JPH10200267A - Glass composition for substrate having built-in lead dielectric and multilayer substrate having built-in capacitor - Google Patents

Glass composition for substrate having built-in lead dielectric and multilayer substrate having built-in capacitor

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JPH10200267A
JPH10200267A JP9116809A JP11680997A JPH10200267A JP H10200267 A JPH10200267 A JP H10200267A JP 9116809 A JP9116809 A JP 9116809A JP 11680997 A JP11680997 A JP 11680997A JP H10200267 A JPH10200267 A JP H10200267A
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glass
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康義 鈴木
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    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]

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  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a glass composition for a substrate having a built-in lead- based dielectric capable of inhibiting deterioration of the dielectric constant of a dielectric layer at the time of baking and a multilayer substrate having a built-in capacitor using the multilayer substrate having the built-in capacity employing the gals composition and further a dielectric material having the high degree of sinterability in the multilayer substrate, into which a capacitor section with the dielectric layer containing a lead-based perovskite compound is incorporated. SOLUTION: The deterioration of the dielectric constant of a dielectric 31 is suppressed by using substrate materials 21-24 containing the glass composition for the substrata having the built-in lead-based dielectric consisting of 10-35mol% Al2 O3 , 20-60mol% CaO and 8-40mol% SiO2 . The above-mentioned glass composition may also contain at most 30mol% oxide of at least one kind selected from MgO, BaO and SrO, and may also comprise not more than 10mol% TiO2 . The dielectric constant of the simultaneously sintered dielectric can further be increased by adding a lead silicate compound to a lead perovskite compound.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、コンデンサ部を有
する多層基板に関する。
The present invention relates to a multilayer substrate having a capacitor section.

【0002】[0002]

【従来の技術】回路基板の配線の高密度化のために、多
層基板にコンデンサを内蔵することが提案されている
{エレクトロセラミックスvol.18,5号(1987年)}。この
ような多層基板を製造する際には、導体材料、誘電体材
料及び基板材料を同時に焼成する必要がある。このとき
の焼成温度は、通常、導体材料の融点未満とするため、
特性が良好で安価だが融点の低いAgやAg−Pdを導
体材料に用いる場合には、焼成温度の低いガラス−セラ
ミックス複合基板材料を用いる必要がある。ガラス−セ
ラミックス複合基板は、Al23等の骨材の他にガラス
粉末を含有するものであり、このガラス粉末には、軟化
点を下げて骨材に対する濡れ性をよくするために、例え
ば特開平2−230606号公報に記載されているよう
にSiO2とB23との合計含有率が30重量%程度以
上のものが用いられる。一方で小型で高容量のコンデン
サとするためには誘電率の高い誘電体材料を用いる必要
があるが、例えば、鉛系ペロブスカイト化合物は比誘電
率が10000以上と高く、しかもAgとの同時焼成が
可能であるため期待されている(サーキットテクノロ
ジ,6[1],28(1991)、第1回マイクロエレクトロニクス
シンポジウム(1985年5月、東京),p73、IEMTシンポジウ
ム(1993年金沢),p70)。
2. Description of the Related Art In order to increase the density of wiring on a circuit board, it has been proposed to incorporate a capacitor in a multilayer board {Electro Ceramics vol. 18, No. 5, 1987}. When manufacturing such a multilayer substrate, it is necessary to simultaneously fire the conductor material, the dielectric material, and the substrate material. The firing temperature at this time is usually lower than the melting point of the conductor material,
When Ag or Ag-Pd, which has good characteristics and is inexpensive but has a low melting point, is used as the conductor material, it is necessary to use a glass-ceramic composite substrate material having a low firing temperature. The glass-ceramic composite substrate contains a glass powder in addition to an aggregate such as Al 2 O 3. In order to lower the softening point and improve the wettability to the aggregate, for example, As described in JP-A-2-230606, those having a total content of SiO 2 and B 2 O 3 of about 30% by weight or more are used. On the other hand, it is necessary to use a dielectric material having a high dielectric constant in order to obtain a small-sized and high-capacity capacitor. It is expected because it is possible (Circuit Technology, 6 [1], 28 (1991), 1st Microelectronics Symposium (May 1985, Tokyo), p73, IEMT Symposium (1993 Kanazawa, 1993), p70).

【0003】また、鉛系ペロプスカイト化合物をコンデ
ンサのような厚膜デバイス(厚さ10〜30μm程度の
機能性膜)として利用するときには、ガラスなどの結合
材、焼結助剤の添加が必要となる。
When a lead-based perovskite compound is used as a thick film device (functional film having a thickness of about 10 to 30 μm) such as a capacitor, it is necessary to add a binder such as glass and a sintering aid. Become.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガラス
−セラミックス複合基板中のSiO2やB23、また
は、予め焼結助剤として誘電体に添加されているSiO
2等との反応が原因(窯業協会誌94[9],936(1986))
で、ペロプスカイト相が分解されパイロクロア相とな
り、内蔵した誘電体の誘電率は1700〜2000程度
に減少している。そのために所望の容量を得ることがで
きず、また、予め容量の減少分を考えて設計した場合は
誘電体の有効面積を大きく取らなければならず、基板の
小型化の妨げになり問題である。
However, SiO 2 or B 2 O 3 in a glass-ceramic composite substrate, or SiO 2 previously added to a dielectric material as a sintering aid.
Caused by reaction with second magnitude (Journal of the Ceramic Society of Japan 94 [9], 936 (1986))
Then, the perovskite phase is decomposed into a pyrochlore phase, and the dielectric constant of the built-in dielectric is reduced to about 1700 to 2000. Therefore, it is not possible to obtain a desired capacitance, and if the capacitance is designed in advance in consideration of a decrease in the capacitance, the effective area of the dielectric must be increased, which hinders downsizing of the substrate, which is a problem. .

【0005】そこで、本発明は、鉛系ペロブスカイト化
合物を含む誘電体層を有するコンデンサ部を内蔵する多
層基板において、焼成時の誘電体層の誘電率の劣化を抑
えることができるような鉛系誘電体内蔵基板用ガラス組
成物及びそのガラス組成物を用いたコンデンサ内蔵多層
基板、更には、焼結性の高い誘電体材料を用いたコンデ
ンサ内蔵多層基板を提供するものである。
Accordingly, the present invention provides a lead-based dielectric material having a dielectric layer containing a lead-based perovskite compound and capable of suppressing deterioration of the dielectric constant of the dielectric layer during firing. An object of the present invention is to provide a glass composition for a body-containing substrate, a multilayer substrate with a built-in capacitor using the glass composition, and a multilayer substrate with a built-in capacitor using a dielectric material having high sinterability.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者は、鉛系誘電体
内蔵基板用ガラス組成物について鋭意研究を重ねた結
果、基板に含まれるガラス組成物が焼成時に拡散して誘
電体層中に進入し、鉛系ペロブスカイト化合物が分解さ
れて誘電率の低いパイロクロア系化合物が形成されるこ
とに鑑み、下記の新規なガラス組成物を基板材料に用い
れば鉛系ペロプスカイト化合物が分解しないことを見い
だし、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies on a glass composition for a substrate containing a lead-based dielectric, and as a result, the glass composition contained in the substrate has been diffused during firing and has been deposited in the dielectric layer. In view of the fact that the lead-based perovskite compound is decomposed to form a pyrochlore compound having a low dielectric constant, it is found that the lead-based perovskite compound does not decompose if the following novel glass composition is used as a substrate material. The present invention has been accomplished based on this finding.

【0007】このような目的は(1)〜(10)の構成
により達成される。
[0007] Such an object is achieved by the constitutions (1) to (10).

【0008】(1)Al2310〜35モル%、CaO
20〜60モル%、SiO28〜40モル%からなる鉛
系誘電体内蔵基板用ガラス組成物。
(1) 10 to 35 mol% of Al 2 O 3 , CaO
A glass composition for a substrate containing a lead-based dielectric, comprising 20 to 60 mol% and 8 to 40 mol% of SiO2.

【0009】(2)MgO、BaO及びSrOから選択
される少なくとも1種の酸化物を30モル%以下含有す
る(1)に記載の鉛系誘電体内蔵基板用ガラス組成物。
(2) The glass composition for a substrate containing a lead-based dielectric according to (1), wherein the glass composition contains at least one oxide selected from MgO, BaO and SrO in an amount of 30 mol% or less.

【0010】(3)TiO2を10モル%以下含有する
(2)に記載の鉛系誘電体内蔵基板用ガラス組成物。
(3) The glass composition for a substrate containing a lead-based dielectric according to (2), which contains 10 mol% or less of TiO 2 .

【0011】(4)(1)〜(3)のいずれかに記載の
鉛系誘電体内蔵基板用ガラス組成物を60〜90体積%
含有するガラス−セラミックス複合基板組成物。
(4) 60 to 90% by volume of the glass composition for a substrate containing a lead-based dielectric according to any one of (1) to (3).
A glass-ceramic composite substrate composition to be contained.

【0012】(5)(4)に記載の基板組成物と鉛系誘
電体組成物を同時焼成したコンデンサ内蔵多層基板。
(5) A multilayer substrate with a built-in capacitor, wherein the substrate composition described in (4) and the lead-based dielectric composition are co-fired.

【0013】(6)上記鉛系誘電体組成物は少なくとも
鉛系ペロプスカイト化合物と鉛シリケイト化合物を含有
する(5)に記載のコンデンサ内蔵多層基板。
(6) The multilayer substrate with a built-in capacitor according to (5), wherein the lead-based dielectric composition contains at least a lead-based perovskite compound and a lead silicate compound.

【0014】(7)上記鉛シリケイト化合物の組成がS
iO218〜43モル%、PbO55〜80モル%、A
231〜5モル%であり、その含有量が3〜20重量
%である(6)に記載のコンデンサ内蔵多層基板。
(7) The composition of the lead silicate compound is S
iO 2 18-43 mol%, PbO 55-80 mol%, A
The multilayer substrate with a built-in capacitor according to (6), wherein l 2 O 3 is 1 to 5 mol% and the content is 3 to 20% by weight.

【0015】(8)上記鉛シリケイト化合物の組成がS
iO210〜40モル%、PbO50〜75モル%、A
231〜15モル%、CuO1〜20モル%であり、
その含有量が3〜20重量%である(6)に記載のコン
デンサ内蔵多層基板。
(8) The composition of the lead silicate compound is S
iO 2 10~40 mol%, PbO50~75 mol%, A
l 2 O 3 1 to 15 mol%, CuO 1 to 20 mol%,
The multilayer substrate with a built-in capacitor according to (6), wherein the content is 3 to 20% by weight.

【0016】(9)上記鉛シリケイト化合物の組成がS
iO210〜40モル%、PbO50〜75モル%、A
231〜15モル%、CuO+AgO1/21〜20モ
ル%であり、その含有量が3〜20重量%である(6)
に記載のコンデンサ内蔵多層基板。
(9) The composition of the lead silicate compound is S
iO 2 10~40 mol%, PbO50~75 mol%, A
l 2 O 3 1 to 15 mol%, 1/2 20 mol% CuO + AgO, its content is 3 to 20 wt% (6)
2. The multilayer substrate with a built-in capacitor according to item 1.

【0017】(10)一対のガラス−セラミックス複合
基板の間に、誘電体層及び電極層を有するコンデンサ部
を内蔵し、コンデンサ部と各ガラス−セラミックス複合
基板との間に緩衝層を有する多層基板であって、誘電体
層が鉛系ペロブスカイト化合物を含み、緩衝層として
(4)のガラス−セラミックス複合基板組成物からなる
基板を用いることを特徴とするコンデンサ内蔵多層基
板。
(10) A multilayer substrate having a built-in capacitor portion having a dielectric layer and an electrode layer between a pair of glass-ceramic composite substrates, and having a buffer layer between the capacitor portion and each glass-ceramic composite substrate. A multilayer substrate with a built-in capacitor, wherein the dielectric layer contains a lead-based perovskite compound, and a substrate made of the glass-ceramic composite substrate composition of (4) is used as a buffer layer.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成につい
て詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a specific configuration of the present invention will be described in detail.

【0019】図1に本発明に係るコンデンサ内蔵多層基
板の断面図を示す。同図では、誘電体層31が電極4
1、42で挟まれてコンデンサ部が構成され、コンデン
サ部がガラス−セラミックス複合基板21、22、2
3、24に挟まれている。ガラス−セラミックス複合基
板21〜24の外表面には、それぞれ端部電極51、5
2が設けられており、これらの端部電極は、それぞれ内
部電極41、42に接続されている。
FIG. 1 is a sectional view of a multilayer substrate with a built-in capacitor according to the present invention. In the figure, the dielectric layer 31 is the electrode 4
1 and 42, a capacitor portion is formed, and the capacitor portion is composed of glass-ceramic composite substrates 21, 22, 2
It is sandwiched between 3, 24. End electrodes 51, 5 are provided on the outer surfaces of the glass-ceramic composite substrates 21 to 24, respectively.
2 are provided, and these end electrodes are connected to the internal electrodes 41 and 42, respectively.

【0020】本発明に係る多層基板は、通常、印刷法又
はシート法により製造する。印刷法では、鉛系ペロブス
カイト化合物を分解しないガラス組成物を含有するガラ
ス−セラミックス複合基板のグリーンシートに、導体ペ
ースト及び誘電体ペーストを所定の積層数となるように
交互に印刷し、さらに鉛系ペロブスカイト化合物を分解
しないガラス組成物を含有するガラス−セラミックス複
合基板のグリーンシートを重ね、焼成する。一方シート
法では、誘電体のグリーンシートに導体ペーストを印刷
し、鉛系ペロブスカイト化合物を分解しないガラス組成
物を含有するガラス−セラミックス複合基板のグリーン
シートに導体ペーストを印刷し、導体ペーストを印刷し
た上記ガラス−セラミックス複合基板シート上に、所定
の積層数となるように導体ペーストを印刷した誘電体の
グリーンシートを積層し、さらに印刷していないガラス
−セラミックス複合基板のグリーンシートを積層し、焼
成する。そして、焼成後、ガラス−セラミックス複合基
板の表面に端部電極用ペーストを所定のパターンに形成
して焼成し、端部電極を形成する。なお、端部電極は、
ガラス−セラミックス複合基板や誘電体層などと同時に
焼成してもよい。
The multilayer substrate according to the present invention is usually manufactured by a printing method or a sheet method. In the printing method, a conductor paste and a dielectric paste are alternately printed on a green sheet of a glass-ceramic composite substrate containing a glass composition that does not decompose a lead-based perovskite compound so as to have a predetermined number of layers. A green sheet of a glass-ceramic composite substrate containing a glass composition that does not decompose the perovskite compound is overlaid and fired. On the other hand, in the sheet method, a conductive paste was printed on a dielectric green sheet, and a conductive paste was printed on a green sheet of a glass-ceramic composite substrate containing a glass composition that did not decompose the lead-based perovskite compound, and the conductive paste was printed. On the glass-ceramic composite substrate sheet, a dielectric green sheet on which a conductive paste is printed so as to have a predetermined lamination number is laminated, and further, an unprinted glass-ceramic composite substrate green sheet is laminated and fired. I do. Then, after firing, an end electrode paste is formed in a predetermined pattern on the surface of the glass-ceramic composite substrate and fired to form an end electrode. The end electrode is
It may be fired simultaneously with the glass-ceramic composite substrate or the dielectric layer.

【0021】焼成によりガラス−セラミックス複合基板
となる基板材料は、酸化物骨材とガラス粉末とを含有す
る。
The substrate material that becomes the glass-ceramic composite substrate upon firing contains an oxide aggregate and glass powder.

【0022】基板材料として用いられるガラス粉末、す
なわち、本発明に係る鉛系誘電体内蔵基板用ガラス組成
物(鉛系ペロブスカイト化合物を分解しないガラス組成
物)はAl23、CaO及びSiO2からなる。
The glass powder used as the substrate material, that is, the glass composition for a substrate containing a lead-based dielectric according to the present invention (a glass composition which does not decompose the lead-based perovskite compound) is composed of Al 2 O 3 , CaO and SiO 2. Become.

【0023】Al23の含有量は10〜35モル%、好
ましくは10〜20モル%である。Al23の含有量が
上記範囲外であるとガラスが結晶化しやすくなり基板が
緻密に焼成できなくなる。
The content of Al 2 O 3 is 10 to 35 mol%, preferably 10 to 20 mol%. When the content of Al 2 O 3 is out of the above range, the glass is easily crystallized and the substrate cannot be fired densely.

【0024】CaOの含有量は20〜60モル%、好ま
しくは20〜35モル%である。CaOの含有量が上記
範囲外であるとガラスが結晶化しやすくなり基板が緻密
に焼成できなくなる。
The content of CaO is 20 to 60 mol%, preferably 20 to 35 mol%. If the content of CaO is outside the above range, the glass tends to crystallize, and the substrate cannot be fired densely.

【0025】SiO2の含有量は8〜40モル%、好ま
しくは15〜40モル%である。上記範囲の下限値に満
たないとガラスは結晶化しやすくなり基板は緻密に焼成
できなくなる。また上記範囲の上限値を超えるとガラス
組成物中のSiO2により鉛系誘電体は分解してしま
う。
The content of SiO 2 is 8 to 40 mol%, preferably 15 to 40 mol%. Below the lower limit of the above range, the glass tends to crystallize and the substrate cannot be fired densely. If the upper limit of the above range is exceeded, the lead-based dielectric will be decomposed by SiO 2 in the glass composition.

【0026】上記、基板材料として用いられるガラス粉
末は、さらにMgO、BaO及びSrOから選択される
少なくとも1種の酸化物を含有することが好ましい。こ
れはガラスが結晶化しづらく安定となるためである。そ
の含有量は30モル%以下である。この場合の組成はM
gO10〜20モル%、BaO5〜15モル%、SrO
0〜5モル%の範囲内で含有せしめることが好ましい。
The glass powder used as the substrate material preferably further contains at least one oxide selected from MgO, BaO and SrO. This is because glass is difficult to crystallize and becomes stable. Its content is 30 mol% or less. The composition in this case is M
gO 10-20 mol%, BaO 5-15 mol%, SrO
It is preferable that the content be in the range of 0 to 5 mol%.

【0027】さらにTiO2を含有することが好まし
い。これはガラスの軟化点を下げることができ、さらに
ガラスが結晶化しづらく安定となるためである。その含
有量は10モル%以下、好ましくは5モル%以下であ
る。添加量の下限値は1モル%が好ましい。上記範囲を
超えると逆に結晶化しやすくなり、上記下限に満たない
とガラス安定性への効果が小さくなる。
It is preferable that TiO 2 be further contained. This is because the softening point of the glass can be lowered, and the glass is hardly crystallized and becomes stable. Its content is at most 10 mol%, preferably at most 5 mol%. The lower limit of the amount added is preferably 1 mol%. If the ratio exceeds the above range, crystallization tends to occur, and if the ratio is less than the above lower limit, the effect on glass stability decreases.

【0028】ガラス粉末の平均粒径は成形性等を考慮し
て、1〜3μm程度のものを用いる。
The average particle size of the glass powder is about 1 to 3 μm in consideration of moldability and the like.

【0029】基板材料全体に対するガラス粉末の含有量
は、60〜90体積%とすることが好ましい。ガラス粉
末が少なすぎると焼結性が悪化する傾向にあり、多すぎ
るとガラス−セラミックス複合基板の抗折強度が低くな
る傾向にある。
The content of the glass powder with respect to the entire substrate material is preferably 60 to 90% by volume. If the glass powder is too small, the sinterability tends to deteriorate, and if it is too large, the transverse rupture strength of the glass-ceramic composite substrate tends to decrease.

【0030】酸化物骨材としては、例えばAl23、フ
ォルステライト、ムライト、コージエライト等の1種な
いし2種以上を挙げることができる。この場合、用いる
酸化物骨材は、化学量論組成から多少偏倚した組成であ
ってもよく、偏倚した組成のものとの混合物、あるいは
偏倚した組成のもの同士の混合物であってもよい。
Examples of the oxide aggregate include one or more of Al 2 O 3 , forsterite, mullite, cordierite and the like. In this case, the oxide aggregate used may have a composition slightly deviating from the stoichiometric composition, or may be a mixture with a composition having a deviation or a mixture of compositions having a deviation.

【0031】ガラス粉末と酸化物骨材との好ましい組み
合わせとしては、酸化物骨材としてAl23を用いて、
これらの量はAl23成分20〜30体積%、前記ガラ
ス成分70〜80体積%の組み合わせが挙げられる。
As a preferable combination of the glass powder and the oxide aggregate, Al 2 O 3 is used as the oxide aggregate,
These amounts include a combination of 20 to 30% by volume of the Al 2 O 3 component and 70 to 80% by volume of the glass component.

【0032】ここで、Al23はガラス組成物及び骨材
両方に含まれているが、それぞれに含まれるAl23
互いに影響を及ぼさない。
Here, Al 2 O 3 is contained in both the glass composition and the aggregate, but the Al 2 O 3 contained in each does not affect each other.

【0033】酸化物骨材の平均粒径は、0.5〜3μm
程度であることが好ましい。平均粒径が小さすぎるとシ
ート成形が困難となる傾向にあり、大きすぎるとガラス
−セラミックス複合基板の強度が不足する傾向にある。
The average particle size of the oxide aggregate is 0.5 to 3 μm.
It is preferred that it is about. If the average particle size is too small, sheet molding tends to be difficult, and if too large, the strength of the glass-ceramic composite substrate tends to be insufficient.

【0034】酸化物骨材とガラス粉末は、ビヒクルを加
えてスラリーとされ、このスラリーは成形されて、乾燥
され、グリーンシートとされる。ビヒクルはバインダ及
び溶剤を含む。バインダとしては、エチルセルロース、
ポリビニルブチラート、メタクリル樹脂、ブチルメタア
クリレート等が挙げられ、溶剤としては、テレピネオー
ル、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテー
ト、トルエン、アルコール、キシレン等が挙げられる。
また、ビヒクル中には、これらの他、各種分散剤、活性
化剤、可塑剤等が必要に応じて添加される。スラリー中
のビヒクル含有量は、10〜20重量%程度とすること
が好ましい。
The oxide aggregate and glass powder are made into a slurry by adding a vehicle, and this slurry is formed, dried, and made into a green sheet. The vehicle includes a binder and a solvent. As the binder, ethyl cellulose,
Examples include polyvinyl butyrate, methacrylic resin, and butyl methacrylate. Examples of the solvent include terpineol, butyl carbitol, butyl carbitol acetate, toluene, alcohol, xylene, and the like.
In addition, various dispersants, activators, plasticizers and the like are added to the vehicle as required. The vehicle content in the slurry is preferably about 10 to 20% by weight.

【0035】ガラス−セラミックス複合基板の厚さは、
好ましくは30〜300μmである。ガラス−セラミッ
クス複合基板が薄すぎると抗折強度が不十分となって取
り扱いが難しくなり、厚すぎると脱バインダ性が悪くな
る。
The thickness of the glass-ceramic composite substrate is
Preferably it is 30 to 300 μm. If the glass-ceramic composite substrate is too thin, the bending strength becomes insufficient and handling becomes difficult, and if it is too thick, the binder removal property deteriorates.

【0036】一方、基板に内蔵される誘電体材料として
は、鉛系ペロブスカイト化合物を用いる。鉛系ペロブス
カイト化合物のうち化学量論組成でPb(Mg1/3Nb
2/3)O3、Pb(Fe1/32/3)O3、Pb(Fe1/3
2/3)O3は特に分解されやすいので、これらの少なく
とも1種を用いた場合には前記本発明に係るガラス組成
物を用いることが有用となる。また、誘電体材料として
は、上記鉛系ペロプスカイト化合物に、PbTiO3
CuO、PbO、鉛シリケイト化合物、Ag等を添加し
たものを用いてもよい。PbTiO3はキュリー温度を
上昇させ、CuO、PbO、鉛シリケイト化合物、Ag
は焼結性を向上させる。これらの化合物を添加する場合
は鉛系ペロブスカイト化合物の含有量は、好ましくは7
0重量%以上、特に70〜95重量%である。70重量
%未満であると高い誘電率が得られないからである。上
記鉛系ペロブスカイト化合物は化学量論組成から多少偏
倚していてもよい特に、誘電体材料の焼結性を向上させ
るには上記添加物のうちで、鉛シリケイト化合物を含有
することが好ましい。ここで、鉛シリケイト化合物と
は、SiO2及びPbOが主成分の非晶質ガラスないし
結晶化ガラスである。
On the other hand, as a dielectric material incorporated in the substrate, a lead-based perovskite compound is used. Pb (Mg 1/3 Nb) in stoichiometric composition among lead-based perovskite compounds
2/3 ) O 3 , Pb (Fe 1/3 W 2/3 ) O 3 , Pb (Fe 1/3 N
Since b 2/3 ) O 3 is particularly easily decomposed, it is useful to use the glass composition according to the present invention when at least one of these is used. Further, as the dielectric material, PbTiO 3 ,
A material to which CuO, PbO, a lead silicate compound, Ag, or the like is added may be used. PbTiO 3 raises the Curie temperature, CuO, PbO, lead silicate compound, Ag
Improves sinterability. When these compounds are added, the content of the lead-based perovskite compound is preferably 7
It is at least 0% by weight, especially 70 to 95% by weight. If the content is less than 70% by weight, a high dielectric constant cannot be obtained. The lead-based perovskite compound may slightly deviate from the stoichiometric composition. Particularly, in order to improve the sinterability of the dielectric material, it is preferable to include a lead silicate compound among the above additives. Here, the lead silicate compound is an amorphous glass or crystallized glass containing SiO 2 and PbO as main components.

【0037】鉛シリケイト化合物としては、SiO2
PbO−Al23化合物又はSiO2−PbO−Al2
3−CuO化合物を用いることが好ましい。その含有量
は、3〜20重量%である。
As the lead silicate compound, SiO 2-
PbO-Al 2 O 3 compound or SiO 2 -PbO-Al 2 O
It is preferable to use a 3- CuO compound. Its content is 3 to 20% by weight.

【0038】SiO2−PbO−Al23化合物は、S
iO218〜43モル%、より好ましくは28〜37モ
ル%、PbO55〜80モル%、より好ましくは58〜
62モル%、Al231〜5モル%、より好ましくは
1.5〜3.5モル%である。
The SiO 2 —PbO—Al 2 O 3 compound is represented by S
iO 2 eighteen to forty-three mol%, more preferably 28 to 37 mol%, PbO55~80 mol%, more preferably 58 to
It is 62 mol%, Al 2 O 3 1-5 mol%, and more preferably 1.5-3.5 mol%.

【0039】SiO2が少なすぎると液相生成温度が高
くなり焼結助剤としての効果が小さくなり、また、これ
より多すぎると鉛系ペロプスカイト化合物が分解しやす
くなる。
If the amount of SiO 2 is too small, the liquid phase formation temperature becomes high and the effect as a sintering aid decreases, and if it is too large, the lead-based perovskite compound is easily decomposed.

【0040】PbOが少なすぎると鉛系ペロプスカイト
化合物が分解しやすくなり、また、多すぎると他の必須
成分であるSiO2及びAl23の含有量が少なくな
り、焼結助剤としての効果が小さくなる。
If the amount of PbO is too small, the lead-based perovskite compound will be easily decomposed, and if the amount is too large, the contents of other essential components, SiO 2 and Al 2 O 3 , will decrease, and the sintering aid will be reduced. The effect is reduced.

【0041】Al23が少なすぎると液相生成温度を低
くする効果があまりなくなり、また、多すぎると液相生
成温度が高くなり焼結助剤としての効果が小さくなる。
If the amount of Al 2 O 3 is too small, the effect of lowering the liquid phase generation temperature is not so high. If the amount is too large, the liquid phase generation temperature becomes high and the effect as a sintering aid decreases.

【0042】また、上記鉛シリケイト化合物にCuOを
添加した化合物、即ち、SiO2−PbO−Al23
CuO化合物は、SiO210〜40モル%、より好ま
しくは25〜35モル%、PbO50〜75モル%、よ
り好ましくは55〜65モル%、Al231〜15モル
%、より好ましくは3〜4モル%、CuO1〜20モル
%、より好ましくは1.5〜17モル%である。
A compound obtained by adding CuO to the above-mentioned lead silicate compound, that is, SiO 2 —PbO—Al 2 O 3
The CuO compound is composed of 10 to 40 mol% of SiO 2 , more preferably 25 to 35 mol%, 50 to 75 mol% of PbO, more preferably 55 to 65 mol%, and 1 to 15 mol% of Al 2 O 3 , more preferably 3 to 35 mol%. 44 mol%, CuO 1-20 mol%, more preferably 1.5-17 mol%.

【0043】SiO2、PbO、Al23は、上記同様
の理由のためであり、CuOも焼結助剤としての役割が
あり、この含有量が少なすぎると液相生成温度を低くす
る効果があまりなくなり、また、含有量が多すぎると液
相生成温度が高くなり焼結助剤としての効果が小さくな
るためである。
SiO 2 , PbO, and Al 2 O 3 are for the same reason as described above, and CuO also has a role as a sintering aid. If the content is too small, the effect of lowering the liquid phase formation temperature is reduced. This is because when the content is too large, the liquid phase formation temperature increases, and the effect as a sintering aid decreases.

【0044】また、上記CuOを添加した鉛シリケイト
化合物の一部をAgO1/2に置換したもの、即ち、Si
2−PbO−Al23化合物にCuOとAgO1/2を複
合添加したものも、CuOのみを添加したものと同様の
効果が得られる。CuOとAgO1/2の含有量は、Cu
O単独で添加する場合の量と同等でよいが、好ましく
は、3〜8モル%である。この際、CuOは2〜6モル
%が好ましい。
The lead silicate compound to which CuO is added is partially substituted with AgO 1/2 , that is, SiO
The compound obtained by adding CuO and AgO 1/2 to the O 2 —PbO—Al 2 O 3 compound also has the same effect as the compound obtained by adding only CuO. The content of CuO and AgO 1/2 is Cu
It may be equivalent to the amount when O alone is added, but is preferably 3 to 8 mol%. At this time, the content of CuO is preferably 2 to 6 mol%.

【0045】鉛シリケイト化合物の含有量は3〜20重
量%であることが好ましい。この含有量より少なすぎる
と添加効果、即ち、焼結性の向上が見られず、この含有
量より多すぎると誘電率が低下する。
The content of the lead silicate compound is preferably from 3 to 20% by weight. If the content is too small, the effect of addition, that is, no improvement in sinterability is observed, and if the content is too large, the dielectric constant decreases.

【0046】鉛系ペロプスカイト化合物と鉛シリケイト
化合物の平均粒径は、好ましくは、0.1〜10μmで
ある。平均粒径が小さすぎると脱バインダ性が悪くな
り、大きすぎると焼結性が悪くなる。
The average particle size of the lead-based perovskite compound and the lead silicate compound is preferably 0.1 to 10 μm. If the average particle size is too small, the binder removal properties will deteriorate, and if it is too large, the sinterability will deteriorate.

【0047】焼成により誘電体層となる誘電体のスラリ
ーは、誘電体材料とビヒクルとを含有する。
The dielectric slurry that becomes a dielectric layer by firing contains a dielectric material and a vehicle.

【0048】誘電体スラリーのビヒクルには、ガラス−
セラミックス複合基板用のスラリーの説明で挙げたもの
を用いればよい。
The vehicle of the dielectric slurry includes glass-
What is mentioned in the description of the slurry for the ceramic composite substrate may be used.

【0049】誘電体層の厚さは、目的とする容量などに
応じて適宜決定すればよいが、好ましくは10〜60μ
mである。誘電体層が薄すぎると均一な層とすることが
難しくなる。一方、誘電体層が厚すぎると、多層基板が
厚くなって小型化が難しくなる。
The thickness of the dielectric layer may be appropriately determined according to the desired capacitance, etc., but is preferably 10 to 60 μm.
m. If the dielectric layer is too thin, it becomes difficult to form a uniform layer. On the other hand, if the dielectric layer is too thick, the multilayer substrate becomes thick, and it is difficult to reduce the size.

【0050】焼成により電極層となる導体ペーストは、
導体粉末とビヒクルとを含有する。
The conductive paste which becomes the electrode layer by firing is as follows:
Contains conductor powder and vehicle.

【0051】導体粉末は、導電性が良好でしかも安価で
あることから、Ag粒子、又はAg粒子とPd粒子との
混合物を用いるか、Ag−Pd合金粒子あるいはこれに
Ag粒子及び/又はPd粒子を混合したものを用いるこ
とが好ましい。そして、導体粉末全体に対する各金属の
含有量は、 Ag:80〜100重量% Pd:0〜20重量% であることが好ましい。Agが少なすぎると抵抗が大き
くなってしまう。Pdは必須ではないが、Pd含有によ
りAgのマイグレーションが少なくなり、また、Pd含
有により導体ペーストの焼結温度が高くなるので、ガラ
ス−セラミックス複合基板の焼成温度が比較的高い場合
に有効である。導体粉末の平均粒径(粒子形状が異方性
を持つときは長軸径の平均)は特に限定されないが、通
常、0.1〜5μm程度とすればよい。粒子形状には特
に制約されないが、一般に球状とすることが好ましい。
ただし、導体粒子の一部又は全部を鱗片状としてもよ
い。
Since the conductor powder has good conductivity and is inexpensive, Ag particles, a mixture of Ag particles and Pd particles, or Ag-Pd alloy particles or Ag-Pd alloy particles or Ag particles and / or Pd particles are used. Is preferably used. The content of each metal with respect to the entire conductor powder is preferably Ag: 80 to 100% by weight Pd: 0 to 20% by weight. If the amount of Ag is too small, the resistance increases. Although Pd is not essential, the inclusion of Pd reduces the migration of Ag, and the inclusion of Pd increases the sintering temperature of the conductor paste. Therefore, it is effective when the firing temperature of the glass-ceramic composite substrate is relatively high. . The average particle size of the conductor powder (the average of the major axis diameter when the particle shape has anisotropy) is not particularly limited, but may be generally about 0.1 to 5 μm. Although the particle shape is not particularly limited, it is generally preferable to be spherical.
However, some or all of the conductive particles may be in a scale shape.

【0052】導体ペーストのビヒクルには、バインダと
してアクリル系樹脂、溶剤としてテレピネオール及びブ
チルカルビトールアセテートを用いればよい。
In the vehicle of the conductor paste, an acrylic resin may be used as a binder, and terpineol and butyl carbitol acetate may be used as a solvent.

【0053】電極の厚さは特に限定されないが、通常、
3〜20μm程度とする。
The thickness of the electrode is not particularly limited.
It is about 3 to 20 μm.

【0054】焼成は、通常、空気中で行えばよい。焼成
温度は、800℃以上とすることが好ましく、具体的に
は導体粉末の組成に応じて適宜決定すればよい。焼成時
間は、通常10〜30分程度とする。なお、焼成は複数
回行ってもよい。
The firing may be usually performed in the air. The firing temperature is preferably set to 800 ° C. or higher, and may be determined appropriately according to the composition of the conductor powder. The firing time is usually about 10 to 30 minutes. The firing may be performed plural times.

【0055】図示例では誘電体層が1層だけであるが、
誘電体層を2層以上設けた構成としてもよい。
In the illustrated example, there is only one dielectric layer.
A configuration in which two or more dielectric layers are provided may be employed.

【0056】また、図2に示すように、鉛系ペロブスカ
イト化合物を分解しないような前記鉛系誘電体内蔵基板
用ガラス組成物を含有する基板を緩衝層として用いて基
板を作製してもよい。すなわち、同図では、誘電体層1
41が電極151、152で挟まれてコンデンサ部が構
成され、コンデンサ部が本発明に係る鉛系ペロブスカイ
ト化合物を分解しないような鉛系誘電体内蔵基板用ガラ
ス組成物を含有する緩衝層131、132に挟まれて、
そして従来の組成のガラス−セラミックス複合基板12
1、122に挟まれている。外表面には、それぞれ端部
電極161、162が設けられており、これらの端部電
極は、それぞれ内部電極151、152に接続されてい
る。
Further, as shown in FIG. 2, a substrate containing the glass composition for a substrate containing a lead-based dielectric which does not decompose the lead-based perovskite compound may be used as a buffer layer to prepare a substrate. That is, in FIG.
41 is sandwiched between the electrodes 151 and 152 to form a capacitor portion, and the buffer portions 131 and 132 containing the glass composition for a substrate containing a lead-based dielectric that does not decompose the lead-based perovskite compound according to the present invention. Sandwiched between
And a glass-ceramic composite substrate 12 having a conventional composition.
1, 122. End electrodes 161 and 162 are provided on the outer surface, respectively, and these end electrodes are connected to the internal electrodes 151 and 152, respectively.

【0057】本発明の緩衝層のある多層基板は、通常、
印刷法、又はシート法により製造する。印刷法では、緩
衝材のグリーンシートに、導体ペースト及び誘電体ペー
ストを所定の積層数となるように交互に印刷する。次に
ガラス−セラミックス複合基板のグリーンシート、印刷
していない緩衝材のグリーンシート、印刷した緩衝材の
グリーンシート、ガラス−セラミックス複合基板のグリ
ーンシートの順番に積層し、焼成する。一方、シート法
では、誘電体材料のグリーンシートに導体ペーストで印
刷し、緩衝材のグリーンシートに導体ペーストを印刷
し、ガラス−セラミックス複合基板のグリーンシート、
緩衝材のグリーンシート、導体ペーストを印刷した誘電
体材料のグリーンシート、導体ペーストを印刷した緩衝
材のグリーンシート、ガラス−セラミックス複合基板の
グリーンシートの順番に積層し、焼成する。そして、焼
成後、ガラス−セラミックス複合基板の表面に端部電極
用ペーストを所定のパターンに形成し焼成し、端部電極
を形成する。なお、端部電極は、ガラス−セラミックス
複合基板や誘電体層などと同時に焼成してもよい。
The multilayer substrate having the buffer layer of the present invention is usually
It is manufactured by a printing method or a sheet method. In the printing method, a conductor paste and a dielectric paste are alternately printed on a green sheet of a buffer material in a predetermined number of layers. Next, the green sheet of the glass-ceramic composite substrate, the green sheet of the buffer material not printed, the green sheet of the printed buffer material, and the green sheet of the glass-ceramic composite substrate are laminated and fired in this order. On the other hand, in the sheet method, a conductor sheet is printed on a green sheet of a dielectric material, and a conductor paste is printed on a green sheet of a cushioning material.
A green sheet of a buffer material, a green sheet of a dielectric material printed with a conductive paste, a green sheet of a buffer material printed with a conductive paste, and a green sheet of a glass-ceramic composite substrate are laminated in this order and fired. Then, after firing, an end electrode paste is formed in a predetermined pattern on the surface of the glass-ceramic composite substrate and fired to form an end electrode. The end electrodes may be fired at the same time as the glass-ceramic composite substrate or the dielectric layer.

【0058】なお、緩衝材の組成の他、原料粒径、ペー
スト化する際に使用するビヒクル組成、緩衝層の厚さ等
の諸条件は前記鉛系ペロブスカイト化合物を分解しない
ようなガラス−セラミックス複合基板の諸条件と同様に
すればよい。
In addition to the composition of the buffer material, various conditions such as the raw material particle size, the vehicle composition used for forming the paste, the thickness of the buffer layer, and the like are determined so that the glass-ceramic composite does not decompose the lead-based perovskite compound. The conditions may be the same as those of the substrate.

【0059】また、内蔵される誘電体の組成等、電極ペ
ースト等の条件も前記コンデンサ内蔵多層基板と同様で
ある。
The conditions such as the composition of the dielectric to be incorporated and the electrode paste are the same as those of the multilayer substrate with a built-in capacitor.

【0060】緩衝層を有するコンデンサ内蔵多層基板に
おいて、焼成によりガラス−セラミックス複合基板とな
る基板材料は、Agを主成分とする電極と同時焼成が可
能であれば何でも良く、一般に酸化物骨材とガラス粉末
とを含有するものを用いる。
In the multilayer substrate with a built-in capacitor having a buffer layer, any material can be used as a substrate material for forming a glass-ceramic composite substrate by firing, as long as it can be fired simultaneously with an electrode containing Ag as a main component. A material containing glass powder is used.

【0061】基板材料として用いるガラス粉末は特に限
定されず、従来からガラス−セラミックス複合基板に用
いられている通常の組成のものであってよい。具体的に
はガラス−セラミックス複合基板の抗折強度、酸化物に
対する濡れ性、端部電極に対する接着性等を考慮して、
例えば軟化点750〜850℃程度のガラスを適宜選択
すればよい。このようなガラス粉末としては、例えば、
特開平1−122194号公報に開示されているSiO
2−SrO−Al23−B23−CaO−BaO系ガラ
ス組成物等が挙げられる。
The glass powder used as the substrate material is not particularly limited, and may have a usual composition conventionally used for a glass-ceramic composite substrate. Specifically, taking into account the bending strength of the glass-ceramic composite substrate, wettability to oxides, adhesion to end electrodes, and the like,
For example, a glass having a softening point of about 750 to 850 ° C. may be appropriately selected. As such a glass powder, for example,
SiO disclosed in JP-A-1-122194
2 -SrO-Al 2 O 3 -B 2 O 3 -CaO-BaO based glass composition, and the like.

【0062】酸化物骨材としても特に限定されず、例え
ばAl23、フォルステライト、石英、ムライト、コー
ジエライト、R2Ti27(Rはランタノイド元素の1
種以上)、Ca2Nb27、MgTiO3、SrZr
3、TiO2、SnO2・TiO2、ZrTiO4、Ba2
Ti920、Sr2Nb27、CaTiO3、SrTi
3、SrSnO3、BaO・R23・nTiO2(Rは
ランタノイド元素の1種以上)系等の1種ないし2種以
上を挙げることができる。この場合、用いる酸化物骨材
は、化学量論組成からは多少偏倚した組成のものとの混
合物、あるいは偏倚した組成のもの同士の混合物であっ
てもよい。
The oxide aggregate is not particularly limited. For example, Al 2 O 3 , forsterite, quartz, mullite, cordierite, R 2 Ti 2 O 7 (R is one of the lanthanoid elements)
Species), Ca 2 Nb 2 O 7 , MgTiO 3 , SrZr
O 3 , TiO 2 , SnO 2 · TiO 2 , ZrTiO 4 , Ba 2
Ti 9 O 20 , Sr 2 Nb 2 O 7 , CaTiO 3 , SrTi
O 3, SrSnO 3, BaO · R 2 O 3 · nTiO 2 (R is one or more lanthanoids), and the like or two or more one without the system, or the like. In this case, the oxide aggregate used may be a mixture with a composition slightly deviating from the stoichiometric composition or a mixture of compositions having a deviated composition.

【0063】酸化物骨材の平均粒径は、一般に0.5〜
3μm程度であることが好ましい。平均粒径が小さすぎ
るとシート成形が困難となる傾向にあり、大きすぎると
ガラス−セラミックス基板の強度が不足する傾向にあ
る。
The average particle size of the oxide aggregate is generally 0.5 to
It is preferably about 3 μm. If the average particle size is too small, sheet forming tends to be difficult, while if too large, the strength of the glass-ceramics substrate tends to be insufficient.

【0064】酸化物骨材とガラス粉末は、ビヒクルを加
えてスラリーとし、このスラリーを成形、乾燥し、グリ
ーンシートとする。ビヒクルには、前記鉛系ペロブスカ
イト化合物を分解しないような鉛系誘電体内蔵基板用ガ
ラス組成物を含有する基板のスラリーの説明において挙
げたものを用いればよい。
A vehicle is added to the oxide aggregate and the glass powder to form a slurry, and this slurry is formed and dried to obtain a green sheet. As the vehicle, those described in the description of the slurry of the substrate containing the glass composition for a substrate containing a lead-based dielectric that does not decompose the lead-based perovskite compound may be used.

【0065】緩衝層を有するコンデンサ内蔵多層基板に
おいて、ガラス−セラミックス複合基板の厚さは、好ま
しくは30〜300μmである。ガラス−セラミックス
複合基板の厚さが薄すぎると抗折強度が不十分となって
取り扱いが難しくなる。一方、厚すぎると、脱バインダ
性が悪くなる。
In the multilayer substrate with a built-in capacitor having a buffer layer, the thickness of the glass-ceramic composite substrate is preferably 30 to 300 μm. If the thickness of the glass-ceramic composite substrate is too small, the bending strength becomes insufficient and handling becomes difficult. On the other hand, if it is too thick, the binder removal property will be poor.

【0066】図示例では誘電体層が1層だけであるが、
誘電体層を2層以上設けた構成としてもよい。
In the illustrated example, there is only one dielectric layer.
A configuration in which two or more dielectric layers are provided may be employed.

【0067】[0067]

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples of the present invention.

【0068】実施例1 図1に示す構造のコンデンサ内蔵多層基板、すなわち、
同時焼成しても鉛系ペロブスカイト化合物を分解しない
ガラス組成物を含有するガラス−セラミックス複合基板
を用いるコンデンサ内蔵多層基板は以下のようにして作
製した。
Example 1 A multilayer substrate with a built-in capacitor having the structure shown in FIG.
A multilayer substrate with a built-in capacitor using a glass-ceramic composite substrate containing a glass composition that does not decompose the lead-based perovskite compound even when co-fired was prepared as follows.

【0069】(ガラス組成物)表1に示されるような組
成となるように、各原料(酸化物)を秤量し、シェーカ
ーミキサーを使用し混合した。この混合物を、るつぼ中
で1500〜1600℃で30分〜5時間(ガラス組成
によりこの範囲から適宜選択)溶融し、水により急冷
し、らいかい機にて乾式粉砕後、ボールミル(エタノー
ル中)により平均粒径1.6μm程度のガラス組成物粉
末を得た。
(Glass Composition) Each raw material (oxide) was weighed so as to have a composition as shown in Table 1, and mixed using a shaker mixer. This mixture is melted in a crucible at 1500 to 1600 ° C. for 30 minutes to 5 hours (appropriately selected from this range depending on the glass composition), quenched with water, dry-ground with a grinder, and then ball-milled (in ethanol). A glass composition powder having an average particle size of about 1.6 μm was obtained.

【0070】ここで、表1中のガラスNo.1〜No.
24の組成のものは、本発明に係る鉛系誘電体内蔵基板
用ガラス組成物であり、ガラスNo.25、26は従来
のガラス組成物である。
Here, the glass No. in Table 1 was used. 1 to No.
The composition having the composition No. 24 is the glass composition for a lead-based dielectric-containing substrate according to the present invention. 25 and 26 are conventional glass compositions.

【0071】また、表中の「分解」の「あり」、「な
し」とは、以下のようにして評価した。
In the table, “Presence” and “No” of “decomposition” were evaluated as follows.

【0072】従来のガラス組成物を用いてガラス−セラ
ミックス複合基板と鉛系ペロブスカイト化合物を同時焼
成すると基板中のSiO2と鉛系ペロブスカイト化合物
が反応して分解するが、EPMA(Electron Probe Mic
ro Analyzer)を使用して測定したところ、基板から鉛
系ペロブスカイト化合物へのSiO2の拡散量が6wt
%であることがわかった。そこでSiO2拡散量に相当
するガラス組成物を鉛系ペロブスカイト化合物に添加し
て、基板の焼成パターンで焼成し鉛系ペロブスカイト化
合物が分解されるか否かをX線回折により調べた。
When a glass-ceramic composite substrate and a lead-based perovskite compound are simultaneously fired using a conventional glass composition, the SiO 2 in the substrate and the lead-based perovskite compound react to decompose, but EPMA (Electron Probe Mic) is used.
ro Analyzer), the diffusion amount of SiO 2 from the substrate to the lead-based perovskite compound was 6 wt.
%. Therefore, the glass composition corresponding to the amount of SiO 2 diffusion was added to the lead-based perovskite compound, and the substrate was fired in a firing pattern to determine whether the lead-based perovskite compound was decomposed by X-ray diffraction.

【0073】ガラスの結晶化温度Tx及び軟化温度Ts
はTG−DTAにより測定した。
Glass crystallization temperature Tx and softening temperature Ts
Was measured by TG-DTA.

【0074】[0074]

【表1】 [Table 1]

【0075】(ガラス−セラミックス複合基板用グリー
ンシート)30体積%のAl23及び70体積%の表1
のガラス組成物のガラス粉末にビヒクルを添加して混練
し、ドクターブレード法によりシート状に成形した後、
乾燥し、厚さ約250μmのグリーンシートを作製し
た。ビヒクルには、バインダとしてアクリル樹脂、溶剤
としてエチルアルコール及びトルエン、可塑剤としてフ
タル酸エステルを用いた。
(Green Sheet for Glass-Ceramic Composite Substrate) 30% by volume of Al 2 O 3 and 70% by volume of Table 1
After adding a vehicle to the glass powder of the glass composition of the above and kneading the mixture, forming the mixture into a sheet by a doctor blade method,
After drying, a green sheet having a thickness of about 250 μm was prepared. The vehicle used was an acrylic resin as a binder, ethyl alcohol and toluene as a solvent, and phthalate as a plasticizer.

【0076】(導体ペースト)導体粉末(平均粒径3.
5μmのAg粉末)にビヒクルを添加して三本ロールミ
ルで混練し、ペースト化した。ビヒクルには、バインダ
としてアクリル系樹脂、溶剤としてテレピネオール及び
ブチルカルビトールアセテートを用いた。
(Conductor paste) Conductor powder (average particle size: 3.
The vehicle was added to a 5 μm Ag powder) and kneaded with a three-roll mill to form a paste. As the vehicle, an acrylic resin was used as a binder, and terpineol and butyl carbitol acetate were used as solvents.

【0077】(誘電体シート)誘電体材料として95モ
ル%Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−5モル%PbTiO3
(平均粒径1.0μm)100重量部に対し、10重量
部のPbOおよび0.3重量部のCu0を加えたもの
(誘電体A)又は7重量部の鉛系ガラス(表3の鉛シリ
ケイト化合物No.101)を加えたもの(誘電体B)
を用いた。この誘電体材料にビヒクルを添加して混練
し、ドクターブレード法によりシート状に成形した後、
乾燥し、厚さ約60μmのグリーンシートを作製した。
ビヒクルには、バインダとしてアクリル樹脂、溶剤とし
てエチルアルコール及びトルエン、可塑剤としてフタル
酸エステルを用いた。
(Dielectric Sheet) 95 mol% Pb (Mg 1/3 Nb 2/3 ) O 3 -5 mol% PbTiO 3 as a dielectric material
10 parts by weight of PbO and 0.3 parts by weight of Cu0 (dielectric A) or 7 parts by weight of a lead-based glass (lead silicate in Table 3) Compound No. 101) (dielectric B)
Was used. A vehicle is added to the dielectric material, kneaded, and formed into a sheet by a doctor blade method.
After drying, a green sheet having a thickness of about 60 μm was prepared.
The vehicle used was an acrylic resin as a binder, ethyl alcohol and toluene as a solvent, and phthalate as a plasticizer.

【0078】(基板作製方法)ガラス−セラミックス複
合基板用のグリーンシート及び誘電体シート上に、導体
ペーストを印刷し、導体ペーストを印刷していないガラ
ス−セラミックス複合基板用グリーンシート、導体ペー
ストを印刷していないガラス−セラミックス複合基板用
グリーンシート、導体ペーストを印刷した誘電体シー
ト、導体ペーストを印刷したガラス−セラミックス複合
基板用グリーンシート、導体ペーストを印刷していない
ガラス−セラミックス複合基板用グリーンシートの順番
にシートを積層して熱プレスにより圧着し、そして90
0℃で、10分間焼成して多層基板サンプルを得た。
(Method of Manufacturing Substrate) A conductive paste is printed on a green sheet and a dielectric sheet for a glass-ceramic composite substrate, and a green sheet for the glass-ceramic composite substrate and a conductive paste on which no conductive paste is printed are printed. Green sheet for glass-ceramic composite substrate without conductor, dielectric sheet with conductor paste printed, green sheet for glass-ceramic composite substrate with conductor paste printed, green sheet for glass-ceramic composite substrate without conductor paste printed The sheets are laminated in the order of
The multilayer substrate sample was obtained by baking at 0 ° C. for 10 minutes.

【0079】多層基板サンプルの側面に外部導体ペース
トを塗布し、850℃−10分間で端部電極を焼き付け
て、表2に示すNo.1〜No.29のコンデンサを内
蔵する多層基板サンプルとした(図1)。
An external conductor paste was applied to the side surface of the multilayer substrate sample, and the end electrodes were baked at 850 ° C. for 10 minutes. 1 to No. A multilayer substrate sample incorporating 29 capacitors was prepared (FIG. 1).

【0080】比較のために従来低温焼成基板用のガラス
として用いれられてきたガラス組成物(SiO2の割合
が40モル%を越えるガラス組成物)を用いたガラス−
セラミックス複合基板シートを用いて作製したコンデン
サを内蔵する多層基板サンプル(表2に示すNo.30
〜No.32)も作製した。
For comparison, a glass using a glass composition conventionally used as a glass for a low-temperature fired substrate (a glass composition in which the proportion of SiO 2 exceeds 40 mol%) was used.
Multilayer substrate sample (No. 30 shown in Table 2) incorporating a capacitor manufactured using a ceramic composite substrate sheet
-No. 32) was also prepared.

【0081】(評価方法及び評価結果)各サンプルにつ
いて誘電体層の1kHzにおける比誘電率(ε)を測定
した。測定は、室温でLCRメーター(HP−4284
A ヒューレットパッカード社製)により行った。
(Evaluation Method and Evaluation Results) The relative dielectric constant (ε) at 1 kHz of the dielectric layer was measured for each sample. The measurement was performed at room temperature using an LCR meter (HP-4284).
A Hewlett-Packard).

【0082】各サンプルについての測定結果を表2に示
す。
Table 2 shows the measurement results for each sample.

【0083】以上の実施例の結果から本発明の効果は明
らかである。すなわち、従来のガラス組成物を用いたガ
ラス−セラミックス複合基板と同時焼成した誘電体の比
誘電率は約500〜2000であるのに対し、本発明の
ガラス−セラミックス複合基板と同時焼成した誘電体の
比誘電率は約5000〜11000と格段に向上した。
The effects of the present invention are clear from the results of the above examples. That is, while the relative dielectric constant of the dielectric co-fired with the glass-ceramic composite substrate using the conventional glass composition is about 500 to 2,000, the dielectric co-fired with the glass-ceramic composite substrate of the present invention is Has a remarkably improved dielectric constant of about 5000 to 11000.

【0084】[0084]

【表2】 [Table 2]

【0085】実施例2 実施例1において、同時焼成後の誘電体の誘電率の高い
鉛系ペロプスカイト化合物と鉛シリケイト化合物とを含
有する誘電体材料を用いて、図1に示す構造のコンデン
サ内蔵多層基板を作製した。ここで、鉛シリケイト化合
物は表3に示すような組成のものを用意した。
Example 2 In Example 1, a capacitor having the structure shown in FIG. 1 was built by using a dielectric material containing a lead-based perovskite compound and a lead silicate compound having a high dielectric constant of the dielectric after co-firing. A multilayer substrate was manufactured. Here, a lead silicate compound having a composition as shown in Table 3 was prepared.

【0086】[0086]

【表3】 [Table 3]

【0087】(誘電体シート)誘電体材料として95モ
ル%Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−5モル%PbTiO3
(平均粒径1.0μm)100重量部に対し、7重量部
の表3に示す鉛シリケイト化合物(表3鉛シリケイトN
o.101〜121)を加えたもの(表3誘電体B〜
V)を用いた。なお、CuOを含有しない鉛シリケイト
化合物を用いたものには、さらに0.3重量部のCuO
を添加した。この誘電体材料にビヒクルを添加して混練
し、ドクターブレード法によりシート状に成形した後、
乾燥し、厚さ約60μmのグリーンシートを作製した。
ビヒクルには、バインダとしてアクリル樹脂、溶剤とし
てエチルアルコール及びトルエン、可塑剤としてフタル
酸エステルを用いた。
(Dielectric Sheet) 95 mol% Pb (Mg 1/3 Nb 2/3 ) O 3 -5 mol% PbTiO 3 as a dielectric material
(Average particle size: 1.0 μm) 7 parts by weight of the lead silicate compound shown in Table 3 (Table 3 Lead silicate N
o. 101 to 121) (Table 3 Dielectric B to
V) was used. In the case of using a lead silicate compound containing no CuO, 0.3 parts by weight of CuO was further added.
Was added. A vehicle is added to the dielectric material, kneaded, and formed into a sheet by a doctor blade method.
After drying, a green sheet having a thickness of about 60 μm was prepared.
The vehicle used was an acrylic resin as a binder, ethyl alcohol and toluene as a solvent, and phthalate as a plasticizer.

【0088】(ガラス−セラミックス複合基板用グリー
ンシート)30体積%のAl23及び70体積%のガラ
ス組成物のガラス粉末にビヒクルを添加して混練し、ド
クターブレード法によりシート状に成形した後、乾燥
し、厚さ約250μmのグリーンシートを作製した。ビ
ヒクルには、バインダとしてアクリル樹脂、溶剤として
エチルアルコール及びトルエン、可塑剤としてフタル酸
エステルを用いた。ここで、用いたガラスの組成は表1
中のガラスNo.18、即ち、SiO229.7モル
%、Al2313.6モル%、CaO27.1モル%、
MgO16.6モル%、BaO10.0モル%、TiO
23.0モル%のものである。
(Green Sheet for Glass-Ceramic Composite Substrate) A vehicle was added to a glass powder of 30% by volume of Al 2 O 3 and 70% by volume of a glass composition, kneaded, and formed into a sheet by a doctor blade method. Thereafter, drying was performed to produce a green sheet having a thickness of about 250 μm. The vehicle used was an acrylic resin as a binder, ethyl alcohol and toluene as a solvent, and phthalate as a plasticizer. Here, the composition of the glass used is shown in Table 1.
Glass no. 18, ie, 29.7 mol% of SiO 2 , 13.6 mol% of Al 2 O 3 , 27.1 mol% of CaO,
16.6 mol% of MgO, 10.0 mol% of BaO, TiO
2 3.0 mol%.

【0089】その他、導体ペーストの組成及び作製方
法、基板の作製方法等は実施例1と同様である。
The composition and production method of the conductor paste, the production method of the substrate, and the like are the same as those in the first embodiment.

【0090】(評価方法及び評価結果)各サンプルにつ
いて誘電体層の1kHzにおける比誘電率(ε)を測定
した。測定機器は、実施例1と同様である。
(Evaluation Method and Evaluation Results) The relative dielectric constant (ε) at 1 kHz of the dielectric layer was measured for each sample. The measuring device is the same as in the first embodiment.

【0091】各サンプルについての測定結果を表4に示
す。
Table 4 shows the measurement results for each sample.

【0092】以上の実施例の結果から本発明の効果は明
らかである。すなわち、誘電体材料としてPb(Mg
1/3Nb2/3)O3−PbTiO3−PbOを用いたものは
上記のように十分な効果があったが(誘電率は約650
0)、前記誘電体材料中のPbOの代わりに請求項7又
は8に記載の範囲の鉛シリケイト化合物、即ち、SiO
218〜43モル%、PbO55〜80モル%、Al2
31〜5モル%の鉛シリケイト化合物又はSiO210〜
40モル%、PbO50〜75モル%、Al231〜1
5モル%、CuO1〜20モル%の鉛シリケイト化合物
を含有せしめたものを用いて、ガラス−セラミックス複
合基板と同時焼成した誘電体の比誘電率は、それぞれ、
約7200〜12500、約6700〜11500とさ
らに向上した。なお、CuOの一部をAgO1/2に置き
換えたものも比誘電率は向上した。
The effects of the present invention are clear from the results of the above examples. That is, Pb (Mg) is used as a dielectric material.
The one using 1/3 Nb 2/3 ) O 3 -PbTiO 3 -PbO had a sufficient effect as described above (the dielectric constant was about 650).
0), a lead silicate compound according to claim 7 or 8 instead of PbO in said dielectric material, ie SiO 2
2 18-43 mol%, PbO 55-80 mol%, Al 2 O
31 to 5 mol% of a lead silicate compound or SiO 2
40 mol%, PbO 50-75 mol%, Al 2 O 3 1-1
The relative permittivity of the dielectric co-fired with the glass-ceramic composite substrate using a lead silicate compound containing 5 mol% and CuO 1 to 20 mol% is as follows:
It was further improved to about 7200 to 12500 and about 6700 to 11500. It should be noted that the specific permittivity was also improved when a part of CuO was replaced with AgO 1/2 .

【0093】[0093]

【表4】 [Table 4]

【0094】実施例3 図2に示す構造のコンデンサ内蔵多層基板、すなわち、
緩衝層を有するコンデンサ内蔵多層基板は以下のように
して作製した。
Example 3 A multilayer substrate with a built-in capacitor having the structure shown in FIG.
A multilayer substrate with a built-in capacitor having a buffer layer was manufactured as follows.

【0095】(緩衝層を有する基板作製方法)緩衝材グ
リーンシート上に、導体ペーストを印刷し、次に誘電体
ペーストを印刷し、そして導体ペーストを印刷した。ガ
ラス−セラミックス複合基板用グリーンシート、ペース
トを印刷していない緩衝材グリーンシート、導体ペース
ト及び誘電体ペーストを印刷した緩衝材グリーンシー
ト、ガラス−セラミックス複合基板用グリーンシートの
順番にシートを積層し熱プレスにより圧着し、そして9
00℃−10分間焼成して多層基板サンプルを得た。
(Method for Producing Substrate Having Buffer Layer) On a buffer material green sheet, a conductor paste was printed, then a dielectric paste was printed, and the conductor paste was printed. The sheets are laminated in the following order: a green sheet for a glass-ceramic composite substrate, a buffer green sheet on which no paste is printed, a buffer green sheet on which a conductor paste and a dielectric paste are printed, and a green sheet for a glass-ceramic composite substrate. Crimped by press and 9
Baking was performed at 00 ° C. for 10 minutes to obtain a multilayer substrate sample.

【0096】多層基板サンプルの側面に外部導体ペース
トを塗布し、850℃−10分間で端部電極を焼き付け
て、表5に示すNo.53〜No.81のコンデンサを
内蔵する多層基板サンプルとした(図2)。
An external conductor paste was applied to the side surface of the multilayer substrate sample, and the end electrodes were baked at 850 ° C. for 10 minutes. 53-No. A multilayer substrate sample containing 81 capacitors was prepared (FIG. 2).

【0097】ここで、緩衝材に用いるガラス組成物は実
施例1に係るガラス組成物と同様、すなわち、表1に示
すガラス組成物である。また、緩衝材グリーンシートの
作製方法は実施例1のガラス−セラミックス複合基板用
グリーンシートと同様の方法で、導体ペーストも実施例
1と同様の方法で作製されたものを使用した。誘電体ペ
ーストは、実施例1の組成の誘電体材料にビヒクルを添
加して三本ロールミルで混練し、ペースト化した。ビヒ
クルには、バインダとしてアクリル系樹脂、溶剤として
テレピネオールおよびブチルカルビトールアセテートを
用いた。
Here, the glass composition used for the buffer material is the same as the glass composition according to Example 1, that is, the glass composition shown in Table 1. The method for producing the buffer material green sheet was the same as that for the glass-ceramic composite substrate green sheet of Example 1, and the conductor paste used was the same as that for Example 1. The dielectric paste was made into a paste by adding a vehicle to the dielectric material having the composition of Example 1 and kneading with a three-roll mill. For the vehicle, an acrylic resin was used as a binder, and terpineol and butyl carbitol acetate were used as solvents.

【0098】ガラス−セラミックス複合基板用グリーン
シートは、従来の組成のものである、30体積%のAl
23及び70体積%のSiO2−SrO−Al23−B2
3−CaO−BaOガラス組成物のガラス粉末にビヒ
クルを添加して混練し、ドクターブレード法によりシー
ト状に成形した後、乾燥し、厚さ約250μmのグリー
ンシートを作製した。ビヒクルには、バインダとしてア
クリル樹脂、溶剤としてエチルアルコール及びトルエ
ン、可塑剤としてフタル酸エステルを用いた。
The green sheet for a glass-ceramic composite substrate has a conventional composition of 30% by volume of Al.
2 O 3 and 70% by volume of SiO 2 —SrO—Al 2 O 3 —B 2
A vehicle was added to the glass powder of the O 3 —CaO—BaO glass composition, kneaded, formed into a sheet by a doctor blade method, and then dried to produce a green sheet having a thickness of about 250 μm. The vehicle used was an acrylic resin as a binder, ethyl alcohol and toluene as a solvent, and phthalate as a plasticizer.

【0099】比較のために上記従来組成のガラス−セラ
ミックス複合基板に、直接コンデンサを内蔵する多層基
板サンプル(表5に示すNo.82、No.83)すな
わち、本発明に係る鉛系ペロブスカイト化合物を分解し
ないような鉛系誘電体内蔵基板用ガラス組成物を含有す
る基板を介さずにコンデンサを内蔵しているもの(緩衝
層がないもの)も作製した。
For comparison, a multilayer substrate sample (No. 82 and No. 83 shown in Table 5) in which a capacitor was directly built in the glass-ceramic composite substrate having the above-mentioned conventional composition, that is, the lead-based perovskite compound according to the present invention was used. A capacitor with a built-in capacitor (without a buffer layer) without a substrate containing a glass composition for a substrate with a lead-based dielectric that does not decompose was also prepared.

【0100】(評価方法及び評価結果)評価方法もまた
実施例1と同様に各サンプルについて誘電体層の1kH
zにおける比誘電率(ε)を測定した。結果は表5に示
す。
(Evaluation Method and Evaluation Results) The evaluation method was also the same as in Example 1 for each sample.
The relative dielectric constant (ε) at z was measured. The results are shown in Table 5.

【0101】以上の実施例の結果から本発明の効果は明
らかである。すなわち、従来組成のガラス−セラミック
ス複合基板に、直接、コンデンサを内蔵したものを同時
焼成した誘電体の比誘電率(表5に示すNo.82、N
o.83)は約500であるのに対し、本発明のガラス
−セラミックス複合基板を介して(緩衝層として)コン
デンサを内蔵したものを同時焼成した誘電体の誘電率は
約5000〜12000と格段に向上した。
The effects of the present invention are clear from the results of the above examples. That is, the relative permittivity of a dielectric obtained by co-firing a glass-ceramic composite substrate of a conventional composition with a built-in capacitor directly (No. 82, N
o. 83) is about 500, but the dielectric constant of a dielectric obtained by co-firing a capacitor with a built-in capacitor (as a buffer layer) via the glass-ceramic composite substrate of the present invention is remarkably improved to about 5000 to 12000. did.

【0102】また、当然のことながらこの緩衝層を有す
るガラス−セラミックス複合基板において、上記鉛シリ
ケイト化合物を含む鉛系ペロプスカイト化合物を誘電体
材料に用いるものは、同時焼成後も高い誘電率を保つこ
とは言うまでもない。
Of course, in the glass-ceramic composite substrate having this buffer layer, when the lead-based perovskite compound containing the above-mentioned lead silicate compound is used as the dielectric material, a high dielectric constant is maintained even after simultaneous firing. Needless to say.

【0103】[0103]

【表5】 [Table 5]

【0104】[0104]

【発明の効果】本発明に係る鉛系誘電体内蔵基板用ガラ
ス組成物は、鉛系ペロブスカイト化合物と同時焼成して
も鉛系ペロブスカイト化合物を分解しないガラス組成物
を用いる。このためこのガラス組成物を用いたガラス−
セラミックス複合基板に内蔵した鉛系ペロブスカイト化
合物の分解が抑えられ、本来の高誘電率が得られる。
The glass composition for a substrate with a built-in lead-based dielectric according to the present invention uses a glass composition which does not decompose the lead-based perovskite compound even when fired simultaneously with the lead-based perovskite compound. Therefore, the glass using this glass composition
Decomposition of the lead-based perovskite compound incorporated in the ceramic composite substrate is suppressed, and an original high dielectric constant is obtained.

【0105】さらに、内蔵する誘電体材料に鉛シリケイ
ト化合物を含有させることにより、鉛系ペロプスカイト
化合物の焼結性を上げ内蔵する誘電体材料の誘電率を大
きくすることができる。
Further, by including a lead silicate compound in the dielectric material contained therein, the sinterability of the lead-based perovskite compound can be increased and the dielectric constant of the dielectric material contained therein can be increased.

【0106】また本発明では、コンデンサ部と誘電体を
分解してしまうガラス−セラミックス複合基板との間
に、上記鉛系ペロブスカイト化合物を分解しないガラス
組成物を含有する基板材料を緩衝層として設けることも
でき、これもまた、鉛系ペロブスカイト化合物を分解し
ないので鉛系ペロブスカイト化合物の分解が抑えられ、
高誘電率が得られる。
In the present invention, a substrate material containing a glass composition that does not decompose the lead-based perovskite compound is provided as a buffer layer between the capacitor part and the glass-ceramic composite substrate that decomposes the dielectric. This also does not decompose the lead-based perovskite compound, so the decomposition of the lead-based perovskite compound is suppressed,
A high dielectric constant is obtained.

【0107】よって、内蔵する誘電体は高誘電率である
ので、基板を小型化することができる。
Therefore, since the built-in dielectric has a high dielectric constant, the size of the substrate can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るコンデンサ部を内蔵する多層基板
の構成例を示す部分断面図である。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing a configuration example of a multilayer substrate having a built-in capacitor unit according to the present invention.

【図2】本発明に係るコンデンサ部を内蔵する多層基板
の他の構成例を示す部分断面図である。
FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing another configuration example of a multilayer substrate incorporating a capacitor section according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21、22、23、24:ガラス−セラミックス複合基
板 31:誘電体 41、42:内部電極 51、52:端部電極 121、122:ガラス−セラミックス複合基板 131、132:緩衝層 141:誘電体 151、152:内部電極 161、162:端部電極
21, 22, 23, 24: Glass-ceramic composite substrate 31: Dielectric 41, 42: Internal electrode 51, 52: End electrode 121, 122: Glass-ceramic composite substrate 131, 132: Buffer layer 141: Dielectric 151 , 152: internal electrode 161, 162: end electrode

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】Al2310〜35モル%、CaO20〜
60モル%、SiO28〜40モル%からなる鉛系誘電
体内蔵基板用ガラス組成物。
(1) Al 2 O 3 10 to 35 mol%, CaO 20 to
A glass composition for a lead-based dielectric-containing substrate, comprising 60 mol% and 8 to 40 mol% of SiO 2 .
【請求項2】MgO、BaO及びSrOから選択される
少なくとも1種の酸化物を30モル%以下含有する請求
項1に記載の鉛系誘電体内蔵基板用ガラス組成物。
2. The glass composition for a lead-based dielectric-containing substrate according to claim 1, wherein the glass composition contains at least one oxide selected from MgO, BaO and SrO in an amount of 30 mol% or less.
【請求項3】TiO2を10モル%以下含有する請求項
2に記載の鉛系誘電体内蔵基板用ガラス組成物。
3. The glass composition for a substrate containing a lead-based dielectric according to claim 2, which contains 10 mol% or less of TiO 2 .
【請求項4】請求項1〜3のいずれか1項に記載の鉛系
誘電体内蔵基板用ガラス組成物を60〜90体積%含有
するガラス−セラミックス複合基板組成物。
4. A glass-ceramic composite substrate composition comprising 60 to 90% by volume of the glass composition for a lead-containing dielectric substrate according to any one of claims 1 to 3.
【請求項5】請求項4に記載の基板組成物と鉛系誘電体
組成物を同時焼成したコンデンサ内蔵多層基板。
5. A multilayer substrate with a built-in capacitor, wherein the substrate composition according to claim 4 and a lead-based dielectric composition are co-fired.
【請求項6】上記鉛系誘電体組成物は少なくとも鉛系ペ
ロプスカイト化合物と鉛シリケイト化合物を含有する請
求項5に記載のコンデンサ内蔵多層基板。
6. The multilayer substrate with a built-in capacitor according to claim 5, wherein said lead-based dielectric composition contains at least a lead-based perovskite compound and a lead silicate compound.
【請求項7】上記鉛シリケイト化合物の組成がSiO2
18〜43モル%、PbO55〜80モル%、Al23
1〜5モル%であり、その含有量が3〜20重量%であ
る請求項6に記載のコンデンサ内蔵多層基板。
7. The composition of the lead silicate compound is SiO 2
18-43 mol%, PbO 55-80 mol%, Al 2 O 3
The multilayer substrate with a built-in capacitor according to claim 6, wherein the content is 1 to 5 mol% and the content is 3 to 20% by weight.
【請求項8】上記鉛シリケイト化合物の組成がSiO2
10〜40モル%、PbO50〜75モル%、Al23
1〜15モル%、CuO1〜20モル%であり、その含
有量が3〜20重量%である請求項6に記載のコンデン
サ内蔵多層基板。
8. The composition of the lead silicate compound is SiO 2
10 to 40 mol%, PbO 50 to 75 mol%, Al 2 O 3
The multilayer substrate with a built-in capacitor according to claim 6, wherein the content is 1 to 15 mol% and CuO is 1 to 20 mol%, and the content thereof is 3 to 20 wt%.
【請求項9】上記鉛シリケイト化合物の組成がSiO2
10〜40モル%、PbO50〜75モル%、Al23
1〜15モル%、CuO+AgO1/21〜20モル%で
あり、その含有量が3〜20重量%である請求項6に記
載のコンデンサ内蔵多層基板。
9. The composition of the lead silicate compound is SiO 2
10 to 40 mol%, PbO 50 to 75 mol%, Al 2 O 3
The multilayer substrate with a built-in capacitor according to claim 6, wherein the content is 1 to 15 mol%, CuO + AgO1 / 2 is 1 to 20 mol%, and the content is 3 to 20 wt%.
【請求項10】一対のガラス−セラミックス複合基板の
間に、誘電体層及び電極層を有するコンデンサ部を内蔵
し、コンデンサ部と各ガラス−セラミックス複合基板と
の間に緩衝層を有する多層基板であって、誘電体層が鉛
系ペロブスカイト化合物を含み、緩衝層として請求項4
のガラス−セラミックス複合基板組成物からなる基板を
用いることを特徴とするコンデンサ内蔵多層基板。
10. A multilayer substrate having a built-in capacitor portion having a dielectric layer and an electrode layer between a pair of glass-ceramic composite substrates and having a buffer layer between the capacitor portion and each glass-ceramic composite substrate. The dielectric layer contains a lead-based perovskite compound, and is used as a buffer layer.
A multilayer substrate with a built-in capacitor, characterized by using a substrate comprising the glass-ceramic composite substrate composition of (1).
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