JPH10223689A - 微細孔に電気めっきを柱状に析出させる方法 - Google Patents
微細孔に電気めっきを柱状に析出させる方法Info
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- JPH10223689A JPH10223689A JP9024050A JP2405097A JPH10223689A JP H10223689 A JPH10223689 A JP H10223689A JP 9024050 A JP9024050 A JP 9024050A JP 2405097 A JP2405097 A JP 2405097A JP H10223689 A JPH10223689 A JP H10223689A
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細孔を有する基板の微細孔部に電気めっき
をすることにより、柱状のバンプ電極を形成することが
できる電気めっき方法を提供すること。 【解決手段】 めっきを微細孔内に施すにあたり、電源
としてデューティー比が１／３９〜１／１（2.５〜５０
％）であって、周波数が１００Hz〜１０KHz のパルス電
源を用いて電気めっきを行うことを含む微細孔に電気め
っきを柱状に析出させる方法。
をすることにより、柱状のバンプ電極を形成することが
できる電気めっき方法を提供すること。 【解決手段】 めっきを微細孔内に施すにあたり、電源
としてデューティー比が１／３９〜１／１（2.５〜５０
％）であって、周波数が１００Hz〜１０KHz のパルス電
源を用いて電気めっきを行うことを含む微細孔に電気め
っきを柱状に析出させる方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細孔内に電気め
っきを柱状に析出させる方法に関し、特に微細孔を有す
る基板の微細孔部に電気めっきをすることにより、柱状
のバンプ電極を形成することができる電気めっき方法に
関する。
っきを柱状に析出させる方法に関し、特に微細孔を有す
る基板の微細孔部に電気めっきをすることにより、柱状
のバンプ電極を形成することができる電気めっき方法に
関する。
【従来の技術】近年、電子機器の高機能化や小型軽量化
が、移動通信機器やコンピューターの需要増とともに一
層進められており、それにつれてマイクロエレクトロニ
クス技術の使命が大きくなってきている。半導体業界が
誕生して以来行なわれてきたＬＳＩチップと外部回路と
を接続する方法としてワイヤーボンディング法がこれま
で使用されてきたが、ＬＳＩの高集積化が進み、高機能
化や大容量化に伴い、ＬＳＩの端子数の増加、電極の微
細化、配線の狭ピッチ化等によりワイヤーボンディング
方式では対応が困難になってきている。
が、移動通信機器やコンピューターの需要増とともに一
層進められており、それにつれてマイクロエレクトロニ
クス技術の使命が大きくなってきている。半導体業界が
誕生して以来行なわれてきたＬＳＩチップと外部回路と
を接続する方法としてワイヤーボンディング法がこれま
で使用されてきたが、ＬＳＩの高集積化が進み、高機能
化や大容量化に伴い、ＬＳＩの端子数の増加、電極の微
細化、配線の狭ピッチ化等によりワイヤーボンディング
方式では対応が困難になってきている。
【０００２】このような状況の中、ワイヤーボンディン
グ方式に替わる電気的接続法としてバンプと呼ばれる突
起状電極を介してＬＳＩチップと基板とを接続するフリ
ップチップ方式やＴＡＢ（Taped Automated Bonding )
方式が採用されるようになってきた。ここでバンプは、
電子回路基板の回路導体上に、即ち、微細孔を有する基
板の微細孔部に電気めっきにより形成されている。通常
は、バブリング等で攪拌しながら電気めっきが行なわれ
ている。また、特開平２−８５３９２号公報に開示され
ているように、ある特定のパルス状のめっき電流を流す
方法も検討されている。
グ方式に替わる電気的接続法としてバンプと呼ばれる突
起状電極を介してＬＳＩチップと基板とを接続するフリ
ップチップ方式やＴＡＢ（Taped Automated Bonding )
方式が採用されるようになってきた。ここでバンプは、
電子回路基板の回路導体上に、即ち、微細孔を有する基
板の微細孔部に電気めっきにより形成されている。通常
は、バブリング等で攪拌しながら電気めっきが行なわれ
ている。また、特開平２−８５３９２号公報に開示され
ているように、ある特定のパルス状のめっき電流を流す
方法も検討されている。
【０００３】一方、薄膜の有機系や無機系のレジストで
コーティングされた基板には多数の微細な穴が開いてお
り、その微細孔に電気めっきによりバンプ形成を行おう
とすると、現在一般的に使用されている直流電源を使用
するめっき方法では、下記の問題があり全く対応できな
い。つまり、 １．バンプを形成しようとする部分は微細孔であるため
微細孔内外でめっき液中の金属濃度差が大きくなり、め
っき効率の低下やめっき厚のバラツキが生じる。 ２．陰極で発生する水素が微細孔をふさぐため、めっき
厚のバラツキが大きい。 ３．レジスト下部へのめっきのしみ込み現象が起こり、
レジストの剥離を引き起こすため、パターンに追従した
マイクロバンプを得ることができない。 ４．めっきの厚みがレジストの高さ以上になると、エッ
ヂ部でめっきが横方向にも成長するようになるため、キ
ノコ状とかマッシュルーム状の突起状電極しか形成でき
ず、配線の高密度化や電極の微細化に対応できない。
コーティングされた基板には多数の微細な穴が開いてお
り、その微細孔に電気めっきによりバンプ形成を行おう
とすると、現在一般的に使用されている直流電源を使用
するめっき方法では、下記の問題があり全く対応できな
い。つまり、 １．バンプを形成しようとする部分は微細孔であるため
微細孔内外でめっき液中の金属濃度差が大きくなり、め
っき効率の低下やめっき厚のバラツキが生じる。 ２．陰極で発生する水素が微細孔をふさぐため、めっき
厚のバラツキが大きい。 ３．レジスト下部へのめっきのしみ込み現象が起こり、
レジストの剥離を引き起こすため、パターンに追従した
マイクロバンプを得ることができない。 ４．めっきの厚みがレジストの高さ以上になると、エッ
ヂ部でめっきが横方向にも成長するようになるため、キ
ノコ状とかマッシュルーム状の突起状電極しか形成でき
ず、配線の高密度化や電極の微細化に対応できない。
【０００４】なお、前述したバブリング等で攪拌しなが
ら電気めっきを行う方法、又は、特開平２−８５３９２
号公報に開示されているようにある特定のパルス状のめ
っき電流を流す方法（デューティー比５〜５０％程度、
周波数Hz〜数十Hz）によると、前述した１と２の問題に
ついては幾分改善されるものの効果が未だ不十分であ
る。つまり、このように、周波数が低いと、膜厚のバラ
ツキが大きくなる、ストレートバンプにならない、ま
た、レジストの下部にもめっき液が入り込み、ひどい時
にはレジストが剥離するといった問題が生じる。尚、こ
れらの方法では、上記３と４の問題については全く効果
がみられない。
ら電気めっきを行う方法、又は、特開平２−８５３９２
号公報に開示されているようにある特定のパルス状のめ
っき電流を流す方法（デューティー比５〜５０％程度、
周波数Hz〜数十Hz）によると、前述した１と２の問題に
ついては幾分改善されるものの効果が未だ不十分であ
る。つまり、このように、周波数が低いと、膜厚のバラ
ツキが大きくなる、ストレートバンプにならない、ま
た、レジストの下部にもめっき液が入り込み、ひどい時
にはレジストが剥離するといった問題が生じる。尚、こ
れらの方法では、上記３と４の問題については全く効果
がみられない。
【発明が解決しようとする課題】本発明は、微細孔を有
する基板の微細孔部に電気めっきをすることにより、柱
状のバンプ電極を形成することができる電気めっき方法
を提供することを目的とする。
する基板の微細孔部に電気めっきをすることにより、柱
状のバンプ電極を形成することができる電気めっき方法
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、めっきを微細
孔内に施すにあたり、電源としてデューティー比が特定
の範囲内にあり、かつ周波数が１００Hz〜１０KHz のパ
ルス電源を用いて電気めっきを行うと上記課題を解決で
きるとの知見に基づいてなされたのである。すなわち、
本発明は、めっきを微細孔内に施すにあたり、電源とし
てデューティー比が１／３９〜１／１（2.５〜５０％）
であって、周波数が１００Hz〜１０KHz のパルス電源を
用いて電気めっきを行うことを特徴とする微細孔に電気
めっきを柱状に析出させる方法を提供する。
孔内に施すにあたり、電源としてデューティー比が特定
の範囲内にあり、かつ周波数が１００Hz〜１０KHz のパ
ルス電源を用いて電気めっきを行うと上記課題を解決で
きるとの知見に基づいてなされたのである。すなわち、
本発明は、めっきを微細孔内に施すにあたり、電源とし
てデューティー比が１／３９〜１／１（2.５〜５０％）
であって、周波数が１００Hz〜１０KHz のパルス電源を
用いて電気めっきを行うことを特徴とする微細孔に電気
めっきを柱状に析出させる方法を提供する。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明に使用するめっき浴として
は、微細孔を有する基板、および、レジストを侵さない
ものであれば特に制限はなく、金、ニッケル、Sn−Pb合
金、Sn−Ag、Sn−Bi、Sn−Zn合金等のPbフリーのハン
ダ、インジウム等を析出させる電気めっき浴のいずれも
が使用できる。具体的には、例えば、特開昭５４−６９
５３４号公報、特開平７−１３８７８２号公報などに記
載のめっき浴を用いることができる。
は、微細孔を有する基板、および、レジストを侵さない
ものであれば特に制限はなく、金、ニッケル、Sn−Pb合
金、Sn−Ag、Sn−Bi、Sn−Zn合金等のPbフリーのハン
ダ、インジウム等を析出させる電気めっき浴のいずれも
が使用できる。具体的には、例えば、特開昭５４−６９
５３４号公報、特開平７−１３８７８２号公報などに記
載のめっき浴を用いることができる。
【０００７】本発明でめっきの対象となる微細孔を有す
る基板としては、アラミド、アルミナ、ガラスなどの基
板上に銅、ニッケル、クロムなどの金属の皮膜を有する
基板に、例えば５０〜２００μ程度の大きさの微細孔を
有するものがあげられる。基板の厚みに任意でよいが、
好ましくは0.５〜１mm程度である。又、金属の皮膜は、
好ましくは１〜５０mm程度である。本発明において、よ
り好ましくは、上記基板の上にレジストを施したものが
あげられる。ここで、レジストとしては、例えば、特公
平５−８２０３号公報、特開平７−７６５６５号公報な
どに記載のものがあげられる。レジストは、常法により
基板上に施すことができ、レジストの厚みは好ましくは
0.０２〜0.１mm程度である。ここで、レジスト中の微細
孔は、基板や金属皮膜にまで貫通しているのがよい。
る基板としては、アラミド、アルミナ、ガラスなどの基
板上に銅、ニッケル、クロムなどの金属の皮膜を有する
基板に、例えば５０〜２００μ程度の大きさの微細孔を
有するものがあげられる。基板の厚みに任意でよいが、
好ましくは0.５〜１mm程度である。又、金属の皮膜は、
好ましくは１〜５０mm程度である。本発明において、よ
り好ましくは、上記基板の上にレジストを施したものが
あげられる。ここで、レジストとしては、例えば、特公
平５−８２０３号公報、特開平７−７６５６５号公報な
どに記載のものがあげられる。レジストは、常法により
基板上に施すことができ、レジストの厚みは好ましくは
0.０２〜0.１mm程度である。ここで、レジスト中の微細
孔は、基板や金属皮膜にまで貫通しているのがよい。
【０００８】本発明では、上記基板を陰極とし、白金ま
たはめっきと同組成の金属を陽極として、例えば、１５
〜６０℃で３０〜５００分間電気めっきして、上記基板
にある微細孔内に電気めっきを柱状に析出させる。ここ
で、本発明では、電源としてデューティー比が１／３９
〜１／１（2.５〜５０％）好ましくは１０〜２５％であ
って、周波数が１００Hz〜１０KHz 好ましくは５００Hz
〜２KHz のパルス電源を用いることを特徴とする。この
場合、電源の波形は矩形波が最も好ましいが、ノコギリ
波も有効である。
たはめっきと同組成の金属を陽極として、例えば、１５
〜６０℃で３０〜５００分間電気めっきして、上記基板
にある微細孔内に電気めっきを柱状に析出させる。ここ
で、本発明では、電源としてデューティー比が１／３９
〜１／１（2.５〜５０％）好ましくは１０〜２５％であ
って、周波数が１００Hz〜１０KHz 好ましくは５００Hz
〜２KHz のパルス電源を用いることを特徴とする。この
場合、電源の波形は矩形波が最も好ましいが、ノコギリ
波も有効である。
【０００９】デューティー比については2.５％未満では
平均電流密度を高くするとめっきが粗くなり、また５０
％を越えると本発明の目的を達成できなくなる。即ち木
の子状のめっきが形成されることとなる。又、周波数が
１００Hz未満の場合には前述した１〜４の問題点のうち
特に３と４の問題が解決できなくなる。また１０KHzを
越えると直流電源を使用した場合と同様な現象となり、
特に前述の問題点１と２が解決できなくなってしまう。
次に本発明を添付の図面を参照して説明する。本発明の
めっき方法によると図１に示されるように、基体１上に
設けられた銅膜下地２の上のレジスト３の微細孔内に、
柱状のめっき４、つまりバンプ電極が形成されるが、本
発明の特徴を有しない比較例の方法によると、図２に示
されるように、きのこ状のめっき５が形成される。
平均電流密度を高くするとめっきが粗くなり、また５０
％を越えると本発明の目的を達成できなくなる。即ち木
の子状のめっきが形成されることとなる。又、周波数が
１００Hz未満の場合には前述した１〜４の問題点のうち
特に３と４の問題が解決できなくなる。また１０KHzを
越えると直流電源を使用した場合と同様な現象となり、
特に前述の問題点１と２が解決できなくなってしまう。
次に本発明を添付の図面を参照して説明する。本発明の
めっき方法によると図１に示されるように、基体１上に
設けられた銅膜下地２の上のレジスト３の微細孔内に、
柱状のめっき４、つまりバンプ電極が形成されるが、本
発明の特徴を有しない比較例の方法によると、図２に示
されるように、きのこ状のめっき５が形成される。
【００１０】
【発明の効果】本発明により微細孔を有する基板の微細
孔部に柱状のバンプ電極を形成できるようになり、また
レジストの膜厚以上に電気めっきを行うような場合にも
キノコ状とかマッシュルーム状の突起状ではなく柱状、
即ちストレートなバンプが形成できるようになるので、
マイクロバンプ形成に於いて信頼性が著しく向上する。
特に、本発明によれば、上記１〜４の問題を解決し、微
細孔を有する基板の微細孔部に、電気めっきによりレジ
ストの膜厚以上に柱状のバンプ電極を形成することがで
きるする方法を提供することができる。次に実施例によ
り本発明を説明する。
孔部に柱状のバンプ電極を形成できるようになり、また
レジストの膜厚以上に電気めっきを行うような場合にも
キノコ状とかマッシュルーム状の突起状ではなく柱状、
即ちストレートなバンプが形成できるようになるので、
マイクロバンプ形成に於いて信頼性が著しく向上する。
特に、本発明によれば、上記１〜４の問題を解決し、微
細孔を有する基板の微細孔部に、電気めっきによりレジ
ストの膜厚以上に柱状のバンプ電極を形成することがで
きるする方法を提供することができる。次に実施例によ
り本発明を説明する。
【００１１】
実施例１ エポキシ系のレジストでマスクされた基板であって、１
００μｍ四方の銅膜下地の微細孔（深さ５μｍ）を多数
有する基板を陰極とし、金を陽極として、表−１に記載
のの金めっき浴に浸漬し、表−１の条件でパルス電流を
用いて電気めっきを行った。得られた金めっきの膜厚
(μm)、レジスト下部へのめっきのしみ込み及びバンプ
の形状を、使用したパルス電流の特性とともに表−２に
示す。
００μｍ四方の銅膜下地の微細孔（深さ５μｍ）を多数
有する基板を陰極とし、金を陽極として、表−１に記載
のの金めっき浴に浸漬し、表−１の条件でパルス電流を
用いて電気めっきを行った。得られた金めっきの膜厚
(μm)、レジスト下部へのめっきのしみ込み及びバンプ
の形状を、使用したパルス電流の特性とともに表−２に
示す。
【００１２】
【表１】 表−１ めっき浴組成 シアン化金カリウム 10g/l リン酸二水素カリウム 96g/l クエン酸 24g/l EDTA−コバルトカリウム 2g/l リン酸水素二カリウム 80g/l 水 残部 めっき条件 浴pH 4.5 浴温 40℃ 平均陰極電流密度 0.5A/dm2 めっき時間 40min 攪拌 液流攪拌
【００１３】実施例２〜９ めっき浴及びめっき条件を表−３に記載したものに変更
し（但し、陽極にはめっきと同組成のものを使用）、か
つレジスト膜厚が５０μｍの基板を用いた以外は、実施
例１と同様にして、電気めっきを行った。得られためっ
きの特性を使用したパルス電流の特性とともに表−２に
示す。
し（但し、陽極にはめっきと同組成のものを使用）、か
つレジスト膜厚が５０μｍの基板を用いた以外は、実施
例１と同様にして、電気めっきを行った。得られためっ
きの特性を使用したパルス電流の特性とともに表−２に
示す。
【００１４】
【表２】 表−２ めっき パルス条件 めっき効果 種 波形 デュー 周波数 膜厚 レジスト下部 バンプの 実施例 ティー比 (μm) へのめっきの 形状 Ｎｏ 入り込み １ Au 矩形 2.5 100Hz 10 無し 柱状 ２ Ni 〃 50 1KHz 90 〃 〃 （ストレート バンプ） ３ 〃 ノコ 50 1KHz 90 〃 〃 ギリ ４ Sn-Pb 矩形 20 2KHz 100 〃 〃 ５ 〃 〃 10 5KHz 90 〃 〃 ６ Sn-Ag 〃 40 2KHz 100 〃 〃 ７ Sn-Bi 〃 10 5KHz 90 〃 〃 ８ Sn-Zn 〃 20 10KHz 100 〃 〃 ９ In 〃 10 7.5KHz 90 〃 〃
【００１５】
【表３】 表−３ めっき浴組成 めっき条件 実施例２ NiSO4 ・6H2O 280g/l 浴pH 4.2 実施例３ NiCl2 ・6H2O 50g/l 浴温 50℃ Niめっき H3BO3 40g/l 平均陰極電流密度 4A/dm2 添加剤（ディップソール 10ml/l めっき時間 120min （株）製Ni-1600B） 攪拌 液流攪拌 実施例４ Sn2+ 12g/l 浴pH 強酸性 Sn-Pb 合 Pb2+ 8g/l 浴温 25℃ 金めっき メタンスルホン酸 150g/l 平均陰極電流密度 2A/dm2 ポリオキシエチレン 5g/l めっき時間 100min トリスチリルフェノール 攪拌 液流攪拌 エーテル 実施例５ Sn2+ 25g/l 浴pH 6.0 Sn-Pb 合 Pb2+ 5g/l 浴温 25℃ 金めっき クエン酸アンモニウム 100g/l 平均陰極電流密度 1A/dm2 酢酸アンモニウム 50g/l めっき時間 180min 添加剤（ディップソール 5ml/l 攪拌 液流攪拌 （株）製TL-280S) 実施例６ Sn2+ 15g/l 浴pH 強酸性 Sn-Ag 合 Ag+ 0.5g/l 浴温 20℃ 金めっき メタンスルホン酸 150g/l 平均陰極電流密度 2A/dm2 ポリオキシエチレン 10g/l めっき時間 100min ノニルフェニルエーテル 攪拌 液流攪拌 実施例７ Sn2+ 22.5g/l 浴pH 4.5 Sn-Bi 合 Bi3+ 7.5g/l 浴温 25℃ 金めっき グルコヘプトン酸 120g/l 平均陰極電流密度 1A/dm2 メタンスルホン酸 80g/l めっき時間 180min アンモニウム 攪拌 液流攪拌 添加剤 5g/l （脂肪族アミンと有機酸エステル の反応生成物に無水フタル酸を 反応させて得た水溶性光沢剤） 実施例８ Sn2+ 20g/l 浴pH 6.0 Sn-Zn 合 Zn2+ 8g/l 浴温 25℃ 金めっき クエン酸アンモニウム 100g/l 平均陰極電流密度 2A/dm2 酢酸アンモニウム 100g/l めっき時間 100min 添加剤（ディップソール 8ml/l 攪拌 液流攪拌 （株）製SZ-240S) 実施例９ スルファミン酸 100g/l 浴pH 2.0 Inめっき インジウム 浴温 25℃ スルファミン酸 150g/l 平均陰極電流密度 1.5A/dm2 ナトリウム めっき時間 200min スルファミン酸 25g/l 攪拌 液流攪拌 ポリオキシエチレンノニル 8g/l フェニルエーテル
【００１６】比較例１〜３ めっき浴及びめっき条件を表−４に記載したものに変更
し、かつレジスト膜厚が５０μｍの基板を用いた以外
は、実施例１と同様にして（但し、陽極はめっきと同組
成である）、電気めっきを行った。得られためっきの特
性を使用したパルス電流の特性とともに表−５に示す。
し、かつレジスト膜厚が５０μｍの基板を用いた以外
は、実施例１と同様にして（但し、陽極はめっきと同組
成である）、電気めっきを行った。得られためっきの特
性を使用したパルス電流の特性とともに表−５に示す。
【００１７】
【表４】 表−４ めっき浴組成 めっき条件 比較例１ NiSO4 ・6H2O 280g/l 浴pH 4.2 Niめっき NiCl2 ・6H2O 50g/l 浴温 50℃ H3BO3 40g/l 平均陰極電流密度 4A/dm2 添加剤（ディップソール 10ml/l めっき時間 120min （株）製Ni-1600B） 攪拌 液流攪拌 比較例２ Sn2+ 12g/l 浴pH 強酸性 Sn-Pb 合 Pb2+ 8g/l 浴温 25℃ 金めっき メタンスルホン酸 150g/l 平均陰極電流密度 2A/dm2 ポリオキシエチレン 5g/l めっき時間 100min トリスチリルフェノール 攪拌 液流攪拌 エーテル 比較例３ スルファミン酸 100g/l 浴pH 2.0 Inめっき インジウム 浴温 25℃ スルファミン酸 150g/l 平均陰極電流密度 1.5A/dm2 ナトリウム めっき時間 200min スルファミン酸 25g/l 攪拌 液流攪拌 ポリオキシエチレンノニル 8g/l フェニルエーテル
【００１８】
【表５】 表−５ めっき 電 源 めっき効果 種 膜厚 レジスト下部 バンプの 比較例 へのめっきの 形状 Ｎｏ しみ込み １ Ni 直流 70 有り キノコ状 （バラツ キ大） ２ Sn-Pb 〃 70 〃 キノコ状 （バラツ キ大） ３ In 矩形波 70 少し有り キノコ状 デューティー比 25% （バラツ 周波数 50Hz キ大）
【図１】 本発明のめっき方法によりレジスト２の微細
孔内に形成された柱状のめっきを示す断面図である。
孔内に形成された柱状のめっきを示す断面図である。
【図２】 比較例のめっき方法によりレジスト２の微細
孔内に形成されたきのこ状のめっきを示す断面図であ
る。図中、１は基体、２は銅膜下地、３はレジスト、４
は柱状のめっき、５はきのこ状のめっきである。
孔内に形成されたきのこ状のめっきを示す断面図であ
る。図中、１は基体、２は銅膜下地、３はレジスト、４
は柱状のめっき、５はきのこ状のめっきである。
Claims (2)
- 【請求項１】 めっきを微細孔内に施すにあたり、電源
としてデューティー比が１／３９〜１／１（2.５〜５０
％）であって、周波数が１００Hz〜１０KHzのパルス電
源を用いて電気めっきを行うことを特徴とする微細孔に
電気めっきを柱状に析出させる方法。 - 【請求項２】 微細孔を有する基板の微細孔部に柱状の
バンプ電極を形成する請求項１記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02405097A JP3735173B2 (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 微細孔に電気めっきを柱状に析出させる方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02405097A JP3735173B2 (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 微細孔に電気めっきを柱状に析出させる方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223689A true JPH10223689A (ja) | 1998-08-21 |
| JP3735173B2 JP3735173B2 (ja) | 2006-01-18 |
Family
ID=12127648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02405097A Expired - Fee Related JP3735173B2 (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 微細孔に電気めっきを柱状に析出させる方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005109496A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Phoenix Precision Technology Corp | プリ半田構造を形成するための半導体パッケージ基板及びプリ半田構造が形成された半導体パッケージ基板、並びにこれらの製法 |
| JP2006002246A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Hideo Honma | マイクロバンプの形成方法 |
| KR100743015B1 (ko) * | 2004-11-02 | 2007-07-26 | 샤프 가부시키가이샤 | 미세 구멍에 대한 도금방법, 및 이것을 이용한 금 범프 형성방법과 반도체장치의 제조방법 |
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1997
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| CN100449696C (zh) * | 2004-11-02 | 2009-01-07 | 夏普株式会社 | 微细孔电镀和金凸起形成方法、半导体器件及其制造方法 |
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