JPH10189083A - 高周波回路における信号入出力線と電極の接続構造 - Google Patents
高周波回路における信号入出力線と電極の接続構造Info
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- JPH10189083A JPH10189083A JP34311696A JP34311696A JPH10189083A JP H10189083 A JPH10189083 A JP H10189083A JP 34311696 A JP34311696 A JP 34311696A JP 34311696 A JP34311696 A JP 34311696A JP H10189083 A JPH10189083 A JP H10189083A
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- conductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板とパッケージ間の膨張・収縮差を吸収で
きるようにし信号入出力線の切断や接続部分のはがれを
回避する。 【解決手段】 内部に基板を有するパッケージに固定さ
れた同軸ケーブルの中心導体または中心導体に接続され
た金属導体の先端を基板上の電極に接続するものにおい
て、中心導体の露出長または金属導体の全長を同軸ケー
ブルのパッケージ固定位置または金属導体の場合には中
心導体との接続位置から電極の接続位置までの距離より
も若干長くする。中心導体の露出長または金属導体の全
長に余裕を持たせたため、この余裕分によって基板とパ
ッケージ間の膨張・収縮差が吸収され、信号入出力線の
切断や接続部分のはがれが確実に回避される。
きるようにし信号入出力線の切断や接続部分のはがれを
回避する。 【解決手段】 内部に基板を有するパッケージに固定さ
れた同軸ケーブルの中心導体または中心導体に接続され
た金属導体の先端を基板上の電極に接続するものにおい
て、中心導体の露出長または金属導体の全長を同軸ケー
ブルのパッケージ固定位置または金属導体の場合には中
心導体との接続位置から電極の接続位置までの距離より
も若干長くする。中心導体の露出長または金属導体の全
長に余裕を持たせたため、この余裕分によって基板とパ
ッケージ間の膨張・収縮差が吸収され、信号入出力線の
切断や接続部分のはがれが確実に回避される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路におけ
る信号入出力線と電極の接続構造に関し、低温（たとえ
ば１５０Ｋ以下）の環境下で動作する高周波回路に適用
する、信号入出力線と電極の接続構造に関する。
る信号入出力線と電極の接続構造に関し、低温（たとえ
ば１５０Ｋ以下）の環境下で動作する高周波回路に適用
する、信号入出力線と電極の接続構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】無線システムの受信性能を向上するに
は、空中線に近い高周波回路の一部（たとえば周波数フ
ィルタ）を高温超伝導体で構成するのが効果的である。
信号損失を局限してＳ／Ｎ比を大幅に改善できるからで
ある。さらに、高温超伝導体は低温に冷却して使用され
るが、高周波回路の他の部分（たとえば高周波増幅器や
混合器など）も一緒に冷却すれば、熱雑音を抑えてＳ／
Ｎ比を一層改善できるから好ましい。
は、空中線に近い高周波回路の一部（たとえば周波数フ
ィルタ）を高温超伝導体で構成するのが効果的である。
信号損失を局限してＳ／Ｎ比を大幅に改善できるからで
ある。さらに、高温超伝導体は低温に冷却して使用され
るが、高周波回路の他の部分（たとえば高周波増幅器や
混合器など）も一緒に冷却すれば、熱雑音を抑えてＳ／
Ｎ比を一層改善できるから好ましい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、室温で
組み立てられた高周波回路を低温環境下で使用すると、
回路各部の熱膨張率の違いから各部の膨張・収縮に差を
生じ、特に基板とパッケージ間に大きな差を生じるた
め、信号入出力線の接続部分に過大な応力が作用し、最
悪の場合には、信号入出力線の切断や接続部分のはがれ
といった致命的な障害を引き起こすという問題点があっ
た。
組み立てられた高周波回路を低温環境下で使用すると、
回路各部の熱膨張率の違いから各部の膨張・収縮に差を
生じ、特に基板とパッケージ間に大きな差を生じるた
め、信号入出力線の接続部分に過大な応力が作用し、最
悪の場合には、信号入出力線の切断や接続部分のはがれ
といった致命的な障害を引き起こすという問題点があっ
た。
【０００４】そこで、本発明は、基板とパッケージ間の
膨張・収縮差を吸収できるようにし、以て信号入出力線
の切断や接続部分のはがれといった不測事態の発生を確
実に回避することを目的とする。
膨張・収縮差を吸収できるようにし、以て信号入出力線
の切断や接続部分のはがれといった不測事態の発生を確
実に回避することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
内部に基板を有するパッケージに固定された同軸ケーブ
ルの中心導体または該中心導体に接続された金属導体の
先端を、前記基板上の電極に接続する、高周波回路にお
ける信号入出力線と電極の接続構造において、前記中心
導体の露出長または前記金属導体の全長を、前記同軸ケ
ーブルのパッケージ固定位置または金属導体の場合には
中心導体との接続位置から前記電極の接続位置までの距
離よりも若干長くしたことを特徴とする。
内部に基板を有するパッケージに固定された同軸ケーブ
ルの中心導体または該中心導体に接続された金属導体の
先端を、前記基板上の電極に接続する、高周波回路にお
ける信号入出力線と電極の接続構造において、前記中心
導体の露出長または前記金属導体の全長を、前記同軸ケ
ーブルのパッケージ固定位置または金属導体の場合には
中心導体との接続位置から前記電極の接続位置までの距
離よりも若干長くしたことを特徴とする。
【０００６】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記中心導体または前記金属導体に導電性
の弾性部材を用い、且つ、該弾性部材をたわませなが
ら、前記中心導体または前記金属導体の先端を前記電極
に接触させたことを特徴とする。請求項３記載の発明
は、請求項２記載の発明において、前記電極の接触面に
導電性薄膜を有することを特徴とする。
明において、前記中心導体または前記金属導体に導電性
の弾性部材を用い、且つ、該弾性部材をたわませなが
ら、前記中心導体または前記金属導体の先端を前記電極
に接触させたことを特徴とする。請求項３記載の発明
は、請求項２記載の発明において、前記電極の接触面に
導電性薄膜を有することを特徴とする。
【０００７】請求項４記載の発明は、請求項２記載の発
明において、前記電極の材料が超伝導体であり、且つ、
前記中心導体または前記金属導体の先端と該電極との接
触面積を少なくとも該超伝導体のコヒーレンス長の２乗
を下回らないように設定すると共に、該先端の凹凸の最
大値を該コヒーレンス長以下に設定したことを特徴とす
る。
明において、前記電極の材料が超伝導体であり、且つ、
前記中心導体または前記金属導体の先端と該電極との接
触面積を少なくとも該超伝導体のコヒーレンス長の２乗
を下回らないように設定すると共に、該先端の凹凸の最
大値を該コヒーレンス長以下に設定したことを特徴とす
る。
【０００８】請求項５記載の発明は、請求項１、２、３
または４記載の発明において、前記中心導体または前記
金属導体と前記電極との接続部分を覆う、導電性材料か
らなる覆いを設けたことを特徴とする。
または４記載の発明において、前記中心導体または前記
金属導体と前記電極との接続部分を覆う、導電性材料か
らなる覆いを設けたことを特徴とする。
【０００９】
【作用】請求項１記載の発明では、中心導体の露出長ま
たは前記金属導体の全長に余裕を持たせたため、この余
裕分によって、基板とパッケージ間の膨張・収縮差が吸
収され、信号入出力線の切断や接続部分のはがれといっ
た不測事態の発生が確実に回避される。
たは前記金属導体の全長に余裕を持たせたため、この余
裕分によって、基板とパッケージ間の膨張・収縮差が吸
収され、信号入出力線の切断や接続部分のはがれといっ
た不測事態の発生が確実に回避される。
【００１０】請求項２記載の発明では、信号入出力線の
先端があたかもプローブ接続の如く電極に接触するた
め、両者のずれが許容され、基板とパッケージ間の膨張
・収縮差の吸収作用が一層高められる。請求項３記載の
発明では、導電性薄膜によって接触抵抗が低減され、信
号損失が抑えられる。
先端があたかもプローブ接続の如く電極に接触するた
め、両者のずれが許容され、基板とパッケージ間の膨張
・収縮差の吸収作用が一層高められる。請求項３記載の
発明では、導電性薄膜によって接触抵抗が低減され、信
号損失が抑えられる。
【００１１】請求項４記載の発明では、超伝導体からな
る電極と信号入出力線の先端との接触界面を流れる電流
が非トンネル電流となり、電流キャリアによるコヒーレ
ンスの影響が回避され、信号損失の抑制が図られる。請
求項５記載の発明では、信号入出力線の先端部分が覆い
によって遮蔽されるため、周辺部分に対する電磁放射の
影響が回避される。
る電極と信号入出力線の先端との接触界面を流れる電流
が非トンネル電流となり、電流キャリアによるコヒーレ
ンスの影響が回避され、信号損失の抑制が図られる。請
求項５記載の発明では、信号入出力線の先端部分が覆い
によって遮蔽されるため、周辺部分に対する電磁放射の
影響が回避される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。図１、図２は本発明に係る、高周波回
路における信号入出力線と電極の接続構造の第１実施例
を示す図である。図１、図２において、１は金属のパッ
ケージである。パッケージ１には、図示を略した高周波
回路を有する基板２が実装され、さらに、パッケージ１
の側壁に形成された開口１ａに、同軸ケーブル３の先端
がはんだ付け等によって固定されている。
づいて説明する。図１、図２は本発明に係る、高周波回
路における信号入出力線と電極の接続構造の第１実施例
を示す図である。図１、図２において、１は金属のパッ
ケージである。パッケージ１には、図示を略した高周波
回路を有する基板２が実装され、さらに、パッケージ１
の側壁に形成された開口１ａに、同軸ケーブル３の先端
がはんだ付け等によって固定されている。
【００１３】ここで、図示の同軸ケーブル３は、所定厚
の誘電体１ａを間に中心導体１ｂと外部導体１ｃとを同
軸状に配置したものであり、中心導体１ｂを所定長Ｌａ
だけ露出させて、その露出部３ｄの先端を基板２の上の
電極４に接続しているが、本実施例のポイントは、上記
所定長Ｌａを、パッケージ１の内壁面から電極４の接続
点までの距離Ｌｂよりもα（余裕分と言う）だけ大きく
した点にある。
の誘電体１ａを間に中心導体１ｂと外部導体１ｃとを同
軸状に配置したものであり、中心導体１ｂを所定長Ｌａ
だけ露出させて、その露出部３ｄの先端を基板２の上の
電極４に接続しているが、本実施例のポイントは、上記
所定長Ｌａを、パッケージ１の内壁面から電極４の接続
点までの距離Ｌｂよりもα（余裕分と言う）だけ大きく
した点にある。
【００１４】このような構成において、パッケージ１へ
の同軸ケーブル３の取付けや基板２の実装などは、常温
（すなわち室温）で行われるが、基板２に形成された高
周波回路の一部に高温超伝導体が含まれる場合は、冷凍
機によってパッケージ１の少なくとも内部を低温に冷却
して使用されることになる。基板２の素材はストリップ
ライン構造であれば誘電体であり、一方、パッケージ１
の素材は金属であるから、両者の熱膨張率は大きく異な
っている。たとえば、誘電体の典型例はＭｇＯ、金属の
典型例はＣｕ（例えばＯＦＨＣ銅にＮｉ下地のＡｕメッ
キを施したもの）であり、この誘電体の比誘電率は、約
９．７（１０ＧＨｚ，７７Ｋ付近）で、熱膨張はΔＬ／
Ｌ293 ≒−１．３×１０-3（２９３〜７７Ｋ間）であ
る。一方、Ｃｕの熱膨張は、ΔＬ／Ｌ293 ≒−３．０×
１０-3（２９３〜７７Ｋ間）である。
の同軸ケーブル３の取付けや基板２の実装などは、常温
（すなわち室温）で行われるが、基板２に形成された高
周波回路の一部に高温超伝導体が含まれる場合は、冷凍
機によってパッケージ１の少なくとも内部を低温に冷却
して使用されることになる。基板２の素材はストリップ
ライン構造であれば誘電体であり、一方、パッケージ１
の素材は金属であるから、両者の熱膨張率は大きく異な
っている。たとえば、誘電体の典型例はＭｇＯ、金属の
典型例はＣｕ（例えばＯＦＨＣ銅にＮｉ下地のＡｕメッ
キを施したもの）であり、この誘電体の比誘電率は、約
９．７（１０ＧＨｚ，７７Ｋ付近）で、熱膨張はΔＬ／
Ｌ293 ≒−１．３×１０-3（２９３〜７７Ｋ間）であ
る。一方、Ｃｕの熱膨張は、ΔＬ／Ｌ293 ≒−３．０×
１０-3（２９３〜７７Ｋ間）である。
【００１５】したがって、動作時における基板２とパッ
ケージ１の収縮量は、明らかにパッケージ１の方が大き
く、パッケージ１の内壁面から電極４の接続点までの距
離Ｌｂが収縮量の差分だけ縮むため、同軸ケーブル３の
露出部３ｄに圧縮方向の応力が加わるが、本実施例で
は、露出部３ｄの長さＬａを、常温時の距離Ｌｂより、
少なくとも上記収縮量の差分以上長くして円弧状に“た
わませた部分”を設けたため、同部分によって、応力を
吸収して露出部３ｄへのストレスを緩和でき、露出部３
ｄを含む信号入出力線の切断や、電極４若しくは接続部
分のはがれを効果的に回避できるという、低温環境での
高周波信号を扱う電極の接続構造にとって、有益な効果
が得られる。
ケージ１の収縮量は、明らかにパッケージ１の方が大き
く、パッケージ１の内壁面から電極４の接続点までの距
離Ｌｂが収縮量の差分だけ縮むため、同軸ケーブル３の
露出部３ｄに圧縮方向の応力が加わるが、本実施例で
は、露出部３ｄの長さＬａを、常温時の距離Ｌｂより、
少なくとも上記収縮量の差分以上長くして円弧状に“た
わませた部分”を設けたため、同部分によって、応力を
吸収して露出部３ｄへのストレスを緩和でき、露出部３
ｄを含む信号入出力線の切断や、電極４若しくは接続部
分のはがれを効果的に回避できるという、低温環境での
高周波信号を扱う電極の接続構造にとって、有益な効果
が得られる。
【００１６】なお、図３は上記第１実施例の変形例であ
り、５は金属のパッケージ、６はパッケージ５に取り付
けられた同軸コネクタ、７は接地導体７ａと少なくとも
一つの電極７ｂを両面に有する基板、８は一端を同軸コ
ネクタ６の中心導体６ａに接続し他端を電極７ｂに接続
した金属導体である。この変形例では、金属導体８の全
長を、中心導体６ａとの接続位置から電極７ｂとの接続
位置までの距離Ｌｃよりも、少なくとも基板７とパッケ
ージ５の冷却による収縮量の差分の絶対値以上長くし、
円弧状に“たわませた部分”を設けている。このような
構成においても、上記第１実施例と同様の効果が得られ
る。
り、５は金属のパッケージ、６はパッケージ５に取り付
けられた同軸コネクタ、７は接地導体７ａと少なくとも
一つの電極７ｂを両面に有する基板、８は一端を同軸コ
ネクタ６の中心導体６ａに接続し他端を電極７ｂに接続
した金属導体である。この変形例では、金属導体８の全
長を、中心導体６ａとの接続位置から電極７ｂとの接続
位置までの距離Ｌｃよりも、少なくとも基板７とパッケ
ージ５の冷却による収縮量の差分の絶対値以上長くし、
円弧状に“たわませた部分”を設けている。このような
構成においても、上記第１実施例と同様の効果が得られ
る。
【００１７】または、図４に第２実施例を示すように、
上記第１実施例の露出部３ｄ（または上記変形例の金属
導体８）の先端を尖らせて、電極４（または７ｂ）に接
触させてもよい。この場合、接触抵抗を小さくするため
及び耐振性を高めるために、露出部３ｄ（または金属導
体８）を比較的剛性のある弾性部材（好ましくはベリリ
ウム銅、りん青銅またはタングステン等）とし、且つ、
その弾性部材をたわませながら電極４（または７ｂ）に
接触させるようにする。
上記第１実施例の露出部３ｄ（または上記変形例の金属
導体８）の先端を尖らせて、電極４（または７ｂ）に接
触させてもよい。この場合、接触抵抗を小さくするため
及び耐振性を高めるために、露出部３ｄ（または金属導
体８）を比較的剛性のある弾性部材（好ましくはベリリ
ウム銅、りん青銅またはタングステン等）とし、且つ、
その弾性部材をたわませながら電極４（または７ｂ）に
接触させるようにする。
【００１８】また、電極４（または７ｂ）が超伝導体で
構成されている場合は、図示のように、電極４（または
７ｂ）の表面に導電性薄膜９（金、銀、銅、カーボン等
の薄膜）を形成し、この導電性薄膜９に露出部３ｄ（ま
たは金属導体８）の先端を接触させるのが望ましい。あ
るいは、導電性薄膜９を用いないのであれば、図５に示
すように、露出部３ｄ（または金属導体８）の先端の凹
凸の最大値を当該超伝導体のコヒーレンス長ξ（注１）
以下に設定すると共に、電極４（または７ｂ）との接触
面積を、直径をξとする円の面積以上に設定するのが望
ましい。このようにすると、超伝導体からなる電極４
（または７ｂ）と信号入出力線の先端との接触界面を流
れる電流が非トンネル電流となり、電流キャリアによる
コヒーレンスの影響を回避して、信号損失の抑制を図る
ことができる。
構成されている場合は、図示のように、電極４（または
７ｂ）の表面に導電性薄膜９（金、銀、銅、カーボン等
の薄膜）を形成し、この導電性薄膜９に露出部３ｄ（ま
たは金属導体８）の先端を接触させるのが望ましい。あ
るいは、導電性薄膜９を用いないのであれば、図５に示
すように、露出部３ｄ（または金属導体８）の先端の凹
凸の最大値を当該超伝導体のコヒーレンス長ξ（注１）
以下に設定すると共に、電極４（または７ｂ）との接触
面積を、直径をξとする円の面積以上に設定するのが望
ましい。このようにすると、超伝導体からなる電極４
（または７ｂ）と信号入出力線の先端との接触界面を流
れる電流が非トンネル電流となり、電流キャリアによる
コヒーレンスの影響を回避して、信号損失の抑制を図る
ことができる。
【００１９】注１：ξは超伝導電子のコヒーレンスが保
たれる距離を表わす特性長で、１粒子波動関数Ψの絶対
値、すなわち超伝導電子密度の空間変化の目安となる量
である。臨界温度Ｔｃ付近の、Ｔｃより低い超伝導状態
において、ξ≒ｋ（Ｔｃ−Ｔ）-1/2という温度依存性を
持つ量として知られている。但し、ｋは比例係数、Ｔは
動作温度（Ｋ）である。
たれる距離を表わす特性長で、１粒子波動関数Ψの絶対
値、すなわち超伝導電子密度の空間変化の目安となる量
である。臨界温度Ｔｃ付近の、Ｔｃより低い超伝導状態
において、ξ≒ｋ（Ｔｃ−Ｔ）-1/2という温度依存性を
持つ量として知られている。但し、ｋは比例係数、Ｔは
動作温度（Ｋ）である。
【００２０】図６は、以上の各実施例に適用できる第３
実施例を示す図であり、露出部３ｄ（または金属導体
８）と電極４（または７ｂ）との接続部分に、導電性材
料からなる覆い１０を被せたものである。これによれ
ば、露出部３ｄ（または金属導体８）からの電磁放射が
覆い１０によって遮られるため、基板１（または５）に
設けられた他の回路部分への影響を回避できる。なお、
覆い１０の底面寸法Ａ、Ｂは、信号の１／４波長未満
（たとえば信号周波数が１０ＧＨｚであれば７．５ｍｍ
未満）にする必要があり、望ましくは、１／８波長未満
にするのがよい。信号の周波数域において、この覆いに
よる不要な電磁界の共振（定在波）を防ぐためである。
実施例を示す図であり、露出部３ｄ（または金属導体
８）と電極４（または７ｂ）との接続部分に、導電性材
料からなる覆い１０を被せたものである。これによれ
ば、露出部３ｄ（または金属導体８）からの電磁放射が
覆い１０によって遮られるため、基板１（または５）に
設けられた他の回路部分への影響を回避できる。なお、
覆い１０の底面寸法Ａ、Ｂは、信号の１／４波長未満
（たとえば信号周波数が１０ＧＨｚであれば７．５ｍｍ
未満）にする必要があり、望ましくは、１／８波長未満
にするのがよい。信号の周波数域において、この覆いに
よる不要な電磁界の共振（定在波）を防ぐためである。
【００２１】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、基板とパ
ッケージ間の膨張・収縮差を吸収でき、信号入出力線の
切断や接続部分のはがれといった不測事態の発生を確実
に回避できる。請求項２記載の発明によれば、信号入出
力線の先端と電極間のずれを許容して、基板とパッケー
ジ間の膨張・収縮差を一層確実に吸収できる。
ッケージ間の膨張・収縮差を吸収でき、信号入出力線の
切断や接続部分のはがれといった不測事態の発生を確実
に回避できる。請求項２記載の発明によれば、信号入出
力線の先端と電極間のずれを許容して、基板とパッケー
ジ間の膨張・収縮差を一層確実に吸収できる。
【００２２】請求項３記載の発明によれば、接触抵抗を
低減して信号損失を抑えることができる。請求項４記載
の発明によれば、トンネル電流の発生を回避して信号損
失を抑えることができる。請求項５記載の発明によれ
ば、信号入出力線の先端部分からの電磁放射の影響を回
避できる。
低減して信号損失を抑えることができる。請求項４記載
の発明によれば、トンネル電流の発生を回避して信号損
失を抑えることができる。請求項５記載の発明によれ
ば、信号入出力線の先端部分からの電磁放射の影響を回
避できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例の要部断面図である。
【図２】第１実施例の要部破断外観図である。
【図３】第１実施例の変形例の要部断面図である。
【図４】第２実施例の要部断面図である。
【図５】第２実施例の要部拡大図である。
【図６】第３実施例の要部外観図である。
１、５：パッケージ ２、７：基板 ３：同軸ケーブル ３ｂ：中心導体 ４、７ｂ：電極 ８：金属導体 ９：導電性薄膜 １０：覆い Ｌａ：露出長 Ｌｂ、Ｌｃ：距離 ξ：コヒーレンス長
Claims (5)
- 【請求項１】内部に基板を有するパッケージに固定され
た同軸ケーブルの中心導体または該中心導体に接続され
た金属導体の先端を、前記基板上の電極に接続する、高
周波回路における信号入出力線と電極の接続構造におい
て、 前記中心導体の露出長または前記金属導体の全長を、前
記同軸ケーブルのパッケージ固定位置または金属導体の
場合には中心導体との接続位置から前記電極の接続位置
までの距離よりも若干長くしたことを特徴とする、高周
波回路における信号入出力線と電極の接続構造。 - 【請求項２】前記中心導体または前記金属導体に導電性
の弾性部材を用い、且つ、該弾性部材をたわませなが
ら、前記中心導体または前記金属導体の先端を前記電極
に接触させたことを特徴とする請求項１記載の、高周波
回路における信号入出力線と電極の接続構造。 - 【請求項３】前記電極の接触面に導電性薄膜を有するこ
とを特徴とする請求項２記載の、高周波回路における信
号入出力線と電極の接続構造。 - 【請求項４】前記電極の材料が超伝導体であり、且つ、
前記中心導体または前記金属導体の先端と該電極との接
触面積を少なくとも該超伝導体のコヒーレンス長の２乗
を下回らないように設定すると共に、該先端の凹凸の最
大値を該コヒーレンス長以下に設定したことを特徴とす
る請求項２記載の、高周波回路における信号入出力線と
電極の接続構造。 - 【請求項５】前記中心導体または前記金属導体と前記電
極との接続部分を覆う、導電性材料からなる覆いを設け
たことを特徴とする請求項１、２、３または４記載の、
高周波回路における信号入出力線と電極の接続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34311696A JPH10189083A (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 高周波回路における信号入出力線と電極の接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34311696A JPH10189083A (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 高周波回路における信号入出力線と電極の接続構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189083A true JPH10189083A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18359063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34311696A Pending JPH10189083A (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 高周波回路における信号入出力線と電極の接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10189083A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1996
- 1996-12-24 JP JP34311696A patent/JPH10189083A/ja active Pending
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