JPH10223840A - 薄膜高誘電体キャパシタ - Google Patents
薄膜高誘電体キャパシタInfo
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- JPH10223840A JPH10223840A JP9023472A JP2347297A JPH10223840A JP H10223840 A JPH10223840 A JP H10223840A JP 9023472 A JP9023472 A JP 9023472A JP 2347297 A JP2347297 A JP 2347297A JP H10223840 A JPH10223840 A JP H10223840A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高誘電体薄膜を用いた薄膜キャパシタにおいて
リーク電流、特に逆方向のリーク電流を低減する。 【解決手段】第一のＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3(０.６＜ｘ＜
０.７）高誘電体膜と下部電極の間に中間層として、第
一の高誘電体膜と組成の異なるＢaxＳr1-xＴiＯ3膜（ｘ
は０以上０.３以下、ｘ＝０の場合はＳｒＴｉＯ3）を設
け、この中間層の膜厚を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下と
する。
リーク電流、特に逆方向のリーク電流を低減する。 【解決手段】第一のＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3(０.６＜ｘ＜
０.７）高誘電体膜と下部電極の間に中間層として、第
一の高誘電体膜と組成の異なるＢaxＳr1-xＴiＯ3膜（ｘ
は０以上０.３以下、ｘ＝０の場合はＳｒＴｉＯ3）を設
け、この中間層の膜厚を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＢａＴｉＯ3とＳｒ
ＴｉＯ3の混晶系薄膜を用いた薄膜高誘電体キャパシタ
に関する。
ＴｉＯ3の混晶系薄膜を用いた薄膜高誘電体キャパシタ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＢａＳｒＴｉＯ3 高誘電体キャパ
シタは、図２のようには基板１２上に下部電極２２，Ｂ
ａxＳｒ1-xＴｉＯ3(０.６＜ｘ＜０.７）高誘電体膜４
２，上部電極５２を順に形成した構造（例えば特開平7
−297364 号）が一般的に知られている。また上記Ｂａx
Ｓｒ1-xＴｉＯ3(０.６＜ｘ＜０.７）高誘電体膜の作製
方法として高誘電体成分を含む溶液を回転塗布して（ゾ
ルゲル法），アニール処理して焼結させる方法が簡便な
方法として用いられている。
シタは、図２のようには基板１２上に下部電極２２，Ｂ
ａxＳｒ1-xＴｉＯ3(０.６＜ｘ＜０.７）高誘電体膜４
２，上部電極５２を順に形成した構造（例えば特開平7
−297364 号）が一般的に知られている。また上記Ｂａx
Ｓｒ1-xＴｉＯ3(０.６＜ｘ＜０.７）高誘電体膜の作製
方法として高誘電体成分を含む溶液を回転塗布して（ゾ
ルゲル法），アニール処理して焼結させる方法が簡便な
方法として用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図３に上述した従来の
構造のＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3(０.６＜ｘ＜０.７）高誘電
体を用いた高容量キャパシタにおいて下部電極をアース
側に接地し上部電極側に正負の電圧を印加した場合のグ
ラフを示す。上部電極に正の電圧（順方向）を印加した
場合に比べ、負の電圧（逆方向）を印加した場合はリー
ク電流（逆方向のリーク電流）が非常に大きくなってお
り、リーク電流の非対称性が発生している。このリーク
電流の非対称性において、例えば上部電極の材質，構造
を変えた場合、順方向のリーク電流特性は改善できた
が、逆方向のリーク電流特性は改善されなかった。従っ
て逆方向のリーク電流の増加は下部電極側に起因してい
ると考えられる。
構造のＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3(０.６＜ｘ＜０.７）高誘電
体を用いた高容量キャパシタにおいて下部電極をアース
側に接地し上部電極側に正負の電圧を印加した場合のグ
ラフを示す。上部電極に正の電圧（順方向）を印加した
場合に比べ、負の電圧（逆方向）を印加した場合はリー
ク電流（逆方向のリーク電流）が非常に大きくなってお
り、リーク電流の非対称性が発生している。このリーク
電流の非対称性において、例えば上部電極の材質，構造
を変えた場合、順方向のリーク電流特性は改善できた
が、逆方向のリーク電流特性は改善されなかった。従っ
て逆方向のリーク電流の増加は下部電極側に起因してい
ると考えられる。
【０００４】上述した従来の構造のＢａxＳｒ1-xＴｉＯ
3(０.６＜ｘ＜０.７）高誘電体膜を用いた高容量キャパ
シタでは、絶縁基板上に下部電極，ＢａxＳｒ1-xＴｉＯ
3 （０.６＜ｘ＜０.７）誘電体膜を順に構成した後に
６００℃以上で焼成し、その後、上部電極を形成するた
め、下部電極は酸化されにくいＰｔ電極やＡｕ電極が一
般的に用いられている。しかしこれらの下部電極のＰｔ
電極やＡｕ電極でもＯ2 雰囲気中で６００℃以上の高温
で熱処理されるため、ＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3（０.６＜ｘ
＜０.７）高誘電体膜の構成元素が下部電極のＰｔ電極
やＡｕ電極中に拡散して膜が組成変化を起こしているた
めである。
3(０.６＜ｘ＜０.７）高誘電体膜を用いた高容量キャパ
シタでは、絶縁基板上に下部電極，ＢａxＳｒ1-xＴｉＯ
3 （０.６＜ｘ＜０.７）誘電体膜を順に構成した後に
６００℃以上で焼成し、その後、上部電極を形成するた
め、下部電極は酸化されにくいＰｔ電極やＡｕ電極が一
般的に用いられている。しかしこれらの下部電極のＰｔ
電極やＡｕ電極でもＯ2 雰囲気中で６００℃以上の高温
で熱処理されるため、ＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3（０.６＜ｘ
＜０.７）高誘電体膜の構成元素が下部電極のＰｔ電極
やＡｕ電極中に拡散して膜が組成変化を起こしているた
めである。
【０００５】このように電圧を印加したときにリーク電
流に非対称性が発現することによって、従来構造の高誘
電体キャパシタではキャパシタをＡＣ動作させる場合
や、同一下部電極上に複数の高誘電体と上部電極を形成
し下部電極を共用することによって直列接続して用いる
場合などに、リーク電流が増大して使用できないという
問題が発生した。また上部電極に順方向しか電圧を印加
できないため、素子設計の上で自由なレイアウト設計が
できないという問題があった。
流に非対称性が発現することによって、従来構造の高誘
電体キャパシタではキャパシタをＡＣ動作させる場合
や、同一下部電極上に複数の高誘電体と上部電極を形成
し下部電極を共用することによって直列接続して用いる
場合などに、リーク電流が増大して使用できないという
問題が発生した。また上部電極に順方向しか電圧を印加
できないため、素子設計の上で自由なレイアウト設計が
できないという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、ＢａＳｒＴｉＯ3 高誘電
体膜を用いた高容量キャパシタにおいて順方向のリーク
電流を増加させることなく逆方向のリーク電流を低減す
ることにある。
体膜を用いた高容量キャパシタにおいて順方向のリーク
電流を増加させることなく逆方向のリーク電流を低減す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題は、図１に示す
ように基板１１上にそれぞれ薄膜として形成された第一
のＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3(０.６＜ｘ＜０.７）高誘電体膜
４１と下部電極２１の間に中間層として組成の異なる第
二のＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3 高誘電体膜３１を有し、上記
第一のＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3 高誘電体膜４１上に上部電
極５１を持つ構造によって達成できる。特に第二のＢａ
xＳｒ1-xＴｉＯ3 高誘電体膜３１は、上記第一のＢａx
Ｓｒ1-xＴｉＯ3(０.６＜ｘ＜０.７）高誘電体膜４１と
組成の異なるＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3膜（ｘは０以上０.３
以下，ｘ＝０の場合はＳｒＴｉＯ3）であり、膜厚を１
０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の膜厚で形成することで達成
できる。
ように基板１１上にそれぞれ薄膜として形成された第一
のＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3(０.６＜ｘ＜０.７）高誘電体膜
４１と下部電極２１の間に中間層として組成の異なる第
二のＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3 高誘電体膜３１を有し、上記
第一のＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3 高誘電体膜４１上に上部電
極５１を持つ構造によって達成できる。特に第二のＢａ
xＳｒ1-xＴｉＯ3 高誘電体膜３１は、上記第一のＢａx
Ｓｒ1-xＴｉＯ3(０.６＜ｘ＜０.７）高誘電体膜４１と
組成の異なるＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3膜（ｘは０以上０.３
以下，ｘ＝０の場合はＳｒＴｉＯ3）であり、膜厚を１
０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の膜厚で形成することで達成
できる。
【０００８】
〈実施例１〉以下、本発明の高誘電体キャパシタの製造
法の一実施例を図４を用いて説明する。本実施例では第
一のＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3 膜はｘ＝０.７，第二のＢａx
Ｓｒ1-xＴｉＯ3 膜はｘ＝０すなわちＳｒＴｉＯ3 を用
いた。
法の一実施例を図４を用いて説明する。本実施例では第
一のＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3 膜はｘ＝０.７，第二のＢａx
Ｓｒ1-xＴｉＯ3 膜はｘ＝０すなわちＳｒＴｉＯ3 を用
いた。
【０００９】まずＳｉ基板上に絶縁膜としてシリコン酸
化膜(図示せず)を形成した基板１３を用いた。そしてシ
リコン酸化膜上に蒸着法、またはスパッタ法を用いて下
部電極膜２３としてＰｔ／Ｔｉ金属膜を２００／５０ｎ
ｍ形成する（図４（ａ））。
化膜(図示せず)を形成した基板１３を用いた。そしてシ
リコン酸化膜上に蒸着法、またはスパッタ法を用いて下
部電極膜２３としてＰｔ／Ｔｉ金属膜を２００／５０ｎ
ｍ形成する（図４（ａ））。
【００１０】下部電極膜２３上にゾルゲル法によるＳｒ
ＴｉＯ3溶液をスピナーにより回転塗布し、大気中で１
２０℃で５分，４００℃で１０分焼成する。次にＢａ
0.7Ｓｒ0.3ＴｉＯ3 溶液を前記同様回転塗布および熱処
理し、Ｂａ0.7Ｓｒ0.3ＴｉＯ3，ＳｒＴｉＯ3 組成以外
の成分を除去して、多孔質かつ非晶質の高誘電体膜を形
成する。さらに焼成炉内で６００℃，Ｏ2 雰囲気中で６
０分焼成して焼結および結晶化させ、上記下部電極膜２
３上にＳｒＴｉＯ3膜３３，次にBa0.7Sr0.3TiO3膜４３
の順に積層した高誘電体多層膜を形成する（図４
（ｂ））。
ＴｉＯ3溶液をスピナーにより回転塗布し、大気中で１
２０℃で５分，４００℃で１０分焼成する。次にＢａ
0.7Ｓｒ0.3ＴｉＯ3 溶液を前記同様回転塗布および熱処
理し、Ｂａ0.7Ｓｒ0.3ＴｉＯ3，ＳｒＴｉＯ3 組成以外
の成分を除去して、多孔質かつ非晶質の高誘電体膜を形
成する。さらに焼成炉内で６００℃，Ｏ2 雰囲気中で６
０分焼成して焼結および結晶化させ、上記下部電極膜２
３上にＳｒＴｉＯ3膜３３，次にBa0.7Sr0.3TiO3膜４３
の順に積層した高誘電体多層膜を形成する（図４
（ｂ））。
【００１１】上記Ｂａ0.7Ｓｒ0.3ＴｉＯ3 高誘電体膜４
３上に蒸着法、またはスパッタ法を用いて上部電極５３
としてＡｌ／Ｍｏ金属を２００／５０ｎｍ形成する（図
４（ｃ））。
３上に蒸着法、またはスパッタ法を用いて上部電極５３
としてＡｌ／Ｍｏ金属を２００／５０ｎｍ形成する（図
４（ｃ））。
【００１２】次にホトレジストでパターンを形成し、そ
のレジストパターンをマスクとしてイオンミリング法で
不要なＡｌ／Ｍｏ金属をエッチングして、上部電極５４
を形成する（図４（ｄ））。さらに上記上部電極５４上
にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンを
マスクとしてイオンミリング法やフッ酸等を用いたウェ
ットエッチングで不要なＢａ0.7Ｓｒ0.3ＴｉＯ3高誘電
体膜４３，ＳｒＴｉＯ3膜３３をエッチングする。最後
に前記同様にホトレジストでパターンを形成し、そのレ
ジストパターンをマスクとしてイオンミリング法で不要
な下部電極２３をエッチングして、ＢａＳｒＴｉＯ3 高
誘電体キャパシタを形成する（図４(ｅ)）。
のレジストパターンをマスクとしてイオンミリング法で
不要なＡｌ／Ｍｏ金属をエッチングして、上部電極５４
を形成する（図４（ｄ））。さらに上記上部電極５４上
にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンを
マスクとしてイオンミリング法やフッ酸等を用いたウェ
ットエッチングで不要なＢａ0.7Ｓｒ0.3ＴｉＯ3高誘電
体膜４３，ＳｒＴｉＯ3膜３３をエッチングする。最後
に前記同様にホトレジストでパターンを形成し、そのレ
ジストパターンをマスクとしてイオンミリング法で不要
な下部電極２３をエッチングして、ＢａＳｒＴｉＯ3 高
誘電体キャパシタを形成する（図４(ｅ)）。
【００１３】本実施例により作製したＢａＳｒＴｉＯ3
高誘電体キャパシタの印加電圧とリーク電流の関係を図
５に示す。この高誘電体膜キャパシタの上部電極に正の
電圧を印加した場合はリーク電流は従来構造とほぼ同じ
であるが、負の電圧を印加した場合は従来構造の約１／
１００にリーク電流が小さくなり、リーク電流の非対称
性が小さくなっている。本実施例によれば下部電極２３
上にＳｒＴｉＯ3 膜３３を形成することにより順方向の
リーク電流を増加させることなく逆方向のリーク電流を
約１／１００に低減でき、上部電極，下部電極いずれの
電極にも正負いずれの電圧を印加できるキャパシタを形
成できる。
高誘電体キャパシタの印加電圧とリーク電流の関係を図
５に示す。この高誘電体膜キャパシタの上部電極に正の
電圧を印加した場合はリーク電流は従来構造とほぼ同じ
であるが、負の電圧を印加した場合は従来構造の約１／
１００にリーク電流が小さくなり、リーク電流の非対称
性が小さくなっている。本実施例によれば下部電極２３
上にＳｒＴｉＯ3 膜３３を形成することにより順方向の
リーク電流を増加させることなく逆方向のリーク電流を
約１／１００に低減でき、上部電極，下部電極いずれの
電極にも正負いずれの電圧を印加できるキャパシタを形
成できる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、第一のＢａxＳｒ1-xＴ
ｉＯ3(０.６＜ｘ＜０.７）高誘電体膜と下部電極の間に
中間層として上記第一のＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3 高誘電体
膜と組成の異なる第二のＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3膜（ｘは
０以上０.３以下、ｘ＝０の場合はＳｒＴｉＯ3 ）を膜
厚１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の膜厚で形成することに
より、電圧によるリーク電流の非対称性を改善し、順方
向のリーク電流を増加させることなく逆方向のリーク電
流を低減でき、上部電極，下部電極いずれの電極にも正
負いずれの電圧を印加できるキャパシタを形成できる。
またキャパシタをＡＣ動作させる場合や、同一下部電極
上に複数の高誘電体と上部電極を形成して直列接続で使
用してもリーク電流が増加することがない。その結果キ
ャパシタの設計が簡単で、汎用性が高く、低コストのキ
ャパシタが得られ、利用価値が大幅に向上する。
ｉＯ3(０.６＜ｘ＜０.７）高誘電体膜と下部電極の間に
中間層として上記第一のＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3 高誘電体
膜と組成の異なる第二のＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3膜（ｘは
０以上０.３以下、ｘ＝０の場合はＳｒＴｉＯ3 ）を膜
厚１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の膜厚で形成することに
より、電圧によるリーク電流の非対称性を改善し、順方
向のリーク電流を増加させることなく逆方向のリーク電
流を低減でき、上部電極，下部電極いずれの電極にも正
負いずれの電圧を印加できるキャパシタを形成できる。
またキャパシタをＡＣ動作させる場合や、同一下部電極
上に複数の高誘電体と上部電極を形成して直列接続で使
用してもリーク電流が増加することがない。その結果キ
ャパシタの設計が簡単で、汎用性が高く、低コストのキ
ャパシタが得られ、利用価値が大幅に向上する。
【図１】本発明の一実施例である高誘電体膜キャパシタ
の部分断面図。
の部分断面図。
【図２】従来技術により作製された高誘電体膜キャパシ
タの部分断面図。
タの部分断面図。
【図３】従来技術により作製された高誘電体膜キャパシ
タの印加電圧とリーク電流の関係を示す特性図。
タの印加電圧とリーク電流の関係を示す特性図。
【図４】本発明の一実施例である高誘電体膜キャパシタ
の製造方法を示す工程図。
の製造方法を示す工程図。
【図５】本発明の一実施例である高誘電体膜キャパシタ
の印加電圧とリーク電流の関係を示す特性図。
の印加電圧とリーク電流の関係を示す特性図。
１１…基板、２１…下部電極、３１…第二の高誘電体
膜、４１…第一の高誘電体膜、５１…上部電極。
膜、４１…第一の高誘電体膜、５１…上部電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 辻 和隆 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 鮫島 賢二 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 今村 慶憲 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁体上に形成された下部電極膜と、前記
下部電極上に形成されたＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3(０.６＜
ｘ＜０.７）よりなる第一の高誘電体膜と、前記高誘電
体膜上に形成された上部電極とからなる薄膜キャパシタ
において、前記第一の高誘電体膜と前記下部電極膜の間
に第二の高誘電体膜を中間層として有することを特徴と
する薄膜高誘電体キャパシタ。 - 【請求項２】前記第二の高誘電体膜はＢａxＳｒ1-xＴｉ
Ｏ3膜であり、ｘは０以上０.３以下である請求項１に記
載の薄膜高誘電体キャパシタ。 - 【請求項３】上記第二の高誘電体膜の膜厚は１０ｎｍ以
上，１００ｎｍ以下である請求項１または２に記載の薄
膜高誘電体キャパシタ。 - 【請求項４】上記下部電極がＰｔ金属層を含む請求項
１，２または３に記載の薄膜高誘電体キャパシタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9023472A JPH10223840A (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 薄膜高誘電体キャパシタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9023472A JPH10223840A (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 薄膜高誘電体キャパシタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223840A true JPH10223840A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12111483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9023472A Withdrawn JPH10223840A (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 薄膜高誘電体キャパシタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10223840A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004079776A3 (en) * | 2003-03-05 | 2005-06-02 | Energenius Inc | Barium stronium titanate containing multilayer structures on metal foils |
| WO2005083726A1 (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Energenius, Inc. | Thin film ferroelectric composites, method of making and capacitor comprising the same |
-
1997
- 1997-02-06 JP JP9023472A patent/JPH10223840A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004079776A3 (en) * | 2003-03-05 | 2005-06-02 | Energenius Inc | Barium stronium titanate containing multilayer structures on metal foils |
| WO2005083726A1 (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Energenius, Inc. | Thin film ferroelectric composites, method of making and capacitor comprising the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040406 |