JPH10209211A - フイルム供給装置及びその方法並びに実装装置及びその方法 - Google Patents

フイルム供給装置及びその方法並びに実装装置及びその方法

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JPH10209211A
JPH10209211A JP9008574A JP857497A JPH10209211A JP H10209211 A JPH10209211 A JP H10209211A JP 9008574 A JP9008574 A JP 9008574A JP 857497 A JP857497 A JP 857497A JP H10209211 A JPH10209211 A JP H10209211A
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anisotropic conductive
conductive film
cutting
acf
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、所望のサイズのフイルムを容易に供
給対象に供給し得るフイルム供給装置及びその方法並び
に実装装置及びその方法を実現しようとするものであ
る。 【解決手段】上述のように本発明によれば、順次供給さ
れるシート状の異方性導電フイルムを電子部品のサイズ
に合わせて切断加工した後、配線基板の所定位置に異方
性導電フイルムを貼り付けるようにしたことにより、所
望のサイズの異方性導電フイルムを容易に供給対象に供
給することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。
【0002】発明の属する技術分野 従来の技術(図6(A)〜図8(C)) 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 発明の実施の形態(図1〜図5) 発明の効果
【0003】
【発明の属する技術分野】本発明はフイルム供給装置及
びその方法並びに実装装置及びその方法に関し、例えば
半導体チツプをフリツプチツプ法により配線基板上に実
装する際に適用して好適なものである。
【0004】
【従来の技術】近年、パーソナルデイジタルセルラホ
ン、VCR(Video Cassette Recorder)及び地上波又
は衛星放送用のチユーナ等の電子機器においては、信号
伝送、信号処理及び信号記録のデジタル化が進行すると
共に、取り扱われる情報量も増大し、またシステムクロ
ツクも増加する傾向にある。
【0005】さらに電子機器においては、セルラ電話、
ISDN(Integrated Services Digital Network )及
びパーソナルコンピユータ(PC)等の情報通信(ネツ
トワーク)技術の進展により、様々な機器に対して高周
波ブロツクや高速シリアルインタフエイス等が搭載され
るようになされている。
【0006】このようなデジタル化及び信号の高速化と
いつたシステムの変化に伴い、近年ではノイズの減少や
機器の小型化の要請により、半導体チツプの実装方法と
してマルチチツプモジユール(MCM:Multi-chip-mod
ule)化による実装方法や、フリツプチツプ実装等のベア
チツプ実装方法が用いられている。
【0007】特にフリツプチツプ実装方法においては、
通常、半導体チツプの入出力電極(パツド)上にそれぞ
れ突起状電極(バンプ)を形成し、当該半導体チツプを
フエイスダウン法により配線基板上にはんだ等を介して
実装するようになされている。この場合、半導体チツプ
の各突起状電極を形成するにあたつて、従来、金属ワイ
ヤの先端を溶融して形成したボール状の塊を接続パツド
上に超音波圧着し、当該金属ワイヤを引きちぎることに
より形成されたバンプ(以下、これをワイヤバンプと呼
ぶ)がある。
【0008】具体的に図6(A)〜(E)において、ワ
イヤボンデイング装置(図示せず)を用いて半導体チツ
プの実装面に例えば金(Au)でなる複数のワイヤバン
プを形成する工程を示す。
【0009】このワイヤボンデイング装置では、キヤピ
ラリ1から金(Au)ワイヤ2が引き出されるようにな
されている。まずキヤピラリ1から所定の長さで引き出
された金(Au)ワイヤ2の先端を放電させて溶融する
ことにより、ボール状の塊(以下、これを金ボールと呼
ぶ)2Aを形成する(図6(A))。続いてこの金ボー
ル2Aを半導体チツプ3の回路面3Aに形成された接続
パツド4上に位置合わせした後、超音波加熱しながら矢
印zで示す方向に押圧することにより、金ボール2Aを
圧着させる(図6(B))。
【0010】次いでキヤピラリ1を矢印zで示す方向と
は逆方向に上昇させて、金ボール2Aから金ワイヤ2を
引きちぎることによりワイヤバンプ5を形成する(図6
(C))。このように図6(A)〜(E)に示す金ボー
ル2Aの形成工程を繰り返すことにより、半導体チツプ
3の回路面3Aに所定パターンで形成された複数の接続
パツド4の全てに対応してそれぞれワイヤバンプ5が形
成される。
【0011】ところで、このように形成されたワイヤバ
ンプ5にはピン状の突起が形成され易いことから、かか
る突起を平坦化(レベリング)させる必要がある。この
ためワイヤボンデイング装置には、矢印zで示す方向又
はこれとは逆方向に上下移動自在なレベリングツール6
が設けられ、当該レベリングツール6の下側先端部が複
数のワイヤバンプ5全てに相当する平坦面6Aでなる略
円柱状に形成されている(図6(D))。
【0012】次いで、このレベリングツール6の平坦面
6Aを半導体チツプ3の回路面3Aに位置合わせした
後、当該レベリングツール6を矢印zで示す方向に下降
移動させることにより、これら複数のワイヤバンプ5が
平坦面6Aに当接押圧され、この結果一括して平坦化
(レベリング)される。かくして図6(E)に示すよう
に、半導体チツプ3の回路面3Aに所定パターンで形成
された接続パツド4に対応してそれぞれワイヤバンプ5
を対応して形成することができる。
【0013】このようにフリツプチツプ実装方法は、パ
ツケージIC等を用いた実装方法と比較して、低インダ
クタンス及び低容量でなり、かつ配線パスが短く形成さ
れるといつた高速及び高周波特性に優れた特徴を有す
る。さらに直接ガラスエポキシ基板等へ半導体チツプを
搭載し得ることから、高密度実装を実現することができ
る。
【0014】ここでフリツプチツプ接続の例として、特
に異方性導電フイルム(ACF)を接続媒体としたプリ
ント回路基板を図7に示す。この異方性導電フイルムを
接続媒体とする実装方法は、他のフリツプチツプ実装方
法と異なり、アンダーフイル樹脂等の充填硬化工程が不
要となる点で非常に効率が良い。
【0015】このプリント回路基板10において、半導
体チツプ3の回路面3Aに複数のアルミニウム(Al)
でなる接続パツド4が所定パターンで形成され、当該各
接続パツド4に対応してそれぞれ金(Au)等でなるワ
イヤバンプ5が形成されている(図6(E))。またガ
ラスエポキシ樹脂でなる配線基板11の基板面11Aに
は複数のランド12が所定パターンで形成され、当該各
ランド12を覆うように異方性導電フイルム13が貼り
付けられている。この異方性導電フイルム13は所定の
厚みを有し、内部に複数の導電粒子14が分散して混入
された構成からなる。
【0016】この配線基板11を実装基体とするフリツ
プチツプ実装工程を図8(A)〜(C)に示す。まず配
線基板11の基板面11Aに所定パターンで形成された
複数のランド12を覆うように異方性導電フイルム13
を貼り付ける(8(A)及び(B))。
【0017】続いて半導体チツプ3を配線基板11に実
装するには、まず半導体チツプ3の回路面3Aを配線基
板11の基板面11Aに対向させた後、各ワイヤバンプ
5を当該基板面11Aに形成された各ランド12に対応
させて位置合わせする。この状態において、 100〜 240
〔℃〕、5〜40〔sec 〕及び1バンプ当たりの圧力5〜
100〔g〕で熱圧着することにより、半導体チツプ3及
び配線基板11間に異方性導電フイルム13が充填さ
れ、この結果、半導体チツプ3は簡単に配線基板11の
基板面11Aにフリツプチツプ実装される(図8
(C))。
【0018】因みに、その他のフリツプチツプ接続の例
としては、半導体チツプの接続パツド上に高融点はんだ
バンプを形成し、実装配線基板上にはんだプリコートを
行つて接続するはんだバンプ方式や、半導体チツプの接
続パツド上に金(Au)ワイヤボンデイングを用いて金
バンプを形成し、銀(Ag)ペーストなどの導電性ペー
ストをバンプ上に適量転写した後、直接実装配線基板上
にマウント接続する導電性ペースト方式、さらには半導
体チツプの接続パツド上に金(Au)ワイヤボンデイン
グを用いてミクロンオーダーで金バンプを形成し、光硬
化性樹脂を接続媒体として半導体チツプと配線基板とを
圧接することにより当該光硬化性樹脂の硬化収縮作用に
基づいて電気的接続を確保するMBB(Micro Bump Bon
ding)方式等がある。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
プリント回路基板10を作製するにあたつて、配線基板
11の基板面11Aに異方性導電フイルム13を貼り付
ける前段階として、当該異方性導電フイルム13を予め
半導体チツプ3の回路面3Aのサイズに切断加工してお
く必要がある。
【0020】この異方性導電フイルムは、各製造メーカ
ーによつて所定の長さ単位で所定幅のテープ状に加工さ
れ、それぞれリールに巻き付けられた状態で製品化され
ている。このためユーザは、所望の幅を有するテープ状
の異方性導電フイルムが巻き付けられたリールを購入し
て、実装対象となる半導体チツプのサイズとほぼ同等の
サイズに異方性導電フイルムを切断加工して使用するよ
うになされている。
【0021】この場合、ユーザは異方性導電フイルムを
半導体チツプのサイズとほぼ同等のサイズで切断加工し
なければならないため、各半導体チツプ毎にそれぞれ異
なるリール幅の異方性導電フイルムを用意しなければな
らない煩雑さがあつた。
【0022】一方、異方性導電フイルムの製造メーカー
側でも、種々のリール幅に対応した異方性導電フイルム
の加工用の型を作製するには、多大な費用と時間がかか
るという煩雑さがあつた。
【0023】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、所望のサイズのフイルムを容易に供給対象に供給し
得るフイルム供給装置及びその方法並びに実装装置及び
その方法を提案しようとするものである。
【0024】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、順次供給されるシート状のフイル
ムを所定サイズに切断加工する切断加工手段と、切断加
工手段によつて切断加工されたフイルムを保持し、搬送
して配線基板上の所定位置に貼り付ける搬送手段とを備
えるようにする。
【0025】また本発明においては、順次供給されるシ
ート状のフイルムを所定サイズに切断加工した後、配線
基板の所定位置上にフイルムを貼り付けるようにする。
【0026】さらに本発明においては、電子部品を配線
基板上の所定位置に異方性導電フイルムを介して実装す
る実装装置において、順次供給されるシート状の異方性
導電フイルムを電子部品のサイズに合わせて切断加工す
る切断加工手段と、切断加工手段によつて切断加工され
た異方性導電フイルムを保持し、搬送して配線基板上の
所定位置に貼り付ける貼付手段とを備えるようにする。
【0027】さらに本発明においては、電子部品を配線
基板上の所定位置に異方性導電フイルムを介して実装す
る実装方法において、順次供給されるシート状の異方性
導電フイルムを電子部品のサイズに合わせて切断加工し
た後、配線基板の所定位置に異方性導電フイルムを貼り
付けるようにする。
【0028】かくして予め電子回路のサイズとほぼ同じ
サイズのテープ状でなるフイルムが巻き付けられたリー
ルを用意する必要がなくて済み、この結果、所望のサイ
ズのフイルムを容易に供給対象に供給することができ
る。
【0029】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
【0030】図1において20は全体としてACF切断
貼付装置を示し、配線基板11は、架台21上に設けら
れたベルトコンベア22に供給され、当該ベルトコンベ
ア22を介して順次矢印xで示す方向に搬送される。ま
た架台21上にはACF積層ステージ23、ACF供給
部24及びACF切断ステージ25が連なるように配置
されている。
【0031】このACF積層ステージ23上には、所定
サイズでなる複数の異方性導電フイルム13が積層して
載置されている。この場合、これら複数の異方性導電フ
イルム13は、各製造メーカーによつて所定サイズでシ
ート状に加工されかつ表面に保護膜(図示せず)が塗布
された状態で製品化されたものである。
【0032】またACF供給部24には矢印aで示す方
向に回転移動する移載アーム24Aが設けられ、当該移
載アーム24A先端の吸着ヘツド24Bが異方性導電フ
イルム13を吸着保持し得るようになされている。
【0033】かくしてACF供給部24は、移載アーム
24AをACF積層ステージ23上に位置決めした後、
当該ACF積層ステージ23の最上段の異方性導電フイ
ルム13を吸着ヘツド24Bに吸着保持させたまま移載
アーム24Aを矢印aで示す方向に回転移動することに
より、当該吸着ヘツド24BをACF切断ステージ25
上に移載するようになされている。
【0034】このACF切断ステージ25の近傍位置に
はX軸テーブル26が固定され、当該X軸テーブル26
には、Y軸テーブル27を固定保持してなるX軸駆動部
28が、X軸テーブル26に沿つて矢印xで示す方向又
はこれとは逆方向に移動自在に取り付けられている。
【0035】このY軸テーブル27には、Y軸駆動部2
9がY軸テーブル27に沿つて矢印yで示す方向又はこ
れとは逆方向に移動自在に取り付けられている。このY
駆動部29のACF切断ステージ25側には、ACF切
断貼付部30が固定保持されている。
【0036】また架台21上におけるベルトコンベア2
2の真下でかつY軸テーブル27の下方位置(以下、こ
の位置をACF貼付位置と呼ぶ)には、バツクアツプ部
31が架台21の内部に設けられ、矢印zで示す方向又
はこれとは逆方向に昇降移動し得るようになされてい
る。このバツクアツプ部31は上昇移動したときに架台
21上に露出して、ベルトコンベア22に沿つて搬送さ
れる配線基板11を下側から当接保持することができ
る。
【0037】ここで図2(A)及び(B)において、A
CF切断貼付部30の構成を示す。ACF切断貼付部3
0は、吸着駆動部(図示せず)及び当該吸着駆動部の下
端に設けられた吸着ツール35を有する。この吸着ツー
ル35の下端には吸着ヘツド35Aが固着され、吸着駆
動部の駆動に応じて矢印zで示す方向又はこれとは逆方
向に移動し得るようになされている。また吸着ヘツド3
5Aの中央には、貫通孔35Bが吸着ツール35を介し
て吸着駆動部と連通するように形成され、吸着駆動部の
駆動によつて吸着ヘツド35Aの吸着面35AX側から
所定の負圧で吸引し得るようになされている。
【0038】また吸着ツール35には、当該吸着ツール
35をスライド軸として切断ベース部36が移動自在に
取り付けられ、吸着駆動部の駆動に応じて矢印zで示す
方向又はこれとは逆方向に移動し得るようになされてい
る。この切断ベース部36の周端には、4枚の切断カツ
タ37A〜37Dの各一端がそれぞれビス止めによつて
固定されている。
【0039】これら各切断カツタ37A〜37Dの他端
には刃先37AX〜37DXが形成され、当該各刃先3
7AX〜37DXは全て吸着ヘツド35Aの吸着面35
AXと対向するように向けられると共に、互いに隙間な
く隣接して四角形状を形成している。これにより各切断
カツタ37A〜37Dによつて切断された異方性導電フ
イルム13は、各刃先37AX〜37DXで形成される
四角形と同じ形状に型抜きされる。
【0040】因みに、切断ベース部36及び各切断カツ
タ37A〜37Dは、実装対象としての半導体チツプ3
の回路面3Aのサイズに合わせて大きさ及び形状等が設
定されており、半導体チツプの種類に応じて取り換える
ことができるように複数の種類のものが用意されてい
る。
【0041】以上の構成において、ACF切断貼付装置
20を用いて、異方性導電フイルム13を所定サイズに
切断した後、配線基板11の基板面11Aに貼り付ける
までの工程を図3(A)〜図5に示す。
【0042】まずACF積層ステージ23上に積層され
た複数の異方性導電フイルム13が順次ACF供給部2
4によつてACF切断ステージ25上に移載される。こ
のときACF切断貼付部30は、X軸テーブル26、X
軸駆動部28、Y軸テーブル27及びY軸駆動部29に
よつてACF切断ステージ25上に位置決めされている
(図3(A))。
【0043】続いて、ACF切断貼付部30は、吸着ツ
ール35のみを矢印zで示す方向に下降移動させて吸着
ヘツド35Aの吸着面35AXを異方性導電フイルム1
3表面に塗布された保護膜13Aに当接させる(図3
(B))。このように吸着ヘツド35Aの吸着面35A
Xによつて仮固定された異方性導電フイルム13に対し
て、ACF切断貼付部30は4枚の切断カツタ37A〜
37Dを矢印zで示す方向に下降移動させて、当該各切
断カツタ37A〜37Dの刃先37AX〜37DXをA
CF切断ステージ25上に当接させる(図3(C))。
【0044】これによりACF切断ステージ25上に載
置された異方性導電フイルム13は各切断カツタ37A
〜37Dによつて所定サイズに切断されて型抜きされ
る。この後、ACF切断貼付部30は、型抜きされた異
方性導電フイルム13を吸着ヘツド35Aの吸着面35
AXに吸着保持させたまま矢印zで示す方向とは逆方向
に引き上げる(図3(D))。このように異方性導電フ
イルム13を型抜きして吸着保持したACF切断貼付部
30は、X軸テーブル26、X軸駆動部28、Y軸テー
ブル27及びY軸駆動部29によつてACF貼付位置の
上方まで移動させる。
【0045】一方、ベルトコンベア22に沿つて矢印x
で示す方向に移動する配線基板11は、バツクアツプ部
31と対向するACF貼付位置に位置決めされる(図4
(A))。このバツクアツプ部31は、駆動部(図示せ
ず)及び当該駆動部の上端に設けられた基台40を有
し、当該基台40上には当接部材41と位置決めピン4
2A及び42Bとが形成されている。なお、配線基板1
1には予め位置決めピン42A及び42Bに対応した貫
通穴(図示せず)がそれぞれ穿設されている。
【0046】またACF貼付位置の近傍位置には基板検
出センサ43が設けられ、当該基板検出センサ43は、
ベルトコンベア22を介して搬送されてくる配線基板1
1がACF貼付位置に位置決めされたとき、バツクアツ
プ部31に検出信号を送出するようになされてる。
【0047】バツクアツプ部31は、基板検出センサ4
3から得られる検出信号に基づいて、基台40を矢印z
で示す方向に上昇移動させることにより、ACF貼付位
置に位置決めされた配線基板11に対して下側から位置
決めピン42A及び42Bを差し込んで位置固定すると
共に、当該配線基板11の下面11Bに当接部材41を
当接させる(図4(B))。
【0048】この状態において、ACF貼付位置の上方
に位置決めされたACF切断貼付部30は、吸着ツール
35のみを矢印zで示す方向に下降移動させることによ
り、吸着ヘツド35Aの吸着面35AXに吸着保持され
た異方性導電フイルム13を配線基板11の基板面11
Aに当接した後、さらに所定の押圧力で押圧する(図4
(C))。このとき配線基板11がバツクアツプ部31
の基台40によつて固定保持されていることから、配線
基板11を湾曲させることなく当該配線基板11の基板
面11A上に異方性導電フイルム13を貼り付けること
ができる。
【0049】この後、ACF切断貼付部30は吸着ツー
ル35を矢印zで示す方向とは逆方向に上昇移動させる
と共に、バツクアツプ部31は基台40を矢印zで示す
方向に下降移動させる。このとき吸着ツール35先端の
吸着ヘツド35Aの吸着面35AXには異方性導電フイ
ルム13表面に塗布された保護膜13Aが貼り付くこと
から、当該保護膜13Aが異方性導電フイルム13から
剥離される。
【0050】これにより図5に示すように、配線基板1
1の基板面11Aに所定サイズに型抜きされた異方性導
電フイルム13を貼り付けることができる。この後、配
線基板11はベルトコンベア22を介して矢印xで示す
方向に沿つて次工程へと搬送される。
【0051】以上の構成によれば、所定サイズのシート
状でなる異方性導電フイルム13を半導体チツプ3の回
路面3Aのサイズとほぼ同じサイズで型抜きした後、そ
のまま吸着保持した状態で配線基板11の基板面11A
に貼り付けるようにしたことにより、予め半導体チツプ
の回路面のサイズとほぼ同じサイズのテープ状でなる異
方性導電フイルムが巻き付けられたリールを用意する必
要がなくて済み、かくして所望のサイズの異方性導電フ
イルムを容易に切断加工して配線基板に供給することが
できる。
【0052】なお上述の実施例においては、半導体チツ
プ3の回路面3Aに形成する突起状電極としてワイヤバ
ンプ5を用いた場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、ワイヤバンプ5以外にも種々の突起状の金属
(例えばはんだ等)を電極として半導体チツプ3の回路
面3Aに形成するようにしても良い。
【0053】また上述の実施例においては、シート状の
フイルムとして異方性導電フイルム13を用いた場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、その他種々の
シート状でなるフイルムに広く適用し得る。
【0054】さらに上述の実施例においては、電子部品
として半導体チツプ3を用いた場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、その他種々の表面実装型の電子
部品に広く適用し得る。
【0055】さらに上述の実施例においては、切断加工
手段として4枚の切断カツタ37A〜37Dを用いて異
方性導電フイルム13を所定サイズに型抜きするように
した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、切
断加工手段としてはレーザ加工装置(図示せず)を用い
て非接触で異方性導電フイルム13をレーザ加工するよ
うにしても良い。この場合、レーザの照射パターンは、
半導体チツプ3の回路面3Aのサイズに応じて制御部
(図示せず)によつて予めプログラムされている。
【0056】さらに上述の実施例においては、搬送手段
としてX軸テーブル26、X軸駆動部28、Y軸テーブ
ル27、Y軸駆動部29及びACF切断貼付部30を適
用した場合について述べたか、本発明はこれに限らず、
切断加工後の異方性導電フイルム13を保持しながら配
線基板11の基板面11Aに貼り付けることができれば
種々の搬送機構を用いるようにしても良い。
【0057】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、順次供給
されるシート状のフイルムを所定サイズに合わせて切断
加工した後、配線基板の所定位置にフイルムを貼り付け
るようにしたことにより、所望のサイズのフイルムを容
易に供給対象に供給することができるフイルム供給装置
及びその方法を実現し得る。
【0058】また本発明によれば、電子部品を配線基板
上の所定位置に異方性導電フイルムを介して実装する実
装装置及びその方法において、順次供給されるシート状
の異方性導電フイルムを電子部品のサイズに合わせて切
断加工した後、配線基板の所定位置に異方性導電フイル
ムを貼り付けるようにしたことにより、所望のサイズの
異方性導電フイルムを容易に供給対象に供給することが
できる実装装置及びその方法を実現し得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるACF切断装貼付装置の一実施例
を示す略線的斜視図である。
【図2】実施例におけるACF切断貼付部の構成を示す
断面図及び下面図である。
【図3】実施例における異方性導電フイルムの切断工程
を示す部分的断面図である。
【図4】実施例における異方性導電フイルムの貼付工程
を示す部分的断面図である。
【図5】実施例における異方性導電フイルムの貼付工程
を示す部分的断面図である。
【図6】従来の半導体チツプ上へのワイヤバンプ形成工
程を示す部分的断面図である。
【図7】従来のACFを用いたプリント回路基板の構成
を示す側面図である。
【図8】従来のACFを用いたフリツプチツプ実装工程
を示す部分的断面図である。
【符号の説明】
3……半導体チツプ、3A……回路面、4……接続パツ
ド、5……ワイヤバンプ、10……プリント回路基板、
11……配線基板、11A……基板面、12……ラン
ド、13……異方性導電フイルム、20……ACF切断
貼付装置、24……ACF供給部、25……ACF切断
ステージ、26……X軸テーブル、27……Y軸テーブ
ル、28……X軸駆動部、29……Y軸駆動部、30…
…ACF切断貼付部、31……バツクアツプ部。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】順次供給されるシート状のフイルムを所定
    サイズに切断加工する切断加工手段と、 上記切断加工手段によつて切断加工された上記フイルム
    を保持し、搬送して配線基板上の所定位置に貼り付ける
    搬送手段とを具えたことを特徴とするフイルム供給装
    置。
  2. 【請求項2】上記フイルムは、異方性導電フイルムでな
    ることを特徴とする請求項1に記載のフイルム供給装
    置。
  3. 【請求項3】順次供給されるシート状のフイルムを所定
    サイズに切断加工した後、上記配線基板の所定位置上に
    上記フイルムを貼り付けることを特徴とするフイルム供
    給方法。
  4. 【請求項4】上記フイルムは、異方性導電フイルムでな
    ることを特徴とする請求項3に記載のフイルム供給方
    法。
  5. 【請求項5】電子部品を配線基板上の所定位置に異方性
    導電フイルムを介して実装する実装装置において、 順次供給されるシート状の異方性導電フイルムを上記電
    子部品のサイズに合わせて切断加工する切断加工手段
    と、 上記切断加工手段によつて切断加工された上記異方性導
    電フイルムを保持し、搬送して上記配線基板上の所定位
    置に貼り付ける貼付手段とを具えたことを特徴とする実
    装装置。
  6. 【請求項6】電子部品を配線基板上の所定位置に異方性
    導電フイルムを介して実装する実装方法において、 順次供給されるシート状の異方性導電フイルムを上記電
    子部品のサイズに合わせて切断加工した後、上記配線基
    板の所定位置に上記異方性導電フイルムを貼り付けるこ
    とを特徴とする実装方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008053296A (ja) * 2006-08-22 2008-03-06 Denso Corp 部品の実装方法
JP2008085354A (ja) * 2007-10-22 2008-04-10 Toshiba Corp 半導体製造装置
JP2013065705A (ja) * 2011-09-16 2013-04-11 Panasonic Corp 電子部品の実装方法及び実装システム
JP2015139835A (ja) * 2014-01-27 2015-08-03 株式会社安川電機 ロボットシステム、吸着ハンドおよびワークを含む製品の製造方法
CN112441465A (zh) * 2019-08-30 2021-03-05 Dna系统有限公司 混合胶带切断装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008053296A (ja) * 2006-08-22 2008-03-06 Denso Corp 部品の実装方法
JP2008085354A (ja) * 2007-10-22 2008-04-10 Toshiba Corp 半導体製造装置
JP2013065705A (ja) * 2011-09-16 2013-04-11 Panasonic Corp 電子部品の実装方法及び実装システム
JP2015139835A (ja) * 2014-01-27 2015-08-03 株式会社安川電機 ロボットシステム、吸着ハンドおよびワークを含む製品の製造方法
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