JPH10208488A - チャージポンプ出力制御回路 - Google Patents

チャージポンプ出力制御回路

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JPH10208488A
JPH10208488A JP843997A JP843997A JPH10208488A JP H10208488 A JPH10208488 A JP H10208488A JP 843997 A JP843997 A JP 843997A JP 843997 A JP843997 A JP 843997A JP H10208488 A JPH10208488 A JP H10208488A
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JP
Japan
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potential
output terminal
charge pump
charge
clock
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JP843997A
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English (en)
Inventor
Hiroaki Nakai
宏明 中井
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 出力端子の電位が安定するチャージポンプ出
力制御回路を得る。 【解決手段】 チャージポンプ回路11はクロックが入
力される毎に出力端子OUT1に電荷を供給する。コン
パレータCP2は出力端子OUT1からの電位と入力端
子INCP2の電位とを大小関係を判断する。ブースト
回路40はコンパレータCP2からの判断結果に応じて
発振器21からのクロックの振幅をVcc+αにしたり
Vccにしたりする。チャージポンプ回路11中のトラ
ンジスタのソースからドレインへ移動する電荷の量は、
クロックの振幅に左右される。したがって、クロック毎
に出力端子OUT1に供給される電荷の量が調節され、
出力端子OUT1に生じる大きなリップルを抑制でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、チャージポンプ
回路の出力を制御するチャージポンプ出力制御回路に関
する。
【0002】
【従来の技術】図11は、従来のチャージポンプ出力制
御回路CPC9を含む回路図である。コンパレータCP
9は、抵抗R1及びR2のノードnRを介した電位が入
力端子INCP9に入力される電位より大きいとき、”
H”レベルの信号を出力する。発振器29は、”L”レ
ベルの信号が入力端子IN2に入力されているとき、ク
ロックを出力し、”H”レベルの信号が入力されている
とき、固定したレベルを出力する。クロックドライバー
39は、発振器29が生成したクロックから互いに相補
的なクロックを生成して出力する。チャージポンプ回路
19は、クロックが入力されているか否かに応じて、す
なわち、”H”レベルの信号が入力端子IN2に入力さ
れているか否かに応じて、出力端子OUT1に電荷を充
電したり、しなかったりする。結局、出力端子OUT1
の電位は、次式の目標電位Vref1になるように制御され
る。
【0003】 目標電位Vref1 =入力端子INCP9の電位×(R1+R2)/R2 ……(式1) 図12は、従来の他のチャージポンプ出力制御回路CP
C9’を含む回路図である。チャージポンプ回路19
は、”H”レベルの信号が入力端子IN2に入力されて
いるか否かに応じて、出力端子OUT1に電荷を充電し
たり、しなかったりする。出力端子OUT1の電位がダ
イオードDIのジャンクション耐圧に達すると、ダイオ
ードDIを介して出力端子OUT1からグランドへ流れ
るリーク電流が急増する。この結果、出力端子OUT1
の電位が低下する。結局、出力端子OUT1の電位は、
出力端子OUT1の電位がダイオードDIのジャンクシ
ョン耐圧に達する直前の電位(クランプ電位)に制御さ
れる。
【0004】なお、1周期のクロックが入力される毎に
出力端子OUT1に充電される電荷量ΔQに対する、出
力端子OUT1の電位の増加量ΔVは、概略的に次式の
通りである。 ΔV=ΔQ/C ……(式2) なお、式2において、Cは負荷100中の負荷容量であ
る。また、同式において、出力端子OUT1の電荷の放
電は無視している。
【0005】以上のチャージポンプ出力制御回路の内で
図11に示した回路CPC9では、次のような問題点が
ある。たとえば、図11の回路を含むフラッシュメモリ
(Flash memory)を考える。負荷100にはメモリセル
等が含まれる。フラッシュメモリには、書き込みモード
(Program opertion)及び消去モード(Erase opertio
n)、さらには読み出しモード(Read opertion)があ
る。図13及び図14は、メモリセルに含まれるMOS
トランジスタを示す。図13における−9V,10Vは
消去モードにおけるメモリセルに印加する電圧を示して
いる。図14における−9V,6V,ゼロVは書き込み
モードにおけるメモリセルに印加する電圧を示してい
る。なお、図13及び図14において、Zはハイインピ
ーダンスを示す。また、図13及び図14のMOSトラ
ンジスタのソース電極は、SL線と呼ばれるメモリセル
を制御するための配線(図示しない配線)に接続され、
ドレイン電極はビット線(図示しない配線)と接続さ
れ、ゲート電極はワード線(図示しない配線)と接続さ
れている。このように各電極は、異なる配線に接続され
ていて、各電極に印加する目標電位Vref1は様々であ
る。さらに、MOSトランジスタの各電極に印加する目
標電位Vref1は、各モードによって異なる。
【0006】チャージポンプ回路19の出力端子OUT
1の電位は、直接、メモリセルに印加されるため、単に
書き込み動作又は読み出し動作を行うというのみならず
フラッシュメモリの信頼性を得るためにも、チャージポ
ンプ回路19の出力端子OUT1の電位を目標電位Vre
f1になるように安定して制御する必要がある。従って、
図11のチャージポンプ回路19の場合には、フラッシ
ュメモリに含まれるチャージポンプ回路19の出力端子
OUT1の電位を安定化するために、電荷量ΔQをでき
る限り大きくする必要がある。この理由は主として次の
2つの理由による。
【0007】上述のモード毎に負荷容量の大きさが異
なる。また、書き込みモードでも書き込むデータ毎に負
荷容量の大きさが異なる。したがって、どの負荷容量に
対しても、出力端子OUT1の電位を安定化するために
は、最も大きい負荷容量に対して電荷量ΔQを大きくす
る必要がある。
【0008】また、図15は、書き込みモードにおけ
る、正電位を出力するチャージポンプ回路の出力電位及
び負電位を出力するチャージポンプ回路の出力電位の例
を示すタイミングチャートである。同図に示すように、
チャージポンプ回路は、所望の目標電位Vref1が6V,
−9Vである電圧を、パルス幅に対して十分短い立ち上
がり時間で、出力しなければならない。この理由は、立
ち上がり時間が長くなるほど、目標電位を満たす期間が
短くなるためである。したがって、立ち上がり時間を十
分短くするためには、できる限り電荷量ΔQを大きくす
る必要がある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
(1)図11のチャージポンプ出力制御回路CPC9に
おける問題点は次の通りである。すなわち、大きさが異
なる異なる負荷容量のうち、非常に小さい負荷容量が存
在する場合がある。たとえば、書き込みモードにおいて
は、多数のビット線を同時に駆動するのが通常である。
しかし、たった1本のビット線しか駆動しない場合があ
り、このとき、負荷容量は非常に小さくなる。このよう
に、負荷容量が非常に小さいとき、式2により、出力端
子OUT1の電位の増加量ΔVが大きくなる。しかも、
電荷量ΔQは上述したように最も大きい容量に対して設
定されているため、出力端子OUT1の電位の増加量Δ
Vは非常に大きくなる。したがって、目標電位Vref1を
大きく越えた電位(リップル)が生じることで、出力端
子OUT1の電位は安定しないという問題点がある。
【0010】また、この大きなリップルを軽減するため
に出力端子OUT1にデカップル容量を負荷する方法が
ある。しかし、この方法は、図15の立ち上がり時間が
増えるという問題点がある。
【0011】(2)図12のチャージポンプ出力制御回
路CPC9’における問題点は次の通りである。すなわ
ち、同図の回路では大きなリップルは生じない。しか
し、同図の回路では、同図の回路のクランプ電位、すな
わち、目標電位Vref1を所望の値に調節することは極め
て困難であるという問題点及びチャージポンプ回路19
は、常に、動作するため電力を消費するという問題点が
ある。
【0012】(3)以上の通り、図11,図12のチャ
ージポンプ出力制御回路のいずれにも、一長一短があ
り、実用に適したものとは言えない。
【0013】本発明は以上のような問題点を解決するた
めになされたものであり、出力端子の電位が安定し、目
標電位を容易に調節でき、さらに消費電力を抑制する新
規な構成のチャージポンプ出力制御回路を得ることを目
的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係る
課題解決手段は、クロックを受け、第1及び第2の電流
電極それぞれが電荷の供給源側及び出力端子側へ接続さ
れ、当該クロックが入力される毎に前記供給源側から前
記出力端子側へ電荷を移動させるトランジスタを備えた
チャージポンプ回路について、負荷が接続された前記出
力端子の電位を調節するチャージポンプ出力制御回路で
あって、予め設定された目標電位及び認識電位と、前記
出力端子からの電位とを受け、これらの大小関係の比較
を行う比較手段と、前記比較手段から比較結果を受け、
当該比較結果に応じて、前記出力端の電位が前記目標電
位になり、かつ、前記出力端の電位が前記認識電位を越
えないように、前記出力端における電荷の量を調節する
電荷量調節手段とを備える。
【0015】本発明の請求項2に係る課題解決手段にお
いて、前記電荷量調節手段は、前記比較結果に応じて前
記クロックの振幅を調節することで、前記第1及び第2
の電流電極間の前記電荷の移動する量を調節するための
クロック振幅調節手段を含む。
【0016】本発明の請求項3に係る課題解決手段にお
いて、前記比較手段は、前記出力端の電位を受け、前記
出力端子の電位を第1の電位に変換して出力する第1の
変換手段と、前記出力端の電位を受け、前記出力端子の
電位を第2の電位に変換して出力する第2の変換手段
と、予め設定された電位と前記第1の電位とを受け、当
該予め設定された電位を前記目標電位として、これらの
大小関係の比較を行う第1の比較手段と、前記予め設定
された電位と前記第2の電位とを受け、当該予め設定さ
れた電位を前記認識電位として、これらの大小関係の比
較を行う第2の比較手段とを含む。
【0017】本発明の請求項4に係る課題解決手段にお
いて、前記電荷量調節手段は、前記クロックを受け、前
記比較結果に応じて当該クロックを出力するか否かを選
択することで、前記出力端における電荷の量を調節する
ためのクロック出力選択手段と、前記クロックに代えて
前記クロック出力選択手段からの出力を受ける疑似チャ
ージポンプ回路とを含み、前記疑似チャージポンプ回路
の出力端子は前記チャージポンプ回路の出力端子に接続
されている。
【0018】本発明の請求項5に係る課題解決手段にお
いて、前記電荷量調節手段は、前記比較手段から比較結
果を受け、当該比較結果を保持する比較結果保持手段を
含み、当該比較結果保持手段が保持している比較結果に
応じて、前記出力端における電荷の量を調節する。
【0019】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.図1は本発明の実施の形態1におけるチ
ャージポンプ出力制御回路CPC1を含む回路図であ
る。同図において、11はチャージポンプ回路、21は
発振器、30はクロックドライバー、40はブースト回
路(クロック振幅調節手段)、50はラッチ回路(比較
結果保持手段)、100は負荷容量Cが変化する負荷、
CP1はコンパレータ(第1の比較手段)、CP2はコ
ンパレータ(第2の比較手段)、R1及びR2は抵抗で
ある。なお、図1の回路は、従来の技術で説明したよう
なフラッシュメモリに含まれ、負荷100にはメモリセ
ル等が含まれる。
【0020】次に図1の回路の構成について説明する。
チャージポンプ回路11の出力端子OUT1は、負荷1
00と、直列に接続した抵抗R1及びR2のそれぞれを
介して、グランドとに接続されている。コンパレータC
P1及びCP2の正入力端子は抵抗R1及びR2の接続
点であるノードnRに接続されている。コンパレータC
P1及びCP2の負入力端子はそれぞれ入力端子INC
P1及びINCP2に接続されている。コンパレータC
P1の出力端子OUTCP1は発振器21の入力端子I
N2に接続されている。発振器21の出力端子OUT2
はクロックドライバー30の入力端子IN3に接続され
ている。クロックドライバー30の出力端子OUT3及
びOUTB3はそれぞれブースト回路40の入力端子I
N4及びINB4に接続されている。ブースト回路40
の出力端子OUT4及びOUTB4はそれぞれチャージ
ポンプ回路11の入力端子IN1及びINB1に接続さ
れている。
【0021】チャージポンプ回路11の内部構成は次の
通りである。電源Vcc・出力端子OUT1間にトラン
ジスタT1,T2,…,Tn+1が直列に接続されてい
る。入力端子IN1とトランジスタTk(kは奇数)の
ドレインとは容量Ckを介して互いに接続されている。
入力端子IN2とトランジスタTk’(k’は偶数)の
ドレインとは容量Ck’を介して互いに接続されてい
る。各トランジスタTi(i=1,2,……,n+1)
は、そのソース・ゲート間が接続されている。このよう
に、チャージポンプ回路11は、クロックを受け、ソー
ス電極,ドレイン電極それぞれが電源Vcc(電荷の供
給源)側及び出力端子OUT1側へ接続され、当該クロ
ックが入力される毎に電源Vcc側から出力端子OUT
1側へ電荷を移動させるトランジスタTiを備えてい
る。なお、トランジスタTiのソース電極,ドレイン電
極のうちの一方が第1の電流電極であり、他方が第2の
電流電極であり、トランジスタTiのゲート電極が制御
電極である。
【0022】図2〜図5はそれぞれ発振器21,クロッ
クドライバー30,ブースト回路40及びラッチ回路5
0の内部構成の例を示す回路図である。なお、図5にお
いて、RSTはリセット入力端子であり、この端子に
は、通常、”L”レベルが入力されており、回路を立ち
上げたときに、リセット信号が入力される。
【0023】本実施の形態では、コンパレータCP1,
CP2,抵抗R1及びR2は比較手段を構成し、ラッチ
回路50,発振器21,クロックドライバー30及びブ
ースト回路40は電荷量調節手段を構成する。
【0024】次に図1の回路の動作について説明する。
まず、図1の回路の各構成要素の動作について説明す
る。チャージポンプ回路11は、入力端子IN1及びI
NB1にお互いに相補的なクロックを受けているとき、
そのクロックの1周期毎に電源Vccから出力端子OU
T1へ電荷を移動させて充電する。そして、入力端子I
N1のクロックが”L”レベルから”H”レベルに立ち
上がることで、最終段のトランジスタTn+1のソース
及びゲートへ”H”レベルのクロックが入力されると、
トランジスタTn+1のソース側の電荷が出力端子OU
T1へ、電荷量ΔQだけ、移動する。電荷量ΔQは、基
板効果に左右される。電荷量ΔQは、基板効果が大きい
とき減少し、基板効果が小さいとき増大する。基板効果
の影響を小さくするには、ゲート・ソース間の電位差を
大きくする方法や、ソース,ゲートに印加する電位を大
きくする、すなわち、クロックの振幅を大きくする方法
がある。
【0025】発振器21は、入力端子IN2に”L”レ
ベルの信号が入力されているとき、出力端子OUT2に
クロックを出力し、入力端子IN2に”H”レベルの信
号が入力されているとき、出力端子OUT2に固定した
レベルを出力する。
【0026】クロックドライバー30は、入力端子IN
3に入力されているクロックを反転して出力端子OUT
3に出力し、出力端子OUT3に出力されているクロッ
クと相補的なクロックを出力端子OUTB3に出力す
る。
【0027】ブースト回路40は、入力端子DISBS
Tに入力されている信号が”L”レベルのとき、入力端
子IN4及びINB4に入力されているそれぞれのクロ
ックの振幅をVcc+αにブーストして、出力端子OU
T4及びOUTB4に出力する。一方、ブースト回路4
0は、入力端子DISBSTに入力されている信号が”
H”レベルのとき、入力端子IN4及びINB4に入力
されているそれぞれのクロックの振幅をVccにして、
出力端子OUT4及びOUTB4に出力する。
【0028】ラッチ回路50は、通常、出力端子OUT
5に”L”レベルの信号を出力しているが、入力端子I
N5に入力される信号の立ち上がりエッジを受けた後
は、出力端子OUT5を”H”レベルに固定する。
【0029】コンパレータCP1及びCP2は、正入力
端子に入力される電位が負入力端子に入力される電位よ
り大きいとき、”H”レベルの信号を出力端子OUTC
P1及びOUTCP2に出力する。一方、コンパレータ
CP1及びCP2は、正入力端子に入力される電位が負
入力端子に入力される電位より小さいとき、”L”レベ
ルの信号を出力端子OUTCP1及びOUTCP2に出
力する。
【0030】次に、図1に示す回路全体の動作を図6及
び図7に示すタイミングチャートを用いて説明する。図
6のVref1はチャージポンプ回路11の出力の目標電位
である。一方、Vref2はチャージポンプ回路11の出力
の特定のリップルを識別するための識別電位である。目
標電位Vref1と入力端子INCP1の電位との関係を次
式に示す。 INCP1の電位= 目標電位Vref1×R2/(R1+R2) ……(式3) また、識別電位Vref2と入力端子INCP2の電位との
関係を次式に示す。 INCP2の電位= 識別電位Vref2×R2/(R1+R2) ……(式4) なお、時刻t4より前の出力端子OUT1の電位は識別
電位Vref2より大きくならなかったとする。
【0031】まず、時刻t0からt1までを説明する。
この時刻t0は、図1の回路を立ち上げた時刻である。
時刻t0では、出力端子OUT1の電位はゼロVであ
る。出力端子OUT1の電位がゼロVのため、ノードn
Rの電位もゼロVであるから、ノードnRの電位は入力
端子INCP1の電位より小さい。したがって、コンパ
レータCP1は”L”レベルを出力し、発振器21は、
クロックを生成して出力する。クロックドライバー30
は、出力端子OUT3及びOUTB3それぞれに相補的
なクロックを出力する。ノードnRの電位は入力端子I
NCP2の電位より小さいため、コンパレータCP2
は”L”レベルを出力し、ラッチ回路50は”L”レベ
ルを出力したままである。したがって、ブースト回路4
0は入力端子IN4及びINB4に入力されているクロ
ックの振幅をVcc+αにブーストして出力する。チャ
ージポンプ回路11は、入力端子IN1及びINB1に
クロックが入力されているため、出力端子OUT1に電
荷を充電する。したがって、出力端子OUT1の電位は
上昇し、目標電位Vref1より大きくなる。このとき、ノ
ードnRの電位は入力端子INCP1の電位より大き
い。したがって、コンパレータCP1は時刻t1で”
H”レベルを出力する。
【0032】次に、時刻t1から時刻t2までを説明す
る。時刻t1で出力端子OUTCP1は”H”レベルで
あるため、発振器21は、クロックの生成を停止する。
このため、クロックドライバー30及びブースト回路4
0はそれぞれ固定したレベルを出力し、チャージポンプ
回路11は充電を停止する。一方、出力端子OUT1の
電荷は、抵抗R1及びR2やその他の図示しないリーク
パスによって、常に放電されている。したがって、出力
端子OUT1の電位は徐々に下降し、目標電位Vref1よ
り小さくなる。このとき、ノードnRの電位は入力端子
INCP1の電位より小さい。したがって、コンパレー
タCP1は時刻t2で”L”レベルを出力する。
【0033】次に、時刻t2から時刻t3までを説明す
る。時刻t2で出力端子OUTCP1は”L”レベルで
あるため、発振器21はクロックの生成を再開する。ま
た、ラッチ回路50は”L”レベルを出力したままであ
る。したがって、ブースト回路40は入力端子IN4及
びINB4に入力されているクロックの振幅をVcc+
αにブーストして出力する。チャージポンプ回路11
は、入力端子IN1及びINB1にクロックが入力され
ているため、出力端子OUT1に電荷を充電する。した
がって、出力端子OUT1の電位は上昇し、目標電位V
ref1より大きくなる。このとき、ノードnRの電位は入
力端子INCP1の電位より大きい。したがって、コン
パレータCP1は時刻t3で”H”レベルを出力する。
【0034】時刻t3から時刻t4までは、負荷100
の負荷容量Cの変動はなく、図1の回路の動作は、時刻
t1〜t3の動作を繰り返すことになる。
【0035】次に、時刻t4から時刻t6までを説明す
る。この期間の動作は、時刻t1から時刻t2までの動
作と同じであるが、時刻t5で負荷容量Cが小さくな
る。
【0036】次に、時刻t6から時刻t7までを説明す
る。時刻t6で出力端子OUTCP1は”L”レベルで
あるため、発振器21はクロックの生成を再開する。ま
た、ラッチ回路50は”L”レベルを出力したままであ
る。したがって、ブースト回路40は入力端子IN4及
びINB4に入力されているクロックの振幅をVcc+
αにブーストして出力する。チャージポンプ回路11
は、入力端子IN1及びINB1にクロックが入力され
ているため、出力端子OUT1に電荷を充電する。した
がって、出力端子OUT1の電位は上昇し、目標電位V
ref1を越え、識別電位Vref2より大きくなる。出力端子
OUT1の電位が識別電位Vref2より大きくなった理由
は、負荷容量Cが小さくなったためである。このとき、
ノードnRの電位は入力端子INCP1及びINCP2
の電位より大きい。したがって、コンパレータCP1及
びコンパレータCP2は時刻t7で出力端子OUTCP
1及びOUTCP2に”L”レベルから”H”レベルを
出力する。
【0037】次に、時刻t7から時刻t8までを説明す
る。時刻t7でOUTCP2は”L”レベルから”H”
レベルに変化するため、ラッチ回路50は出力端子OU
T5を”H”レベルに固定する。また、時刻t7で出力
端子OUTCP1は”H”レベルであるため、発振器2
1はクロックの生成を停止する。このため、クロックド
ライバー30及びブースト回路40はそれぞれ固定した
レベルを出力して、チャージポンプ回路11は充電を停
止するため、出力端子OUT1の電位は徐々に下降し、
目標電位Vref1より小さくなる。このとき、ノードnR
の電位は入力端子INCP1の電位より小さい。したが
って、コンパレータCP1は時刻t8で出力端子OUT
CP1に”L”を出力する。
【0038】次に、時刻t8から時刻t9までを説明す
る。時刻t8で出力端子OUTCP1は”L”レベルで
あるため、発振器21はクロックの生成を再開する。ま
た、ラッチ回路50は出力端子OUT5を”H”レベル
に固定したままである。したがって、図7に示すように
出力端子OUT5が”L”レベルから”H”レベルに変
化した後、ブースト回路40は入力端子IN4及びIN
B4に入力されているクロックの振幅をVccにして出
力する。チャージポンプ回路11は、入力端子IN1及
びINB1にクロックが入力されているため、出力端子
OUT1に電荷を充電する。したがって、出力端子OU
T1の電位は上昇し、目標電位Vref1より大きくなる。
このとき、ノードnRの電位は入力端子INCP1の電
位より大きくなる。したがって、コンパレータCP1は
時刻t9で出力端子OUTCP1に”H”レベルを出力
する。また、出力端子OUT1の電位は識別電位Vref2
を越えることはない。ノードnRの電位が識別電位Vre
f2を越えない理由は、入力端子IN1及びINB1の振
幅がVccになったためである。
【0039】時刻t9から後は、図1の回路の動作は、
時刻t7〜t9の動作を繰り返すことになる。
【0040】このように、コンパレータCP1は、チャ
ージポンプ回路11の電荷の移動を制御することによ
り、出力端子OUT1を目標電位Vref1にする。一方、
コンパレータCP2は、電荷量ΔQを制御することによ
り、出力端子OUT1のリップルの大きさを制御する。
【0041】なお、目標電位Vref2は次のように設定す
ることが好ましい。負荷100の負荷容量Cが非常に小
さくなることが極めて希である場合を考える。この場
合、識別電位Vref2を大きく設定すれば、回路を立ち上
げてから比較的早く電荷量ΔQが小さくなり、図15に
示す立ち上がり時間が長くなってしまう。したがって、
極めて希に生じる負荷容量Cが生じたときに電荷量ΔQ
が小さくなるように識別電位Vref2を設定する。これに
より、回路を立ち上げてから、極めて希にしか電荷量Δ
Qが小さくならないため、通常、図15に示す立ち上が
り時間は短いままとなる。したがって、たとえば最も小
さい負荷容量Cのように、希にしか生じない負荷容量C
が生じたときに電荷量ΔQが変化するように目標電位V
ref2を設定するのが好ましい。
【0042】本実施の形態による効果は、次の通りであ
る。 (1)出力端子OUT1に充電される電荷量ΔQを制御
することにより、リップルの大きさを制御できる。 (2)電荷量ΔQの制御は、チャージポンプ回路11の
入力端子IN1及びIB1に入力されるクロックを利用
し、このクロックの振幅を制御することで容易に行え
る。 (3)識別電位Vref2より大きいリップルを検出した
後、電荷量ΔQを小さくすることで、大きいリップルの
発生を防止することが図れる。 (4)図1の回路では、図12の回路のように、チャー
ジポンプ回路11が常に動作しないため、消費電力が小
さい。また、目標電位Vref1の設定は、入力端子INC
P1に印加するだけで済むため、図12の回路より容易
である。
【0043】実施の形態2.図8は本発明の実施の形態
2におけるチャージポンプ出力制御回路CPC2を含む
回路図である。同図において、R3及びR4は抵抗、そ
の他の符号は図1中の符号に対応している。なお、図8
の回路は、従来の技術で説明したようなフラッシュメモ
リに含まれ、負荷100にはメモリセル等が含まれる。
【0044】図8の回路の構成について説明する。出力
端子OUT1・グランド間に抵抗R3及びR4が直列に
接続される。コンパレータCP2の正入力端子は抵抗R
3及びR4の接続点であるノードnR’に接続され、コ
ンパレータCP2の負入力端子は入力端子入力端子IN
CP1に接続される。その他の構成は図1の構成と同様
である。
【0045】本実施の形態では、コンパレータCP1,
CP2,抵抗R1,R2,R3及びR4は比較手段を構
成し、ラッチ回路50,発振器21,クロックドライバ
ー30及びブースト回路40は電荷量調節手段を構成
し、抵抗R1及びR2は第1の変換手段を構成し、抵抗
R3及びR4は第2の変換手段を構成する。
【0046】また、識別電位Vref2と入力端子INCP
1の電位との関係を次式に示す。 入力端子INCP1の電位= 識別電位Vref2×R4/(R3+R4) ……(式5) 次に図8の回路の動作について説明する。図8の動作は
主として図1の動作と同様であり、図8の回路では、コ
ンパレータCP2はノードnR’の電位と入力端子IN
CP1の電位とを比較する。
【0047】本実施の形態による効果は、次の通りであ
る。 (5)図8の回路では、図1の回路に示す入力端子IN
CP2が必要ないため、たとえば、入力端子INCP2
に与える電位を生成する手段が必要ない。
【0048】実施の形態3.図9は本発明の実施の形態
3におけるチャージポンプ出力制御回路CPC3を含む
回路図である。同図において、11’は疑似チャージポ
ンプ回路、30’は疑似クロックドライバー、31はイ
ンバータ、32はNAND回路、その他の符号は、図9
中の符号に対応している。なお、図9の回路は、従来の
技術で説明したようなフラッシュメモリに含まれ、負荷
100にはメモリセル等が含まれる。
【0049】次に図9の回路の構成について説明する。
ラッチ回路50の出力端子OUT5はインバータ31を
介してNAND回路32の一方の入力端子に接続されて
いる。発振器21の出力端子OUT2はクロックドライ
バー30の入力端子IN3及びNAND回路32の他方
の入力端子に接続されている。クロックドライバー30
の出力端子OUT3及びOUTB3はそれぞれチャージ
ポンプ回路11の入力端子IN1及びINB1に接続さ
れている。NAND回路32の出力端子は疑似クロック
ドライバー30’の入力端子に接続されている。疑似ク
ロックドライバー30’の出力端子OUTB3及びOU
T3はそれぞれチャージポンプ回路11の入力端子IN
1及びINB1に接続されている。疑似チャージポンプ
回路11’の出力端子OUT1’とチャージポンプ回路
11の出力端子OUT1とは接続されている。
【0050】疑似クロックドライバー30’の内部構成
はクロックドライバー30と同一である。疑似チャージ
ポンプ回路11’の内部構成はチャージポンプ回路11
と同一である。その他の構成は図1の回路と同様であ
る。
【0051】本実施の形態では、コンパレータCP1,
CP2,抵抗R1及びR2は比較手段を構成し、ラッチ
回路50,発振器21,クロックドライバー30,ブー
スト回路40,疑似クロックドライバー30’,インバ
ータ31,NAND回路32及び疑似チャージポンプ回
路11’は電荷量調節手段を構成し、疑似クロックドラ
イバー30’,インバータ31及びNAND回路32は
クロック出力選択手段を構成する。
【0052】次に図9の回路の動作について説明する。
チャージポンプ回路11,発振器21,クロックドライ
バー30,ラッチ回路50,コンパレータCP1及びC
P2の動作は実施の形態1の説明と同様である。疑似チ
ャージポンプ回路11’及び疑似クロックドライバー3
0’の動作はそれぞれチャージポンプ回路11及びクロ
ックドライバー30と同一である。
【0053】チャージポンプ回路11及び疑似チャージ
ポンプ回路11’の入力端子に入力される信号は図10
に示すようになる。まず、ラッチ回路50の出力端子O
UT5が”H”レベルか”L”レベルかを問わず、チャ
ージポンプ回路11の入力端子IN1及びINB1には
互いに相補的なクロックが入力される。ラッチ回路50
の出力端子OUT5が”L”レベルのとき、疑似チャー
ジポンプ回路11’の入力端子IN1’及びINB1’
には互いに相補的なクロックが入力される。また、入力
端子IN1及びIN1’に入力されるクロックは同様で
ある。入力端子INB1及びINB1’に入力されるク
ロックは同様である。出力端子OUT1に充電される電
荷は、チャージポンプ回路11及び疑似チャージポンプ
回路11’からの電荷の合計である。
【0054】次に、負荷容量Cが小さくなり、チャージ
ポンプ回路13の出力端子OUT1の電位がVref2より
大きくなったとする。このとき、ラッチ回路50の出力
端子OUT5は”L”レベルから”H”レベルに変化す
る。出力端子OUT5が”H”レベルのとき、入力端子
IN1’及びINB1’には固定したレベルが入力され
る。したがって、出力端子OUT1に充電される電荷
は、チャージポンプ回路11のみからであるため、出力
端子OUT1の電位が識別電位Vref2を超えることが抑
制される。
【0055】このように、本実施の形態は、図9の回路
のように複数のチャージポンプ回路を有する回路に適用
され、複数のチャージポンプ回路のうちのいずれかを選
択的に動作させることにより、出力端子OUT1の電位
を調節するといえる。
【0056】本実施の形態による効果は、次の通りであ
る。 (6)2つチャージポンプ回路を同時に動作させたり、
他方を停止させたりすることで、出力端子OUT1に充
電される電荷量ΔQを制御することにより、リップルの
大きさを制御できる。
【0057】変形例.実施の形態1〜3において、正電
位を出力するチャージポンプ回路の代わりに負電位を出
力するチャージポンプ回路にチャージポンプ出力制御回
路を適用してもよい。
【0058】
【発明の効果】本発明請求項1によると、認識電位を用
いることにより、出力端子に生じるリップルの大きさを
調節できるため、出力端子の電位が安定するという効果
を奏す。
【0059】本発明請求項2によると、クロックの振幅
調節を利用した制御を行っているので、容易に電荷の量
を調節でき、電荷量調節手段を簡単な回路構成で実現で
きるという効果を奏す。
【0060】本発明請求項3によると、第1,第2の変
換手段を用いることで、目標電位及び認識電位のうちの
一方の電位を比較手段に入力する必要がなくなり、さら
に例えば比較手段に与える認識電位を生成する手段が必
要ないという効果を奏す。
【0061】本発明請求項4によると、比較結果に応じ
て疑似チャージポンプ回路が出力端子に電荷を供給する
ことにより、クロック毎に出力端子に供給される電荷の
量を調節できるという効果を奏す。
【0062】本発明請求項5によると、比較結果保持手
段が比較結果を保持するため、たとえば、電荷量調節手
段は、認識電位に基づいて判断される大きなリップルが
生じた後において出力端子に供給する電荷の量を低減さ
せたままにすることができるという効果を奏す。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1におけるチャージポン
プ出力制御回路を含む回路図である。
【図2】 発振器21の内部構成の例を示す回路図であ
る。
【図3】 クロックドライバー30の内部構成の例を示
す回路図である。
【図4】 ブースト回路40の内部構成の例を示す回路
図である。
【図5】 ラッチ回路50の内部構成の例を示す回路図
である。
【図6】 図1の各端子における信号を示すタイミング
チャートである。
【図7】 図1の各端子における信号を示すタイミング
チャートである。
【図8】 本発明の実施の形態2におけるチャージポン
プ出力制御回路を含む回路図である。
【図9】 本発明の実施の形態3におけるチャージポン
プ出力制御回路を含む回路図である。
【図10】 チャージポンプ回路11及び疑似チャージ
ポンプ回路11’の入力端子に入力される信号を示すタ
イミングチャートである。
【図11】 従来のチャージポンプ出力制御回路CPC
9を含む回路図である。
【図12】 従来の他のチャージポンプ出力制御回路C
PC9’を含む回路図である。
【図13】 メモリセルを示す概念図である。
【図14】 メモリセルを示す概念図である。
【図15】 書き込みモードにおける、チャージポンプ
回路の出力電位の例を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
CPC1〜CPC3 チャージポンプ出力制御回路、1
00 負荷。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 クロックを受け、第1及び第2の電流電
    極それぞれが電荷の供給源側及び出力端子側へ接続さ
    れ、当該クロックが入力される毎に前記供給源側から前
    記出力端子側へ電荷を移動させるトランジスタを備えた
    チャージポンプ回路について、負荷が接続された前記出
    力端子の電位を調節するチャージポンプ出力制御回路で
    あって、 予め設定された目標電位及び認識電位と、前記出力端子
    からの電位とを受け、これらの大小関係の比較を行う比
    較手段と、 前記比較手段から比較結果を受け、当該比較結果に応じ
    て、前記出力端の電位が前記目標電位になり、かつ、前
    記出力端の電位が前記認識電位を越えないように、前記
    出力端における電荷の量を調節する電荷量調節手段と、
    を備えたチャージポンプ出力制御回路。
  2. 【請求項2】 前記電荷量調節手段は、 前記比較結果に応じて前記クロックの振幅を調節するこ
    とで、前記第1及び第2の電流電極間の前記電荷の移動
    する量を調節するためのクロック振幅調節手段を含む請
    求項1記載のチャージポンプ出力制御回路。
  3. 【請求項3】 前記比較手段は、 前記出力端の電位を受け、前記出力端子の電位を第1の
    電位に変換して出力する第1の変換手段と、 前記出力端の電位を受け、前記出力端子の電位を第2の
    電位に変換して出力する第2の変換手段と、 予め設定された電位と前記第1の電位とを受け、当該予
    め設定された電位を前記目標電位として、これらの大小
    関係の比較を行う第1の比較手段と、 前記予め設定された電位と前記第2の電位とを受け、当
    該予め設定された電位を前記認識電位として、これらの
    大小関係の比較を行う第2の比較手段と、を含む請求項
    2記載のチャージポンプ出力制御回路。
  4. 【請求項4】 前記電荷量調節手段は、 前記クロックを受け、前記比較結果に応じて当該クロッ
    クを出力するか否かを選択することで、前記出力端にお
    ける電荷の量を調節するためのクロック出力選択手段
    と、 前記クロックに代えて前記クロック出力選択手段からの
    出力を受ける疑似チャージポンプ回路と、を含み、 前記疑似チャージポンプ回路の出力端子は前記チャージ
    ポンプ回路の出力端子に接続されている請求項1記載の
    チャージポンプ出力制御回路。
  5. 【請求項5】 前記電荷量調節手段は、 前記比較手段から比較結果を受け、当該比較結果を保持
    する比較結果保持手段を含み、当該比較結果保持手段が
    保持している比較結果に応じて、前記出力端における電
    荷の量を調節する請求項1〜4のいずれかに記載のチャ
    ージポンプ出力制御回路。
JP843997A 1997-01-21 1997-01-21 チャージポンプ出力制御回路 Pending JPH10208488A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100681880B1 (ko) 2006-02-21 2007-02-15 주식회사 하이닉스반도체 고전압 발생회로
US7649785B2 (en) 2006-05-24 2010-01-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Flash memory device and related high voltage generating circuit
US7755417B2 (en) 2006-12-12 2010-07-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Voltage generating circuit and semiconductor memory device with the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100681880B1 (ko) 2006-02-21 2007-02-15 주식회사 하이닉스반도체 고전압 발생회로
US7649785B2 (en) 2006-05-24 2010-01-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Flash memory device and related high voltage generating circuit
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