JPH10227952A - 光半導体素子モジュールの実装構造 - Google Patents

光半導体素子モジュールの実装構造

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JPH10227952A
JPH10227952A JP9033860A JP3386097A JPH10227952A JP H10227952 A JPH10227952 A JP H10227952A JP 9033860 A JP9033860 A JP 9033860A JP 3386097 A JP3386097 A JP 3386097A JP H10227952 A JPH10227952 A JP H10227952A
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JP
Japan
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shaped bent
bent portion
semiconductor element
optical semiconductor
lead frame
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP9033860A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Matsukura
壽夫 松倉
Yasuhiko Kudo
保彦 工藤
Hajime Hotta
一 堀田
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 リードフレームの曲げ構造を採用することに
より、安定した組立ができ、工程が単純で、かつ工数削
減を図ることができる光半導体素子モジュールの実装構
造を提供する。 【解決手段】 上方に開口21A−1を有する第1のコ
字型曲げ部分21Aと、この第1のコ字型曲げ部分21
Aに連設されるとともに、上方に開口21B−1を有
し、前記第1のコ字型曲げ部分21Aの幅より幅の広い
第2のコ字型曲げ部分21Bを有するリードフレーム2
1と、前記第2のコ字型曲げ部分21Bに配置される光
半導体素子11を搭載するSi基板12と、前記第1の
コ字型曲げ部分21Aに装荷されるフェルール14とを
備え、前記リードフレーム21をベースにして、前記S
i基板12と前記フェルール14の高精度な位置出し、
保持を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光データ伝送装置
に使用される、電気信号/光信号変換機能を持つ光送信
機と、光信号/電気信号変換機能をもつ光受信機を、別
々または一体化した光送受信モジュールにおける実装構
造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、文献名:SC−1−12“表面実装型光モジュ
ールの開発”1995年 電子情報通信学会エレクトロ
ニクスソサイエティ大会に開示されるものがあった。図
4は従来の光半導体素子モジュール実装全体図、図5は
その光半導体素子モジュール実装断面図である。
【0003】これらの図において、1は光半導体素子、
2はシリコン基板(以下、Si基板という)、3はリー
ド付きパッケージ、3aはリード、4はフェルール、4
aはファイバ、5はファイバ押さえ、6は蓋、7はフェ
ルール押さえである。次に、この光半導体素子モジュー
ルの概略組立方法について説明する。まず、光半導体素
子1をSi基板2に搭載したものを、リード付きパッケ
ージ3に位置決め・装荷・固定する。次に、ワイヤボン
ディング等でリード3aと光半導体素子1との内部配線
接続を行う。
【0004】次に、ファイバ4aの付いたフェルール4
を、Si基板2上のV溝ガイド部分に搭載・位置決めす
る。しかる後、ファイバ押さえ5で、このファイバ4a
を押さえ固定接合する。また、フェルール4をフェルー
ル押さえ7で、押さえ固定する。最後に、蓋6を被せて
接合固定する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の光半導体素子モジュールの構成では、次のよう
な問題点があった。 (1)部品点数が多く、工程が複雑になり、その製作に
多くの工数・コストが必要であった。
【0006】(2)接合個所が多く、正確な位置決めが
難しい。 本発明は、上記問題点を除去し、リードフレームの曲げ
構造を採用することにより、安定した組立ができ、工程
が単純で、かつ工数削減を図ることができる光半導体素
子モジュールの実装構造を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔1〕光半導体素子モジュールの実装構造において、上
方に開口を有する第1のコの字型曲げ部分と、この第1
のコの字型曲げ部分に連設されるとともに、上方に開口
を有し、前記第1のコの字型曲げ部分の幅より幅の広い
第2のコの字型曲げ部分を有するリードフレームと、前
記第2のコの字型曲げ部分に配置される光半導体素子を
搭載するシリコン基板と、前記第1のコの字型曲げ部分
に装荷されるフェルールとを備え、前記リードフレーム
をベースにして、前記シリコン基板と前記フェルールの
高精度な位置出し、保持を行うようにしたものである。
【0008】〔2〕光半導体素子モジュールの実装構造
において、上方に開口を有する第1のコの字型曲げ部分
と、この第1のコの字型曲げ部分に連設されるととも
に、上方に開口を有し、前記第1のコの字型曲げ部分の
底面より低い底面を有し、かつ前記第1のコの字型曲げ
部分の幅より幅の広い第2のコの字型曲げ部分を有する
リードフレームと、前記第2のコの字型曲げ部分に配置
される光半導体素子を搭載するシリコン基板と、前記第
1のコの字型曲げ部分に装荷されるフェルールとを備
え、前記リードフレームをベースにして前記シリコン基
板と前記フェルールの高精度な位置出し、保持を行うよ
うにしたものである。
【0009】〔3〕光半導体素子モジュールの実装構造
において、上方に開口を有する第1のコの字型曲げ部分
と、この第1のコの字型曲げ部分に連設されるととも
に、上方に開口を有し、前記第1のコの字型曲げ部分の
底面と同一平面上に底面を有し、前記第1のコの字型曲
げ部分の幅より幅の広い第2のコの字型曲げ部分を有す
るリードフレームと、前記第2のコの字型曲げ部分に配
置される光半導体素子を搭載するセラミックヘッダと、
前記第1のコの字型曲げ部分に装荷されるフェルールと
を備え、前記リードフレームをベースにして前記セラミ
ックヘッダと前記フェルールの高精度な位置出し、保持
を行うようにしたものである。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明の
第1実施例を示す光半導体素子モジュール実装全体図、
図2はその光半導体素子モジュール実装断面図、図3は
その光半導体素子モジュール実装上面図である。
【0011】これらの図において、11は光半導体素
子、12はSi基板、14はフェルール、14aはファ
イバ、15はファイバ押さえ、20はモールドパッケー
ジ、21はリードフレーム、21aはリードを示す。こ
こで、リードフレーム21はコの字型に2個所曲げが施
されている。すなわち、リードフレーム21は、上方に
開口21A−1を有する第1のコの字型曲げ部分21A
と、この第1のコの字型曲げ部分21Aに連設されると
ともに、上方に開口21B−1を有し、前記第1のコの
字型曲げ部分21Aの幅より幅の広い第2のコの字型曲
げ部分21Bを有する。
【0012】この実施例では、第2のコの字型曲げ部分
21Bの底面21B−2は、第1のコの字型曲げ部分2
1Aの底面21A−2より低くなっている。そして、第
2のコの字型曲げ部分21Bに、光半導体素子11を搭
載するSi基板12を配置する。一方、前記第1のコの
字型曲げ部分21Aにはフェルール14を装荷する。
【0013】このように、リードフレーム21をベース
にして、前記Si基板12と前記フェルール14の高精
度な位置出し、保持を行うようにしたものである。ここ
で、リードフレーム21の材質は42アロイ製である。
更に、個々のコの字型曲げ部分21Aと21Bの中心
は、10μmの高精度に加工されている。第2のコの字
型曲げ部分には、Si基板12がきつくなく、ゆるみな
い状態で保持されている。第1のコの字型曲げ部分に
は、フェルール14が同様に、きつくなく、ゆるみない
状態で保持されている。
【0014】このリードフレーム21をベースにして、
Si基板12とフェルール14の位置出し、保持を可能
とし、組立の簡易化を実現している。次に、この実施例
の光半導体素子モジュールの製造方法について説明す
る。光半導体素子11を搭載したSi基板12を、リー
ドフレーム21の第2のコの字型曲げ部分21Bに位置
決め、保持する。
【0015】次に、ファイバ14aの付いたフェルール
14を、第1のコの字型曲げ部分21Aに位置決め、保
持する。Si基板12に設けられた溝にファイバ14a
を精度良く位置決めし、ファイバ押さえ15により固定
・接合する。この状態でワイヤボンディングにより、リ
ード21aと光半導体素子11とを内部配線接続する。
【0016】最後に、この組立品をエポキシ系樹脂にて
モールドパッケージ20にする。前述したように、フェ
ルール14はコの字型曲げ部分に位置決め、保持されて
いるため、モールドパッケージ20する際、他のジグな
ど用いずに加工することができる。このように、第1実
施例によれば、光半導体素子モジュールの大変簡易的な
組立が可能となった。
【0017】次に、本発明の第2実施例について説明す
る。図6は本発明の第2実施例を示す光半導体素子モジ
ュール実装全体図、図7はその光半導体素子モジュール
実装断面図、図8はその光半導体素子モジュール実装上
面図である。これらの図において、31は光半導体素
子、34はフェルール、34aはファイバ、38はセラ
ミックヘッダ、40はモールドパッケージ、41はリー
ドフレーム、41aはリードを示す。
【0018】この実施例では、リードフレーム41は、
上方に開口41A−1を有する第1のコの字型曲げ部分
41Aと、この第1のコの字型曲げ部分41Aに連設さ
れるとともに、上方に開口41B−1を有し、前記第1
のコの字型曲げ部分41Aの底面41A−2と同一平面
上に底面41B−2を有し、前記第1のコの字型曲げ部
分41Aの幅より幅の広い第2のコの字型曲げ部分41
Bを有する。
【0019】そして、前記第2のコの字型曲げ部分41
Bに光半導体素子31を搭載するセラミックヘッダ38
を配置する。一方、前記第1のコの字型曲げ部分41A
にフェルール34を装荷する。このように、リードフレ
ーム41をベースにしたので、セラミックヘッダ38と
フェルール34の高精度な位置出し、保持を行うことが
できる。
【0020】この実施例では、リードフレーム41の同
一面上に、フェルール34とセラミックヘッダ38が載
置され、高さ方向(光軸に対し垂直方向)を求め易くし
ている。また、セラミックヘッダ38の水平方向の位置
決めは、図8に示すように、リード41aの切断面にて
行っている。
【0021】光半導体素子31はセラミックヘッダ38
に搭載され、ファイバ34aはセラミックヘッダ38に
開けられた高精度な穴径により、精密に位置決めされて
いる。第2実施例においても、第1実施例と同様に、リ
ードフレームの形状に関わりなく、X、Y、Z軸方向に
対して、高精度に、しかも、安定した容易な組立が可能
である。
【0022】これらの実施例において、リードフレーム
にコの字型曲げ部分を用いたが、切り起こし、ダボ等で
も良く、この方法が本発明の請求範囲を限定するもので
はない。なお、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であ
り、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【0023】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 (A)リードフレームの曲げ構造を採用することによ
り、安定した組立ができ、工程が単純になり、その製作
に多くの工数削減を図ることができる。
【0024】(B)リードフレームの曲げ構造を採用す
ることにより、部品点数を削減することができる。 (C)接合個所を削減でき、高精度な高信頼性のモジュ
ールを創出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示す光半導体素子モジュ
ール実装全体図である。
【図2】本発明の第1実施例を示す光半導体素子モジュ
ール実装断面図である。
【図3】本発明の第1実施例を示す光半導体素子モジュ
ール実装上面図である。
【図4】従来の光半導体素子モジュール実装全体図であ
る。
【図5】従来の光半導体素子モジュール実装断面図であ
る。
【図6】本発明の第2実施例を示す光半導体素子モジュ
ール実装全体図である。
【図7】本発明の第2実施例を示す光半導体素子モジュ
ール実装断面図である。
【図8】本発明の第2実施例を示す光半導体素子モジュ
ール実装上面図である。
【符号の説明】
11,31 光半導体素子 12 Si基板 14,34 フェルール 14a,34a ファイバ 15 ファイバ押さえ 20,40 モールドパッケージ 21,41 リードフレーム 21a,41a リード 21A,41A 第1のコの字型曲げ部分 21A−1,21B−1,41A−1,41B−1
開口 21A−2,21B−2,41A−2,41B−2
底面 21B,41B 第2のコの字型曲げ部分 38 セラミックヘッダ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光半導体素子モジュールの実装構造にお
    いて、(a)上方に開口を有する第1のコの字型曲げ部
    分と該第1のコの字型曲げ部分に連設されるとともに、
    上方に開口を有し、前記第1のコの字型曲げ部分の幅よ
    り幅の広い第2のコの字型曲げ部分を有するリードフレ
    ームと、(b)前記第2のコの字型曲げ部分に配置され
    る光半導体素子を搭載するシリコン基板と、(c)前記
    第1のコの字型曲げ部分に装荷されるフェルールとを備
    え、(d)前記リードフレームをベースにして前記シリ
    コン基板と前記フェルールの高精度な位置出し、保持を
    行うことを特徴とする光半導体素子モジュールの実装構
    造。
  2. 【請求項2】 光半導体素子モジュールの実装構造にお
    いて、(a)上方に開口を有する第1のコの字型曲げ部
    分と該第1のコの字型曲げ部分に連設されるとともに、
    上方に開口を有し、前記第1のコの字型曲げ部分の底面
    より低い底面を有し、かつ前記第1のコの字型曲げ部分
    の幅より幅の広い第2のコの字型曲げ部分を有するリー
    ドフレームと、(b)前記第2のコの字型曲げ部分に配
    置される光半導体素子を搭載するシリコン基板と、
    (c)前記第1のコの字型曲げ部分に装荷されるフェル
    ールとを備え、(d)前記リードフレームをベースにし
    て前記シリコン基板と前記フェルールの高精度な位置出
    し、保持を行うことを特徴とする光半導体素子モジュー
    ルの実装構造。
  3. 【請求項3】 光半導体素子モジュールの実装構造にお
    いて、(a)上方に開口を有する第1のコの字型曲げ部
    分と該第1のコの字型曲げ部分に連設されるとともに、
    上方に開口を有し、前記第1のコの字型曲げ部分の底面
    と同一平面上に底面を有し、前記第1のコの字型曲げ部
    分の幅より幅の広い第2のコの字型曲げ部分を有するリ
    ードフレームと、(b)前記第2のコの字型曲げ部分に
    配置される光半導体素子を搭載するセラミックヘッダ
    と、(c)前記第1のコの字型曲げ部分に装荷されるフ
    ェルールとを備え、(d)前記リードフレームをベース
    にして前記セラミックヘッダと前記フェルールの高精度
    な位置出し、保持を行うことを特徴とする光半導体素子
    モジュールの実装構造。
JP9033860A 1997-02-18 1997-02-18 光半導体素子モジュールの実装構造 Withdrawn JPH10227952A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001023932A1 (fr) * 1999-09-28 2001-04-05 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Dispositif de communication optique
US6451622B1 (en) 1999-10-06 2002-09-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Optical device

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WO2001023932A1 (fr) * 1999-09-28 2001-04-05 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Dispositif de communication optique
JP2001100062A (ja) * 1999-09-28 2001-04-13 Sumitomo Electric Ind Ltd 光通信装置
US6513993B1 (en) 1999-09-28 2003-02-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical communications device
US6451622B1 (en) 1999-10-06 2002-09-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Optical device

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Effective date: 20040511