が正のネ
マチック液晶２５を封入し、その透明電極２１，２２の
交差部を画素（イ），（ロ）とし、背面基板２４の屈折
率ｎbとネマチック液晶２５の常光屈折率ｎo（ｎ┴）と
異常光屈折率ｎe（ｎ‖）との間に、 ｎe＞ｎb＞ｎo （１） の関係が成立するよう背面基板２４及びネマチック液晶
２５を選択する。また、背面基板突出部２９の末端側面
２６には光源２７を配置し、その光源からの光が画素
（イ），（ロ）へ入射する角度θiを ｓｉｎθi≧ｎo／ｎb （２） の関係を満足するよう背面基板突出部２９の長さを決め
る。
【０００４】この画素を構成する誘電異方性が正のネマ
チック液晶２５の駆動波形は一般的に図１８のようにな
る。図１８ではに示すものがコモン電極Ｌi（図１７
では透明電極２２）へ印加される電圧、に示すものが
セグメント電極Ｓj（図１７では透明電極２１）へ印加
される電圧である。コモン電極Ｌiへ選択電圧Ｖ1（また
はＶ6）を印加したとき、セグメント電極ＳjへＶ6（ま
たはＶ1）を印加すれば画素Ａijを構成するネマチック
液晶（誘電異方性が正）２５は図１７における画素
（イ）に示すようにオン状態となり、セグメント電極Ｓ
jへＶ5（またはＶ2）を印加すれば画素Ａijを構成する
ネマチック液晶（誘電異方性が正）は図１の画素（ロ）
に示すようにオフ状態となる。
チック液晶２５の駆動波形は一般的に図１８のようにな
る。図１８ではに示すものがコモン電極Ｌi（図１７
では透明電極２２）へ印加される電圧、に示すものが
セグメント電極Ｓj（図１７では透明電極２１）へ印加
される電圧である。コモン電極Ｌiへ選択電圧Ｖ1（また
はＶ6）を印加したとき、セグメント電極ＳjへＶ6（ま
たはＶ1）を印加すれば画素Ａijを構成するネマチック
液晶（誘電異方性が正）２５は図１７における画素
（イ）に示すようにオン状態となり、セグメント電極Ｓ
jへＶ5（またはＶ2）を印加すれば画素Ａijを構成する
ネマチック液晶（誘電異方性が正）は図１の画素（ロ）
に示すようにオフ状態となる。
【０００５】このように駆動された図１７の液晶表示装
置の画素（イ）では光源２７より出た光は背面基板２４
とネマチック液晶２５の界面を透過し光散乱板２８を照
射するが、画素（ロ）では背面基板２４とネマチック液
晶２５の界面で全反射し光散乱板２８を照射しない。従
って、光散乱板２８は画素（イ）に対応する部分が明る
い表示状態となり、画素（ロ）に対応する部分が暗い表
示状態となる。
置の画素（イ）では光源２７より出た光は背面基板２４
とネマチック液晶２５の界面を透過し光散乱板２８を照
射するが、画素（ロ）では背面基板２４とネマチック液
晶２５の界面で全反射し光散乱板２８を照射しない。従
って、光散乱板２８は画素（イ）に対応する部分が明る
い表示状態となり、画素（ロ）に対応する部分が暗い表
示状態となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図１７の従来の側面入
射型液晶表示装置において、光源２７より出た光の偏光
軸は画素（イ）を構成する液晶分子と平行した方向であ
ろう。従って、画素（イ）を構成する液晶の屈折率は異
常光屈折率ｎe（ｎ‖）となり、屈折の法則より ｓｉｎθe＝（ｎb／ｎe）×ｓｉｎθi （３） となる。この屈折角θeは式（１）より ｓｉｎθe＝（ｎb／ｎe）×ｓｉｎθi＜ｓｉｎθi （４） 即ち、 θe＜θi （５） となり、光源２７より出た偏光は背面基板２４から液晶
２５へ入射角θiで入射し、屈折角θeで液晶２５へ透過
できる。
射型液晶表示装置において、光源２７より出た光の偏光
軸は画素（イ）を構成する液晶分子と平行した方向であ
ろう。従って、画素（イ）を構成する液晶の屈折率は異
常光屈折率ｎe（ｎ‖）となり、屈折の法則より ｓｉｎθe＝（ｎb／ｎe）×ｓｉｎθi （３） となる。この屈折角θeは式（１）より ｓｉｎθe＝（ｎb／ｎe）×ｓｉｎθi＜ｓｉｎθi （４） 即ち、 θe＜θi （５） となり、光源２７より出た偏光は背面基板２４から液晶
２５へ入射角θiで入射し、屈折角θeで液晶２５へ透過
できる。
【０００７】一方、画素（ロ）を構成する液晶の屈折率
は常光屈折率ｎo（ｎ┴）となり、屈折の法則より ｓｉｎθo＝（ｎb／ｎo）×ｓｉｎθi （６） となる。この屈折角θoは式（２）より （ｎo／ｎb）×ｓｉｎθo＞ｎo／ｎb （７） 即ち、 ｓｉｎθo＞１ （８） となり解が存在しないので、光源２７より出た偏光は背
面基板２４からネマチック液晶２５へ入射角θiで入射
しようとするが、背面基板２４と液晶２５の界面で全反
射され、液晶２５へは透過しない。
は常光屈折率ｎo（ｎ┴）となり、屈折の法則より ｓｉｎθo＝（ｎb／ｎo）×ｓｉｎθi （６） となる。この屈折角θoは式（２）より （ｎo／ｎb）×ｓｉｎθo＞ｎo／ｎb （７） 即ち、 ｓｉｎθo＞１ （８） となり解が存在しないので、光源２７より出た偏光は背
面基板２４からネマチック液晶２５へ入射角θiで入射
しようとするが、背面基板２４と液晶２５の界面で全反
射され、液晶２５へは透過しない。
【０００８】このような全反射状態と透過状態を切り替
えて表示する側面入射型液晶表示装置は、従来の液晶表
示装置（例えば、図１７に示す構成で、背面基板の背面
から偏光を入力する液晶表示装置）に比べコントラスト
の高い表示が得られる。
えて表示する側面入射型液晶表示装置は、従来の液晶表
示装置（例えば、図１７に示す構成で、背面基板の背面
から偏光を入力する液晶表示装置）に比べコントラスト
の高い表示が得られる。
【０００９】しかし、特開昭５９−５８４２１号公報で
用いられたロッシュ社製のネマチック液晶ＲＯ−ＴＮ２
１０８でも常光屈折率ｎo（ｎ┴）は１.５０程度であ
り、異常光屈折率ｎe（ｎ‖）は１.７８程度である。ま
た、ピリミジン系及びチアジアゾール系液晶の常光屈折
率ｎo（ｎ┴）と異常光屈折率ｎe（ｎ‖）を調べてみて
も、常光屈折率ｎo（ｎ┴）は１.５前後であり、異常光
屈折率ｎe（ｎ‖）は１.６〜１.８の範囲である。一
方、通常の液晶パネルに用いられる熔融石英ガラスの屈
折率は１.４６〜１.５程度であり、図１７に示す液晶表
示装置には用いることができない。前述の特開昭５９−
５８４２１号公報で用いられたガラスは屈折率１.６程
度のフリントガラスであるが、このような特殊なガラス
は高価であり実用には向かない。
用いられたロッシュ社製のネマチック液晶ＲＯ−ＴＮ２
１０８でも常光屈折率ｎo（ｎ┴）は１.５０程度であ
り、異常光屈折率ｎe（ｎ‖）は１.７８程度である。ま
た、ピリミジン系及びチアジアゾール系液晶の常光屈折
率ｎo（ｎ┴）と異常光屈折率ｎe（ｎ‖）を調べてみて
も、常光屈折率ｎo（ｎ┴）は１.５前後であり、異常光
屈折率ｎe（ｎ‖）は１.６〜１.８の範囲である。一
方、通常の液晶パネルに用いられる熔融石英ガラスの屈
折率は１.４６〜１.５程度であり、図１７に示す液晶表
示装置には用いることができない。前述の特開昭５９−
５８４２１号公報で用いられたガラスは屈折率１.６程
度のフリントガラスであるが、このような特殊なガラス
は高価であり実用には向かない。
【００１０】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たものであり、屈折率が約１.４程度の熔融石英ガラス
を用いて構成した基板側面より光を入射させる方式の液
晶表示装置を提供することをその解決すべき課題とす
る。
たものであり、屈折率が約１.４程度の熔融石英ガラス
を用いて構成した基板側面より光を入射させる方式の液
晶表示装置を提供することをその解決すべき課題とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、屈折
率ｎgの背面基板と屈折率ｎg′の前面基板との間に設け
られる間隙に屈折率異方性を示す液晶を封入してなる液
晶パネルを屈折率ｎaの媒質中に置き、前記背面基板か
ら前記液晶へ偏光を ｓｉｎθg≧ｎa／ｎg なる入射角θgで入射させるようにした液晶表示装置に
おいて、前記液晶へ印加する電圧の制御によって、前記
液晶を透過して前記前面基板から前記媒質へ入射する光
の前記媒質に対する入射角θkを ｓｉｎθk≧ｎa／ｎg′ から ｓｉｎθk′＜ｎa／ｎg′ を満足するθk′へ変化させることにより、前記前面基
板と前記媒質の界面を透過して前記媒質に出射する光量
を変化させて表示を行なうようにしたことを特徴とし、
通常の液晶パネルに用いられる屈折率が１．４６〜１．
５程度の安価な熔融石英ガラスと、常光屈折率ｎo（ｎ
┴）が１．５０程度で異常光屈折率ｎe（ｎ‖）が１．
６〜１．８程度の一般的な液晶を用いて、従来の背面基
板の背面から偏光を入力する液晶表示装置に比べコント
ラストの高い側面入射型液晶表示装置を構成できるよう
にしたものである。
率ｎgの背面基板と屈折率ｎg′の前面基板との間に設け
られる間隙に屈折率異方性を示す液晶を封入してなる液
晶パネルを屈折率ｎaの媒質中に置き、前記背面基板か
ら前記液晶へ偏光を ｓｉｎθg≧ｎa／ｎg なる入射角θgで入射させるようにした液晶表示装置に
おいて、前記液晶へ印加する電圧の制御によって、前記
液晶を透過して前記前面基板から前記媒質へ入射する光
の前記媒質に対する入射角θkを ｓｉｎθk≧ｎa／ｎg′ から ｓｉｎθk′＜ｎa／ｎg′ を満足するθk′へ変化させることにより、前記前面基
板と前記媒質の界面を透過して前記媒質に出射する光量
を変化させて表示を行なうようにしたことを特徴とし、
通常の液晶パネルに用いられる屈折率が１．４６〜１．
５程度の安価な熔融石英ガラスと、常光屈折率ｎo（ｎ
┴）が１．５０程度で異常光屈折率ｎe（ｎ‖）が１．
６〜１．８程度の一般的な液晶を用いて、従来の背面基
板の背面から偏光を入力する液晶表示装置に比べコント
ラストの高い側面入射型液晶表示装置を構成できるよう
にしたものである。
【００１２】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記液晶の最大屈折率ｎmax及び最小屈折率ｎ
minと、前記入射角θgとの間に （ｎmax／ｎmin）×（ｎa／ｎg）＞ｓｉｎθg の関係が成り立つようにしたことを特徴とし、コントラ
ストの高い側面入射型液晶表示装置を得るための液晶の
屈折率、背面基板の屈折率、装置が置かれる媒質の屈折
率、及び背面基板から液晶へ入射する入射角の関係に関
する具体的な範囲が与えられるようにしたものである。
て、前記液晶の最大屈折率ｎmax及び最小屈折率ｎ
minと、前記入射角θgとの間に （ｎmax／ｎmin）×（ｎa／ｎg）＞ｓｉｎθg の関係が成り立つようにしたことを特徴とし、コントラ
ストの高い側面入射型液晶表示装置を得るための液晶の
屈折率、背面基板の屈折率、装置が置かれる媒質の屈折
率、及び背面基板から液晶へ入射する入射角の関係に関
する具体的な範囲が与えられるようにしたものである。
【００１３】請求項３の発明は、請求項１または２の発
明において、前記背面基板と前記前面基板との間に形成
されるコモン電極及びセグメント電極を、前記液晶へ印
加する電圧により発生する該コモン電極から該セグメン
ト電極へ向かう電界が前記背面基板の表面と直交するよ
うに配設するとともに、前記液晶としてネマチック液晶
または強誘電性液晶または反強誘電性液晶のいずれかを
用い、前記背面基板から入射させる前記偏光の偏光軸と
前記背面基板表面に形成される配向膜における配向軸と
のなす角度θmが ０＜θm＜π／２ となるようにし、前記電界の制御により、前記液晶分子
の長軸方向と前記偏光軸との交差角度を変化させ、該交
差角度の変化に伴い前記θkを変化させるようにしたこ
とを特徴とし、強誘電性液晶または反強誘電性液晶また
はネマチック液晶のいずれかを用いて基板に垂直方向に
電解を付与する形態を有した側面入射型液晶表示装置の
具体的な構成が与えられるようにしたものである。
明において、前記背面基板と前記前面基板との間に形成
されるコモン電極及びセグメント電極を、前記液晶へ印
加する電圧により発生する該コモン電極から該セグメン
ト電極へ向かう電界が前記背面基板の表面と直交するよ
うに配設するとともに、前記液晶としてネマチック液晶
または強誘電性液晶または反強誘電性液晶のいずれかを
用い、前記背面基板から入射させる前記偏光の偏光軸と
前記背面基板表面に形成される配向膜における配向軸と
のなす角度θmが ０＜θm＜π／２ となるようにし、前記電界の制御により、前記液晶分子
の長軸方向と前記偏光軸との交差角度を変化させ、該交
差角度の変化に伴い前記θkを変化させるようにしたこ
とを特徴とし、強誘電性液晶または反強誘電性液晶また
はネマチック液晶のいずれかを用いて基板に垂直方向に
電解を付与する形態を有した側面入射型液晶表示装置の
具体的な構成が与えられるようにしたものである。
【００１４】請求項４の発明は、請求項１または２の発
明において、前記背面基板と前記前面基板との間に形成
されるコモン電極及びセグメント電極を、前記液晶へ印
加する電圧により発生する該コモン電極から該セグメン
ト電極へ向かう電界が前記背面基板の表面と平行となる
ように配設するとともに、前記液晶としてネマチック液
晶を用い、前記背面基板から入射させる前記偏光の偏光
軸と前記背面基板表面に形成される配向膜における配向
軸とのなす角度θmが ０＜θm＜π／２ となるようにし、前記電界により、前記液晶分子の長軸
方向と前記偏光軸との交差角度を変化させ、該交差角度
の変化に伴い前記θkを変化させるようにしたことを特
徴とし、ネマチック液晶を用いて基板に平行に電解を付
与する形態を有した側面入射型液晶表示装置の具体的な
構成が与えられ、特に、この構成では液晶の厚みをコモ
ン電極とセグメント電極で決定できるため、従来液晶の
厚みを決めるために使用されていたスペーサが不要とな
るようにしたものである。
明において、前記背面基板と前記前面基板との間に形成
されるコモン電極及びセグメント電極を、前記液晶へ印
加する電圧により発生する該コモン電極から該セグメン
ト電極へ向かう電界が前記背面基板の表面と平行となる
ように配設するとともに、前記液晶としてネマチック液
晶を用い、前記背面基板から入射させる前記偏光の偏光
軸と前記背面基板表面に形成される配向膜における配向
軸とのなす角度θmが ０＜θm＜π／２ となるようにし、前記電界により、前記液晶分子の長軸
方向と前記偏光軸との交差角度を変化させ、該交差角度
の変化に伴い前記θkを変化させるようにしたことを特
徴とし、ネマチック液晶を用いて基板に平行に電解を付
与する形態を有した側面入射型液晶表示装置の具体的な
構成が与えられ、特に、この構成では液晶の厚みをコモ
ン電極とセグメント電極で決定できるため、従来液晶の
厚みを決めるために使用されていたスペーサが不要とな
るようにしたものである。
【００１５】請求項５の発明は、請求項１または２の発
明において、前記背面基板と前記前面基板との間に形成
されるコモン電極及びセグメント電極を、前記液晶へ印
加する電圧により発生する該コモン電極から該セグメン
ト電極へ向かう電界が前記背面基板の表面と平行となる
ように配設するとともに、前記液晶として強誘電性液晶
または反強誘電性液晶を用い、前記背面基板から入射さ
せる前記偏光の偏光軸と前記背面基板表面に形成される
配向膜における配向軸とのなす角度θmが０またはπ／
２となるようし、前記電界により、前記液晶分子の長軸
方向と前記偏光軸との交差角度を変化させ、該交差角度
の変化に伴い前記θkを変化させるようにしたことを特
徴とし、強誘電性液晶または反強誘電性液晶を用いて基
板に平行に電解を付与する形態を有した側面入射型液晶
表示装置の具体的な構成が与えられ、特に、この構成で
は液晶の厚みをコモン電極とセグメント電極で決定でき
るため、従来液晶の厚みを決めるために使用されていた
スペーサが不要となるようにしたものである。
明において、前記背面基板と前記前面基板との間に形成
されるコモン電極及びセグメント電極を、前記液晶へ印
加する電圧により発生する該コモン電極から該セグメン
ト電極へ向かう電界が前記背面基板の表面と平行となる
ように配設するとともに、前記液晶として強誘電性液晶
または反強誘電性液晶を用い、前記背面基板から入射さ
せる前記偏光の偏光軸と前記背面基板表面に形成される
配向膜における配向軸とのなす角度θmが０またはπ／
２となるようし、前記電界により、前記液晶分子の長軸
方向と前記偏光軸との交差角度を変化させ、該交差角度
の変化に伴い前記θkを変化させるようにしたことを特
徴とし、強誘電性液晶または反強誘電性液晶を用いて基
板に平行に電解を付与する形態を有した側面入射型液晶
表示装置の具体的な構成が与えられ、特に、この構成で
は液晶の厚みをコモン電極とセグメント電極で決定でき
るため、従来液晶の厚みを決めるために使用されていた
スペーサが不要となるようにしたものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明では、屈折率ｎgの背面基
板と屈折率ｎg′の前面基板との間に屈折率異方性を示
す液晶を注入し液晶パネルを形成する。この液晶パネル
を屈折率ｎaの媒質中（通常は空気）に置き、背面基板
より媒質へ光が、 ｓｉｎθg≧ｎa／ｎg （９） なる入射角θgで入射するよう構成する（このとき背面
基板と媒質の界面で光は全反射される）。具体的には、
そのような角度θgとなるように背面基板の側面をカッ
トして、このカットした面に平行な偏光を入射させる。
この偏光は、入射角θgを保ったまま背面基板と媒質の
界面で繰り返し全反射され、やがて液晶層へ入射する。
板と屈折率ｎg′の前面基板との間に屈折率異方性を示
す液晶を注入し液晶パネルを形成する。この液晶パネル
を屈折率ｎaの媒質中（通常は空気）に置き、背面基板
より媒質へ光が、 ｓｉｎθg≧ｎa／ｎg （９） なる入射角θgで入射するよう構成する（このとき背面
基板と媒質の界面で光は全反射される）。具体的には、
そのような角度θgとなるように背面基板の側面をカッ
トして、このカットした面に平行な偏光を入射させる。
この偏光は、入射角θgを保ったまま背面基板と媒質の
界面で繰り返し全反射され、やがて液晶層へ入射する。
【００１７】通常、液晶の常光屈折率ｎo（ｎ┴：液晶
分子の長軸と直交した偏光軸を持った偏光の屈折率）と
異常光屈折率ｎe（ｎ‖：液晶分子の長軸と平行である
偏光軸を持った偏光の屈折率）の間には、 ｎe＞ｎo （１０） の関係がある。
分子の長軸と直交した偏光軸を持った偏光の屈折率）と
異常光屈折率ｎe（ｎ‖：液晶分子の長軸と平行である
偏光軸を持った偏光の屈折率）の間には、 ｎe＞ｎo （１０） の関係がある。
【００１８】背面基板より液晶へ入射した偏光の偏光軸
が液晶分子の長軸方向と平行であれば、入射角θgで入
射した偏光は ｎe×ｓｉｎθe＝ｎg×ｓｉｎθg （１１） なる角度θeに屈折される。このときの偏光の偏光軸が
液晶分子の長軸方向と直交するか、もしくは平行であれ
ば、液晶を透過している間に偏光の偏光軸が旋光するこ
とはない。従って、液晶へ入射した偏光は偏光軸が維持
されたまま、再び液晶より前面基板へ入射角θeで入射
し、 ｎg′×ｓｉｎθg′＝ｎe×ｓｉｎθe （１２） なる角度θg′に屈折して、前面基板より媒質へ入射す
る。
が液晶分子の長軸方向と平行であれば、入射角θgで入
射した偏光は ｎe×ｓｉｎθe＝ｎg×ｓｉｎθg （１１） なる角度θeに屈折される。このときの偏光の偏光軸が
液晶分子の長軸方向と直交するか、もしくは平行であれ
ば、液晶を透過している間に偏光の偏光軸が旋光するこ
とはない。従って、液晶へ入射した偏光は偏光軸が維持
されたまま、再び液晶より前面基板へ入射角θeで入射
し、 ｎg′×ｓｉｎθg′＝ｎe×ｓｉｎθe （１２） なる角度θg′に屈折して、前面基板より媒質へ入射す
る。
【００１９】このとき、 ｓｉｎθg′＝（ｎe／ｎg′）×ｓｉｎθe＝（ｎg／ｎg′）×ｓｉｎθg （１３） となるので、（９）式の条件を満たしていれば、 ｓｉｎθg＝（ｎg′／ｎg）×ｓｉｎθg′≧ｎa／ｎg （１４） 即ち、 ｓｉｎθg′≧ｎa／ｎg′ （１５） となる。これは前面基板より媒質へ入射しようとした偏
光が前面基板と媒質の界面で全反射されることを意味す
る。従って、この場合は前面基板から媒質に偏光が出射
してこない。
光が前面基板と媒質の界面で全反射されることを意味す
る。従って、この場合は前面基板から媒質に偏光が出射
してこない。
【００２０】同様に、背面基板により液晶へ入射した偏
光の偏光軸が液晶分子の長軸方向と直交していれば、入
射角θgで入射した偏光は、 ｎo×ｓｉｎθo＝ｎg×ｓｉｎθg （１６） なる角度θoに屈折する。このときも偏光の偏光軸が液
晶分子の長軸方向と直交しているので、液晶を透過して
いる間に偏光の偏光軸が旋光することはない。従って、
液晶へ入射した偏光は偏光軸が維持されたまま再び液晶
より前面基板へ入射角θoで入射し、 ｎg′×ｓｉｎθg′＝ｎo×ｓｉｎθo （１７） なる角度θg′に屈折して、前面基板より媒質へ入射す
る。このときも、 ｓｉｎθg′＝（ｎo／ｎg′）×ｓｉｎθo＝（ｎg／ｎg′）×ｓｉｎθg （１８） となるので、（９）式の条件を満していれば、 ｓｉｎθg＝（ｎg′／ｎg）×ｓｉｎθg′≧ｎa／ｎg （１９） 即ち、 ｓｉｎθg′≧ｎa／ｎg′ （２０） となる。これも前面基板より媒質へ入射しようとした偏
光が前面基板と媒質の界面で全反射することを意味して
いる。従って、この場合も媒質に偏光が出射してこな
い。
光の偏光軸が液晶分子の長軸方向と直交していれば、入
射角θgで入射した偏光は、 ｎo×ｓｉｎθo＝ｎg×ｓｉｎθg （１６） なる角度θoに屈折する。このときも偏光の偏光軸が液
晶分子の長軸方向と直交しているので、液晶を透過して
いる間に偏光の偏光軸が旋光することはない。従って、
液晶へ入射した偏光は偏光軸が維持されたまま再び液晶
より前面基板へ入射角θoで入射し、 ｎg′×ｓｉｎθg′＝ｎo×ｓｉｎθo （１７） なる角度θg′に屈折して、前面基板より媒質へ入射す
る。このときも、 ｓｉｎθg′＝（ｎo／ｎg′）×ｓｉｎθo＝（ｎg／ｎg′）×ｓｉｎθg （１８） となるので、（９）式の条件を満していれば、 ｓｉｎθg＝（ｎg′／ｎg）×ｓｉｎθg′≧ｎa／ｎg （１９） 即ち、 ｓｉｎθg′≧ｎa／ｎg′ （２０） となる。これも前面基板より媒質へ入射しようとした偏
光が前面基板と媒質の界面で全反射することを意味して
いる。従って、この場合も媒質に偏光が出射してこな
い。
【００２１】しかし、背面基板より液晶へ入射した偏光
の偏光軸が液晶分子の長軸方向と直交せず平行でもなけ
れば、入射角θgで入射した偏光は屈折率ｎhの液晶へ入
射したこととなり、 ｎh×ｓｉｎθh＝ｎg×ｓｉｎθg （２１） なる角度θhに屈折する。このとき偏光の偏光軸が液晶
分子の長軸方向と直交せず平行でもないので、液晶を透
過している間に偏光の偏光面が旋光する。
の偏光軸が液晶分子の長軸方向と直交せず平行でもなけ
れば、入射角θgで入射した偏光は屈折率ｎhの液晶へ入
射したこととなり、 ｎh×ｓｉｎθh＝ｎg×ｓｉｎθg （２１） なる角度θhに屈折する。このとき偏光の偏光軸が液晶
分子の長軸方向と直交せず平行でもないので、液晶を透
過している間に偏光の偏光面が旋光する。
【００２２】従って、液晶へ入射した偏光の偏光軸が変
化した後、再び液晶より前面基板へ入射角θhで入射す
る。このとき、この偏光の偏光軸は液晶へ入射したとき
の偏光軸と異なっているので、屈折率もｎh′≠ｎhと変
化し、 ｎg′×ｓｉｎθk＝ｎh′×ｓｉｎθh （２２） なる角度θkに屈折して、前面基板より媒質へ入射す
る。この入射角θk： ｓｉｎθk＝（ｎh′／ｎg′）×ｓｉｎθh ＝（ｎh′／ｎg′）×（ｎg／ｎh）×ｓｉｎθg （２３） で前面基板より媒質へ入射した偏光が媒質へ透過する条
件： ｓｉｎθk＜（ｎa／ｎg′） （２４） は、（２３）式により、 （ｎh′／ｎg′）×（ｎg／ｎh）×ｓｉｎθg＜（ｎa／ｎg′） （２５） と変形され、 ｓｉｎθg＜（ｎh／ｎh′）×（ｎa／ｎg） （２６） となる。そこで、 ｎh／ｎh′＞１ （２７） であれば、（２６）式と（９）式より、以下の（２８）
式を満す角度θgで背面基板より液晶へ入射した偏光は
前面基板を透過して媒質へ出射する。 （ｎh／ｎh′）×（ｎa／ｎg）＞ｓｉｎθg≧（ｎa／ｎg） （２８）
化した後、再び液晶より前面基板へ入射角θhで入射す
る。このとき、この偏光の偏光軸は液晶へ入射したとき
の偏光軸と異なっているので、屈折率もｎh′≠ｎhと変
化し、 ｎg′×ｓｉｎθk＝ｎh′×ｓｉｎθh （２２） なる角度θkに屈折して、前面基板より媒質へ入射す
る。この入射角θk： ｓｉｎθk＝（ｎh′／ｎg′）×ｓｉｎθh ＝（ｎh′／ｎg′）×（ｎg／ｎh）×ｓｉｎθg （２３） で前面基板より媒質へ入射した偏光が媒質へ透過する条
件： ｓｉｎθk＜（ｎa／ｎg′） （２４） は、（２３）式により、 （ｎh′／ｎg′）×（ｎg／ｎh）×ｓｉｎθg＜（ｎa／ｎg′） （２５） と変形され、 ｓｉｎθg＜（ｎh／ｎh′）×（ｎa／ｎg） （２６） となる。そこで、 ｎh／ｎh′＞１ （２７） であれば、（２６）式と（９）式より、以下の（２８）
式を満す角度θgで背面基板より液晶へ入射した偏光は
前面基板を透過して媒質へ出射する。 （ｎh／ｎh′）×（ｎa／ｎg）＞ｓｉｎθg≧（ｎa／ｎg） （２８）
【００２３】このときに液晶へ印加する電圧を制御する
ことにより液晶分子の長軸と入射した偏光の偏光軸のな
す角度を変化させられるので、（２８）式を満たす角度
θgで背面基板より液晶へ入射した偏光は、前面基板よ
り媒質へ入射するとき、入射角θkが ｓｉｎθk≧ｎa／ｎg′ （２９） から、 ｓｉｎθk′＜ｎa／ｎg′ （３０） を満足するθk′へ変化できる。その結果、前面基板表
面から出射する光の量が変化し、前面基板表面に表示が
得られる。
ことにより液晶分子の長軸と入射した偏光の偏光軸のな
す角度を変化させられるので、（２８）式を満たす角度
θgで背面基板より液晶へ入射した偏光は、前面基板よ
り媒質へ入射するとき、入射角θkが ｓｉｎθk≧ｎa／ｎg′ （２９） から、 ｓｉｎθk′＜ｎa／ｎg′ （３０） を満足するθk′へ変化できる。その結果、前面基板表
面から出射する光の量が変化し、前面基板表面に表示が
得られる。
【００２４】なお、通常、液晶の最大屈折率は異常光屈
折率ｎe（ｎ‖）であり、最小屈折率は常光屈折率ｎ
o（ｎ┴）なので、 （ｎe／ｎo）＞（ｎh／ｎh′） （３１） と考えられ、（２８）式は、 （ｎe／ｎo）×（ｎa／ｎg）＞ｓｉｎθg≧（ｎa／ｎg） （３２） と表現できる。
折率ｎe（ｎ‖）であり、最小屈折率は常光屈折率ｎ
o（ｎ┴）なので、 （ｎe／ｎo）＞（ｎh／ｎh′） （３１） と考えられ、（２８）式は、 （ｎe／ｎo）×（ｎa／ｎg）＞ｓｉｎθg≧（ｎa／ｎg） （３２） と表現できる。
【００２５】本発明の側面入射型液晶表示装置の表示原
理は、ＴＦＴ等アクティブマトリックス型液晶表示装置
でも実用可能であるが、単純マトリックス型液晶表示装
置を用いた説明の方がより一般的な説明ができるので、
以下単純マトリックス型液晶表示装置を用いて本発明の
液晶表示装置の具体的な実施例を説明する。なお、実施
例を説明するための全図において、同一の作用をする部
分には同一の符号を付け、その繰り返しの説明は省略す
る。
理は、ＴＦＴ等アクティブマトリックス型液晶表示装置
でも実用可能であるが、単純マトリックス型液晶表示装
置を用いた説明の方がより一般的な説明ができるので、
以下単純マトリックス型液晶表示装置を用いて本発明の
液晶表示装置の具体的な実施例を説明する。なお、実施
例を説明するための全図において、同一の作用をする部
分には同一の符号を付け、その繰り返しの説明は省略す
る。
【００２６】〔実施例１〕図１は、本発明の液晶表示装
置の一実施例を説明するための画素と液晶を概念的に示
した平面図で、側面入射型液晶表示装置を前面基板側よ
り見たものである。図１において、１０はコモン電極用
のドライバ、１１はセグメント電極のドライバ、Ｒｕｂ
はラビング方向、θmはメモリ角である。図２は、図１
に示す液晶表示装置のＡ−Ａ′における断面図で、図
中、１は側面入射型液晶表示装置、２は背面ガラス基
板、３は前面ガラス基板、４，５は絶縁膜、６，７は配
向膜、８は液晶、９は封止剤、Ｓはセグメント電極、Ｌ
はコモン電極である。
置の一実施例を説明するための画素と液晶を概念的に示
した平面図で、側面入射型液晶表示装置を前面基板側よ
り見たものである。図１において、１０はコモン電極用
のドライバ、１１はセグメント電極のドライバ、Ｒｕｂ
はラビング方向、θmはメモリ角である。図２は、図１
に示す液晶表示装置のＡ−Ａ′における断面図で、図
中、１は側面入射型液晶表示装置、２は背面ガラス基
板、３は前面ガラス基板、４，５は絶縁膜、６，７は配
向膜、８は液晶、９は封止剤、Ｓはセグメント電極、Ｌ
はコモン電極である。
【００２７】図３は、強誘電性液晶分子の振る舞いを概
念的に示す平面図及び斜視図で、図中、Ｐ1，Ｐ2は強誘
電性液晶分子の２つの安定状態位置、Ｐｓは自発分極、
Ｅは電場、２θはコーン角である。図４は、実施例１の
液晶表示装置に用いて好適な駆動方法の第１及び第２フ
ィールドにおける駆動波形を示す波形図をそれぞれ
（Ａ），（Ｂ）に示すものである。図５は、実施例１の
液晶表示装置の表示原理を説明するためのＦＬＣ分子の
長軸方向と偏光の入射方向が直交する状態での光路を概
念的に示す図で、図中、Ａは媒質である。図６は、実施
例１の液晶表示装置の表示原理を説明するためのＦＬＣ
分子の長軸方向と偏光の偏光軸が２θm傾いている状態
での光路を概念的に示す図である。
念的に示す平面図及び斜視図で、図中、Ｐ1，Ｐ2は強誘
電性液晶分子の２つの安定状態位置、Ｐｓは自発分極、
Ｅは電場、２θはコーン角である。図４は、実施例１の
液晶表示装置に用いて好適な駆動方法の第１及び第２フ
ィールドにおける駆動波形を示す波形図をそれぞれ
（Ａ），（Ｂ）に示すものである。図５は、実施例１の
液晶表示装置の表示原理を説明するためのＦＬＣ分子の
長軸方向と偏光の入射方向が直交する状態での光路を概
念的に示す図で、図中、Ａは媒質である。図６は、実施
例１の液晶表示装置の表示原理を説明するためのＦＬＣ
分子の長軸方向と偏光の偏光軸が２θm傾いている状態
での光路を概念的に示す図である。
【００２８】図２に示すごとく、この実施例の構成で
は、屈折率ｎgの背面ガラス基板２の表面にインジウム
錫酸化物（以下ＩＴＯと略称する）等からなる透明なセ
グメント電極Ｓが、複数本互いに平行に配置されてお
り、その上はＳｉＯ2等からなる透明な絶縁膜４で被覆
されている。セグメント電極Ｓと対向する屈折率ｎgの
前面ガラス基板３の表面には、ＩＴＯ等からなる透明な
コモン電極Ｌがセグメント電極Ｓと直交する向きに複数
本互いに平行に配置されており、その上はＳｉＯ2等か
らなる透明な絶縁膜５で被覆されている。また、絶縁膜
４，５の表面にはラビング処理等施したポリビニルアル
コール等の透明な配向膜６，７が形成されている。
は、屈折率ｎgの背面ガラス基板２の表面にインジウム
錫酸化物（以下ＩＴＯと略称する）等からなる透明なセ
グメント電極Ｓが、複数本互いに平行に配置されてお
り、その上はＳｉＯ2等からなる透明な絶縁膜４で被覆
されている。セグメント電極Ｓと対向する屈折率ｎgの
前面ガラス基板３の表面には、ＩＴＯ等からなる透明な
コモン電極Ｌがセグメント電極Ｓと直交する向きに複数
本互いに平行に配置されており、その上はＳｉＯ2等か
らなる透明な絶縁膜５で被覆されている。また、絶縁膜
４，５の表面にはラビング処理等施したポリビニルアル
コール等の透明な配向膜６，７が形成されている。
【００２９】この２枚のガラス基板２，３の４辺のうち
コモン電極Ｌの長軸方向と平行した１辺を図示するごと
くの角度θgでカットして、これら４辺は一部に注入口
を残し封止剤９で封止する。注入口から配向膜６，７で
挟まれた空間へ真空注入等により常光屈折率ｎo（ｎ
┴：液晶分子の長軸と直交した偏光軸を持った偏光の屈
折率）と異常光屈折率ｎe（ｎ‖：液晶分子の長軸と平
行した偏光軸を持った偏光の屈折率）を持った液晶を導
入し、上記注入口を封止剤９で封止する。
コモン電極Ｌの長軸方向と平行した１辺を図示するごと
くの角度θgでカットして、これら４辺は一部に注入口
を残し封止剤９で封止する。注入口から配向膜６，７で
挟まれた空間へ真空注入等により常光屈折率ｎo（ｎ
┴：液晶分子の長軸と直交した偏光軸を持った偏光の屈
折率）と異常光屈折率ｎe（ｎ‖：液晶分子の長軸と平
行した偏光軸を持った偏光の屈折率）を持った液晶を導
入し、上記注入口を封止剤９で封止する。
【００３０】ガラス基板２，３におけるカットした１辺
から、図２に示すごとくにコモン電極Ｌの長軸方向と平
行もしくは直交した偏光軸を持った偏光された平行光線
を入射させる。また、図１に示すドライバ１０はコモン
電極Ｌへ電圧を印加するための駆動回路であり、ドライ
バ１１はセグメント電極Ｓへ電圧を印加するための駆動
回路である。
から、図２に示すごとくにコモン電極Ｌの長軸方向と平
行もしくは直交した偏光軸を持った偏光された平行光線
を入射させる。また、図１に示すドライバ１０はコモン
電極Ｌへ電圧を印加するための駆動回路であり、ドライ
バ１１はセグメント電極Ｓへ電圧を印加するための駆動
回路である。
【００３１】本実施例では、液晶８として常光屈折率ｎ
o（ｎ┴）と異常光屈折率ｎe（ｎ‖）が ｎe≒１.６３ ｎo≒１.５０ となるチッソ社製の強誘電性液晶：ＣＳ−１０１１を用
い、配向膜６，７としてチッソ社製の配向膜ＰＳＩ−Ａ
−２１０１を使用した。また、背面ガラス基板２及び前
面ガラス基板３の屈折率ｎgは ｎg≒１.４６ 大気の屈折率ｎaは ｎa≒１.０ なので、（３２）式より （ｎe／ｎo）×（ｎa／ｎg）＞ｓｉｎθg≧（ｎa／
ｎg） （１.６３／１.５０）×（１／１.４６）＞ｓｉｎθg≧
（１／１.４６） ４８°＞θg＞４４° となる。そこで本実施例では入射角θg＝４５°として
設定した。
o（ｎ┴）と異常光屈折率ｎe（ｎ‖）が ｎe≒１.６３ ｎo≒１.５０ となるチッソ社製の強誘電性液晶：ＣＳ−１０１１を用
い、配向膜６，７としてチッソ社製の配向膜ＰＳＩ−Ａ
−２１０１を使用した。また、背面ガラス基板２及び前
面ガラス基板３の屈折率ｎgは ｎg≒１.４６ 大気の屈折率ｎaは ｎa≒１.０ なので、（３２）式より （ｎe／ｎo）×（ｎa／ｎg）＞ｓｉｎθg≧（ｎa／
ｎg） （１.６３／１.５０）×（１／１.４６）＞ｓｉｎθg≧
（１／１.４６） ４８°＞θg＞４４° となる。そこで本実施例では入射角θg＝４５°として
設定した。
【００３２】この強誘電性液晶（以下ＦＬＣと略称す
る）の誘電異方性は負である。また、ＦＬＣ分子は電界
を受け、図３（Ｂ）に示すコーン角２θの円錐表面を移
動する。また、コモン電極Ｌとセグメント電極Ｓと間隔
は約１.５μｍである。このように狭いセル間隔に注入
されたＦＬＣ分子を図１に示す前面ガラス基板３の正面
から覗くと、図３（Ａ）のように２つの安定状態Ｐ1，
Ｐ2を示す。このＦＬＣ分子の一方の安定状態Ｐ1にある
ＦＬＣ分子の長軸が、背面ガラス基板２より入射する偏
光の入射方向と直交するよう偏光の入射方向に対し傾斜
角（９０−θm）°を付け、セグメント電極表面の配向
膜６をラビング処理する。本実施例で用いたチッソ社製
の強誘電性液晶：ＣＳ−１０１１と、チッソ社製の配向
膜ＰＳＩ−Ａ−２１０１の組み合わせではメモリ角θm
≒８°なので、偏光の入射方向に対するラビング方向の
傾きは約８２°とした。
る）の誘電異方性は負である。また、ＦＬＣ分子は電界
を受け、図３（Ｂ）に示すコーン角２θの円錐表面を移
動する。また、コモン電極Ｌとセグメント電極Ｓと間隔
は約１.５μｍである。このように狭いセル間隔に注入
されたＦＬＣ分子を図１に示す前面ガラス基板３の正面
から覗くと、図３（Ａ）のように２つの安定状態Ｐ1，
Ｐ2を示す。このＦＬＣ分子の一方の安定状態Ｐ1にある
ＦＬＣ分子の長軸が、背面ガラス基板２より入射する偏
光の入射方向と直交するよう偏光の入射方向に対し傾斜
角（９０−θm）°を付け、セグメント電極表面の配向
膜６をラビング処理する。本実施例で用いたチッソ社製
の強誘電性液晶：ＣＳ−１０１１と、チッソ社製の配向
膜ＰＳＩ−Ａ−２１０１の組み合わせではメモリ角θm
≒８°なので、偏光の入射方向に対するラビング方向の
傾きは約８２°とした。
【００３３】以下、この側面入射型強誘電性液晶表示装
置１の駆動方法を説明するが、駆動方法は従来の強誘電
性液晶表示装置と同じである。即ち、コモン電極Ｌiへ
図４（Ａ）に示す選択電圧ＶCAを印加したとき、セグメ
ント電極Ｓjへ書込電圧ＶSCを印加するとＦＬＣ分子の
安定状態は図３（Ａ）に示す安定状態Ｐ2より安定状態
Ｐ1へ変化するが、セグメント電極Ｓjへ保持電圧ＶSGを
印加するとＦＬＣ分子の安定状態は保持される。また、
コモン電極Ｌiへ図４（Ｂ）に示す選択電圧ＶCEを印加
したとき、セグメント電極Ｓjへ消去電圧ＶSDを印加す
るとＦＬＣ分子の安定状態は図３（Ａ）に示す安定状態
Ｐ1より安定状態Ｐ2へ変化するが、セグメント電極Ｓj
へ保持電圧ＶSHを印加するとＦＬＣ分子の安定状態は保
持される。
置１の駆動方法を説明するが、駆動方法は従来の強誘電
性液晶表示装置と同じである。即ち、コモン電極Ｌiへ
図４（Ａ）に示す選択電圧ＶCAを印加したとき、セグメ
ント電極Ｓjへ書込電圧ＶSCを印加するとＦＬＣ分子の
安定状態は図３（Ａ）に示す安定状態Ｐ2より安定状態
Ｐ1へ変化するが、セグメント電極Ｓjへ保持電圧ＶSGを
印加するとＦＬＣ分子の安定状態は保持される。また、
コモン電極Ｌiへ図４（Ｂ）に示す選択電圧ＶCEを印加
したとき、セグメント電極Ｓjへ消去電圧ＶSDを印加す
るとＦＬＣ分子の安定状態は図３（Ａ）に示す安定状態
Ｐ1より安定状態Ｐ2へ変化するが、セグメント電極Ｓj
へ保持電圧ＶSHを印加するとＦＬＣ分子の安定状態は保
持される。
【００３４】そこで、コモン電極Ｌ1へ図４（Ａ）に示
す選択電圧ＶCAを印加したとき、セグメント電極Ｓ1へ
書込電圧ＶSCを印加し、コモン電極Ｌ1へ図４（Ｂ）に
示す選択電圧ＶCEを印加したとき、セグメント電極Ｓ1
へ保持電圧ＶSHを印加すれば、その画素Ａ11を構成する
ＦＬＣ分子は図３（Ａ）に示す安定状態Ｐ1で保持され
る。また、コモン電極Ｌ1へ図４（Ａ）に示す選択電圧
ＶCAを印加したとき、セグメント電極Ｓ2へ保持電圧Ｖ
SGを印加し、コモン電極Ｌ1へ図４（Ｂ）に示す選択電
圧ＶCEを印加したとき、セグメント電極Ｓ2へ消去電圧
ＶSHを印加すれば、その画素Ａ12を構成するＦＬＣ分子
は図３（Ａ）に示す安定状態Ｐ2で保持される。
す選択電圧ＶCAを印加したとき、セグメント電極Ｓ1へ
書込電圧ＶSCを印加し、コモン電極Ｌ1へ図４（Ｂ）に
示す選択電圧ＶCEを印加したとき、セグメント電極Ｓ1
へ保持電圧ＶSHを印加すれば、その画素Ａ11を構成する
ＦＬＣ分子は図３（Ａ）に示す安定状態Ｐ1で保持され
る。また、コモン電極Ｌ1へ図４（Ａ）に示す選択電圧
ＶCAを印加したとき、セグメント電極Ｓ2へ保持電圧Ｖ
SGを印加し、コモン電極Ｌ1へ図４（Ｂ）に示す選択電
圧ＶCEを印加したとき、セグメント電極Ｓ2へ消去電圧
ＶSHを印加すれば、その画素Ａ12を構成するＦＬＣ分子
は図３（Ａ）に示す安定状態Ｐ2で保持される。
【００３５】このように駆動した側面入射型強誘電性液
晶表示装置１を前面ガラス基板側から観測すると、ＦＬ
Ｃ分子の長軸方向が偏光の入射方向と直交する画素Ａ11
で暗い表示が、ＦＬＣ分子の長軸方向が偏光の入射方向
と（９０−２θm）°で交差する画素Ａ12で明るい表示
が得られた。
晶表示装置１を前面ガラス基板側から観測すると、ＦＬ
Ｃ分子の長軸方向が偏光の入射方向と直交する画素Ａ11
で暗い表示が、ＦＬＣ分子の長軸方向が偏光の入射方向
と（９０−２θm）°で交差する画素Ａ12で明るい表示
が得られた。
【００３６】〔表示原理の考察１〕ＦＬＣ分子の長軸方
向が偏光の入射方向と直交する図３（Ａ）の安定状態Ｐ
1に保持された画素Ａ11では、図５に示す通り、背面基
板２より液晶８へ入射角θgで入射した偏光は ｎe×ｓｉｎθe＝ｎg×ｓｉｎθg （３３） ｓｉｎθe＝（１.４６／１.５０）×ｓｉｎ４５° なる角度θeに屈折される。このとき偏光の偏光軸が液
晶分子の長軸方向と一致しているので、液晶を透過して
いる間に偏光の偏光軸が旋光することはない。
向が偏光の入射方向と直交する図３（Ａ）の安定状態Ｐ
1に保持された画素Ａ11では、図５に示す通り、背面基
板２より液晶８へ入射角θgで入射した偏光は ｎe×ｓｉｎθe＝ｎg×ｓｉｎθg （３３） ｓｉｎθe＝（１.４６／１.５０）×ｓｉｎ４５° なる角度θeに屈折される。このとき偏光の偏光軸が液
晶分子の長軸方向と一致しているので、液晶を透過して
いる間に偏光の偏光軸が旋光することはない。
【００３７】従って、液晶に入射した偏光は偏光軸が維
持されたまま再び液晶より前面基板へ入射角θeで入射
し、 ｎg×ｓｉｎθg＝ｎe×ｓｉｎθe （３４） なる角度θg＝４５°に屈折して、前面基板より大気へ
向け入射角θg＝４５°で入射しようとする。このと
き、 ｓｉｎθg＜ｎa／ｎg （３５） であれば、偏光は大気へ出射するが、θg＝４５°，ｎg
≒１.４６，ｎa≒１.０を代入すると、 ｓｉｎθg≒０.７０７≧ｎa／ｎg≒０.６７１ （３６） となるので、前面基板より大気へ向け入射しようとする
偏光は、前面基板と大気との界面で全反射されパネルか
ら外へは光は漏れない。
持されたまま再び液晶より前面基板へ入射角θeで入射
し、 ｎg×ｓｉｎθg＝ｎe×ｓｉｎθe （３４） なる角度θg＝４５°に屈折して、前面基板より大気へ
向け入射角θg＝４５°で入射しようとする。このと
き、 ｓｉｎθg＜ｎa／ｎg （３５） であれば、偏光は大気へ出射するが、θg＝４５°，ｎg
≒１.４６，ｎa≒１.０を代入すると、 ｓｉｎθg≒０.７０７≧ｎa／ｎg≒０.６７１ （３６） となるので、前面基板より大気へ向け入射しようとする
偏光は、前面基板と大気との界面で全反射されパネルか
ら外へは光は漏れない。
【００３８】一方、ＦＬＣ分子の長軸と入射した偏光の
偏光軸が角度２θm傾いている図３（Ａ）の安定状態Ｐ2
に保持された画素12では、図６に示す通り、背面基板よ
り液晶へ入射角θgで入射した偏光は、 ｎh×ｓｉｎθh＝ｎg×ｓｉｎθg （３７） なる角度θhに屈折する。この屈折率ｎhは測定できてい
ないが、本実施例で用いられているＦＬＣのメモリ角θ
m≒８°よりＦＬＣ分子の長軸と入射した偏光の偏光軸
は２θm＝１６°傾いている程度なので、 ｎe≒ｎh＞ｎo （３８） と考えられる。
偏光軸が角度２θm傾いている図３（Ａ）の安定状態Ｐ2
に保持された画素12では、図６に示す通り、背面基板よ
り液晶へ入射角θgで入射した偏光は、 ｎh×ｓｉｎθh＝ｎg×ｓｉｎθg （３７） なる角度θhに屈折する。この屈折率ｎhは測定できてい
ないが、本実施例で用いられているＦＬＣのメモリ角θ
m≒８°よりＦＬＣ分子の長軸と入射した偏光の偏光軸
は２θm＝１６°傾いている程度なので、 ｎe≒ｎh＞ｎo （３８） と考えられる。
【００３９】また、このとき偏光の偏光軸が液晶分子の
長軸方向と２θm＝１６°傾いて交差しているので、液
晶を透過している間に偏光の偏光軸が旋光する。ここ
で、液晶を透過している偏光と前面ガラス基板平面との
なす角が、偏光の偏光軸の変化と共に変化する（即ち、
偏光した光が液晶中を進行すると光が曲がる）とは考え
難いので、液晶に入射した偏光は前面ガラス基板平面と
のなす角が保持されたまま、偏光軸のみが変化している
と考えている。
長軸方向と２θm＝１６°傾いて交差しているので、液
晶を透過している間に偏光の偏光軸が旋光する。ここ
で、液晶を透過している偏光と前面ガラス基板平面との
なす角が、偏光の偏光軸の変化と共に変化する（即ち、
偏光した光が液晶中を進行すると光が曲がる）とは考え
難いので、液晶に入射した偏光は前面ガラス基板平面と
のなす角が保持されたまま、偏光軸のみが変化している
と考えている。
【００４０】従って、偏光は液晶を透過している間に偏
光軸が変化し、再び液晶から前面基板へ入射角θhで入
射する。このとき、ＦＬＣ分子の長軸と透過した偏光の
偏光軸の角度は２θm＝１６°より大きく傾いているの
で、 ｎe＞ｎh′≒ｎo （３９） となっていると考えられる。従って、再び液晶より前面
基板へ入射角θhで入射した偏光は、 ｎg×ｓｉｎθk＝ｎh′×ｓｉｎθh （４０） なる角度θkに屈折し、前面基板より大気へ向け入射す
る。
光軸が変化し、再び液晶から前面基板へ入射角θhで入
射する。このとき、ＦＬＣ分子の長軸と透過した偏光の
偏光軸の角度は２θm＝１６°より大きく傾いているの
で、 ｎe＞ｎh′≒ｎo （３９） となっていると考えられる。従って、再び液晶より前面
基板へ入射角θhで入射した偏光は、 ｎg×ｓｉｎθk＝ｎh′×ｓｉｎθh （４０） なる角度θkに屈折し、前面基板より大気へ向け入射す
る。
【００４１】このとき、 ｓｉｎθk＝（ｎh′／ｎg）×ｓｉｎθh ＝（ｎh′／ｎg）×（ｎg／ｎh）×ｓｉｎθg ＝（ｎh′／ｎh）×ｓｉｎθg ≒（ｎo／ｎe）×ｓｉｎθg （４１） となるので、入射した偏光が大気へ出射するための条
件： ｓｉｎθk＜ｎa／ｎg （４２） へθg＝４５°，ｎh≒ｎe≒１.６３，ｎh′≒ｎo≒１.
５，ｎa≒１.０，ｎg≒１.４６を代入すると、 ｓｉｎθk≒０.６５＜ｎa／ｎg≒０.６７１ （４３） となり、前面基板より大気へ向け入射した偏光は、その
屈折率θkで前面基板を出射する。なお、この現象は誘
電異方性が負の強誘電性液晶のみならず、誘電異方性が
正の強誘電性や反強誘電性でも観察される。
件： ｓｉｎθk＜ｎa／ｎg （４２） へθg＝４５°，ｎh≒ｎe≒１.６３，ｎh′≒ｎo≒１.
５，ｎa≒１.０，ｎg≒１.４６を代入すると、 ｓｉｎθk≒０.６５＜ｎa／ｎg≒０.６７１ （４３） となり、前面基板より大気へ向け入射した偏光は、その
屈折率θkで前面基板を出射する。なお、この現象は誘
電異方性が負の強誘電性液晶のみならず、誘電異方性が
正の強誘電性や反強誘電性でも観察される。
【００４２】ところで、現実には図２に示すように背面
ガラス基板２と液晶８との間に屈折率ｎdの絶縁膜４や
屈折率ｎpの配向膜６が存在する。従って、本来背面ガ
ラス基板２から屈折率ｎdの絶縁膜４へ入射角θgで入射
した偏光は、 ｎd×ｓｉｎθd＝ｎg×ｓｉｎθg （４４） なる角度θdに屈折し、再び屈折率ｎpの配向膜６に入射
角θdで入射し、 ｎp×ｓｉｎθp＝ｎd×ｓｉｎθd （４５） なる角度θpに屈折し、再び屈折率ｎoの液晶８に入射角
θpで入射し、 ｎo×ｓｉｎθo＝ｎp×ｓｉｎθp （４６） なる角度θoに屈折すると説明すべきである。しかし、
途中の絶縁膜や配向膜の表面が背面ガラス基板の表面と
平行であり、かつ絶縁膜や配向膜で偏光の偏光軸が変化
しない限り、直接背面ガラス基板２から液晶８へ入射し
たと考えても結果は同じとなる。従って、ここでは途中
の絶縁膜や配向膜の存在は無視した。
ガラス基板２と液晶８との間に屈折率ｎdの絶縁膜４や
屈折率ｎpの配向膜６が存在する。従って、本来背面ガ
ラス基板２から屈折率ｎdの絶縁膜４へ入射角θgで入射
した偏光は、 ｎd×ｓｉｎθd＝ｎg×ｓｉｎθg （４４） なる角度θdに屈折し、再び屈折率ｎpの配向膜６に入射
角θdで入射し、 ｎp×ｓｉｎθp＝ｎd×ｓｉｎθd （４５） なる角度θpに屈折し、再び屈折率ｎoの液晶８に入射角
θpで入射し、 ｎo×ｓｉｎθo＝ｎp×ｓｉｎθp （４６） なる角度θoに屈折すると説明すべきである。しかし、
途中の絶縁膜や配向膜の表面が背面ガラス基板の表面と
平行であり、かつ絶縁膜や配向膜で偏光の偏光軸が変化
しない限り、直接背面ガラス基板２から液晶８へ入射し
たと考えても結果は同じとなる。従って、ここでは途中
の絶縁膜や配向膜の存在は無視した。
【００４３】〔実施例２〕本発明の第１の実施例では強
誘電性液晶を用いたが、正の誘電異方性を持つネマチッ
ク液晶を用いて図２に示すごとくに構成すると実施例１
と同様の効果が得られる。以下、その本発明の第２の実
施例の構成を説明する。図７は、本発明の液晶表示装置
の他の実施例を説明するための画素と液晶を概念的に示
した平面図で、側面入射型液晶表示装置を前面基板側よ
り見たものである。図中、１２は側面入射型ネマチック
液晶表示装置である。
誘電性液晶を用いたが、正の誘電異方性を持つネマチッ
ク液晶を用いて図２に示すごとくに構成すると実施例１
と同様の効果が得られる。以下、その本発明の第２の実
施例の構成を説明する。図７は、本発明の液晶表示装置
の他の実施例を説明するための画素と液晶を概念的に示
した平面図で、側面入射型液晶表示装置を前面基板側よ
り見たものである。図中、１２は側面入射型ネマチック
液晶表示装置である。
【００４４】図８は、実施例２の液晶表示装置の表示原
理を説明するためのネマチック液晶分子の長軸方向と偏
光の入射方向が直交する状態での光路を概念的に示す図
である。図７の側面入射型液晶表示装置１２を線分Ａ−
Ａ′でカットした場合の断面は実施例１における図２と
同じなので、ここではその詳しい説明は省略する。但
し、本実施例では液晶８として常光屈折率ｎo（ｎ┴）
と異常光屈折率ｎe（ｎ‖）として ｎe≒１.７８ ｎo≒１.５０ のロッシュ社製の正の誘電異方性を持ったネマチック液
晶：ＲＯ−ＴＮ２１０８を用い、配向膜６，７としてチ
ッソ社製の配向膜ＰＳＩ−Ａ−２１０１を使用した。
理を説明するためのネマチック液晶分子の長軸方向と偏
光の入射方向が直交する状態での光路を概念的に示す図
である。図７の側面入射型液晶表示装置１２を線分Ａ−
Ａ′でカットした場合の断面は実施例１における図２と
同じなので、ここではその詳しい説明は省略する。但
し、本実施例では液晶８として常光屈折率ｎo（ｎ┴）
と異常光屈折率ｎe（ｎ‖）として ｎe≒１.７８ ｎo≒１.５０ のロッシュ社製の正の誘電異方性を持ったネマチック液
晶：ＲＯ−ＴＮ２１０８を用い、配向膜６，７としてチ
ッソ社製の配向膜ＰＳＩ−Ａ−２１０１を使用した。
【００４５】また、コモン電極Ｌとセグメント電極Ｓと
の間隔を約６μｍとし、背面基板より入射する偏光の入
射方向とラビング方向の角度が（９０−２θm）°とな
るようセグメント電極表面の配向膜６にラビング処理を
施す。実施例１では、この角度θmをチッソ社製の強誘
電性液晶：ＣＳ−１０１１と、チッソ社製の配向膜ＰＳ
Ｉ−Ａ−２１０１を組み合わせて現れるメモリ角θm≒
８°に合わせたので、本実施例でも同じ結果となるよ
う、偏光の入射方向に対するラビング方向の傾きを約７
４°とした。その他の点では、本実施例は実施例１と同
じなので、ここではその詳しい説明は省略する。
の間隔を約６μｍとし、背面基板より入射する偏光の入
射方向とラビング方向の角度が（９０−２θm）°とな
るようセグメント電極表面の配向膜６にラビング処理を
施す。実施例１では、この角度θmをチッソ社製の強誘
電性液晶：ＣＳ−１０１１と、チッソ社製の配向膜ＰＳ
Ｉ−Ａ−２１０１を組み合わせて現れるメモリ角θm≒
８°に合わせたので、本実施例でも同じ結果となるよ
う、偏光の入射方向に対するラビング方向の傾きを約７
４°とした。その他の点では、本実施例は実施例１と同
じなので、ここではその詳しい説明は省略する。
【００４６】また、この側面入射型ネマチック液晶表示
装置１２の駆動方法は、従来例のネマチック液晶表示装
置と同じである。即ち、図７に示すコモン電極Ｌiへ図
１８のに示す電圧を印加し、セグメント電極Ｓjへ図
１８のに示す電圧を印加する。コモン電圧Ｌ1へ選択
電圧Ｖ1（またはＶ6）を印加したとき、セグメント電極
Ｓ1へＶ6（またはＶ1）を印加すると画素Ａ11を構成す
るネマチック液晶（誘電異方性が正）は図７に示すよう
に背面ガラス基板２及び前面ガラス基板３に対し液晶分
子の長軸方向が直交するオン状態となり、セグメント電
極Ｓ2へＶ5（またはＶ2）を印加すると画素Ａ12を構成
するネマチック液晶（誘電異方性が正）は図７に示すよ
うに背面ガラス基板２及び前面ガラス基板３表面に対し
液晶分子の長軸方向が平行となるオフ状態となる。
装置１２の駆動方法は、従来例のネマチック液晶表示装
置と同じである。即ち、図７に示すコモン電極Ｌiへ図
１８のに示す電圧を印加し、セグメント電極Ｓjへ図
１８のに示す電圧を印加する。コモン電圧Ｌ1へ選択
電圧Ｖ1（またはＶ6）を印加したとき、セグメント電極
Ｓ1へＶ6（またはＶ1）を印加すると画素Ａ11を構成す
るネマチック液晶（誘電異方性が正）は図７に示すよう
に背面ガラス基板２及び前面ガラス基板３に対し液晶分
子の長軸方向が直交するオン状態となり、セグメント電
極Ｓ2へＶ5（またはＶ2）を印加すると画素Ａ12を構成
するネマチック液晶（誘電異方性が正）は図７に示すよ
うに背面ガラス基板２及び前面ガラス基板３表面に対し
液晶分子の長軸方向が平行となるオフ状態となる。
【００４７】このようにして駆動した側面入射型ネマチ
ック液晶表示装置１２を前面ガラス基板側から観察する
と、実施例１同様、液晶分子の長軸方向が偏光の入射方
向と直交するオン画素Ａ11で暗い表示が得られ、液晶分
子の長軸方向が偏光の入射方向と角度２θmで交差する
オフ画素Ａ12で明るい表示が得られた。
ック液晶表示装置１２を前面ガラス基板側から観察する
と、実施例１同様、液晶分子の長軸方向が偏光の入射方
向と直交するオン画素Ａ11で暗い表示が得られ、液晶分
子の長軸方向が偏光の入射方向と角度２θmで交差する
オフ画素Ａ12で明るい表示が得られた。
【００４８】〔表示原理の考察２〕液晶分子の長軸方向
が偏光の入射方向と直交する図７の画素Ａ11では、図８
に示す通り、背面基板より液晶へ入射角θgで入射した
偏光は、 ｎo×ｓｉｎθo＝ｎg×ｓｉｎθg （４７） 即ち、 ｓｉｎθo＝（１.４６／１.５０）×ｓｉｎ４５° （４８） なる角度θoに屈折する。このときの偏光の偏光軸が液
晶分子の長軸方向と直交しているので、液晶を透過して
いる間に偏光の偏光軸が旋光することはない。従って、
液晶へ入射した偏光は偏光軸が維持されたまま再び液晶
より前面基板へ入射角θoで入射し、 ｎg×ｓｉｎθg＝ｎo×ｓｉｎθo （４９） なる角度θg＝４５°に屈折して、前面基板より大気へ
向け入射角θg＝４５°で入射しようとする。
が偏光の入射方向と直交する図７の画素Ａ11では、図８
に示す通り、背面基板より液晶へ入射角θgで入射した
偏光は、 ｎo×ｓｉｎθo＝ｎg×ｓｉｎθg （４７） 即ち、 ｓｉｎθo＝（１.４６／１.５０）×ｓｉｎ４５° （４８） なる角度θoに屈折する。このときの偏光の偏光軸が液
晶分子の長軸方向と直交しているので、液晶を透過して
いる間に偏光の偏光軸が旋光することはない。従って、
液晶へ入射した偏光は偏光軸が維持されたまま再び液晶
より前面基板へ入射角θoで入射し、 ｎg×ｓｉｎθg＝ｎo×ｓｉｎθo （４９） なる角度θg＝４５°に屈折して、前面基板より大気へ
向け入射角θg＝４５°で入射しようとする。
【００４９】このとき、偏光を透過させて大気へ出射さ
せるための条件： ｓｉｎθg＜ｎa／ｎg （５０） へθg＝４５°，ｎg≒１.４６，ｎa≒１.０を代入する
と、 ｓｉｎθg≒０.７０７≧ｎa／ｎg≒０.６７１ （５１） となるので、前面基板より大気へ向け入射しようとした
偏光は、前面基板と大気との界面で全反射してパネルか
ら外へ光は漏れない。
せるための条件： ｓｉｎθg＜ｎa／ｎg （５０） へθg＝４５°，ｎg≒１.４６，ｎa≒１.０を代入する
と、 ｓｉｎθg≒０.７０７≧ｎa／ｎg≒０.６７１ （５１） となるので、前面基板より大気へ向け入射しようとした
偏光は、前面基板と大気との界面で全反射してパネルか
ら外へ光は漏れない。
【００５０】一方、液晶分子の長軸と入射した偏光の偏
光軸が角度２θm傾いている図７の画素Ａ12では、実施
例１の図６と同じ表示原理が働き、背面基板より液晶へ
入射角θgで入射した偏光が前面基板を透過して大気へ
出射する。なお、誘電異方性が負のネマチック液晶を用
いることも可能である。この場合、配向膜として垂直配
向膜を用いる必要がある。また、電圧印加により基板表
面と平行となった液晶分子が入射した偏光の偏光軸と平
行または直交とならないよう、垂直配向膜に若干ラビン
グ処理を施した方が良い。
光軸が角度２θm傾いている図７の画素Ａ12では、実施
例１の図６と同じ表示原理が働き、背面基板より液晶へ
入射角θgで入射した偏光が前面基板を透過して大気へ
出射する。なお、誘電異方性が負のネマチック液晶を用
いることも可能である。この場合、配向膜として垂直配
向膜を用いる必要がある。また、電圧印加により基板表
面と平行となった液晶分子が入射した偏光の偏光軸と平
行または直交とならないよう、垂直配向膜に若干ラビン
グ処理を施した方が良い。
【００５１】〔実施例３〕図９は、本発明の液晶表示装
置の更に他の実施例を説明するための画素と液晶を概念
的に示した平面図で、側面入射型液晶表示装置を前面基
板より見たものである。図中、１３は側面入射型液晶表
示装置である。図１０は、図９に示す側面入射型液晶表
示装置のＣ−Ｃ′における断面図である。図１１は、図
９に示す側面入射型液晶表示装置のＡ−Ａ′における断
面図である。図１２は、図９に示す側面入射型液晶表示
装置のＢ−Ｂ′における断面図である。
置の更に他の実施例を説明するための画素と液晶を概念
的に示した平面図で、側面入射型液晶表示装置を前面基
板より見たものである。図中、１３は側面入射型液晶表
示装置である。図１０は、図９に示す側面入射型液晶表
示装置のＣ−Ｃ′における断面図である。図１１は、図
９に示す側面入射型液晶表示装置のＡ−Ａ′における断
面図である。図１２は、図９に示す側面入射型液晶表示
装置のＢ−Ｂ′における断面図である。
【００５２】この構成では、図１２に示すように、屈折
率ｎgの背面ガラス基板２の表面にはアルミ等の金属か
らなるセグメント電極Ｓが複数本互いに平行に配置され
ている。また、背面ガラス基板２の表面にはラビング処
理等を施したポリビニルアルコール等の透明な配向膜６
も形成されている。セグメント電極Ｓと対向する屈折率
ｎgの前面ガラス基板３の表面にはアルミ等の金属から
なるコモン電極Ｌがセグメント電極Ｓと直交する向きに
複数本互いに平行に配置されている。また、前面ガラス
基板３の表面にはラビング処理等を施したポリビニルア
ルコール等の透明な配向膜７も形成されている。このセ
グメント電極Ｓは図１０に示す通り、表示部において厚
さａ［μｍ］の部分が長さｃ［ｍｍ］で、厚さｂ［μ
ｍ］の部分が長さｄ［ｍｍ］で交互に繰り返された直線
構成である。一方、コモン電極Ｌはセグメント電極Ｓと
直交する厚さａ［μｍ］の直線部と、この直線部と直交
しセグメント電極Ｓと平行する厚さｂ［μｍ］の画素電
極部から構成されている。その他の点では、本実施例は
実施例２と同様である。
率ｎgの背面ガラス基板２の表面にはアルミ等の金属か
らなるセグメント電極Ｓが複数本互いに平行に配置され
ている。また、背面ガラス基板２の表面にはラビング処
理等を施したポリビニルアルコール等の透明な配向膜６
も形成されている。セグメント電極Ｓと対向する屈折率
ｎgの前面ガラス基板３の表面にはアルミ等の金属から
なるコモン電極Ｌがセグメント電極Ｓと直交する向きに
複数本互いに平行に配置されている。また、前面ガラス
基板３の表面にはラビング処理等を施したポリビニルア
ルコール等の透明な配向膜７も形成されている。このセ
グメント電極Ｓは図１０に示す通り、表示部において厚
さａ［μｍ］の部分が長さｃ［ｍｍ］で、厚さｂ［μ
ｍ］の部分が長さｄ［ｍｍ］で交互に繰り返された直線
構成である。一方、コモン電極Ｌはセグメント電極Ｓと
直交する厚さａ［μｍ］の直線部と、この直線部と直交
しセグメント電極Ｓと平行する厚さｂ［μｍ］の画素電
極部から構成されている。その他の点では、本実施例は
実施例２と同様である。
【００５３】即ち、図１０に示す通り、２枚のガラス基
板２，３の４辺のうちコモン電極の長軸方向と平行した
１辺を角度θgでカットして、これら４辺は一部に注入
口を残し封止剤９で封止する。注入口から配向膜６，７
で挟まれた空間へ真空注入等により常光屈折率ｎo（ｎ
┴）と異常光屈折率ｎe（ｎ‖）を持った液晶を導入
し、上記注入口を封止剤９で封止する。ガラス基板２，
３のカットされた１辺から、図１０に示すようにコモン
電極の長軸方向と平行もしくは直交した偏光軸をもった
偏光した平行光線を入射させる。また、図９に示すドラ
イバ１０はコモン電極Ｌへ電圧を印加するための駆動回
路であり、ドライバ１１はセグメント電極Ｓへ電圧を印
加するための駆動回路である。
板２，３の４辺のうちコモン電極の長軸方向と平行した
１辺を角度θgでカットして、これら４辺は一部に注入
口を残し封止剤９で封止する。注入口から配向膜６，７
で挟まれた空間へ真空注入等により常光屈折率ｎo（ｎ
┴）と異常光屈折率ｎe（ｎ‖）を持った液晶を導入
し、上記注入口を封止剤９で封止する。ガラス基板２，
３のカットされた１辺から、図１０に示すようにコモン
電極の長軸方向と平行もしくは直交した偏光軸をもった
偏光した平行光線を入射させる。また、図９に示すドラ
イバ１０はコモン電極Ｌへ電圧を印加するための駆動回
路であり、ドライバ１１はセグメント電極Ｓへ電圧を印
加するための駆動回路である。
【００５４】本実施例で用いる液晶８も常光屈折率ｎo
（ｎ┴）と異常光屈折率ｎe（ｎ‖）とが、 ｎe≒１.７８ ｎo≒１.５０ であるロッシュ社製の正の誘電異方性を示すネマチック
液晶：ＲＯ−ＴＮ２１０８であり、配向膜６，７として
チッソ社製の配向膜ＰＳＩ−Ａ−２１０１を使用した。
また、コモン電極Ｌとセグメント電極Ｓとの間隔も約６
μｍとし、背面基板より入射する偏光の入射方向とラビ
ング方向の傾き角度（９０−２θm）°を約７４°とし
た。また、この側面入射型ネマチック液晶表示装置１３
の駆動方法は実施例２における側面入射型ネマチック液
晶表示装置１２と同じである。
（ｎ┴）と異常光屈折率ｎe（ｎ‖）とが、 ｎe≒１.７８ ｎo≒１.５０ であるロッシュ社製の正の誘電異方性を示すネマチック
液晶：ＲＯ−ＴＮ２１０８であり、配向膜６，７として
チッソ社製の配向膜ＰＳＩ−Ａ−２１０１を使用した。
また、コモン電極Ｌとセグメント電極Ｓとの間隔も約６
μｍとし、背面基板より入射する偏光の入射方向とラビ
ング方向の傾き角度（９０−２θm）°を約７４°とし
た。また、この側面入射型ネマチック液晶表示装置１３
の駆動方法は実施例２における側面入射型ネマチック液
晶表示装置１２と同じである。
【００５５】このようにして駆動した側面入射型ネマチ
ック液晶表示装置１３を前面ガラス基板側から観察する
と、実施例２と同様に、液晶分子長軸方向が偏光の入射
方向と直交するオン画素Ａ11で暗い表示が得られ、液晶
分子長軸方向が偏光の入射方向と角度２θmで交差する
オフ画素Ａ12で明るい表示が得られた。なお、本実施例
では、液晶８として誘電異方性が負のネマチック液晶も
使用可能である。その場合、オフ画素Ａ12の液晶分子長
軸方向は偏光の入射方向と角度２θmで交差し明るい表
示が得られる。一方、オン画素Ａ11の液晶分子長軸方向
は偏光の入射方向と平行となり暗い表示が得られる。
ック液晶表示装置１３を前面ガラス基板側から観察する
と、実施例２と同様に、液晶分子長軸方向が偏光の入射
方向と直交するオン画素Ａ11で暗い表示が得られ、液晶
分子長軸方向が偏光の入射方向と角度２θmで交差する
オフ画素Ａ12で明るい表示が得られた。なお、本実施例
では、液晶８として誘電異方性が負のネマチック液晶も
使用可能である。その場合、オフ画素Ａ12の液晶分子長
軸方向は偏光の入射方向と角度２θmで交差し明るい表
示が得られる。一方、オン画素Ａ11の液晶分子長軸方向
は偏光の入射方向と平行となり暗い表示が得られる。
【００５６】〔実施例４〕本発明の第３の実施例ではネ
マチック液晶を用いたが、強誘電性液晶を用い図１３の
構成で実施例３と同様の効果が得られる。以下、その本
発明の実施例４の構成を説明する。図１３は、本発明の
液晶表示装置の更に他の実施例を説明するための画素と
液晶を概念的に示した平面図で、側面入射型液晶表示装
置を前面基板側より見たものである。図中１４は側面入
射型液晶表示装置である。図１４は、図１３に示すＦＬ
Ｃ分子を偏光の入射方向から見た模式図である。図１５
は、実施例４の液晶表示装置の表示原理を説明するため
のＦＬＣ分子の長軸方向と偏光の入射方向が直交する状
態での光路を概念的に示す図である。図１６は、実施例
４の液晶表示装置の表示原理を説明するためのＦＬＣ分
子の長軸方向と偏光の偏光軸が傾いている状態での光路
を概念的に示す図である。図１３に示す側面入射型液晶
表示装置１４の構成は図９の側面入射型液晶表示装置１
と同じ構成なので、ここではその詳しい説明は省略す
る。但し、本実施例で用いる液晶８は常光屈折率ｎ
o（ｎ┴）と異常光屈折率ｎe（ｎ‖）として ｎe≒１.６３ ｎo≒１.５０ のチッソ社製の強誘電性液晶：ＣＳ−１０１１であり、
配向膜６，７としてチッソ社製の配向膜ＰＳＩ−Ａ−２
１０１を使用した点が異なる。また、背面基板より入射
する偏光の入射方向と平行となるようセグメント電極表
面の配向膜６をラビング処理している点が異なる。
マチック液晶を用いたが、強誘電性液晶を用い図１３の
構成で実施例３と同様の効果が得られる。以下、その本
発明の実施例４の構成を説明する。図１３は、本発明の
液晶表示装置の更に他の実施例を説明するための画素と
液晶を概念的に示した平面図で、側面入射型液晶表示装
置を前面基板側より見たものである。図中１４は側面入
射型液晶表示装置である。図１４は、図１３に示すＦＬ
Ｃ分子を偏光の入射方向から見た模式図である。図１５
は、実施例４の液晶表示装置の表示原理を説明するため
のＦＬＣ分子の長軸方向と偏光の入射方向が直交する状
態での光路を概念的に示す図である。図１６は、実施例
４の液晶表示装置の表示原理を説明するためのＦＬＣ分
子の長軸方向と偏光の偏光軸が傾いている状態での光路
を概念的に示す図である。図１３に示す側面入射型液晶
表示装置１４の構成は図９の側面入射型液晶表示装置１
と同じ構成なので、ここではその詳しい説明は省略す
る。但し、本実施例で用いる液晶８は常光屈折率ｎ
o（ｎ┴）と異常光屈折率ｎe（ｎ‖）として ｎe≒１.６３ ｎo≒１.５０ のチッソ社製の強誘電性液晶：ＣＳ−１０１１であり、
配向膜６，７としてチッソ社製の配向膜ＰＳＩ−Ａ−２
１０１を使用した点が異なる。また、背面基板より入射
する偏光の入射方向と平行となるようセグメント電極表
面の配向膜６をラビング処理している点が異なる。
【００５７】また、液晶表示装置の表示原理は基本的に
実施例１〜３と同じである。即ち、ＦＬＣ分子は図３
（Ｂ）に示すコーン角２θの円錐表面を移動するので、
一方極性の電界を印加した状態のＦＬＣ分子は図１４
（Ａ）または（Ｃ）の状態となる。このとき、ＦＬＣ分
子の長軸方向と入射した偏光の偏光軸は直交するので、
図１５の通り、背面基板より液晶へ入射角θgで入射し
た偏光は、前面基板との大気との界面で全反射されパネ
ルから外へ光は漏れない。
実施例１〜３と同じである。即ち、ＦＬＣ分子は図３
（Ｂ）に示すコーン角２θの円錐表面を移動するので、
一方極性の電界を印加した状態のＦＬＣ分子は図１４
（Ａ）または（Ｃ）の状態となる。このとき、ＦＬＣ分
子の長軸方向と入射した偏光の偏光軸は直交するので、
図１５の通り、背面基板より液晶へ入射角θgで入射し
た偏光は、前面基板との大気との界面で全反射されパネ
ルから外へ光は漏れない。
【００５８】一方、一方極性の電界から他方極性の電界
へ電界の極性を切り替えるとき、ＦＬＣ分子は過度的に
図１４（Ｂ）の状態となる。このとき、液晶分子の長軸
と入射した偏光の偏光軸は傾いているので、図１６の通
り、背面基板より液晶へ入射角θgで入射した偏光は、
前面基板より大気へ透過する。
へ電界の極性を切り替えるとき、ＦＬＣ分子は過度的に
図１４（Ｂ）の状態となる。このとき、液晶分子の長軸
と入射した偏光の偏光軸は傾いているので、図１６の通
り、背面基板より液晶へ入射角θgで入射した偏光は、
前面基板より大気へ透過する。
【００５９】この側面入射型液晶表示装置１４の駆動法
として、奇数フレームでは図４（Ａ）の選択電圧ＶCAを
コモン電極Ｌiへ印加しているとき、セグメント電極の
選択電圧（±Ｖd）に対し常に一方極性の電位となる電
圧（例えば、＋Ｖd）をコモン電極Ｌk（ｋ＞ｉ）へ印加
し、常に他方極性の電位となる電圧（例えば、−Ｖd）
をコモン電極Ｌh（ｈ＜ｉ）へ印加する。偶数フレーム
では図４（Ｂ）に示す選択電圧ＶCEをコモン電極Ｌiへ
印加しているとき、セグメント電極の選択電圧（±
Ｖd）に対し常に他方極性の電位となる電圧（例えば、
−Ｖd）をコモン電極Ｌk（ｋ＞ｉ）へ印加し、常に一方
極性の電位となる電圧（例えば、＋Ｖd）をコモン電極
Ｌh（ｈ＜ｉ）へ印加する。
として、奇数フレームでは図４（Ａ）の選択電圧ＶCAを
コモン電極Ｌiへ印加しているとき、セグメント電極の
選択電圧（±Ｖd）に対し常に一方極性の電位となる電
圧（例えば、＋Ｖd）をコモン電極Ｌk（ｋ＞ｉ）へ印加
し、常に他方極性の電位となる電圧（例えば、−Ｖd）
をコモン電極Ｌh（ｈ＜ｉ）へ印加する。偶数フレーム
では図４（Ｂ）に示す選択電圧ＶCEをコモン電極Ｌiへ
印加しているとき、セグメント電極の選択電圧（±
Ｖd）に対し常に他方極性の電位となる電圧（例えば、
−Ｖd）をコモン電極Ｌk（ｋ＞ｉ）へ印加し、常に一方
極性の電位となる電圧（例えば、＋Ｖd）をコモン電極
Ｌh（ｈ＜ｉ）へ印加する。
【００６０】このとき、選択電圧ＶCAをコモン電極Ｌi
へ印加したとき、セグメント電極Ｓjに印加される電圧
波形を図４（Ａ）に示すＶSCからＶSGへ連続的に変化さ
せ、図１４（Ｂ）に示す過度的状態となる期間を制御し
表示を得ることができる。また、選択電圧ＶCEをコモン
電極Ｌiへ印加したとき、セグメント電極Ｓjへ印加され
る電圧波形を図４（Ａ）に示すＶSDからＶSHへ連続的に
変化させることにより、図１４（Ｂ）に示す過度的状態
となる期間を制御し表示を得ることができる。
へ印加したとき、セグメント電極Ｓjに印加される電圧
波形を図４（Ａ）に示すＶSCからＶSGへ連続的に変化さ
せ、図１４（Ｂ）に示す過度的状態となる期間を制御し
表示を得ることができる。また、選択電圧ＶCEをコモン
電極Ｌiへ印加したとき、セグメント電極Ｓjへ印加され
る電圧波形を図４（Ａ）に示すＶSDからＶSHへ連続的に
変化させることにより、図１４（Ｂ）に示す過度的状態
となる期間を制御し表示を得ることができる。
【００６１】以上、実施例１〜４においても、特開昭５
９−５８４２１号公報の液晶表示装置同様、前面基板前
面（大気と面した表面）に散乱性の膜を置くことができ
る。その場合、散乱性膜と前面ガラス基板の間にスペー
スを空け、大気を導入することが好ましい。また、背面
ガラス基板背面（大気と面した表面）にも光吸収性の高
い膜を置いた方が前面基板前面からくる光を反射せずコ
ントラストの高い表示となる。この場合、光吸収性膜と
背面ガラス基板の間にスペースを空け、大気を導入する
ことが好ましい。特に実施例３〜４では、前面ガラス基
板３とコモン電極Ｌ及びセグメント電極Ｓとの間に光吸
収性の膜を形成した方が、前面基板前面からくる光を反
射せずコントラストの高い表示となる。
９−５８４２１号公報の液晶表示装置同様、前面基板前
面（大気と面した表面）に散乱性の膜を置くことができ
る。その場合、散乱性膜と前面ガラス基板の間にスペー
スを空け、大気を導入することが好ましい。また、背面
ガラス基板背面（大気と面した表面）にも光吸収性の高
い膜を置いた方が前面基板前面からくる光を反射せずコ
ントラストの高い表示となる。この場合、光吸収性膜と
背面ガラス基板の間にスペースを空け、大気を導入する
ことが好ましい。特に実施例３〜４では、前面ガラス基
板３とコモン電極Ｌ及びセグメント電極Ｓとの間に光吸
収性の膜を形成した方が、前面基板前面からくる光を反
射せずコントラストの高い表示となる。
【００６２】
請求項１の効果：本発明によれば、通常の液晶パネルに
用いられる屈折率が１．４６〜１．５程度の安価な熔融
石英ガラスと、常光屈折率ｎo（ｎ┴）が１．５０程度
で異常光屈折率ｎe（ｎ‖）が１．６〜１．８程度の一
般的な液晶を用いて、従来の背面基板の背面から偏光を
入力する液晶表示装置に比べコントラストの高い側面入
射型液晶表示装置を構成でき、その効果は明らかであ
る。
用いられる屈折率が１．４６〜１．５程度の安価な熔融
石英ガラスと、常光屈折率ｎo（ｎ┴）が１．５０程度
で異常光屈折率ｎe（ｎ‖）が１．６〜１．８程度の一
般的な液晶を用いて、従来の背面基板の背面から偏光を
入力する液晶表示装置に比べコントラストの高い側面入
射型液晶表示装置を構成でき、その効果は明らかであ
る。
【００６３】請求項２の効果：コントラストの高い側面
入射型液晶表示装置を得るための液晶の屈折率、背面基
板の屈折率、装置が置かれる媒質の屈折率、及び背面基
板から液晶へ入射する入射角の関係に関する具体的な範
囲が与えられる。
入射型液晶表示装置を得るための液晶の屈折率、背面基
板の屈折率、装置が置かれる媒質の屈折率、及び背面基
板から液晶へ入射する入射角の関係に関する具体的な範
囲が与えられる。
【００６４】請求項３の効果：強誘電性液晶または反強
誘電性液晶またはネマチック液晶のいずれかを用いて基
板に垂直方向に電解を付与する形態を有した側面入射型
液晶表示装置の具体的な構成が与えられる。
誘電性液晶またはネマチック液晶のいずれかを用いて基
板に垂直方向に電解を付与する形態を有した側面入射型
液晶表示装置の具体的な構成が与えられる。
【００６５】請求項４の効果：ネマチック液晶を用いて
基板に平行に電解を付与する形態を有した側面入射型液
晶表示装置の具体的な構成が与えられ、特に、この構成
では液晶の厚みをコモン電極とセグメント電極で決定で
きるため、従来液晶の厚みを決めるために使用されてい
たスペーサが不要となる効果がある。
基板に平行に電解を付与する形態を有した側面入射型液
晶表示装置の具体的な構成が与えられ、特に、この構成
では液晶の厚みをコモン電極とセグメント電極で決定で
きるため、従来液晶の厚みを決めるために使用されてい
たスペーサが不要となる効果がある。
【００６６】請求項５の効果：強誘電性液晶または反強
誘電性液晶を用いて基板に平行に電解を付与する形態を
有した側面入射型液晶表示装置の具体的な構成が与えら
れ、特に、この構成では液晶の厚みをコモン電極とセグ
メント電極で決定できるため、従来液晶の厚みを決める
ために使用されていたスペーサが不要となる効果があ
る。
誘電性液晶を用いて基板に平行に電解を付与する形態を
有した側面入射型液晶表示装置の具体的な構成が与えら
れ、特に、この構成では液晶の厚みをコモン電極とセグ
メント電極で決定できるため、従来液晶の厚みを決める
ために使用されていたスペーサが不要となる効果があ
る。
【図１】本発明の液晶表示装置の一実施例を説明するた
めの画素と液晶を概念的に示した平面図である。
めの画素と液晶を概念的に示した平面図である。
【図２】図１に示す液晶表示装置のＡ−Ａ′における断
面図である。
面図である。
【図３】強誘電性液晶分子の振る舞いを概念的に示す平
面図及び斜視図である。
面図及び斜視図である。
【図４】実施例１の液晶表示装置に用いて好適な駆動方
法の第１及び第２フィールドにおける駆動波形を示す波
形図をそれぞれ（Ａ），（Ｂ）に示すものである。
法の第１及び第２フィールドにおける駆動波形を示す波
形図をそれぞれ（Ａ），（Ｂ）に示すものである。
【図５】実施例１の液晶表示装置の表示原理を説明する
ためのＦＬＣ分子の長軸方向と偏光の入射方向が直交す
る状態での光路を概念的に示す図である。
ためのＦＬＣ分子の長軸方向と偏光の入射方向が直交す
る状態での光路を概念的に示す図である。
【図６】実施例１の液晶表示装置の表示原理を説明する
ためのＦＬＣ分子の長軸方向と偏光の偏光軸が２θm傾
いている状態での光路を概念的に示す図である。
ためのＦＬＣ分子の長軸方向と偏光の偏光軸が２θm傾
いている状態での光路を概念的に示す図である。
【図７】本発明の液晶表示装置の他の実施例を説明する
ための画素と液晶を概念的に示した平面図で、側面入射
型液晶表示装置を前面基板側より見たものである。
ための画素と液晶を概念的に示した平面図で、側面入射
型液晶表示装置を前面基板側より見たものである。
【図８】実施例２の液晶表示装置の表示原理を説明する
ためのネマチック液晶分子の長軸方向と偏光の入射方向
が直交する状態での光路を概念的に示す図である。
ためのネマチック液晶分子の長軸方向と偏光の入射方向
が直交する状態での光路を概念的に示す図である。
【図９】本発明の液晶表示装置の更に他の実施例を説明
するための画素と液晶を概念的に示した平面図で、側面
入射型液晶表示装置を前面基板より見たものである。
するための画素と液晶を概念的に示した平面図で、側面
入射型液晶表示装置を前面基板より見たものである。
【図１０】図９に示す側面入射型液晶表示装置のＣ−
Ｃ′における断面図である。
Ｃ′における断面図である。
【図１１】図９に示す側面入射型液晶表示装置のＡ−
Ａ′における断面図である。
Ａ′における断面図である。
【図１２】図９に示す側面入射型液晶表示装置のＢ−
Ｂ′における断面図である。
Ｂ′における断面図である。
【図１３】本発明の液晶表示装置の更に他の実施例を説
明するための画素と液晶を概念的に示した平面図で、側
面入射型液晶表示装置を前面基板側より見たものであ
る。
明するための画素と液晶を概念的に示した平面図で、側
面入射型液晶表示装置を前面基板側より見たものであ
る。
【図１４】図１３に示すＦＬＣ分子を偏光の入射方向か
ら見た模式図である。
ら見た模式図である。
【図１５】実施例４の液晶表示装置の表示原理を説明す
るためのＦＬＣ分子の長軸方向と偏光の入射方向が直交
する状態での光路を概念的に示す図である。
るためのＦＬＣ分子の長軸方向と偏光の入射方向が直交
する状態での光路を概念的に示す図である。
【図１６】実施例４の液晶表示装置の表示原理を説明す
るためのＦＬＣ分子の長軸方向と偏光の偏光軸が傾いて
いる状態での光路を概念的に示す図である。
るためのＦＬＣ分子の長軸方向と偏光の偏光軸が傾いて
いる状態での光路を概念的に示す図である。
【図１７】従来の側面入射型液晶表示装置の一例を概念
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
【図１８】誘電異方性が正のネマチック液晶における一
般的な駆動波形を示す波形図である。
般的な駆動波形を示す波形図である。
１…側面入射型液晶表示装置、２…背面ガラス基板、２
θ…コーン角、３…前面ガラス基板、４，５…絶縁膜、
６，７…配向膜、８…液晶、９…封止剤、１０…コモン
電極用ドライバ、１１…セグメント、１２…側面入射型
ネマチック液晶表示装置、１３…側面入射型液晶表示装
置、１４…側面入射型液晶表示装置、２１，２２…透明
電極、２３…前面基板、２４…背面基板、２５…ネマチ
ック液晶、２６…末端側面、２７…光源、２８…光散乱
板、２９…背面基板突出部、Ａ…媒質、Ｅ…電場、Ｌ…
コモン電極、Ｐ1，Ｐ2…強誘電性液晶分子の２つの安定
状態位置、Ｐｓ…自発分極、Ｒｕｂ…ラビング方向、Ｓ
…セグメント電極、θｍ…メモリ角。
θ…コーン角、３…前面ガラス基板、４，５…絶縁膜、
６，７…配向膜、８…液晶、９…封止剤、１０…コモン
電極用ドライバ、１１…セグメント、１２…側面入射型
ネマチック液晶表示装置、１３…側面入射型液晶表示装
置、１４…側面入射型液晶表示装置、２１，２２…透明
電極、２３…前面基板、２４…背面基板、２５…ネマチ
ック液晶、２６…末端側面、２７…光源、２８…光散乱
板、２９…背面基板突出部、Ａ…媒質、Ｅ…電場、Ｌ…
コモン電極、Ｐ1，Ｐ2…強誘電性液晶分子の２つの安定
状態位置、Ｐｓ…自発分極、Ｒｕｂ…ラビング方向、Ｓ
…セグメント電極、θｍ…メモリ角。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３６ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３６Ｄ
Claims (5)
- 【請求項１】 屈折率ｎgの背面基板と屈折率ｎg′の前
面基板との間に設けられる間隙に屈折率異方性を示す液
晶を封入してなる液晶パネルを屈折率ｎaの媒質中に置
き、前記背面基板から前記液晶へ偏光を ｓｉｎθg≧ｎa／ｎg なる入射角θgで入射させるようにした液晶表示装置に
おいて、前記液晶へ印加する電圧の制御によって、前記
液晶を透過して前記前面基板から前記媒質へ入射する光
の前記媒質に対する入射角θkを ｓｉｎθk≧ｎa／ｎg′ から ｓｉｎθk′＜ｎa／ｎg′ を満足するθk′へ変化させることにより、前記前面基
板と前記媒質の界面を透過して前記媒質に出射する光量
を変化させて表示を行なうようにしたことを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記液晶の最大屈折率ｎmax及び最小屈
折率ｎminと、前記入射角θgとの間に （ｎmax／ｎmin）×（ｎa／ｎg）＞ｓｉｎθg の関係が成り立つようにしたことを特徴とする請求項１
記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記背面基板と前記前面基板との間に形
成されるコモン電極及びセグメント電極を、前記液晶へ
印加する電圧により発生する該コモン電極から該セグメ
ント電極へ向かう電界が前記背面基板の表面と直交する
ように配設するとともに、前記液晶としてネマチック液
晶または強誘電性液晶または反強誘電性液晶のいずれか
を用い、前記背面基板から入射させる前記偏光の偏光軸
と前記背面基板表面に形成される配向膜における配向軸
とのなす角度θmが ０＜θm＜π／２ となるようにし、前記電界の制御により、前記液晶分子
の長軸方向と前記偏光軸との交差角度を変化させ、該交
差角度の変化に伴い前記θkを変化させるようにしたこ
とを特徴とする請求項１または２記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記背面基板と前記前面基板との間に形
成されるコモン電極及びセグメント電極を、前記液晶へ
印加する電圧により発生する該コモン電極から該セグメ
ント電極へ向かう電界が前記背面基板の表面と平行とな
るように配設するとともに、前記液晶としてネマチック
液晶を用い、前記背面基板から入射させる前記偏光の偏
光軸と前記背面基板表面に形成される配向膜における配
向軸とのなす角度θmが ０＜θm＜π／２ となるようにし、前記電界により、前記液晶分子の長軸
方向と前記偏光軸との交差角度を変化させ、該交差角度
の変化に伴い前記θkを変化させるようにしたことを特
徴とする請求項１または２記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記背面基板と前記前面基板との間に形
成されるコモン電極及びセグメント電極を、前記液晶へ
印加する電圧により発生する該コモン電極から該セグメ
ント電極へ向かう電界が前記背面基板の表面と平行とな
るように配設するとともに、前記液晶として強誘電性液
晶または反強誘電性液晶を用い、前記背面基板から入射
させる前記偏光の偏光軸と前記背面基板表面に形成され
る配向膜における配向軸とのなす角度θmが０またはπ
／２となるようし、前記電界により、前記液晶分子の長
軸方向と前記偏光軸との交差角度を変化させ、該交差角
度の変化に伴い前記θkを変化させるようにしたことを
特徴とする請求項１または２記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9033918A JPH10232386A (ja) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9033918A JPH10232386A (ja) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10232386A true JPH10232386A (ja) | 1998-09-02 |
Family
ID=12399909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9033918A Pending JPH10232386A (ja) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10232386A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018056277A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 電子部品の実装方法、電子部品の接合構造、基板装置、ディスプレイ装置、ディスプレイシステム |
-
1997
- 1997-02-18 JP JP9033918A patent/JPH10232386A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018056277A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 電子部品の実装方法、電子部品の接合構造、基板装置、ディスプレイ装置、ディスプレイシステム |
| US11112658B2 (en) | 2016-09-28 | 2021-09-07 | Lg Display Co., Ltd. | Method of installing electronic component, display device and display system |
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