JPH10189808A - 半導体パッケ−ジ用チップ支持基板 - Google Patents
半導体パッケ−ジ用チップ支持基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 生産性に優れる反りの少ない小型半導体パッ
ケ−ジ用チップ支持基板を提供する。 【解決手段】 ポリイミドベースフィルムの配線形成面
に９μｍ厚でポリイミド接着剤を塗布し、反対面に１２
μｍ厚でポリイミド接着剤を塗布したポリイミドボンデ
ィングシート１に、アウター接続部３及び貫通穴９をド
リル加工で形成する。銅箔を接着後、インナー接続部及
び展開配線２を通常のエッチング法で形成する（図１
ａ）。支持基板の半導体チップ搭載領域に、ダイボンド
フィルムを仮接着し（図１ｂ）、半導体チップ６を支持
基板の所定の位置に接着し半導体チップ電極とインナー
接続部を、金ワイヤ５をボンディングして電気的に接続
する（図１ｃ）。半導体封止用エポキシ樹脂７で封止し
（図１ｄ）、アウター接続部にはんだボール８を配置し
溶融させ（図１ｅ）、パンチにより個々のパッケージに
分離し半導体パッケージを得る（図１ｆ）。外部基板１
０に実装する（図１ｇ）。
ケ−ジ用チップ支持基板を提供する。 【解決手段】 ポリイミドベースフィルムの配線形成面
に９μｍ厚でポリイミド接着剤を塗布し、反対面に１２
μｍ厚でポリイミド接着剤を塗布したポリイミドボンデ
ィングシート１に、アウター接続部３及び貫通穴９をド
リル加工で形成する。銅箔を接着後、インナー接続部及
び展開配線２を通常のエッチング法で形成する（図１
ａ）。支持基板の半導体チップ搭載領域に、ダイボンド
フィルムを仮接着し（図１ｂ）、半導体チップ６を支持
基板の所定の位置に接着し半導体チップ電極とインナー
接続部を、金ワイヤ５をボンディングして電気的に接続
する（図１ｃ）。半導体封止用エポキシ樹脂７で封止し
（図１ｄ）、アウター接続部にはんだボール８を配置し
溶融させ（図１ｅ）、パンチにより個々のパッケージに
分離し半導体パッケージを得る（図１ｆ）。外部基板１
０に実装する（図１ｇ）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケ−ジ
用チップ支持基板に関する。
用チップ支持基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の集積度が向上するに従い、入出
力端子数が増加している。従って、多くの入出力端子数
を有する半導体パッケージが必要になった。一般に、入
出力端子はパッケージの周辺に一列配置するタイプと、
周辺だけでなく内部まで多列に配置するタイプがある。
前者は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）が代表的である。これを多端子化する場合は、端子
ピッチを縮小することが必要であるが、０．５ｍｍピッ
チ以下の領域では、配線板との接続に高度な技術が必要
になる。後者のアレイタイプは比較的大きなピッチで端
子配列が可能なため、多ピン化に適している。従来、ア
レイタイプは接続ピンを有するＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉ
ｄ Ａｒｒａｙ）が一般的であるが、配線板との接続は
挿入型となり、表面実装には適していない。このため、
表面実装可能なＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）と称するパッケージが開発されている。
力端子数が増加している。従って、多くの入出力端子数
を有する半導体パッケージが必要になった。一般に、入
出力端子はパッケージの周辺に一列配置するタイプと、
周辺だけでなく内部まで多列に配置するタイプがある。
前者は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）が代表的である。これを多端子化する場合は、端子
ピッチを縮小することが必要であるが、０．５ｍｍピッ
チ以下の領域では、配線板との接続に高度な技術が必要
になる。後者のアレイタイプは比較的大きなピッチで端
子配列が可能なため、多ピン化に適している。従来、ア
レイタイプは接続ピンを有するＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉ
ｄ Ａｒｒａｙ）が一般的であるが、配線板との接続は
挿入型となり、表面実装には適していない。このため、
表面実装可能なＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）と称するパッケージが開発されている。
【０００３】一方、電子機器の小型化に伴って、パッケ
ージサイズの更なる小型化の要求が強くなってきた。こ
の小型化に対応するものとして、半導体チップとほぼ同
等サイズの、いわゆるチップサイズパッケージ（ＣＳ
Ｐ； Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）が提案さ
れている。これは、半導体チップの周辺部でなく、実装
領域内に外部配線基板との接続部を有するパッケージで
ある。具体例としては、バンプ付きポリイミドフィルム
を半導体チップの表面に接着し、チップと金リード線に
より電気的接続を図った後、エポキシ樹脂などをポッテ
ィングして封止したもの（ＮＩＫＫＥＩ ＭＡＴＥＲＩ
ＡＬＳ ＆ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ９４．４，Ｎｏ．
１４０，ｐ１８−１９）や、仮基板上に半導体チップ及
び外部配線基板との接続部に相当する位置に金属バンプ
を形成し、半導体チップをフェースダウンボンディング
後、仮基板上でトランスファーモールドしたもの（Ｓｍ
ａｌｌｅｓｔ Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ−Ｌｉｋｅ Ｐａｃ
ｋａｇｅ ＣＳＰ； ＴｈｅＳｅｃｏｎｄ ＶＬＳＩ
Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｆ Ｊａｐ
ａｎ，ｐ４６−５０，１９９４）などがある。
ージサイズの更なる小型化の要求が強くなってきた。こ
の小型化に対応するものとして、半導体チップとほぼ同
等サイズの、いわゆるチップサイズパッケージ（ＣＳ
Ｐ； Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）が提案さ
れている。これは、半導体チップの周辺部でなく、実装
領域内に外部配線基板との接続部を有するパッケージで
ある。具体例としては、バンプ付きポリイミドフィルム
を半導体チップの表面に接着し、チップと金リード線に
より電気的接続を図った後、エポキシ樹脂などをポッテ
ィングして封止したもの（ＮＩＫＫＥＩ ＭＡＴＥＲＩ
ＡＬＳ ＆ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ９４．４，Ｎｏ．
１４０，ｐ１８−１９）や、仮基板上に半導体チップ及
び外部配線基板との接続部に相当する位置に金属バンプ
を形成し、半導体チップをフェースダウンボンディング
後、仮基板上でトランスファーモールドしたもの（Ｓｍ
ａｌｌｅｓｔ Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ−Ｌｉｋｅ Ｐａｃ
ｋａｇｅ ＣＳＰ； ＴｈｅＳｅｃｏｎｄ ＶＬＳＩ
Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｆ Ｊａｐ
ａｎ，ｐ４６−５０，１９９４）などがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】各種提案されているＣ
ＳＰのなかでポリイミドフィルム基板を用いたＣＳＰは
信頼性とコストを両立できるももとして期待されてい
る。しかしながら、ポリイミドフィルム基板を従来から
ある金属フレームと同様の短冊状リードフレームに加工
し、既存の製造設備であるダイボンダ、ワイヤボンダ、
トランスファモールド機を用いて組み立て加工をする場
合、フィルム状の基板が反るために搬送中にひっかかる
など生産の自動化を阻害すしやすい。反り量は基板の
幅、厚さ、配線密度などに影響され、反りを少なく制御
することが重要な課題である。本発明は生産性に優れる
反りの少ない小型の半導体パッケ−ジ用チップ支持基板
を提供するものである。
ＳＰのなかでポリイミドフィルム基板を用いたＣＳＰは
信頼性とコストを両立できるももとして期待されてい
る。しかしながら、ポリイミドフィルム基板を従来から
ある金属フレームと同様の短冊状リードフレームに加工
し、既存の製造設備であるダイボンダ、ワイヤボンダ、
トランスファモールド機を用いて組み立て加工をする場
合、フィルム状の基板が反るために搬送中にひっかかる
など生産の自動化を阻害すしやすい。反り量は基板の
幅、厚さ、配線密度などに影響され、反りを少なく制御
することが重要な課題である。本発明は生産性に優れる
反りの少ない小型の半導体パッケ−ジ用チップ支持基板
を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体パッケ−
ジ用チップ支持基板は Ａ．絶縁性支持基板の一表面には複数組の配線が形成さ
れており、前記配線は少なくとも半導体チップ電極と接
続するインナ−接続部及び半導体チップ搭載領域部を備
えるものであり、 Ｂ．前記絶縁性支持基板には、前記絶縁性支持基板の前
記配線が形成されている箇所であって前記インナ−接続
部と導通するアウタ−接続部が設けらる箇所に、開口が
設けられており、 Ｃ．前記絶縁性支持基板には、前記配線の半導体チップ
搭載領域部含む半導体チップ搭載箇所に、チップを搭載
するための絶縁性のフィルム状接着材が形成されてお
り、 Ｄ．前記絶縁性支持基板の配線形成面には配線を接着す
るための第一の接着剤層が形成され、反対面には前記第
一の接接着剤層より厚い第二の接着剤層が形成されてい
ることを特徴とする。
ジ用チップ支持基板は Ａ．絶縁性支持基板の一表面には複数組の配線が形成さ
れており、前記配線は少なくとも半導体チップ電極と接
続するインナ−接続部及び半導体チップ搭載領域部を備
えるものであり、 Ｂ．前記絶縁性支持基板には、前記絶縁性支持基板の前
記配線が形成されている箇所であって前記インナ−接続
部と導通するアウタ−接続部が設けらる箇所に、開口が
設けられており、 Ｃ．前記絶縁性支持基板には、前記配線の半導体チップ
搭載領域部含む半導体チップ搭載箇所に、チップを搭載
するための絶縁性のフィルム状接着材が形成されてお
り、 Ｄ．前記絶縁性支持基板の配線形成面には配線を接着す
るための第一の接着剤層が形成され、反対面には前記第
一の接接着剤層より厚い第二の接着剤層が形成されてい
ることを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】絶縁性支持基板としては、ポリイ
ミド、エポキシ樹脂等のプラスチックフィルムが好適で
あり、このほかポリイミド、エポキシ樹脂、ポリイミド
等のプラスチックをガラス不織布等基材に含浸・硬化し
たもの等が使用できる。絶縁性支持基板の一表面に複数
組の配線を形成すには、第一の接着剤層に銅箔を接着し
てから銅箔をエッチングする方法、第一の接着剤層の上
の所定の箇所に銅めっきをする方法、それらを併用する
方法等が使用できる。また、本発明では配線形成面とは
反対の面にも配線形成面の第一の接着剤層より厚い第二
の接着剤層を形成することにより、各種要因により発生
する反り量を制御する。
ミド、エポキシ樹脂等のプラスチックフィルムが好適で
あり、このほかポリイミド、エポキシ樹脂、ポリイミド
等のプラスチックをガラス不織布等基材に含浸・硬化し
たもの等が使用できる。絶縁性支持基板の一表面に複数
組の配線を形成すには、第一の接着剤層に銅箔を接着し
てから銅箔をエッチングする方法、第一の接着剤層の上
の所定の箇所に銅めっきをする方法、それらを併用する
方法等が使用できる。また、本発明では配線形成面とは
反対の面にも配線形成面の第一の接着剤層より厚い第二
の接着剤層を形成することにより、各種要因により発生
する反り量を制御する。
【０００７】絶縁性支持基板に外部接続部、貫通穴など
の開口を設けるには、ドリル加工やパンチングなどの機
械加工、エキシマレーザや炭酸ガスレーザなどのレーザ
加工等により行うことができる。また、接着性のある絶
縁基材等に開口部をあらかじめ設け、それを銅箔等の配
線形成用金属箔と張り合わせる方法、銅箔付きまたはあ
らかじめ配線が形成された絶縁基材に開口部を設ける方
法、それらを併用する等が可能である。インナ−接続部
と導通するアウタ−接続部は、絶縁性支持基板開口部に
ハンダボール、めっき等によりバンプ等を形成すること
により作成することができる。これは、外部の基板等に
接続される。
の開口を設けるには、ドリル加工やパンチングなどの機
械加工、エキシマレーザや炭酸ガスレーザなどのレーザ
加工等により行うことができる。また、接着性のある絶
縁基材等に開口部をあらかじめ設け、それを銅箔等の配
線形成用金属箔と張り合わせる方法、銅箔付きまたはあ
らかじめ配線が形成された絶縁基材に開口部を設ける方
法、それらを併用する等が可能である。インナ−接続部
と導通するアウタ−接続部は、絶縁性支持基板開口部に
ハンダボール、めっき等によりバンプ等を形成すること
により作成することができる。これは、外部の基板等に
接続される。
【０００８】配線の半導体チップ搭載領域部含む半導体
チップ搭載箇所に、チップを搭載すフィルム状接着材を
形成する。絶縁性のフィルム状接着材は、半導体チップ
搭載のためのダイボンド材である。具体的には、化１
チップ搭載箇所に、チップを搭載すフィルム状接着材を
形成する。絶縁性のフィルム状接着材は、半導体チップ
搭載のためのダイボンド材である。具体的には、化１
【化１】 （ただし、ｎ＝２〜２０の整数を示す。）で表されるテ
トラカルボン酸二無水物（１）の含量が全テトラカルボ
ン酸二無水物の７０モル％以上であるテトラカルボン酸
二無水物と、ジアミンを反応させて得られるポリイミド
樹脂、更にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなるフィ
ルム状接着材がある。更にこれにシリカ、アルミナ、等
の無機物質フィラーを含有させることもできる。厚みに
ついては、絶縁性を確保できる限り薄くしたほうが吸湿
量が少ないために好ましい。接着前のフィルム状接着材
の厚みとしては、０．００５ｍｍ以上かつ０．０３０ｍ
ｍ以下が好ましく、さらには０．０１０ｍｍ以上かつ
０．０２０ｍｍ以下の範囲がより好ましい。
トラカルボン酸二無水物（１）の含量が全テトラカルボ
ン酸二無水物の７０モル％以上であるテトラカルボン酸
二無水物と、ジアミンを反応させて得られるポリイミド
樹脂、更にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなるフィ
ルム状接着材がある。更にこれにシリカ、アルミナ、等
の無機物質フィラーを含有させることもできる。厚みに
ついては、絶縁性を確保できる限り薄くしたほうが吸湿
量が少ないために好ましい。接着前のフィルム状接着材
の厚みとしては、０．００５ｍｍ以上かつ０．０３０ｍ
ｍ以下が好ましく、さらには０．０１０ｍｍ以上かつ
０．０２０ｍｍ以下の範囲がより好ましい。
【０００９】絶縁性支持基板の配線形成面には配線を接
着するための第一の接着剤層が形成され、反対面には前
記第一の接着剤層より厚い第二の接着剤層を形成する。
接着剤は特に限定されないがエポキシ樹脂やポリイミド
樹脂が好ましく、インナー接続の信頼性を確保するため
にはガラス転移温度が１５０℃以上の接着剤が好まし
い。配線を接着するために形成された第一の接着剤層に
対して、反対面の第二の接着剤層の厚さを１．１倍から
１．９倍にすることで、配線形成面の側を内側にして発
生する反りを低減することができる。この場合、反り量
はリードフレーム状支持基板端部の最大浮量で測定し、
２ｍｍ以下であれば、既存の製造設備であるダイボン
ダ、ワイヤボンダ、トランスファモールド機を用いて組
み立て加工をするときも、自動搬送や自動組み立てが可
能である。
着するための第一の接着剤層が形成され、反対面には前
記第一の接着剤層より厚い第二の接着剤層を形成する。
接着剤は特に限定されないがエポキシ樹脂やポリイミド
樹脂が好ましく、インナー接続の信頼性を確保するため
にはガラス転移温度が１５０℃以上の接着剤が好まし
い。配線を接着するために形成された第一の接着剤層に
対して、反対面の第二の接着剤層の厚さを１．１倍から
１．９倍にすることで、配線形成面の側を内側にして発
生する反りを低減することができる。この場合、反り量
はリードフレーム状支持基板端部の最大浮量で測定し、
２ｍｍ以下であれば、既存の製造設備であるダイボン
ダ、ワイヤボンダ、トランスファモールド機を用いて組
み立て加工をするときも、自動搬送や自動組み立てが可
能である。
【００１０】本発明の半導体パッケ−ジ用チップ支持基
板を使用して半導体パッケ−ジを製造する一例として
は、本発明の半導体パッケ−ジ用チップ支持基板のフィ
ルム状接着材の面に半導体チップを接着し、半導体チッ
プ電極を支持基板のインナ−接続部とワイヤーボンディ
ング等により接続する。さらに半導体チップの少なくと
も半導体チップ電極面を樹脂封止し、アウター接続部に
はんだボールを搭載することにより半導体パッケ−ジを
製造することが出来る。
板を使用して半導体パッケ−ジを製造する一例として
は、本発明の半導体パッケ−ジ用チップ支持基板のフィ
ルム状接着材の面に半導体チップを接着し、半導体チッ
プ電極を支持基板のインナ−接続部とワイヤーボンディ
ング等により接続する。さらに半導体チップの少なくと
も半導体チップ電極面を樹脂封止し、アウター接続部に
はんだボールを搭載することにより半導体パッケ−ジを
製造することが出来る。
【００１１】
【実施例】図１により、本発明の一実施例について説明
する。厚さ５０μｍのポリイミドベースフィルムの配線
形成面に９μｍ厚でポリイミド接着剤を塗布し、反対面
に１２μｍ厚でポリイミド接着剤を塗布した厚さ０．０
７１ｍｍのポリイミドボンディングシート１に、アウタ
ー接続部３及び貫通穴９をドリル加工で形成する。次に
厚さ０．０１８ｍｍの銅箔（日本電解製、商品名：ＳＬ
Ｐー１８）を接着後、インナー接続部及び展開配線２を
通常のエッチング法で形成する。さらに、露出している
配線に無電解ニッケルめっき（膜厚：５μｍ）、無電解
金めっき（膜厚：０．８μｍ）を順次施す（不図示）。
ここでは、無電解めっきを使用したが、電解めっきを用
いてもよい。次に打ち抜き金型を用いてフレーム状に打
ち抜き、複数組のインナー接続部、展開配線、アウター
接続部を形成した支持基板を準備する（図１ａ）。次に
支持基板の半導体チップ搭載領域に、ダイボンドフィル
ム４（日立化成工業株式会社製、商品名：ＤＦ−３３
５、厚み０．０１５ｍｍ）を仮接着する（図１ｂ）。仮
接着の条件は、例えば温度１６０℃、時間５秒、圧力３
ｋｇｆ／ｃｍ2である。この半導体パッケ−ジ用チップ
支持基板の反り量は０．２ｍｍであった。次にパッケー
ジ組み立て工程の作業性を確認するために以下の方法で
組み立てを行った。まず、仮接着したダイボンドフィル
ム４を用いて、半導体チップ６を支持基板の所定の位置
に接着する。接着条件は、例えば温度２２０℃、時間５
秒、圧力３００ｇｆ／ｃｍ↑２である。さらに、半導体
チップ電極とインナー接続部を、金ワイヤ５をボンディ
ングして電気的に接続する（図１ｃ）。このようにして
形成したものをトランスファモールド金型に装填し、半
導体封止用エポキシ樹脂７（日立化成工業（株）製、商
品名：ＣＬ−７７００）を用いて各々封止する（図１
ｄ）。その後、アウター接続部にはんだボール８を配置
し溶融させ（図１ｅ）、パンチにより個々のパッケージ
に分離し半導体パッケージが得られる（図１ｆ）。各組
み立て工程での作業性は良好であり、既存の装置を用い
て自動組み立てができた。最後に半導体パッケージを、
外部基板１０にＩＲリフロー（温度２３０℃）を用いて
実装する（図１ｇ）。
する。厚さ５０μｍのポリイミドベースフィルムの配線
形成面に９μｍ厚でポリイミド接着剤を塗布し、反対面
に１２μｍ厚でポリイミド接着剤を塗布した厚さ０．０
７１ｍｍのポリイミドボンディングシート１に、アウタ
ー接続部３及び貫通穴９をドリル加工で形成する。次に
厚さ０．０１８ｍｍの銅箔（日本電解製、商品名：ＳＬ
Ｐー１８）を接着後、インナー接続部及び展開配線２を
通常のエッチング法で形成する。さらに、露出している
配線に無電解ニッケルめっき（膜厚：５μｍ）、無電解
金めっき（膜厚：０．８μｍ）を順次施す（不図示）。
ここでは、無電解めっきを使用したが、電解めっきを用
いてもよい。次に打ち抜き金型を用いてフレーム状に打
ち抜き、複数組のインナー接続部、展開配線、アウター
接続部を形成した支持基板を準備する（図１ａ）。次に
支持基板の半導体チップ搭載領域に、ダイボンドフィル
ム４（日立化成工業株式会社製、商品名：ＤＦ−３３
５、厚み０．０１５ｍｍ）を仮接着する（図１ｂ）。仮
接着の条件は、例えば温度１６０℃、時間５秒、圧力３
ｋｇｆ／ｃｍ2である。この半導体パッケ−ジ用チップ
支持基板の反り量は０．２ｍｍであった。次にパッケー
ジ組み立て工程の作業性を確認するために以下の方法で
組み立てを行った。まず、仮接着したダイボンドフィル
ム４を用いて、半導体チップ６を支持基板の所定の位置
に接着する。接着条件は、例えば温度２２０℃、時間５
秒、圧力３００ｇｆ／ｃｍ↑２である。さらに、半導体
チップ電極とインナー接続部を、金ワイヤ５をボンディ
ングして電気的に接続する（図１ｃ）。このようにして
形成したものをトランスファモールド金型に装填し、半
導体封止用エポキシ樹脂７（日立化成工業（株）製、商
品名：ＣＬ−７７００）を用いて各々封止する（図１
ｄ）。その後、アウター接続部にはんだボール８を配置
し溶融させ（図１ｅ）、パンチにより個々のパッケージ
に分離し半導体パッケージが得られる（図１ｆ）。各組
み立て工程での作業性は良好であり、既存の装置を用い
て自動組み立てができた。最後に半導体パッケージを、
外部基板１０にＩＲリフロー（温度２３０℃）を用いて
実装する（図１ｇ）。
【００１２】
【発明の効果】ＣＳＰを安価に製造するために、既存の
金属リードフレームを用いたＱＦＰやＳＯＰなどのパッ
ケージ製造組み立て装置をそのま使うことが重要であ
る。本発明による半導体パッケ−ジ用チップ支持基板の
反り量は０．２ｍｍであり、反り量を２ｍｍ以下に制御
できたため既存の製造設備であるダイボンダ、ワイヤボ
ンダ、トランスファモールド機を用いて自動搬送や自動
組み立てが可能となり、良好な生産性を示した。信頼性
については、支持基板の半導体チップ搭載領域に露出し
た配線があるので、通常のペースト状接着材（銀ペース
ト、無銀ペースト）を使用すると、半導体チップと配線
がショートしてしまう恐れがある。本発明では、フィル
ム状接着材を用いているために信頼性も優れている。以
上、本発明の支持基板を用いることにより、信頼性に優
れる小型半導体パッケージを、既存の組み立て装置を使
い良好な生産性で製造することができる。
金属リードフレームを用いたＱＦＰやＳＯＰなどのパッ
ケージ製造組み立て装置をそのま使うことが重要であ
る。本発明による半導体パッケ−ジ用チップ支持基板の
反り量は０．２ｍｍであり、反り量を２ｍｍ以下に制御
できたため既存の製造設備であるダイボンダ、ワイヤボ
ンダ、トランスファモールド機を用いて自動搬送や自動
組み立てが可能となり、良好な生産性を示した。信頼性
については、支持基板の半導体チップ搭載領域に露出し
た配線があるので、通常のペースト状接着材（銀ペース
ト、無銀ペースト）を使用すると、半導体チップと配線
がショートしてしまう恐れがある。本発明では、フィル
ム状接着材を用いているために信頼性も優れている。以
上、本発明の支持基板を用いることにより、信頼性に優
れる小型半導体パッケージを、既存の組み立て装置を使
い良好な生産性で製造することができる。
【図１】本発明の一実施例を説明するための、半導体パ
ッケージ製造工程を示す断面図である。
ッケージ製造工程を示す断面図である。
１ ポリイミドボンディングシート ２ インナー接続部及び展開配線 ３ アウター接続部 ４ ダイボンドフィルム ５ 金ワイヤ ６ 半導体チップ ７ 半導体封止用エポキシ樹脂 ８ はんだボール ９ 外部基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 順雄 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】Ａ．絶縁性支持基板の一表面には複数組の
配線が形成されており、前記配線は少なくとも半導体チ
ップ電極と接続するインナ−接続部及び半導体チップ搭
載領域部を備えるものであり、 Ｂ．前記絶縁性支持基板には、前記絶縁性支持基板の前
記配線が形成されている箇所であって前記インナ−接続
部と導通するアウタ−接続部が設けらる箇所に、開口が
設けられており、 Ｃ．前記絶縁性支持基板には、前記配線の半導体チップ
搭載領域部含む半導体チップ搭載箇所に、チップを搭載
するための絶縁性のフィルム状接着材が形成されてお
り、 Ｄ．前記絶縁性支持基板の配線形成面には配線を接着す
るための第一の接着剤層が形成され、反対面には前記第
一の接接着剤層より厚い第二の接着剤層が形成されてい
ることを特徴とする半導体パッケ−ジ用チップ支持基
板。 - 【請求項２】第一の接着剤層にたいし第二の接着剤層の
厚みが１．１〜１．９倍である請求項１記載の導体パッ
ケ−ジ用チップ支持基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34346396A JP3393026B2 (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 半導体パッケ−ジ用チップ支持基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34346396A JP3393026B2 (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 半導体パッケ−ジ用チップ支持基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189808A true JPH10189808A (ja) | 1998-07-21 |
| JP3393026B2 JP3393026B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=18361728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34346396A Expired - Fee Related JP3393026B2 (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 半導体パッケ−ジ用チップ支持基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3393026B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100345075B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2002-07-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 칩 사이즈 패키지 |
| WO2013032277A2 (en) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Method of manufacturing substrate for chip packages and method of manufacturing chip package |
-
1996
- 1996-12-24 JP JP34346396A patent/JP3393026B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100345075B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2002-07-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 칩 사이즈 패키지 |
| WO2013032277A2 (en) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Method of manufacturing substrate for chip packages and method of manufacturing chip package |
| WO2013032277A3 (en) * | 2011-09-02 | 2013-04-25 | Lg Innotek Co., Ltd. | Method of manufacturing substrate for chip packages and method of manufacturing chip package |
| US9818714B2 (en) | 2011-09-02 | 2017-11-14 | Lg Innotek Co., Ltd. | Method of manufacturing substrate for chip packages and method of manufacturing chip package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3393026B2 (ja) | 2003-04-07 |
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