JP2001166024A - 磁界検出装置 - Google Patents
磁界検出装置Info
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- JP2001166024A JP2001166024A JP35019999A JP35019999A JP2001166024A JP 2001166024 A JP2001166024 A JP 2001166024A JP 35019999 A JP35019999 A JP 35019999A JP 35019999 A JP35019999 A JP 35019999A JP 2001166024 A JP2001166024 A JP 2001166024A
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- giant magnetoresistive
- magnetoresistive element
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価な磁界検出装置を提供する。
【解決手段】 磁界の変化により電気抵抗値が変化する
巨大磁気抵抗素子１０１と、巨大磁気抵抗素子１０１に
ベースを接続されたトランジスタ１０５と、トランジス
タ１０５のコレクタに接続され巨大磁気抵抗素子１０１
に近接して配置されたコイル１０３を備えたことを特徴
とする磁界検出装置である。
巨大磁気抵抗素子１０１と、巨大磁気抵抗素子１０１に
ベースを接続されたトランジスタ１０５と、トランジス
タ１０５のコレクタに接続され巨大磁気抵抗素子１０１
に近接して配置されたコイル１０３を備えたことを特徴
とする磁界検出装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、巨大磁気抵抗素子
を備えた磁界検出装置に関する。
を備えた磁界検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】巨大磁気抵抗素子を備えた磁界検出装置
に関する従来技術として、特開平９―３２９４６３号公
報がある。図２、３、４、５により、この従来技術を説
明する。図２は従来技術の磁界検出装置の構成図であ
り、図２の（ａ）はその側面図であり、（ｂ）はその斜
視図である。図３は従来技術の磁界検出装置の回路構成
を示すブロック図であり、図４は従来技術の磁界検出装
置の回路図であり、図５は従来技術の磁界検出装置の波
形図である。
に関する従来技術として、特開平９―３２９４６３号公
報がある。図２、３、４、５により、この従来技術を説
明する。図２は従来技術の磁界検出装置の構成図であ
り、図２の（ａ）はその側面図であり、（ｂ）はその斜
視図である。図３は従来技術の磁界検出装置の回路構成
を示すブロック図であり、図４は従来技術の磁界検出装
置の回路図であり、図５は従来技術の磁界検出装置の波
形図である。
【０００３】図２に示すように、従来技術の磁界検出装
置は、回転軸１と、回転軸１と同期して回転する磁性体
回転体２と、磁性体回転体２と所定の間隔を持って配置
された巨大磁気抵抗素子１０（以下、ＧＭＲ素子とい
う）と、ＧＭＲ素子１０に磁界を与える磁石４とから構
成されている。ＧＭＲ素子１０は感磁パターンとしての
磁気抵抗パターン１０ａと、感磁面１０ｂとを有する。
磁性体回転体２が回転することで、 ＧＭＲ素子１０の
感磁面１０ｂの磁界が変化し、磁気抵抗パターン１０ａ
の抵抗値が変化する。
置は、回転軸１と、回転軸１と同期して回転する磁性体
回転体２と、磁性体回転体２と所定の間隔を持って配置
された巨大磁気抵抗素子１０（以下、ＧＭＲ素子とい
う）と、ＧＭＲ素子１０に磁界を与える磁石４とから構
成されている。ＧＭＲ素子１０は感磁パターンとしての
磁気抵抗パターン１０ａと、感磁面１０ｂとを有する。
磁性体回転体２が回転することで、 ＧＭＲ素子１０の
感磁面１０ｂの磁界が変化し、磁気抵抗パターン１０ａ
の抵抗値が変化する。
【０００４】次に、図３によりＧＭＲ素子を用いた磁界
検出装置を示すブロック図を説明する。この磁界検出装
置はＧＭＲ素子を用いたホイートストンブリッジ回路１
１と、このホイートストンブリッジ回路１１の出力を増
幅する差動増幅回路１２と、この差動増幅回路１２の出
力を基準値と比較して０または１の信号を出力する比較
回路１３と、比較回路１３の出力をさらに波形整形して
立ち上がり、立ち下がりの急峻な０または１の信号を出
力端子１５に出力する波形整形回路１４を備える。
検出装置を示すブロック図を説明する。この磁界検出装
置はＧＭＲ素子を用いたホイートストンブリッジ回路１
１と、このホイートストンブリッジ回路１１の出力を増
幅する差動増幅回路１２と、この差動増幅回路１２の出
力を基準値と比較して０または１の信号を出力する比較
回路１３と、比較回路１３の出力をさらに波形整形して
立ち上がり、立ち下がりの急峻な０または１の信号を出
力端子１５に出力する波形整形回路１４を備える。
【０００５】図４は図３のブロック図の具体的回路構成
を示した図である。ホイートストンブリッジ回路１１は
各辺にそれぞれＧＭＲ素子１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃおよ
び１０Ｄを有し、ＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｃの各一端は
共通接続され、接続点１６を介して電源端子Ｖｃｃに接
続され、 ＧＭＲ素子１０Ｂと１０Ｄの各一端は共通接
続され、接続点１７を介して接地され、ＧＭＲ素子１０
Ａと１０Ｂの各他端は接続点１８に接続され、 ＧＭＲ
素子１０Ｃと１０Ｄの各他端は接続点１９に接続され
る。
を示した図である。ホイートストンブリッジ回路１１は
各辺にそれぞれＧＭＲ素子１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃおよ
び１０Ｄを有し、ＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｃの各一端は
共通接続され、接続点１６を介して電源端子Ｖｃｃに接
続され、 ＧＭＲ素子１０Ｂと１０Ｄの各一端は共通接
続され、接続点１７を介して接地され、ＧＭＲ素子１０
Ａと１０Ｂの各他端は接続点１８に接続され、 ＧＭＲ
素子１０Ｃと１０Ｄの各他端は接続点１９に接続され
る。
【０００６】ホイートストンブリッジ回路１１の接続点
１８は抵抗器を介して差動増幅回路１２のアンプ１２ａ
の反転入力端子に接続され、接続点１９が抵抗器を介し
てアンプ１２ａの非反転入力端子に接続されるとともに
さらに抵抗器を介して基準電源を構成する分圧回路に接
続される。さらに、アンプ１２ａの出力端子は比較回路
１３の反転入力端子に接続され、比較回路１３の非反転
入力端子は基準電源を構成する分圧回路に接続されると
ともに抵抗器を介して自己の出力端子に接続される。比
較回路１３の出力側は、波形整形回路１４のトランジス
タ１４ａのベースに接続され、そのコレクタは出力端子
１５に接続されるとともに抵抗器を介して電源端子Ｖｃ
ｃに接続され、そのエミッタは接地される。
１８は抵抗器を介して差動増幅回路１２のアンプ１２ａ
の反転入力端子に接続され、接続点１９が抵抗器を介し
てアンプ１２ａの非反転入力端子に接続されるとともに
さらに抵抗器を介して基準電源を構成する分圧回路に接
続される。さらに、アンプ１２ａの出力端子は比較回路
１３の反転入力端子に接続され、比較回路１３の非反転
入力端子は基準電源を構成する分圧回路に接続されると
ともに抵抗器を介して自己の出力端子に接続される。比
較回路１３の出力側は、波形整形回路１４のトランジス
タ１４ａのベースに接続され、そのコレクタは出力端子
１５に接続されるとともに抵抗器を介して電源端子Ｖｃ
ｃに接続され、そのエミッタは接地される。
【０００７】次に、動作について図５を参照して説明す
る。磁性体回転体２が回転すると、図５（ａ）に示すよ
うに磁性体回転体２の凹凸に対応して、ホイートストン
ブリッジ回路１１を構成するＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｄ
には同じ磁界変化が与えられ、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０
ＣにはＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｄとは異なる磁界変化が
与えられるようになる。この結果、磁性体回転体２の凹
凸に対応して、ＧＭＲ素子１０Ａ、１０ＤとＧＭＲ素子
１０Ｂ、１０Ｃの感磁面に磁界の変化が発生し、実質的
に一つのＧＭＲ素子の磁界変化の４倍の磁界変化が得ら
れ、その抵抗値も同様に変化し、 ＧＭＲ素子１０Ａ、
１０ＤとＧＭＲ素子１０Ｂ、１０Ｃの抵抗値の最大、最
小となる位置が逆となり、ホイートストンブリッジ回路
１１の接続点１８、１９の中点電圧も同様に変化する。
る。磁性体回転体２が回転すると、図５（ａ）に示すよ
うに磁性体回転体２の凹凸に対応して、ホイートストン
ブリッジ回路１１を構成するＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｄ
には同じ磁界変化が与えられ、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０
ＣにはＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｄとは異なる磁界変化が
与えられるようになる。この結果、磁性体回転体２の凹
凸に対応して、ＧＭＲ素子１０Ａ、１０ＤとＧＭＲ素子
１０Ｂ、１０Ｃの感磁面に磁界の変化が発生し、実質的
に一つのＧＭＲ素子の磁界変化の４倍の磁界変化が得ら
れ、その抵抗値も同様に変化し、 ＧＭＲ素子１０Ａ、
１０ＤとＧＭＲ素子１０Ｂ、１０Ｃの抵抗値の最大、最
小となる位置が逆となり、ホイートストンブリッジ回路
１１の接続点１８、１９の中点電圧も同様に変化する。
【０００８】そして、この中点電圧の差が差動増幅回路
１２により増幅され、その出力側には図５（ｂ）に示す
ように、図５（ａ）に示す磁性体回転体２の凹凸に対応
した出力、すなわち、実質的に一つのＧＭＲ素子の４倍
の出力が得られる。この差動増幅回路１２の出力は比較
回路１３に供給され、さらに波形整形回路１４に供給さ
れ波形整形される。その結果、出力端子１５には図５
（ｃ）に示すような急峻な立ち上がり、立ち下がりの出
力が得られる。
１２により増幅され、その出力側には図５（ｂ）に示す
ように、図５（ａ）に示す磁性体回転体２の凹凸に対応
した出力、すなわち、実質的に一つのＧＭＲ素子の４倍
の出力が得られる。この差動増幅回路１２の出力は比較
回路１３に供給され、さらに波形整形回路１４に供給さ
れ波形整形される。その結果、出力端子１５には図５
（ｃ）に示すような急峻な立ち上がり、立ち下がりの出
力が得られる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、一般に、検
出可能な磁界の強度は非常に微弱であるので、ＧＭＲ素
子の電気抵抗値の変化も微小である。そのため、従来技
術の磁界検出装置は、磁界の変化を確実に検出するた
め、ホイートストンブリッジ回路や差動増幅回路などを
設置する必要が生じ、コストが高くなるという問題が発
生する。
出可能な磁界の強度は非常に微弱であるので、ＧＭＲ素
子の電気抵抗値の変化も微小である。そのため、従来技
術の磁界検出装置は、磁界の変化を確実に検出するた
め、ホイートストンブリッジ回路や差動増幅回路などを
設置する必要が生じ、コストが高くなるという問題が発
生する。
【００１０】本発明は、上記の問題を解決するために、
トランジスタおよびコイルを用いて外部磁界の変化を増
大させGMR素子の電気抵抗値の変化を増幅させるように
した磁界検出装置を提供することを目的にしたものであ
る。
トランジスタおよびコイルを用いて外部磁界の変化を増
大させGMR素子の電気抵抗値の変化を増幅させるように
した磁界検出装置を提供することを目的にしたものであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに、請求項１の発明は、磁界の変化により電気抵抗値
が変化する巨大磁気抵抗素子と、前記巨大磁気抵抗素子
に入力側を接続された増幅器と、前記増幅器の出力側に
接続され前記巨大磁気抵抗素子に近接して配置されたコ
イルを備えたことを特徴とする磁界検出装置である。
めに、請求項１の発明は、磁界の変化により電気抵抗値
が変化する巨大磁気抵抗素子と、前記巨大磁気抵抗素子
に入力側を接続された増幅器と、前記増幅器の出力側に
接続され前記巨大磁気抵抗素子に近接して配置されたコ
イルを備えたことを特徴とする磁界検出装置である。
【００１２】前述の目的を達成するために、請求項２の
発明は、磁界の変化により電気抵抗値が変化する巨大磁
気抵抗素子と、前記巨大磁気抵抗素子にベースを接続さ
れたトランジスタと、前記トランジスタのコレクタに接
続され前記巨大磁気抵抗素子に近接して配置されたコイ
ルを備えたことを特徴とする磁界検出装置である。
発明は、磁界の変化により電気抵抗値が変化する巨大磁
気抵抗素子と、前記巨大磁気抵抗素子にベースを接続さ
れたトランジスタと、前記トランジスタのコレクタに接
続され前記巨大磁気抵抗素子に近接して配置されたコイ
ルを備えたことを特徴とする磁界検出装置である。
【００１３】
【発明の実施形態】本発明の実施形態を図に基づき説明
する。図１は、本発明の１実施形態にかかる磁界検出装
置の回路図である。図１に示すように、本発明の１実施
形態にかかる磁界検出装置の回路は、電源端子Ｖｃｃに
一端を接続されたＧＭＲ素子１０１と、ＧＭＲ素子１０
１の他端に入力側（ベース）１０５ａを接続された増幅
器であるトランジスタ１０５と、増幅器であるトランジ
スタ１０５の出力側（コレクタ）１０５ｂに接続された
コイル１０３を備えている。ＧＭＲ素子１０１は、磁界
の変化により電気抵抗値を変化させられる。
する。図１は、本発明の１実施形態にかかる磁界検出装
置の回路図である。図１に示すように、本発明の１実施
形態にかかる磁界検出装置の回路は、電源端子Ｖｃｃに
一端を接続されたＧＭＲ素子１０１と、ＧＭＲ素子１０
１の他端に入力側（ベース）１０５ａを接続された増幅
器であるトランジスタ１０５と、増幅器であるトランジ
スタ１０５の出力側（コレクタ）１０５ｂに接続された
コイル１０３を備えている。ＧＭＲ素子１０１は、磁界
の変化により電気抵抗値を変化させられる。
【００１４】図示されていないが、ＧＭＲ素子１０１と
コイル１０３は、コイル１０３に電流が流れたとき、発
生する磁界をＧＭＲ素子１０１が検出し、その電気抵抗
値を変化させられる程度に近接して配置される。
コイル１０３は、コイル１０３に電流が流れたとき、発
生する磁界をＧＭＲ素子１０１が検出し、その電気抵抗
値を変化させられる程度に近接して配置される。
【００１５】さらに、増幅器であるトランジスタ１０５
の入力側（ベース）１０５ａには抵抗器１０２が接続さ
れ、抵抗器１０２の他端は接地される。入力側（ベー
ス）１０５ａはＧＭＲ素子端子１０７にも接続されてい
る。
の入力側（ベース）１０５ａには抵抗器１０２が接続さ
れ、抵抗器１０２の他端は接地される。入力側（ベー
ス）１０５ａはＧＭＲ素子端子１０７にも接続されてい
る。
【００１６】また、増幅器であるトランジスタ１０５の
出力側（コレクタ）１０５ｂには、コイル１０３との間
に抵抗器１０４が接続され、エミッタ側には抵抗器１０
６が接続され、抵抗器１０６は他端を接地される。
出力側（コレクタ）１０５ｂには、コイル１０３との間
に抵抗器１０４が接続され、エミッタ側には抵抗器１０
６が接続され、抵抗器１０６は他端を接地される。
【００１７】本発明の１実施形態にかかる磁界検出装置
の構成を図１に基づき説明したが、本発明は、上記の構
成に限定されるものではない。たとえば、増幅器とし
て、図１にはＮ型トランジスタが表示されているが、Ｐ
型トランジスタに変えてもよい。図１のＮ型トランジス
タをＰ型トランジスタに変える場合、電源端子Ｖｃｃと
接地端子を入れ替えればよい。また、増幅器として、Ｍ
ＯＳトランジスタでもよい。コイルも１つに限定される
ものでもなく、複数個のコイルをコイル１０３に並列ま
たは直列に接続し、磁界の変化の増加を図ってもよい。
の構成を図１に基づき説明したが、本発明は、上記の構
成に限定されるものではない。たとえば、増幅器とし
て、図１にはＮ型トランジスタが表示されているが、Ｐ
型トランジスタに変えてもよい。図１のＮ型トランジス
タをＰ型トランジスタに変える場合、電源端子Ｖｃｃと
接地端子を入れ替えればよい。また、増幅器として、Ｍ
ＯＳトランジスタでもよい。コイルも１つに限定される
ものでもなく、複数個のコイルをコイル１０３に並列ま
たは直列に接続し、磁界の変化の増加を図ってもよい。
【００１８】次に、本発明の１実施形態にかかる磁界検
出装置の動作を説明する。図示のない検出されるべき磁
界が外部からＧＭＲ素子１０１に印加されると、GMR素
子１０１の電気抵抗値が低下する。 GMR素子１０１の電
気抵抗値が低下すると、入力側１０５ａの電位が高ま
り、増幅器としてのトランジスタ１０５に流れるベース
電流が増加する。増幅器としてのトランジスタ１０５に
流れるベース電流が増加すると、コイル１０３、抵抗器
１０４、トランジスタのコレクタ・エミッタ、抵抗器１
０６に流れる電流も増加する。
出装置の動作を説明する。図示のない検出されるべき磁
界が外部からＧＭＲ素子１０１に印加されると、GMR素
子１０１の電気抵抗値が低下する。 GMR素子１０１の電
気抵抗値が低下すると、入力側１０５ａの電位が高ま
り、増幅器としてのトランジスタ１０５に流れるベース
電流が増加する。増幅器としてのトランジスタ１０５に
流れるベース電流が増加すると、コイル１０３、抵抗器
１０４、トランジスタのコレクタ・エミッタ、抵抗器１
０６に流れる電流も増加する。
【００１９】コイル１０３に電流が流れると、コイル１
０３は磁界を発生させる。その磁界がさらにＧＭＲ素子
に印加され、ＧＭＲ素子の電気抵抗値を低下させる。こ
のサイクルが繰り返されることにより、最初にわずかな
磁界がＧＭＲ素子に印加されれば、ＧＭＲ素子の電気抵
抗値の変化を増幅させることができ、安価で検出能力の
高い磁界検出装置を実現することができる。
０３は磁界を発生させる。その磁界がさらにＧＭＲ素子
に印加され、ＧＭＲ素子の電気抵抗値を低下させる。こ
のサイクルが繰り返されることにより、最初にわずかな
磁界がＧＭＲ素子に印加されれば、ＧＭＲ素子の電気抵
抗値の変化を増幅させることができ、安価で検出能力の
高い磁界検出装置を実現することができる。
【００２０】また、本発明の１実施形態にかかる磁界検
出装置の構成として、GMR素子１０１と、増幅器として
のトランジスタ１０５と、抵抗器１０２、１０４、１０
６を１つのチップにまとめ、１つのチップとそのチップ
に近接して配置された１つのコイル１０３とから磁界検
出装置を構成することにより、非常にシンプルな構成の
磁界検出装置を実現することもできる。
出装置の構成として、GMR素子１０１と、増幅器として
のトランジスタ１０５と、抵抗器１０２、１０４、１０
６を１つのチップにまとめ、１つのチップとそのチップ
に近接して配置された１つのコイル１０３とから磁界検
出装置を構成することにより、非常にシンプルな構成の
磁界検出装置を実現することもできる。
【００２１】
【発明の効果】請求項１の発明は、磁界の変化により電
気抵抗値が変化する巨大磁気抵抗素子と、前記巨大磁気
抵抗素子に入力側を接続された増幅器と、前記増幅器の
出力側に接続され前記巨大磁気抵抗素子に近接して配置
されたコイルを備えたことを特徴とする磁界検出装置で
あるので、安価な磁界検出装置を実現することができる
という優れた効果を奏する。
気抵抗値が変化する巨大磁気抵抗素子と、前記巨大磁気
抵抗素子に入力側を接続された増幅器と、前記増幅器の
出力側に接続され前記巨大磁気抵抗素子に近接して配置
されたコイルを備えたことを特徴とする磁界検出装置で
あるので、安価な磁界検出装置を実現することができる
という優れた効果を奏する。
【００２２】請求項２の発明は、磁界の変化により電気
抵抗値が変化する巨大磁気抵抗素子と、前記巨大磁気抵
抗素子にベースを接続されたトランジスタと、前記トラ
ンジスタのコレクタに接続され前記巨大磁気抵抗素子に
近接して配置されたコイルを備えたことを特徴とする磁
界検出装置であるので、安価な磁界検出装置を実現する
ことができるという優れた効果を奏する。
抵抗値が変化する巨大磁気抵抗素子と、前記巨大磁気抵
抗素子にベースを接続されたトランジスタと、前記トラ
ンジスタのコレクタに接続され前記巨大磁気抵抗素子に
近接して配置されたコイルを備えたことを特徴とする磁
界検出装置であるので、安価な磁界検出装置を実現する
ことができるという優れた効果を奏する。
【図１】本発明の１実施形態にかかる磁界検出装置の回
路図である。
路図である。
【図２】従来技術の磁界検出装置の構成図である。
【図３】従来技術の磁界検出装置の回路構成を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図４】従来技術の磁界検出装置の回路図である。
【図５】従来技術の磁界検出装置の波形図である。
１０１……巨大磁気抵抗素子 １０２……抵抗器 １０３……コイル １０４……抵抗器 １０５……トランジスタ １０５ａ……入力側 １０５ｂ……出力側 １０６……抵抗器 １０７……巨大磁気抵抗素子端子 １……回転軸 ２……磁性体回転体 ４……磁石 １０……巨大磁気抵抗素子 １０ａ……磁気抵抗パターン １０ａ……感磁面 １０Ａ……巨大磁気抵抗素子 １０Ｂ……巨大磁気抵抗素子 １０Ｃ……巨大磁気抵抗素子 １０Ｄ……巨大磁気抵抗素子 １１……ホイートストンブリッジ回路 １２……差動増幅回路 １２ａ……アンプ １３……比較回路 １４……波形整形回路 １４ａ……トランジスタ １５……出力端子 １６……接続点 １７……接続点 １８……接続点 １９……接続点
Claims (2)
- 【請求項１】 磁界の変化により電気抵抗値が変化する
巨大磁気抵抗素子と、前記巨大磁気抵抗素子に入力側を
接続された増幅器と、前記増幅器の出力側に接続され前
記巨大磁気抵抗素子に近接して配置されたコイルを備え
たことを特徴とする磁界検出装置。 - 【請求項２】 磁界の変化により電気抵抗値が変化する
巨大磁気抵抗素子と、前記巨大磁気抵抗素子にベースを
接続されたトランジスタと、前記トランジスタのコレク
タに接続され前記巨大磁気抵抗素子に近接して配置され
たコイルを備えたことを特徴とする磁界検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35019999A JP2001166024A (ja) | 1999-12-09 | 1999-12-09 | 磁界検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35019999A JP2001166024A (ja) | 1999-12-09 | 1999-12-09 | 磁界検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001166024A true JP2001166024A (ja) | 2001-06-22 |
Family
ID=18408894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35019999A Pending JP2001166024A (ja) | 1999-12-09 | 1999-12-09 | 磁界検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001166024A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102608376A (zh) * | 2011-01-19 | 2012-07-25 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 能够自诊断的电子电路以及磁场检测装置 |
-
1999
- 1999-12-09 JP JP35019999A patent/JP2001166024A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102608376A (zh) * | 2011-01-19 | 2012-07-25 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 能够自诊断的电子电路以及磁场检测装置 |
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