JPH10203058A - プラスチックカードのようなプラスチック媒体への保護無機及びdlcコーティング - Google Patents
プラスチックカードのようなプラスチック媒体への保護無機及びdlcコーティングInfo
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- JPH10203058A JPH10203058A JP34022797A JP34022797A JPH10203058A JP H10203058 A JPH10203058 A JP H10203058A JP 34022797 A JP34022797 A JP 34022797A JP 34022797 A JP34022797 A JP 34022797A JP H10203058 A JPH10203058 A JP H10203058A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラスチックカードのようなプラスチック媒
体に対する室温又はそれに近い温度で金属有機プラズマ
増強化学蒸着法により塗布された保護薄膜無機又はダイ
アモンド類似カーボンコーティングを提供する。 【解決手段】 それはプラスチックカードのようなプラ
スチック媒体と、該プラスチック媒体上の硬く、透明又
は半透明で耐摩耗性の薄膜アモルファス無機又はDLC
コーティングとからなるプラスチック構造からなる。
体に対する室温又はそれに近い温度で金属有機プラズマ
増強化学蒸着法により塗布された保護薄膜無機又はダイ
アモンド類似カーボンコーティングを提供する。 【解決手段】 それはプラスチックカードのようなプラ
スチック媒体と、該プラスチック媒体上の硬く、透明又
は半透明で耐摩耗性の薄膜アモルファス無機又はDLC
コーティングとからなるプラスチック構造からなる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は対象への保護コーテ
ィングに関し、より詳細にはプラスチックカードのよう
なプラスチック媒体に対する室温又はそれに近い温度で
金属有機プラズマ増強化学蒸着法により塗布された保護
薄膜無機又はダイアモンド類似カーボンコーティングに
関する。
ィングに関し、より詳細にはプラスチックカードのよう
なプラスチック媒体に対する室温又はそれに近い温度で
金属有機プラズマ増強化学蒸着法により塗布された保護
薄膜無機又はダイアモンド類似カーボンコーティングに
関する。
【0002】
【従来の技術】セキュリティーカードはこのハイテク化
した世の中で重要な情報要素になってきている。磁気署
名は磁気ストライプ又はカードの本体に埋め込まれた磁
性粒子のいずれかになされ、この場合にはカードは本体
を通して均一に分散された磁性粒子を有する固体のプラ
スチック体である。これらのカードはクレジットカー
ド、デビットカード、個人のIDカード、セキュリティ
パス、スマートカードを含む。光学的署名は典型的には
ID写真、会社のロゴ、エンブレムのような写真画像の
形でカードの表面に見いだされる。これらのカードは一
般にポリスチレン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリ
アミド、PVC(ポリ塩化ビニル)、ポリカーボネー
ト、PET(ポリエチレンテレフタレイト)、ポリオレ
フィン、PEN(ポリエチレンナフタレイト)のような
プラスチック樹脂材料から作られている。これらの樹脂
が可塑化された後でプラスチック材料は柔らかく、一般
的な機械的摩耗に対して傷つきやすく、化学的な侵襲に
対して傷つきやすい。一般的な機械的摩耗を最小にする
ためにこれらのプラスチックカードはエステル、ステア
リン酸塩、シリコン、ポリマー化したシリコン、パラフ
ィン、シロキサンのような付加的な潤滑剤を添加され
る。
した世の中で重要な情報要素になってきている。磁気署
名は磁気ストライプ又はカードの本体に埋め込まれた磁
性粒子のいずれかになされ、この場合にはカードは本体
を通して均一に分散された磁性粒子を有する固体のプラ
スチック体である。これらのカードはクレジットカー
ド、デビットカード、個人のIDカード、セキュリティ
パス、スマートカードを含む。光学的署名は典型的には
ID写真、会社のロゴ、エンブレムのような写真画像の
形でカードの表面に見いだされる。これらのカードは一
般にポリスチレン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリ
アミド、PVC(ポリ塩化ビニル)、ポリカーボネー
ト、PET(ポリエチレンテレフタレイト)、ポリオレ
フィン、PEN(ポリエチレンナフタレイト)のような
プラスチック樹脂材料から作られている。これらの樹脂
が可塑化された後でプラスチック材料は柔らかく、一般
的な機械的摩耗に対して傷つきやすく、化学的な侵襲に
対して傷つきやすい。一般的な機械的摩耗を最小にする
ためにこれらのプラスチックカードはエステル、ステア
リン酸塩、シリコン、ポリマー化したシリコン、パラフ
ィン、シロキサンのような付加的な潤滑剤を添加され
る。
【0003】そのようなカードはプラスチック材料であ
り、いかなる添加された潤滑剤も有機ベースを有する傾
向にある故にそれらはなお一般的な機械的摩耗、毎日の
取り扱い、保管、カードリーダーで用いられると劣化及
び化学的な侵襲に対して傷つきやすい。これらの問題は
光学的又は保安的な情報の損失及び/又は歪みでプラス
チックカードの寿命を短くする。付加的に光学的な登録
が表面になされる故にそれらは保安上の不正な変更に曝
されることになる。
り、いかなる添加された潤滑剤も有機ベースを有する傾
向にある故にそれらはなお一般的な機械的摩耗、毎日の
取り扱い、保管、カードリーダーで用いられると劣化及
び化学的な侵襲に対して傷つきやすい。これらの問題は
光学的又は保安的な情報の損失及び/又は歪みでプラス
チックカードの寿命を短くする。付加的に光学的な登録
が表面になされる故にそれらは保安上の不正な変更に曝
されることになる。
【0004】薄く、硬く、耐久性のある、苛酷な環境を
浸透させない効果的な保護コーティングを用いることに
より実現可能な保護及び保安上の改善に対する要求が存
在する。そのような質のものでコーティングすることは
一般に薄膜であり、アルミナのような無機酸化物、シリ
コンカーバイド、チタニウムカーバイドのような無機カ
ーバイド、チッ化シリコン、チッ化チタンのような無機
チッ化物、又はダイヤモンド類似カーボン(DLC)の
ようなダイアモンド類似物である。しかしながらこれら
のコーティングは一般的な標準の真空処理温度及び条件
下で薄膜として塗布されるときにそのようなコーティン
グのための処理温度又はそれ以下の融点を有するプラス
チックカードと全く両立しなくなる。
浸透させない効果的な保護コーティングを用いることに
より実現可能な保護及び保安上の改善に対する要求が存
在する。そのような質のものでコーティングすることは
一般に薄膜であり、アルミナのような無機酸化物、シリ
コンカーバイド、チタニウムカーバイドのような無機カ
ーバイド、チッ化シリコン、チッ化チタンのような無機
チッ化物、又はダイヤモンド類似カーボン(DLC)の
ようなダイアモンド類似物である。しかしながらこれら
のコーティングは一般的な標準の真空処理温度及び条件
下で薄膜として塗布されるときにそのようなコーティン
グのための処理温度又はそれ以下の融点を有するプラス
チックカードと全く両立しなくなる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記問
題を解決することにある。
題を解決することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明はプラスチックカ
ードのようなプラスチック媒体に対する薄膜保護コーテ
ィングを提供する。保護コーティングは室温もしくはそ
れに近い温度(即ち<<100゜C)で百から数千オン
グストロームの厚さの範囲の薄膜の形の無機酸化物、チ
ッ化物、カーバイド、DLCのような種々の耐摩耗保護
無機材料である。
ードのようなプラスチック媒体に対する薄膜保護コーテ
ィングを提供する。保護コーティングは室温もしくはそ
れに近い温度(即ち<<100゜C)で百から数千オン
グストロームの厚さの範囲の薄膜の形の無機酸化物、チ
ッ化物、カーバイド、DLCのような種々の耐摩耗保護
無機材料である。
【0007】本発明は有機金属反応物の適切な選択での
み可能な25から100゜Cの範囲の低温で材料を処理
する金属有機(Metallo−Organic)プラ
ズマ増強化学蒸着(MOPECVD)真空技術を用い
る。これらの反応物はジシリルヘキサン、ジメチルアル
ミニウム、アルキルトリメチルアルミニウム、トリメチ
ルチタンを含む。MOPECVD技術はプラズマに基づ
く処理であり、無線周波数(13.5Mhz)、マイク
ロ波(2.54GHz)又は光学的(hv>5ev)プ
ラズマのいずれかに基づく。堆積された薄膜材料は高温
処理(例えば>250゜C)を用いた鉄、セラミック、
ガラスのような高温耐久基体上に専ら堆積された高温度
高耐久性コーティングのアモルファス類似物である。こ
れらのアモルファス材料はチッ化シリコン、二酸化シリ
コン、酸化アルミニウムのような無機酸化物、シリコン
オキシニトリドのような無機オキシニトリド、シリコン
カーバイド、チタンカーバイドのような無機カーバイ
ド、シリコンオキシカーバイドのような無機オキシカー
バイド、ダイアモンド類似カーボン(DLC)、シリコ
ン及び窒素をドープされたDLCのようなドープされた
種々のDLCを含む。
み可能な25から100゜Cの範囲の低温で材料を処理
する金属有機(Metallo−Organic)プラ
ズマ増強化学蒸着(MOPECVD)真空技術を用い
る。これらの反応物はジシリルヘキサン、ジメチルアル
ミニウム、アルキルトリメチルアルミニウム、トリメチ
ルチタンを含む。MOPECVD技術はプラズマに基づ
く処理であり、無線周波数(13.5Mhz)、マイク
ロ波(2.54GHz)又は光学的(hv>5ev)プ
ラズマのいずれかに基づく。堆積された薄膜材料は高温
処理(例えば>250゜C)を用いた鉄、セラミック、
ガラスのような高温耐久基体上に専ら堆積された高温度
高耐久性コーティングのアモルファス類似物である。こ
れらのアモルファス材料はチッ化シリコン、二酸化シリ
コン、酸化アルミニウムのような無機酸化物、シリコン
オキシニトリドのような無機オキシニトリド、シリコン
カーバイド、チタンカーバイドのような無機カーバイ
ド、シリコンオキシカーバイドのような無機オキシカー
バイド、ダイアモンド類似カーボン(DLC)、シリコ
ン及び窒素をドープされたDLCのようなドープされた
種々のDLCを含む。
【0008】本発明の特徴によれば、プラスチックカー
ドのようなプラスチック媒体と、該プラスチック媒体上
の硬く、透明又は半透明で耐摩耗性の薄膜アモルファス
無機又はDLCコーティングとからなるプラスチック構
造が提供される。
ドのようなプラスチック媒体と、該プラスチック媒体上
の硬く、透明又は半透明で耐摩耗性の薄膜アモルファス
無機又はDLCコーティングとからなるプラスチック構
造が提供される。
【0009】本発明の他の特徴によればチェンバー内に
保持された該プラスチック媒体を通過するよう該媒体に
無機又はDLCコーティングを形成するための一以上の
成分を含む反応性ガスを流し;化学蒸着により該媒体に
アモルファス無機又はDLC薄膜保護コーティングが形
成されるよう室温又はそれに近い温度で該反応性ガスに
プラズマ形成エネルギーを印加する各段階からなる薄膜
保護コーティングが塗布されたプラスチック媒体が提供
される。
保持された該プラスチック媒体を通過するよう該媒体に
無機又はDLCコーティングを形成するための一以上の
成分を含む反応性ガスを流し;化学蒸着により該媒体に
アモルファス無機又はDLC薄膜保護コーティングが形
成されるよう室温又はそれに近い温度で該反応性ガスに
プラズマ形成エネルギーを印加する各段階からなる薄膜
保護コーティングが塗布されたプラスチック媒体が提供
される。
【0010】
【発明の実施の形態】図1を参照するに本発明を実施す
るシステムの概略図が示される。示されるように密閉さ
れたチェンバー10は流入、流出ガス導管12、14を
有する。平行電極18、20を含む無線周波数エネルギ
ー源がチェンバー10内に配置される。電極18はグラ
ンドに電気的に接続され、電極20は無線周波数エネル
ギー源22に電気的に接続される。対象24(例えばプ
ラスチックカードのような)は硬質の保護コーティング
でコートされるよう板20上に配置される。
るシステムの概略図が示される。示されるように密閉さ
れたチェンバー10は流入、流出ガス導管12、14を
有する。平行電極18、20を含む無線周波数エネルギ
ー源がチェンバー10内に配置される。電極18はグラ
ンドに電気的に接続され、電極20は無線周波数エネル
ギー源22に電気的に接続される。対象24(例えばプ
ラスチックカードのような)は硬質の保護コーティング
でコートされるよう板20上に配置される。
【0011】反応ガスは流入導管12から流出導管14
へ矢印26の方向に対象24を通過するよう流される。
反応ガスはそれぞれガス源34、36、38から流入導
管12へ導管28、30、32を介して供給される。質
量流量制御器(MFC)40、42、44はそれぞれ導
管34、36、38を通してガスの流れを制御する。示
されるようにガス源38は高蒸気圧の2,5ジシラヘキ
サン(Disilahexane)(DSH)のような
有機金属材料又はメタンのようなカーボンベースの有機
ガスを含む。
へ矢印26の方向に対象24を通過するよう流される。
反応ガスはそれぞれガス源34、36、38から流入導
管12へ導管28、30、32を介して供給される。質
量流量制御器(MFC)40、42、44はそれぞれ導
管34、36、38を通してガスの流れを制御する。示
されるようにガス源38は高蒸気圧の2,5ジシラヘキ
サン(Disilahexane)(DSH)のような
有機金属材料又はメタンのようなカーボンベースの有機
ガスを含む。
【0012】ガス源34、36からの第二の反応ガスは
処理でのプラズマ化学を確立させるよう導入される。典
型的な第二の反応ガスは水素分子、窒素分子、酸素分子
である。システム圧力、前もって印加されるRFパワ
ー、電極間の離間のようなRF処理条件はプラズマ内の
化学反応が最適になるよう調整される。酸化物、カーバ
イド、チッ化物ベースのシリコンの無機コーティングの
場合には最適な有機金属源のジシラヘキサンは:a)チ
ッ化シリコンのアモルファスフィルムに塗布するために
窒素分子、b)シリコンオキシニトリドのアモルファス
フィルムに塗布するために酸素及び窒素分子、c)酸化
シリコンのアモルファスフィルムに塗布するために酸素
分子、d)シリコンカーバイドのアモルファスフィルム
に塗布するために水素又はアルゴン分子の存在下で用い
られる。典型的な処理条件は以下の通り:RFパワー密
度は1.5ワット/cm2 と等しいかそれより大く、シ
ステム圧力は75から1500mTorrであり、電極
ギャップの間隔は2.0cmであり、流速はDSHで3
sccmであり、メタンで50sccmであり、水素で
100から200sccmであり、酸素で50sccm
であり、窒素で100sccmであり、アルゴンで60
から100sccmである。これらの条件の下で典型的
には950から1000Aの材料が一分間に堆積され
た。
処理でのプラズマ化学を確立させるよう導入される。典
型的な第二の反応ガスは水素分子、窒素分子、酸素分子
である。システム圧力、前もって印加されるRFパワ
ー、電極間の離間のようなRF処理条件はプラズマ内の
化学反応が最適になるよう調整される。酸化物、カーバ
イド、チッ化物ベースのシリコンの無機コーティングの
場合には最適な有機金属源のジシラヘキサンは:a)チ
ッ化シリコンのアモルファスフィルムに塗布するために
窒素分子、b)シリコンオキシニトリドのアモルファス
フィルムに塗布するために酸素及び窒素分子、c)酸化
シリコンのアモルファスフィルムに塗布するために酸素
分子、d)シリコンカーバイドのアモルファスフィルム
に塗布するために水素又はアルゴン分子の存在下で用い
られる。典型的な処理条件は以下の通り:RFパワー密
度は1.5ワット/cm2 と等しいかそれより大く、シ
ステム圧力は75から1500mTorrであり、電極
ギャップの間隔は2.0cmであり、流速はDSHで3
sccmであり、メタンで50sccmであり、水素で
100から200sccmであり、酸素で50sccm
であり、窒素で100sccmであり、アルゴンで60
から100sccmである。これらの条件の下で典型的
には950から1000Aの材料が一分間に堆積され
た。
【0013】アモルファスDLCに対して、メタンは:
a)DLCのアモルファスフィルムに塗布するために水
素及び/又はアルゴンの分子、b)DLCのシリコンド
ープされたフィルムに塗布するためにDSHプラス水素
及び/又はアルゴンの分子、c)窒素をドープされたD
LCフィルムに塗布するために窒素分子の存在下で典型
的に用いられる。これらの条件下で典型的に毎分100
から500Aが堆積される。
a)DLCのアモルファスフィルムに塗布するために水
素及び/又はアルゴンの分子、b)DLCのシリコンド
ープされたフィルムに塗布するためにDSHプラス水素
及び/又はアルゴンの分子、c)窒素をドープされたD
LCフィルムに塗布するために窒素分子の存在下で典型
的に用いられる。これらの条件下で典型的に毎分100
から500Aが堆積される。
【0014】図6はDLC及びドープされたDLC(左
の表)及びa−SiOX:H,a−SiX:H(X=
C,N)(右の表)に対する本発明のコーティングを塗
布するための方法を実施する好ましいパラメータをテー
ブルの形で示す。チェンバー10内でコートされるプラ
スチック媒体のような対象24はいかなる対象でもよ
い。図4に示されるように対象24は保護コーティング
52を塗布される基板50を含む。基板50は金属のよ
うな高融点材料又はプラスチックのような低融点材料で
ありうる。何故ならば本発明の方法は室温又はそれに近
い温度(<100゜C)で実施されるからである。好ま
しい適応ではコートされる対象はセキュリティカード
(クレジットカード、デビットカード、個人IDカー
ド、セキュリティパス、スマートカードのような)であ
る。図3に示されるようにセキュリティカード60はプ
ラスチック体62を通して均一に分散された磁性粒子6
4を有する固体のプラスチック体62を含む。保護コー
ティング64は本発明によりカード体60に塗布され
る。カード60は好ましくは情報がカードのどちらの面
又はどの端のいかなるところにも磁気的にエンコードさ
れる。カード60は磁気ストリップ及び光学的特徴を有
するプラスチックカードでありうる。
の表)及びa−SiOX:H,a−SiX:H(X=
C,N)(右の表)に対する本発明のコーティングを塗
布するための方法を実施する好ましいパラメータをテー
ブルの形で示す。チェンバー10内でコートされるプラ
スチック媒体のような対象24はいかなる対象でもよ
い。図4に示されるように対象24は保護コーティング
52を塗布される基板50を含む。基板50は金属のよ
うな高融点材料又はプラスチックのような低融点材料で
ありうる。何故ならば本発明の方法は室温又はそれに近
い温度(<100゜C)で実施されるからである。好ま
しい適応ではコートされる対象はセキュリティカード
(クレジットカード、デビットカード、個人IDカー
ド、セキュリティパス、スマートカードのような)であ
る。図3に示されるようにセキュリティカード60はプ
ラスチック体62を通して均一に分散された磁性粒子6
4を有する固体のプラスチック体62を含む。保護コー
ティング64は本発明によりカード体60に塗布され
る。カード60は好ましくは情報がカードのどちらの面
又はどの端のいかなるところにも磁気的にエンコードさ
れる。カード60は磁気ストリップ及び光学的特徴を有
するプラスチックカードでありうる。
【0015】本発明のコーティングの保護的特性は測定
され、その高温類似物の特性と比較された。これらのコ
ーティングは堅牢で、耐久性があり、可視光に対して半
透明な透過性を有し、柔軟で、プラスチック基体に対し
て非常によい付着性を示し、苛酷な化学的な侵襲に対し
て耐久性を有する。コートされたカードの表面と処理さ
れていないカードの表面はイソプロピルアルコール及び
アセトンのような溶媒に曝された。コートされたカード
は溶媒に曝されても不浸透性であり、一方で処理されな
いカードは化学物質の侵襲を受けて、プリントされた画
像が歪んでしまった。コートされたカード及び新たな処
理されないカードは一連の磁気リーダーによる掃引に曝
された。ひどい引っかき傷が処理されないカード上にみ
られたが他方で処理されたカードはなおそのような摩耗
を免れた。
され、その高温類似物の特性と比較された。これらのコ
ーティングは堅牢で、耐久性があり、可視光に対して半
透明な透過性を有し、柔軟で、プラスチック基体に対し
て非常によい付着性を示し、苛酷な化学的な侵襲に対し
て耐久性を有する。コートされたカードの表面と処理さ
れていないカードの表面はイソプロピルアルコール及び
アセトンのような溶媒に曝された。コートされたカード
は溶媒に曝されても不浸透性であり、一方で処理されな
いカードは化学物質の侵襲を受けて、プリントされた画
像が歪んでしまった。コートされたカード及び新たな処
理されないカードは一連の磁気リーダーによる掃引に曝
された。ひどい引っかき傷が処理されないカード上にみ
られたが他方で処理されたカードはなおそのような摩耗
を免れた。
【0016】図5は標準(従来の)RFPECVD法と
本発明に適用するために用いられた方法との間の差を示
す。図2を参照するに本発明を実施する他のシステムが
示される。図2のシステムはコートされるべき対象を除
き図1のシステムと実質的に同じである。図2でチェン
バー10’は材料の連続的なウェッブ24”が本発明に
よりコートされるようカーテン壁70、72を設けられ
る。示されるようにウェッブ24”はロール74からロ
ール76へチェンバー10’を通り搬送される。
本発明に適用するために用いられた方法との間の差を示
す。図2を参照するに本発明を実施する他のシステムが
示される。図2のシステムはコートされるべき対象を除
き図1のシステムと実質的に同じである。図2でチェン
バー10’は材料の連続的なウェッブ24”が本発明に
よりコートされるようカーテン壁70、72を設けられ
る。示されるようにウェッブ24”はロール74からロ
ール76へチェンバー10’を通り搬送される。
【0017】以下は本発明による典型的な材料処理例で
ある。
ある。
【0018】
【0019】
【表1】
【0020】
【表2】
【0021】
【表3】
【0022】
【表4】
【0023】本発明はその特定の実施例を特に参照して
詳細に記載されてきたが、変更及び改善は本発明の精神
及び範囲内で有効である。
詳細に記載されてきたが、変更及び改善は本発明の精神
及び範囲内で有効である。
【0024】
【発明の効果】本発明は就中以下の利点を有する。 1. 引っかき傷や劣化のような機械的摩耗からの改善
された保護。 2. 光学的特徴及び光学的署名に対する改善された保
護。 3. 媒体は大規模なバッチモードに適用可能な簡単で
便利な製造工程を用いてコーティングでき、それにより
コストが減少する。
された保護。 2. 光学的特徴及び光学的署名に対する改善された保
護。 3. 媒体は大規模なバッチモードに適用可能な簡単で
便利な製造工程を用いてコーティングでき、それにより
コストが減少する。
【図1】本発明を実施するシステムの概略図である。
【図2】本発明を実施する他のシステムの概略図であ
る。
る。
【図3】本発明の製品を示す概略図である。
【図4】本発明の製品を示す概略図である。
【図5】従来の方法と比較した本発明を実施するのに用
いられた方法の有用性を示す表である。
いられた方法の有用性を示す表である。
【図6】本発明を実施するパラメータを示す表である。
10、10’ チェンバー 12、14 ガス導管 18、20 平行電極 22 無線周波数エネルギー源 24、24’ 対象 24” 連続ウェッブ 28、30、32 導管 34、36、38 ガス源 40、42、44 質量流量制御器 50 基体 52 保護コーティング 60 セキュリティカード 62 固体プラスチック体 64 磁性粒子 70、72 カーテン壁 74、76 ロール
Claims (2)
- 【請求項1】プラスチックカードのようなプラスチック
媒体と、 該プラスチック媒体上の硬く、透明又は半透明で耐摩耗
性の薄膜アモルファス無機又はDLCコーティングとか
らなるプラスチック構造。 - 【請求項2】チェンバー内に支持された該プラスチック
媒体に無機又はDLCコーティングを形成するための一
以上の成分を含む反応性ガスを該媒体に通過させて流
し;化学蒸着により該媒体にアモルファス無機又はDL
C薄膜保護コーティングが形成されるよう室温又はそれ
に近い温度で該反応性ガスにプラズマ形成エネルギーを
印加する各段階からなる該コーティングが塗布される請
求項1のプラスチック構造。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/764,426 US5879775A (en) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | Protective inorganic and DLC coatings for plastic media such as plastic cards |
US764426 | 1996-12-12 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10203058A true JPH10203058A (ja) | 1998-08-04 |
Family
ID=25070695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34022797A Pending JPH10203058A (ja) | 1996-12-12 | 1997-12-10 | プラスチックカードのようなプラスチック媒体への保護無機及びdlcコーティング |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5879775A (ja) |
EP (1) | EP0848082A3 (ja) |
JP (1) | JPH10203058A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016135842A (ja) * | 2014-11-03 | 2016-07-28 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | シリコン系膜及びその形成方法 |
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US6475573B1 (en) | 1999-05-03 | 2002-11-05 | Guardian Industries Corp. | Method of depositing DLC inclusive coating on substrate |
US6335086B1 (en) | 1999-05-03 | 2002-01-01 | Guardian Industries Corporation | Hydrophobic coating including DLC on substrate |
US6368664B1 (en) | 1999-05-03 | 2002-04-09 | Guardian Industries Corp. | Method of ion beam milling substrate prior to depositing diamond like carbon layer thereon |
US6280834B1 (en) | 1999-05-03 | 2001-08-28 | Guardian Industries Corporation | Hydrophobic coating including DLC and/or FAS on substrate |
US6277480B1 (en) | 1999-05-03 | 2001-08-21 | Guardian Industries Corporation | Coated article including a DLC inclusive layer(s) and a layer(s) deposited using siloxane gas, and corresponding method |
US6261693B1 (en) | 1999-05-03 | 2001-07-17 | Guardian Industries Corporation | Highly tetrahedral amorphous carbon coating on glass |
US6338901B1 (en) | 1999-05-03 | 2002-01-15 | Guardian Industries Corporation | Hydrophobic coating including DLC on substrate |
US6461731B1 (en) | 1999-05-03 | 2002-10-08 | Guardian Industries Corp. | Solar management coating system including protective DLC |
US6447891B1 (en) | 1999-05-03 | 2002-09-10 | Guardian Industries Corp. | Low-E coating system including protective DLC |
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US7526928B1 (en) | 2002-11-04 | 2009-05-05 | Azotic Coating Technology, Inc. | Multi-color gemstones and gemstone coating deposition technology |
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EP2137338A2 (en) * | 2007-03-28 | 2009-12-30 | Dow Corning Corporation | Roll-to-roll plasma enhanced chemical vapor deposition method of barrier layers comprising silicon and carbon |
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ES2736731T3 (es) | 2008-07-18 | 2020-01-07 | Suneeta Neogi | Método para producir recubrimientos de diamante nanocristalino sobre piedras preciosas |
US8166883B1 (en) | 2009-07-02 | 2012-05-01 | B & B Metals, Inc. | Slide rail for a high-rail vehicle |
US8434675B2 (en) * | 2010-04-02 | 2013-05-07 | Visa International Service Association | Crack embossing using diamond technology |
US9898694B2 (en) | 2012-05-30 | 2018-02-20 | Black Card Llc | Tri-layer transaction cards and associated methods |
US9665814B2 (en) * | 2012-05-30 | 2017-05-30 | Black Card Llc | Multi-layer metal-carbon transaction cards and associated methods |
US9446662B2 (en) | 2013-02-22 | 2016-09-20 | B & B Metals, Inc. | Auxiliary drive system |
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FR2631346B1 (fr) * | 1988-05-11 | 1994-05-20 | Air Liquide | Revetement protecteur multicouche pour substrat, procede de protection de substrat par depot par plasma d'un tel revetement, revetements obtenus et leurs applications |
US5190807A (en) * | 1990-10-18 | 1993-03-02 | Diamonex, Incorporated | Abrasion wear resistant polymeric substrate product |
US5470661A (en) * | 1993-01-07 | 1995-11-28 | International Business Machines Corporation | Diamond-like carbon films from a hydrocarbon helium plasma |
CN1081537C (zh) * | 1993-09-28 | 2002-03-27 | 美国3M公司 | 保密卡及其制造方法 |
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1996
- 1996-12-12 US US08/764,426 patent/US5879775A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-11-28 EP EP97203734A patent/EP0848082A3/en not_active Withdrawn
- 1997-12-10 JP JP34022797A patent/JPH10203058A/ja active Pending
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US10422034B2 (en) | 2014-11-03 | 2019-09-24 | Versum Materials Us, Llc | Silicon-based films and methods of forming the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0848082A3 (en) | 2001-03-07 |
EP0848082A2 (en) | 1998-06-17 |
US5879775A (en) | 1999-03-09 |
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