JPH10195048A - ３−（ニトロベンゾイル）インドール誘導体の製造法 - Google Patents
３−（ニトロベンゾイル）インドール誘導体の製造法Info
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- JPH10195048A JPH10195048A JP657097A JP657097A JPH10195048A JP H10195048 A JPH10195048 A JP H10195048A JP 657097 A JP657097 A JP 657097A JP 657097 A JP657097 A JP 657097A JP H10195048 A JPH10195048 A JP H10195048A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】３−（ニトロベンゾイル）インドール誘導体の
製造法を提供すること． 【解決手段】 一般式（１） で示される３−（ニトロベンゾイル）−Ｎ−スルホニル
インドール誘導体と無機塩基とを反応させることを特徴
とする一般式（４） で示される３−（ニトロベンゾイル）−インドール誘導
体の製造法。
製造法を提供すること． 【解決手段】 一般式（１） で示される３−（ニトロベンゾイル）−Ｎ−スルホニル
インドール誘導体と無機塩基とを反応させることを特徴
とする一般式（４） で示される３−（ニトロベンゾイル）−インドール誘導
体の製造法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、特開平４
−２４４０６１号公報に記載の医薬中間体として重要で
ある３−（ニトロベンゾイル）インド−ル誘導体の製造
法に関するものである。
−２４４０６１号公報に記載の医薬中間体として重要で
ある３−（ニトロベンゾイル）インド−ル誘導体の製造
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、下記一般式（４）で示される３−
（ニトロベンゾイル）インドール誘導体の製造法として
特開平４−２４４０６１号公報に記載の方法が知られて
いる。この方法は下記ルートに示すように窒素上が無置
換のインドール誘導体と、ハロゲン化ニトロベンゾイル
をルイス酸の存在下反応させる方法である。
（ニトロベンゾイル）インドール誘導体の製造法として
特開平４−２４４０６１号公報に記載の方法が知られて
いる。この方法は下記ルートに示すように窒素上が無置
換のインドール誘導体と、ハロゲン化ニトロベンゾイル
をルイス酸の存在下反応させる方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の方法で
はインドール誘導体の窒素上にニトロベンゾイル基が導
入された化合物が副生するため収率が非常に悪いという
問題点があり、 必ずしも十分なものではなかった。
はインドール誘導体の窒素上にニトロベンゾイル基が導
入された化合物が副生するため収率が非常に悪いという
問題点があり、 必ずしも十分なものではなかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このような問題を解決す
るために、鋭意検討した結果、下記ルートに示すよう
に、インドール誘導体の窒素上をスルホニル基で保護し
た後、ハロゲン化ニトロベンゾイルと反応させ、その後
スルホニル基を除去することにより３−（ニトロベンゾ
イル）インドール誘導体を製造する方法を見い出し本発
明にいたった。
るために、鋭意検討した結果、下記ルートに示すよう
に、インドール誘導体の窒素上をスルホニル基で保護し
た後、ハロゲン化ニトロベンゾイルと反応させ、その後
スルホニル基を除去することにより３−（ニトロベンゾ
イル）インドール誘導体を製造する方法を見い出し本発
明にいたった。
【０００５】すなわち、本発明は 一般式（１） （式中、Ｒ1 は、鎖状もしくは環状アルキル基、または
ニトロもしくはアルキルで置換されていてもよいアリー
ル基を示し、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は、同一ま
たは相異なり、水素原子、鎖状もしくは環状アルキル
基、低級アルコキシ基、フェニルアルコキシ基またはニ
トロ、ハロゲン、アルキルもしくはアルコキシで置換さ
れていてもよいアリール基を示す。）で示される３−
（ニトロベンゾイル）−Ｎ−スルホニルインドール誘導
体と無機塩基とを反応させることを特徴とする一般式
（４） （式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は、前記と同じ
意味を表わす。）で示される３−（ニトロベンゾイル）
−インドール誘導体の製造法を提供するものである。
ニトロもしくはアルキルで置換されていてもよいアリー
ル基を示し、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は、同一ま
たは相異なり、水素原子、鎖状もしくは環状アルキル
基、低級アルコキシ基、フェニルアルコキシ基またはニ
トロ、ハロゲン、アルキルもしくはアルコキシで置換さ
れていてもよいアリール基を示す。）で示される３−
（ニトロベンゾイル）−Ｎ−スルホニルインドール誘導
体と無機塩基とを反応させることを特徴とする一般式
（４） （式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は、前記と同じ
意味を表わす。）で示される３−（ニトロベンゾイル）
−インドール誘導体の製造法を提供するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明で用いられる化合物の一般式に於いて、Ｒ
1 の鎖状もしくは環状アルキル基としては、例えばメチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ
−ブチル基、ｔｅｒ−ブチル基、シクロヘキシル基等が
挙げられ、ニトロもしくはアルキルで置換されていても
よいアリール基としては、例えばフェニル基、２−メチ
ルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェ
ニル基、２−ニトロフェニル基、３−ニトロフェニル
基、４−ニトロフェニル基、ナフチル基等が挙げられ
る。Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 の鎖状もしくは環状
アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒ−
ブチル基、シクロヘキシル基等が挙げられ、低級アルコ
キシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピ
ルオキシ基、イソプロピルオキシ基が挙げられ、フェニ
ルアルコキシ基としては、ベンジルオキシ基等が挙げら
れ、ニトロ、ハロゲン、アルキルもしくはアルコキシで
置換されていてもよいアリール基としては、例えばフェ
ニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル
基、４−メチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル
基、２，６−ジメチルフェニル基、２−ニトロフェニル
基、３−ニトロフェニル基、４−ニトロフェニル基、
２，４−ジニトロフェニル基、２，６−ジニトロフェニ
ル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル
基、４−メトキシフェニル基、２、４−ジメトキシフェ
ニル基、２、６−ジメトキシフェニル基、２−クロロフ
ェニル基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニル
基、２、４−ジクロロフェニル基、２、６−ジクロロフ
ェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
する。本発明で用いられる化合物の一般式に於いて、Ｒ
1 の鎖状もしくは環状アルキル基としては、例えばメチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ
−ブチル基、ｔｅｒ−ブチル基、シクロヘキシル基等が
挙げられ、ニトロもしくはアルキルで置換されていても
よいアリール基としては、例えばフェニル基、２−メチ
ルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェ
ニル基、２−ニトロフェニル基、３−ニトロフェニル
基、４−ニトロフェニル基、ナフチル基等が挙げられ
る。Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 の鎖状もしくは環状
アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒ−
ブチル基、シクロヘキシル基等が挙げられ、低級アルコ
キシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピ
ルオキシ基、イソプロピルオキシ基が挙げられ、フェニ
ルアルコキシ基としては、ベンジルオキシ基等が挙げら
れ、ニトロ、ハロゲン、アルキルもしくはアルコキシで
置換されていてもよいアリール基としては、例えばフェ
ニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル
基、４−メチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル
基、２，６−ジメチルフェニル基、２−ニトロフェニル
基、３−ニトロフェニル基、４−ニトロフェニル基、
２，４−ジニトロフェニル基、２，６−ジニトロフェニ
ル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル
基、４−メトキシフェニル基、２、４−ジメトキシフェ
ニル基、２、６−ジメトキシフェニル基、２−クロロフ
ェニル基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニル
基、２、４−ジクロロフェニル基、２、６−ジクロロフ
ェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
【０００７】本発明の一般式（１）で示される３−（ニ
トロベンゾイル）−Ｎ−スルホニルインドール誘導体と
無機塩基とを反応させることにより一般式（４）で示さ
れる３−（ニトロベンゾイル）−インド−ル誘導体を得
る製造法において、用いられる無機塩基としては、例え
ば炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化カリウム、水
酸化ナトリウム等のアルカリ金属の炭酸塩、 水酸化物等
が挙げられる。無機塩基の使用量は一般式（１）で示さ
れる３−（ニトロベンゾイル）−Ｎ−スルホニルインド
ール誘導体に対して、通常０．１〜１００モル倍、好ま
しくは０．５〜１０モル倍である。
トロベンゾイル）−Ｎ−スルホニルインドール誘導体と
無機塩基とを反応させることにより一般式（４）で示さ
れる３−（ニトロベンゾイル）−インド−ル誘導体を得
る製造法において、用いられる無機塩基としては、例え
ば炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化カリウム、水
酸化ナトリウム等のアルカリ金属の炭酸塩、 水酸化物等
が挙げられる。無機塩基の使用量は一般式（１）で示さ
れる３−（ニトロベンゾイル）−Ｎ−スルホニルインド
ール誘導体に対して、通常０．１〜１００モル倍、好ま
しくは０．５〜１０モル倍である。
【０００８】本反応には、 通常、 溶媒が用いられ、かか
る溶媒としては、アルコール類と水の混合溶媒が用いら
れる。アルコール類としては、メタノール、エタノー
ル、ｎ−プロパノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノ
ール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒ−ブタノール等が挙
げられる。水とアルコール類の重量比（水／アルコール
類）は通常０．０５〜５、好ましくは０．１〜１であ
る。使用量は特に限定されない。
る溶媒としては、アルコール類と水の混合溶媒が用いら
れる。アルコール類としては、メタノール、エタノー
ル、ｎ−プロパノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノ
ール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒ−ブタノール等が挙
げられる。水とアルコール類の重量比（水／アルコール
類）は通常０．０５〜５、好ましくは０．１〜１であ
る。使用量は特に限定されない。
【０００９】反応温度は、通常０℃〜１００℃、好まし
くは５０℃〜８０℃である。反応時間は特に制限される
ことはない。反応終点は例えば、ＴＬＣにより確認する
ことができる。
くは５０℃〜８０℃である。反応時間は特に制限される
ことはない。反応終点は例えば、ＴＬＣにより確認する
ことができる。
【００１０】反応終了後は、例えば、濃縮、抽出、再結
晶等の通常の後処理操作により目的化合物を得ることが
できる。
晶等の通常の後処理操作により目的化合物を得ることが
できる。
【００１１】本発明に用いられる一般式（１）で示され
る３−（ニトロベンゾイル）−Ｎ−スルホニルインド−
ル誘導体は、一般式（２） （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は、前記
と同じ意味を表わす。）で示されるＮ−スルホニルイン
ドール誘導体と一般式（３） （式中、Ｘは、ハロゲン原子を示す。）で示されるハロ
ゲン化ニトロベンゾイルとをルイス酸の存在下反応させ
ることにより製造することができる。
る３−（ニトロベンゾイル）−Ｎ−スルホニルインド−
ル誘導体は、一般式（２） （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は、前記
と同じ意味を表わす。）で示されるＮ−スルホニルイン
ドール誘導体と一般式（３） （式中、Ｘは、ハロゲン原子を示す。）で示されるハロ
ゲン化ニトロベンゾイルとをルイス酸の存在下反応させ
ることにより製造することができる。
【００１２】一般式（３）で示されるハロゲン化ニトロ
ベンゾイルとしては、例えば塩化２−ニトロベンゾイ
ル、塩化３−ニトロベンゾイル、塩化４−ニトロベンゾ
イル、臭化２−ニトロベンゾイル、臭化３−ニトロベン
ゾイル、臭化４−ニトロベンゾイル、ヨウ化２−ニトロ
ベンゾイル、ヨウ化３−ニトロベンゾイル、ヨウ化４−
ニトロベンゾイル等が挙げられる。一般式（３）で示さ
れるハロゲン化ニトロベンゾイルの使用量は、一般式
（２）で示されるＮ−スルホニルインドール誘導体に対
して、通常１〜１０モル倍、好ましくは１〜１．２モル
倍である。
ベンゾイルとしては、例えば塩化２−ニトロベンゾイ
ル、塩化３−ニトロベンゾイル、塩化４−ニトロベンゾ
イル、臭化２−ニトロベンゾイル、臭化３−ニトロベン
ゾイル、臭化４−ニトロベンゾイル、ヨウ化２−ニトロ
ベンゾイル、ヨウ化３−ニトロベンゾイル、ヨウ化４−
ニトロベンゾイル等が挙げられる。一般式（３）で示さ
れるハロゲン化ニトロベンゾイルの使用量は、一般式
（２）で示されるＮ−スルホニルインドール誘導体に対
して、通常１〜１０モル倍、好ましくは１〜１．２モル
倍である。
【００１３】ルイス酸としては、通常フリーデルクラフ
ツ反応で用いられる塩化アルミニウム、臭化アルミニウ
ム、塩化亜鉛、臭化亜鉛、塩化鉄（III)、臭化鉄（II
I)、塩化スズ、四塩化チタン、トリフルオロボランエー
テル錯体等を使用することにより本反応を行うことがで
きる。より好ましくは塩化アルミニウムを使用するのが
よい。ルイス酸の使用量は、一般式（２）で示されるＮ
−スルホニルインドール誘導体に対して、通常０．１〜
１０モル倍、好ましくは１〜１．２モル倍である。
ツ反応で用いられる塩化アルミニウム、臭化アルミニウ
ム、塩化亜鉛、臭化亜鉛、塩化鉄（III)、臭化鉄（II
I)、塩化スズ、四塩化チタン、トリフルオロボランエー
テル錯体等を使用することにより本反応を行うことがで
きる。より好ましくは塩化アルミニウムを使用するのが
よい。ルイス酸の使用量は、一般式（２）で示されるＮ
−スルホニルインドール誘導体に対して、通常０．１〜
１０モル倍、好ましくは１〜１．２モル倍である。
【００１４】上記反応には、 通常、 溶媒が用いられかか
る溶媒としては、ニトロ化炭化水素、ハロゲン化炭化水
素、エーテル類等が用いられる。例えばニトロメタン、
ニトロベンゼン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエ
タン、クロロベンゼン、テトラヒドロフラン等である。
使用量は特に限定されない。
る溶媒としては、ニトロ化炭化水素、ハロゲン化炭化水
素、エーテル類等が用いられる。例えばニトロメタン、
ニトロベンゼン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエ
タン、クロロベンゼン、テトラヒドロフラン等である。
使用量は特に限定されない。
【００１５】反応温度は、通常０℃〜１００℃、好まし
くは２０℃〜５０℃である。反応時間は特に制限される
ことはない。反応終点はＴＬＣにより確認することがで
きる。反応終了後は、例えば、水を加え分液し、濃縮、
抽出、シリカゲルカラム等の通常の後処理操作により目
的化合物を得ることができる。
くは２０℃〜５０℃である。反応時間は特に制限される
ことはない。反応終点はＴＬＣにより確認することがで
きる。反応終了後は、例えば、水を加え分液し、濃縮、
抽出、シリカゲルカラム等の通常の後処理操作により目
的化合物を得ることができる。
【００１６】上記反応で用いられる一般式（２）で示さ
れるＮ−スルホニルインド−ル誘導体は、Synthesis,19
79,136. に記載の方法に準じて以下のように合成するこ
とができる。すなわち、一般式（５） （式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は、前記と同じ
意味を表わす。）で示されるインドール誘導体と一般式
（６） （式中、Ｒ1 は、前記と同じ意味を表わし、Ｘはハロゲ
ン原子を示す。）で示されるハロゲン化スルホニルと
を、相間移動触媒と無機塩基の存在下反応させることに
より一般式（２）で示されるＮ−スルホニルインドール
誘導体を得ることができる。
れるＮ−スルホニルインド−ル誘導体は、Synthesis,19
79,136. に記載の方法に準じて以下のように合成するこ
とができる。すなわち、一般式（５） （式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は、前記と同じ
意味を表わす。）で示されるインドール誘導体と一般式
（６） （式中、Ｒ1 は、前記と同じ意味を表わし、Ｘはハロゲ
ン原子を示す。）で示されるハロゲン化スルホニルと
を、相間移動触媒と無機塩基の存在下反応させることに
より一般式（２）で示されるＮ−スルホニルインドール
誘導体を得ることができる。
【００１７】一般式（６）で示されるＮ−スルホニルイ
ンドール誘導体としては、例えば、塩化ベンゼンスルホ
ニル、 塩化ｐ−トルエンスルホン酸、塩化メタンスルホ
ン酸等が挙げられる。その使用量は、一般式（５）で示
されるインドール誘導体に対して、通常、 １〜１０モル
倍、好ましくは、 １〜２モル倍である。相間移動触媒と
しては、一般に用いられているものが使用できるが、な
かでも硫酸水素テトラブチルアンモニウムを用いるのが
好ましい。その使用量は、一般式（５）で示されるイン
ドール誘導体に対して、通常、 ０．０１〜１モル倍、好
ましくは、 ０．０５〜０．５モル倍である。無機塩基と
しては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化
物が、挙げられ、なかでも水酸化ナトリウムが好ましく
用いられる。無機塩基の使用量は、通常、 ハロゲン化ス
ルホニルに対して、１モル倍以上用いられる。
ンドール誘導体としては、例えば、塩化ベンゼンスルホ
ニル、 塩化ｐ−トルエンスルホン酸、塩化メタンスルホ
ン酸等が挙げられる。その使用量は、一般式（５）で示
されるインドール誘導体に対して、通常、 １〜１０モル
倍、好ましくは、 １〜２モル倍である。相間移動触媒と
しては、一般に用いられているものが使用できるが、な
かでも硫酸水素テトラブチルアンモニウムを用いるのが
好ましい。その使用量は、一般式（５）で示されるイン
ドール誘導体に対して、通常、 ０．０１〜１モル倍、好
ましくは、 ０．０５〜０．５モル倍である。無機塩基と
しては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化
物が、挙げられ、なかでも水酸化ナトリウムが好ましく
用いられる。無機塩基の使用量は、通常、 ハロゲン化ス
ルホニルに対して、１モル倍以上用いられる。
【００１８】上記反応には通常、 有機溶媒が用いられ、
かかる溶媒としては、例えば、ヘキサン、トルエン、ジ
クロロメタン、ジエチルエーテル等の炭化水素類、ハロ
ゲン化炭化水素類、エーテル類等が挙げられる。反応温
度は、通常、０〜１００℃、好ましくは、２０〜５０℃
である。反応時間は、特に限定されることはなく、反応
終点は、例えば、ＴＬＣ等によって確認することができ
る。
かかる溶媒としては、例えば、ヘキサン、トルエン、ジ
クロロメタン、ジエチルエーテル等の炭化水素類、ハロ
ゲン化炭化水素類、エーテル類等が挙げられる。反応温
度は、通常、０〜１００℃、好ましくは、２０〜５０℃
である。反応時間は、特に限定されることはなく、反応
終点は、例えば、ＴＬＣ等によって確認することができ
る。
【００１９】
【発明の効果】本発明の製造法によれば、医薬中間体と
して有用な一般式（４）で示される３−（ニトロベンゾ
イル）インドール誘導体を収率良く製造することができ
る。
して有用な一般式（４）で示される３−（ニトロベンゾ
イル）インドール誘導体を収率良く製造することができ
る。
【００２０】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれにより限定されるものではな
い。
明するが、本発明はこれにより限定されるものではな
い。
【００２１】（参考例１）インド−ル５０ｇ（０．４２
７ｍｏｌ）と硫酸水素テトラブチルアンモニウム１４．
５ｇ（０．０４２７ｍｏｌ）をトルエン１１００ｇと２
７％水酸化ナトリウム水１１００ｇの混合溶媒に溶解し
た。これにｐ−トルエンスルホン酸１２２ｇ（０．６４
０ｍｏｌ）のトルエン３６７ｇ溶液を室温で１時間かけ
て滴下し、同温で２時間攪拌した。ＴＬＣによりインド
ールの消失を確認した後、水層を分液し、トルエンを留
去し粗生成物を得た。これを酢酸エチルとヘキサンの混
合溶媒で再結晶しＮ−（ｐ−トルエンスルホニル）イン
ドール１０４．３ｇを白色結晶として得た。（収率 ９
０％ 対インドール） 融点：８４〜８５℃1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ ｐｐｍ：２．３０
（ｓ，３Ｈ，Ｍｅ） ６．６４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．
６３Ｈｚ，ＣＨ＝ＣＨ−Ｎ） ７．１６−７．２４
（ｍ，４Ｈ，Ｐｈ） ７．４９−７．５３（ｍ，１
Ｈ，Ｐｈ） ７．５５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．６３Ｈ
ｚ，ＣＨ−Ｎ） ７．７２−７．７７（ｍ，２Ｈ，Ｐ
ｈ） ７．９９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．２４Ｈｚ，Ｐ
ｈ）
７ｍｏｌ）と硫酸水素テトラブチルアンモニウム１４．
５ｇ（０．０４２７ｍｏｌ）をトルエン１１００ｇと２
７％水酸化ナトリウム水１１００ｇの混合溶媒に溶解し
た。これにｐ−トルエンスルホン酸１２２ｇ（０．６４
０ｍｏｌ）のトルエン３６７ｇ溶液を室温で１時間かけ
て滴下し、同温で２時間攪拌した。ＴＬＣによりインド
ールの消失を確認した後、水層を分液し、トルエンを留
去し粗生成物を得た。これを酢酸エチルとヘキサンの混
合溶媒で再結晶しＮ−（ｐ−トルエンスルホニル）イン
ドール１０４．３ｇを白色結晶として得た。（収率 ９
０％ 対インドール） 融点：８４〜８５℃1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ ｐｐｍ：２．３０
（ｓ，３Ｈ，Ｍｅ） ６．６４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．
６３Ｈｚ，ＣＨ＝ＣＨ−Ｎ） ７．１６−７．２４
（ｍ，４Ｈ，Ｐｈ） ７．４９−７．５３（ｍ，１
Ｈ，Ｐｈ） ７．５５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．６３Ｈ
ｚ，ＣＨ−Ｎ） ７．７２−７．７７（ｍ，２Ｈ，Ｐ
ｈ） ７．９９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．２４Ｈｚ，Ｐ
ｈ）
【００２２】（参考例２）インド−ル３５ｇ（０．２９
９ｍｏｌ）と硫酸水素テトラブチルアンモニウム１０．
１５ｇ（０．０２９９ｍｏｌ）をトルエン７７０ｇと４
８％水酸化ナトリウム水４５０ｇの混合溶媒に溶解し
た。これに塩化ベンゼンスルホニル７９．１ｇ（０．４
４８ｍｏｌ）のトルエン３８５ｇ溶液を室温で１時間か
けて滴下し、同温で１時間攪拌した。ＴＬＣによりイン
ドールの消失を確認した後、水１０５０ｇを加え水層を
分液し、トルエンを留去し粗生成物を得た。これを酢酸
エチルとヘキサンの混合溶媒で再結晶しＮ−ベンゼンス
ルホニルインドール６５．４ｇを白色結晶として得た。
（収率 ８５％ 対インドール） 融点：７７〜７８℃1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ ｐｐｍ：６．６６（ｄ
ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．６３，０．６６Ｈｚ，ＣＨ＝ＣＨ−
Ｎ）７．２０−７．５４（ｍ，６Ｈ，Ｐｈ） ７．５
６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．６３Ｈｚ，ＣＨ−Ｎ） ７．
８５−７．８９（ｍ，２Ｈ，Ｐｈ） ８．００（ｄ，
１Ｈ，Ｊ＝８．２４Ｈｚ，Ｐｈ）
９ｍｏｌ）と硫酸水素テトラブチルアンモニウム１０．
１５ｇ（０．０２９９ｍｏｌ）をトルエン７７０ｇと４
８％水酸化ナトリウム水４５０ｇの混合溶媒に溶解し
た。これに塩化ベンゼンスルホニル７９．１ｇ（０．４
４８ｍｏｌ）のトルエン３８５ｇ溶液を室温で１時間か
けて滴下し、同温で１時間攪拌した。ＴＬＣによりイン
ドールの消失を確認した後、水１０５０ｇを加え水層を
分液し、トルエンを留去し粗生成物を得た。これを酢酸
エチルとヘキサンの混合溶媒で再結晶しＮ−ベンゼンス
ルホニルインドール６５．４ｇを白色結晶として得た。
（収率 ８５％ 対インドール） 融点：７７〜７８℃1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ ｐｐｍ：６．６６（ｄ
ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．６３，０．６６Ｈｚ，ＣＨ＝ＣＨ−
Ｎ）７．２０−７．５４（ｍ，６Ｈ，Ｐｈ） ７．５
６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．６３Ｈｚ，ＣＨ−Ｎ） ７．
８５−７．８９（ｍ，２Ｈ，Ｐｈ） ８．００（ｄ，
１Ｈ，Ｊ＝８．２４Ｈｚ，Ｐｈ）
【００２３】（参考例３）インド−ル２５ｇ（０．２１
３ｍｏｌ）と硫酸水素テトラブチルアンモニウム７．２
５ｇ（０．０２１４ｍｏｌ）をトルエン５５０ｇと２７
％水酸化ナトリウム水５５０ｇの混合溶媒に溶解した。
これに塩化メタンスルホニル７３．３ｇ（０．７６３ｍ
ｏｌ）を５０℃で１時間かけて滴下し、同温で７時間攪
拌した。ＴＬＣによりインドールの消失を確認した後、
水層を分液し、トルエンを留去し粗生成物を得た。これ
をシリカゲルクロマトグラフィー（移動相：酢酸エチル
／ヘキサン＝１／２０）により精製し、Ｎ−メタンスル
ホニルインドール３９．５ｇを無色液体として得た。
（収率 ９５％ 対インドール）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ ｐｐｍ：３．０６
（ｓ，３Ｈ，Ｍｅ） ６．７０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝
３．６３，０．９９Ｈｚ，ＣＨ＝ＣＨ−Ｎ） ７．２
５−７．４０（ｍ，２Ｈ，Ｐｈ） ７．４２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．６３Ｈｚ，ＣＨ−Ｎ）
７．６１（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．６３，０．９９，
０．６６Ｈｚ，Ｐｈ） ７．９０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝
６．２７Ｈｚ，Ｐｈ）
３ｍｏｌ）と硫酸水素テトラブチルアンモニウム７．２
５ｇ（０．０２１４ｍｏｌ）をトルエン５５０ｇと２７
％水酸化ナトリウム水５５０ｇの混合溶媒に溶解した。
これに塩化メタンスルホニル７３．３ｇ（０．７６３ｍ
ｏｌ）を５０℃で１時間かけて滴下し、同温で７時間攪
拌した。ＴＬＣによりインドールの消失を確認した後、
水層を分液し、トルエンを留去し粗生成物を得た。これ
をシリカゲルクロマトグラフィー（移動相：酢酸エチル
／ヘキサン＝１／２０）により精製し、Ｎ−メタンスル
ホニルインドール３９．５ｇを無色液体として得た。
（収率 ９５％ 対インドール）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ ｐｐｍ：３．０６
（ｓ，３Ｈ，Ｍｅ） ６．７０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝
３．６３，０．９９Ｈｚ，ＣＨ＝ＣＨ−Ｎ） ７．２
５−７．４０（ｍ，２Ｈ，Ｐｈ） ７．４２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．６３Ｈｚ，ＣＨ−Ｎ）
７．６１（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．６３，０．９９，
０．６６Ｈｚ，Ｐｈ） ７．９０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝
６．２７Ｈｚ，Ｐｈ）
【００２４】（参考例４）インド−ル５０ｇ（０．４２
７ｍｏｌ）と硫酸水素テトラブチルアンモニウム１４．
５ｇ（０．０４２７ｍｏｌ）をトルエン１１００ｇと２
７％水酸化ナトリウム水１１００ｇの混合溶媒に溶解し
た。これに塩化２−ニトロベンゼンスルホニル１２０ｇ
（０．６３３ｍｏｌ）のトルエン３００ｇ溶液を室温で
１時間かけて滴下し、同温で２時間攪拌した。ＴＬＣに
よりインドールの消失を確認した後、水層を分液し、ト
ルエンを留去し粗生成物を得た。これを酢酸エチルとヘ
キサンの混合溶媒で再結晶しＮ−（２−ニトロベンゼン
スルホニル）インドール１０９．７ｇを白色結晶として
得た。（収率 ８５％ 対インドール）
７ｍｏｌ）と硫酸水素テトラブチルアンモニウム１４．
５ｇ（０．０４２７ｍｏｌ）をトルエン１１００ｇと２
７％水酸化ナトリウム水１１００ｇの混合溶媒に溶解し
た。これに塩化２−ニトロベンゼンスルホニル１２０ｇ
（０．６３３ｍｏｌ）のトルエン３００ｇ溶液を室温で
１時間かけて滴下し、同温で２時間攪拌した。ＴＬＣに
よりインドールの消失を確認した後、水層を分液し、ト
ルエンを留去し粗生成物を得た。これを酢酸エチルとヘ
キサンの混合溶媒で再結晶しＮ−（２−ニトロベンゼン
スルホニル）インドール１０９．７ｇを白色結晶として
得た。（収率 ８５％ 対インドール）
【００２５】（参考例５）２−メトキシカルボニルイン
ド−ル７５ｇ（０．４２８ｍｏｌ）と硫酸水素テトラブ
チルアンモニウム１４．５ｇ（０．０４２７ｍｏｌ）を
トルエン１１００ｇと２７％水酸化ナトリウム水１１０
０ｇの混合溶媒に溶解した。これに塩化ｐ−トルエンス
ルホニル１２２ｇ（０．６４０ｍｏｌ）のトルエン３６
７ｇ溶液を室温で１時間かけて滴下し、同温で２時間攪
拌した。ＴＬＣにより２−メトキシカルボニルインドー
ルの消失を確認した後、水層を分液し、トルエンを留去
し粗生成物を得た。これを酢酸エチルとヘキサンの混合
溶媒で再結晶しＮ−（ｐ−トルエンスルホニル）−２−
メトキシカルボニルインドール１２６．９ｇを白色結晶
として得た。（収率 ９０％ 対２−メトキシカルボニ
ルインドール）
ド−ル７５ｇ（０．４２８ｍｏｌ）と硫酸水素テトラブ
チルアンモニウム１４．５ｇ（０．０４２７ｍｏｌ）を
トルエン１１００ｇと２７％水酸化ナトリウム水１１０
０ｇの混合溶媒に溶解した。これに塩化ｐ−トルエンス
ルホニル１２２ｇ（０．６４０ｍｏｌ）のトルエン３６
７ｇ溶液を室温で１時間かけて滴下し、同温で２時間攪
拌した。ＴＬＣにより２−メトキシカルボニルインドー
ルの消失を確認した後、水層を分液し、トルエンを留去
し粗生成物を得た。これを酢酸エチルとヘキサンの混合
溶媒で再結晶しＮ−（ｐ−トルエンスルホニル）−２−
メトキシカルボニルインドール１２６．９ｇを白色結晶
として得た。（収率 ９０％ 対２−メトキシカルボニ
ルインドール）
【００２６】（参考例６）４−メチルインド−ル５６ｇ
（０．４２７ｍｏｌ）と硫酸水素テトラブチルアンモニ
ウム１４．５ｇ（０．０４２７ｍｏｌ）をトルエン１１
００ｇと２７％水酸化ナトリウム水１１００ｇの混合溶
媒に溶解した。これに塩化ｐ−トルエンスルホニル１２
２ｇ（０．６４０ｍｏｌ）のトルエン３６７ｇ溶液を室
温で１時間かけて滴下し、同温で２時間攪拌した。ＴＬ
Ｃにより４−メチルインドールの消失を確認した後、水
層を分液し、トルエンを留去し粗生成物を得た。これを
酢酸エチルとヘキサンの混合溶媒で再結晶しＮ−（ｐ−
トルエンスルホニル）−４−メチルインドール１０３．
６ｇを白色結晶として得た。（収率 ８５％ 対４−メ
チルインドール）
（０．４２７ｍｏｌ）と硫酸水素テトラブチルアンモニ
ウム１４．５ｇ（０．０４２７ｍｏｌ）をトルエン１１
００ｇと２７％水酸化ナトリウム水１１００ｇの混合溶
媒に溶解した。これに塩化ｐ−トルエンスルホニル１２
２ｇ（０．６４０ｍｏｌ）のトルエン３６７ｇ溶液を室
温で１時間かけて滴下し、同温で２時間攪拌した。ＴＬ
Ｃにより４−メチルインドールの消失を確認した後、水
層を分液し、トルエンを留去し粗生成物を得た。これを
酢酸エチルとヘキサンの混合溶媒で再結晶しＮ−（ｐ−
トルエンスルホニル）−４−メチルインドール１０３．
６ｇを白色結晶として得た。（収率 ８５％ 対４−メ
チルインドール）
【００２７】（参考例７）５−ベンジルオキシインドー
ル９５ｇ（０．４２５ｍｏｌ）と硫酸水素テトラブチル
アンモニウム１４．５ｇ（０．０４２７ｍｏｌ）をトル
エン１１００ｇと２７％水酸化ナトリウム水１１００ｇ
の混合溶媒に溶解した。塩化ｐ−トルエンスルホニル１
２２ｇ（０．６４０ｍｏｌ）のトルエン３６７ｇ溶液を
室温で１時間かけて滴下し、同温で２時間攪拌した。Ｔ
ＬＣによりインドールの消失を確認した後、水層を分液
し、トルエンを留去し粗生成物を得た。これを酢酸エチ
ルとヘキサンの混合溶媒で再結晶しＮ−（ｐ−トルエン
スルホニル）−５−ベンジルオキシインドール１２８．
３ｇを白色結晶として得た。（収率 ８０％ 対５−ベ
ンジルオキシカルボニルインドール）
ル９５ｇ（０．４２５ｍｏｌ）と硫酸水素テトラブチル
アンモニウム１４．５ｇ（０．０４２７ｍｏｌ）をトル
エン１１００ｇと２７％水酸化ナトリウム水１１００ｇ
の混合溶媒に溶解した。塩化ｐ−トルエンスルホニル１
２２ｇ（０．６４０ｍｏｌ）のトルエン３６７ｇ溶液を
室温で１時間かけて滴下し、同温で２時間攪拌した。Ｔ
ＬＣによりインドールの消失を確認した後、水層を分液
し、トルエンを留去し粗生成物を得た。これを酢酸エチ
ルとヘキサンの混合溶媒で再結晶しＮ−（ｐ−トルエン
スルホニル）−５−ベンジルオキシインドール１２８．
３ｇを白色結晶として得た。（収率 ８０％ 対５−ベ
ンジルオキシカルボニルインドール）
【００２８】（実施例１）塩化アルミニウム３．９５ｇ
（２９．６２ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中に
室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．５０ｇ（２９．６
４ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。同
温で１時間攪拌後、参考例１で得られたＮ−（ｐ−トル
エンスルホニル）インドール８．０ｇ（２９．４８ｍｍ
ｏｌ）のニトロメタン２０ｇ溶液を室温で滴下し、同温
で１時間攪拌した。ＴＬＣによりＮ−（ｐ−トルエンス
ルホニル）インドールの消失を確認後、水８０ｇを５０
℃以下で滴下した。分液により水層を除いた後、濃縮し
粗生成物を得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー
（移動相：酢酸エチル／ヘキサン＝１／１０）により精
製し、３−（３−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−トル
エンスルホニル）インドール１１．３８ｇを得た。（収
率 ９５％ 対 Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）イン
ドール） 融点：７４〜７５℃1 Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δ ｐｐｍ：２．３８
（ｓ，３Ｈ，Ｍｅ−Ｐｈ−ＳＯ2 −） ７．３２
（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．５８Ｈｚ，Ｍｅ−Ｐｈ−ＳＯ
2 −） ７．３７−７．４９（ｍ，２Ｈ，Ｐｈ）
７．７５（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８．０９Ｈｚ，−ＣＨ＝ＣＨ
−Ｃ（ＮＯ2）−） ７．８４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．
５８Ｈｚ，Ｍｅ−Ｐｈ−ＳＯ2 −） ８．００−８．０３（ｍ，１Ｈ，Ｐｈ） ８．０１
（ｓ，１Ｈ，−ＣＯ−Ｃ＝ＣＨ−Ｃ（ＮＯ2 ）−）
８．１７−８．２２（ｍ，１Ｈ，Ｐｈ） ８．２６−
８．３１（ｍ，１Ｈ，Ｐｈ） ８．４５−８．５０
（ｍ，１Ｈ，Ｐｈ） ８．６３−８．６６（ｍ，１Ｈ，−Ｎ−ＣＨ＝Ｃ−）13 Ｃ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δ ２１．６，１１
３．３，１１９．６，１２２．８，１２３．８，１２
５．１，１２６．３，１２６．６，１２７．２，１２
８．０，１３０．０，１３０．４，１３３．８，１３
４．２，１３４．４，１３５．０，１４０．４，１４
６．３，１４８．２，１８８．２
（２９．６２ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中に
室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．５０ｇ（２９．６
４ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。同
温で１時間攪拌後、参考例１で得られたＮ−（ｐ−トル
エンスルホニル）インドール８．０ｇ（２９．４８ｍｍ
ｏｌ）のニトロメタン２０ｇ溶液を室温で滴下し、同温
で１時間攪拌した。ＴＬＣによりＮ−（ｐ−トルエンス
ルホニル）インドールの消失を確認後、水８０ｇを５０
℃以下で滴下した。分液により水層を除いた後、濃縮し
粗生成物を得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー
（移動相：酢酸エチル／ヘキサン＝１／１０）により精
製し、３−（３−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−トル
エンスルホニル）インドール１１．３８ｇを得た。（収
率 ９５％ 対 Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）イン
ドール） 融点：７４〜７５℃1 Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δ ｐｐｍ：２．３８
（ｓ，３Ｈ，Ｍｅ−Ｐｈ−ＳＯ2 −） ７．３２
（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．５８Ｈｚ，Ｍｅ−Ｐｈ−ＳＯ
2 −） ７．３７−７．４９（ｍ，２Ｈ，Ｐｈ）
７．７５（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８．０９Ｈｚ，−ＣＨ＝ＣＨ
−Ｃ（ＮＯ2）−） ７．８４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．
５８Ｈｚ，Ｍｅ−Ｐｈ−ＳＯ2 −） ８．００−８．０３（ｍ，１Ｈ，Ｐｈ） ８．０１
（ｓ，１Ｈ，−ＣＯ−Ｃ＝ＣＨ−Ｃ（ＮＯ2 ）−）
８．１７−８．２２（ｍ，１Ｈ，Ｐｈ） ８．２６−
８．３１（ｍ，１Ｈ，Ｐｈ） ８．４５−８．５０
（ｍ，１Ｈ，Ｐｈ） ８．６３−８．６６（ｍ，１Ｈ，−Ｎ−ＣＨ＝Ｃ−）13 Ｃ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δ ２１．６，１１
３．３，１１９．６，１２２．８，１２３．８，１２
５．１，１２６．３，１２６．６，１２７．２，１２
８．０，１３０．０，１３０．４，１３３．８，１３
４．２，１３４．４，１３５．０，１４０．４，１４
６．３，１４８．２，１８８．２
【００２９】（実施例２）塩化アルミニウム４．１４ｇ
（３１．０５ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中に
室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．７６ｇ（３１．０
４ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。同
温で１時間攪拌後、参考例２で得られたＮ−ベンゼンス
ルホニルインドール８．０ｇ（３１．０９ｍｍｏｌ）の
ニトロメタン１７ｇ溶液を室温で滴下し、同温で１時間
攪拌した。ＴＬＣによりＮ−ベンゼンスルホニルインド
ールの消失を確認後、水８０ｇを５０℃以下で滴下し
た。分液により水層を除いた後、濃縮し粗生成物を得
た。これをシリカゲルクロマトグラフィー（移動相：酢
酸エチル／ヘキサン＝１／５）により精製し、Ｎ−ベン
ゼンスルホニル−３−（３−ニトロベンゾイル）インド
ール１０．９２ｇを得た。（収率 ９０％ 対 Ｎ−ベ
ンゼンスルホニルインドール） 融点：１１４〜１１６℃1 Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δ ｐｐｍ：７．３８
−７．７０（ｍ，５Ｈ，Ｐｈ） ７．７６（ｔ，１
Ｈ，Ｊ＝７．９２Ｈｚ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（ＮＯ2 ）
−） ７．９５−８．０５（ｍ，４Ｈ，Ｐｈ）
８．１８−８．２２（ｍ，１Ｈ，Ｐｈ） ８．２６−
８．３１（ｍ，１Ｈ，Ｐｈ） ８．４５−８．５１
（ｍ，１Ｈ，Ｐｈ） ８．６４−８．６６（ｍ，１
Ｈ，Ｎ−ＣＨ＝Ｃ）13 Ｃ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δ １１３．２，１１
９．８，１２２．８，１２３．８，１２５．１，１２
５．２，１２６．５，１２６．７，１２７．１，１２
８．０，１２９．８，１３０．０，１３３．７，１３
４．４，１３４．８，１３５．０，１３５．７，１３
７．２，１４０．４，１４８．２，１８８．２
（３１．０５ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中に
室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．７６ｇ（３１．０
４ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。同
温で１時間攪拌後、参考例２で得られたＮ−ベンゼンス
ルホニルインドール８．０ｇ（３１．０９ｍｍｏｌ）の
ニトロメタン１７ｇ溶液を室温で滴下し、同温で１時間
攪拌した。ＴＬＣによりＮ−ベンゼンスルホニルインド
ールの消失を確認後、水８０ｇを５０℃以下で滴下し
た。分液により水層を除いた後、濃縮し粗生成物を得
た。これをシリカゲルクロマトグラフィー（移動相：酢
酸エチル／ヘキサン＝１／５）により精製し、Ｎ−ベン
ゼンスルホニル−３−（３−ニトロベンゾイル）インド
ール１０．９２ｇを得た。（収率 ９０％ 対 Ｎ−ベ
ンゼンスルホニルインドール） 融点：１１４〜１１６℃1 Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δ ｐｐｍ：７．３８
−７．７０（ｍ，５Ｈ，Ｐｈ） ７．７６（ｔ，１
Ｈ，Ｊ＝７．９２Ｈｚ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（ＮＯ2 ）
−） ７．９５−８．０５（ｍ，４Ｈ，Ｐｈ）
８．１８−８．２２（ｍ，１Ｈ，Ｐｈ） ８．２６−
８．３１（ｍ，１Ｈ，Ｐｈ） ８．４５−８．５１
（ｍ，１Ｈ，Ｐｈ） ８．６４−８．６６（ｍ，１
Ｈ，Ｎ−ＣＨ＝Ｃ）13 Ｃ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δ １１３．２，１１
９．８，１２２．８，１２３．８，１２５．１，１２
５．２，１２６．５，１２６．７，１２７．１，１２
８．０，１２９．８，１３０．０，１３３．７，１３
４．４，１３４．８，１３５．０，１３５．７，１３
７．２，１４０．４，１４８．２，１８８．２
【００３０】（実施例３）塩化アルミニウム４．１０ｇ
（３０．７５ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中に
室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．７１ｇ（３０．７
７ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。同
温で１時間攪拌後、参考例３で得られたＮ−メタンスル
ホニルインドール５．１３ｇ（２６．２８ｍｍｏｌ）の
ニトロメタン１７ｇ溶液を室温で滴下し、同温で１時間
攪拌した。ＴＬＣによりＮ−メタンスルホニルインドー
ルの消失を確認後、水８０ｇを５０℃以下で滴下した。
分液により水層を除いた後、濃縮し粗生成物を得た。こ
れをシリカゲルクロマトグラフィー（移動相：酢酸エチ
ル／ヘキサン＝１／５）により精製し、Ｎ−メタンスル
ホニル−３−（３−ニトロベンゾイル）インドール７．
７７ｇを得た。（収率９０％ 対 Ｎ−メタンスルホニ
ルインドール）
（３０．７５ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中に
室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．７１ｇ（３０．７
７ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。同
温で１時間攪拌後、参考例３で得られたＮ−メタンスル
ホニルインドール５．１３ｇ（２６．２８ｍｍｏｌ）の
ニトロメタン１７ｇ溶液を室温で滴下し、同温で１時間
攪拌した。ＴＬＣによりＮ−メタンスルホニルインドー
ルの消失を確認後、水８０ｇを５０℃以下で滴下した。
分液により水層を除いた後、濃縮し粗生成物を得た。こ
れをシリカゲルクロマトグラフィー（移動相：酢酸エチ
ル／ヘキサン＝１／５）により精製し、Ｎ−メタンスル
ホニル−３−（３−ニトロベンゾイル）インドール７．
７７ｇを得た。（収率９０％ 対 Ｎ−メタンスルホニ
ルインドール）
【００３１】（実施例４）塩化アルミニウム３．９５ｇ
（２９．６２ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中に
室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．５０ｇ（２９．６
４ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。同
温で１時間攪拌後、参考例４で得られたＮ−（２−ニト
ロベンゼンスルホニル）インドール８．９ｇ（２９．４
４ｍｍｏｌ）のニトロメタン２０ｇ溶液を室温で滴下
し、同温で１時間攪拌した。ＴＬＣによりＮ−（２−ニ
トロベンゼンスルホニル）インドールの消失を確認後、
水８０ｇを５０℃以下で滴下した。分液により水層を除
いた後、濃縮し粗生成物を得た。これをシリカゲルクロ
マトグラフィー（移動相：酢酸エチル／ヘキサン＝１／
１０）により精製し、３−（３−ニトロベンゾイル）−
Ｎ−（２−ニトロベンゼンスルホニル）インドール１
１．５４ｇを得た。（収率 ９５％ 対 Ｎ−（２−ニ
トロベンゼンスルホニル）インドール）
（２９．６２ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中に
室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．５０ｇ（２９．６
４ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。同
温で１時間攪拌後、参考例４で得られたＮ−（２−ニト
ロベンゼンスルホニル）インドール８．９ｇ（２９．４
４ｍｍｏｌ）のニトロメタン２０ｇ溶液を室温で滴下
し、同温で１時間攪拌した。ＴＬＣによりＮ−（２−ニ
トロベンゼンスルホニル）インドールの消失を確認後、
水８０ｇを５０℃以下で滴下した。分液により水層を除
いた後、濃縮し粗生成物を得た。これをシリカゲルクロ
マトグラフィー（移動相：酢酸エチル／ヘキサン＝１／
１０）により精製し、３−（３−ニトロベンゾイル）−
Ｎ−（２−ニトロベンゼンスルホニル）インドール１
１．５４ｇを得た。（収率 ９５％ 対 Ｎ−（２−ニ
トロベンゼンスルホニル）インドール）
【００３２】（実施例５）塩化アルミニウム３．９５ｇ
（２９．６２ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中に
室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．５０ｇ（２９．６
４ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。同
温で１時間攪拌後、参考例５で得られたＮ−（ｐ−トル
エンスルホニル）−２−メトキシカルボニルインドール
９．７ｇ（２９．４５ｍｍｏｌ）のニトロメタン２０ｇ
溶液を室温で滴下し、同温で１時間攪拌した。ＴＬＣに
よりＮ−（ｐ−トルエンスルホニル）−２−メトキシカ
ルボニルインドールの消失を確認後、水８０ｇを５０℃
以下で滴下した。分液により水層を除いた後、濃縮し粗
生成物を得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー
（移動相：酢酸エチル／ヘキサン＝１／１０）により精
製し、３−（３−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−トル
エンスルホニル）−２−メトキシカルボニルインドール
１２．７５ｇを得た。（収率 ９１％ 対 Ｎ−（ｐ−
トルエンスルホニル）−２−メトキシカルボニルインド
ール）
（２９．６２ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中に
室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．５０ｇ（２９．６
４ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。同
温で１時間攪拌後、参考例５で得られたＮ−（ｐ−トル
エンスルホニル）−２−メトキシカルボニルインドール
９．７ｇ（２９．４５ｍｍｏｌ）のニトロメタン２０ｇ
溶液を室温で滴下し、同温で１時間攪拌した。ＴＬＣに
よりＮ−（ｐ−トルエンスルホニル）−２−メトキシカ
ルボニルインドールの消失を確認後、水８０ｇを５０℃
以下で滴下した。分液により水層を除いた後、濃縮し粗
生成物を得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー
（移動相：酢酸エチル／ヘキサン＝１／１０）により精
製し、３−（３−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−トル
エンスルホニル）−２−メトキシカルボニルインドール
１２．７５ｇを得た。（収率 ９１％ 対 Ｎ−（ｐ−
トルエンスルホニル）−２−メトキシカルボニルインド
ール）
【００３３】（実施例６）塩化アルミニウム３．９５ｇ
（２９．６２ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中に
室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．５０ｇ（２９．６
４ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。同
温で１時間攪拌後、参考例６で得られたＮ−（ｐ−トル
エンスルホニル）−４−メチルインドール８．４ｇ（２
９．４４ｍｍｏｌ）のニトロメタン２０ｇ溶液を室温で
滴下し、同温で１時間攪拌した。ＴＬＣによりＮ−（ｐ
−トルエンスルホニル）−４−メチルインドールの消失
を確認後、水８０ｇを５０℃以下で滴下した。分液によ
り水層を除いた後、濃縮し粗生成物を得た。これをシリ
カゲルクロマトグラフィー（移動相：酢酸エチル／ヘキ
サン＝１／１０）により精製し、３−（３−ニトロベン
ゾイル）−Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）−４−メチ
ルインドール１０．８７ｇを得た。（収率 ８５％ 対
Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）−４−メチルインド
ール）
（２９．６２ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中に
室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．５０ｇ（２９．６
４ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。同
温で１時間攪拌後、参考例６で得られたＮ−（ｐ−トル
エンスルホニル）−４−メチルインドール８．４ｇ（２
９．４４ｍｍｏｌ）のニトロメタン２０ｇ溶液を室温で
滴下し、同温で１時間攪拌した。ＴＬＣによりＮ−（ｐ
−トルエンスルホニル）−４−メチルインドールの消失
を確認後、水８０ｇを５０℃以下で滴下した。分液によ
り水層を除いた後、濃縮し粗生成物を得た。これをシリ
カゲルクロマトグラフィー（移動相：酢酸エチル／ヘキ
サン＝１／１０）により精製し、３−（３−ニトロベン
ゾイル）−Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）−４−メチ
ルインドール１０．８７ｇを得た。（収率 ８５％ 対
Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）−４−メチルインド
ール）
【００３４】（実施例７）塩化アルミニウム３．９５ｇ
（２９．６２ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中に
室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．５０ｇ（２９．６
４ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。同
温で１時間攪拌後、参考例７で得られたＮ−（ｐ−トル
エンスルホニル）−５−ベンジルオキシインドール１
１．１ｇ（２９．４１ｍｍｏｌ）のニトロメタン２０ｇ
溶液を室温で滴下し、同温で１時間攪拌した。ＴＬＣに
よりＮ−（ｐ−トルエンスルホニル）−５−ベンジルオ
キシインドールの消失を確認後、水８０ｇを５０℃以下
で滴下した。分液により水層を除いた後、濃縮し粗生成
物を得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー（移動
相：酢酸エチル／ヘキサン＝１／１０）により精製し、
３−（３−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−トルエンス
ルホニル）−５−ベンジルオキシインドール１２．３９
ｇを得た。（収率 ８０％ 対 Ｎ−（ｐ−トルエンス
ルホニル）−５−ベンジルオキシインドール）
（２９．６２ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中に
室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．５０ｇ（２９．６
４ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。同
温で１時間攪拌後、参考例７で得られたＮ−（ｐ−トル
エンスルホニル）−５−ベンジルオキシインドール１
１．１ｇ（２９．４１ｍｍｏｌ）のニトロメタン２０ｇ
溶液を室温で滴下し、同温で１時間攪拌した。ＴＬＣに
よりＮ−（ｐ−トルエンスルホニル）−５−ベンジルオ
キシインドールの消失を確認後、水８０ｇを５０℃以下
で滴下した。分液により水層を除いた後、濃縮し粗生成
物を得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー（移動
相：酢酸エチル／ヘキサン＝１／１０）により精製し、
３−（３−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−トルエンス
ルホニル）−５−ベンジルオキシインドール１２．３９
ｇを得た。（収率 ８０％ 対 Ｎ−（ｐ−トルエンス
ルホニル）−５−ベンジルオキシインドール）
【００３５】（実施例８）塩化アルミニウム３．９５ｇ
（２９．６２ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中に
室温で塩化２−ニトロベンゾイル５．５０ｇ（２９．６
４ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。同
温で１時間攪拌後、参考例１で得られたＮ−（ｐ−トル
エンスルホニル）インドール８．０ｇ（２９．４８ｍｍ
ｏｌ）のニトロメタン２０ｇ溶液を室温で滴下し、同温
で１時間攪拌した。ＴＬＣによりＮ−（ｐ−トルエンス
ルホニル）インドールの消失を確認後、水８０ｇを５０
℃以下で滴下した。分液により水層を除いた後、濃縮し
粗生成物を得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー
（移動相：酢酸エチル／ヘキサン＝１／１０）により精
製し、３−（２−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−トル
エンスルホニル）インドール１１．３８ｇを得た。（収
率 ９５％ 対 Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）イン
ドール）
（２９．６２ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中に
室温で塩化２−ニトロベンゾイル５．５０ｇ（２９．６
４ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。同
温で１時間攪拌後、参考例１で得られたＮ−（ｐ−トル
エンスルホニル）インドール８．０ｇ（２９．４８ｍｍ
ｏｌ）のニトロメタン２０ｇ溶液を室温で滴下し、同温
で１時間攪拌した。ＴＬＣによりＮ−（ｐ−トルエンス
ルホニル）インドールの消失を確認後、水８０ｇを５０
℃以下で滴下した。分液により水層を除いた後、濃縮し
粗生成物を得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー
（移動相：酢酸エチル／ヘキサン＝１／１０）により精
製し、３−（２−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−トル
エンスルホニル）インドール１１．３８ｇを得た。（収
率 ９５％ 対 Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）イン
ドール）
【００３６】（実施例９）塩化アルミニウム３．９５ｇ
（２９．６２ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中に
室温で塩化４−ニトロベンゾイル５．５０ｇ（２９．６
４ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。同
温で１時間攪拌後、参考例１で得られたＮ−（ｐ−トル
エンスルホニル）インドール８．０ｇ（２９．４８ｍｍ
ｏｌ）のニトロメタン２０ｇ溶液を室温で滴下し、同温
で１時間攪拌した。ＴＬＣによりＮ−（ｐ−トルエンス
ルホニル）インドールの消失を確認後、水８０ｇを５０
℃以下で滴下した。分液により水層を除いた後、濃縮し
粗生成物を得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー
（移動相：酢酸エチル／ヘキサン＝１／１０）により精
製し、３−（４−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−トル
エンスルホニル）インドール１１．３８ｇを得た。（収
率 ９５％ 対 Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）イン
ドール）
（２９．６２ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中に
室温で塩化４−ニトロベンゾイル５．５０ｇ（２９．６
４ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。同
温で１時間攪拌後、参考例１で得られたＮ−（ｐ−トル
エンスルホニル）インドール８．０ｇ（２９．４８ｍｍ
ｏｌ）のニトロメタン２０ｇ溶液を室温で滴下し、同温
で１時間攪拌した。ＴＬＣによりＮ−（ｐ−トルエンス
ルホニル）インドールの消失を確認後、水８０ｇを５０
℃以下で滴下した。分液により水層を除いた後、濃縮し
粗生成物を得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー
（移動相：酢酸エチル／ヘキサン＝１／１０）により精
製し、３−（４−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−トル
エンスルホニル）インドール１１．３８ｇを得た。（収
率 ９５％ 対 Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）イン
ドール）
【００３７】（実施例１０）実施例１により得られた３
−（３−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−トルエンスル
ホニル）インドール５．１４ｇ（１２．７１ｍｍｏｌ）
を炭酸カリウム６．８２ｇ（４９．３５ｍｍｏｌ）の存
在下、水１００ｇ、メタノ−ル３００ｇの混合溶媒中還
流下で攪拌した。ＴＬＣにより３−（３−ニトロベンゾ
イル）−Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）インドールの
消失を確認後、溶媒を留去した。酢酸エチル２００ｇ、
水１００ｇを加え抽出し、分液により水層を除き、有機
層を水１００ｇで洗浄後溶媒を留去し粗生成物を得た。
これを酢酸エチルにより再結晶し３−（３−ニトロベン
ゾイル）インドール３．２１ｇを黄色結晶として得た。
（収率 ９５％ 対 ３−（３−ニトロベンゾイル）−
Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）インドール） 融点：２２０〜２２３℃1 １Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δ ｐｐｍ：７．２
４−７．３４（ｍ，２Ｈ，Ｐｈ） ７．５１−７．５
９（ｍ，１Ｈ，Ｐｈ） ７．８４（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝
７．９２Ｈｚ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（ＮＯ 2 ）−））
８．０８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．３０Ｈｚ，ＣＨ−Ｎ）
８．２１−８．３１（ｍ，２Ｈ，Ｐｈ） ８．４２
−８．５１（ｍ，２Ｈ，Ｐｈ） １２．２３（ｂｒ，１Ｈ，ＮＨ）13 Ｃ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）：δ １１２．３，１
１４．６，１２１．４，１２２．２，１２２．９，１２
３．４，１２５．４，１２６．０，１３０．１，１３
４．５，１３６．６，１３６．８，１４１．６，１４
７．７，１８７．４
−（３−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−トルエンスル
ホニル）インドール５．１４ｇ（１２．７１ｍｍｏｌ）
を炭酸カリウム６．８２ｇ（４９．３５ｍｍｏｌ）の存
在下、水１００ｇ、メタノ−ル３００ｇの混合溶媒中還
流下で攪拌した。ＴＬＣにより３−（３−ニトロベンゾ
イル）−Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）インドールの
消失を確認後、溶媒を留去した。酢酸エチル２００ｇ、
水１００ｇを加え抽出し、分液により水層を除き、有機
層を水１００ｇで洗浄後溶媒を留去し粗生成物を得た。
これを酢酸エチルにより再結晶し３−（３−ニトロベン
ゾイル）インドール３．２１ｇを黄色結晶として得た。
（収率 ９５％ 対 ３−（３−ニトロベンゾイル）−
Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）インドール） 融点：２２０〜２２３℃1 １Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δ ｐｐｍ：７．２
４−７．３４（ｍ，２Ｈ，Ｐｈ） ７．５１−７．５
９（ｍ，１Ｈ，Ｐｈ） ７．８４（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝
７．９２Ｈｚ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（ＮＯ 2 ）−））
８．０８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．３０Ｈｚ，ＣＨ−Ｎ）
８．２１−８．３１（ｍ，２Ｈ，Ｐｈ） ８．４２
−８．５１（ｍ，２Ｈ，Ｐｈ） １２．２３（ｂｒ，１Ｈ，ＮＨ）13 Ｃ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）：δ １１２．３，１
１４．６，１２１．４，１２２．２，１２２．９，１２
３．４，１２５．４，１２６．０，１３０．１，１３
４．５，１３６．６，１３６．８，１４１．６，１４
７．７，１８７．４
【００３８】（実施例１１）実施例２により得られたＮ
−ベンゼンスルホニル−３−（３−ニトロベンゾイル）
インドール５．２５ｇ（１３．４５ｍｍｏｌ）を炭酸カ
リウム１０．７７ｇ（７７．９２ｍｍｏｌ）の存在下、
水１００ｇ、メタノ−ル３００ｇの混合溶媒中還流下で
攪拌した。ＴＬＣによりＮ−ベンゼンスルホニル−３−
（３−ニトロベンゾイル）インドールの消失を確認後、
溶媒を留去した。酢酸エチル２００ｇ、水１００ｇを加
え抽出し、分液により水層を除き、有機層を水１００ｇ
で洗浄後溶媒を留去し粗生成物を得た。これを酢酸エチ
ルにより再結晶し３−（３−ニトロベンゾイル）インド
ール３．３３ｇを黄色結晶として得た。（収率 ９３％
対 Ｎ−ベンゼンスルホニル−３−（３−ニトロベンゾ
イル）インドール）
−ベンゼンスルホニル−３−（３−ニトロベンゾイル）
インドール５．２５ｇ（１３．４５ｍｍｏｌ）を炭酸カ
リウム１０．７７ｇ（７７．９２ｍｍｏｌ）の存在下、
水１００ｇ、メタノ−ル３００ｇの混合溶媒中還流下で
攪拌した。ＴＬＣによりＮ−ベンゼンスルホニル−３−
（３−ニトロベンゾイル）インドールの消失を確認後、
溶媒を留去した。酢酸エチル２００ｇ、水１００ｇを加
え抽出し、分液により水層を除き、有機層を水１００ｇ
で洗浄後溶媒を留去し粗生成物を得た。これを酢酸エチ
ルにより再結晶し３−（３−ニトロベンゾイル）インド
ール３．３３ｇを黄色結晶として得た。（収率 ９３％
対 Ｎ−ベンゼンスルホニル−３−（３−ニトロベンゾ
イル）インドール）
【００３９】（実施例１２）実施例３により得られたＮ
−メタンスルホニル−３−（３−ニトロベンゾイル）イ
ンドール３．４５ｇ（１０．５１ｍｍｏｌ）を炭酸カリ
ウム８．４２ｇ（６０．９２ｍｍｏｌ）の存在下、水１
００ｇ、メタノ−ル３００ｇの混合溶媒中還流下で攪拌
した。ＴＬＣによりＮ−メタンスルホニル−３−（３−
ニトロベンゾイル）インドールの消失を確認後、溶媒を
留去した。酢酸エチル２００ｇ、水１００ｇを加え抽出
し、分液により水層を除き、有機層を水１００ｇで洗浄
後溶媒を留去し粗生成物を得た。これを酢酸エチルによ
り再結晶し３−（３−ニトロベンゾイル）インドール
２．５２ｇを黄色結晶として得た。（収率 ９０％ 対
Ｎ−メタンスルホニル−３−（３−ニトロベンゾイル）
インドール）
−メタンスルホニル−３−（３−ニトロベンゾイル）イ
ンドール３．４５ｇ（１０．５１ｍｍｏｌ）を炭酸カリ
ウム８．４２ｇ（６０．９２ｍｍｏｌ）の存在下、水１
００ｇ、メタノ−ル３００ｇの混合溶媒中還流下で攪拌
した。ＴＬＣによりＮ−メタンスルホニル−３−（３−
ニトロベンゾイル）インドールの消失を確認後、溶媒を
留去した。酢酸エチル２００ｇ、水１００ｇを加え抽出
し、分液により水層を除き、有機層を水１００ｇで洗浄
後溶媒を留去し粗生成物を得た。これを酢酸エチルによ
り再結晶し３−（３−ニトロベンゾイル）インドール
２．５２ｇを黄色結晶として得た。（収率 ９０％ 対
Ｎ−メタンスルホニル−３−（３−ニトロベンゾイル）
インドール）
【００４０】（実施例１３）塩化アルミニウム３．９５
ｇ（２９．６２ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中
に室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．５０ｇ（２９．
６４ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。
同温で１時間攪拌後、参考例１で得られたＮ−（ｐ−ト
ルエンスルホニル）インドール８．０ｇ（２９．４８ｍ
ｍｏｌ）のニトロメタン２０ｇ溶液を室温で滴下し、同
温で１時間攪拌した。ＴＬＣによりＮ−（ｐ−トルエン
スルホニル）インドールの消失を確認後、水８０ｇを５
０℃以下で滴下した。分液により水層を除いた後、濃縮
し粗３−（３−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−トルエ
ンスルホニル）インドール１３．４１ｇを得た。（含量
８０％ 収率９０％ 対 Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニ
ル）インドール） 得られた粗３−（３−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−
トルエンスルホニル）インドール１３．４１ｇに水１０
０ｇ、メタノール３００ｇ、炭酸カリウム１９．３３ｇ
（１４０ｍｍｏｌ）を加え還流下攪拌した。ＴＬＣによ
り３−（３−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−トルエン
スルホニル）インドールの消失確認後、溶媒を留去し
た。酢酸エチル２００ｇ、水１００ｇを加え抽出し、分
液により水層を除き、有機層を水１００ｇで洗浄後溶媒
を留去し粗生成物を得た。これを酢酸エチルにより再結
晶し３−（３−ニトロベンゾイル）インドール６．７５
ｇを黄色結晶として得た。（収率 ８６％ 対 Ｎ−
（ｐ−トルエンスルホニル）インドール）
ｇ（２９．６２ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中
に室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．５０ｇ（２９．
６４ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。
同温で１時間攪拌後、参考例１で得られたＮ−（ｐ−ト
ルエンスルホニル）インドール８．０ｇ（２９．４８ｍ
ｍｏｌ）のニトロメタン２０ｇ溶液を室温で滴下し、同
温で１時間攪拌した。ＴＬＣによりＮ−（ｐ−トルエン
スルホニル）インドールの消失を確認後、水８０ｇを５
０℃以下で滴下した。分液により水層を除いた後、濃縮
し粗３−（３−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−トルエ
ンスルホニル）インドール１３．４１ｇを得た。（含量
８０％ 収率９０％ 対 Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニ
ル）インドール） 得られた粗３−（３−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−
トルエンスルホニル）インドール１３．４１ｇに水１０
０ｇ、メタノール３００ｇ、炭酸カリウム１９．３３ｇ
（１４０ｍｍｏｌ）を加え還流下攪拌した。ＴＬＣによ
り３−（３−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−トルエン
スルホニル）インドールの消失確認後、溶媒を留去し
た。酢酸エチル２００ｇ、水１００ｇを加え抽出し、分
液により水層を除き、有機層を水１００ｇで洗浄後溶媒
を留去し粗生成物を得た。これを酢酸エチルにより再結
晶し３−（３−ニトロベンゾイル）インドール６．７５
ｇを黄色結晶として得た。（収率 ８６％ 対 Ｎ−
（ｐ−トルエンスルホニル）インドール）
【００４１】（実施例１４）塩化アルミニウム４．２０
ｇ（３１．５０ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中
に室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．８０ｇ（３１．
２６ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。
同温で１時間攪拌後、参考例２で得られたＮ−ベンゼン
スルホニルインドール８．０ｇ（３１．０９ｍｍｏｌ）
のニトロメタン１７ｇ溶液を室温で滴下し、同温で１時
間攪拌した。ＴＬＣによりＮ−ベンゼンスルホニルイン
ドールの消失を確認後、水８０ｇを５０℃以下で滴下し
た。分液により水層を除いた後、濃縮し粗Ｎ−ベンゼン
スルホニル−３−（３−ニトロベンゾイル）インドール
を１３．６６ｇ得た。（含量 ８０％ 収率 ９０％対
Ｎ−ベンゼンスルホニルインドール） 得られた粗Ｎ−ベンゼンスルホニル−３−（３−ニトロ
ベンゾイル）インドール１３．６６ｇに水１００ｇ、メ
タノール３００ｇ、炭酸カリウム１９．３３ｇ（１４０
ｍｍｏｌ）を加え還流下攪拌した。ＴＬＣによりＮ−ベ
ンゼンスルホニル−３−（３−ニトロベンゾイル）イン
ドールの消失確認後、溶媒を留去した。酢酸エチル２０
０ｇ、水１００ｇを加え抽出し、分液により水層を除
き、有機層を水１００ｇで洗浄後溶媒を留去し粗生成物
を得た。これを酢酸エチルにより再結晶し３−（３−ニ
トロベンゾイル）インドール６．６２ｇを黄色結晶とし
て得た。（収率 ８０％ 対 Ｎ−ベンゼンスルホニル
インドール）
ｇ（３１．５０ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中
に室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．８０ｇ（３１．
２６ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。
同温で１時間攪拌後、参考例２で得られたＮ−ベンゼン
スルホニルインドール８．０ｇ（３１．０９ｍｍｏｌ）
のニトロメタン１７ｇ溶液を室温で滴下し、同温で１時
間攪拌した。ＴＬＣによりＮ−ベンゼンスルホニルイン
ドールの消失を確認後、水８０ｇを５０℃以下で滴下し
た。分液により水層を除いた後、濃縮し粗Ｎ−ベンゼン
スルホニル−３−（３−ニトロベンゾイル）インドール
を１３．６６ｇ得た。（含量 ８０％ 収率 ９０％対
Ｎ−ベンゼンスルホニルインドール） 得られた粗Ｎ−ベンゼンスルホニル−３−（３−ニトロ
ベンゾイル）インドール１３．６６ｇに水１００ｇ、メ
タノール３００ｇ、炭酸カリウム１９．３３ｇ（１４０
ｍｍｏｌ）を加え還流下攪拌した。ＴＬＣによりＮ−ベ
ンゼンスルホニル−３−（３−ニトロベンゾイル）イン
ドールの消失確認後、溶媒を留去した。酢酸エチル２０
０ｇ、水１００ｇを加え抽出し、分液により水層を除
き、有機層を水１００ｇで洗浄後溶媒を留去し粗生成物
を得た。これを酢酸エチルにより再結晶し３−（３−ニ
トロベンゾイル）インドール６．６２ｇを黄色結晶とし
て得た。（収率 ８０％ 対 Ｎ−ベンゼンスルホニル
インドール）
【００４２】（実施例１５）塩化アルミニウム４．１５
ｇ（３１．１２ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中
に室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．７５ｇ（３０．
９９ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。
同温で１時間攪拌後、参考例３で得られたＮ−メタンス
ルホニルインドール６．０ｇ（３０．７３ｍｍｏｌ）の
ニトロメタン１０ｇ溶液を室温で滴下し、同温で１時間
攪拌した。ＴＬＣによりＮ−メタンスルホニルインドー
ルの消失を確認後、水８０ｇを５０℃以下で滴下した。
分液により水層を除いた後、濃縮し粗Ｎ−メタンスルホ
ニル−３−（３−ニトロベンゾイル）インドール９．４
ｇを得た。（含量 ９０％ 収率 ８０％ 対 Ｎ−メ
タンスルホニルインドール） 得られた粗Ｎ−メタンスルホニル−３−（３−ニトロベ
ンゾイル）インドール９．４ｇに水１００ｇ、メタノー
ル３００ｇ、炭酸カリウム１９．３３ｇ（１４０ｍｍｏ
ｌ）を加え還流下攪拌した。ＴＬＣによりＮ−メタンス
ルホニル−３−（３−ニトロベンゾイル）インドールの
消失確認後、溶媒を留去した。酢酸エチル２００ｇ、水
１００ｇを加え抽出し分液により水層を除き、有機層を
水１００ｇで洗浄後溶媒を留去し粗生成物を得た。これ
を酢酸エチルにより再結晶し３−（３−ニトロベンゾイ
ル）インドール６．２２ｇを黄色結晶として得た。（収
率７６％ 対 Ｎ−メタンスルホニルインドール）
ｇ（３１．１２ｍｍｏｌ）のニトロメタン２５ｇ溶液中
に室温で塩化３−ニトロベンゾイル５．７５ｇ（３０．
９９ｍｍｏｌ）のニトロメタン１０ｇ溶液を滴下した。
同温で１時間攪拌後、参考例３で得られたＮ−メタンス
ルホニルインドール６．０ｇ（３０．７３ｍｍｏｌ）の
ニトロメタン１０ｇ溶液を室温で滴下し、同温で１時間
攪拌した。ＴＬＣによりＮ−メタンスルホニルインドー
ルの消失を確認後、水８０ｇを５０℃以下で滴下した。
分液により水層を除いた後、濃縮し粗Ｎ−メタンスルホ
ニル−３−（３−ニトロベンゾイル）インドール９．４
ｇを得た。（含量 ９０％ 収率 ８０％ 対 Ｎ−メ
タンスルホニルインドール） 得られた粗Ｎ−メタンスルホニル−３−（３−ニトロベ
ンゾイル）インドール９．４ｇに水１００ｇ、メタノー
ル３００ｇ、炭酸カリウム１９．３３ｇ（１４０ｍｍｏ
ｌ）を加え還流下攪拌した。ＴＬＣによりＮ−メタンス
ルホニル−３−（３−ニトロベンゾイル）インドールの
消失確認後、溶媒を留去した。酢酸エチル２００ｇ、水
１００ｇを加え抽出し分液により水層を除き、有機層を
水１００ｇで洗浄後溶媒を留去し粗生成物を得た。これ
を酢酸エチルにより再結晶し３−（３−ニトロベンゾイ
ル）インドール６．２２ｇを黄色結晶として得た。（収
率７６％ 対 Ｎ−メタンスルホニルインドール）
【００４３】（実施例１６）インド−ル５．０ｇ（４
２．７ｍｍｏｌ）と硫酸水素テトラブチルアンモニウム
１．４４ｇ（４．２４ｍｍｏｌ）をトルエン１１０ｇと
４８％水酸化ナトリウム水６０ｇの混合溶媒に溶解し
た。塩化ｐ−トルエンスルホニル１２．２６ｇ（６４．
３０ｍｍｏｌ）のトルエン１５０ｍＬ溶液を室温で１時
間かけて滴下し、同温で４時間攪拌した。ＴＬＣにより
インドールの消失を確認した後、水１５０ｇを加え、水
層を分液し、トルエンを留去し粗Ｎ−（ｐ−トルエンス
ルホニル）インドール１１．５９ｇを得た。（含量 ９
８％ 収率 ９８％ 対インドール）塩化アルミニウム
５．５８ｇ（４１．８５ｍｍｏｌ）のニトロメタン３０
ｇ溶液中に室温で塩化３−ニトロベンゾイル７．７７ｇ
（４１．８７ｍｍｏｌ）のニトロメタン１５ｇ溶液を滴
下した。同温で１時間攪拌後前述の粗Ｎ−（ｐ−トルエ
ンスルホニル）インドール１１．５９ｇのニトロメタン
３０ｇ溶液を室温で滴下し、同温で１時間攪拌した。Ｔ
ＬＣによりＮ−（ｐ−トルエンスルホニル）インドール
の消失を確認後、水８０ｇを５０℃以下で滴下した。分
液により水層を除いた後、濃縮し粗３−（３−ニトロベ
ンゾイル）−Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）インドー
ル１９．０５ｇを得た。（含量 ８０％ 収率８８％
対 インドール） 得られた粗３−（３−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−
トルエンスルホニル）インドール１９．０５ｇに水１０
０ｇ、メタノール３００ｇ、炭酸カリウム２６．０ｇ
（１８８．１ｍｍｏｌ）を加え還流下２時間攪拌した。
ＴＬＣにより３−（３−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ
−トルエンスルホニル）インドールの消失確認後、溶媒
を留去した。酢酸エチル２００ｇ、水１００ｇを加え抽
出し、分液により水層を除き、有機層を水１００ｇで洗
浄後溶媒を留去し粗生成物を得た。これを酢酸エチルに
より再結晶し３−（３−ニトロベンゾイル）インドール
９．６６ｇを黄色結晶として得た。（収率 ８５％対
インドール）
２．７ｍｍｏｌ）と硫酸水素テトラブチルアンモニウム
１．４４ｇ（４．２４ｍｍｏｌ）をトルエン１１０ｇと
４８％水酸化ナトリウム水６０ｇの混合溶媒に溶解し
た。塩化ｐ−トルエンスルホニル１２．２６ｇ（６４．
３０ｍｍｏｌ）のトルエン１５０ｍＬ溶液を室温で１時
間かけて滴下し、同温で４時間攪拌した。ＴＬＣにより
インドールの消失を確認した後、水１５０ｇを加え、水
層を分液し、トルエンを留去し粗Ｎ−（ｐ−トルエンス
ルホニル）インドール１１．５９ｇを得た。（含量 ９
８％ 収率 ９８％ 対インドール）塩化アルミニウム
５．５８ｇ（４１．８５ｍｍｏｌ）のニトロメタン３０
ｇ溶液中に室温で塩化３−ニトロベンゾイル７．７７ｇ
（４１．８７ｍｍｏｌ）のニトロメタン１５ｇ溶液を滴
下した。同温で１時間攪拌後前述の粗Ｎ−（ｐ−トルエ
ンスルホニル）インドール１１．５９ｇのニトロメタン
３０ｇ溶液を室温で滴下し、同温で１時間攪拌した。Ｔ
ＬＣによりＮ−（ｐ−トルエンスルホニル）インドール
の消失を確認後、水８０ｇを５０℃以下で滴下した。分
液により水層を除いた後、濃縮し粗３−（３−ニトロベ
ンゾイル）−Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）インドー
ル１９．０５ｇを得た。（含量 ８０％ 収率８８％
対 インドール） 得られた粗３−（３−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ−
トルエンスルホニル）インドール１９．０５ｇに水１０
０ｇ、メタノール３００ｇ、炭酸カリウム２６．０ｇ
（１８８．１ｍｍｏｌ）を加え還流下２時間攪拌した。
ＴＬＣにより３−（３−ニトロベンゾイル）−Ｎ−（ｐ
−トルエンスルホニル）インドールの消失確認後、溶媒
を留去した。酢酸エチル２００ｇ、水１００ｇを加え抽
出し、分液により水層を除き、有機層を水１００ｇで洗
浄後溶媒を留去し粗生成物を得た。これを酢酸エチルに
より再結晶し３−（３−ニトロベンゾイル）インドール
９．６６ｇを黄色結晶として得た。（収率 ８５％対
インドール）
【００４４】（実施例１７）インド−ル５．０ｇ（４
２．７ｍｍｏｌ）と硫酸水素テトラブチルアンモニウム
１．４４ｇ（４．２４ｍｍｏｌ）をトルエン１１０ｇと
４８％水酸化ナトリウム水６０ｇの混合溶媒に溶解し
た。塩化ベンゼンスルホニル１１．３２ｇ（６４．０９
ｍｍｏｌ）のトルエン５５ｇ溶液を室温で１時間かけて
滴下し、同温で４時間攪拌した。ＴＬＣによりインドー
ルの消失を確認した後、水１５０ｇを加え、水層を分液
し、トルエンを留去し粗Ｎ−ベンゼンスルホニルインド
ール１０．６５ｇを得た。（含量 ９８％ 収率 ９５
％ 対インドール） 別途、塩化アルミニウム５．４１ｇ（４０．５７ｍｍｏ
ｌ）のニトロメタン３０ｇ溶液中に室温で塩化３−ニト
ロベンゾイル７．５３ｇ（４０．５８ｍｍｏｌ）のニト
ロメタン１５ｇ溶液を滴下した。同温で１時間攪拌後、
上記で得られた粗Ｎ−ベンゼンスルホニルインドール１
０．６５ｇのニトロメタン３０ｇ溶液を室温で滴下し、
同温で１時間攪拌した。ＴＬＣによりＮ−ベンゼンスル
ホニルインドールの消失を確認後、水８０ｇを５０℃以
下で滴下した。分液により水層を除いた後、濃縮し粗Ｎ
−ベンゼンスルホニル−３−（３−ニトロベンゾイル）
インドール１６．６７ｇを得た。（含量 ８５％ 収率
８５％ 対 インドール）上記粗Ｎ−ベンゼンスルホニ
ル−３−（３−ニトロベンゾイル）インドール１６．６
７ｇに水１００ｇ、メタノール３００ｇ、炭酸カリウム
２５．０ｇ（１８０．８ｍｍｏｌ）を加え還流下攪拌し
た。ＴＬＣによりＮ−ベンゼンスルホニル−３−（３−
ニトロベンゾイル）インドールの消失確認後、溶媒を留
去した。酢酸エチル２００ｇ、水１００ｇを加え抽出
し、分液により水層を除き、有機層を水１００ｇで洗浄
後溶媒を留去し粗生成物を得た。これを酢酸エチルによ
り再結晶し３−（３−ニトロベンゾイル）インドール
９．１０ｇを黄色結晶として得た。（収率 ８０％ 対
インドール）
２．７ｍｍｏｌ）と硫酸水素テトラブチルアンモニウム
１．４４ｇ（４．２４ｍｍｏｌ）をトルエン１１０ｇと
４８％水酸化ナトリウム水６０ｇの混合溶媒に溶解し
た。塩化ベンゼンスルホニル１１．３２ｇ（６４．０９
ｍｍｏｌ）のトルエン５５ｇ溶液を室温で１時間かけて
滴下し、同温で４時間攪拌した。ＴＬＣによりインドー
ルの消失を確認した後、水１５０ｇを加え、水層を分液
し、トルエンを留去し粗Ｎ−ベンゼンスルホニルインド
ール１０．６５ｇを得た。（含量 ９８％ 収率 ９５
％ 対インドール） 別途、塩化アルミニウム５．４１ｇ（４０．５７ｍｍｏ
ｌ）のニトロメタン３０ｇ溶液中に室温で塩化３−ニト
ロベンゾイル７．５３ｇ（４０．５８ｍｍｏｌ）のニト
ロメタン１５ｇ溶液を滴下した。同温で１時間攪拌後、
上記で得られた粗Ｎ−ベンゼンスルホニルインドール１
０．６５ｇのニトロメタン３０ｇ溶液を室温で滴下し、
同温で１時間攪拌した。ＴＬＣによりＮ−ベンゼンスル
ホニルインドールの消失を確認後、水８０ｇを５０℃以
下で滴下した。分液により水層を除いた後、濃縮し粗Ｎ
−ベンゼンスルホニル−３−（３−ニトロベンゾイル）
インドール１６．６７ｇを得た。（含量 ８５％ 収率
８５％ 対 インドール）上記粗Ｎ−ベンゼンスルホニ
ル−３−（３−ニトロベンゾイル）インドール１６．６
７ｇに水１００ｇ、メタノール３００ｇ、炭酸カリウム
２５．０ｇ（１８０．８ｍｍｏｌ）を加え還流下攪拌し
た。ＴＬＣによりＮ−ベンゼンスルホニル−３−（３−
ニトロベンゾイル）インドールの消失確認後、溶媒を留
去した。酢酸エチル２００ｇ、水１００ｇを加え抽出
し、分液により水層を除き、有機層を水１００ｇで洗浄
後溶媒を留去し粗生成物を得た。これを酢酸エチルによ
り再結晶し３−（３−ニトロベンゾイル）インドール
９．１０ｇを黄色結晶として得た。（収率 ８０％ 対
インドール）
Claims (5)
- 【請求項１】一般式（１） （式中、Ｒ1 は、鎖状もしくは環状アルキル基、または
ニトロもしくはアルキルで置換されていてもよいアリー
ル基を示し、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は、同一ま
たは相異なり、水素原子、鎖状もしくは環状アルキル
基、低級アルコキシ基、フェニルアルコキシ基またはニ
トロ、ハロゲン、アルキルもしくはアルコキシで置換さ
れていてもよいアリール基を示す。）で示される３−
（ニトロベンゾイル）−Ｎ−スルホニルインドール誘導
体と無機塩基とを反応させることを特徴とする一般式
（４） （式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は、前記と同じ
意味を表わす。）で示される３−（ニトロベンゾイル）
−インドール誘導体の製造法。 - 【請求項２】一般式（２） （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は、前記
と同じ意味を表わす。）で示されるＮ−スルホニルイン
ドール誘導体と一般式（３） （式中、Ｘはハロゲンを示す。）で示されるハロゲン化
ニトロベンゾイルとを、ルイス酸の存在下反応させ一般
式（１）で示される３−（ニトロベンゾイル）−Ｎ−ス
ルホニルインドール誘導体を得、次いで、 該誘導体と無
機塩基とを反応させることを特徴とする一般式（４）で
示される３−（ニトロベンゾイル）−インド−ル誘導体
の製造法。 - 【請求項３】一般式（５） （式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は、前記と同じ
意味を表わす。）で示されるインドール誘導体と一般式
（６） （式中、Ｒ1 およびＸは、前記と同じ意味を表わす。）
で示されるハロゲン化スルホニルとを、相間移動触媒と
無機塩基の存在下反応させ一般式（２）で示されるＮ−
スルホニルインドール誘導体を得、次いで該誘導体と一
般式（３）で示されるハロゲン化ニトロベンゾイルと
を、ルイス酸の存在下反応させ一般式（１）で示される
３−（ニトロベンゾイル）−Ｎ−スルホニルインドール
誘導体を得、次いで、 該誘導体と無機塩基とを反応させ
ることを特徴とする一般式（４）で示される３−（ニト
ロベンゾイル）−インド−ル誘導体の製造法。 - 【請求項４】一般式（２）で示されるＮ−スルホニルイ
ンドール誘導体と一般式（３）で示されるハロゲン化ニ
トロベンゾイルとを、ルイス酸の存在下反応させること
を特徴とする一般式（１）で示される３−（ニトロベン
ゾイル）−Ｎ−スルホニルインドール誘導体の製造法。 - 【請求項５】一般式（１）で示される３−（ニトロベン
ゾイル）−Ｎ−スルホニルインドール誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP657097A JPH10195048A (ja) | 1997-01-17 | 1997-01-17 | ３−（ニトロベンゾイル）インドール誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP657097A JPH10195048A (ja) | 1997-01-17 | 1997-01-17 | ３−（ニトロベンゾイル）インドール誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10195048A true JPH10195048A (ja) | 1998-07-28 |
Family
ID=11642005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP657097A Pending JPH10195048A (ja) | 1997-01-17 | 1997-01-17 | ３−（ニトロベンゾイル）インドール誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10195048A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100365458B1 (ko) * | 1999-10-01 | 2002-12-18 | 화이자 인코포레이티드 | 아실화 방법 |
| US6787651B2 (en) | 2000-10-10 | 2004-09-07 | Smithkline Beecham Corporation | Substituted indoles, pharmaceutical compounds containing such indoles and their use as PPAR-γ binding agents |
-
1997
- 1997-01-17 JP JP657097A patent/JPH10195048A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100365458B1 (ko) * | 1999-10-01 | 2002-12-18 | 화이자 인코포레이티드 | 아실화 방법 |
| US6787651B2 (en) | 2000-10-10 | 2004-09-07 | Smithkline Beecham Corporation | Substituted indoles, pharmaceutical compounds containing such indoles and their use as PPAR-γ binding agents |
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