JPH1023089A - 送信出力制御回路 - Google Patents
送信出力制御回路Info
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- JPH1023089A JPH1023089A JP18833596A JP18833596A JPH1023089A JP H1023089 A JPH1023089 A JP H1023089A JP 18833596 A JP18833596 A JP 18833596A JP 18833596 A JP18833596 A JP 18833596A JP H1023089 A JPH1023089 A JP H1023089A
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- control
- transmission wave
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- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
- Time-Division Multiplex Systems (AREA)
- Transmitters (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 バースト送信波の立ち上がり時に発生するオ
ーバーシュートによる送信スペクトラムの拡がりを抑制
する。 【解決手段】 オペアンプ２０１はバースト送信波の出
力レベルを制御電圧ＶＣ１に対応する定常値に制御する
自動レベル制御ループを構成する。オペアンプ２０１及
び２０２の出力電圧はホールドコンデンサ２０３に蓄積
され、減衰制御信号として可変減衰器へ出力される。制
御回路１０６はバースト送信波の立ち上がり時点Ｔ１を
挟んだ立ち上がり過渡期間において、オペアンプ２０１
を動作停止状態から動作可能状態へ徐々に移行させ、且
つオペアンプ２０２を動作可能状態から動作停止状態へ
徐々に移行させる。これによって、ホールドコンデンサ
に蓄積される電圧は、制御電圧ＶＣ２から制御電圧ＶＣ
１に対応する定常値への上昇し、それに伴って可変減衰
器の減衰量も増大する。
ーバーシュートによる送信スペクトラムの拡がりを抑制
する。 【解決手段】 オペアンプ２０１はバースト送信波の出
力レベルを制御電圧ＶＣ１に対応する定常値に制御する
自動レベル制御ループを構成する。オペアンプ２０１及
び２０２の出力電圧はホールドコンデンサ２０３に蓄積
され、減衰制御信号として可変減衰器へ出力される。制
御回路１０６はバースト送信波の立ち上がり時点Ｔ１を
挟んだ立ち上がり過渡期間において、オペアンプ２０１
を動作停止状態から動作可能状態へ徐々に移行させ、且
つオペアンプ２０２を動作可能状態から動作停止状態へ
徐々に移行させる。これによって、ホールドコンデンサ
に蓄積される電圧は、制御電圧ＶＣ２から制御電圧ＶＣ
１に対応する定常値への上昇し、それに伴って可変減衰
器の減衰量も増大する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はバーストモード通信
装置に係り、特にバースト送信波の送信出力制御回路に
関する。
装置に係り、特にバースト送信波の送信出力制御回路に
関する。
【０００２】
【従来の技術】バースト信号は急激な立上り及び立下り
を有するために、バースト搬送波のスペクトラムの拡が
りを抑制する技術が種々提案されている。特開平５−７
２２８号公報に開示された送信電力自動制御装置は出力
レベルを電圧制御することができるＲＦ（無線周波数）
増幅器とその出力レベルを検出するレベル検波器とが設
けられ、ランピング特性パターン信号と複数の電圧レベ
ルパターン信号とを乗算した後、その乗算出力とＲＦ増
幅器出力の検出レベルとの差を算出し、その差を制御信
号としてＲＦ増幅器の出力レベル制御を行っている。こ
のようにランピング特性パターン信号を用いてＲＦ増幅
器の出力レベルを制御することで、滑らかなランピング
特性を有するバースト送信出力を得ることができる、と
いうものである。
を有するために、バースト搬送波のスペクトラムの拡が
りを抑制する技術が種々提案されている。特開平５−７
２２８号公報に開示された送信電力自動制御装置は出力
レベルを電圧制御することができるＲＦ（無線周波数）
増幅器とその出力レベルを検出するレベル検波器とが設
けられ、ランピング特性パターン信号と複数の電圧レベ
ルパターン信号とを乗算した後、その乗算出力とＲＦ増
幅器出力の検出レベルとの差を算出し、その差を制御信
号としてＲＦ増幅器の出力レベル制御を行っている。こ
のようにランピング特性パターン信号を用いてＲＦ増幅
器の出力レベルを制御することで、滑らかなランピング
特性を有するバースト送信出力を得ることができる、と
いうものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の送信出力制御装置では、送信出力レベルの制御をＲ
Ｆ増幅器の電圧制御により行うために、制御電圧の全範
囲において発振等を生じない絶対安定領域内で動作させ
る必要があり、ＲＦ増幅器のデバイス設計面での負担が
大きくなり、また、実際上、動作面でも不安定領域に陥
る可能性が高くなる。特に、車載の移動体通信システム
の場合には、ＲＦ増幅器の設計が単一バイアス条件で設
計保証されている場合が多く、デバイス設計面の困難さ
は更に大きくなる。
来の送信出力制御装置では、送信出力レベルの制御をＲ
Ｆ増幅器の電圧制御により行うために、制御電圧の全範
囲において発振等を生じない絶対安定領域内で動作させ
る必要があり、ＲＦ増幅器のデバイス設計面での負担が
大きくなり、また、実際上、動作面でも不安定領域に陥
る可能性が高くなる。特に、車載の移動体通信システム
の場合には、ＲＦ増幅器の設計が単一バイアス条件で設
計保証されている場合が多く、デバイス設計面の困難さ
は更に大きくなる。
【０００４】更に、送信出力レベルの制御をＲＦ増幅器
の電圧制御により行おうとすると、狭帯域変調バースト
信号を送出するときの立ち上がり時のオーバーシュート
をなくすように調整することが容易でなく、温度等の条
件においても安定性を得ることが困難となる。これは、
ＲＦ増幅器のバイアス条件での安定性という面と、その
出力制御回路のループの応答性が温度等の条件に対して
狭い範囲での安定性しか得られないことが多いためであ
る。
の電圧制御により行おうとすると、狭帯域変調バースト
信号を送出するときの立ち上がり時のオーバーシュート
をなくすように調整することが容易でなく、温度等の条
件においても安定性を得ることが困難となる。これは、
ＲＦ増幅器のバイアス条件での安定性という面と、その
出力制御回路のループの応答性が温度等の条件に対して
狭い範囲での安定性しか得られないことが多いためであ
る。
【０００５】本発明の目的は、バースト送信波の立ち上
がり時に発生するオーバーシュートによる送信スペクト
ラムの拡がりを抑制する送信出力制御回路を提供するこ
とにある。
がり時に発生するオーバーシュートによる送信スペクト
ラムの拡がりを抑制する送信出力制御回路を提供するこ
とにある。
【０００６】本発明の他の目的は、バースト送信波の立
ち上がりのオーバーシュートの発生を容易に制御するこ
とができ、且つ安定した制御を行うことができる送信出
力制御回路を提供することにある。
ち上がりのオーバーシュートの発生を容易に制御するこ
とができ、且つ安定した制御を行うことができる送信出
力制御回路を提供することにある。
【０００７】本発明の更に他の目的は、半導体基板上に
容易に形成することができ高集積化に適した送信出力制
御回路を提供することにある。
容易に形成することができ高集積化に適した送信出力制
御回路を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による送信出力制
御回路は、減衰制御信号に従って減衰量を変化させるこ
とができる可変減衰手段と、可変減衰手段を通して入力
した前記バースト送信波を増幅する増幅手段と、増幅手
段の出力から前記バースト送信波の出力レベルを検出す
る検出手段と、検出手段の検出レベルに基づいて第１減
衰制御信号を生成し可変減衰手段へ出力することにより
バースト送信波の出力レベルを予め定められた定常値に
制御する第１制御手段と、第２減衰制御信号を生成し可
変減衰手段へ出力することによりバースト送信波の出力
レベルを予め定められた設定値に設定する設定手段と、
第１減衰制御信号と第２減衰制御信号とに基づいて減衰
制御信号を生成し、バースト送信波の立ち上がり時点を
中心とした予め定められた期間で可変減衰手段の減衰量
が設定値から定常値まで上昇するように可変減衰手段を
制御する第２制御手段と、からなることを特徴とする。
御回路は、減衰制御信号に従って減衰量を変化させるこ
とができる可変減衰手段と、可変減衰手段を通して入力
した前記バースト送信波を増幅する増幅手段と、増幅手
段の出力から前記バースト送信波の出力レベルを検出す
る検出手段と、検出手段の検出レベルに基づいて第１減
衰制御信号を生成し可変減衰手段へ出力することにより
バースト送信波の出力レベルを予め定められた定常値に
制御する第１制御手段と、第２減衰制御信号を生成し可
変減衰手段へ出力することによりバースト送信波の出力
レベルを予め定められた設定値に設定する設定手段と、
第１減衰制御信号と第２減衰制御信号とに基づいて減衰
制御信号を生成し、バースト送信波の立ち上がり時点を
中心とした予め定められた期間で可変減衰手段の減衰量
が設定値から定常値まで上昇するように可変減衰手段を
制御する第２制御手段と、からなることを特徴とする。
【０００９】バースト送信波の立ち上がり時点を中心と
した予め定められた期間で可変減衰手段の減衰量が設定
値から定常値まで上昇するように可変減衰手段を制御す
ることで、バースト送信波の立ち上がりの出力レベル変
動及びオーバーシュートを抑制できる。更に、設定手段
によって設定値を調整することにより、バースト送信波
の立ち上がりの傾斜を容易に調整することができ、送信
出力レベルのふらつきやオーバーシュートを完全になく
すことが可能となる。
した予め定められた期間で可変減衰手段の減衰量が設定
値から定常値まで上昇するように可変減衰手段を制御す
ることで、バースト送信波の立ち上がりの出力レベル変
動及びオーバーシュートを抑制できる。更に、設定手段
によって設定値を調整することにより、バースト送信波
の立ち上がりの傾斜を容易に調整することができ、送信
出力レベルのふらつきやオーバーシュートを完全になく
すことが可能となる。
【００１０】また、増幅手段はバースト送信波を増幅す
るだけであるから単一のバイアス条件でよく、高集積化
が容易となる。
るだけであるから単一のバイアス条件でよく、高集積化
が容易となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明による送信出力制
御装置の一実施形態を示すブロック図である。ここで
は、本実施形態の送信出力制御装置がデジタル移動通信
システムにおける移動局に搭載されているものとする。
ＴＤＭＡ（時分割多重アクセス）制御により得られたＴ
ＤＭ信号は、デジタル変調及び周波数変換等によりバー
スト送信波に変換される。このバースト送信波は可変減
衰器１０１を通してＲＦアンプ１０２によって増幅さ
れ、カプラ１０３を通して出力される。可変減衰器１０
１には、減衰量を電圧で制御可能な電子アッテネータが
用いられる。ＲＦアンプ１０２から出力されたバースト
送信波はカプラ１０３によって分岐され、その分岐され
たバースト送信波は検波器１０４に入力する。検波器１
０４は分岐されたバースト送信波から直流電圧、即ちバ
ースト送信波の出力レベルを検出し、可変減衰器制御電
圧生成回路１０５へ出力する。可変減衰器制御電圧生成
回路１０５は、後述するように、可変減衰器１０１の減
衰量をバーストの立ち上がり及び立ち下がりでランプ制
御するとともに、バースト送信波の検出レベルを用いて
バースト送信波の有効領域での可変減衰器１０１の減衰
量を決定する。可変減衰器制御電圧生成回路１０５の動
作は制御回路１０６によって制御される。
御装置の一実施形態を示すブロック図である。ここで
は、本実施形態の送信出力制御装置がデジタル移動通信
システムにおける移動局に搭載されているものとする。
ＴＤＭＡ（時分割多重アクセス）制御により得られたＴ
ＤＭ信号は、デジタル変調及び周波数変換等によりバー
スト送信波に変換される。このバースト送信波は可変減
衰器１０１を通してＲＦアンプ１０２によって増幅さ
れ、カプラ１０３を通して出力される。可変減衰器１０
１には、減衰量を電圧で制御可能な電子アッテネータが
用いられる。ＲＦアンプ１０２から出力されたバースト
送信波はカプラ１０３によって分岐され、その分岐され
たバースト送信波は検波器１０４に入力する。検波器１
０４は分岐されたバースト送信波から直流電圧、即ちバ
ースト送信波の出力レベルを検出し、可変減衰器制御電
圧生成回路１０５へ出力する。可変減衰器制御電圧生成
回路１０５は、後述するように、可変減衰器１０１の減
衰量をバーストの立ち上がり及び立ち下がりでランプ制
御するとともに、バースト送信波の検出レベルを用いて
バースト送信波の有効領域での可変減衰器１０１の減衰
量を決定する。可変減衰器制御電圧生成回路１０５の動
作は制御回路１０６によって制御される。
【００１２】可変減衰器制御電圧生成回路１０５はオペ
アンプ２０１及び２０２、ホールドコンデンサ２０３、
及びバッファアンプ２０４から構成される。オペアンプ
２０１は検波器１０４の検出レベル信号を反転入力端子
に、制御電圧ＶＣ１を非反転入力端子にそれぞれ入力
し、それら入力電圧の差に応じた電圧をホールドコンデ
ンサ２０３及びバッファアンプ２０４へ出力する。ま
た、オペアンプ２０１は、制御バイアスＳ１がハイレベ
ルＶHであるときはイネーブル状態となって通常の増幅
動作を行い、バイアス電圧Ｓ１がローレベルＶLである
ときはディスエーブル状態となってオペアンプ２０１は
ＯＦＦ状態となる。オペアンプ２０２は制御電圧ＶＣ２
を非反転入力端子に、バッファアンプ２０４の出力であ
るアッテネータ制御電圧Ｓ３を反転入力端子にそれぞれ
入力し、制御電圧ＶＣ２に応じた電圧をホールドコンデ
ンサ２０３及びバッファアンプ２０４へ出力する。ま
た、オペアンプ２０２は、オペアンプ２０１と同様に、
制御バイアスＳ２がハイレベルＶHであるときはイネー
ブル状態となって通常の増幅動作を行い、バイアス電圧
Ｓ２がローレベルＶLであるときはディスエーブル状態
となってオペアンプ２０２はＯＦＦ状態となる。ホール
ドコンデンサ２０３はオペアンプ２０１及び２０２の出
力電圧に応じた電荷を蓄積し、ホールドコンデンサ２０
３の両端の電圧がバッファアンプ２０４を通してアッテ
ネータ制御電圧Ｓ３として可変減衰器１０１の制御端子
へ出力される。
アンプ２０１及び２０２、ホールドコンデンサ２０３、
及びバッファアンプ２０４から構成される。オペアンプ
２０１は検波器１０４の検出レベル信号を反転入力端子
に、制御電圧ＶＣ１を非反転入力端子にそれぞれ入力
し、それら入力電圧の差に応じた電圧をホールドコンデ
ンサ２０３及びバッファアンプ２０４へ出力する。ま
た、オペアンプ２０１は、制御バイアスＳ１がハイレベ
ルＶHであるときはイネーブル状態となって通常の増幅
動作を行い、バイアス電圧Ｓ１がローレベルＶLである
ときはディスエーブル状態となってオペアンプ２０１は
ＯＦＦ状態となる。オペアンプ２０２は制御電圧ＶＣ２
を非反転入力端子に、バッファアンプ２０４の出力であ
るアッテネータ制御電圧Ｓ３を反転入力端子にそれぞれ
入力し、制御電圧ＶＣ２に応じた電圧をホールドコンデ
ンサ２０３及びバッファアンプ２０４へ出力する。ま
た、オペアンプ２０２は、オペアンプ２０１と同様に、
制御バイアスＳ２がハイレベルＶHであるときはイネー
ブル状態となって通常の増幅動作を行い、バイアス電圧
Ｓ２がローレベルＶLであるときはディスエーブル状態
となってオペアンプ２０２はＯＦＦ状態となる。ホール
ドコンデンサ２０３はオペアンプ２０１及び２０２の出
力電圧に応じた電荷を蓄積し、ホールドコンデンサ２０
３の両端の電圧がバッファアンプ２０４を通してアッテ
ネータ制御電圧Ｓ３として可変減衰器１０１の制御端子
へ出力される。
【００１３】上述したように、オペアンプ２０１は検波
器１０４の検出レベル信号と制御電圧ＶＣ１とを入力
し、それらの電圧差に応じた電圧を出力する。従って、
オペアンプ２０１が制御バイアスＳ１によってイネーブ
ル状態にあるときには、カプラ１０３からオペアンプ２
０１を通って可変減衰器１０１までのループは自動レベ
ル制御（ＡＬＣ）回路として動作する。
器１０４の検出レベル信号と制御電圧ＶＣ１とを入力
し、それらの電圧差に応じた電圧を出力する。従って、
オペアンプ２０１が制御バイアスＳ１によってイネーブ
ル状態にあるときには、カプラ１０３からオペアンプ２
０１を通って可変減衰器１０１までのループは自動レベ
ル制御（ＡＬＣ）回路として動作する。
【００１４】制御回路１０６は、ランプ生成器３０１、
バイアス電圧生成回路３０２、及びバイアス切替スイッ
チ３０３から構成される。ランプ生成器３０１はローパ
スフィルタで形成され、タイミング信号ＳＴ２の立ち上
がり及び立ち下がりで所定の時定数に応じたランプ特性
を発生させる。バイアス電圧生成回路３０２は、ハイレ
ベル電圧ＶHをランプ電圧ＶRの波形に変形し、逆相のバ
イアス電圧ＶB1及びＶB2を生成する。バイアス切替スイ
ッチ３０３はタイミング信号ＳＴ１に従って、逆相のバ
イアス電圧ＶB1及びＶB2又はローレベル電圧ＶLのいず
れかを選択し、それぞれオペアンプ２０１及び２０２の
制御バイアスＳ１及びＳ２として出力される。ここで
は、タイミング信号ＳＴ１がハイレベルの時、バイアス
切替スイッチ３０３は逆相のバイアス電圧ＶB1及びＶB2
を選択し、ローレベルの時はローレベル電圧ＶLを選択
するものとする。
バイアス電圧生成回路３０２、及びバイアス切替スイッ
チ３０３から構成される。ランプ生成器３０１はローパ
スフィルタで形成され、タイミング信号ＳＴ２の立ち上
がり及び立ち下がりで所定の時定数に応じたランプ特性
を発生させる。バイアス電圧生成回路３０２は、ハイレ
ベル電圧ＶHをランプ電圧ＶRの波形に変形し、逆相のバ
イアス電圧ＶB1及びＶB2を生成する。バイアス切替スイ
ッチ３０３はタイミング信号ＳＴ１に従って、逆相のバ
イアス電圧ＶB1及びＶB2又はローレベル電圧ＶLのいず
れかを選択し、それぞれオペアンプ２０１及び２０２の
制御バイアスＳ１及びＳ２として出力される。ここで
は、タイミング信号ＳＴ１がハイレベルの時、バイアス
切替スイッチ３０３は逆相のバイアス電圧ＶB1及びＶB2
を選択し、ローレベルの時はローレベル電圧ＶLを選択
するものとする。
【００１５】オペアンプ２０１及び２０２は、それらの
制御バイアスＳ１及びＳ２がそれぞれ逆相のバイアス電
圧ＶB1及びＶB2である場合には、一方のオペアンプが通
常動作状態にあるときは他方のオペアンプがＯＦＦ状態
になる。従って、逆相のバイアス電圧ＶB1及びＶB2が変
化する過渡期間では、一方のオペアンプが通常動作状態
からＯＦＦ状態へ移行すると共に、他方のオペアンプは
ＯＦＦ状態から通常動作状態へ移行する。また、バイア
ス切替スイッチ３０３によって制御バイアスＳ１及びＳ
２がいずれもローレベル電圧ＶLである時は、いずれの
オペアンプもＯＦＦ状態となる。
制御バイアスＳ１及びＳ２がそれぞれ逆相のバイアス電
圧ＶB1及びＶB2である場合には、一方のオペアンプが通
常動作状態にあるときは他方のオペアンプがＯＦＦ状態
になる。従って、逆相のバイアス電圧ＶB1及びＶB2が変
化する過渡期間では、一方のオペアンプが通常動作状態
からＯＦＦ状態へ移行すると共に、他方のオペアンプは
ＯＦＦ状態から通常動作状態へ移行する。また、バイア
ス切替スイッチ３０３によって制御バイアスＳ１及びＳ
２がいずれもローレベル電圧ＶLである時は、いずれの
オペアンプもＯＦＦ状態となる。
【００１６】なお、タイミング信号ＳＴ１及びＳＴ２
は、図示されていない通信制御部から供給される制御信
号である。次に説明するように、タイミング信号ＳＴ１
はバースト送信波の定常状態期間ではローレベルとな
り、それ以外ではハイレベルである。また、タイミング
信号ＳＴ２は、バースト送信波のタイミングより所定時
間だけ早く立ち上がり、そして立ち下がる。
は、図示されていない通信制御部から供給される制御信
号である。次に説明するように、タイミング信号ＳＴ１
はバースト送信波の定常状態期間ではローレベルとな
り、それ以外ではハイレベルである。また、タイミング
信号ＳＴ２は、バースト送信波のタイミングより所定時
間だけ早く立ち上がり、そして立ち下がる。
【００１７】図２は、図１に示す送信出力制御回路の動
作を説明するための信号波形図である。タイミング信号
ＳＴ１がハイレベルの状態で、通信制御部がバースト信
号を時点Ｔ１で送信しようとする場合には、そのバース
ト送信に先立つ時点Ｔ０においてタイミング信号ＳＴ２
を立ち上げ、制御回路１０６のランプ生成器３０１へ出
力する。ランプ生成器３０１は、タイミング信号ＳＴ２
に基づいて、立ち上がり及び立ち下がりにランプ特性を
有するランプ電圧ＶRを生成し、バイアス電圧生成回路
３０２へ出力する。
作を説明するための信号波形図である。タイミング信号
ＳＴ１がハイレベルの状態で、通信制御部がバースト信
号を時点Ｔ１で送信しようとする場合には、そのバース
ト送信に先立つ時点Ｔ０においてタイミング信号ＳＴ２
を立ち上げ、制御回路１０６のランプ生成器３０１へ出
力する。ランプ生成器３０１は、タイミング信号ＳＴ２
に基づいて、立ち上がり及び立ち下がりにランプ特性を
有するランプ電圧ＶRを生成し、バイアス電圧生成回路
３０２へ出力する。
【００１８】バイアス電圧生成回路３０２はランプ電圧
ＶRと同一波形及び同一タイミングであって逆相関係に
ある２つのバイアス電圧ＶB1及びＶB2を生成する。バイ
アス電圧ＶB2は、時点Ｔ０まではハイレベル、時点Ｔ０
からＴ２までの立ち上がり過渡期間ではハイレベルから
ローレベルへ徐々に下降し、時点Ｔ２〜Ｔ４までの定常
状態期間ではローレベルを維持し、時点Ｔ５からＴ７ま
での立ち下がり過渡期間ではローレベルからハイレベル
へ徐々に上昇する。バイアス電圧ＶB1はバイアス電圧Ｖ
B2と相補的な逆相波形となる。
ＶRと同一波形及び同一タイミングであって逆相関係に
ある２つのバイアス電圧ＶB1及びＶB2を生成する。バイ
アス電圧ＶB2は、時点Ｔ０まではハイレベル、時点Ｔ０
からＴ２までの立ち上がり過渡期間ではハイレベルから
ローレベルへ徐々に下降し、時点Ｔ２〜Ｔ４までの定常
状態期間ではローレベルを維持し、時点Ｔ５からＴ７ま
での立ち下がり過渡期間ではローレベルからハイレベル
へ徐々に上昇する。バイアス電圧ＶB1はバイアス電圧Ｖ
B2と相補的な逆相波形となる。
【００１９】タイミング信号ＳＴ１はハイレベルである
から、バイアス切替スイッチ３０３はバイアス電圧ＶB1
及びＶB2を制御バイアスＳ１及びＳ２としてオペアンプ
２０１及び２０２へそれぞれ出力する。従って、時点Ｔ
０までは、オペアンプ２０２が通常動作状態にあり、オ
ペアンプ２０１はＯＦＦ状態となっている。この状態で
は、制御電圧ＶＣ２がホールドコンデンサ２０３に蓄積
され、バッファアンプ２０４を通してアッテネータ制御
電圧Ｓ３として可変減衰器１０１の制御端子へ出力され
る。即ち、可変減衰器１０１は制御電圧ＶＣ２に対応し
た減衰量が設定されている。
から、バイアス切替スイッチ３０３はバイアス電圧ＶB1
及びＶB2を制御バイアスＳ１及びＳ２としてオペアンプ
２０１及び２０２へそれぞれ出力する。従って、時点Ｔ
０までは、オペアンプ２０２が通常動作状態にあり、オ
ペアンプ２０１はＯＦＦ状態となっている。この状態で
は、制御電圧ＶＣ２がホールドコンデンサ２０３に蓄積
され、バッファアンプ２０４を通してアッテネータ制御
電圧Ｓ３として可変減衰器１０１の制御端子へ出力され
る。即ち、可変減衰器１０１は制御電圧ＶＣ２に対応し
た減衰量が設定されている。
【００２０】時点Ｔ０からＴ２までの立ち上がり過渡期
間では、制御バイアスＳ１が徐々に上昇し、制御バイア
スＳ２が徐々に下降する。従って、オペアンプ２０１は
ＯＦＦ状態から徐々に通常動作状態へ移行し、逆にオペ
アンプ２０２は通常動作状態からＯＦＦ状態へ徐々に移
行する。オペアンプ２０１は制御電圧ＶＣ１と検波器１
０４の検出レベル信号とを入力して自動レベル制御（Ａ
ＬＣ）を行うから、ホールドコンデンサ２０３に蓄積さ
れる電圧は立ち上がり過渡期間において制御電圧ＶＣ２
から徐々に上昇し、それに伴って可変減衰器１０１の減
衰量も徐々に増大する。このような過渡期間の時点Ｔ１
において、バースト送信波が立ち上がるが、可変減衰器
１０１の減衰量は制御電圧Ｓ３に従って上昇しているか
ら、バースト送信波出力はランプ状に立ち上がる。そし
て、時点Ｔ２からＴ３の期間では、オペアンプ２０２は
完全にＯＦＦ状態となり、オペアンプ２０１によってＡ
ＬＣ動作が行われ、アッテネータ制御電圧Ｓ３は定常値
に到達する。
間では、制御バイアスＳ１が徐々に上昇し、制御バイア
スＳ２が徐々に下降する。従って、オペアンプ２０１は
ＯＦＦ状態から徐々に通常動作状態へ移行し、逆にオペ
アンプ２０２は通常動作状態からＯＦＦ状態へ徐々に移
行する。オペアンプ２０１は制御電圧ＶＣ１と検波器１
０４の検出レベル信号とを入力して自動レベル制御（Ａ
ＬＣ）を行うから、ホールドコンデンサ２０３に蓄積さ
れる電圧は立ち上がり過渡期間において制御電圧ＶＣ２
から徐々に上昇し、それに伴って可変減衰器１０１の減
衰量も徐々に増大する。このような過渡期間の時点Ｔ１
において、バースト送信波が立ち上がるが、可変減衰器
１０１の減衰量は制御電圧Ｓ３に従って上昇しているか
ら、バースト送信波出力はランプ状に立ち上がる。そし
て、時点Ｔ２からＴ３の期間では、オペアンプ２０２は
完全にＯＦＦ状態となり、オペアンプ２０１によってＡ
ＬＣ動作が行われ、アッテネータ制御電圧Ｓ３は定常値
に到達する。
【００２１】時点Ｔ３においてタイミング信号ＳＴ１が
立ち下がると、オペアンプ２０１及び２０２は共にＯＦ
Ｆ状態となり、このときのアッテネータ制御電圧Ｓ３は
時点Ｔ５までホールドコンデンサ２０３に保持される。
時点Ｔ５からＴ７までの立ち下がり過渡期間では、立ち
上がり過渡期間の逆の動作が行われ、アッテネータ制御
電圧Ｓ３はホールドコンデンサ２０３に蓄積された定常
電圧からオペアンプ２０２によって設定される制御電圧
ＶＣ２へと低下する。
立ち下がると、オペアンプ２０１及び２０２は共にＯＦ
Ｆ状態となり、このときのアッテネータ制御電圧Ｓ３は
時点Ｔ５までホールドコンデンサ２０３に保持される。
時点Ｔ５からＴ７までの立ち下がり過渡期間では、立ち
上がり過渡期間の逆の動作が行われ、アッテネータ制御
電圧Ｓ３はホールドコンデンサ２０３に蓄積された定常
電圧からオペアンプ２０２によって設定される制御電圧
ＶＣ２へと低下する。
【００２２】なお、本実施形態は、オペアンプ２０１及
び２０２として電流出力のトランスコンダクタンスアン
プを使用してもよい。
び２０２として電流出力のトランスコンダクタンスアン
プを使用してもよい。
【００２３】以上説明した送信出力制御回路によれば、
制御電圧ＶＣ１を固定し、制御電圧ＶＣ２を変化させる
ことでバースト送信波出力の立ち上がり及び立ち下がり
の傾きを調整することができる。これにより制御電圧Ｖ
Ｃ２を調整するだけで、バースト送信波の立ち上がり時
の出力レベルの変動やオーバーシュートを抑えることが
できる。ＴＤＭＡで使用されるＭ１６ＱＡＭ変調された
狭帯域バースト搬送波の送信時でも、出力レベルの変動
やオーバーシュートを抑止できるために、狭帯域バース
ト搬送波の出力スペクトラムの拡がりを抑制することが
できる。
制御電圧ＶＣ１を固定し、制御電圧ＶＣ２を変化させる
ことでバースト送信波出力の立ち上がり及び立ち下がり
の傾きを調整することができる。これにより制御電圧Ｖ
Ｃ２を調整するだけで、バースト送信波の立ち上がり時
の出力レベルの変動やオーバーシュートを抑えることが
できる。ＴＤＭＡで使用されるＭ１６ＱＡＭ変調された
狭帯域バースト搬送波の送信時でも、出力レベルの変動
やオーバーシュートを抑止できるために、狭帯域バース
ト搬送波の出力スペクトラムの拡がりを抑制することが
できる。
【００２４】更に、送信出力レベルの制御を可変減衰器
１０１によって行うために、ＲＦアンプ１０２のバイア
スは単一条件で動作するように構成でき、安定性の広い
バイアス条件が要求されないから設計が比較的容易とな
る。
１０１によって行うために、ＲＦアンプ１０２のバイア
スは単一条件で動作するように構成でき、安定性の広い
バイアス条件が要求されないから設計が比較的容易とな
る。
【図１】本発明による送信出力制御装置の一実施形態を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図２】本実施形態の動作を説明するための信号波形図
である。
である。
１０１ 可変減衰器 １０２ ＲＦアンプ １０３ カプラ １０４ 出力レベル検出器 １０５ 可変減衰器制御電圧生成回路 １０６ 制御回路 ２０１ オペアンプ ２０２ オペアンプ ２０３ ホールド用コンデンサ ２０４ バッファアンプ ３０１ ランプ発生器 ３０２ バイアス電圧生成回路 ３０３ バイアス切替スイッチ
Claims (8)
- 【請求項１】 バースト送信波の出力レベルを制御する
回路において、 減衰制御信号に従って減衰量を変化させることができる
可変減衰手段と、 前記可変減衰手段を通して入力した前記バースト送信波
を増幅する増幅手段と、 前記増幅手段の出力から前記バースト送信波の出力レベ
ルを検出する検出手段と、 前記検出手段の検出レベルに基づいて第１減衰制御信号
を生成し前記可変減衰手段へ出力することにより前記バ
ースト送信波の出力レベルを予め定められた定常値に制
御する第１制御手段と、 第２減衰制御信号を生成し前記可変減衰手段へ出力する
ことにより前記バースト送信波の出力レベルを予め定め
られた設定値に設定する設定手段と、 前記第１減衰制御信号と前記第２減衰制御信号とに基づ
いて前記減衰制御信号を生成し、前記バースト送信波の
立ち上がり時点を中心とした予め定められた期間で前記
可変減衰手段の減衰量が前記設定値から前記定常値まで
上昇するように前記可変減衰手段を制御する第２制御手
段と、 からなることを特徴とする送信出力制御回路。 - 【請求項２】 前記第２制御手段は、 前記第１制御手段を動作可能状態と動作禁止状態との間
で切り替える第１駆動手段と、 前記設定手段を前記第１制御手段とは逆相となるように
動作可能状態と動作禁止状態との間で切り替える第２駆
動手段と、 前記第１減衰制御信号と前記第２減衰制御信号とを合成
する合成手段と、 からなることを特徴とする請求項１記載の送信出力制御
回路。 - 【請求項３】 前記第１制御手段は前記定常値に対応す
る電圧と前記検出レベルとの差を出力する第１演算増幅
器からなり、 前記設定手段は前記設定値に対応する電圧に前記第２減
衰制御信号を設定する第２演算増幅器からなる、 ことを特徴とする請求項１記載の送信出力制御回路。 - 【請求項４】 前記第１制御手段は前記定常値に対応す
る電圧と前記検出レベルとの差を出力する第１演算増幅
器からなり、 前記設定手段は前記設定値に対応する電圧に前記第２減
衰制御信号を設定する第２演算増幅器からなる、 ことを特徴とする請求項２記載の送信出力制御回路。 - 【請求項５】 前記第１駆動手段は前記第１演算増幅器
へ供給するバイアス電圧を前記予め定められた期間にわ
たって徐々に変化させ、前記第２駆動手段は前記第２演
算増幅器へ供給するバイアス電圧を前記予め定められた
期間にわたって前記第１駆動手段とは逆相となるように
徐々に変化させる、ことを特徴とする請求項４記載の送
信出力制御回路。 - 【請求項６】 前記合成手段はコンデンサであることを
特徴とする請求項２記載の送信出力制御回路。 - 【請求項７】 バースト送信波の出力レベルを制御する
回路において、 減衰制御信号に従って減衰量を変化させることができる
可変減衰器と、 前記可変減衰器を通して入力した前記バースト送信波を
増幅する無線周波数増幅器と、 前記無線周波数増幅器の出力から前記バースト送信波の
出力レベルを検出する検出器と、 前記検出器の検出レベルと予め定められた電圧との差に
対応した第１減衰制御信号を生成し前記可変減衰器へ出
力することにより前記バースト送信波の出力レベルを予
め定められた定常値に制御する自動レベル制御ループ
と、 第２減衰制御信号を生成し前記可変減衰器へ出力するこ
とにより前記バースト送信波の出力レベルを予め定めら
れた設定値に設定する設定回路と、 前記第１減衰制御信号と前記第２減衰制御信号とを合成
して保持し、前記減衰制御信号として前記可変減衰器へ
出力するためのホールドコンデンサと、 前記バースト送信波の立ち上がり時点に先立つ第１時点
までは前記自動レベル制御ループを動作停止状態及び前
記設定回路を動作可能状態とし、前記第１時点から前記
バースト送信波の立ち上がり時点に遅れる第２時点まで
は前記自動レベル制御ループを動作停止状態から動作可
能状態へ且つ前記設定回路を動作可能状態から動作停止
状態へ徐々に移行させ、前記第２時点から予め定められ
た時点まで前記自動レベル制御ループのみを動作させる
制御回路と、 からなることを特徴とする送信出力制御回路。 - 【請求項８】 前記制御回路は、前記自動レベル制御ル
ープを動作させる第１バイアス電圧を前記第１時点から
第２時点までの期間にわたって徐々に変化させ、且つ前
記設定回路へ供給する第２バイアス電圧を前記第１時点
から第２時点までの期間にわたって前記第１バイアス電
圧とは逆相となるように徐々に変化させる、ことを特徴
とする請求項７記載の送信出力制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18833596A JPH1023089A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 送信出力制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18833596A JPH1023089A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 送信出力制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1023089A true JPH1023089A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=16221821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18833596A Pending JPH1023089A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 送信出力制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1023089A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999063674A1 (fr) * | 1998-06-03 | 1999-12-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Emetteur radio et procede de communication radio |
| US6580901B1 (en) | 1998-12-18 | 2003-06-17 | Nec Corporation | Burst-type transmission output power control apparatus capable of reducing phase errors |
| US6996382B2 (en) | 2001-12-13 | 2006-02-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Transmission output power control device for use in a burst transmitter and control method |
| US7664473B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-02-16 | Fujitsu Limited | Amplifier control device |
-
1996
- 1996-06-28 JP JP18833596A patent/JPH1023089A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999063674A1 (fr) * | 1998-06-03 | 1999-12-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Emetteur radio et procede de communication radio |
| US6580901B1 (en) | 1998-12-18 | 2003-06-17 | Nec Corporation | Burst-type transmission output power control apparatus capable of reducing phase errors |
| US6996382B2 (en) | 2001-12-13 | 2006-02-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Transmission output power control device for use in a burst transmitter and control method |
| US7664473B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-02-16 | Fujitsu Limited | Amplifier control device |
| US7983636B2 (en) | 2006-06-28 | 2011-07-19 | Fujitsu Limited | Amplifier control device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990831 |