JPH1020007A - 集積化磁気抵抗効果素子回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気抵抗効果素子がばらついた場合でも、磁
気抵抗効果素子の抵抗変化を出力できる集積化磁気抵抗
効果素子回路を提供する。 【解決手段】 磁気抵抗効果素子１１は一端が直流電源
１０の一端に接続され磁界変化によって抵抗値が変化
し、可変抵抗素子１２は一端が直流電源１０の一端に接
続され、電流ミラー回路は磁気抵抗効果素１１の一端が
電流入力端に接続され可変抵抗素子１２の一端が電流出
力端に接続され共通端子が直流電源１０の他端に接続さ
れ、かつ、磁気抵抗効果素子１１及び可変抵抗素子１２
に等しい電流を流し、比較回路１９は磁気抵抗効果素子
１１の一端の電圧と可変抵抗素子１２の一端の電圧とを
比較する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、集積化磁気抵抗効
果素子回路に関し、特に、磁気抵抗効果素子に製造ばら
つきがあった場合でも、抵抗変化を出力できる回路構成
に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気抵抗効果素子は磁界の変化により抵
抗が変化するものであり、例えば、この磁気抵抗効果素
子を歯車とバイアス磁石との間に配置し、歯車が回転す
ると、バイアス磁石の磁界が磁気抵抗効果素子で変化す
るため、磁気抵抗効果素子の抵抗値が変化する。

【０００３】この抵抗の変化を検出出力電圧として取り
出すことで歯車の回転数を検出することができる。この
場合、磁気抵抗効果素子を含む集積化磁気抵抗効果素子
回路を用いて歯車の回転数を検出する。この種の集積化
磁気抵抗効果素子回路としては、例えば、特開平４−２
３６３８２号公報に記載されたものがある。

【０００４】図１６に前記公報に記載された集積化磁気
抵抗効果素子回路を示す。図１６に示す集積化磁気抵抗
効果素子回路は、直流電源１０の一端にそれぞれ一端が
接続される磁気抵抗効果素子１１，１３と、磁気抵抗効
果素子１１，１３の他端にコレクタが接続されかつエミ
ッタが直流電源１０の他端に接続されるトランジスタ１
５，１７からなる電流ミラー回路と、磁気抵抗効果素子
１１の他端の電圧と磁気抵抗効果素子１３の他端の電圧
とを比較するコンパレータ１９とから構成される。

【０００５】この集積化磁気抵抗効果素子回路におい
て、まず、直流電源１０から磁気抵抗効果素子１１，１
３に電流が流れると、磁気抵抗効果素子１１，１３は、
それぞれ異なった磁界を検知し、それぞれ抵抗値が異な
って変化する。

【０００６】そして、電流ミラー回路のトランジスタ１
５，１７は、磁気抵抗効果素子１１，１３に流れる電流
を等しくなるようにする。このため、磁気抵抗効果素子
１１，１３の両端の電圧降下が異なる。

【０００７】さらに、磁気抵抗効果素子１１の他端にお
ける電圧Ｖ１１と磁気抵抗効果素子１３の他端における
電圧Ｖ１２とをコンパレータ１９で比較し、検出出力と
して取り出す。

【０００８】この場合、トランジスタ１５のベース−コ
レクタ間が直結接続されているので、図１７（ａ）に示
すように、電圧Ｖ１１（入力電圧）の時間的な変化は小
さいが、電圧Ｖ１２（入力電圧）の時間的な変化は大き
い。

【０００９】また、磁気抵抗効果素子１１，１３の抵抗
値が磁界をかけない状態で、ほぼ同一の抵抗値をもつの
で、図１７（ａ）に示すように、電圧Ｖ１２と電圧Ｖ１
１とが交差し、かつ、電圧Ｖ１２は、電圧Ｖ１１に対し
て上下にほぼ同一振幅だけ変動する。

【００１０】これにより、図１７（ｂ）に示すように、
電圧Ｖ１２と電圧Ｖ１１とが交差する時刻で、かつ電圧
Ｖ１１が電圧Ｖ１２よりも大きい期間中に出力電圧Ｖ０
が得られる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
集積化磁気抵抗効果素子回路にあっては、磁気抵抗効果
素子１１，１３の抵抗値や抵抗変化率がばらついた場合
には、図１８（ａ）に示すように、電圧Ｖ１１と電圧Ｖ
１２とが完全に離れてしまい、交差しなくなったりす
る。

【００１２】このような場合には、図１８（ｂ）に示す
ように、出力電圧Ｖ０が得られず、例えば、歯車の回転
数を検出することができなくなる。

【００１３】本発明の目的は、磁気抵抗効果素子がばら
ついた場合でも、磁気抵抗効果素子の抵抗変化を出力で
きる集積化磁気抵抗効果素子回路を提供することにあ
る。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の集積化磁気抵抗
効果素子回路は前記課題を解決するために以下の手段を
採用した。請求項１の発明は、一端が直流電源の一端に
接続され磁界変化によって抵抗値が変化する磁気抵抗効
果素子と、一端が直流電源の一端に接続された可変抵抗
素子と、磁気抵抗効果素子の他端が電流入力端に接続さ
れ可変抵抗素子の他端が電流出力端に接続され共通端子
が直流電源の他端に接続され、かつ、磁気抵抗効果素子
及び可変抵抗素子に等しい電流を流す電流ミラー回路
と、磁気抵抗効果素子の他端の電圧と可変抵抗素子の他
端の電圧とを比較する比較回路とを備えることを要旨と
する。

【００１５】この発明によれば、可変抵抗素子の抵抗値
を磁気抵抗効果素子の抵抗値とほぼ同一の値に調整する
と、電流ミラー回路は磁気抵抗効果素子と可変抵抗素子
とに同一の電流を流すので、磁気抵抗効果素子の他端の
電圧に対して可変抵抗素子の他端の電圧が交差するよう
になり、比較回路は、出力信号を出力する。

【００１６】従って、磁気抵抗効果素子の抵抗値または
抵抗率がばらついた場合でも、可変抵抗素子の抵抗値を
調整することにより、安定した出力信号が得られる。

【００１７】請求項２の発明において、電流ミラー回路
は、電流入力端にコレクタ及びベースが接続された第１
のトランジスタと、電流出力端にコレクタが接続され、
第１のトランジスタのベースにベースが接続され、第１
のトランジスタのエミッタにエミッタが接続される第２
のトランジスタとを有することを要旨とする。

【００１８】この発明によれば、第１のトランジスタは
電流入力端にコレクタ及びベースが接続されているの
で、磁気抵抗効果素子の一端の電圧は振幅の小さい電圧
となり、第２のトランジスタのコレクタ電圧が可変抵抗
器の一端の電圧として出力される。

【００１９】請求項３の発明は、前記可変抵抗素子の他
端を比較回路の一方の端子に接続し、前記可変抵抗素子
の他端と前記磁気抵抗効果素子の他端との間に直列に接
続された第１の抵抗器及び第２の抵抗器を設け、第１の
抵抗器と第２の抵抗器とを接続した中点端子を前記比較
回路の他方の端子に接続したことを要旨とする。

【００２０】この発明によれば、可変抵抗素子の他端の
電圧を比較回路の一方の端子に入力し、可変抵抗素子の
他端の電圧と磁気抵抗効果素子の他端の電圧とを第１の
抵抗器及び第２の抵抗器で分圧し、分圧された電圧を比
較回路の他方の端子に入力し、比較回路が電圧の比較を
行なうことで出力信号を得ることもできる。

【００２１】請求項４の発明は、一端が直流電源の一端
に接続されそれぞれが同一の磁界変化を検知しその磁界
変化によって抵抗値が変化する第１及び第２の磁気抵抗
効果素子と、一端が直流電源の一端に接続された可変抵
抗素子と、第１の磁気抵抗効果素子の他端が第１の電流
入力端に接続され、第２の磁気抵抗効果素子の他端が第
２の電流入力端に接続され、可変抵抗素子の他端が電流
出力端に接続され、共通端子が直流電源の他端に接続さ
れ、第１及び第２の磁気抵抗効果素子及び可変抵抗素子
に等しい電流を流すと共に、第１の磁気抵抗効果素子の
両端電圧を抵抗変化に対して微小に変化させる電流ミラ
ー回路と、第２の磁気抵抗効果素子の他端の電圧と可変
抵抗素子の他端の電圧とを比較する比較回路とを備える
ことを要旨とする。

【００２２】この発明によれば、可変抵抗素子の抵抗値
を第１及び第２の磁気抵抗効果素子の抵抗値とほぼ同一
の値に調整すると、電流ミラー回路は第１及び第２の磁
気抵抗効果素子と可変抵抗素子とに同一の電流を流すの
で、第２の磁気抵抗効果素子の他端の電圧に対して可変
抵抗素子の他端の電圧が交差するようになり、比較回路
は、出力信号を出力する。

【００２３】従って、第２の磁気抵抗効果素子の抵抗値
または抵抗率がばらついた場合でも、可変抵抗素子の抵
抗値を調整することにより安定した出力信号が得られ
る。

【００２４】請求項５の発明において、前記電流ミラー
回路は、第１の電流入力端にコレクタ及びベースが接続
された第１のトランジスタと、第２の電流入力端にベー
スが接続された第２のトランジスタと、電流出力端にコ
レクタが接続され、第１のトランジスタのベースにベー
スが接続され、第１及び第２のトランジスタのエミッタ
にエミッタが接続される第２のトランジスタとを有する
ことを要旨とする。

【００２５】この発明によれば、第１のトランジスタは
第１の電流入力端にコレクタ及びベースが接続されてい
るので、第１の磁気抵抗効果素子の他端の電圧は振幅の
小さい電圧となり、第２のトランジスタは第２の電流入
力端にベースのみが接続されているので、第２の磁気抵
抗効果素子の他端の電圧は振幅の比較的大きい電圧とな
り、この第２の磁気抵抗効果素子の他端の電圧と可変抵
抗器の他端の電圧とを比較回路に出力する。

【００２６】請求項６の発明は、可変抵抗素子の他端を
前記比較回路の一方の端子に接続し、前記可変抵抗素子
の他端と前記第２の磁気抵抗効果素子の他端との間に直
列に接続された第１の抵抗器及び第２の抵抗器を設け、
第１の抵抗器と第２の抵抗器とを接続した中点端子を比
較回路の他方の端子に接続したことを要旨とする。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の集積化磁気抵抗効
果素子回路の実施の形態を詳細に説明する。 （実施の形態１）図１に集積化磁気抵抗効果素子回路の
実施の形態１の構成図を示す。図１において、直流電源
１０の一端には磁界の変化によって抵抗が変化する磁気
抵抗効果素子１１の一端が接続される。直流電源１０の
他端にはトランジスタ１５，１７のエミッタが接続され
る。

【００２８】磁気抵抗効果素子１１の他端にはトランジ
スタ１５のコレクタが接続される。直流電源１０の一端
には抵抗が変化する可変抵抗器１２の一端が接続され
る。可変抵抗器１２の他端にはトランジスタ１７のコレ
クタが接続される。トランジスタ１５，１７は、ｎｐｎ
トランジスタで構成される。

【００２９】トランジスタ１５のベースとトランジスタ
１７のベースとは接続され、トランジスタ１５のコレク
タ−ベース間は直結接続されている。前記トランジスタ
１５，１７とで電流ミラー回路を構成する。トランジス
タ１５，１７は、磁気抵抗効果素子１１と可変抵抗器１
２との相互に等しい電流が流れるように動作する。

【００３０】可変抵抗器１２の他端における電圧Ｖ１は
入力電圧としてコンパレータ１９の非反転入力端子に入
力される。磁気抵抗効果素子１１の他端における電圧Ｖ
２は入力電圧としてコンパレータ１９の反転入力端子に
入力される。

【００３１】コンパレータ１９は、電圧Ｖ１と電圧Ｖ２
とが交差する時刻で、かつ電圧Ｖ２が電圧Ｖ１よりも大
きい期間中に出力電圧Ｖ０を出力する。

【００３２】次に、このように構成された集積化磁気抵
抗効果素子回路の実施の形態１の動作を図面を参照して
説明する。

【００３３】まず、図２（ａ）に示すように、可変抵抗
器１２の値が磁気抵抗効果素子１１の抵抗値よりも大き
く設定されている場合について説明する。

【００３４】直流電源１０からトランジスタ１５を通し
て磁気抵抗効果素子１１に電流が流れると共にトランジ
スタ１７を通して可変抵抗器１２に電流が流れる。この
場合、トランジスタ１５，１７は、磁気抵抗効果素子１
１及び可変抵抗器１２に同一の電流を流す。

【００３５】磁気抵抗効果素子１１は、図示しない磁界
の変化を検知し、抵抗値が変化する。ここで、磁気抵抗
効果素子１１に流れる電流が増加すると、磁気抵抗効果
素子の抵抗値は減少し、磁気抵抗効果素子１１の他端の
電圧Ｖ２は減少する。

【００３６】一方、可変抵抗器１２に流れる電流が増加
すると、可変抵抗器１２の他端の電圧Ｖ１は増加する。
このため、図２（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子
１１の他端の電圧Ｖ２は可変抵抗器１２の他端の電圧Ｖ
１とは逆相の関係にあり、また、抵抗値がかなり異なる
ので、電圧Ｖ２は電圧Ｖ１に交差しない。その結果、図
２（ｃ）に示すように、コンパレータ１９の出力は得ら
れない。

【００３７】なお、トランジスタ１５のベース−コレク
タ間が接続されているので、電圧Ｖ２は、エミッタ−コ
レクタ間の電圧によって決定され、振幅の小さい電圧波
形となる。

【００３８】次に、図３（ａ）に示すように、可変抵抗
器１２の抵抗値を磁気抵抗効果素子１１の抵抗値とほぼ
同一の値に調整すると、図３（ｂ）に示すように、電圧
Ｖ２は電圧Ｖ１に交差するようになる。その結果、図３
（ｃ）に示すように、コンパレータ１９は、電圧Ｖ２が
電圧Ｖ１よりも大きい期間中に出力電圧ＶＯを出力す
る。

【００３９】このように、磁気抵抗効果素子１１の抵抗
値または抵抗率がばらついた場合でも、可変抵抗器１２
の抵抗値を調整することにより、電圧Ｖ１と電圧Ｖ２と
を重なるようにすれば、安定した出力信号が得られる。

【００４０】（実施の形態２）図４に集積化磁気抵抗効
果素子回路の実施の形態２の構成図を示す。図４におい
て、直流電源１０の他端にはトランジスタ１５，１７，
１６のエミッタが接続される。

【００４１】トランジスタ１５のコレクタには磁界の変
化によって抵抗が変化する磁気抵抗効果素子１１の他端
が接続され、トランジスタ１６のコレクタには磁界の変
化によって抵抗が変化する磁気抵抗効果素子１４の他端
が接続される。

【００４２】磁気抵抗効果素子１１，１４は、図５に示
すように、絶縁基板８に設けられ、この絶縁基板８は、
歯車２１とバイアス磁石２３との間に配置される。

【００４３】磁気抵抗効果素子１１，１４は、図６に示
すように、同一方向に配置され、かつ、バイアス磁石２
３から同一の磁界がかけられるので、抵抗の変化が同一
となる。図７に磁気抵抗効果素子１１，１４のＭＲパタ
ーン１１０を示した。

【００４４】一方、トランジスタ１７のコレクタには抵
抗が変化する可変抵抗器１２の他端が接続される。

【００４５】トランジスタ１５，１６，１７のそれぞれ
のベースは相互に接続される。トランジスタ１５のコレ
クタ−ベース間は直結接続されている。前記トランジス
タ１５，１６，１７とで電流ミラー回路を構成する。ト
ランジスタ１５，１６，１７は、磁気抵抗効果素子１１
と可変抵抗器１２との相互に等しい電流が流れるように
動作する。

【００４６】可変抵抗器１２の他端における電圧Ｖ１は
入力電圧としてコンパレータ１９の非反転入力端子
（＋）に入力される。トランジスタ１７のコレクタとコ
ンパレータ１９の反転入力端子（−）との間には第１の
抵抗器２０ａが接続される。

【００４７】トランジスタ１６のコレクタとコンパレー
タ１９の反転入力端子との間には第２の抵抗器２０ｂが
接続され、コンパレータ１９の反転入力端子にはコンデ
ンサ１８の一端が接続され、コンデンサ１８の他端は接
地される。

【００４８】なお、第１の抵抗器２０ａの抵抗値は第２
の抵抗器２０ｂの抵抗値と同一値である。

【００４９】磁気抵抗効果素子１４の電圧Ｖ２と可変抵
抗器１２の電圧Ｖ１とを、第１の抵抗器２０ａと第２の
抵抗器２０ｂとで分割した分割電圧Ｖ３が、入力電圧と
してコンパレータ１９の反転入力端子に入力される。

【００５０】コンパレータ１９は、電圧Ｖ１と電圧Ｖ３
とが交差する時刻で、かつ電圧Ｖ３が電圧Ｖ１よりも大
きい期間中に出力電圧Ｖ０を出力する。

【００５１】次に、このように構成された集積化磁気抵
抗効果素子回路の実施の形態２の動作を図面を参照して
説明する。

【００５２】まず、図８（ａ）に示すように、可変抵抗
器１２の値が磁気抵抗効果素子１１の抵抗値よりも大き
く設定されている場合について説明する。

【００５３】直流電源１０からトランジスタ１５，１６
を通して磁気抵抗効果素子１１，１４に電流が流れると
共にトランジスタ１７を通して可変抵抗器１２に電流が
流れる。この場合、トランジスタ１５，１６，１７は、
磁気抵抗効果素子１１，１４及び可変抵抗器１２に同一
の電流を流す。

【００５４】磁気抵抗効果素子１１，１４は、磁界の変
化を検知し、抵抗値が変化する。ここで、磁気抵抗効果
素子１４に流れる電流が増加すると、磁気抵抗効果素子
１４の抵抗値は減少し、磁気抵抗効果素子１４の他端の
電圧Ｖ２は減少する。

【００５５】また、トランジスタ１５のベース−コレク
タ間が接続されているので、磁気抵抗効果素子１１の電
圧は、エミッタ−コレクタ間の電圧によって決定され、
振幅の小さい電圧波形となる。

【００５６】一方、可変抵抗器１２に流れる電流が増加
すると、可変抵抗器１２の他端の電圧Ｖ１は増加する。
このため、図８（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子
１４の他端の電圧Ｖ２は可変抵抗器１２の他端の電圧Ｖ
１とは逆相の関係にあり、また、抵抗値がかなり異なる
ので、電圧Ｖ２は電圧Ｖ１に交差しない。

【００５７】さらに、第１の抵抗器２０ａと第２の抵抗
器２０ｂとの抵抗値が同一であるので、電圧Ｖ３は、電
圧Ｖ１と電圧Ｖ２との和の半分になる。電圧Ｖ３は電圧
Ｖ１に交差しない。その結果、図８（ｃ）に示すよう
に、コンパレータ１９の出力は得られない。

【００５８】次に、図９（ａ）に示すように、可変抵抗
器１２の抵抗値を磁気抵抗効果素子１４の抵抗値とほぼ
同一の値に調整すると、図９（ｂ）に示すように、電圧
Ｖ２，Ｖ３は電圧Ｖ１に交差するようになる。その結
果、図９（ｃ）に示すように、コンパレータ１９は、電
圧Ｖ３が電圧Ｖ１よりも大きい期間中に出力電圧ＶＯを
出力する。

【００５９】このように、磁気抵抗効果素子１４の抵抗
値または抵抗率がばらついた場合でも、可変抵抗器１２
の抵抗値を調整することにより、電圧Ｖ１と電圧Ｖ３と
を重なるようにすれば、安定した出力信号が得られる。

【００６０】（実施の形態３）図１０に集積化磁気抵抗
効果素子回路の実施の形態３の構成図を示す。図１０に
示す実施の形態３の集積化磁気抵抗効果素子回路は、実
施の形態１の変形例である。

【００６１】実施の形態３の回路では、実施の形態１の
回路に対して、可変抵抗器１２の他端とコンパレータ１
９の反転入力端子との間に第１の抵抗器２０ａを接続
し、磁気抵抗効果素子１１の他端とコンパレータ１９の
反転入力端子との間に第２の抵抗器２０ｂを接続する。

【００６２】また、コンパレータ１９の反転入力端子に
コンデンサ１８の一端を接続し、コンデンサ１８の他端
を接地する。

【００６３】その他の構成は実施の形態１の構成と同一
であるので、同一部分には同一符号を付し、その詳細は
省略する。

【００６４】このような構成によれば、図１１（ａ）に
示すように、可変抵抗器１２と磁気抵抗効果素子１１の
抵抗値が異なる場合には、図１１（ｂ）に示すように、
電圧Ｖ１と電圧Ｖ２とは交差しない。

【００６５】また、電圧Ｖ３は電圧Ｖ１と電圧Ｖ２との
平均電圧であるので、電圧Ｖ３と電圧Ｖ１とも交差しな
い。このため、出力電圧Ｖ０は得られない。

【００６６】一方、図１２（ａ）に示すように、可変抵
抗器１２の抵抗値を磁気抵抗効果素子１１の抵抗値とほ
ぼ同一の値に調整すると、図１２（ｂ）に示すように、
電圧Ｖ２，Ｖ３は電圧Ｖ１に交差するようになる。その
結果、図１２（ｃ）に示すように、コンパレータ１９
は、電圧Ｖ３が電圧Ｖ１よりも大きい期間中に出力電圧
ＶＯを出力する。

【００６７】このように、磁気抵抗効果素子１１の抵抗
値または抵抗率がばらついた場合でも、可変抵抗器１２
の抵抗値を調整することにより、電圧Ｖ１と電圧Ｖ３と
を重なるようにすれば、安定した出力信号が得られる。

【００６８】（実施の形態４）図１３に集積化磁気抵抗
効果素子回路の実施の形態４の構成図を示す。図１３に
示す実施の形態４の集積化磁気抵抗効果素子回路は、実
施の形態２の変形例である。

【００６９】実施の形態４の回路では、実施の形態２の
回路に対して、第１の抵抗器２０ａ、第２の抵抗器２０
ｂ、コンデンサ１８を除去し、磁気抵抗効果素子１４の
他端を直接にコンパレータ１９の反転入力端子に接続し
たものである。

【００７０】その他の構成は実施の形態２の構成と同一
であるので、同一部分には同一符号を付し、その詳細は
省略する。

【００７１】このような構成によれば、図１４（ａ）に
示すように、可変抵抗器１２と磁気抵抗効果素子１１の
抵抗値が異なる場合には、図１４（ｂ）に示すように、
電圧Ｖ１と電圧Ｖ２とは交差しないため、出力電圧Ｖ０
は得られない。

【００７２】一方、図１５（ａ）に示すように、可変抵
抗器１２の抵抗値を磁気抵抗効果素子１１の抵抗値とほ
ぼ同一の値に調整すると、図１４（ｂ）に示すように、
電圧Ｖ２は電圧Ｖ１に交差するようになる。その結果、
図１４（ｃ）に示すように、コンパレータ１９は、電圧
Ｖ２が電圧Ｖ１よりも大きい期間中に出力電圧ＶＯを出
力する。

【００７３】このように、磁気抵抗効果素子１１の抵抗
値または抵抗率がばらついた場合でも、可変抵抗器１２
の抵抗値を調整することにより、電圧Ｖ１と電圧Ｖ２と
を重なるようにすれば、安定した出力信号が得られる。

【００７４】また、可変抵抗器１２と磁気抵抗効果素子
１１とを含んだ回路の集積化も容易に行なえる。

【００７５】

【発明の効果】本発明によれば、可変抵抗素子の抵抗値
を磁気抵抗効果素子の抵抗値とほぼ同一の値に調整する
と、電流ミラー回路は磁気抵抗効果素子と可変抵抗素子
とに同一の電流を流すので、磁気抵抗効果素子の他端の
電圧に対して可変抵抗素子の他端の電圧が交差するよう
になり、比較回路は、出力信号を出力する。

【００７６】従って、磁気抵抗効果素子の抵抗値または
抵抗率がばらついた場合でも、可変抵抗素子の抵抗値を
調整することにより、安定した出力信号が得られる。

【００７７】また、第１のトランジスタは電流入力端に
コレクタ及びベースが接続されているので、磁気抵抗効
果素子の一端の電圧は振幅の小さい電圧となり、第２の
トランジスタのコレクタ電圧が可変抵抗器の一端の電圧
として出力される。

【００７８】また、可変抵抗素子の他端の電圧を比較回
路の一方の端子に入力し、可変抵抗素子の他端の電圧と
磁気抵抗効果素子の他端の電圧とを第１の抵抗器及び第
２の抵抗器で分圧し、分圧された電圧を比較回路の他方
の端子に入力し、比較回路が電圧の比較を行なうことで
出力信号を得ることもできる。

【００７９】また、可変抵抗素子の抵抗値を第１及び第
２の磁気抵抗効果素子の抵抗値とほぼ同一の値に調整す
ると、電流ミラー回路は第１及び第２の磁気抵抗効果素
子と可変抵抗素子とに同一の電流を流すので、第２の磁
気抵抗効果素子の他端の電圧に対して可変抵抗素子の他
端の電圧が交差するようになり、比較回路は、出力信号
を出力する。

【００８０】従って、第２の磁気抵抗効果素子の抵抗値
または抵抗率がばらついた場合でも、可変抵抗素子の抵
抗値を調整することにより安定した出力信号が得られ
る。

【００８１】また、第１のトランジスタは第１の電流入
力端にコレクタ及びベースが接続されているので、第１
の磁気抵抗効果素子の他端の電圧は振幅の小さい電圧と
なり、第２のトランジスタは第２の電流入力端にベース
のみが接続されているので、第２の磁気抵抗効果素子の
他端の電圧は振幅の比較的大きい電圧となり、この第２
の磁気抵抗効果素子の他端の電圧と可変抵抗器の他端の
電圧とを比較回路に出力することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の集積化磁気抵抗効果素子回路の実施の
形態１の構成図である。

【図２】実施の形態１で可変抵抗器及び磁気抵抗効果素
子の抵抗値が大幅に異なる場合のタイミングチャートで
ある。

【図３】実施の形態１で可変抵抗器及び磁気抵抗効果素
子の抵抗値がほぼ同一である場合のタイミングチャート
である。

【図４】本発明の集積化磁気抵抗効果素子回路の実施の
形態２の構成図である。

【図５】実施の形態２の磁気抵抗効果素子の配置の一例
を示す図である。

【図６】実施の形態２の２つの磁気抵抗効果素子の構成
例を示す図である。

【図７】実施の形態２の２つの磁気抵抗効果素子のパー
タンを示す図である。

【図８】実施の形態２で可変抵抗器及び磁気抵抗効果素
子の抵抗値が大幅に異なる場合のタイミングチャートで
ある。

【図９】実施の形態２で可変抵抗器及び磁気抵抗効果素
子の抵抗値がほぼ同一である場合のタイミングチャート
である。

【図１０】本発明の集積化磁気抵抗効果素子回路の実施
の形態３の構成図である。

【図１１】実施の形態３で可変抵抗器及び磁気抵抗効果
素子の抵抗値が大幅に異なる場合のタイミングチャート
である。

【図１２】実施の形態３で可変抵抗器及び磁気抵抗効果
素子の抵抗値がほぼ同一である場合のタイミングチャー
トである。

【図１３】本発明の集積化磁気抵抗効果素子回路の実施
の形態４の構成図である。

【図１４】実施の形態４で可変抵抗器及び磁気抵抗効果
素子の抵抗値が大幅に異なる場合のタイミングチャート
である。

【図１５】実施の形態４で可変抵抗器及び磁気抵抗効果
素子の抵抗値がほぼ同一である場合のタイミングチャー
トである。

【図１６】従来の集積化磁気抵抗効果素子回路の一例を
示す図である。

【図１７】従来の集積化磁気抵抗効果素子回路における
コンパレータの入出力電圧を示すタイミングチャートで
ある。

【図１８】従来の集積化磁気抵抗効果素子回路における
磁気抵抗効果素子のばらつき時のコンパレータの入出力
電圧を示すタイミングチャートである。

【符号の説明】

８ 絶縁基板 １０ 直流電源 １１，１３，１４ 磁気抵抗効果素子 １２ 可変抵抗器 １５，１６，１７ トランジスタ １８ コンデンサ １９ コンパレータ ２０ａ 第１の抵抗器 ２０ｂ 第２の抵抗器 ２１ 歯車 ２３ バイアス磁石 １１０ ＭＲパターン

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一端が直流電源の一端に接続され磁界変
   化によって抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子と、 一端が直流電源の一端に接続された可変抵抗素子と、 磁気抵抗効果素子の他端が電流入力端に接続され可変抵
   抗素子の他端が電流出力端に接続され共通端子が直流電
   源の他端に接続され、かつ、磁気抵抗効果素子及び可変
   抵抗素子に等しい電流を流す電流ミラー回路と、 磁気抵抗効果素子の他端の電圧と可変抵抗素子の他端の
   電圧とを比較する比較回路と、を備えることを特徴とす
   る集積化磁気抵抗効果素子回路。
2. 【請求項２】 前記電流ミラー回路は、電流入力端にコ
   レクタ及びベースが接続された第１のトランジスタと、
   電流出力端にコレクタが接続され、第１のトランジスタ
   のベースにベースが接続され、第１のトランジスタのエ
   ミッタにエミッタが接続された第２のトランジスタとを
   有することを特徴とする請求項１に記載の集積化磁気抵
   抗効果素子回路。
3. 【請求項３】 前記可変抵抗素子の他端を前記比較回路
   の一方の端子に接続し、前記可変抵抗素子の他端と前記
   磁気抵抗効果素子の他端との間に直列に接続された第１
   の抵抗器及び第２の抵抗器を設け、第１の抵抗器と第２
   の抵抗器とを接続した中点端子を前記比較回路の他方の
   端子に接続したことを特徴とする請求項１または請求項
   ２に記載の集積化磁気抵抗効果素子回路。
4. 【請求項４】 一端が直流電源の一端に接続されそれぞ
   れが同一の磁界変化を検知しその磁界変化によって抵抗
   値が変化する第１及び第２の磁気抵抗効果素子と、 一端が直流電源の一端に接続された可変抵抗素子と、 第１の磁気抵抗効果素子の他端が第１の電流入力端に接
   続され、第２の磁気抵抗効果素子の他端が第２の電流入
   力端に接続され、可変抵抗素子の他端が電流出力端に接
   続され、共通端子が直流電源の他端に接続され、第１及
   び第２の磁気抵抗効果素子及び可変抵抗素子に等しい電
   流を流すと共に、第１の磁気抵抗効果素子の両端電圧を
   抵抗変化に対して微小に変化させる電流ミラー回路と、 第２の磁気抵抗効果素子の他端の電圧と可変抵抗素子の
   他端の電圧とを比較する比較回路と、を備えることを特
   徴とする集積化磁気抵抗効果素子回路。
5. 【請求項５】 前記電流ミラー回路は、第１の電流入力
   端にコレクタ及びベースが接続された第１のトランジス
   タと、第２の電流入力端にベースが接続された第２のト
   ランジスタと、電流出力端にコレクタが接続され、第１
   のトランジスタのベースにベースが接続され、第１及び
   第２のトランジスタのエミッタにエミッタが接続される
   第２のトランジスタとを有することを特徴とする請求項
   ４に記載の集積化磁気抵抗効果素子回路。
6. 【請求項６】 前記可変抵抗素子の他端を前記比較回路
   の一方の端子に接続し、前記可変抵抗素子の他端と前記
   第２の磁気抵抗効果素子の他端との間に直列に接続され
   た第１の抵抗器及び第２の抵抗器を設け、第１の抵抗器
   と第２の抵抗器とを接続した中点端子を前記比較回路の
   他方の端子に接続したことを特徴とする請求項４または
   請求項５に記載の集積化磁気抵抗効果素子回路。