JPH10188890A - ショートアーク型水銀ランプ - Google Patents
ショートアーク型水銀ランプInfo
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- JPH10188890A JPH10188890A JP35580596A JP35580596A JPH10188890A JP H10188890 A JPH10188890 A JP H10188890A JP 35580596 A JP35580596 A JP 35580596A JP 35580596 A JP35580596 A JP 35580596A JP H10188890 A JPH10188890 A JP H10188890A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光源の放射量増大の要求に対応した、放射輝
度が高く放射照度維持率の高いショートアーク型水銀ラ
ンプを提供すること。 【解決手段】 発光管内に水銀と希ガスが封入されてい
るショートアーク型水銀ランプにおいて、該陽極最先端
から管軸方向の２ｍｍの位置の陽極断面積をＳ（ｍ
ｍ2 ）、ランプ電流をＩ（Ａ）とする時、 ＩとＳが
０．９１７≦［（Ｉ／１０）2 ／Ｓ］0.5 ≦１．２７
（Ａ／ｍｍ）を満たすショートアーク型水銀ランプとす
る。さらに、少なくとも陽極最先端から管軸方向の２ｍ
ｍの幅を除いた、陽極先端域から陽極胴部にかけての陽
極表面にタングステン粉末が焼結されているショートア
ーク型水銀ランプとする。
度が高く放射照度維持率の高いショートアーク型水銀ラ
ンプを提供すること。 【解決手段】 発光管内に水銀と希ガスが封入されてい
るショートアーク型水銀ランプにおいて、該陽極最先端
から管軸方向の２ｍｍの位置の陽極断面積をＳ（ｍ
ｍ2 ）、ランプ電流をＩ（Ａ）とする時、 ＩとＳが
０．９１７≦［（Ｉ／１０）2 ／Ｓ］0.5 ≦１．２７
（Ａ／ｍｍ）を満たすショートアーク型水銀ランプとす
る。さらに、少なくとも陽極最先端から管軸方向の２ｍ
ｍの幅を除いた、陽極先端域から陽極胴部にかけての陽
極表面にタングステン粉末が焼結されているショートア
ーク型水銀ランプとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体露光装置に
用いられる高集光効率で光安定性のよいショートアーク
型水銀ランプに関する。
用いられる高集光効率で光安定性のよいショートアーク
型水銀ランプに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造工程のうち露光工程用
として中心波長３６５ｎｍ（以下ｉ線と称す）の紫外光
を放射するショートアーク型水銀ランプが使用されてい
る。半導体集積回路の集積度は年々高まり、それに伴っ
て露光時の解像度の要求も高くなってきている。さら
に、ウエハーの大口径化もあって、露光面積も大きくな
り、あるいは高解像度達成のために利用されている変形
照明技術によって光源からの紫外光放射量の増大が要求
されている。
として中心波長３６５ｎｍ（以下ｉ線と称す）の紫外光
を放射するショートアーク型水銀ランプが使用されてい
る。半導体集積回路の集積度は年々高まり、それに伴っ
て露光時の解像度の要求も高くなってきている。さら
に、ウエハーの大口径化もあって、露光面積も大きくな
り、あるいは高解像度達成のために利用されている変形
照明技術によって光源からの紫外光放射量の増大が要求
されている。
【０００３】さらに、半導体製造のラインを作るために
は莫大な設備投資が必要であり、その資金回収のため、
製品の単位時間当たりの生産高を表す指標であるスルー
プットを高めることも要求され、そのために、露光光源
にはより高い発光効率と集光効率が要求されている。
は莫大な設備投資が必要であり、その資金回収のため、
製品の単位時間当たりの生産高を表す指標であるスルー
プットを高めることも要求され、そのために、露光光源
にはより高い発光効率と集光効率が要求されている。
【０００４】従来、水銀ランプでは、集光効率を上げる
ために、陰極先端部の直径を小さくすることでアークの
放射輝度を上げる方法が提案されている。また、同様に
バッファーガスとして、ＡｒまたはＫｒを数気圧封入す
ることで放射輝度を上げることが提案されている。しか
し、それ以外に放射輝度を向上させる方法はなかった。
ために、陰極先端部の直径を小さくすることでアークの
放射輝度を上げる方法が提案されている。また、同様に
バッファーガスとして、ＡｒまたはＫｒを数気圧封入す
ることで放射輝度を上げることが提案されている。しか
し、それ以外に放射輝度を向上させる方法はなかった。
【０００５】なお、放射輝度が高く、より線状光源にま
たは、より点状光源に近づけば集光鏡の集光効率が高く
なることは既に知られている。さらに近年、大面積のワ
ークの露光技術等の進展に伴い、光源としてのランプに
はレチクル面での放射照度維持率の安定化が一層厳しく
要請されている。
たは、より点状光源に近づけば集光鏡の集光効率が高く
なることは既に知られている。さらに近年、大面積のワ
ークの露光技術等の進展に伴い、光源としてのランプに
はレチクル面での放射照度維持率の安定化が一層厳しく
要請されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の解決しようと
する課題は、上述したように光源の放射量増大の要求に
対応した、放射輝度が高く、放射照度維持率の高いショ
ートアーク型水銀ランプを提供することである。
する課題は、上述したように光源の放射量増大の要求に
対応した、放射輝度が高く、放射照度維持率の高いショ
ートアーク型水銀ランプを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項１に記載の発明のごとく、発光管内に陰極と
陽極が対向して配置されており、当該発光管内に水銀と
希ガスが封入されているショートアーク型水銀ランプに
おいて、該陽極最先端から管軸方向の２ｍｍの位置の陽
極断面積をＳ（ｍｍ2 ）、ランプ電流をＩ（Ａ）とする
とき、 ＩとＳが０．９１７≦［（Ｉ／１０）2 ／Ｓ］
0.5 ≦１．２７（Ａ／ｍｍ）の関係式を満たすショート
アーク型水銀ランプとする。
に、請求項１に記載の発明のごとく、発光管内に陰極と
陽極が対向して配置されており、当該発光管内に水銀と
希ガスが封入されているショートアーク型水銀ランプに
おいて、該陽極最先端から管軸方向の２ｍｍの位置の陽
極断面積をＳ（ｍｍ2 ）、ランプ電流をＩ（Ａ）とする
とき、 ＩとＳが０．９１７≦［（Ｉ／１０）2 ／Ｓ］
0.5 ≦１．２７（Ａ／ｍｍ）の関係式を満たすショート
アーク型水銀ランプとする。
【０００８】あるいは、請求項２に記載の発明のごと
く、少なくとも陽極最先端から管軸方向の２ｍｍの幅を
除いた、陽極先端域から陽極胴部にかけての陽極表面に
タングステン粉末の焼結層が形成されている請求項１記
載のショートアーク型水銀ランプとする。
く、少なくとも陽極最先端から管軸方向の２ｍｍの幅を
除いた、陽極先端域から陽極胴部にかけての陽極表面に
タングステン粉末の焼結層が形成されている請求項１記
載のショートアーク型水銀ランプとする。
【０００９】
【発明の実施の形態】つぎに本発明について図面を用い
て説明する。図１は本発明のショートアーク型水銀ラン
プの外観図を示す。石英ガラス製の発光管１の内部に陰
極２と陽極３が対向配置されており、それぞれの電極は
内部リード部材１２、１３を介して封止部６、７内部で
箔部８、９とそれぞれ接続されている。前記箔部８、９
には外部リード部材１０、１１がそれぞれ接続されてい
る。
て説明する。図１は本発明のショートアーク型水銀ラン
プの外観図を示す。石英ガラス製の発光管１の内部に陰
極２と陽極３が対向配置されており、それぞれの電極は
内部リード部材１２、１３を介して封止部６、７内部で
箔部８、９とそれぞれ接続されている。前記箔部８、９
には外部リード部材１０、１１がそれぞれ接続されてい
る。
【００１０】本発明の具体的な実験例について説明す
る。外径約５５ｍｍの略球形の石英ガラス製発光管内
に、タングステン製で直径が１５ｍｍφ、先端円錐角が
９０°、有効先端直径が９．０ｍｍの陽極と、酸化トリ
ウムを約２ｗｔ％含むタングステン製で有効先端直径が
１．０ｍｍの陰極が電極間距離４．０ｍｍで対向して配
置されており、水銀が発光管内の単位容積当たり４．５
ｍｇ／ｃｃ封入され、Ｘｅを室温で２ａｔｍ封入したラ
ンプを製作し、本発明を評価する上での基準ランプとし
てランプＡ１とした。
る。外径約５５ｍｍの略球形の石英ガラス製発光管内
に、タングステン製で直径が１５ｍｍφ、先端円錐角が
９０°、有効先端直径が９．０ｍｍの陽極と、酸化トリ
ウムを約２ｗｔ％含むタングステン製で有効先端直径が
１．０ｍｍの陰極が電極間距離４．０ｍｍで対向して配
置されており、水銀が発光管内の単位容積当たり４．５
ｍｇ／ｃｃ封入され、Ｘｅを室温で２ａｔｍ封入したラ
ンプを製作し、本発明を評価する上での基準ランプとし
てランプＡ１とした。
【００１１】なお、本願では、前記陰極および陽極のそ
れぞれの有効先端直径とは、放電に際してアークに覆わ
れていて有効に機能する電極の領域（有効先端領域）に
おける最大直径のことを意味し、陽極では陽極最先端か
ら管軸方向に２ｍｍ位置の直径であり、陰極の場合は陰
極最先端から管軸方向に０．５ｍｍまでの間の最大直径
である。陽極形状には種々の形のものがあり、代表的な
陽極形状の外観図を図３の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示
し、それぞれの陽極形状における陽極有効先端領域を示
す。また、図４には陽極有効先端領域４とアーク像２６
の位置関係を示す。
れぞれの有効先端直径とは、放電に際してアークに覆わ
れていて有効に機能する電極の領域（有効先端領域）に
おける最大直径のことを意味し、陽極では陽極最先端か
ら管軸方向に２ｍｍ位置の直径であり、陰極の場合は陰
極最先端から管軸方向に０．５ｍｍまでの間の最大直径
である。陽極形状には種々の形のものがあり、代表的な
陽極形状の外観図を図３の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示
し、それぞれの陽極形状における陽極有効先端領域を示
す。また、図４には陽極有効先端領域４とアーク像２６
の位置関係を示す。
【００１２】そして、陽極有効先端直径以外は前記基準
ランプＡ１と同じ仕様とし、表１のごとく陽極有効先端
直径を変えたランプを７種類製作した。ランプは定電力
電源により、約１５００Ｗの入力で、陰極を上にした姿
勢で点灯した。
ランプＡ１と同じ仕様とし、表１のごとく陽極有効先端
直径を変えたランプを７種類製作した。ランプは定電力
電源により、約１５００Ｗの入力で、陰極を上にした姿
勢で点灯した。
【００１３】
【表１】 実験に用いた試作ランプ
【００１４】ランプの集光効率は、図２に示した光学系
で測定した。すなわち、放電ランプ１４を出た光は回転
楕円鏡１５、平面反射鏡１６を経て、コリメイトレンズ
１７、中心波長３６５ｎｍでバンド幅１０ｎｍのバンド
パスフィルター１８へ到り、インテグレータレンズ１９
を通り、平面反射鏡２１で反射され、コンデンスレンズ
２２を通り、レチクル面２３上に到達する。そして、レ
チクル面２３上にシリコンフォトダイオード検出器２３
を配置した。この検出器２４の位置は常に固定し、各ラ
ンプを点灯してｉ線の放射照度を測定した。ランプＡ１
とランプＡ2 からランプＡ８までのｉ線放射照度の測定
結果を表２に示す。基準ランプＡ１のｉ線放射照度を１
として、各ランプのｉ線放射照度を相対値で表してあ
る。なお、電圧は２３．１Ｖ、電流（Ｉ）は６５Ａであ
り各ランプで同一条件とした。
で測定した。すなわち、放電ランプ１４を出た光は回転
楕円鏡１５、平面反射鏡１６を経て、コリメイトレンズ
１７、中心波長３６５ｎｍでバンド幅１０ｎｍのバンド
パスフィルター１８へ到り、インテグレータレンズ１９
を通り、平面反射鏡２１で反射され、コンデンスレンズ
２２を通り、レチクル面２３上に到達する。そして、レ
チクル面２３上にシリコンフォトダイオード検出器２３
を配置した。この検出器２４の位置は常に固定し、各ラ
ンプを点灯してｉ線の放射照度を測定した。ランプＡ１
とランプＡ2 からランプＡ８までのｉ線放射照度の測定
結果を表２に示す。基準ランプＡ１のｉ線放射照度を１
として、各ランプのｉ線放射照度を相対値で表してあ
る。なお、電圧は２３．１Ｖ、電流（Ｉ）は６５Ａであ
り各ランプで同一条件とした。
【００１５】
【表２】 陽極有効先端直径と相対ｉ線放射照度
【００１６】ここで、通常、光の放射照度の計測誤差は
１〜２％と言われており、また、４％を超えるといわゆ
る半導体製造工程の露光工程でのスループットが明らか
に改善されるということからも、基準ランプＡ１と比較
して相対ｉ線放射照度が４％以上増加した場合を効果が
あったとみなした。例えば、陽極有効先端直径を６．２
ｍｍとしたランプＡ６と陽極有効先端直径を９．０ｍｍ
とした基準ランプＡ１と比較すると、ランプＡ６の方が
露光機に搭載して使用した場合、レチクル面上のｉ線の
紫外線放射照度はランプＡ１よりも約１１％増加するこ
とがわかる。放射照度の増加はすなわちランプの放射輝
度の増加を意味する。表２の関係を図７に示す。
１〜２％と言われており、また、４％を超えるといわゆ
る半導体製造工程の露光工程でのスループットが明らか
に改善されるということからも、基準ランプＡ１と比較
して相対ｉ線放射照度が４％以上増加した場合を効果が
あったとみなした。例えば、陽極有効先端直径を６．２
ｍｍとしたランプＡ６と陽極有効先端直径を９．０ｍｍ
とした基準ランプＡ１と比較すると、ランプＡ６の方が
露光機に搭載して使用した場合、レチクル面上のｉ線の
紫外線放射照度はランプＡ１よりも約１１％増加するこ
とがわかる。放射照度の増加はすなわちランプの放射輝
度の増加を意味する。表２の関係を図７に示す。
【００１７】さらに陽極有効先端直径を小さくしたラン
プＡ８は、点灯初期のレチクル面上のｉ線の紫外線放射
照度がランプＡ１よりも約１４％増加したものの、点灯
後約１００時間で陽極先端が溶融変形し、著しいバルブ
黒化を生じた。したがって、Ａ３からＡ７のランプが実
用上使用可能であり、Ａ８のランプは放射照度維持率が
悪く使用できない。図５にはＡ１とＡ５、Ａ６、Ａ７、
Ａ８の５種類のランプの放射照度維持率曲線を示す。
プＡ８は、点灯初期のレチクル面上のｉ線の紫外線放射
照度がランプＡ１よりも約１４％増加したものの、点灯
後約１００時間で陽極先端が溶融変形し、著しいバルブ
黒化を生じた。したがって、Ａ３からＡ７のランプが実
用上使用可能であり、Ａ８のランプは放射照度維持率が
悪く使用できない。図５にはＡ１とＡ５、Ａ６、Ａ７、
Ａ８の５種類のランプの放射照度維持率曲線を示す。
【００１８】以上のように、ランプの灯具を用いた実験
では、ランプ電流（Ｉ）と陽極有効先端直径の位置の陽
極断面積（Ｓ）との関係が０．９１７≦［（Ｉ／１０）
2 ／Ｓ］0.5 ≦１．２７（Ａ／ｍｍ）を満足するとき、
レチクル面照度が効果的に向上することがわかった。
では、ランプ電流（Ｉ）と陽極有効先端直径の位置の陽
極断面積（Ｓ）との関係が０．９１７≦［（Ｉ／１０）
2 ／Ｓ］0.5 ≦１．２７（Ａ／ｍｍ）を満足するとき、
レチクル面照度が効果的に向上することがわかった。
【００１９】＜実施例２＞実施例１で実験したランプＡ
１、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８の６種類のランプとそれら
と同じ形状仕様の６種類のランプであって、少なくとも
陽極最先端から陽極軸方向の２ｍｍの幅を除いた陽極先
端域から陽極胴部にかけての陽極表面にタングステン粉
末の焼結層を形成したランプ５本の７５０時間点灯後の
ｉ線放射照度維持率を調べ、その結果を表３に示す。そ
のタングステン粉末の焼結層を形成したランプをランプ
Ｂ１、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８とした。
１、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８の６種類のランプとそれら
と同じ形状仕様の６種類のランプであって、少なくとも
陽極最先端から陽極軸方向の２ｍｍの幅を除いた陽極先
端域から陽極胴部にかけての陽極表面にタングステン粉
末の焼結層を形成したランプ５本の７５０時間点灯後の
ｉ線放射照度維持率を調べ、その結果を表３に示す。そ
のタングステン粉末の焼結層を形成したランプをランプ
Ｂ１、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８とした。
【００２０】
【表３】タングステン粉末の焼結層を陽極に形成したラ
ンプと形成していないランプの相対ｉ線放射照度維持率
ンプと形成していないランプの相対ｉ線放射照度維持率
【００２１】タングステン粉末の陽極表面への焼結は、
次のようにして行った。平均粒径５μｍのタングステン
粉末を酢酸ブチルとニトロセルロースに混ぜ、良く混合
した後、陽極に筆等で塗布した。塗布した領域は、陽極
最先端から陽極軸方向の２ｍｍの幅を除いた陽極先端域
から陽極胴部にかけての陽極表面である。そして、約２
０００°Ｃの真空高温炉中に約２時間保持する焼結処理
を行った。なお、タングステン粉末の焼結層の厚みは特
に限定されないが、例えば１乃至１０μｍ程度である。
次のようにして行った。平均粒径５μｍのタングステン
粉末を酢酸ブチルとニトロセルロースに混ぜ、良く混合
した後、陽極に筆等で塗布した。塗布した領域は、陽極
最先端から陽極軸方向の２ｍｍの幅を除いた陽極先端域
から陽極胴部にかけての陽極表面である。そして、約２
０００°Ｃの真空高温炉中に約２時間保持する焼結処理
を行った。なお、タングステン粉末の焼結層の厚みは特
に限定されないが、例えば１乃至１０μｍ程度である。
【００２２】表３の結果より、陽極表面にタングステン
粉末を焼結させることで、焼結タングステンを形成しな
い陽極を有するランプに比べて、高い放射輝度を保ちつ
つ、放射照度維持率が向上することがわかる。図５およ
び図６には表３で示した、タングステン粉末の焼結層を
陽極に形成していないランプと、該焼結層を形成したラ
ンプの相対ｉ線放射照度維持率をそれぞれ示す。
粉末を焼結させることで、焼結タングステンを形成しな
い陽極を有するランプに比べて、高い放射輝度を保ちつ
つ、放射照度維持率が向上することがわかる。図５およ
び図６には表３で示した、タングステン粉末の焼結層を
陽極に形成していないランプと、該焼結層を形成したラ
ンプの相対ｉ線放射照度維持率をそれぞれ示す。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のショート
アーク型水銀ランプは、その陽極最先端から管軸方向の
２ｍｍの位置の陽極断面積をＳ（ｍｍ2 ）、ランプ電流
をＩ（Ａ）とする時、ＩとＳが０．９１７≦［（Ｉ／１
０）2 ／Ｓ］0.5 ≦１．２７（Ａ／ｍｍ）の関係式を満
たす範囲の値にすることにより、レチクル面での照度が
効果的に向上する。
アーク型水銀ランプは、その陽極最先端から管軸方向の
２ｍｍの位置の陽極断面積をＳ（ｍｍ2 ）、ランプ電流
をＩ（Ａ）とする時、ＩとＳが０．９１７≦［（Ｉ／１
０）2 ／Ｓ］0.5 ≦１．２７（Ａ／ｍｍ）の関係式を満
たす範囲の値にすることにより、レチクル面での照度が
効果的に向上する。
【００２４】さらに、陽極最先端から陽極軸方向の２ｍ
ｍの幅を除いた陽極先端域から陽極胴部にかけての陽極
表面にタングステン粉末を焼結したことによって高い放
射輝度を保ちつつ、放射照度維持率が向上する。
ｍの幅を除いた陽極先端域から陽極胴部にかけての陽極
表面にタングステン粉末を焼結したことによって高い放
射輝度を保ちつつ、放射照度維持率が向上する。
【図１】 本発明のショートアーク型水銀ランプの一実
施例の外観図を示す。
施例の外観図を示す。
【図２】 本発明のショートアーク型水銀ランプの相対
ｉ線強度の測定をした光学系の模式図を示す。
ｉ線強度の測定をした光学系の模式図を示す。
【図３】 本発明のショートアーク型水銀ランプの代表
的な陽極形状の外観図を示す。
的な陽極形状の外観図を示す。
【図４】 本発明のショートアーク型水銀ランプの陽極
有効先端領域とアーク像の位置関係を示す。
有効先端領域とアーク像の位置関係を示す。
【図５】 本発明に係る陽極有効先端直径を変えた各試
作ランプのレチクル面放射照度維持率の関係を示す。
作ランプのレチクル面放射照度維持率の関係を示す。
【図６】 本発明に係る陽極有効先端直径を変えた各試
作ランプにおいて、陽極先端域から陽極胴部にかけての
陽極表面にタングステン粉末の焼結層を形成した試作ラ
ンプのレチクル面放射照度維持率の関係を示す。
作ランプにおいて、陽極先端域から陽極胴部にかけての
陽極表面にタングステン粉末の焼結層を形成した試作ラ
ンプのレチクル面放射照度維持率の関係を示す。
【図７】 本発明に係る陽極有効先端直径を変えた各試
作ランプにおいて、陽極有効先端直径の位置での陽極断
面積当たりの、電流値の１／１０の二乗の平方根値に対
するレチクル面照度の増加率の関係を示す。
作ランプにおいて、陽極有効先端直径の位置での陽極断
面積当たりの、電流値の１／１０の二乗の平方根値に対
するレチクル面照度の増加率の関係を示す。
１ 発光管 ２ 陰極 ３ 陽極 ４ 陽極有効先端領域 ５ タングステン粉末の焼結層の形成領域 ６ 封止部 ７ 封止部 ８ 箔部 ９ 箔部 １０ 外部リード部材 １１ 外部リード部材 １２ 内部リード部材 １３ 内部リード部材 １４ 放電ランプ １５ 楕円鏡 １６ 第一平面反射鏡 １７ コリメイトレンズ １８ バンドパスフィルタ １９ インテグテータレンズ ２０ 絞り ２１ 第二平面反射鏡 ２２ コンデンスレンズ ２３ レチクル面 ２４ シリコンフォトダイオード検出器 ２５ モニター ２６ アーク像
Claims (2)
- 【請求項１】発光管内に陰極と陽極が対向して配置され
ており、当該発光管内に水銀と希ガスが封入されている
ショートアーク型水銀ランプにおいて、該陽極最先端か
ら管軸方向の２ｍｍの位置の陽極断面積をＳ（ｍ
ｍ2 ）、ランプ電流をＩ（Ａ）とするとき、ＩとＳが
０．９１７≦［（Ｉ／１０）2 ／Ｓ］0.5 ≦１．２７
（Ａ／ｍｍ）の関係式を満たすことを特徴とするショー
トアーク型水銀ランプ。 - 【請求項２】少なくとも陽極最先端から管軸方向の２ｍ
ｍの幅を除いた、陽極先端域から陽極胴部にかけての陽
極表面にタングステン粉末の焼結層が形成されているこ
とを特徴とする請求項１に記載のショートアーク型水銀
ランプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35580596A JP2915368B2 (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | ショートアーク型水銀ランプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35580596A JP2915368B2 (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | ショートアーク型水銀ランプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10188890A true JPH10188890A (ja) | 1998-07-21 |
| JP2915368B2 JP2915368B2 (ja) | 1999-07-05 |
Family
ID=18445844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35580596A Expired - Lifetime JP2915368B2 (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | ショートアーク型水銀ランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2915368B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000046836A1 (fr) * | 1999-02-05 | 2000-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lampe a decharge de vapeur de mercure sous haute pression et unite de lampe |
| JP2002056806A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-22 | Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh | ショートアーク高圧放電ランプ |
| DE102010026991A1 (de) | 2009-07-14 | 2011-01-20 | Ushio Denki K.K. | Kurzbogen-Entladungslampe |
| DE102010026164A1 (de) | 2009-07-14 | 2011-04-07 | Ushio Denki K.K. | Kurzbogen-Entladungslampe |
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1996
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