JPH1022260A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JPH1022260A JPH1022260A JP17832196A JP17832196A JPH1022260A JP H1022260 A JPH1022260 A JP H1022260A JP 17832196 A JP17832196 A JP 17832196A JP 17832196 A JP17832196 A JP 17832196A JP H1022260 A JPH1022260 A JP H1022260A
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- substrate
- processing
- air
- flow
- processing tank
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な手法で基板のパターン面へのクリーン
エアーの吹き付けを阻止して基板の処理品質をより良く
高める。 【解決手段】 複数の処理槽12を並設し、多数の基板
Bを収納した多孔質容器からなるキャリア11をハンド
リング手段18によって搬送しつつ順次各処理槽12の
処理液に浸漬するとともに、各処理槽12の上部に設け
た気流発生手段14からクリーンエアーを流下させてダ
ウンフローを形成し、各処理槽12から発生する処理液
蒸気や浮遊パーティクルをダウンフローと共に流下させ
て装置後方に設けた排気手段20から吸引排気するよう
にした。各基板Bは、各々その表面、つまり有効面を排
気手段20側に向けた状態で、かつ隣合う基板Bの互い
の面を対向させた起立姿勢でY軸方向に一列に並べて収
納し、キャリア11と一体にこの状態で移送するように
した。
エアーの吹き付けを阻止して基板の処理品質をより良く
高める。 【解決手段】 複数の処理槽12を並設し、多数の基板
Bを収納した多孔質容器からなるキャリア11をハンド
リング手段18によって搬送しつつ順次各処理槽12の
処理液に浸漬するとともに、各処理槽12の上部に設け
た気流発生手段14からクリーンエアーを流下させてダ
ウンフローを形成し、各処理槽12から発生する処理液
蒸気や浮遊パーティクルをダウンフローと共に流下させ
て装置後方に設けた排気手段20から吸引排気するよう
にした。各基板Bは、各々その表面、つまり有効面を排
気手段20側に向けた状態で、かつ隣合う基板Bの互い
の面を対向させた起立姿勢でY軸方向に一列に並べて収
納し、キャリア11と一体にこの状態で移送するように
した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板や液晶
ガラス基板等の基板を処理液に浸漬してその表面にエッ
チング、洗浄等の処理を施すように構成された基板処理
装置に関するものである。
ガラス基板等の基板を処理液に浸漬してその表面にエッ
チング、洗浄等の処理を施すように構成された基板処理
装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来から、半導体基板や液晶ガラス基板
等の精密電子基板(以下、単に基板という)の製造プロ
セスにおいては、各種処理液をそれぞれ貯留して一列に
整列配置された複数の処理槽にわたって基板を順次浸漬
することにより基板に薬液処理や水洗処理等の一連の化
学処理を施すことが行われている。
等の精密電子基板(以下、単に基板という)の製造プロ
セスにおいては、各種処理液をそれぞれ貯留して一列に
整列配置された複数の処理槽にわたって基板を順次浸漬
することにより基板に薬液処理や水洗処理等の一連の化
学処理を施すことが行われている。
【0003】この種の基板処理装置では、一般に、各処
理槽に対して水平動及び上下動が可能なハンドリング手
段が装備され、このハンドリング手段により基板を保持
して各処理槽にわたって移送するようになっている。ハ
ンドリング手段には多数の基板が互いの面を対向させた
起立姿勢で一列に並べられて支持されており、この状態
で各処理槽に対して出し入れされるようになっている。
理槽に対して水平動及び上下動が可能なハンドリング手
段が装備され、このハンドリング手段により基板を保持
して各処理槽にわたって移送するようになっている。ハ
ンドリング手段には多数の基板が互いの面を対向させた
起立姿勢で一列に並べられて支持されており、この状態
で各処理槽に対して出し入れされるようになっている。
【0004】また、各処理槽の上部には気流発生手段が
配置されており、これによって清浄な気流(クリーンエ
アー:以下、単にエアーという)を流下させてダウンフ
ローを形成し、各処理槽から発生する処理液蒸気や基板
移送に伴う浮遊パーティクルをこのダウンフローと共に
流下させて排気手段から排気するようになっている。
配置されており、これによって清浄な気流(クリーンエ
アー:以下、単にエアーという)を流下させてダウンフ
ローを形成し、各処理槽から発生する処理液蒸気や基板
移送に伴う浮遊パーティクルをこのダウンフローと共に
流下させて排気手段から排気するようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記のような装置で
は、処理槽が装置下方に配置されている関係上、エアー
の排気手段が装置側部下方に設けられることが多く、そ
のためダウンフローを形成するエアーが装置下方で斜め
方向に流下している場合が多い。ところが、従来では、
効率良く、かつ確実に処理液蒸気等を排気することがで
きれば、エアーが多少斜め方向に流下していても特に問
題視されることはなかった。
は、処理槽が装置下方に配置されている関係上、エアー
の排気手段が装置側部下方に設けられることが多く、そ
のためダウンフローを形成するエアーが装置下方で斜め
方向に流下している場合が多い。ところが、従来では、
効率良く、かつ確実に処理液蒸気等を排気することがで
きれば、エアーが多少斜め方向に流下していても特に問
題視されることはなかった。
【0006】しかし、エアーが斜め方向に流下している
と、処理液から基板が引き上げられたときに基板のパタ
ーン面(素子等のパターンが形成される基板の有効面)
にエアーが直接吹き付けられて斑乾燥が生じたり、ある
いは基板のパターン面に付着した処理液が部分的に風圧
により下半分に押しやられ、押しやられた処理液の存在
する部分のみ過度に処理が進行してパターン面における
処理むらが生じ、処理液膜厚の均一性が損なわれる等す
る場合があり、これが基板の処理品質を高める上でのマ
イナス要素となっている。
と、処理液から基板が引き上げられたときに基板のパタ
ーン面(素子等のパターンが形成される基板の有効面)
にエアーが直接吹き付けられて斑乾燥が生じたり、ある
いは基板のパターン面に付着した処理液が部分的に風圧
により下半分に押しやられ、押しやられた処理液の存在
する部分のみ過度に処理が進行してパターン面における
処理むらが生じ、処理液膜厚の均一性が損なわれる等す
る場合があり、これが基板の処理品質を高める上でのマ
イナス要素となっている。
【0007】そこで、基板のパターン面へのエアーの吹
き付けを阻止すべく、エアーがより鉛直方向に流下する
ように気流発生手段と排気手段を対向配置するのが望ま
しいが、スペース等との関係でこれにもおのずと限界が
ある。
き付けを阻止すべく、エアーがより鉛直方向に流下する
ように気流発生手段と排気手段を対向配置するのが望ま
しいが、スペース等との関係でこれにもおのずと限界が
ある。
【0008】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたものであり、基板のパターン面へのクリーンエアー
の吹き付けを阻止して基板の処理品質をより良く高める
ことができる基板処理装置を提供することを目的として
いる。
れたものであり、基板のパターン面へのクリーンエアー
の吹き付けを阻止して基板の処理品質をより良く高める
ことができる基板処理装置を提供することを目的として
いる。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る基板処理
装置は、基板に処理を施す処理液を貯留した処理槽と、
基板を処理槽内、処理槽外に搬送するハンドリング手段
と、処理槽の上方から気流を流下させる気流発生手段
と、気流発生手段から流下し処理槽付近を通過した気流
を排出する排気手段とを備えた基板処理装置において、
前記ハンドリング手段は基板のパターン面を気流の流れ
方向下流側に配して保持するものである。
装置は、基板に処理を施す処理液を貯留した処理槽と、
基板を処理槽内、処理槽外に搬送するハンドリング手段
と、処理槽の上方から気流を流下させる気流発生手段
と、気流発生手段から流下し処理槽付近を通過した気流
を排出する排気手段とを備えた基板処理装置において、
前記ハンドリング手段は基板のパターン面を気流の流れ
方向下流側に配して保持するものである。
【0010】請求項2に係る基板処理装置は、請求項1
記載の基板処理装置において、上記排気手段が処理槽の
側方に設けられ、ハンドリング手段が基板のパターン面
を排気手段の方向に向けて保持するものである。
記載の基板処理装置において、上記排気手段が処理槽の
側方に設けられ、ハンドリング手段が基板のパターン面
を排気手段の方向に向けて保持するものである。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を用いて説明する。図1及び図2は本発明に係る基板処
理装置の構成を概略的に示している。これらの図に示す
基板処理装置10は、基板として半導体ウエハを複数種
類の処理液に浸漬することにより基板表面に所定の化学
処理を施すタイプの装置であって、同図に示すように、
一方向に並設される複数の処理槽12と、これら処理槽
12の上部に配設される気流発生手段14と、気流発生
手段14と処理槽12の間に形成される空間16内にお
いて、基板を処理槽12の配設方向(X軸方向という)
に移送するハンドリング手段18と、処理槽12の配設
域側方にわたって開口する排気手段20とを備えてい
る。
を用いて説明する。図1及び図2は本発明に係る基板処
理装置の構成を概略的に示している。これらの図に示す
基板処理装置10は、基板として半導体ウエハを複数種
類の処理液に浸漬することにより基板表面に所定の化学
処理を施すタイプの装置であって、同図に示すように、
一方向に並設される複数の処理槽12と、これら処理槽
12の上部に配設される気流発生手段14と、気流発生
手段14と処理槽12の間に形成される空間16内にお
いて、基板を処理槽12の配設方向(X軸方向という)
に移送するハンドリング手段18と、処理槽12の配設
域側方にわたって開口する排気手段20とを備えてい
る。
【0012】上記各処理槽12は、上部開口を有した箱
型の容器からなり、それぞれ区画して連設された処理槽
支持フレーム22内に配置されている。図2に示すよう
に、処理槽12は内槽12aと、内槽12aからオーバ
ーフローした処理液を受ける外槽12bとからなる。外
槽12bには処理液導出管26がつながり、さらにフィ
ルタ30、ポンプ28を介して、内槽12aの処理液導
入管24につながる。外槽12bの処理液は処理液導出
管26を通ってフィルタ30に至り、フィルタ30にて
浄化される。さらに、浄化された処理液はポンプ28に
よって処理液導入管24を通じて内槽12aに供給され
る。これにより処理液を浄化しながら循環使用する。
型の容器からなり、それぞれ区画して連設された処理槽
支持フレーム22内に配置されている。図2に示すよう
に、処理槽12は内槽12aと、内槽12aからオーバ
ーフローした処理液を受ける外槽12bとからなる。外
槽12bには処理液導出管26がつながり、さらにフィ
ルタ30、ポンプ28を介して、内槽12aの処理液導
入管24につながる。外槽12bの処理液は処理液導出
管26を通ってフィルタ30に至り、フィルタ30にて
浄化される。さらに、浄化された処理液はポンプ28に
よって処理液導入管24を通じて内槽12aに供給され
る。これにより処理液を浄化しながら循環使用する。
【0013】上記気流発生手段14は、図外の送風用フ
ァンを内蔵した給気部14aと、その下部に配設される
空気清浄フィルタ14bとから構成されており、上記空
間16に向けて清浄な気流(エアー)を流下させてダウ
ンフローを形成するように構成されている。すなわち、
各処理槽12から発生する処理液蒸気や基板移送に伴う
浮遊パーティクルをダウンフローと共に流下させつつ上
記排気手段20を介して吸引排気するようになってい
る。なお、上記排気手段20は、気流発生手段14の直
下方に処理槽12及び処理槽支持フレーム22が配置さ
れ、またY軸方向(X軸方向と水平面上で直交する方
向)前方(すなわち、基板処理装置の前方;図2では右
方)にハンドリング手段18の可動機構部分(後述)が
配置される関係上、基板処理装置10の後方側部に配置
されている。
ァンを内蔵した給気部14aと、その下部に配設される
空気清浄フィルタ14bとから構成されており、上記空
間16に向けて清浄な気流(エアー)を流下させてダウ
ンフローを形成するように構成されている。すなわち、
各処理槽12から発生する処理液蒸気や基板移送に伴う
浮遊パーティクルをダウンフローと共に流下させつつ上
記排気手段20を介して吸引排気するようになってい
る。なお、上記排気手段20は、気流発生手段14の直
下方に処理槽12及び処理槽支持フレーム22が配置さ
れ、またY軸方向(X軸方向と水平面上で直交する方
向)前方(すなわち、基板処理装置の前方;図2では右
方)にハンドリング手段18の可動機構部分(後述)が
配置される関係上、基板処理装置10の後方側部に配置
されている。
【0014】上記ハンドリング手段18は、Y軸方向に
延びる一対のアーム34を備えたヘッド32と、このヘ
ッド32をX軸方向及び上下方向(Z軸方向)に移動さ
せるX軸駆動機構及びZ軸駆動機構から構成されてい
る。
延びる一対のアーム34を備えたヘッド32と、このヘ
ッド32をX軸方向及び上下方向(Z軸方向)に移動さ
せるX軸駆動機構及びZ軸駆動機構から構成されてい
る。
【0015】上記アーム34は、ヘッド32にX軸方向
に接離可能に設けられており、ヘッド32に内蔵された
エアシリンダの駆動に伴い作動するようになっていると
ともに、その下部には基板Bを収納したキャリア11の
縁部に係合する係合部35が設けられ、各アーム34が
接近した図1に示す状態で、キャリア11のX軸方向両
縁部に上記係合部35が係合してキャリア11を保持す
るようになっている。
に接離可能に設けられており、ヘッド32に内蔵された
エアシリンダの駆動に伴い作動するようになっていると
ともに、その下部には基板Bを収納したキャリア11の
縁部に係合する係合部35が設けられ、各アーム34が
接近した図1に示す状態で、キャリア11のX軸方向両
縁部に上記係合部35が係合してキャリア11を保持す
るようになっている。
【0016】キャリア11は、例えば耐化学薬品性の樹
脂材料等から形成された上部に収納用開口部を有する容
器であり、その内部には多数の基板Bが一定の間隔でY
軸方向に一列に並べられて支持されている。より詳しく
は、多数の基板Bが各々そのパターン面、つまり有効面
を排気手段20側に向け、隣合う基板Bの互いの面を対
向させた起立姿勢で一列に並べられて支持されている。
脂材料等から形成された上部に収納用開口部を有する容
器であり、その内部には多数の基板Bが一定の間隔でY
軸方向に一列に並べられて支持されている。より詳しく
は、多数の基板Bが各々そのパターン面、つまり有効面
を排気手段20側に向け、隣合う基板Bの互いの面を対
向させた起立姿勢で一列に並べられて支持されている。
【0017】上記ヘッド32は、図2に示すように上記
処理槽支持フレーム22の側部に配置されており、支持
軸36を介して上記X軸駆動機構及びZ軸駆動駆動機構
に連結されている。これらの駆動機構については図示を
省略しているが、上記ヘッド32の下方にはフレームが
設けられ、上記支持軸36がこのフレームに上下動自在
に支持されるとともに、Z軸モータにより駆動するボー
ルねじ機構に連結され、このZ軸モータの正逆回転駆動
により上記支持軸36とヘッド32が一体に上下動する
ようにZ軸駆動機構が構成されている。また、処理槽1
2の配設方向に延びるガイドレールが設けられ、このガ
イドレールに上記フレームが移動可能に装着されるとと
もに、このフレームがX軸モータにより駆動するボール
ねじ機構に連結され、このX軸モータの正逆回転駆動に
よりヘッド32とフレームが一体にX軸方向に移動する
ようにX軸駆動機構が構成されている。
処理槽支持フレーム22の側部に配置されており、支持
軸36を介して上記X軸駆動機構及びZ軸駆動駆動機構
に連結されている。これらの駆動機構については図示を
省略しているが、上記ヘッド32の下方にはフレームが
設けられ、上記支持軸36がこのフレームに上下動自在
に支持されるとともに、Z軸モータにより駆動するボー
ルねじ機構に連結され、このZ軸モータの正逆回転駆動
により上記支持軸36とヘッド32が一体に上下動する
ようにZ軸駆動機構が構成されている。また、処理槽1
2の配設方向に延びるガイドレールが設けられ、このガ
イドレールに上記フレームが移動可能に装着されるとと
もに、このフレームがX軸モータにより駆動するボール
ねじ機構に連結され、このX軸モータの正逆回転駆動に
よりヘッド32とフレームが一体にX軸方向に移動する
ようにX軸駆動機構が構成されている。
【0018】なお、上記ヘッド32と空間16との間に
は処理槽12の配設方向にわたってこれらの間を仕切る
隔壁40a,40bが立設されており、ハンドリング手
段18の上記アーム34の部分のみがこの隔壁40bに
形成されたアーム水平動開口部44及びアーム昇降開口
部42を介して上記空間16内に突出するようになって
いる。すなわち、上記ような隔壁40によりハンドリン
グ手段18の可動機構部分を空間16から隔離すること
により、空間16へのパーティクルの侵入及び処理液蒸
気による機構部分の腐食等を防止するようになってい
る。
は処理槽12の配設方向にわたってこれらの間を仕切る
隔壁40a,40bが立設されており、ハンドリング手
段18の上記アーム34の部分のみがこの隔壁40bに
形成されたアーム水平動開口部44及びアーム昇降開口
部42を介して上記空間16内に突出するようになって
いる。すなわち、上記ような隔壁40によりハンドリン
グ手段18の可動機構部分を空間16から隔離すること
により、空間16へのパーティクルの侵入及び処理液蒸
気による機構部分の腐食等を防止するようになってい
る。
【0019】以上のように構成された上記基板処理装置
10による基板Bの処理では、先ず、ハンドリング手段
18のヘッド32がX軸方向の一方側端部に設けられた
基板導入部にセットされ、基板Bを収納したキャリア1
1がアーム34によって保持された後、X軸方向の他方
側に向かって移動させられる。
10による基板Bの処理では、先ず、ハンドリング手段
18のヘッド32がX軸方向の一方側端部に設けられた
基板導入部にセットされ、基板Bを収納したキャリア1
1がアーム34によって保持された後、X軸方向の他方
側に向かって移動させられる。
【0020】キャリア11が最初の処理槽12の上方に
配置されると、ヘッド32が下降端位置まで移動させら
れ、これに伴いキャリア11と基板Bが一体に処理槽1
2内の処理液に浸漬させられる。そして、一定時間が経
過すると、ヘッド32が上昇端位置まで移動させられ、
これによりキャリア11が処理槽12から取出されて基
板Bに対する当該処理槽12での処理が完了する。
配置されると、ヘッド32が下降端位置まで移動させら
れ、これに伴いキャリア11と基板Bが一体に処理槽1
2内の処理液に浸漬させられる。そして、一定時間が経
過すると、ヘッド32が上昇端位置まで移動させられ、
これによりキャリア11が処理槽12から取出されて基
板Bに対する当該処理槽12での処理が完了する。
【0021】最初の処理槽12での処理が完了すると、
ヘッド32がさらにX軸方向に移動させられて次の処理
槽12の上方に配置されるとともに、ヘッド32の昇降
に応じて上記同様にキャリア11と基板Bが一体に処理
液に浸漬され、これにより基板Bに処理が施される。
ヘッド32がさらにX軸方向に移動させられて次の処理
槽12の上方に配置されるとともに、ヘッド32の昇降
に応じて上記同様にキャリア11と基板Bが一体に処理
液に浸漬され、これにより基板Bに処理が施される。
【0022】このような基板Bの処理動作中、上記空間
16には気流発生手段14で生成されたエアーによるダ
ウンフロー(図2の白抜き矢印に示す)が形成されてお
り、各処理槽12からの処理液蒸気や浮遊パーティクル
がこのダウンフローと共に流下させられながら上記排気
手段20を介して外部に排気されている。そのため、移
送途中の基板Bが処理液蒸気により影響を受けたり、あ
るいは基板Bにパーティクルが付着するといったことが
効果的に防止される。
16には気流発生手段14で生成されたエアーによるダ
ウンフロー(図2の白抜き矢印に示す)が形成されてお
り、各処理槽12からの処理液蒸気や浮遊パーティクル
がこのダウンフローと共に流下させられながら上記排気
手段20を介して外部に排気されている。そのため、移
送途中の基板Bが処理液蒸気により影響を受けたり、あ
るいは基板Bにパーティクルが付着するといったことが
効果的に防止される。
【0023】ところで、上記基板処理装置10では上述
のように排気手段20が装置後方に配置されているた
め、エアーは上記空間16の下方で排気手段20に向か
って斜め方向に流下している。そのため、図3に示すよ
うに、斜め方向に流下したエアー(同図の白抜き矢印は
エアーの流れを示す)が移送途中の基板Bの面に直接吹
き付けられるが、上記基板処理装置10では、上述の通
りパターン面を排気手段20側(図3では左側)に向け
た状態で各基板Bがキャリア11に保持されているた
め、基板Bのパターン面に直接エアーが吹き付けられる
ことがない。
のように排気手段20が装置後方に配置されているた
め、エアーは上記空間16の下方で排気手段20に向か
って斜め方向に流下している。そのため、図3に示すよ
うに、斜め方向に流下したエアー(同図の白抜き矢印は
エアーの流れを示す)が移送途中の基板Bの面に直接吹
き付けられるが、上記基板処理装置10では、上述の通
りパターン面を排気手段20側(図3では左側)に向け
た状態で各基板Bがキャリア11に保持されているた
め、基板Bのパターン面に直接エアーが吹き付けられる
ことがない。
【0024】こうして、以後ヘッド32の移動及び昇降
が繰り返し行われつつ各処理槽12においてキャリア1
1が処理液に浸漬されることにより所定の処理が順次基
板Bに施される。そしてすべての処理が完了すると、ヘ
ッド32がX軸方向の他方側端部に設けられた基板導出
部にセットされ、これによりキャリア11と基板Bが一
体に次工程へと導出される。
が繰り返し行われつつ各処理槽12においてキャリア1
1が処理液に浸漬されることにより所定の処理が順次基
板Bに施される。そしてすべての処理が完了すると、ヘ
ッド32がX軸方向の他方側端部に設けられた基板導出
部にセットされ、これによりキャリア11と基板Bが一
体に次工程へと導出される。
【0025】以上説明したように、上記基板処理装置1
0によれば、パターン面を排気手段20側に向けた状
態、すなわちパターン面をエアーの流れ方向下流側に向
けた状態で基板Bが移送されるため、排気手段20に向
かって斜め方向にエアーが流下しているにも拘らず、基
板Bのパターン面に直接エアーが吹き付けられることが
ない。そのため、基板Bのパターン面にエアーが直接吹
き付けられることに起因する基板Bのパターン面の斑乾
燥や、風圧作用による下半分への液の押しやりに起因す
る不均一な処理液膜厚の形成を効果的に抑えることがで
き、これにより基板Bの処理品質をより良く高めること
ができる。
0によれば、パターン面を排気手段20側に向けた状
態、すなわちパターン面をエアーの流れ方向下流側に向
けた状態で基板Bが移送されるため、排気手段20に向
かって斜め方向にエアーが流下しているにも拘らず、基
板Bのパターン面に直接エアーが吹き付けられることが
ない。そのため、基板Bのパターン面にエアーが直接吹
き付けられることに起因する基板Bのパターン面の斑乾
燥や、風圧作用による下半分への液の押しやりに起因す
る不均一な処理液膜厚の形成を効果的に抑えることがで
き、これにより基板Bの処理品質をより良く高めること
ができる。
【0026】従って、処理液蒸気等の排気効率等、ある
いはスペース効率を優先する観点からエアーの排気手段
の設置場所に制限が課せられる結果、エアーを斜め方向
へ流下させざるを得ないような場合であっても、上記排
気効率等の所期の目的を達成しながら基板品質をより良
く高めることができる。
いはスペース効率を優先する観点からエアーの排気手段
の設置場所に制限が課せられる結果、エアーを斜め方向
へ流下させざるを得ないような場合であっても、上記排
気効率等の所期の目的を達成しながら基板品質をより良
く高めることができる。
【0027】なお、上記基板処理装置10は、本願発明
に係る基板処理装置の一例であって、その具体的な構成
は、本願発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能で
ある。
に係る基板処理装置の一例であって、その具体的な構成
は、本願発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能で
ある。
【0028】例えば、上記実施形態の基板処理装置10
では、半導体ウエハに処理を施す装置を例に説明した
が、勿論、被処理基板が半導体ウエハ以外の例えば液晶
用ガラス基板等の精密電子基板であっても、基板を順次
処理液に浸漬して処理を施すタイプの装置であれば本願
発明の適用は可能である。
では、半導体ウエハに処理を施す装置を例に説明した
が、勿論、被処理基板が半導体ウエハ以外の例えば液晶
用ガラス基板等の精密電子基板であっても、基板を順次
処理液に浸漬して処理を施すタイプの装置であれば本願
発明の適用は可能である。
【0029】また、ハンドリング手段18の具体的な構
成も、基板Bをキャリア11に収納して移送するものに
限られず、例えば基板Bを直接保持して移送するような
構成であってもよい。
成も、基板Bをキャリア11に収納して移送するものに
限られず、例えば基板Bを直接保持して移送するような
構成であってもよい。
【0030】また、上記ハンドリング手段18は、処理
槽12内に直接基板Bを搬入するものであるが、処理槽
内にて上昇、下降して基板を処理槽内の処理液に対して
浸漬させたり引き上げたりするリフター手段と、上昇し
て処理液面より上方に位置したリフター手段に対して基
板を受け渡しする基板搬送手段とからなるものであって
もよい。
槽12内に直接基板Bを搬入するものであるが、処理槽
内にて上昇、下降して基板を処理槽内の処理液に対して
浸漬させたり引き上げたりするリフター手段と、上昇し
て処理液面より上方に位置したリフター手段に対して基
板を受け渡しする基板搬送手段とからなるものであって
もよい。
【0031】さらに、上記基板処理装置10では、各基
板Bを略鉛直方向に向けた起立姿勢でキャリア11に保
持して搬送するようにしているが、例えば、図4に示す
ように、基板Bの裏面、すなわち非有効面がエアーの流
れ方向上流側に向くように各基板Bを鉛直方向に対して
角度θだけ傾けて保持するようにしてもよい。このよう
な構成によれば、排気手段20に向かって斜め方向に流
下するエアーが基板Bのパターン面に直接吹き付けられ
るのをより確実に阻止することが可能となる。この場
合、上記角度θは、排気手段20の具体的な位置、吸引
力の程度等に応じて、エアーが基板Bの表面に吹き付け
られるのをより確実に阻止することができるように適宜
選定するようにすればよい。
板Bを略鉛直方向に向けた起立姿勢でキャリア11に保
持して搬送するようにしているが、例えば、図4に示す
ように、基板Bの裏面、すなわち非有効面がエアーの流
れ方向上流側に向くように各基板Bを鉛直方向に対して
角度θだけ傾けて保持するようにしてもよい。このよう
な構成によれば、排気手段20に向かって斜め方向に流
下するエアーが基板Bのパターン面に直接吹き付けられ
るのをより確実に阻止することが可能となる。この場
合、上記角度θは、排気手段20の具体的な位置、吸引
力の程度等に応じて、エアーが基板Bの表面に吹き付け
られるのをより確実に阻止することができるように適宜
選定するようにすればよい。
【0032】また、上記図3及び図4に示す例では、基
板処理装置10の後方に排気手段20が配設され、全て
の基板Bが、そのパターン面を排気手段20に向けた状
態で保持されるようになっているが、基板処理装置10
の前後双方に排気手段20が配置され、エアーが空間1
6の下方中間位置から前後の各排気手段20に向かって
それぞれ流下するような装置の場合には、例えば、これ
らの各エアーの流れに対応させて各基板Bを保持するよ
うにすればよい。具体的には、キャリア11の中間位置
から後方にある各基板Bについてはそのパターン面を後
方の排気手段20側に向けて配置し、中間位置から前方
にある各基板Bについてはそのパターン面を前方の排気
手段20側に向けて配置するようにすればよい。この場
合にも、キャリア11に保持した各基板Bのパターン面
にエアーが直接吹き付けられるのを効果的に阻止するこ
とができる。
板処理装置10の後方に排気手段20が配設され、全て
の基板Bが、そのパターン面を排気手段20に向けた状
態で保持されるようになっているが、基板処理装置10
の前後双方に排気手段20が配置され、エアーが空間1
6の下方中間位置から前後の各排気手段20に向かって
それぞれ流下するような装置の場合には、例えば、これ
らの各エアーの流れに対応させて各基板Bを保持するよ
うにすればよい。具体的には、キャリア11の中間位置
から後方にある各基板Bについてはそのパターン面を後
方の排気手段20側に向けて配置し、中間位置から前方
にある各基板Bについてはそのパターン面を前方の排気
手段20側に向けて配置するようにすればよい。この場
合にも、キャリア11に保持した各基板Bのパターン面
にエアーが直接吹き付けられるのを効果的に阻止するこ
とができる。
【0033】なお、本実施形態における処理液としては
純水や薬液が用いられる。そして、薬液としては、アン
モニアと過酸化水素水との混合溶液、塩酸と過酸化水素
水との混合溶液、硫酸と過酸化水素水との混合溶液等が
用いられる。これらは基板に付着したパーティクル、重
金属汚染物質、有機汚染物質等をそれぞれ除去する。な
お、基板に対してエッチング処理をするため、薬液とし
てフッ化水素酸、フッ化アンモニウム、硝酸、燐酸、酢
酸の何れか、または、それらの幾つかを選択して混合し
た溶液を用いる場合がある。エッチング処理において、
基板のパターン面での処理の不均一はパターン面に形成
される素子に致命的な損害を与えることがあるので、パ
ターン面の均一な処理を実現できる本発明はエッチング
処理において特に有効である。
純水や薬液が用いられる。そして、薬液としては、アン
モニアと過酸化水素水との混合溶液、塩酸と過酸化水素
水との混合溶液、硫酸と過酸化水素水との混合溶液等が
用いられる。これらは基板に付着したパーティクル、重
金属汚染物質、有機汚染物質等をそれぞれ除去する。な
お、基板に対してエッチング処理をするため、薬液とし
てフッ化水素酸、フッ化アンモニウム、硝酸、燐酸、酢
酸の何れか、または、それらの幾つかを選択して混合し
た溶液を用いる場合がある。エッチング処理において、
基板のパターン面での処理の不均一はパターン面に形成
される素子に致命的な損害を与えることがあるので、パ
ターン面の均一な処理を実現できる本発明はエッチング
処理において特に有効である。
【0034】
【発明の効果】請求項1の発明によれば、ハンドリング
手段は、基板のパターン面を気流の流れ方向下流側に配
して保持するので、基板のパターン面に気流が吹き付け
られるのを効果的に阻止することができる。そのため、
気流の吹き付けに起因したパターン面の斑乾燥等の発生
を防止して、基板の処理品質をより良く高めることがで
きる。
手段は、基板のパターン面を気流の流れ方向下流側に配
して保持するので、基板のパターン面に気流が吹き付け
られるのを効果的に阻止することができる。そのため、
気流の吹き付けに起因したパターン面の斑乾燥等の発生
を防止して、基板の処理品質をより良く高めることがで
きる。
【0035】請求項2の発明によれば、排気手段は、処
理槽の側方に設けられ、ハンドリング手段は基板のパタ
ーン面を排気手段の方向に向けて保持するので、スペー
ス等の理由から排気手段を装置側部に設けざるをえず、
それ故に排気手段に向かって斜め方向に気流が流下する
ような装置において、各基板のパターン面への気流の吹
き付けを適切に阻止することができる。また、既に排気
手段が処理槽の側方に設けられている基板処理装置に対
しても容易に本発明を適用できる。
理槽の側方に設けられ、ハンドリング手段は基板のパタ
ーン面を排気手段の方向に向けて保持するので、スペー
ス等の理由から排気手段を装置側部に設けざるをえず、
それ故に排気手段に向かって斜め方向に気流が流下する
ような装置において、各基板のパターン面への気流の吹
き付けを適切に阻止することができる。また、既に排気
手段が処理槽の側方に設けられている基板処理装置に対
しても容易に本発明を適用できる。
【図1】本願発明に係る基板処理装置の一例を示す斜視
断面略図である。
断面略図である。
【図2】本願発明に係る基板処理装置の一例を示す要部
断面略図である。
断面略図である。
【図3】ダウンフローを形成する気流の流れを示す模式
図である。
図である。
【図4】ハンドリング手段による基板の他の保持状態を
示す図3に対応する図である。
示す図3に対応する図である。
10 基板処理装置 11 キャリア 12 処理槽 14 気流発生手段 16 空間 18 ハンドリング手段 20 排気手段 22 処理槽支持フレーム 32 ヘッド 34 アーム B 基板
Claims (2)
- 【請求項1】 基板に処理を施す処理液を貯留した処理
槽と、基板を処理槽内、処理槽外に搬送するハンドリン
グ手段と、処理槽の上方から気流を流下させる気流発生
手段と、気流発生手段から流下し処理槽付近を通過した
気流を排出する排気手段とを備えた基板処理装置におい
て、前記ハンドリング手段は基板のパターン面を気流の
流れ方向下流側に配して保持することを特徴とする基板
処理装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の基板処理装置において、
上記排気手段は処理槽の側方に設けられ、ハンドリング
手段は基板のパターン面を排気手段の方向に向けて保持
することを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17832196A JPH1022260A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17832196A JPH1022260A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1022260A true JPH1022260A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=16046446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17832196A Withdrawn JPH1022260A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1022260A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014110376A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 前室局所クリーン化搬送機構 |
-
1996
- 1996-07-08 JP JP17832196A patent/JPH1022260A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014110376A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 前室局所クリーン化搬送機構 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031007 |