JPH10188860A - 陰極線管 - Google Patents
陰極線管Info
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- JPH10188860A JPH10188860A JP34880796A JP34880796A JPH10188860A JP H10188860 A JPH10188860 A JP H10188860A JP 34880796 A JP34880796 A JP 34880796A JP 34880796 A JP34880796 A JP 34880796A JP H10188860 A JPH10188860 A JP H10188860A
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- stem
- pins
- glass
- stem pins
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 陰極線管のネック先端部のステムガラスに植
立したステムピン間の絶縁耐圧を向上させて高圧印加時
の電気漏洩を防止する。 【解決手段】 ステムガラス２に植立したステムピン３
Ａ1 と３Ｂ1 間並びに３Ａ2 と３Ｂ2 間のステムガラス
２の外表面に凹凸部１７を形成する。
立したステムピン間の絶縁耐圧を向上させて高圧印加時
の電気漏洩を防止する。 【解決手段】 ステムガラス２に植立したステムピン３
Ａ1 と３Ｂ1 間並びに３Ａ2 と３Ｂ2 間のステムガラス
２の外表面に凹凸部１７を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はステムガラスに立設
した複数のステムピン間の電気絶縁を向上させる様に成
した陰極線管に関する。
した複数のステムピン間の電気絶縁を向上させる様に成
した陰極線管に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から陰極線管（以下ＣＲＴと記す）
のネック終端面のステムガラスに突出して立設したステ
ムピン及び封止管に対して、インシュレータ付きのステ
ムベースを装着する装着方法を、本出願人は先に特願平
７−１８２８８８号として提案している。以下、この構
造を図５Ａ乃至図５Ｄによって説明する。
のネック終端面のステムガラスに突出して立設したステ
ムピン及び封止管に対して、インシュレータ付きのステ
ムベースを装着する装着方法を、本出願人は先に特願平
７−１８２８８８号として提案している。以下、この構
造を図５Ａ乃至図５Ｄによって説明する。
【０００３】図５ＡはインシュレータをＣＲＴに装着し
た斜視図、図５Ｂは図５ＡのＡ−Ａ断面矢視図、図４Ｃ
はインシュレータをステムベースに接合した状態を示す
斜視図、図５Ｄはインシュレータの全体的な形状を示す
斜視図である。
た斜視図、図５Ｂは図５ＡのＡ−Ａ断面矢視図、図４Ｃ
はインシュレータをステムベースに接合した状態を示す
斜視図、図５Ｄはインシュレータの全体的な形状を示す
斜視図である。
【０００４】図５ＡでＣＲＴを構成するネック１内に
は、図示しない、複数の電極から成る電子銃が固着さ
れ、ネック１の終端部の硝子封止部からなる端面、即
ち、ステムガラス２には複数のステムピン３Ａ，３
Ａ1 ，３Ａ2 及び３Ｂ1 ，３Ｂ2 が植立されている。こ
れらステムピンのうち、ステムピン３Ａ，３Ａ1 ，３Ａ
2 のピッチは比較的小さく、最小２ｍｍ程度と成され、
ステムピン３Ａ1 ，３Ａ2 には零電位又はマイナス電位
が与えられ、フォーカス用の高電圧が印加されるステム
ピン３Ｂ1 ，３Ｂ2 と零電位の与えられるステムピン３
Ａ1 ，３Ａ2 との間、即ち、３Ａ1 と３Ｂ1 並びに３Ａ
2 と３Ｂ2 間のピッチはやや広く構成されているがその
電位差は５ＫＶ乃至８ＫＶに達している。又、ステムガ
ラス２の中央にはＣＲＴ内の空気を排気する封止管４
（図５Ｂ参照）が設けられている。
は、図示しない、複数の電極から成る電子銃が固着さ
れ、ネック１の終端部の硝子封止部からなる端面、即
ち、ステムガラス２には複数のステムピン３Ａ，３
Ａ1 ，３Ａ2 及び３Ｂ1 ，３Ｂ2 が植立されている。こ
れらステムピンのうち、ステムピン３Ａ，３Ａ1 ，３Ａ
2 のピッチは比較的小さく、最小２ｍｍ程度と成され、
ステムピン３Ａ1 ，３Ａ2 には零電位又はマイナス電位
が与えられ、フォーカス用の高電圧が印加されるステム
ピン３Ｂ1 ，３Ｂ2 と零電位の与えられるステムピン３
Ａ1 ，３Ａ2 との間、即ち、３Ａ1 と３Ｂ1 並びに３Ａ
2 と３Ｂ2 間のピッチはやや広く構成されているがその
電位差は５ＫＶ乃至８ＫＶに達している。又、ステムガ
ラス２の中央にはＣＲＴ内の空気を排気する封止管４
（図５Ｂ参照）が設けられている。
【０００５】図５Ａ乃至図５Ｃに於いて、５は全体とし
て電気絶縁体（インシュレータ）付きのステムベースを
示す。このステムベース５は円板状の底板６と封止管４
を保護する底部に透孔を有する有底円筒状の封止管収納
部７と、一部が封止管収納部７の側壁を兼用する扇形状
で、フォーカス電圧が供給されるステムピン３Ｂ1 及び
３Ｂ2 を囲繞する様に成された高圧ピン収納部８とを有
し、底板６にはステムガラス２に植立した複数のステム
ピン３Ａ，３Ａ1 ，３Ａ2 及び３Ｂ1 ，３Ｂ2が挿通可
能な透孔１４Ａ，及び１４Ｂ（図５Ｃには示されていな
いが符号１６の下側に配されている）が穿たれている。
て電気絶縁体（インシュレータ）付きのステムベースを
示す。このステムベース５は円板状の底板６と封止管４
を保護する底部に透孔を有する有底円筒状の封止管収納
部７と、一部が封止管収納部７の側壁を兼用する扇形状
で、フォーカス電圧が供給されるステムピン３Ｂ1 及び
３Ｂ2 を囲繞する様に成された高圧ピン収納部８とを有
し、底板６にはステムガラス２に植立した複数のステム
ピン３Ａ，３Ａ1 ，３Ａ2 及び３Ｂ1 ，３Ｂ2が挿通可
能な透孔１４Ａ，及び１４Ｂ（図５Ｃには示されていな
いが符号１６の下側に配されている）が穿たれている。
【０００６】この様なステムベース５の底板６の下側
（図４Ｃでは上側に示してある）とネック１のステムガ
ラス２間にはインシュレータとして粘度状のシリコンゴ
ムが貼着されている。
（図４Ｃでは上側に示してある）とネック１のステムガ
ラス２間にはインシュレータとして粘度状のシリコンゴ
ムが貼着されている。
【０００７】このシリコンゴムとしては（例えば富士分
子工業（株）製、ＳＭＸ６２８５，ＳＭＸ６３１１，Ｓ
ＭＸ６３１４等をベースとしたインシュレータ：以下シ
リコンパテと記す）１０Ａを介在させる。
子工業（株）製、ＳＭＸ６２８５，ＳＭＸ６３１１，Ｓ
ＭＸ６３１４等をベースとしたインシュレータ：以下シ
リコンパテと記す）１０Ａを介在させる。
【０００８】このシリコンパテ１０Ａの諸特性としては
下記に示す範囲内の値のものが選択される。 絶縁破壊電圧 １０ＫＶ／ｍｍ〜３０ＫＶ／ｍｍ 体積固有抵抗 １×１０12Ω・ｃｍ〜１×１０15Ω・
ｃｍ 可塑度 ０．１５ｍｍ〜０．３０ｍｍ 成形の厚さ １．０〜２．５ｍｍ 尚、ここで可塑度０．１５ｍｍ〜０．３ｍｍはウォーレ
ス社の可塑度計を用い１０ｋｇの加圧力を１５秒加えた
時、１ｍｍ厚のシリコンパテの厚みが０．１５〜０．３
０になったときの値を示す。
下記に示す範囲内の値のものが選択される。 絶縁破壊電圧 １０ＫＶ／ｍｍ〜３０ＫＶ／ｍｍ 体積固有抵抗 １×１０12Ω・ｃｍ〜１×１０15Ω・
ｃｍ 可塑度 ０．１５ｍｍ〜０．３０ｍｍ 成形の厚さ １．０〜２．５ｍｍ 尚、ここで可塑度０．１５ｍｍ〜０．３ｍｍはウォーレ
ス社の可塑度計を用い１０ｋｇの加圧力を１５秒加えた
時、１ｍｍ厚のシリコンパテの厚みが０．１５〜０．３
０になったときの値を示す。
【０００９】シリコンパテ１０Ａは１．０〜２．５ｍｍ
程度の厚さを有し、図４Ｃ及び図４Ｄに示す様に、ステ
ムベース５の底板６に穿たれたフォーカス用の透孔１４
Ｂ近傍を覆う様に略扇形状に形成された扇形部１０Ｂ
と、この扇形部１０Ｂの要部分から連通して封止管４の
外径を囲繞する様に成された円状部１０Ｃとより成り、
円状部１０Ｃの中心にはステムガラス２から突出した封
止管４の外径が挿入可能な貫通孔１２が穿たれ、更に扇
形部１０Ｂにはステムピン３Ｂ1 及び３Ｂ2 が挿通可能
な透孔１６及び１６が穿たれて全体として扇形歯車の如
き形状と成される。
程度の厚さを有し、図４Ｃ及び図４Ｄに示す様に、ステ
ムベース５の底板６に穿たれたフォーカス用の透孔１４
Ｂ近傍を覆う様に略扇形状に形成された扇形部１０Ｂ
と、この扇形部１０Ｂの要部分から連通して封止管４の
外径を囲繞する様に成された円状部１０Ｃとより成り、
円状部１０Ｃの中心にはステムガラス２から突出した封
止管４の外径が挿入可能な貫通孔１２が穿たれ、更に扇
形部１０Ｂにはステムピン３Ｂ1 及び３Ｂ2 が挿通可能
な透孔１６及び１６が穿たれて全体として扇形歯車の如
き形状と成される。
【００１０】この様な図５Ｄに示すシリコンパテ１０Ａ
は図５Ｃの様にステムベース５の底板６の下側のフォー
カス用ステムピン３Ｂ1 及び３Ｂ2 が挿入される透孔１
４Ｂ及び１４Ｂと扇形部１０Ｂの透孔１６及び１６の位
置が合わせられて貼着され、インシュレータ付きステム
ベース５と成され、ＣＲＴのネック１のステムガラス２
に植立したステムピン３Ａ，３Ａ1 ，３Ａ2 並びに３Ｂ
1 及び３Ｂ2 に図４Ａの様に自動装着装置等で自動装着
される。このインシュレータ付きステムベース５をステ
ムガラス２に装着する時の押圧力は１５ｋｇ・ｆ〜２０
ｋｇ・ｆ程度に選択し、ステムガラス２にシリコンパテ
１０Ａを介してステムベース５を密着させて電気的絶縁
を確保する様に成されている。
は図５Ｃの様にステムベース５の底板６の下側のフォー
カス用ステムピン３Ｂ1 及び３Ｂ2 が挿入される透孔１
４Ｂ及び１４Ｂと扇形部１０Ｂの透孔１６及び１６の位
置が合わせられて貼着され、インシュレータ付きステム
ベース５と成され、ＣＲＴのネック１のステムガラス２
に植立したステムピン３Ａ，３Ａ1 ，３Ａ2 並びに３Ｂ
1 及び３Ｂ2 に図４Ａの様に自動装着装置等で自動装着
される。このインシュレータ付きステムベース５をステ
ムガラス２に装着する時の押圧力は１５ｋｇ・ｆ〜２０
ｋｇ・ｆ程度に選択し、ステムガラス２にシリコンパテ
１０Ａを介してステムベース５を密着させて電気的絶縁
を確保する様に成されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来技術で説明
した様にシリコンパテ１０Ａをステムガラス２の端面に
自動装着装置等で装着させ密着接合することでステムピ
ン３Ａ1 と３Ｂ1 ，３Ａ2 と３Ｂ2 、３Ｂ1 と３Ｂ2 間
の絶縁耐圧を向上させているが、ＣＲＴの機種によって
は電子銃の電極構成によって、ステムピン３Ａ1 と３Ｂ
1 、３Ａ2 と３Ｂ2 間の電位差が８ＫＶ以上に成り、隣
接するステムピン間でステムガラスの外表の沿面にそっ
て電気漏洩を惹起し、絶縁耐圧が不足し、ＣＲＴの品
質、安全に悪影響を与える問題があった。
した様にシリコンパテ１０Ａをステムガラス２の端面に
自動装着装置等で装着させ密着接合することでステムピ
ン３Ａ1 と３Ｂ1 ，３Ａ2 と３Ｂ2 、３Ｂ1 と３Ｂ2 間
の絶縁耐圧を向上させているが、ＣＲＴの機種によって
は電子銃の電極構成によって、ステムピン３Ａ1 と３Ｂ
1 、３Ａ2 と３Ｂ2 間の電位差が８ＫＶ以上に成り、隣
接するステムピン間でステムガラスの外表の沿面にそっ
て電気漏洩を惹起し、絶縁耐圧が不足し、ＣＲＴの品
質、安全に悪影響を与える問題があった。
【００１２】本発明は叙上の問題点を解消させたＣＲＴ
を提供しようとするものであり、その課題とするところ
はステムガラスの外表面の電位差が大きい、隣接するス
テムピン間に対応する領域の沿面距離を長くして、隣接
するステムピン間の絶縁耐圧を向上させたＣＲＴを得る
にある。
を提供しようとするものであり、その課題とするところ
はステムガラスの外表面の電位差が大きい、隣接するス
テムピン間に対応する領域の沿面距離を長くして、隣接
するステムピン間の絶縁耐圧を向上させたＣＲＴを得る
にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明のＣＲＴは、その
例が図１に示されている様に、電子銃が固着されたステ
ムガラス２の外表面の電位差の大きいステムピン間３Ａ
1 と３Ｂ1 及び３Ａ2と３Ｂ2 に対応する領域に凹凸部
１７を形成したものである。
例が図１に示されている様に、電子銃が固着されたステ
ムガラス２の外表面の電位差の大きいステムピン間３Ａ
1 と３Ｂ1 及び３Ａ2と３Ｂ2 に対応する領域に凹凸部
１７を形成したものである。
【００１４】本発明のＣＲＴに依れば隣接するステムピ
ン間の沿面距離が長くなって、ステムピン間の絶縁耐圧
を簡単な方法で拡大し、電気漏洩のないＣＲＴを得るこ
とが出来る。
ン間の沿面距離が長くなって、ステムピン間の絶縁耐圧
を簡単な方法で拡大し、電気漏洩のないＣＲＴを得るこ
とが出来る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明のＣＲＴの一実施例
を図１乃至図３によって詳記する。図１は本発明のＣＲ
Ｔの要部の構成図、図２Ａは図１のネックの平面図、図
２Ｂは図２ＡのＢ−Ｂ断面矢視図、図２Ｃは図２Ａのス
テムピンを除いたＣ−Ｃ断面矢視図、図３は本発明のＣ
ＲＴに用いる電子銃印加電圧説明図である。
を図１乃至図３によって詳記する。図１は本発明のＣＲ
Ｔの要部の構成図、図２Ａは図１のネックの平面図、図
２Ｂは図２ＡのＢ−Ｂ断面矢視図、図２Ｃは図２Ａのス
テムピンを除いたＣ−Ｃ断面矢視図、図３は本発明のＣ
ＲＴに用いる電子銃印加電圧説明図である。
【００１６】図１に於いて、図５の従来例で説明したと
同一部分には同一符号を付して重複説明は省略する。ス
テムベース５は底板６の中心部に植立された封止管収納
部７と高圧ピン収納部８、及び底板６に穿った透孔１４
Ａ及び１４Ｂより構成され、略々扇形歯車状のインシュ
レータ（シリコンパテ）１０Ａは底板６の下面に添着さ
れている。
同一部分には同一符号を付して重複説明は省略する。ス
テムベース５は底板６の中心部に植立された封止管収納
部７と高圧ピン収納部８、及び底板６に穿った透孔１４
Ａ及び１４Ｂより構成され、略々扇形歯車状のインシュ
レータ（シリコンパテ）１０Ａは底板６の下面に添着さ
れている。
【００１７】ＣＲＴを構成するファンネルのネック１の
終端に封止したステムガラス２には高圧のフォーカス電
圧等が供給されるステムピン３Ｂ1 及び３Ｂ2 と、ＩＢ
Ｒの接地電位及び第１グリッドＧ1 の零電位が供給され
るステムピン３Ａ1 及び３Ａ2 と他の電極電位が供給さ
れる複数のステムピン３Ａが植立されている。
終端に封止したステムガラス２には高圧のフォーカス電
圧等が供給されるステムピン３Ｂ1 及び３Ｂ2 と、ＩＢ
Ｒの接地電位及び第１グリッドＧ1 の零電位が供給され
るステムピン３Ａ1 及び３Ａ2 と他の電極電位が供給さ
れる複数のステムピン３Ａが植立されている。
【００１８】本発明では電位差の大きくなる隣接するス
テムピン間に沿面距離が長くなる様な凹凸部１７，１７
を構成させる。
テムピン間に沿面距離が長くなる様な凹凸部１７，１７
を構成させる。
【００１９】図２Ａは図１に示すステムガラス２を上側
から視た平面図であるが、図２のＢ−Ｂ断面矢視図の図
２Ｂ及びＣ−Ｃ断面矢視図の図２Ｃに示されている様に
ステムピン３Ａ1 と３Ｂ1 間及び３Ａ2 と３Ｂ2 間に図
２Ｂ及び図２Ｃに示す様な断面が波形の凹凸部１７を形
成したステムガラス２とする。この場合の波の高さＨは
一定に選択されるが、高さをある程度増加させれば隣接
ステムピン間の沿面距離を増加させることが出来る。
から視た平面図であるが、図２のＢ−Ｂ断面矢視図の図
２Ｂ及びＣ−Ｃ断面矢視図の図２Ｃに示されている様に
ステムピン３Ａ1 と３Ｂ1 間及び３Ａ2 と３Ｂ2 間に図
２Ｂ及び図２Ｃに示す様な断面が波形の凹凸部１７を形
成したステムガラス２とする。この場合の波の高さＨは
一定に選択されるが、高さをある程度増加させれば隣接
ステムピン間の沿面距離を増加させることが出来る。
【００２０】この様に凹凸部１７が電位差の大きい隣接
するステムピン３Ａ1 ，３Ｂ1 間並びに３Ａ2 ，３Ｂ2
間に形成されたステムガラス２上に図１の様にシリコン
パテ付きステムベース５を矢印Ｃの様に降下させ図５Ａ
及び図５Ｂで説明したと同様にシリコンパテ１０Ａをス
テムガラス２の外表面に圧接して、更に隣接ピン間の絶
縁耐圧を高める様に成される。
するステムピン３Ａ1 ，３Ｂ1 間並びに３Ａ2 ，３Ｂ2
間に形成されたステムガラス２上に図１の様にシリコン
パテ付きステムベース５を矢印Ｃの様に降下させ図５Ａ
及び図５Ｂで説明したと同様にシリコンパテ１０Ａをス
テムガラス２の外表面に圧接して、更に隣接ピン間の絶
縁耐圧を高める様に成される。
【００２１】本発明で用いるＣＲＴの電子銃の印加電圧
の一例を図３で説明する。図３でネック１内にステムガ
ラス２を介して固着される電子銃１８はＲ（赤），Ｇ
（緑），Ｂ（青）用のカソードＫＲ，ＫＧ，ＫＢと、第
１電極Ｇ1 ，第２電極Ｇ2 ，パラボラ波形等が印加され
る第１の補助電極ＧM1，第３電極Ｇ3 ，第１の第４電極
Ｇ41，第２の補助電極ＧM2，第２の４電極Ｇ42，第５電
極Ｇ5 及び静電偏向器を構成するコンバーゼンスプレー
トＣＰ及びコンバーゼンスシールド板ＣＳとより構成さ
れ、図示しないビードガラスで各電極群は保持されてい
る。又、集中偏向器のコンバーゼンスプレートＣＰにア
ノード電圧を分割抵抗で分圧して供給する為のＩＢＲも
電子銃１８内に組み込まれている。
の一例を図３で説明する。図３でネック１内にステムガ
ラス２を介して固着される電子銃１８はＲ（赤），Ｇ
（緑），Ｂ（青）用のカソードＫＲ，ＫＧ，ＫＢと、第
１電極Ｇ1 ，第２電極Ｇ2 ，パラボラ波形等が印加され
る第１の補助電極ＧM1，第３電極Ｇ3 ，第１の第４電極
Ｇ41，第２の補助電極ＧM2，第２の４電極Ｇ42，第５電
極Ｇ5 及び静電偏向器を構成するコンバーゼンスプレー
トＣＰ及びコンバーゼンスシールド板ＣＳとより構成さ
れ、図示しないビードガラスで各電極群は保持されてい
る。又、集中偏向器のコンバーゼンスプレートＣＰにア
ノード電圧を分割抵抗で分圧して供給する為のＩＢＲも
電子銃１８内に組み込まれている。
【００２２】上述の電子銃１８で、第１電極Ｇ1 には零
Ｖ、第２電極Ｇ2 には４００〜５００Ｖ、第１及び第２
の補助電極ＧM1及びＧM2には８．５ＫＶプラス・パラボ
ラ電圧を、第３及び第５電圧Ｇ3 及びＧ5 にはアノード
電圧の２８ＫＶが、第１及び第２の第４電極Ｇ41及びＧ
42には同じく８．５ＫＶの電圧が印加される。又、静電
偏向器のコンバーゼンスプレートＣＰにはアノード電圧
２８ＫＶをＩＢＲでドロップさせて２７ＫＶの電圧が供
給される。コンバーゼンスシールドＣＳはアノード電位
と同電位と成されている。
Ｖ、第２電極Ｇ2 には４００〜５００Ｖ、第１及び第２
の補助電極ＧM1及びＧM2には８．５ＫＶプラス・パラボ
ラ電圧を、第３及び第５電圧Ｇ3 及びＧ5 にはアノード
電圧の２８ＫＶが、第１及び第２の第４電極Ｇ41及びＧ
42には同じく８．５ＫＶの電圧が印加される。又、静電
偏向器のコンバーゼンスプレートＣＰにはアノード電圧
２８ＫＶをＩＢＲでドロップさせて２７ＫＶの電圧が供
給される。コンバーゼンスシールドＣＳはアノード電位
と同電位と成されている。
【００２３】ステムガラス２に植立されたフォーカス電
圧が供給されるステムピン３Ｂ1 には第１及び第２の第
４電極Ｇ41及びＧ42の８．５ＫＶの電圧が印加され、ス
テムピン３Ｂ2 には第１及び第２の補助電極ＧM1及びＧ
M2の高電圧の８．５ＫＶプラス・パラボラ電圧が印加さ
れる。
圧が供給されるステムピン３Ｂ1 には第１及び第２の第
４電極Ｇ41及びＧ42の８．５ＫＶの電圧が印加され、ス
テムピン３Ｂ2 には第１及び第２の補助電極ＧM1及びＧ
M2の高電圧の８．５ＫＶプラス・パラボラ電圧が印加さ
れる。
【００２４】更に、ステムピン３Ａ1 はＩＢＲの接地電
位に接続され、ステムピン３Ａ2 には第１電極Ｇ1 の零
Ｖ電位に接続されている。
位に接続され、ステムピン３Ａ2 には第１電極Ｇ1 の零
Ｖ電位に接続されている。
【００２５】この様なステムピン３Ｂ1 と３Ａ1 間並び
に３Ａ2 と３Ｂ2 間の電位差は８．５ＫＶに達するが、
ステムガラスに波形の凹凸をステムガラス成形時に同時
に形成して置くことでステムピン間での絶縁耐圧は向上
し、電気漏洩の発生はせず品質及び安全性の高いＣＲＴ
が得られた。
に３Ａ2 と３Ｂ2 間の電位差は８．５ＫＶに達するが、
ステムガラスに波形の凹凸をステムガラス成形時に同時
に形成して置くことでステムピン間での絶縁耐圧は向上
し、電気漏洩の発生はせず品質及び安全性の高いＣＲＴ
が得られた。
【００２６】図４Ａ乃至図４Ｅは本例の凹凸部１７の他
の構成を示すものである。
の構成を示すものである。
【００２７】図４Ａは波状の凹凸部１７を三角状或いは
鋸歯状の凹凸部１７Ａと成したもので、この場合はシリ
コンパテ１０Ａの喰付が良くなる。
鋸歯状の凹凸部１７Ａと成したもので、この場合はシリ
コンパテ１０Ａの喰付が良くなる。
【００２８】図４Ｂ及び図４Ｃは凹凸部１７を台形１７
Ｂ及び矩形１７Ｃと成したもので、この場合は波形に比
べて、同一ピッチであれば沿面距離をより長くすること
が出来る。
Ｂ及び矩形１７Ｃと成したもので、この場合は波形に比
べて、同一ピッチであれば沿面距離をより長くすること
が出来る。
【００２９】図４Ｄは凹凸部のピッチＰ、高さＨ1 及び
Ｈ2 並びに山幅Ｗを種々の値に変更した構成を例示的に
示したもので、これらの各寸法を代えて、ステムガラス
２の隣接するステムピン間の所定領域内で沿面長を制御
する様に成したものである。
Ｈ2 並びに山幅Ｗを種々の値に変更した構成を例示的に
示したもので、これらの各寸法を代えて、ステムガラス
２の隣接するステムピン間の所定領域内で沿面長を制御
する様に成したものである。
【００３０】図４Ｅは凹凸部１７，１７Ａ〜１７Ｃの山
或いは谷部に粗面の窪み１８を形成し、沿面長を更に長
くした場合である。
或いは谷部に粗面の窪み１８を形成し、沿面長を更に長
くした場合である。
【００３１】本発明によれば、ステムガラスに植立した
互に電位差が大きい隣接ステムピン間のステムガラス表
面に沿った沿面距離が従来に比べて長くなり、ステムピ
ン間の絶縁対圧が向上し、高電圧印加時の電気漏洩が無
くなり品質及び安全性の向上したＣＲＴを提供可能と成
る。
互に電位差が大きい隣接ステムピン間のステムガラス表
面に沿った沿面距離が従来に比べて長くなり、ステムピ
ン間の絶縁対圧が向上し、高電圧印加時の電気漏洩が無
くなり品質及び安全性の向上したＣＲＴを提供可能と成
る。
【００３２】
【発明の効果】本発明のＣＲＴによればステムガラス表
面に沿ったピン間の距離が従来よりも長くなり、ピン間
の耐圧が向上し、これにより、品質・安全性が向上した
ＣＲＴが得られる。
面に沿ったピン間の距離が従来よりも長くなり、ピン間
の耐圧が向上し、これにより、品質・安全性が向上した
ＣＲＴが得られる。
【図１】本発明のＣＲＴの要部の構成図である。
【図２】図１のネック平面図である。
【図３】本発明のＣＲＴに用いる電子銃印加電圧説明図
である。
である。
【図４】本発明のＣＲＴに用いる凹凸部の他の構成図で
ある。
ある。
【図５】従来のステムベース及びインシュレータの構成
図である。
図である。
１ ネック、２ ステムガラス、５ ステムベース、１
０Ａ インシュレータ（シリコンパテ）、１７，１７
Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄ 凹凸部、１８ 窪み
０Ａ インシュレータ（シリコンパテ）、１７，１７
Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄ 凹凸部、１８ 窪み
Claims (3)
- 【請求項１】 電子銃が固着されたステムガラスの外表
面の電位差の大きいステムピン間に対応する領域に凹凸
部を形成したことを特徴とする陰極線管。 - 【請求項２】 前記電位差の大きいステムピン間はフォ
ーカス電圧或いはダイナミックフォーカス電圧が印加さ
れる第１のステムピンと接地電位或いはマイナス電圧の
印加される第２のステムピン間であることを特徴とする
請求項１記載の陰極線管。 - 【請求項３】 前記凹凸が波形で前記ステムピン間の沿
面距離を大とする様に成したことを特徴とする請求項１
記載の陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34880796A JPH10188860A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34880796A JPH10188860A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 陰極線管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10188860A true JPH10188860A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18399508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34880796A Pending JPH10188860A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10188860A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6462466B1 (en) * | 1998-10-12 | 2002-10-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Color cathode ray tube with small neck diameter and large stem pin circle having sufficient number of conductive lead pin segments |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP34880796A patent/JPH10188860A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6462466B1 (en) * | 1998-10-12 | 2002-10-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Color cathode ray tube with small neck diameter and large stem pin circle having sufficient number of conductive lead pin segments |
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