JPH10200233A - ２層フレキシブル基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板に乾式めっき法および無電解めっき法並
びに電気銅めっき法を使用した２層フレキシブル基板の
製造において、ピンホールによる配線部欠陥がなく、下
地金属層と無電解めっき被膜との密着性の優れた健全な
基板を提供する。 【解決手段】 絶縁体フィルムの片面または両面に、接
着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、該下地金属層
上に所望の厚さの銅導体層を形成する２層フレキシブル
基板の製造方法において、下地金属層をニッケル、銅お
よび銅−ニッケル合金からなる群から選ばれた少なくと
も１種を用いて乾式めっき法により形成し、次に該下地
金属層上に一次電気銅めっき被膜層を形成した後、さら
に該一次電気銅めっき被膜層上に中間金属層として無電
解銅めっき被膜層を形成し、最後に該中間金属層上に二
次電気銅めっき被膜層を形成することにより最終的に絶
縁体フィルム上に５〜１８μｍ銅導体層を形成すること
を特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は２層フレキシブル基
板の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】フレキシブル配線板を作製するために用
いられる基板は、絶縁体フィルム上に接着剤を用いて銅
箔を貼り合わせた３層フレキシブル基板と、該絶縁体フ
ィルム上に接着剤を用いることなしに直接銅導体層を形
成した２層フレキシブル基板とに大別される。

【０００３】そして、３層フレキシブル基板を用いる場
合には、サブトラクティブ法によって所望の配線パター
ンを形成することにより３層フレキシブル配線板を製造
することができ、２層フレキシブル基板を用いる場合に
は、サブトラクティブ法またはアディティブ法によって
所望の配線パターンを形成することにより２層フレキシ
ブル配線板を製造することができるが、一般には製造方
法が簡単で、低コストで製造することができる３層フレ
キシブル基板の使用が主流を占めていた。

【０００４】ところで、近年の電子機器の高密度化に伴
なって配線板における配線幅も狭ピッチのものが求めら
れるようになってきている。しかし、３層フレキシブル
基板を使用して配線板を作製する場合は、基板の絶縁体
フィルム上に形成した銅導体層をエッチングして配線部
の形成を行うに際して、配線部の側面がエッチングされ
る、いわゆるサイドエッチングを生ずるために配線部の
断面形状が裾広がりの台形になりやすく、従って配線部
間の電気的絶縁性を確保するまでエッチングを行うと配
線ピッチ幅が広くなり過ぎてしまうために、従来一般的
に使用される３５μｍ厚さの銅箔を貼り合わせた基板を
用いる限り配線板における配線部の狭ピッチ化を行うに
は限界があった。

【０００５】このため、従来の３５μｍ厚銅箔張り合わ
せ基板に代えて１８μｍ厚さ以下の薄い銅箔張り合わせ
基板を使用し、サイドエッチングによる裾広がりの幅を
小さくして配線板における配線部の狭ピッチ化を図る試
みがなされた。しかし、このような薄肉の銅箔は剛性が
小さいためにハンドリング性が悪く、そのため銅箔にア
ルミニウムキャリアなどの補強材を貼り合わせて剛性を
高くした後、該銅箔と絶縁体フィルムの貼り合わせを行
い、しかる後再びアルミニウムキャリアーを除去しなけ
れらないので作業性が悪いという問題があった。

【０００６】またこのような薄い銅箔では、膜厚のばら
つきやピンホールや亀裂の発生などによる被膜欠陥が増
加するなどの製造技術上の問題もあるので、銅箔が薄く
なればなるほどその製造が困難となり、かつ製造価格が
高くなって３層フレキシブル配線板のコストメリットが
失われてしまう結果となった。殊に最近においては、厚
さ１０数μｍ以下、数μｍ程度の銅箔を使用しなくては
製造できないような狭幅で、狭ピッチの配線部を有する
配線板への要求が強まるに至り、３層フレキシブル基板
を用いる配線板は、上記したように技術的な問題もさる
ことながら、製造コスト上からも問題があった。

【０００７】そこで、接着剤を施すことなく直接絶縁体
フィルム上に銅被覆を形成することができる２層フレキ
シブル基板を用いた２層フレキシブル配線板が注目され
るに至った。該２層フレキシブル基板は接着剤なしで直
接絶縁体フィルム上に銅導体層を形成するものであり、
従って基板自体の厚さを薄くすることができる上に、被
着させる銅導体被膜の厚さも任意の厚さに調整すること
ができるという利点を有する。このような２層フレキシ
ブル基板を製造する場合には、絶縁体フィルム上に廉価
に均一な厚さの銅導体層を形成するための手段として通
常は電気銅めっき法が採用されるが、そのためには、電
気銅めっき被膜を施す絶縁体フィルムの上に薄膜の下地
金属層を形成して表面全面に導電性を付与し、その上に
電気銅めっき処理を行なうのが一般的である。

【０００８】ところで、絶縁体フィルム上に薄膜の下地
金属層を得るためには、真空蒸着法、イオンプレーティ
ング法などの乾式めっき法を使用するのが一般的である
が、このような乾式めっき法で得られる被膜層には、通
常数十μｍ〜数百μｍの大きさのピンホールが多数発生
するので、下地金属層には往々にして部分的にピンホー
ルによる絶縁体フィルム露出部分を生ずることになる。

【０００９】従来、一般にこの種のフレキシブル配線板
においては、配線に必要な銅の導電性被膜の厚さは２０
〜３５μｍが適当であるとされていたが、このようなか
なりの厚さの銅被膜を従来一般的に行われているような
電気銅めっき法によって得ようとする場合には、電気銅
めっき法による銅被膜は基板に対して垂直方向のみなら
ず水平方向にも成長するので、上記した絶縁体フィルム
面におけるピンホールによる露出に基づく欠陥はめっき
被膜中に埋没し、従ってピンホールの存在による配線部
の欠陥を生ずることは少なかった。

【００１０】しかしながら、本発明において指向するよ
うな狭ピッチの配線部を持ったフレキシブル配線板を得
ようとする場合には、前述したように配線部形成のため
の銅被膜層の厚さは１８μｍ以下、理想的には５μｍ程
度の極めて薄い厚さとしなければならないので、電気銅
めっき法によってこのような薄い銅被膜を得ようとする
と被膜の水平方向への成長量が不足し、絶縁体フィルム
表面のピンホールによる露出部を十分に埋めきれず、配
線部に欠陥を生ずる恐れが多々あった。

【００１１】この状況を、下地金属層を形成した絶縁体
フィルム上に所望の厚さの銅導体層を形成した２層フレ
キシブル基板を用いて、例えばサブトラクティブ法によ
って２層フレキシブル配線板の製造を行う場合を例にと
って説明すると、基板の配線部パターンの形成は次の工
程で行われる。 （１）該銅導体層上に、配線部のみがマスキングされ非
配線部の銅導体層が露出するような所望の配線部パター
ンを有するレジスト層を設ける、 （２）露出している銅導体層を化学エッチング処理によ
り除去する、 （３）最後にレジスト層を剥離除去する。 従って、銅導体層の厚さを例えば５μｍというように極
めて薄く形成した基板を使用して、例えば配線幅４０μ
ｍ、配線ピッチ８０μｍというような狭配線幅、狭配線
ピッチの配線板を製造する場合には、乾式めっき処理に
よって基板の下地金属層に生じているピンホールのう
ち、粗大なものは大きさが数十μｍ乃至数百μｍのオー
ダーに達するために、５μｍ程度の厚さの電気銅めっき
被膜を形成したのでは、ピンホールによる絶縁体フィル
ム露出部分を殆ど埋めることができないので、この露出
部分、つまり導体層の欠落部分が配線部にかかり、配線
部は該ピンホールの位置で欠落して配線欠陥となるか、
そうでなくても配線部の密着不良を招く原因となるので
ある。

【００１２】上記した問題を解決する方法として、絶縁
体フィルム上に乾式めっき法で下地金属層として形成し
た上に、さらに中間金属層として無電解めっきによる銅
被覆層を施してピンホールによる絶縁体フィルムの露出
部分を被覆する方法が提案されている。しかし、この方
法によるときは、確かにある程度ピンホールによる絶縁
体フィルムの露出部分をなくすることはできるが、一方
において、無電解銅めっき処理に用いられるめっき液や
これを行うために行われるアルカリ性の前処理液など
が、既に形成されている大小さまざまなピンホール部分
から絶縁体フィルムと下地金属層との間に浸透し、これ
が下地金属層の密着性、ひいてはその後に形成される電
気銅めっきによる導体層の密着性を阻害する原因となる
ので十分な解決策にはならなかった。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、乾式めっき
法および無電解めっき法並びに電気銅メッキ法を使用し
たフレキシブル基板の製造における上記した問題点を解
決し、絶縁体フィルム上に乾式めっき処理により下地金
属層を形成するに際して生ずるピンホールに起因する銅
導体部の欠落がなく、かつ下地金属層と無電解めっき層
との密着性の優れたフレキシブル配線板の製造方法を提
供することを目的とするものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、絶縁体フィルムの片面または両面に、接着
剤を介さずに直接下地金属層を形成し、該下地金属層上
に所望の厚さの銅導体層を形成する２層フレキシブル基
板の製造方法において、下地金属層をニッケル、銅およ
び銅−ニッケル合金からなる群から選ばれた少なくとも
１種を用いて乾式めっき法によって形成し、次に該下地
金属層上に一次電気銅めっき被膜層を形成し、次に該一
次電気銅めっき被膜層上に中間金属層として無電解銅め
っき被膜を形成し、最後に該中間金属層上に二次電気銅
めっき被膜層を形成することにより最終的に絶縁体フィ
ルム上に５〜１８μｍ銅導体層を形成する２層フレキシ
ブル基板の製造方法を特徴とするものである。

【００１５】本発明において、下地金属層上に施される
一次電気銅めっき被膜層の厚さは、０．３〜１０μｍ、
特に０．５〜２μｍの範囲のであることが好ましい。ま
た、無電解銅めっき被膜層の厚さは、０．０１〜１．０
μｍ、特に０．０５〜０．５μｍの範囲であることが好
ましい。また、無電解銅めっき被膜層を形成するに際
し、前処理として触媒付与処理を施すことが好ましい。

【００１６】また、本発明において、絶縁体フィルム上
に直接形成される下地金属層の金属種は、ニッケル、
銅、または銅−ニッケル合金であることが好ましい。そ
して、下地金属層の厚さは２００〜５，０００オングス
トロームであることが好ましく、さらに下地金属層がニ
ッケルまたは銅−ニッケル合金の乾式めっき被膜層であ
るときは、その厚さが２００〜２，０００オングストロ
ームであることが好ましく、下地金属層が銅の乾式めっ
き被膜層であるときは、その厚さが２００〜５，０００
オングストロームであることが好ましい。また該下地金
属層を形成するための乾式めっき法は、真空蒸着法、ス
パッタリング法、またはイオンプレ−ティング法のうち
のいずれかを採用することが好ましい。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明は、上記したように絶縁体
フィルム上に下地金属層として乾式めっき法によりニッ
ケル、銅、銅−ニッケル合金などによる乾式めっき被膜
層を形成した上に、所定の厚さの一次電気銅めっき被膜
層を形成した後、その上にさらに無電解銅めっき被膜層
を被着させ、最後に二次電気銅めっき被膜層を形成する
ことによって所望の厚さの銅導体層を形成する２層フレ
キシブル基板の製造方法であり、乾式めっき法と無電解
めっき法を併用したフレキシブル配線板の製造を行うに
際して、上記した製造方法を採用することにより乾式め
っき被膜層の形成に際して発生するピンホールに基づく
導体部欠陥が少なく、かつ導体層と絶縁体フィルム間の
密着性の高い２層フレキシブル基板を得ることに成功し
たものである。

【００１８】本発明において、基板上に電気銅めっき被
膜層を一次、二次に分けて形成させる理由について説明
すると次のごとくである。即ち、通常乾式めっき法によ
って絶縁体フィルム上に形成されるめっき被膜層には、
大小無数のピンホールが存在するが、そのうちの殆どは
光学顕微鏡では観察困難な１μｍ以下の微小なピンホー
ルであり、残部が数μｍ乃至数百μｍの粗大なピンホー
ルである。そして、前者の微小ピンホールは配線板を作
製する際の配線部の欠陥発生に殆ど影響しないが、後者
の粗大ピンホールは絶縁体フィルム上に顕著な大きさの
露出部を形成するために、無電解銅めっき処理によって
この露出部を被覆しなければ、その後の電気銅めっき処
理工程において形成される導体層に部分的欠落部を生
じ、配線板作製に際して配線欠陥を生ずる原因となる。
なお、本発明者らの行った実験によれば、配線板におけ
る配線部の欠落の許容限界の目安は、配線幅の１／４か
ら１／３程度であるので、例えば配線幅４０μｍの配線
板においては基板に形成した導体層に１０μｍの大きさ
を超えるピンホールよる部分欠落部が多数存在すると、
該基板により作製される配線板は不良品となり易いこと
が実証されている。

【００１９】そしてまた、上記したピンホールのうち微
小ピンホールの存在も、その後に行われる無電解銅めっ
き処理に際し、無電解めっき液やその前処理液などがこ
の微小ピンホールの穴から下地金属層と絶縁体フィルム
の間に浸透し、下地金属層の密着性を阻害する原因とな
り、ひいては作製される配線板における配線部の密着強
度が通常この種の配線板において実用的基準とされる１
ｋｇｆ／ｃｍの値を下回るようになるので好ましくない
ことが分かった。そこで本発明においては、下地金属層
上に一次電解銅めっき処理を施すことによって、形成さ
れた銅めっき被膜層によって下地金属層の微小ピンホー
ルの穴を埋めてやり、次工程の無電解銅めっき工程での
無電解めっき液や前処理液の微小ピンホールから絶縁体
フィルムへの浸透を抑制し、これによって下地金属層の
絶縁体フィルムに対する密着性を確保するようにしたも
のである。

【００２０】この場合において、一次電気銅めっき被膜
層の厚みを０．３〜１０μｍの範囲に限定した理由は次
のごとくである。粗大ピンホール部分は絶縁体フィルム
面が大きく露出しているために電気銅めっき処理を行っ
ても通電性のない絶縁体フィルム上には銅めっき被膜は
形成されない。その結果一次電気銅めっき被膜が形成さ
れた部分の厚さは下地金属層の厚さに一次電気銅めっき
被膜層の厚さが加わり、粗大ピンホールによる絶縁体フ
ィルムの露出部分と一次電気銅めっき被膜層の形成部分
とに段差が生ずることになる。この段差は最終工程の二
次電気銅めっき被膜形成後も変わることがないので、一
次電気銅めっき被膜層を１０μｍを超える厚さにする
と、得られた２層フレキシブル基板の表面における段差
が著しく大きくなりすぎてその後の配線部形成工程にお
ける配線部の加工に支障をきたし易く、また外観不良と
なり易い。また、一次電気銅めっき被膜層の厚さが０．
３μｍ未満となると微小ピンホールの穴を十分に埋めき
れないので、無電解銅めっき処理に際してのめっき液等
の浸透が起こり易くなり、下地金属層の密着性の低下を
招く恐れが生ずるので、いずれの場合も好ましくない。

【００２１】なお、この一次電気銅めっき被膜層の厚さ
は、もとより微小ピンホールの穴を埋めてめっき液の浸
透を防止できる程度の厚さにすればよいのであるが、こ
の厚さは二次電気銅めっき処理を施すことによって得ら
れる最終的な導体層の厚さおよび配線板に形成される配
線部の配線幅および配線ピッチの大きさなどを考慮して
定められる。例えば導体層の厚さが５μｍ程度で、作製
される配線板における配線部の配線幅４０μｍ、配線ピ
ッチが８０μｍ程度であるときは、下地金属層の密着性
をほぼ確保しつつ実質的段差の解消を図るためには、該
一次電気銅めっき被膜層の厚さは、より好ましくは０．
５〜２μｍの範囲とするのがよい。

【００２２】次に、無電解銅めっき処理を行うが、これ
は基板全面に無電解銅めっき被膜層を形成させることに
よって、粗大ピンホールによる絶縁体フィルムの露出面
を覆って基板面全面を良導体化し、これによってピンホ
ールの影響を受けることなく次工程での二次電気銅めっ
き処理を基板全面に亘って行わせることを可能とするた
めに行われるものである。該無電解銅めっき処理を施す
に当たっては、公知の触媒付与剤を使用して事前に基板
上に触媒付与処理を施すことが好ましい。以後、二次電
気銅めっき処理を施すことによって、容易に厚さ５〜１
８μｍ程度の導体層を有する薄肉の健全な２層フレキシ
ブル基板を得ることができる。

【００２３】本発明において無電解銅めっき処理に際し
て行われる触媒付与処理に用いる触媒金属種は、無電解
めっき液に含まれる錯体化された金属イオン種よりも電
位的に貴なものであればよく、例えば金、白金、銀、パ
ラジウム等が使用できる。しかし、簡便さを考慮すれ
ば、触媒付与剤として広く市販されているパラジウム系
の触媒付与剤、例えば、パラジウム−錫の酸性溶液や、
アルカリ性のパラジウム錯体溶液、あるいは錫を含まな
い酸性パラジウム溶液などが適当である。触媒の付与方
法は特に限定されず、通常行われるセンシタイジング・
アクチベーション法やキャタリスト・アクセレーター法
など状況に応じて適宜選択すればよい。また、触媒付与
処理に際しての前処理は、特に限定されないが下地金属
層と無電解めっき被膜の密着性を高めるために脱脂等の
清浄化処理を施しておくことが望ましい。しかしなが
ら、この前処理によって下地金属層が溶解するような条
件で処理することは厳に避けなければならない。

【００２４】また、本発明において使用する無電解めっ
き液は、含まれる金属イオンが自己触媒性を有し、かつ
ヒドラジン、ホスフィン酸ナトリウム、ホルマリン等の
還元剤によって還元されて金属析出する還元析出型のも
のであればいずれでもよいが、本発明の趣旨からいっ
て、下地金属層に生じているピンホールにより露出した
絶縁体フィルム露出部分の良導体化を図ることが主たる
目的であるから、導電性が良好で比較的作業性のよい無
電解銅めっき液が最適である。

【００２５】なお、この無電解銅めっき液によるめっき
被膜の厚さは、基板面におけるピンホールによる欠陥修
復が可能でかつ電気銅めっき処理を施す際に、電気銅め
っき液によって溶解されない程度の厚さであればよく、
０．０１〜１．０μｍの範囲であることが好ましい。

【００２６】このようにして無電解銅めっき被膜を形成
させた基板は、最終的に所望の厚さの導体層が形成され
るように二次電気銅めっき処理を施すことにより、下地
金属形成時に発生した大小様々なピンホールによる影響
を受けない健全でかつ導体層の密着度の高い２層フレキ
シブル基板を得ることができる。なお、本発明において
行われる電気銅めっき処理は、一次、二次ともに常法に
よる電気銅めっき法における諸条件を採用すればよい。

【００２７】また本発明において、絶縁体フィルム上に
直接形成される下地金属層の金属種は、ニッケル、銅、
または銅−ニッケル合金であることが好ましく、形成さ
れる下地金属層の厚さは、下地金属層上に一次銅電解処
理が可能な程度の厚さがあれば十分であり、具体的には
２００〜５，０００オングストロームの範囲の厚さ、よ
り具体的には、下地金属層がニッケルまたは銅−ニッケ
ル合金の乾式めっき被膜層であるときは、その厚さが２
００〜２，０００オングストロームであることが好まし
く、下地金属層が銅の乾式めっき被膜層であるときは、
その厚さが２００〜５，０００オングストロームである
ことが好ましい。それぞれの下限値未満の厚さでは満足
に一次電気銅めっき処理を行うことが困難であり、ま
た、上限値を超える厚さになると被膜層に応力によるク
ラックやそりを生じ、かえって密着強度が低下をきたす
ようになるのでいずれも好ましくない。また、乾式めっ
き法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、または
イオンプレ−ティング法のいずれかを採用すればよい。

【００２８】

【実施例】以下に本発明の実施例を比較例とともに掲げ
る。 実施例１：厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（東レ・
デュポン社製、製品名「カプトン２００Ｖ」）を１２ｃ
ｍ×１２ｃｍの大きさに切り出し、その片面に下地金属
層として真空蒸着法によりニッケル被膜層を３００オン
グストロームの厚さに形成した。

【００２９】次に、これを弱アルカリ性の脱脂剤に１分
間浸漬し、引き続き２分間水洗して表面洗浄処理を行っ
た。次に、表１に示す組成の電気銅めっき液を用いて厚
さ１μｍの一次電気銅めっき被膜層を形成した。このと
きのめっき条件は、めっき液温度は室温とし、空気撹拌
を行い、電流密度を０．５Ａ／ｄｍ^２とした。

【００３０】

【表１】 硫酸銅５水塩 ：８０ｇ／リットル 硫酸 ：２００ｇ／リットル 光沢剤 ：適宜 塩素イオン ：５０ｍｇ／リットル

【００３１】一次電気銅めっき被膜形成後、水洗し、キ
ャタライジング液、アクセレーティング液（共に奥野製
薬社製）に浸漬して基板表面に触媒を付与した。引き続
き基板を表２に示す組成の無電解銅めっき液に３分間浸
漬して表面に０．１μｍの厚さの無電解銅めっき被膜を
成膜した。このときのめっき条件は、めっき液の温度は
６０℃、ｐＨは１２．５であり、空気撹拌を行った。

【００３２】

【表２】 硫酸銅 ：１０ｇ／リットル ＥＤＴＡ ：３０ｇ／リットル ＨＣＨＯ（３６％溶液） ：５ミリリットル／リットル ＰＥＧ１０００ ：０．５ｇ／リットル ジピリジル ：１０ｍｇ／リットル

【００３３】無電解めっき処理後、引き続いて表１に示
す組成の電気銅めっき液を用いて銅導体層の厚さが最終
的に５μｍになるように二次電気銅めっき被膜を形成し
た。このときのめっき条件は、めっき液の温度は室温と
し、空気撹拌を行い、通電時の電流密度を３Ａ／ｄｍ^２
とした。

【００３４】得られた基板に対し、銅被膜側から光を当
ててピンホールの有無を確認したところ、１２ｃｍ×１
２ｃｍの領域内では光の透過は認められず、ピンホール
が存在しないことが分かった。この基板を用いて配線幅
４０μｍ、配線ピッチ８０μｍのフレキシブル配線板を
常法によるサブトラクティブ法に基づいて作製したとこ
ろ、配線部分にピンホールに起因する欠陥のない２層フ
レキシブル配線板が得られた。

【００３５】また、該２層フレキシブル配線板の配線部
を垂直に引き剥がして配線部の密着強度を測定したとこ
ろ、その強度は１ｋｇｆ／ｃｍ以上であり、ポリイミド
フィルムに下地金属層を真空蒸着した後、一次電気銅め
っき被膜層を施さずに直ちに無電解めっき処理を施し、
次いで電気銅めっき被膜を形成した基板によるものに比
べて高い密着強度を有し、十分に実用に供することがで
きる密着強度を有するものであることが分かった。

【００３６】なお、本実施例においては、サブトラクテ
ィブ法によってポリイミドフィルムの片面に配線パター
ンを有する基板から得られた片面フレキシブル配線板に
ついての作製例を示したが、絶縁体フィルムの両面に配
線部を有する両面フレキシブル配線板、あるいはセミア
ディティブ法により作製された片面または両面フレキシ
ブル配線板についても同様の優れた結果が得られること
が確認されている。

【００３７】実施例２：一次電気銅めっき被膜層を０．
５μｍに形成した以外は実施例１と同様の手順で２層フ
レキシブル基板を作製し、この基板を使用して実施例１
と同様の手順で２層フレキシブル配線板を作製したとこ
ろ、配線部分にピンホールに起因する欠陥のない２層フ
レキシブル配線板が得られた。また、得られた２層フレ
キシブル配線板の配線部を垂直に引き剥がして配線部の
密着強度を測定したところ、その強度は１ｋｇｆ／ｃｍ
以上であり十分に実用に供することができる密着強度を
有するものであることが分かった。

【００３８】実施例３：下地金属層としてスパッタリン
グ法によってニッケル被膜層を１，５００オングストロ
ームの厚さに形成した以外は実施例１と同様の手順で２
層フレキシブル基板を作製し、この基板を使用して実施
例１と同様の手順で２層フレキシブル配線板を作製した
ところ、配線部分にピンホールに起因する欠陥のない２
層フレキシブル配線板が得られた。また、得られた２層
フレキシブル配線板の配線部を垂直に引き剥がして配線
部の密着強度を測定したところ、その強度は１ｋｇｆ／
ｃｍ以上であり十分に実用に供することができる密着強
度を有するものであることが分かった。

【００３９】実施例４：下地金属層としてスパッタリン
グ法によってニッケル４０重量％含有の銅−ニッケル合
金被膜層を１００オングストロームの厚さに形成した以
外は実施例１と同様の手順で２層フレキシブル基板を作
製し、この基板を使用して実施例１と同様の手順で２層
フレキシブル配線板を作製したところ、配線部分にピン
ホールに起因する欠陥のない２層フレキシブル配線板が
得られた。また、得られた２層フレキシブル配線板の配
線部を垂直に引き剥がして配線部の密着強度を測定した
ところ、その強度は１ｋｇｆ／ｃｍ以上であり十分に実
用に供することができる密着強度を有するものであるこ
とが分かった。

【００４０】実施例５：一次電気銅めっき被膜層を０．
５μｍに形成した以外は実施例４と同様の手順で２層フ
レキシブル基板を作製し、この基板を使用して実施例１
と同様の手順で２層フレキシブル配線板を作製したとこ
ろ、配線部分にピンホールに起因する欠陥のない２層フ
レキシブル配線板が得られた。また、得られた２層フレ
キシブル配線板の配線部を垂直に引き剥がして配線部の
密着強度を測定したところ、その強度は１ｋｇｆ／ｃｍ
以上であり十分に実用に供することができる密着強度を
有するものであることが分かった。

【００４１】実施例６：下地金属層として真空蒸着によ
って銅被膜層を１，０００オングストロームの厚さに形
成した以外は実施例１と同様の手順で２層フレキシブル
基板を作製し、この基板を使用して実施例１と同様の手
順で２層フレキシブル配線板を作製したところ、配線部
分にピンホールに起因する欠陥のない２層フレキシブル
配線板が得られた。また、得られた２層フレキシブル配
線板の配線部を垂直に引き剥がして配線部の密着強度を
測定したところ、その強度は１ｋｇｆ／ｃｍ以上であり
十分に実用に供することができる密着強度を有するもの
であることが分かった。

【００４２】実施例７：一次電気銅めっき被膜層を０．
５μｍに形成した以外は実施例６と同様の手順で２層フ
レキシブル基板を作製し、この基板を使用して実施例１
と同様の手順で２層フレキシブル配線板を作製したとこ
ろ、配線部分にピンホールに起因する欠陥のない２層フ
レキシブル配線板が得られた。また、得られた２層フレ
キシブル配線板の配線部を垂直に引き剥がして配線部の
密着強度を測定したところ、その強度は１ｋｇｆ／ｃｍ
以上であり十分に実用に供することができる密着強度を
有するものであることが分かった。

【００４３】比較例１：下地金属層として形成するニッ
ケル被膜層の厚さを１００オングストロームとした以外
は実施例１と同様の手順で一次電気銅めっき処理を施し
たところ、電解電圧が１０ｖ以上となって電流が流れな
くなり、電気銅めっき処理を継続することができなかっ
た。

【００４４】比較例２：下地金属層として形成するニッ
ケル被膜層の厚さを３，０００オングストロームとした
以外は実施例１と同様の手順で２層フレキシブル基板を
作製し、この基板を使用して実施例１と同様の手順で２
層フレキシブル配線板を作製したところ、配線部分にピ
ンホールに起因する欠陥のない２層フレキシブル配線板
が得られた。しかし、得られた２層フレキシブル配線板
の配線部を垂直に引き剥がして、その密着強度を測定し
たところ、その強度は１ｋｇｆ／ｃｍ以下であり、実用
に供することができる密着強度とはならなかった。

【００４５】比較例３：下地金属層として形成する銅被
膜層の厚さを１００オングストロームとした以外は実施
例６と同様の手順で一次電気銅めっき処理を施したとこ
ろ、電解電圧が１０ｖ以上となって電流が流れなくな
り、電気銅めっき処理を継続することができなかった。

【００４６】比較例４：下地金属層として形成する銅被
膜層の厚さを６，０００オングストロームとした以外は
実施例６と同様の手順で２層フレキシブル基板を作製
し、この基板を使用して実施例１と同様の手順で２層フ
レキシブル配線板を作製したところ、配線部分にピンホ
ールに起因する欠陥のない２層フレキシブル配線板が得
られた。また、得られた２層フレキシブル配線板の配線
部を垂直に引き剥がして配線部の密着強度を測定したと
ころ、その強度は１ｋｇｆ／ｃｍ以下であり十分に実用
に供することができる密着強度とはならなかった。

【００４７】比較例５：一次電解銅めっき被膜層を０．
１μｍの厚さで形成した以外は実施例１と同様の手順で
２層フレキシブル基板を作製し、この基板を使用して実
施例１と同様の手順で２層フレキシブル配線板を作製し
たところ、配線部分にピンホールに起因する欠陥のない
２層フレキシブル配線板が得られた。しかし、得られた
２層フレキシブル配線板の配線部を垂直に引き剥がし
て、その密着強度を測定したところ、その強度は１ｋｇ
ｆ／ｃｍ以下であり、実用に供することができる密着強
度とはならなかった。

【００４８】比較例６：一次電解銅めっき被膜層を１２
μｍの厚さで形成し、二次電気銅めっき被膜処理を施し
て得られる最終的な導体層の厚さを１５μｍとした以外
は実施例１と同様の手順で２層フレキシブル基板を作製
し、この基板を使用して実施例１と同様の手順で２層フ
レキシブル配線板を作製したところ、配線部分にピンホ
ールに起因する欠陥のない２層フレキシブル配線板が得
られた。しかし、得られた２層フレキシブル配線板は、
下地金属層形成に際しての粗大ピンホールに基づいくポ
リイミドフィルムの露出部分と思われる箇所の銅導体層
の厚さが薄く、他の部分との段差が１２μｍもあること
からフレキシブル配線板には適さないことが分かった。

【００４９】比較例７：一次電解銅めっき被膜処理を行
わなかった以外は実施例１と同様の手順で最終的な導体
層の厚さ５μｍの２層フレキシブル基板を作製し、この
基板を使用して実施例１と同様の手順で２層フレキシブ
ル配線板を作製したところ、配線部分にピンホールに起
因する欠陥のない２層フレキシブル配線板が得られた。
しかし、得られた２層フレキシブル配線板の配線部を垂
直に引き剥がして、その密着強度を測定したところ、そ
の強度は１ｋｇｆ／ｃｍ以下であり、実用に供すること
ができる密着強度とはならなかった。

【００５０】比較例７：無電解銅めっき処理を省略した
以外は実施例１と同様の手順で２層フレキシブル基板を
作製した。得られた基板に対し、銅被膜側から光を当て
てピンホールの有無を確認したところ１２ｃｍ×１２ｃ
ｍの領域内で部分的に光の透過が認められ、ピンホール
が存在することが分かった。この基板を使用して実施例
１と同様の手順で２層フレキシブル配線板を作製したと
ころ、配線部にピンホールに起因すると思われる欠落部
による不良箇所があることが確認され、この基板は狭ピ
ッチ幅の配線部を有する２層フレキシブル配線板の作製
には適さないことが分かった。

【００５１】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の２層フレキ
シブル基板の製造方法によるときは、絶縁体フィルム上
に施した乾式めっき法による下地金属層に生じたピンホ
ールのうち、微小ピンホールに基づく下地金属層の密着
性の低下を一次電気銅めっき処理を行うことによって抑
制し、粗大ピンホールによる絶縁体フィルムの露出欠陥
を無電解銅めっき処理によって被覆することによって基
板表面を完全に良導体化することによって粗大ピンホー
ルに基づく導体部欠落の発生を抑制することができるの
で、その結果３〜１８μｍというような極めて薄い銅導
体層を有する健全な２層フレキシブル基板を得ることが
できる。従って、この基板を使用することによって密着
性が高く、欠陥のない配線部を有する信頼性の高い２層
フレキシブル配線板を効率よく得ることができるのでそ
の効果は大きい。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁体フィルムの片面または両面に、接
   着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、該下地金属層
   上に所望の厚さの銅導体層を形成する２層フレキシブル
   基板の製造方法において、絶縁体フィルム上に下地金属
   層をニッケル、銅および銅−ニッケル合金からなる群か
   ら選ばれた少なくとも１種の金属種を用いて乾式めっき
   法によって形成し、次に該下地金属層上に一次電気銅め
   っき被膜層を形成した後、該一次電気銅めっき被膜層上
   に中間金属層として無電解銅めっき被膜層を形成し、最
   後に該中間金属層上に二次電気銅めっき被膜層を形成す
   ることにより最終的に絶縁体フィルム上に５〜１８μｍ
   の厚さの銅導体層を形成することを特徴とする２層フレ
   キシブル基板の製造方法。
2. 【請求項２】 下地金属層の厚さが２００〜５，０００
   オングストロームであることを特徴とする請求項１記載
   の２層フレキシブル基板の製造方法。
3. 【請求項３】 下地金属層がニッケルまたは銅−ニッケ
   ル合金の被膜層であるときは、その厚さが２００〜２，
   ０００オングストロームであることを特徴とする請求項
   ２記載の２層フレキシブル基板の製造方法。
4. 【請求項４】 下地金属層が銅被膜層であるときは、そ
   の厚さが２００〜５，０００オングストロームであるこ
   とを特徴とする請求項２記載の２層フレキシブル基板の
   製造方法。
5. 【請求項５】 下地金属層を形成するための乾式めっき
   法は、真空蒸着法、スパッタリング法、またはイオンプ
   レーティング法のいずれかであることを特徴とする請求
   項１記載の２層フレキシブル基板の製造方法。
6. 【請求項６】 一次電気銅めっき被膜層の厚さは０．３
   〜１０μｍの範囲であることを特徴とする請求項１記載
   の２層フレキシブル基板の製造方法。
7. 【請求項７】 無電解銅めっき被膜層の厚さは、０．０
   １〜１．０μｍの範囲であることを特徴とする請求項１
   記載の２層フレキシブル基板の製造方法。
8. 【請求項８】 無電解銅めっき被膜層を形成するに際
   し、前処理として触媒付与処理を施すことを特徴とする
   請求項１記載の２層フレキシブル基板の製造方法。