JPH10222942A - 磁気記憶装置用ヘッド位置決め装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＭＲヘッドを具備した磁気記憶装置において
ヘッドの位置決め精度を向上する。 【解決手段】 記憶媒体上に記憶されたバーストバター
ンがヘッド１０２により読み取られ、リードライト部８
１２を介して復調部８１３で２つの三角波が復調され
る。ヘッド位置信号生成部９０において生成された実際
のヘッド位置信号Ｐhdが、目標位置生成部９１で発生さ
れた目標位置と比較部９２で比較される。その出力であ
る偏差ΔＰは比例積分制御部９３０で制御演算され、そ
の出力はゲイン差補償部９３１においてヘッドの読み取
りゲイン差が補償される。直線性補償部９３２において
逆正弦波関数変換され直線性が補償される。補償後の信
号によりヘッドの位置がＶＣＭ１０４によって調整され
る。ゲイン差補償特性決定部９４により磁気記憶装置動
作中にゲイン差補償特性を変更することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記憶装置用ヘッ
ド位置決め装置に係り、特にＭＲ（磁気抵抗）ヘッドを
具備した磁気記憶装置においてヘッドの位置決め精度を
向上することの可能な磁気記憶装置用ヘッド位置決め装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】今日、磁気記憶装置は計算機の外部記憶
装置として広く使用されているが、大容量化・小型化に
伴い記録媒体の高記録密度化が進んでいる。一般に磁気
記憶装置に使用される記憶媒体は、円周方向に複数のセ
クタ、半径方向に複数のトラックに分割されており、セ
クタ、トラックを特定してヘッドを記憶媒体の特定領域
に位置決めすることにより、その領域へのデータの書込
みあるいはその領域からのデータの読み取りが可能とな
る。

【０００３】したがって、記憶媒体の所定位置にヘッド
を正しく位置決めするためのヘッド位置決めは、高記録
密度化を促進するうえで極めて重要である。図１はヘッ
ドの位置決め方法の１つである２位相サーボの機能線図
であって、記憶媒体１００はスピンドルモータ１０１で
回転駆動され、ヘッド１０２によってデータの書込み・
読み出しがおこなわれる。ボイスコイルモータ（ＶＣ
Ｍ）１０４はヘッド１０２を記憶媒体１００上の半径方
向に移動させるためのものである。

【０００４】図２はヘッドを所定のトラックに位置決め
するために使用される、記憶媒体１００のバーストパタ
ーン記憶領域に記録されたバーストパターンの説明図で
あって、ＰosＡ、ＰosＢ、ＰosＣおよびＰosＤの４種類
のバースト信号が半径方向および円周方向に記憶されて
いる。図３は図２の（ａ）、（ｂ）および（ｃ）の３位
置における４種類のバーストパターンを読み取ったとき
のヘッド出力波形図であって、ヘッド１０２全体がバー
ストパターン記憶領域を通過するとき、例えば（ａ）位
置においてＰosＡ信号を読み取るときは全振幅の信号が
出力される。ヘッド１０２の半分がバーストパターン記
憶領域を通過するとき、例えば（ｂ）位置においてＰos
Ａ信号を読み取るときは半振幅の信号が出力される。さ
らに、ヘッド１０２がバーストパターンが記憶されてい
ない領域を通過するとき、例えば（ｃ）位置においてＰ
osＡ信号を読み取るときは信号は出力されない。

【０００５】ＰosＡ、ＰosＢ、ＰosＣおよびＰosＤはリ
ードライト部１１５を介して復調部１０５に入力され、
（ＰosＡ−ＰosＢ）および（ＰosＣ−ＰosＤ）を算出す
ることによって、２トラックを１周期とし相互に９０°
位相の異なる２つの三角波ＰosＱおよびＰosＮに復調さ
れる。ＰosＱおよびＰosＮは感度決定部１０６、位置検
出部１０７、速度検出部１０８およびヘッド位置信号生
成部１０９に送られる。

【０００６】感度決定部１０６は、２つの三角波ＰosＱ
およびＰosＮの振幅とトラック幅とを関係付けるゲイン
Ｇを決定する。例えば、ゲインＧはＰosＱおよびＰosＮ
の絶対値が等しくなる点にヘッドを位置決めし、ＰosＱ
の絶対値とＰosＮの絶対値とが許容範囲内で一致してい
る点のＰosＱの絶対値から次式により決定することがで
きる。

【０００７】Ｇ＝０．２５／｜ＰosＱ｜ 位置検出部１０７は、ＰosＱおよびＰosＮとバーストパ
ターン記憶領域に記憶されているトラック番号とに基づ
いてヘッド１０２の実際の絶対位置を検出する。速度検
出部１０８はＰosＱまたはＰosＮとトラック番号とを合
成して生成されるヘッドの絶対位置の時間微分によりヘ
ッド１０２の移動速度を検出する。

【０００８】ヘッド位置信号生成部１０９は、ＰosＱお
よびＰosＮをそれぞれ周期方向に８区画に分割し、予め
定めたデコード表に従って要素を抽出し、抽出された要
素を合成することにより鋸歯状のヘッド位置信号Ｐhdを
生成する。図４は三角波ＰosＱ、ＰosＮ、ならびにヘッ
ド位置信号Ｐhdの波形図であって、横軸はサーボトラッ
クライタ（以下ＳＴＷ）で読み取られたトラック幅を、
縦軸は磁気記憶装置の読み取りヘッド出力に基づき定め
られたトラック幅を表す。

【０００９】位置検出部１０７で検出されたヘッド１０
２の実際の絶対位置は目標速度生成部１１０に送られ、
アクセスすべき目標トラックとの差に応じて目標速度を
生成する。すなわち、差が大きいときは目標速度は大に
設定され、差が小さいときは目標速度は小さく設定され
る。速度制御部１１１は、目標速度生成部１１０で生成
された目標速度と速度検出部１０８で検出されたヘッド
１０２の実際の速度とに基づいて制御演算（例えば比例
積分制御演算）を実行しＶＣＭ駆動信号を出力する。

【００１０】位置制御部１１２は、ポジション信号生成
部１０９で生成された実際のヘッド位置を表すヘッド位
置信号Ｐhdに基づいてヘッド１０２を目標トラックのト
ラック中心に位置決めするためにＶＣＭ駆動信号を出力
する。切替部１１３は速度制御部１１１の出力と位置制
御部１１２の出力を切り替えるものであって、目標位置
と位置検出部１０７で検出されたヘッドの実際の位置と
の差が大きいときはヘッド１０２を目標位置に速やかに
近づけるためにヘッド位置は速度制御部１１１によって
制御され、目標トラックに到達したときはヘッド１０２
を目標トラック中心に正確に位置決めするためにヘッド
位置は位置制御部１１２によって制御される。なお、切
替部１１３から出力されるＶＣＭ駆動信号はパワーアン
プ１１６で増幅され、電流としてＶＣＭ１０４に供給さ
れる。

【００１１】上記に説明した２位相サーボによりヘッド
１０２の位置決めを行うためには、三角波ＰosＱ、Ｐos
Ｎの振幅が±０．５トラック幅となるようにヘッド出力
とトラック幅とを関係づける変換係数であるゲインＧを
決定することが必要となる。また、位置検出部１０７に
おける位置検出はヘッド１０２が記録媒体１００上を移
動している間に行われるため、トラック番号の読み誤り
により目標トラックに対して±１トラックの誤差が生じ
るおそれもある。

【００１２】そこで本出願人は上記２つの課題を解決す
るために、トラック番号を読み誤った場合にも目標トラ
ックに正しく位置決めするとともに、ゲインを正確に決
定することのできる「位置信号復調方法及びポジション
感度決定方法」をすでに提案している（特開平８−１９
５０４４公報参照）。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高記録
密度でデータが記録された記録媒体１００からデータを
読み出すためには、読み出しヘッドとして薄膜ヘッドの
ようなインダクティブヘッドに比較して数倍の読み出し
感度を有するＭＲ（Magnetoresistive）ヘッドを使用す
ることが必要となるが、ＭＲヘッドを使用した場合に
は、ＭＲヘッドの中心側（内側）と円周側（外側）との
読み取り感度の差、すなわちＭＲヘッドの非直線性を補
正することが必要となる。

【００１４】図５は記憶媒体に記憶されたバーストパタ
ーンをＭＲヘッドで読み取ったときのＭＲヘッド出力波
形図、図６は図５の波形を右上がり部（出力増加部分）
と右下がり（出力減少部分）との分けて重ね書きしたＭ
Ｒヘッド出力特性図であって、○印は実測値を、直線は
理想的な特性を表す。すなわち、図６から判明するよう
に、ＳＴＷで読み取られたヘッド位置が負であるとき、
すなわちバーストパターンがＭＲヘッドの内側で読み取
られたときは、実測値は理想特性の外側にあり、読み取
りゲインは理想特性より高となる。

【００１５】逆に、ＳＴＷで読み取られた位置が正であ
るとき、すなわちバーストパターンがＭＲヘッドの外側
で読み取られたときは、実測値は理想特性の内側にあ
り、読み取りゲインは理想特性より低となる。図７はＭ
Ｒヘッドの読み取り特性（実際は図６の微分係数）を示
す読み取り特性図であって、ＭＲヘッドの読み取り特性
は内側で高となり外側で低となることが明確に示されて
いる。

【００１６】上記のような非直線性を有するＭＲヘッド
を具備する磁気記憶装置における位置決めにおいては、
ＭＲヘッドは読み取り専用であり、書込みヘッドを別個
に具備するため、さらに以下の点を考慮することが必要
となる。すなわち、磁気記憶装置がデータ書込みモード
で使用される場合は、書込みヘッドをトラック中心に位
置決めする必要があるため、バーストパターンを読み取
るＭＲヘッドはトラック中心からオフセットして位置決
めすることが必要となる。

【００１７】これに対して、磁気記憶装置がデータ読み
取りモードで使用される場合は、ＭＲヘッドをトラック
中心に位置決めすればよい。なおヘッドが記憶媒体上を
円弧状に移動することによる誤差を補償するため、デー
タ書込みモードで使用される場合にＭＲヘッドをトラッ
ク中心に位置決めし、データ読み取りモードで使用され
る場合にＭＲヘッドをトラック中心からオフセットした
位置に位置決めする装置もある。

【００１８】したがって、ＭＲヘッドを使用する場合
は、ＭＲヘッドをトラック中心だけでなくトラック中心
からオフセットした位置に正確に位置決めすることが必
要となるため、上記のＭＲヘッドの非直線性は位置決め
に対して悪影響を及ぼす。すなわち、ＭＲヘッドを具備
する磁気記憶装置において正確にヘッドを位置決めする
ためには以下の３点が重要となる。

【００１９】（１）ヘッドの非直線性に対する補正 （２）ヘッドの絶対位置のずれに対する補正 （３）ヘッドの出力とトラック幅とを対応付けるゲイン
の決定 なお、ＭＲヘッドの有する非直線性方法は、例えば特開
平８−１２４１３６号公報に開示されているが、この方
法は磁気記憶装置製造時にＭＲヘッドで読み取られたヘ
ッド位置とＳＴＷで読み取られたヘッド位置とに基づい
てＭＲヘッドの非直線性を補償するための変動率を算出
し記憶媒体に記録し、磁気記憶装置使用時にこの変動率
を読み取ることによりＭＲヘッドの非直線性を補償する
ものである。

【００２０】従って、ＭＲヘッドの非直線性の経時変化
に対応することはできない。また、ヘッドの絶対位置の
ズレの補正方法は、例えば特開平５−１７４５１０号公
報に開示されているが、これはズレを補正することによ
り記憶媒体の互換性を確保するためのものであり、ヘッ
ドの位置決め精度の向上を目的とするものではない。

【００２１】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
って、ＭＲヘッドを具備した磁気記憶装置においてヘッ
ドの位置決め精度を向上することの可能な磁気記憶装置
用ヘッド位置決め装置を提供することを目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】第１の発明に係る磁気記
憶装置用ヘッド位置決め装置は、記憶媒体上に記録され
たバーストパターンをヘッドにより読み取ることにより
相互に９０°位相が相違する２つの三角波を復調し復調
された２つの三角波からヘッド位置信号を合成するヘッ
ド位置信号合成手段と、ヘッド位置信号合成手段で合成
されたヘッド位置信号と目標ヘッド位置とに基づいてヘ
ッド位置制御信号を発生するヘッド位置制御手段と、ヘ
ッド位置制御手段で発生されたヘッド位置制御信号にヘ
ッド位置制御信号が正である場合と負である場合とで相
違する係数を乗じて補償ヘッド位置制御信号を発生する
ゲイン差補償手段と、ゲイン差補償手段で発生された補
償ヘッド位置制御信号に基づいてヘッドを記憶媒体上の
目標位置に位置決めするヘッド位置決め手段と、を具備
する。

【００２３】第１の発明に係る磁気記憶装置用ヘッド位
置決め装置にあっては、ＭＲヘッドのように内側と外側
で読み取り特性が相違するヘッドを具備する磁気記憶装
置において、ヘッド位置制御信号にヘッド位置制御信号
が正である場合と負である場合とで相違する係数を乗ず
ることによってヘッドの非直線性が補償される。第２の
発明に係る磁気記憶装置用ヘッド位置決め装置は、ゲイ
ン差補償手段とヘッド位置決め手段との間に補償ヘッド
位置制御信号を逆正弦波関数変換する逆正弦波関数変換
手段をさらに具備する。

【００２４】第２の発明に係る磁気記憶装置用ヘッド位
置決め装置にあっては、ゲイン差補償手段の出力を逆正
弦波関数変換することによってヘッドの読み取りの際の
直線性が改善される。第３の発明に係る磁気記憶装置用
ヘッド位置決め装置は、予め定められたタイミングごと
に目標ヘッド位置をヘッド出力が飽和しない振幅で正弦
波状に変動しそのときのヘッド出力の正負ピーク比もし
くは正負面積比が許容誤差範囲内で等しくなるようにゲ
イン差補償手段の補償特性を決定する補償特性決定手段
をさらに具備する。

【００２５】第３の発明に係る磁気記憶装置用ヘッド位
置決め装置にあっては、磁気記憶装置の使用中の所定の
タイミングごとにゲイン差補償手段の補償特性が決定さ
れる。第４の発明に係る磁気記憶装置用ヘッド位置決め
装置は、ゲイン差補償手段のゲイン差補償特性がサーボ
トラックライタ（ＳＴＷ）を使用して測定されたヘッド
の読み取り特性に基づいて決定される。

【００２６】第４の発明に係る磁気記憶装置用ヘッド位
置決め装置にあっては、磁気記憶装置の製造段階でゲイ
ン差補償手段のゲイン差補償特性が決定される。

【００２７】

【発明の実施の形態】図８は本発明に係る磁気記憶装置
用ヘッド位置決め装置を具備する磁気記憶装置の構成図
であって、ハードディスク部８０、制御部８１およびホ
スト計算機８２から構成される。ハードディスク部８０
には、図１と同じく記憶媒体１００を回転駆動するスピ
ンドルモータ１０１、記録媒体１００にデータを書込
み、記録媒体１００からデータを読み出すヘッド１０
２、ヘッド１０２を記録媒体１００の半径方向に移動す
るＶＣＭ１０４から構成される。

【００２８】制御部８１はマイクロコンピュータシステ
ムであって、バス８１０を中心に、ＶＣＭ駆動部８１
１、リード／ライト部８１２、復調部８１３、スピンド
ルモータ（ＳＰＭ）駆動部８１４、ＭＣＵ（マイクロコ
ントローラーユニット）８１５、リードオンリメモリ
（ＲＯＭ）８１６、インターフェイス部８１７およびキ
ャッシュメモリとして使用されるランダムアクセスメモ
リ（ＲＡＭ）８１８とから構成される。なお制御部８１
はインターフェイス部８１７を介してホスト計算機８２
と接続され、ＶＣＭ駆動部８１１にはＤ／Ａ変換器、パ
ワーアンプ１１６が含まれる。

【００２９】図９は本発明に係る磁気記憶装置用ヘッド
位置決め装置の機能線図であって、ヘッドが目標トラッ
クに接近し速度制御から位置制御に切り替えられた後の
状態を示している。すなわちヘッド１０２によって読み
取られた２位相サーボ信号はリード／ライト部８１２を
介して復調部８１３に導かれ、復調部８１３において２
つの三角波ＰosＮとＰosＱおよびトラック番号Track を
発生する。

【００３０】ヘッド位置信号生成部９０において２つの
三角波ＰosＮとＰosＱとに基づいて生成されたヘッド１
０２の位置信号Ｐhdが生成される。本発明にかかる磁気
記憶装置用ヘッド位置決め装置の位置制御部９３は、従
来の位置制御部１１２（図１）で使用されている比例積
分制御部９３２の前段にゲイン差補償部９３０と直線性
補償部９３１とを具備している。

【００３１】すなわち、ヘッド位置信号Ｐhdはゲイン差
補償部９３０でゲイン差補償され、直線性補償部９３１
で直線性補償された後、第１の比較部９２１でトラック
番号Track が加算され、ヘッドの絶対位置に変換され
る。そして第２の比較部９２２で目標位置発生部９１で
生成された目標位置Ｐtgとの偏差ΔＰが算出され、比例
積分制御部９３２に導かれる。

【００３２】さらに本発明にかかる磁気記憶装置用ヘッ
ド位置決め装置は、磁気記憶装置の使用中に所定のタイ
ミングでゲイン差補償部９３０のゲイン差補償特性を変
更するためのゲイン差補償特性決定部９４を含んでい
る。なお、図９の機能線図において一点鎖線で囲まれた
部分はストアードプログラムにより実現され、それ以外
の部分はハードワイヤード回路により実現されるものと
して以下に機能の詳細を説明するが、これは本発明を実
質的に限定するものではない。

【００３３】ゲイン差補償部９３０はＭＲヘッドがデー
タを内側で読み取る場合と外側で読み取る場合の読み取
り特性の差を補償するためのものであって、図１０にゲ
イン差補償特性を示す。図１０において横軸はゲイン差
補償部９３０の入力、縦軸はゲイン差補償部９３０の出
力を表す。なお破線は補償を行わない場合の特性を示
す。入力が負の場合、すなわちヘッドを記憶媒体１００
の内側に移動させる場合には、前述したようにＭＲヘッ
ドの内側の読み取りゲインが高いのでＭＲヘッドの出力
を低減するべくゲイン差補償部９３１の出力を低減す
る。逆に入力が正の場合、すなわちヘッドを記憶媒体１
００の外側に移動させる場合には、前述したようにＭＲ
ヘッドの外側の読み取りゲインが低いのでＭＲヘッドの
出力を増加するべくゲイン差補償部９３０の出力を増加
する。

【００３４】図１１は、ゲイン差補償部９３０の補償特
性を、無補償の場合と比較してゲインを入力が負の場合
には１０％低減し、入力が正の場合には１０％増加する
ように設定してゲイン差を補償したときのＭＲヘッド出
力特性図である。このグラフから判明するようにゲイン
差補償を施すことにより、図６に示すＭＲヘッド出力特
性図と比較して±０．３トラック幅の範囲で直線性を改
善することが可能となる。

【００３５】しかし±０．３トラックの外側において
は、ＭＲヘッドの出力が飽和することを補償することは
できない。直線性補償部９３１はこの飽和特性を改善す
るためのものであって、入力信号ｘと出力信号ｙとは次
の関係を満たす。 ｙ＝ｓｉｎ^-1ｘ すなわち、図１２は図１１に示すＭＲヘッドの出力を正
弦波上へのプロット図であって、ゲイン差補償部９３０
で補償された信号によりＭＲヘッドを移動させたとき
は、ＭＲヘッドが検出したＰosＮおよびＰosＱはほぼ正
弦波となることを示している。

【００３６】したがって、直線性補償部９３１において
入力、すなわちゲイン差補償部９３０の出力を逆正弦波
関数によってさらに補償をすることにより、直線性を一
層改善することが可能となる。図１３はゲイン差補償部
９３０の後段にさらに直線性補償部９３１を設けたとき
のＭＲヘッド出力特性図であって、図１１と比較して一
層直線性が改善されている。

【００３７】上記の説明はＭＲヘッド自体の出力特性が
正確に把握されていることを前提としているが、ＭＲヘ
ッド自体の出力特性は磁気記録装置の製造段階において
ＳＴＷを使用してバースト信号、トラック番号の書込み
を行うときに測定可能である。したがって、製造段階で
測定されたＭＲヘッド自体の出力特性を使用してゲイン
差補償部９３０および直線性補償部９３１の補償特性を
決定することが可能である。なお、ＭＲヘッドのゲイン
差を補償するためにゲイン差補償部９３０を設けること
は必須であるが、直線性補償部９３１はより直線性を改
善する必要がある場合にのみ設ければよい。

【００３８】ここで、ＭＲヘッド自体の出力特性は経時
的に不変ではなく、経時的に変化するものであるため、
磁気記録装置の使用中にゲイン差補償部９３０の補償特
性を決定することができればＭＲヘッドの出力特性の経
時的変化も補償することが可能となる。図１４は磁気記
録装置の使用中に補償特性を決定するための方法を見出
すために実施した第１のシミュレーション試験のブロッ
ク線図であって、位置比較部１４０において目標位置と
ヘッドの観測位置との偏差が算出される。偏差はコント
ローラ１４１によって制御演算がほどこされ、その出力
によってアクチュエータ（ＶＣＭ）１４０を駆動する。
なお非直線特性１４３はＭＲヘッドの読み取りゲイン差
を表し、その出力はヘッドの観測位置としてフィードバ
ックされる。そして正弦波発生器１４４によってヘッド
の目標位置を正弦波状に変動させる。

【００３９】図１５は第１のシミュレーション試験結果
の一例であって、横軸は時間を、縦軸はヘッドの観測位
置を表す。この例によれば約５ミリ秒の過渡時間経過後
にはヘッドの観測位置も正弦波状の定常波形となる。図
１６は非直線特性１４３のゲイン比（＝正のゲインＧp
／負のゲインＧn ）Ｇr をパラメータとしたときの正弦
波の周波数と観測位置のピーク比（＝｜正のピーク値／
負のピーク値｜）Ｐr の関係を示す第１のシミュレーシ
ョン試験結果の説明図であって、周波数を適当に選択す
ればゲイン比とピーク比は１対１の関係を保って変化す
ること、すなわちゲイン比を調整することによりピーク
比を一義的に変更できることを示している。

【００４０】図１７は磁気記録装置の使用中に補償特性
を決定するための方法を見出すために実施した第２のシ
ミュレーション試験のブロック線図であって、非線形特
性１４３をＳＴＷを使用して実測されたＭＲヘッド１０
２の読み出し特性を使用している。図１８は第２のシミ
ュレーション試験結果の説明図であって、パラメータは
正弦波の振幅であり、例えば０．２０は正弦波の振幅が
０．２０トラックｐ−ｐであることを表している。

【００４１】この図からヘッドの目標位置を変動させる
周波数を１．５ＫＨｚ付近に選択すれば正弦波の振幅と
ピーク比は１対１の関係を保って変化すること、すなわ
ち正弦波の振幅を変更することによりピーク比を一義的
に変更できることを示している。上記２つのシミュレー
ション試験から、適当なタイミングでヘッドを正弦波状
に変動させ、定常状態となったときにヘッド出力の正負
のピーク値の比が１．０となるようにゲイン比Ｇr を決
定することにより、ゲイン差補償部９３０の特性を決定
することが可能であることが示唆される。

【００４２】図１９は第１のゲイン差補償特性決定ルー
チンのフローチャートであって、所定のタイミング、例
えば磁気記録装置の電源が投入されとき、予め定められ
た一定時間が経過したとき、周囲温度が予め定めた所定
温度以上変化したとき、あるいはリードエラーまたはラ
イトエラーが予め定められた回数以上発生したときに実
行される。なお、このルーチンは図９の機能線図におけ
るゲイン差補償特性決定部９４を構成する。

【００４３】ステップ１９０において、例えば周波数が
１．５ＫＨｚ、振幅が０．２０トラックｐ−ｐの正弦波
の出力が開始される。ステップ１９１において過渡応答
を回避するために予め定められた一定期間、例えば５ミ
リ秒待機する。一定時間の待機が完了するとステップ１
９２に進み、正ピークＰp および負ピークＰn を検出す
る。このピーク検出にはピーク検出回路により検出され
た１つのピークを使用することも可能であるが、一定期
間にピーク検出回路で検出される複数のピークを平均す
ることによりピークの検出精度を向上することも可能で
ある。

【００４４】ステップ１９３で次式によりピーク比Ｐr
を算出する。 Ｐr ＝Ｐp ／Ｐn ステップ１９４においてピーク比Ｐr が１．０と比較し
て所定誤差範囲内（例えば０．５％以内）であるかを判
定し、所定誤差範囲外であればステップ１９５でピーク
比Ｐr が１．０以上であるか否かを判定する。

【００４５】そしてピーク比Ｐr が１．０以上であれば
ステップ１９６においてゲイン比Ｇr を予め定められた
所定量ΔＧ（例えば０．０１）増加してステップ１９１
に戻る。逆にピーク比Ｐr が１．０以下であればステッ
プ１９７においてゲイン比Ｇr を所定量ΔＧ減少してス
テップ１９１に戻る。なお、ステップ１９４においてピ
ーク比Ｐr が１．０と比較して所定誤差範囲内にあれば
ステップ１９８で正弦波の発生を停止してこのルーチン
を終了する。

【００４６】なお、上記実施例においてはピーク比に基
づいてゲイン比を決定しているが、振幅中心と正弦波と
で囲まれる正側面積と負側面積の比に基づいてゲイン比
を決定することも可能である。また上記実施例によれば
ＭＲヘッドの出力特性が磁気記憶装置の製造段階で測定
されていない場合にもゲイン比を決定することが可能で
ある。

【００４７】上記の第１のゲイン差補正特性決定ルーチ
ンによれば、ピーク比Ｐr が１．０に収束するまで繰り
返し演算を実行することが必要となるが、磁気記憶装置
の製造段階でＭＲヘッドの出力特性が測定されている場
合には、この測定結果をマップとしてＲＯＭ８１８中に
記憶しておくことにより繰り返し演算を避けることがで
きる。

【００４８】図２０は第２のゲイン差補償特性決定ルー
チンのフローチャートであって、ステップ２０４までは
第１のゲイン差補償特性決定ルーチンと同一である。す
なわち、ステップ２００において、例えば周波数が１．
５ＫＨｚ、振幅が０．２０トラックｐ−ｐの正弦波の出
力が開始される。ステップ２０１において過渡応答を回
避するために予め定められた一定期間、例えば５ミリ秒
待機する。一定時間の待機が完了するとステップ２０２
に進み、正ピークＰp および負ピークＰn を検出する。

【００４９】ステップ２０３で次式によりピーク比Ｐr
を算出する。 Ｐr ＝Ｐp ／Ｐn ステップ２０４においてピーク比Ｐr が１．０と比較し
て所定誤差範囲内（例えば０．５％以内）であるかを判
定し、所定誤差範囲外であればステップ２０５に進み、
現在のピーク比Ｐraから現状のゲイン比Ｇraを求める。

【００５０】Ｇra ＝ ｆ（Ｐra） 図２１はピーク比Ｐr とゲイン比Ｇr との関係図の一例
であって、図１６図に基づいて作成されている。例えば
現在のピーク比Ｐraが１．０と測定されたときは現状の
ゲイン比Ｇraは１．２６となる。次にステップ２０６に
おいて現状のゲイン比Ｇraとピーク比Ｐr を１．０とす
るゲイン比Ｇroとの差ΔＧを求める。

【００５１】ΔＧ＝Ｇra−Ｇro 図２１によれば、ピーク比Ｐr を１．０とするトータル
ゲイン比Ｇroは１．０１であるのでゲイン差ΔＧは１．
２６−１．０１＝０．２５となる。すなわち、経時的変
化によりＭＲヘッドのゲイン比は０．２５増加したもの
とみなすことができる。

【００５２】そこで、ステップ２０７においてゲイン差
補償部９３１に設定されているゲイン比Ｇrcをゲイン差
ΔＧ（＝０．２５）減少してこのルーチンを終了する。 Ｇrc＝Ｇrc−ΔＧ さらにステップ２０８で正弦波の出力を停止してこのル
ーチンを終了する。なお、ステップ２０４でピーク比Ｐ
r が１．０と比較して所定誤差範囲内であると判定され
たときは直接ステップ２０８に進む。

【００５３】上記によればＭＲヘッドのゲイン差を補正
するためのゲイン比を決定することは可能であるが、ゲ
イン自体を決定することはできない。ゲインＧを決定す
るためには、デコード部９０において２つの三角波Ｐos
ＱおよびＰosＮに基づいてヘッド位置信号Ｐhdを正確に
生成することが必要となるが、デコードの際に以下の2
点に留意する必要がある。

【００５４】１．ＭＲヘッドの飽和特性の影響を排除す
るために、できるかぎり２つの三角波ＰosＱおよびＰos
Ｎの振幅中心に近い部分からヘッド位置信号Ｐhdを生成
すること。 ２．前述したようにトラック番号の読み取り値が１トラ
ックずれた場合にも正しいヘッド位置信号Ｐhdを生成す
ること。

【００５５】このために、２トラックを各トラックごと
に４領域、合計８領域に分割、すなわち２つの三角波Ｐ
osＱおよびＰosＮの１周期を８つの領域に分割し、各領
域ごとに２つの三角波ＰosＱおよびＰosＮの振幅中心に
近い部分を切り出し、即ちＰosＱおよびＰosＮの絶対値
の小さい方を切り出し、切り出した波形を合成すること
によってヘッド位置信号Ｐhdを生成する。

【００５６】

【表１】

【００５７】表１はヘッド位置信号Ｐhdを生成するため
のデコード表であって、三角波ＰosＱが負から正に向か
って振幅中心を横切る点を原点、すなわち第１領域の始
点としている。そして、ヘッド位置信号Ｐhdは第１領域
ではＰosＱ信号を−０．５トラック幅平行移動すること
によって生成され、第２領域ではＰosＮ信号の符号を反
転させることにより生成される。なお表中の Trackは読
み取られたトラック番号を示している。さらにＭＲヘッ
ドの出力特性を補償するために、切り出した三角波Ｐos
ＱおよびＰosＮに正側ゲインＧp および負側ゲインＧn
を乗ずる。すなわちヘッド位置信号Ｐhdの合成に使用す
る三角波の要素が直近のゼロクロス点の左側にあるとき
はバースト信号はＭＲヘッドの内側で読み取られるので
正側ゲインＧp を乗ずる。逆にヘッド位置信号Ｐhdの合
成に使用する三角波の要素が直近のゼロクロス点の右側
にあるときはバースト信号はＭＲヘッドの外側で読み取
られるので負側ゲインＧn を乗ずる。なお、正側ゲイン
Ｇp および負側ゲインＧn の決定方法については後述す
る。

【００５８】上記の記述は読み取られたトラック番号が
正しいことを前提としているが、トラック番号が増加す
る方向にＭＲヘッドが移動している場合には１つ前のト
ラック番号を実際のトラック番号と誤認し、トラック番
号が減少する方向にＭＲヘッドが移動している場合には
１つ後のトラック番号を実際のトラック番号と誤認する
おそれがある。

【００５９】しかし、目標トラック番号の奇偶と２つの
三角波ＰosＱおよびＰosＮの符号との整合を検査するこ
とによってトラック番号の誤認を検出することが可能と
なる。例えば、目標トラック番号が偶数である場合にＰ
osＱおよびＰosＮがともに正であることはあり得ず、目
標トラック番号が奇数である場合にＰosＱおよびＰosＮ
がともに負であることもあり得ない。

【００６０】そこで目標トラック番号が偶数である場合
に第１、第２領域においてＰosＱおよびＰosＮが共に正
であれば、あるいは目標トラック番号が奇数である場合
に第５、第６領域においてＰosＱおよびＰosＮが共に負
であれば、１つ前のトラック番号が誤って読み取られた
ものとして読み取られたトラック番号 Trackに "１"を
加算してヘッド位置信号Ｐhdとする。

【００６１】目標トラック番号が偶数である場合に第
３、第４領域においてＰosＮが負、ＰosＱが正であれ
ば、あるいは目標トラック番号が奇数である場合に第
７、第８領域においてＰosＮが正、ＰosＱが負であれ
ば、１つ後のトラック番号が誤って読み取られたものと
して読み取られたトラック番号 Trackから "１" を減算
してヘッド位置信号Ｐhdとする。

【００６２】

【表２】

【００６３】表２はトラック番号が誤って読み取られた
場合のデコード表であって、表１のデコード値に対し
て、第１、２、５、６領域では読み取られたトラック番
号 Trackに "１" を加算してトラック番号とし、第３、
４、７、８領域では読み取られたトラック番号 Trackか
ら "１" を減算してトラック番号としている。以上は２
つの三角波ＰosＱおよびＰosＮの振幅が±０．５トラッ
クｐ−ｐ、周期が２トラックであることを前提としてい
るが、実際にはＭＲヘッドの出力とトラック幅とが上記
の関係となるようにゲインＧを決定することが必要とな
る。

【００６４】図２２はゲイン決定方法の説明図であっ
て、トラック番号が奇数である場合を示す。横軸はトラ
ック中心（０）を基準とするトラック幅を、縦軸はヘッ
ドの出力を表す。また実線はＰosＱ信号を、一点鎖線は
ＰosＮ信号を、二点鎖線はＰosＮ信号の反転信号を示
し、それぞれの太線はＭＲヘッドの出力を、細線は理想
出力を示している。

【００６５】前述したようにＭＲヘッドは内側、外側で
読み取り感度が異なるため、ＭＲヘッド出力に基づいて
復調された三角波ＰosＱ、ＰosＮおよび−（ＰosＮ）信
号は理想的な三角波からずれた波形となる。このずれの
影響を回避するために本発明においてはトラック中心か
ら正負方向に０．２５トラックオフセットした２ヵ所の
位置近傍で感度を算出し、その平均値をゲインＧとす
る。

【００６６】図２３はゲイン決定ルーチンのフローチャ
ートであって、２３０においてヘッド１０２をトラック
中心、すなわちＰosＮがゼロクロスする点に位置決めす
る。そしてステップ２３１において−０．２５トラック
オフセットした後、ステップ２３２でＭＲヘッド出力か
ら復調された｜ＰosＱ｜と｜ＰosＮ｜とが等しくなるよ
うにヘッド位置を調整する。そして｜ＰosＱ｜と｜Ｐos
Ｎ｜とが許容誤差範囲内で等しくなったときにステップ
２３３で｜ＰosＱ｜をＲ_- として記憶する。

【００６７】次にステップ２３４でヘッド１０２をトラ
ック中心から＋０．２５トラックオフセットした後、ス
テップ２３５でＭＲヘッド出力から復調された｜ＰosＱ
｜と｜ＰosＮ｜とが等しくなるようにヘッド位置を調整
する。そして｜ＰosＱ｜と｜ＰosＮ｜とが許容誤差範囲
内で等しくなったときにステップ２３６で｜ＰosＱ｜を
Ｒ₊ として記憶する。最後にステップ２３７で次式によ
りゲインＧを算出してこのルーチンを終了する。

【００６８】Ｇ＝（Ｒ_- ＋Ｒ₊ ）／２ 上記によって算出されたゲインＧは前述の正側ゲインＧ
p と負側ゲインＧn の平均値であるから、ステップ２３
８においてゲインＧおよびゲイン比Ｇr から正側ゲイン
Ｇp と負側ゲインＧn はつぎのように算出される。 Ｇ＝（Ｇp ＋Ｇn ）／２ であり、前述のように Ｇr ＝Ｇp ／Ｇn であるから、 Ｇp ＝２・Ｇ・Ｇr ／（Ｇr ＋１） Ｇn ＝２・Ｇ／（Ｇr ＋１） これにより、表１および表２のデコード表に基づいてＭ
Ｒヘッド１０２を所定のトラックに位置決めする際の正
側ゲインＧp および負側ゲインＧn が決定される。

【００６９】なお上記のゲイン決定ルーチンはヘッド位
置信号生成部９０（図９）の一部を構成し、ゲイン差補
償特性を決定するときに同時に実行される。また、トラ
ック番号が偶数であるトラックにおいても同様の手法で
ゲインＧを決定することも可能である。ヘッド位置信号
生成部９０（図９）におけるヘッド位置信号生成ののア
ルゴリズムとして表１および表２の内容をそのまま使用
することも可能であるが、さらに論理を簡略化すること
もできる。

【００７０】すなわち、表１および表２の論理をヘッド
位置信号Ｐhdの合成に使用する信号がＰosＱ、ＰosＮの
いづれであるかによって並び代えることにより、以下の
論理によって正側ゲインＧp と負側ゲインＧn とを選択
すればよいことが判明する。 １．ヘッド位置信号ＰhdをＰosＱから合成する場合に
は、ＰosＱ＊ＰosＮが負のときは正側ゲインＧp を使用
し、それ以外のときは負側ゲインＧn を使用する。 ２．ヘッド位置信号ＰhdをＰosＮから合成する場合に
は、ＰosＱ＊ＰosＮが負のときは負側ゲインＧn を使用
し、それ以外のときは正側ゲインＧp を使用する。

【００７１】

【表３】

【００７２】表３は上記に基づき作成されたヘッド位置
信号生成ルーチンのプログラムリスト（Ｃ言語で記載さ
れている）、図２４はヘッド位置信号生成ルーチンのフ
ローチャートであるが、以下フローチャートに基づいて
ヘッド位置信号Ｐhdの生成方法を説明する。なおプログ
ラムリスト（表３）においてＱ、ＮはそれぞれＰosＱ、
ＰosＮをPositionはヘッド位置信号Ｐhdを表す。

【００７３】まず、ステップ２４０１においてＰosＮの
絶対値がＰosＱの絶対値以下であるか、すなわちＰosＮ
がＰosＱ信号より振幅中心に近いかが判定される。ステ
ップ２４０１で肯定判定されたとき、すなわちＰosＮ信
号に基づいてヘッド位置Ｐhdが合成されるときは、ステ
ップ２４０２に進みＰosＱ＊ＰosＮが負であるかが判定
される。

【００７４】ステップ２４０２で肯定判定されたとき、
すなわちＰosＱとＰosＮの符号が相違するときは、ステ
ップ２４０３でGainを正側ゲインＧp に設定してステッ
プ２４０５に進む。逆にステップ２４０２で否定判定さ
れたとき、すなわちＰosＱとＰosＮの符号が同一である
ときは、ステップ２４０４でGainを負側ゲインＧn に設
定してステップ２４０５に進む。

【００７５】ステップ２４０５では次式によりＰosＮに
基づいてヘッド位置信号Ｐhdを合成する。 Ｐhd＝sng （ＰosＱ）＊Gain＊ＰosＮ＋Track なおsng （・）は括弧内の変数の符号を抽出する関数で
あって、括弧内の変数が正なら＋１、負なら−１とな
る。

【００７６】ステップ２４０６においてsng （ＰosＱ）
＊even（Track ）が正であるかを判定することにより、
トラック番号Track の読み誤りがないかを判定する。な
おeven（・）は括弧内の変数が偶数か奇数かを判定する
関数であって、偶数であれば＋１、奇数なら−１とな
る。ステップ２４０６で肯定判定されたとき、すなわち
トラック番号Track の読み誤りがあったときには次式に
よりトラック番号を±１補正して正しいヘッド位置信号
Ｐhdを合成してこのルーチンを終了する。

【００７７】 Ｐhd＝Ｐhd＋sng （ＰosＱ）＊sng （ＰosＮ）＊１．０ なお、１．０を乗ずるのは整数sng （ＰosＱ）＊sng
（ＰosＮ）を実数に変換するためである。なお、ステッ
プ２４０６で否定判定されたとき、すなわちトラック番
号の読み誤りがないときは直接このルーチンを終了す
る。

【００７８】逆にステップ２４０１で否定判定されたと
き、すなわちＰosＮに基づいてヘッド位置信号Ｐhdが合
成されるときは、ステップ２４０８に進みＰosＱ＊Ｐos
Ｎが負であるかが判定される。ステップ２４０２で肯定
判定されたときは、ステップ２４０９でGainを負側ゲイ
ンＧn に設定してステップ２４１１に進む。逆にステッ
プ２４０９で否定判定されたときは、ステップ２４０４
でGainを正側ゲインＧp に設定してステップ２４１１に
進む。

【００７９】そしてステップ２４１１で次式によりヘッ
ド位置信号Ｐhdを合成してこのルーチンを終了する。 Ｐhd＝sng （ＰosＮ）＊（Gain＊ＰosＱ＋even（Track
）＊０．５）＋Track なお上記のヘッド位置信号生成ルーチンはヘッド位置生
成部９０（図９）の一部を構成し、ヘッドの位置決めの
たびに実行される。

【００８０】以上は磁気記憶装置からデータを読み出す
時にＭＲヘッドをトラック中心に位置決めする場合につ
いて説明した。しかし前述したようにＭＲヘッドは読み
取り専用であり、データを書き込むためにはＭＲヘッド
とは別体のインダクティブヘッドを使用する必要があ
る。したがってデータ書込み時にはインダクティブヘッ
ドをトラック中心に位置決めするためにＭＲヘッドをト
ラック中心からオフセットした位置に位置決めすること
が必要となる。

【００８１】さらにＶＣＭにより駆動されるヘッドの移
動軌跡が直線でなく円弧となることにより生じる位置決
め誤差を補償するために、データ書き込み時にＭＲヘッ
ドをトラック中心に、データ読み取り時にＭＲヘッドを
トラック中心からオフセットした位置に位置決めするこ
とも必要となる。そしてＭＲヘッドをトラック中心から
オフセットした位置に位置決めする場合には、目標位置
発生部９１で生成される目標位置Ｐtgをオフセットする
ことにより本発明を適用することが可能であることは明
らかである。

【００８２】以上本発明を上記実施例に基づき説明した
が、本発明は特許請求の範囲に記載した主旨内で実施例
を変更することができる。

【００８３】

【発明の効果】第１の発明に係る磁気記憶装置のヘッド
位置決め装置によれば、ＭＲヘッドのようにヘッドの内
側と外側で読み取りゲインの相違するヘッドを使用する
磁気記憶装置においても位置制御信号が正である場合と
負である場合とで相異なるゲインを乗ずることによりゲ
イン差が補償され、ヘッドの位置決め精度を向上するこ
とが可能となる。

【００８４】第２の発明に係る磁気記憶装置のヘッド位
置決め装置によれば、補償後の位置制御信号を逆正弦波
関数変換することによりヘッドの出力特性の直線性をさ
らに改善することが可能となる。第３の発明に係る磁気
記憶装置のヘッド位置決め装置によれば、磁気記憶装置
の使用中の所定タイミングごとにゲイン差の補償特性を
変更することが可能となりヘッドの読み取り特性が経時
的に変化した場合にもヘッドの位置決め精度を維持する
ことが可能となる。

【００８５】第４の発明に係る磁気記憶装置のヘッド位
置決め装置によれば、磁気記憶装置の製造段階でゲイン
差の補償特性を決定することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】２位相サーボの機能線図である。

【図２】バーストパターンの説明図である。

【図３】バーストパターンの読み取ったときのヘッド出
力波形図である。

【図４】三角波ならびにヘッド位置信号の波形図であ
る。

【図５】ＭＲヘッド出力波形図である。

【図６】ＭＲヘッド出力特性図である。

【図７】ＭＲヘッドの読み取り特性図である。

【図８】磁気記憶装置の構成図である。

【図９】ヘッド位置決め装置の機能線図である。

【図１０】ゲイン差補償特性図である。

【図１１】ゲイン差補償後のＭＲヘッド出力特性図であ
る。

【図１２】正弦波上へのプロット図である。

【図１３】直線性補償後のＭＲヘッド出力特性図であ
る。

【図１４】第１のシミュレーション試験のブロック線図
である。

【図１５】第１のシミュレーション試験結果に一例であ
る。

【図１６】第１のシミュレーション試験結果の説明図で
ある。

【図１７】第２のシミュレーション試験のブロック線図
である。

【図１８】第２のシミュレーション試験結果の説明図で
ある。

【図１９】第１のゲイン差補償特性決定ルーチンのフロ
ーチャートである。

【図２０】第２のゲイン差補償特性決定ルーチンのフロ
ーチャートである。

【図２１】ピーク比とゲイン比の関係図である。

【図２２】ゲイン決定方法の説明図である。

【図２３】ゲイン決定ルーチンのフローチャートであ
る。

【図２４】ヘッド位置信号生成ルーチンのフローチャー
トである。

【符号の説明】

１０２…ＭＲヘッド １０４…ＶＣＭ（ボイスコイルモータ） １０６…パワーアンプ ８１２…リードライト部 ８１３…復調部 ９０…ヘッド位置信号生成部 ９１…目標位置発生部 ９２１…第１の比較部 ９２２…第２の比較部 ９３…位置制御部 ９３０…ゲイン差補償部 ９３１…直線性補償部 ９３２…比例積分制御部

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記憶媒体上に情報を記録するとともに、
   該記憶媒体上に記録された情報を読み取るヘッドと、 記憶媒体上に記録されたバーストパターンを前記ヘッド
   により読み取ることにより相互に９０°位相が相違する
   ２つの三角波を復調し、該復調された２つの三角波から
   ヘッド位置信号を合成するヘッド位置信号合成手段と、 前記ヘッド位置信号合成手段で合成されたヘッド位置信
   号と目標ヘッド位置とに基づいてヘッド位置制御信号を
   発生するヘッド位置制御手段と、 前記ヘッド位置制御手段で発生されたヘッド位置制御信
   号に、ヘッド位置制御信号が正である場合と負である場
   合とで相違する係数を乗じて補償ヘッド位置制御信号を
   発生するゲイン差補償手段と、 前記ゲイン差補償手段で発生された補償ヘッド位置制御
   信号に基づいて前記ヘッドを記憶媒体上の目標位置に位
   置決めするヘッド位置決め手段と、を具備する磁気記憶
   装置用ヘッド位置決め装置。
2. 【請求項２】 前記ヘッド位置信号合成手段が、 ２つの三角波のうち振幅の絶対値の小さい１つの三角波
   を使用してヘッド位置信号を合成するものであり、 前記ゲイン差補償手段が、 前記ヘッド位置制御手段で発生されたヘッド位置制御信
   号に、２つの三角波の振幅の乗算値が負である場合と正
   である場合とで相違する係数を乗ずるものである請求項
   １に記載の磁気記憶装置用ヘッド位置決め装置。
3. 【請求項３】 前記ゲイン差補償手段と前記ヘッド位置
   決め手段との間に補償ヘッド位置制御信号を逆正弦波関
   数変換する逆正弦波関数変換手段をさらに具備する請求
   項１又は２に記載の磁気記憶装置用ヘッド位置決め装
   置。
4. 【請求項４】 前記ヘッド位置信号合成手段が、 ２つの三角波の一方のゼロクロス点の前後において２つ
   の三角波の振幅の絶対値が等しくなる２点における三角
   波の振幅の絶対値の平均値に基づいてヘッド出力をトラ
   ック幅に換算するゲインを算出するゲイン算出手段を含
   む請求項１から３のいずれか１項に記載の磁気記憶装置
   用ヘッド位置決め装置。
5. 【請求項５】 予め定められたタイミングごとに、目標
   ヘッド位置をヘッド出力が飽和しない振幅で正弦波状に
   変動し、そのときのヘッド出力の正負ピーク比もしくは
   正負面積比が許容誤差範囲内で等しくなるように前記ゲ
   イン差補償手段の補償特性を決定する補償特性決定手段
   をさらに具備する請求項１から４のいずれか１項に記載
   の磁気記憶装置用ヘッド位置決め装置。
6. 【請求項６】 前記補償特性決定手段が、 磁気記憶装置に電源が投入されるたびに補償特性が決定
   されるものである請求項５に記載の磁気記憶装置用ヘッ
   ド位置決め装置。
7. 【請求項７】 前記補償特性決定手段が、 磁気記憶装置の動作時間が予め定められた基準時間が経
   過するたびに補償特性が決定されるものである請求項５
   に記載の磁気記憶装置用ヘッド位置決め装置。
8. 【請求項８】 前記補償特性決定手段が、 磁気記憶装置においてリードエラーが予め定められた基
   準回数以上発生するたびに補償特性が決定されるもので
   ある請求項５に記載の磁気記憶装置用ヘッド位置決め装
   置。
9. 【請求項９】 前記補償特性決定手段が、 磁気記憶装置においてライトエラーが予め定められた基
   準回数以上発生するたびに補償特性が決定されるもので
   ある請求項５に記載の磁気記憶装置用ヘッド位置決め装
   置。
10. 【請求項１０】 前記ゲイン差補償手段のゲイン差補償
    特性がサーボトラックライタ（ＳＴＷ）を使用して測定
    されたヘッドの読み取り特性に基づいて決定される請求
    項１又は２に記載の磁気記憶装置用ヘッド位置決め装
    置。
11. 【請求項１１】 前記ヘッドが、記憶媒体に情報を記録
    するライトヘッドと、該記憶媒体上に記録された情報を
    読み取るリードヘッドとを別個に具備する請求項１に記
    載の磁気記憶装置用ヘッド位置決め装置。
12. 【請求項１２】 前記リードヘッドがＭＲヘッドである
    請求項１１に記載の磁気記憶装置用ヘッド位置決め装
    置。
13. 【請求項１３】 前記ヘッド位置決め手段が、前記リー
    ドヘッドをトラック中心に、あるいはトラック中心から
    オフセットした位置に位置決めするものである請求項１
    １に記載の磁気記憶装置用ヘッド位置決め手段。