JPH10217103A - 研磨用クロスのドレッサー及びその製造方法 - Google Patents

研磨用クロスのドレッサー及びその製造方法

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JPH10217103A
JPH10217103A JP3987097A JP3987097A JPH10217103A JP H10217103 A JPH10217103 A JP H10217103A JP 3987097 A JP3987097 A JP 3987097A JP 3987097 A JP3987097 A JP 3987097A JP H10217103 A JPH10217103 A JP H10217103A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造が簡単で、半導体ウエハー等の被研磨物
の研磨にスクラッチ傷を付けることのない研磨用クロス
のドレッサー及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 ポリッシング装置の研磨用クロスの表面
をドレッシングして目立てや研磨による経時変化を修正
する研磨用クロスのドレッサーであって、金属基体１の
表面に多数の尖頭状の突起部３を形成し、金属基体１の
少なくとも突起部が形成された表面２に耐摩耗性硬質膜
４を形成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハー等
の被研磨物の表面研磨に用いられるポリッシング装置の
研磨用クロスの研磨による経時変化を修正する研磨用ク
ロスのドレッサー及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハー等の被研磨物の表面研磨
に用いられるポリッシング装置はターンテーブル上面に
研磨用クロスを貼り付け、該研磨用クロスの上面にトッ
プリング等に装着された被研磨物の表面を当接し、研磨
用クロスの上面に砥液（スラリー）を注入しながら、研
磨用クロスと被研磨物の相対運動により被研磨物の表面
を研磨する構成である。
【０００３】上記構成のポリッシング装置において、研
磨が継続すると研磨用クロスに砥液の砥粒、被研磨物の
研磨屑等が付着したり、突き刺さったり、研磨の継続に
より研磨用クロスの表面が経時変化を起す。そこで、所
定時間研磨を継続したら、研磨用クロスの表面をドレッ
サーを用いてドレッシングして、目立てや経時変化の修
正をする必要がある。従来この種のドレッサーとして
は、セラミックス焼結材を用いたセラミックス焼結ドレ
ッサー、表面にダイヤモンド粒を電着した電着ドレッサ
ーが使われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のドレッサー
において、ＳｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3等に代表される
セラミックス焼結材を用いたセラミックス焼結ドレッサ
ーは、非常に脆く、割れやすいために、加工方法が難し
く、製造コストが高いという欠点を有している。
【０００５】また、電着ドレッサーは図５に示すよう
に、リング状の金属基体１００の表面に湿式電着法によ
るダイヤモンド分散メッキが行われ、図６にその断面を
示すように、メッキ膜１０１中に数十μｍ〜数百μｍの
ダイヤモンド粒子１０２が埋め込まれた構成である。こ
の電着ドレッサーでは研磨中にダイヤモンド粒子１０２
が脱落することもあり、半導体ウエハー等の被研磨物の
研磨面に深いスクラッチ傷を付けるという欠点があっ
た。
【０００６】特に、半導体ウエハー表面に形成されたデ
バイスパターンを研磨して平坦化するために用いられる
ポリッシング装置の研磨用クロスをドレッシングするド
レッサーでは、ドレッシングに際して前記の脱落したダ
イヤモンド粒子１０２が該研磨用クロスの中に埋め込ま
れ、半導体ウエハーの研磨表面にスクラッチ傷を付ける
という致命的な欠点を有している。
【０００７】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、上記問題点を除去し、製造が簡単で、半導体ウエハ
ー等の被研磨物の研磨表面にスクラッチ傷を付けること
のない研磨用クロスのドレッサー及びその製造方法を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１に記載の発明は、ポリッシング装置の研磨
用クロスの表面をドレッシングして目立てや研磨による
経時変化を修正する研磨用不織物のドレッサーであっ
て、金属基体の表面に多数の尖頭状の突起部を形成し、
該金属基体の少なくとも該突起部が形成された表面を耐
摩耗性硬質膜で覆ったことを特徴とする。
【０００９】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の研磨用クロスのドレッサーにおいて、耐摩耗性
硬質膜が遷移金属系窒化物又は、窒化物系セラミックス
膜又は、炭化物系セラミックス膜又は、酸化物系セラミ
ックス膜又は、ダイヤモンドライクカーボン膜又は、複
合セラミックス膜又は、窒化膜又は、炭化膜のいずれか
であることを特徴とする。
【００１０】また、請求項３に記載の発明は、請求項２
に記載の研磨用クロスのドレッサーにおいて、遷移金属
系窒化物又は窒化膜が窒化チタンからなることを特徴と
する。
【００１１】また、請求項４に記載の発明は、ポリッシ
ング装置の研磨用クロスの表面をドレッシングして目立
てや研磨による経時変化を修正する研磨用クロスのドレ
ッサー製造方法であって、金属基体の表面に機械加工に
より、多数の尖頭状の突起部を形成した後、該金属基体
の少なくとも該突起部が形成された表面に耐摩耗性硬質
膜を形成することを特徴とする。
【００１２】また、請求項５に記載の発明は、請求項４
に記載の研磨用クロスのドレッサー製造方法において、
耐摩耗性硬質膜がセラミックス膜であり、該セラミック
ス膜は化学蒸着法又は、物理蒸着法又は、溶射法又は、
湿式メッキ法又は、溶融メッキ法で形成することを特徴
とする。
【００１３】また、請求項６に記載の発明は、請求項５
に記載の研磨用クロスのドレッサー製造方法において、
物理蒸着法がスパッタリング法又は、イオンプレーティ
ング法又は、イオン注入法又は、イオンビームを利用す
る成膜法であることを特徴とする。
【００１４】また、請求項７に記載の発明は、請求項４
に記載の研磨用クロスのドレッサー製造方法において、
耐摩耗性硬質膜が窒化チタン膜であり、該窒化チタン膜
は化学蒸着法又は、物理蒸着法又は、溶射法又は、湿式
メッキ法で形成することを特徴とする。
【００１５】また、請求項８に記載の発明は、請求項４
に記載の研磨用クロスのドレッサー製造方法において、
耐摩耗性硬質膜が窒化チタン膜であり、該窒化チタン膜
は遷移金属としてチタンを真空蒸着すると同時に窒素イ
オンを主体とするイオンビームを照射するダイナミック
ミキシング法で形成することを特徴とする。
【００１６】また、請求項９に記載の発明は、請求項４
に記載の研磨用クロスのドレッサー製造方法において、
耐摩耗性硬質膜がダイヤモンドライクカーボン膜であ
り、該ダイヤモンドライクカーボン膜は化学蒸着法又
は、物理蒸着法又は、溶射法又は、湿式メッキ法又は、
溶融メッキ法で形成することを特徴とする。
【００１７】また、請求項１０に記載の発明は、請求項
４に記載の研磨用クロスのドレッサー製造方法におい
て、耐摩耗性硬質膜がダイヤモンドライクカーボン膜で
あり、該ダイヤモンドライクカーボン膜はカーボンを蒸
着すると同時に窒素イオンを主体とするイオンビームを
照射するダイナミックミキシング法で形成することを特
徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１（ａ）は本発明の研磨用クロ
スのドレッサーの表面の一部を示す図で、同図（ｂ）は
その断面を示す図である。本ドレッサーは金属基体１の
表面に機械加工により多数のピラミット状（四角錐状）
の突起部３を形成し、該金属基体１の突起部３が形成さ
れた表面２を耐摩耗性硬質膜４で覆った構成である。な
お、突起部の形状はピラミット状に限定されるものでは
なく、例えば、円錐、三角錐、多角錐等の尖頭状の突起
部であればよい。なお、本発明のドレッサーの表面形状
は図５に示すものと略同じであるのでその説明は省略す
る。
【００１９】上記耐摩耗性硬質膜４の材質としては窒化
チタンに代表される遷移金属系窒化物、窒化ボロン及び
窒化炭素に代表される窒化物系セラミックス、炭化クロ
ム、炭化ボロンに代表される炭化物系セラミックス又は
ダイヤモンドライクカーボン等のセラミックス等が好適
である。耐食性、耐摩耗性に関連した膜特性向上のため
には、前記セラミックスの二種類以上を複合化させた複
合セラミックス膜等も好適である。例えば、チタン・ア
ルミニウム複合窒化物セラミックス等が挙げられる。ま
た、複合セラミックス膜としては、例えば、積層セラミ
ックス膜、繊維合成膜、３元系以上のセラミックス膜等
がある。なお、耐久性が要求される場合、前記セラミッ
クス膜のビッカース硬さが２０００kg／mm2以上である
ことが望ましい。また、金属基体１の表面を窒化膜、炭
化膜と改質しても良い。
【００２０】前記セラミックス膜を形成する方法として
は、化学蒸着法又は物理蒸着法又は溶射法又は湿式メッ
キ法又は溶融メッキ法などが好適である。耐久性の点か
らセラミックス膜の金属基体１への密着力が充分高いこ
とが望まれるので、溶融メッキ法、溶射法等が好適であ
る。
【００２１】一方、半導体ウエハー研磨用のポリッシン
グ装置に利用される研磨用クロスのドレッサーでは、ド
レッサー面の平坦性が要求される。金属基体１の熱的変
形及び熱的変質を防止するために、前記耐摩耗性硬質膜
４の形成温度をできるだけ低温化することが望まれる。
スパッタリング法又はイオンプレーティング法又はイオ
ン注入法又はイオン注入併用真空蒸着（ダイナミックミ
キシング）法等に代表されるイオンビーム技術を利用す
る成膜方法は、前記セラミックス膜形成温度が比較的低
温であることから、前記セラミックス膜の形成方法とし
ては好適である。
【００２２】特に、イオンプレーティング法及び真空蒸
着とイオンビーム照射を同時に行うダイナミックミキシ
ング法は、処理温度が比較的低温であり、前記耐摩耗性
硬質膜４の金属基体１への密着力が強いので、半導体ウ
エハー研磨用のポリッシング装置に利用される研磨用ク
ロスのドレッサー及びその製造方法には好適である。
【００２３】金属基体１の金属材料としては、ＳＵＳ３
０４鋼に代表されるオーステナイト系ステンレス鋼又は
析出硬化型ステンレス鋼又はマルテンサイト系ステンレ
ス鋼又は２相ステンレス鋼等が挙げられる。また、本発
明における金属基体の材料としては、前記ステンレス鋼
に限定されるものではなく、高耐食性が要求される場
合、チタン合金などの高級金属材料も好適である。
【００２４】金属基体１の突起部３が形成された表面２
にチタンの真空蒸着と同時に窒素イオンを主体とするイ
オンビーム照射する前記ダイナミックミキシング法で、
窒化チタン薄膜を形成すると、該窒化チタン薄膜は後に
詳述するように金属基体１に高い密着性を有すると共
に、良好な耐摩耗性を有するから、耐久性に優れた研磨
クロスのドレッサーを提供できる。
【００２５】ダイナミックミキシング法で形成した窒化
チタン硬質膜は膜自体のビッカース硬さ２５００ｋｇ／
ｍｍ2以上、更に膜と基板材料との密着力がスクラッチ
試験によるせん断応力２．８ＧＰａ以上と硬さ、密着力
共に優れている。
【００２６】以下、前記金属基体１の突起部３が形成さ
れた表面２に耐摩耗性硬質膜４を形成する具体例を説明
する。図２はダイナミックミキシング法による窒化チタ
ン薄膜を形成するための概念図である。回転軸６に固定
され冷却された銅製ホルダー５にドレッサーの基体とな
る図１に示すような表面２に突起部３が形成された金属
基体１をこの突起部３が形成された面を外側にして装着
配置する。
【００２７】金属基体１に対向して蒸発源９及びイオン
源７が配置される。蒸発源９からチタン蒸気１０を金属
基体１に向けて発し、イオン源７から窒素イオンを主体
とするイオンビーム８を金属基体１に向けて照射すると
同時に、電子ビームでチタンを蒸発することにより、金
属基体１の表面に窒化チタン薄膜を形成する。こうして
形成された窒化チタン薄膜のビッカース硬さは２５００
ｋｇ／ｍｍ2以上、薄膜と金属基体１との密着力は２．
８ＧＰａ以上（スクラッチ試験によるせん断応力）であ
る。また、本実施形態で形成された窒化チタン薄膜の膜
厚は５μｍである。なお、この膜厚は本例に限定される
ものではない。
【００２８】また、図２と同様の構成において、蒸発源
９からカーボン蒸気を金属基体１に向けて照射し、同時
にイオン源７から窒素イオンを主体とするイオンビーム
８を金属基体１に向けて照射することにより、金属基体
１の表面にダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。
ここで得られたダイヤモンドライクカーボン膜の膜厚は
５μｍ、そのビッカース硬さ２５００ｋｇ／ｍｍ2以
上、膜と金属基体１との密着力は２．８ＧＰａ以上（ス
クラッチ試験によるせん断応力）である。
【００２９】図３は本実施形態のドレッサーと従来のド
レッサーを用いてドレッシングした研磨用クロスを用い
て半導体ウエハーを研磨した場合の研磨面の比較結果を
示す図である。同図において、ドレッサーの表面被覆
が、従来例は図５に示すようにダイヤモンド粒子１０２
を電着したダイヤモンド砥粒被覆、実施形態１はダイナ
ミックミキシング法で形成した窒化チタン硬質膜（膜硬
度３５００ＨＶ）、実施形態２はダイナミックミキシン
グ法で形成したダイヤモンドライクカーボン膜（膜硬度
２５００ＨＶ）、実施形態３はダイナミックミキシング
法で形成した窒化チタン硬質膜（膜硬度３５００ＨＶ）
である。
【００３０】また、実施形態１は突起部３の頂点間隔Ｗ
２＝０．３ｍｍ、谷幅Ｗ１＝０ｍｍ、高さｈ＝０．１５
ｍｍ｛図１の（ｂ）参照｝のものを、実施形態２はＷ２
＝０．３ｍｍ、Ｗ１＝０ｍｍ、ｈ＝０．１５ｍｍのもの
を、実施形態３はＷ２＝０．６ｍｍ、Ｗ１＝０．３ｍ
ｍ、ｈ＝０．１５ｍｍのものをそれぞれ用いている。
【００３１】従来例ではポリッシング速度８５ｎｍ／ｍ
ｉｎで研磨した場合、ウエハー２００枚当り１枚程度の
確率で研磨面に深い傷があるのに対して、実施形態１、
実施形態２及び実施形態３いずれもウエハー研磨面に傷
がない。なお、ポリッシング速度は実施形態１が７５ｎ
ｍ／ｍｉｎ、実施形態２が８０ｎｍ／ｍｉｎ、実施形態
３が１０３ｎｍ／ｍｉｎである。図３から明らかなよう
に、本実施形態は従来例に比較し、極めて優れたドレッ
サーである。
【００３２】図４は本実施形態におけるドレッサーの金
属基体１の表面に形成する突起部３の密度（個／ｍ2）
とウエハーポリッシング速度（ｎｍ／ｍｉｎ）との関係
を示す図である。図示するように、ウエハーポリッシン
グ速度は突起部３の密度に依存することがわかる。
【００３３】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
半導体ウエハー等の被研磨物の研磨に際して、研磨面に
スクラッチ傷等の損傷の与えることのない、研磨用クロ
スのドレッサー及びその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のドレッサーの一部を示す図で、同図
（ａ）は一部表面を、同図（ｂ）は断面を示す図であ
る。
【図２】ダイナミックミキシング法を実施する概念図で
ある。
【図３】本発明のドレッサーと従来のドレッサーのポリ
ッシング試験の結果を示す図である。
【図４】本発明のドレッサーの表面に形成する突起部密
度とウエハーポリッシング速度の関係を示す図である。
【図５】従来のドレッサー表面形状を示す図である。
【図６】従来のドレッサーの断面を示す図である。
【符号の説明】
１ 金属基体 ２ 表面 ３ 突起部 ４ 耐摩耗性硬質膜 ５ 銅製ホルダー ６ 回転軸 ７ イオン源 ８ イオンビーム ９ 蒸発源 １０ チタン蒸気
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 舘石 久仁男 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 小榑 直明 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 依田 孝 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝川崎事業所内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ポリッシング装置の研磨用クロスの表面
    をドレッシングして目立てや研磨による経時変化を修正
    する研磨用クロスのドレッサーであって、 金属基体の表面に多数の尖頭状の突起部を形成し、該金
    属基体の少なくとも該突起部が形成された表面を耐摩耗
    性硬質膜で覆ったことを特徴とする研磨用クロスのドレ
    ッサー。
  2. 【請求項２】 前記請求項１に記載の研磨用クロスのド
    レッサーにおいて、 前記耐摩耗性硬質膜が遷移金属系窒化物又は、窒化物系
    セラミックス膜又は、炭化物系セラミックス膜又は、酸
    化物系セラミックス膜又は、ダイヤモンドライクカーボ
    ン膜又は、複合セラミックス膜又は、窒化膜又は、炭化
    膜のいずれかであることを特徴とする研磨用クロスのド
    レッサー。
  3. 【請求項３】 前記請求項２に記載の研磨用クロスのド
    レッサーにおいて、遷移金属系窒化物又は窒化膜が窒化
    チタンからなることを特徴とする研磨用クロスのドレッ
    サー。
  4. 【請求項４】 ポリッシング装置の研磨用クロスの表面
    をドレッシングして目立てや研磨による経時変化を修正
    する研磨用クロスのドレッサー製造方法であって、 金属基体の表面に機械加工により、多数の尖頭状の突起
    部を形成した後、該金属基体の少なくとも該突起部が形
    成された表面に耐摩耗性硬質膜を形成することを特徴と
    する研磨用クロスのドレッサー製造方法。
  5. 【請求項５】 前記請求項４に記載の研磨用クロスのド
    レッサー製造方法において、 前記耐摩耗性硬質膜がセラミックス膜であり、該セラミ
    ックス膜は化学蒸着法又は、物理蒸着法又は、溶射法又
    は、湿式メッキ法又は、溶融メッキ法で形成することを
    特徴とする研磨用クロスのドレッサー製造方法。
  6. 【請求項６】 前記請求項５に記載の研磨用クロスのド
    レッサー製造方法において、 前記物理蒸着法がスパッタリング法又は、イオンプレー
    ティング法又は、イオン注入法又は、イオンビームを利
    用する成膜法であることを特徴とする研磨用クロスのド
    レッサー製造方法。
  7. 【請求項７】 前記請求項４に記載の研磨用クロスのド
    レッサー製造方法において、 前記耐摩耗性硬質膜が窒化チタン膜であり、該窒化チタ
    ン膜は化学蒸着法又は、物理蒸着法又は、溶射法又は、
    湿式メッキ法で形成することを特徴とする研磨用クロス
    のドレッサー製造方法。
  8. 【請求項８】 前記請求項４に記載の研磨用クロスのド
    レッサー製造方法において、 前記耐摩耗性硬質膜が窒化チタン膜であり、該窒化チタ
    ン膜は遷移金属としてチタンを真空蒸着すると同時に窒
    素イオンを主体とするイオンビームを照射するダイナミ
    ックミキシング法で形成することを特徴とする研磨用ク
    ロスのドレッサー製造方法。
  9. 【請求項９】 前記請求項４に記載の研磨用クロスのド
    レッサー製造方法において、 前記耐摩耗性硬質膜がダイヤモンドライクカーボン膜で
    あり、該ダイヤモンドライクカーボン膜は化学蒸着法又
    は、物理蒸着法又は、溶射法又は、湿式メッキ法又は、
    溶融メッキ法で形成することを特徴とする研磨用クロス
    のドレッサー製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記請求項４に記載の研磨用クロスの
    ドレッサー製造方法において、 前記耐摩耗性硬質膜がダイヤモンドライクカーボン膜で
    あり、該ダイヤモンドライクカーボン膜はカーボンを蒸
    着すると同時に窒素イオンを主体とするイオンビームを
    照射するダイナミックミキシング法で形成することを特
    徴とする研磨用クロスのドレッサー製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003175465A (ja) * 2001-12-11 2003-06-24 Mitsubishi Materials Corp ダイヤモンドコーティング切削工具
US6672945B1 (en) 1999-08-20 2004-01-06 Ebara Corporation Polishing apparatus and dressing method
WO2007069686A1 (ja) * 2005-12-16 2007-06-21 Meidensha Corporation 真空コンデンサ及び真空バルブ
SG142143A1 (en) * 1998-04-28 2008-05-28 Ebara Corp Abrading plate and polishing method using the same
US7824498B2 (en) 2004-02-24 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Coating for reducing contamination of substrates during processing
JP2012240192A (ja) * 2011-05-24 2012-12-10 Rohm & Haas Co 向上した品質の多スペクトル硫化亜鉛

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3676030B2 (ja) * 1997-04-10 2005-07-27 株式会社東芝 研磨パッドのドレッシング方法及び半導体装置の製造方法
JP2002100593A (ja) * 2000-09-21 2002-04-05 Nikon Corp 研磨装置、これを用いた半導体デバイスの製造方法及びこの製造方法により製造された半導体デバイス
US20050005416A1 (en) * 2003-07-08 2005-01-13 Sather Alvin William Method for hardening the wear portion of a retaining ring
JP2007144564A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Ebara Corp 研磨装置
CH701596B1 (de) * 2009-08-11 2013-08-15 Meister Abrasives Ag Abrichtwerkzeug.

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58153776A (ja) * 1982-03-05 1983-09-12 Citizen Watch Co Ltd 装飾部品の製造方法およびそれに用いるイオンプレ−テイング装置
JPH0649645A (ja) * 1992-07-31 1994-02-22 Yoshida Kogyo Kk <Ykk> 硬質多層膜形成体およびその製造方法
US5216843A (en) * 1992-09-24 1993-06-08 Intel Corporation Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process
JP2914166B2 (ja) 1994-03-16 1999-06-28 日本電気株式会社 研磨布の表面処理方法および研磨装置
US5536202A (en) * 1994-07-27 1996-07-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor substrate conditioning head having a plurality of geometries formed in a surface thereof for pad conditioning during chemical-mechanical polish
US5527424A (en) * 1995-01-30 1996-06-18 Motorola, Inc. Preconditioner for a polishing pad and method for using the same
US5665201A (en) * 1995-06-06 1997-09-09 Advanced Micro Devices, Inc. High removal rate chemical-mechanical polishing
US5611943A (en) * 1995-09-29 1997-03-18 Intel Corporation Method and apparatus for conditioning of chemical-mechanical polishing pads
US5851138A (en) * 1996-08-15 1998-12-22 Texas Instruments Incorporated Polishing pad conditioning system and method

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG142143A1 (en) * 1998-04-28 2008-05-28 Ebara Corp Abrading plate and polishing method using the same
US6672945B1 (en) 1999-08-20 2004-01-06 Ebara Corporation Polishing apparatus and dressing method
JP2003175465A (ja) * 2001-12-11 2003-06-24 Mitsubishi Materials Corp ダイヤモンドコーティング切削工具
US7824498B2 (en) 2004-02-24 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Coating for reducing contamination of substrates during processing
US8852348B2 (en) 2004-02-24 2014-10-07 Applied Materials, Inc. Heat exchange pedestal with coating of diamond-like material
US10053778B2 (en) 2004-02-24 2018-08-21 Applied Materials, Inc. Cooling pedestal with coating of diamond-like carbon
WO2007069686A1 (ja) * 2005-12-16 2007-06-21 Meidensha Corporation 真空コンデンサ及び真空バルブ
JP2012240192A (ja) * 2011-05-24 2012-12-10 Rohm & Haas Co 向上した品質の多スペクトル硫化亜鉛

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