JPH10186103A - 反射防止膜 - Google Patents
反射防止膜Info
- Publication number
- JPH10186103A JPH10186103A JP8347893A JP34789396A JPH10186103A JP H10186103 A JPH10186103 A JP H10186103A JP 8347893 A JP8347893 A JP 8347893A JP 34789396 A JP34789396 A JP 34789396A JP H10186103 A JPH10186103 A JP H10186103A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- reflection
- titanium nitride
- antireflection
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外光の映り込みを大幅に低減しつつ低コスト
で作成できる反射防止膜を提供する。 【解決手段】 反射防止膜を構成する３層膜には、光学
干渉膜としての絶縁膜である酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）、誘電体膜である窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、
および帯電防止膜（導電膜）と透過率制御膜（吸収膜）
とを兼ねる窒化チタン（ＴｉＮｘ）の薄膜材料が使用さ
れる。そして、ガラス基板の上に窒化チタン膜（ＴｉＮ
ｘ）、窒化シリコン膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、酸化シリコン膜
（ＳｉＯ2 ）の順で積層することにより反射防止膜が作
成される。
で作成できる反射防止膜を提供する。 【解決手段】 反射防止膜を構成する３層膜には、光学
干渉膜としての絶縁膜である酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）、誘電体膜である窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、
および帯電防止膜（導電膜）と透過率制御膜（吸収膜）
とを兼ねる窒化チタン（ＴｉＮｘ）の薄膜材料が使用さ
れる。そして、ガラス基板の上に窒化チタン膜（ＴｉＮ
ｘ）、窒化シリコン膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、酸化シリコン膜
（ＳｉＯ2 ）の順で積層することにより反射防止膜が作
成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイ画面
などに入射する光の反射を低減する反射防止膜に関す
る。
などに入射する光の反射を低減する反射防止膜に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年のオフィスオートメーション（Ｏ
Ａ）化の進展によりコンピュータやワードプロセッサな
どに搭載された発光ディスプレイを使用する業務が増大
している。これらの発光ディスプレイには単色ディスプ
レイだけでなく、画像を印象的にすると共に多くの情報
を表示するカラーディスプレイが用いられる。単色ディ
スプレイおよびカラーディスプレイのいずれも、発光デ
ィスプレイには視認性を高める目的で画像のコントラス
ト、つまり輝度と暗部の明るさの差を大きくしたものが
多い。
Ａ）化の進展によりコンピュータやワードプロセッサな
どに搭載された発光ディスプレイを使用する業務が増大
している。これらの発光ディスプレイには単色ディスプ
レイだけでなく、画像を印象的にすると共に多くの情報
を表示するカラーディスプレイが用いられる。単色ディ
スプレイおよびカラーディスプレイのいずれも、発光デ
ィスプレイには視認性を高める目的で画像のコントラス
ト、つまり輝度と暗部の明るさの差を大きくしたものが
多い。
【０００３】発光ディスプレイに画像のにじみ、ボケ、
ちらつきがあると、観察者の眼に負担がかかる。眼の負
担を軽減する手段してフィルタをディスプレイ表面に装
着することが従来有効とされているが、照明などの外光
がフィルタの表面で反射して画面を見にくくするいわゆ
る「映り込み」が問題となる。
ちらつきがあると、観察者の眼に負担がかかる。眼の負
担を軽減する手段してフィルタをディスプレイ表面に装
着することが従来有効とされているが、照明などの外光
がフィルタの表面で反射して画面を見にくくするいわゆ
る「映り込み」が問題となる。
【０００４】映り込みの解決策として従来では、フィル
タの観察者側の面につや消し処理を施す方法や反射防止
膜を形成する方法がある。また、ディスプレイ画面その
ものの処理としてつや消し処理により表示画面に散乱性
を持たせる（ダイレクトエッチングまたはシリカコーテ
ィング）方法がある。さらに、ディスプレイ画面そのも
のに反射防止膜として光学的な多層膜（１／４波長膜）
コーティングを形成することにより反射そのものを減ら
す方法がある。
タの観察者側の面につや消し処理を施す方法や反射防止
膜を形成する方法がある。また、ディスプレイ画面その
ものの処理としてつや消し処理により表示画面に散乱性
を持たせる（ダイレクトエッチングまたはシリカコーテ
ィング）方法がある。さらに、ディスプレイ画面そのも
のに反射防止膜として光学的な多層膜（１／４波長膜）
コーティングを形成することにより反射そのものを減ら
す方法がある。
【０００５】フィルタは、高輝度物体の映り込みや高照
度環境化で文字と背景のコントラストを上げる効果があ
るが、文字品質が劣化する場合があり、また、コントラ
ストが上がり過ぎると、眼の疲労に繋がるおそれがあ
る。特に、つや消し処理をした平面状のフィルタは中央
と周辺とで文字品質に違いが出るので、好ましくない。
度環境化で文字と背景のコントラストを上げる効果があ
るが、文字品質が劣化する場合があり、また、コントラ
ストが上がり過ぎると、眼の疲労に繋がるおそれがあ
る。特に、つや消し処理をした平面状のフィルタは中央
と周辺とで文字品質に違いが出るので、好ましくない。
【０００６】つや消し処理は、表示面の散乱性により鏡
面反射成分を変えるものであり、反射光の総量は変わら
ないが、一方向への反射量が少なくなり反射像そのもの
が不鮮明になるので、反射像が気にならなくなる。但
し、外光が明る過ぎると、画面全域が光ってしまい、文
字の識別が難しくなったり、部分的な微小プリズム効果
やレンズ効果によりちらつきが現れるなど、画像の解像
度が低下する。
面反射成分を変えるものであり、反射光の総量は変わら
ないが、一方向への反射量が少なくなり反射像そのもの
が不鮮明になるので、反射像が気にならなくなる。但
し、外光が明る過ぎると、画面全域が光ってしまい、文
字の識別が難しくなったり、部分的な微小プリズム効果
やレンズ効果によりちらつきが現れるなど、画像の解像
度が低下する。
【０００７】光学的多層膜（１／４波長膜）コーティン
グは、光の反射光が打ち消し合う干渉効果により外側に
出る反射光を１％以下にするものであり、文字品質は殆
ど劣化せず、他の方法と比べて最高の解像度を有する画
像が期待できる。
グは、光の反射光が打ち消し合う干渉効果により外側に
出る反射光を１％以下にするものであり、文字品質は殆
ど劣化せず、他の方法と比べて最高の解像度を有する画
像が期待できる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の反射防止膜としての光学的多層膜コーティングは、
多層膜（４〜９層膜）を真空蒸着法やスパッタリング法
などのＰＶＤ法によるコーティング（真空成膜技術）に
より作成するので、他の方法に比べて納期がかかりコス
トが高くなってしまう。また、従来の方法では単層では
１波長の近傍しか反射を低下させることができなかった
ので、多層化により可視光線の波長全域を低減させる方
法をとっていた。さらに、単層膜による反射防止膜では
その限られた膜構成（限定された光学膜材料や層数）の
ため、静電気や電磁波を遮蔽する機能を有する帯電防止
膜（導電膜）を使用することができなかった。
来の反射防止膜としての光学的多層膜コーティングは、
多層膜（４〜９層膜）を真空蒸着法やスパッタリング法
などのＰＶＤ法によるコーティング（真空成膜技術）に
より作成するので、他の方法に比べて納期がかかりコス
トが高くなってしまう。また、従来の方法では単層では
１波長の近傍しか反射を低下させることができなかった
ので、多層化により可視光線の波長全域を低減させる方
法をとっていた。さらに、単層膜による反射防止膜では
その限られた膜構成（限定された光学膜材料や層数）の
ため、静電気や電磁波を遮蔽する機能を有する帯電防止
膜（導電膜）を使用することができなかった。
【０００９】そこで、本発明は外光の映り込みを大幅に
低減しつつ低コストで作成できる反射防止膜を提供する
ことを目的とする。
低減しつつ低コストで作成できる反射防止膜を提供する
ことを目的とする。
【００１０】また、本発明は静電気や電磁波を遮断する
と共に解像度を劣化させることなく高コントラストで鮮
明な画像が得られる反射防止膜を提供することを他の目
的とする。
と共に解像度を劣化させることなく高コントラストで鮮
明な画像が得られる反射防止膜を提供することを他の目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１に記載の反射防止膜は、基板に形
成され、該基板に向かって入射する光の反射を低減する
反射防止膜において、光学干渉膜と透過率制御膜（導電
膜）で作成されたことを特徴とする。
に、本発明の請求項１に記載の反射防止膜は、基板に形
成され、該基板に向かって入射する光の反射を低減する
反射防止膜において、光学干渉膜と透過率制御膜（導電
膜）で作成されたことを特徴とする。
【００１２】前記透過率制御膜は、可視光領域の波長に
対して減衰係数ｋと屈折率ｎとの比ｋ／ｎが値０．１〜
値１の範囲にある窒化チタン膜であることが好ましい。
また、前記窒化チタン膜に窒化シリコン膜および酸化シ
リコン膜が積層された３層膜で作成されることが好まし
い。また、膜内で発生した静電気を集める集電部が前記
窒化チタン膜に形成され、該集電部を通じて前記静電気
が除電されることが好ましい。
対して減衰係数ｋと屈折率ｎとの比ｋ／ｎが値０．１〜
値１の範囲にある窒化チタン膜であることが好ましい。
また、前記窒化チタン膜に窒化シリコン膜および酸化シ
リコン膜が積層された３層膜で作成されることが好まし
い。また、膜内で発生した静電気を集める集電部が前記
窒化チタン膜に形成され、該集電部を通じて前記静電気
が除電されることが好ましい。
【００１３】さらに、前記窒化チタン膜は、光の透過率
が５０〜９０％の範囲に相当する膜厚に作成されること
が好ましい。また、反射率が１％以下であることが好ま
しい。さらに、前記基板はディスプレイ画面を構成する
ガラス基板であることが好ましい。
が５０〜９０％の範囲に相当する膜厚に作成されること
が好ましい。また、反射率が１％以下であることが好ま
しい。さらに、前記基板はディスプレイ画面を構成する
ガラス基板であることが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の反射防止膜の実施の形態
について説明する。本実施の形態における反射防止膜は
ＣＲＴなどのディスプレイ画面上に形成される。この反
射防止膜は後述するように３層膜からなり、その光学的
性質（屈折、吸収、散乱）と厚みとの組み合わせにより
最適な光学特性が得られるように設計される。
について説明する。本実施の形態における反射防止膜は
ＣＲＴなどのディスプレイ画面上に形成される。この反
射防止膜は後述するように３層膜からなり、その光学的
性質（屈折、吸収、散乱）と厚みとの組み合わせにより
最適な光学特性が得られるように設計される。
【００１５】３層膜には、光学干渉膜としての絶縁膜で
ある酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、誘電体膜である窒化シ
リコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、および帯電防止膜（導電膜）と
透過率制御膜（吸収膜）とを兼ねる窒化チタン（ＴｉＮ
ｘ）の薄膜材料が使用される。そして、ガラス基板の上
に窒化チタン膜（ＴｉＮｘ）、窒化シリコン膜（Ｓｉ3
Ｎ4 ）、酸化シリコン膜（ＳｉＯ2 ）の順で積層するこ
とにより反射防止膜が作成される。
ある酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、誘電体膜である窒化シ
リコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、および帯電防止膜（導電膜）と
透過率制御膜（吸収膜）とを兼ねる窒化チタン（ＴｉＮ
ｘ）の薄膜材料が使用される。そして、ガラス基板の上
に窒化チタン膜（ＴｉＮｘ）、窒化シリコン膜（Ｓｉ3
Ｎ4 ）、酸化シリコン膜（ＳｉＯ2 ）の順で積層するこ
とにより反射防止膜が作成される。
【００１６】つぎに、反射防止膜の作成条件（Ａ）につ
いて説明する。単層の反射防止膜では、基板の屈折率ｎ
ｓ、薄膜の屈折率をｎ１、膜厚をｄ１、入射光の波長を
λ、光が入射する側の媒質の屈折率をｎｏとすると、空
気中から光が入射する場合、つまりｎｏ＝１、ｎ１＜ｎ
ｓの場合、数式（１）の関係が成り立つように屈折率ｎ
１、膜厚ｄ１を決定すると、反射率が最も小さくなるこ
とが知られている。 ｎ１・ｄ１＝１／４ ｎ１＝√ｎｓ ……（１） ここで、波長λは人間の眼の視感度が最も高い５５０ｎ
ｍである。
いて説明する。単層の反射防止膜では、基板の屈折率ｎ
ｓ、薄膜の屈折率をｎ１、膜厚をｄ１、入射光の波長を
λ、光が入射する側の媒質の屈折率をｎｏとすると、空
気中から光が入射する場合、つまりｎｏ＝１、ｎ１＜ｎ
ｓの場合、数式（１）の関係が成り立つように屈折率ｎ
１、膜厚ｄ１を決定すると、反射率が最も小さくなるこ
とが知られている。 ｎ１・ｄ１＝１／４ ｎ１＝√ｎｓ ……（１） ここで、波長λは人間の眼の視感度が最も高い５５０ｎ
ｍである。
【００１７】薄膜の屈折率ｎ１が基板の屈折率ｎｓの平
方根になるような光学薄膜材料を選び、その厚さが波長
の１／４になるような膜を作成する場合、その波長の光
は反射されずに１００％透過することになる。また、薄
膜を２層以上の多層膜にする場合、２つ以上の特定波長
に対して反射率を値０にすることができ、広い波長範囲
で反射光を低減することができる。
方根になるような光学薄膜材料を選び、その厚さが波長
の１／４になるような膜を作成する場合、その波長の光
は反射されずに１００％透過することになる。また、薄
膜を２層以上の多層膜にする場合、２つ以上の特定波長
に対して反射率を値０にすることができ、広い波長範囲
で反射光を低減することができる。
【００１８】つづいて、透過率制御膜（吸収膜）および
帯電防止膜（導電膜）の作成条件（Ｂ）について説明す
る。光の透過率は透明膜では制御できず、金属のような
不透明膜に光を吸収（減衰）させることにより可能であ
る。一般に、光学定数である減衰係数ｋと屈折率ｎとの
比ｋ／ｎの値が小さい程、反射防止と透過率制御との両
方の機能を満たすことができる。すなわち、この比ｋ／
ｎの値が大きいと金属的輝きが強く反射が大きくなり、
逆にこの比ｋ／ｎの値が小さいと吸収が大きく反射を防
止できる。
帯電防止膜（導電膜）の作成条件（Ｂ）について説明す
る。光の透過率は透明膜では制御できず、金属のような
不透明膜に光を吸収（減衰）させることにより可能であ
る。一般に、光学定数である減衰係数ｋと屈折率ｎとの
比ｋ／ｎの値が小さい程、反射防止と透過率制御との両
方の機能を満たすことができる。すなわち、この比ｋ／
ｎの値が大きいと金属的輝きが強く反射が大きくなり、
逆にこの比ｋ／ｎの値が小さいと吸収が大きく反射を防
止できる。
【００１９】図２は可視光領域での波長に対して種々の
薄膜金属材料の比ｋ／ｎを示すグラフである。透過率制
御膜（吸収膜）としての窒化チタン（ＴｉＮｘ）は屈折
率ｎと減衰係数ｋの大きさがほぼ同じ（比ｋ／ｎ≒１）
という他の金属に無い性質を有する。また、可視光領域
で波長の依存性がほとんど無く（０．１≦ｋ／ｎ≦
１）、しかも導電性を有する金属材料は、上記薄膜金属
材料の中で窒化チタンしか存在しない。尚、窒化チタン
膜を真空成膜により作成する場合、極めて薄い連続膜構
造をとるので、電気伝導性が確保され帯電防止膜として
の働きがある。
薄膜金属材料の比ｋ／ｎを示すグラフである。透過率制
御膜（吸収膜）としての窒化チタン（ＴｉＮｘ）は屈折
率ｎと減衰係数ｋの大きさがほぼ同じ（比ｋ／ｎ≒１）
という他の金属に無い性質を有する。また、可視光領域
で波長の依存性がほとんど無く（０．１≦ｋ／ｎ≦
１）、しかも導電性を有する金属材料は、上記薄膜金属
材料の中で窒化チタンしか存在しない。尚、窒化チタン
膜を真空成膜により作成する場合、極めて薄い連続膜構
造をとるので、電気伝導性が確保され帯電防止膜として
の働きがある。
【００２０】上記作成条件（Ａ）、（Ｂ）にしたがって
反射防止膜を作成する場合、一般に光学薄膜材料はＰＶ
Ｄ（物理的気相成長法）である真空蒸着やスパッタリン
グによって作成される。特に、スパッタリングでは光学
干渉膜としての絶縁膜、誘電体膜、金属化合膜（吸収
膜）の代表的な作成方法として、高周波スパッタリング
法や直流スパッタリング法が用いられる。
反射防止膜を作成する場合、一般に光学薄膜材料はＰＶ
Ｄ（物理的気相成長法）である真空蒸着やスパッタリン
グによって作成される。特に、スパッタリングでは光学
干渉膜としての絶縁膜、誘電体膜、金属化合膜（吸収
膜）の代表的な作成方法として、高周波スパッタリング
法や直流スパッタリング法が用いられる。
【００２１】高周波スパッタリング法では必要とする化
合物ターゲット材料はスパッタガスであるアルゴンガス
だけを用いて作成され、直流スパッタリング法ではスパ
ッタガスであるアルゴンガスに反応ガスである酸素また
は窒素を混合させて用いるこにより酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）、窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）および窒化チタン
（ＴｉＮｘ）膜が作成される。スパッタリング法にはこ
れらの他に複数の変則スパッタ方式があるが、特に限定
されるものではない。
合物ターゲット材料はスパッタガスであるアルゴンガス
だけを用いて作成され、直流スパッタリング法ではスパ
ッタガスであるアルゴンガスに反応ガスである酸素また
は窒素を混合させて用いるこにより酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）、窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）および窒化チタン
（ＴｉＮｘ）膜が作成される。スパッタリング法にはこ
れらの他に複数の変則スパッタ方式があるが、特に限定
されるものではない。
【００２２】図１は作成された反射防止膜の積層状態を
示す断面図である。まず、ディスプレイ画面を構成する
ガラス基板１０の上に１層目として窒化チタン膜（Ｔｉ
Ｎ2）１１を１５〜７０ｎｍ形成し、次に２層目として
窒化シリコン膜（Ｓｉ3 Ｎ4）１２を２０〜４０ｎｍ形
成し、最後に３層目として酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）
１３を４０〜８０ｎｍ形成して３層からなる反射防止膜
を作成する。
示す断面図である。まず、ディスプレイ画面を構成する
ガラス基板１０の上に１層目として窒化チタン膜（Ｔｉ
Ｎ2）１１を１５〜７０ｎｍ形成し、次に２層目として
窒化シリコン膜（Ｓｉ3 Ｎ4）１２を２０〜４０ｎｍ形
成し、最後に３層目として酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）
１３を４０〜８０ｎｍ形成して３層からなる反射防止膜
を作成する。
【００２３】各層の膜厚は必要とされる透過率（吸収
率）に応じて上記数値範囲内で変更可能であり、透過率
６０〜８０％（吸収率２０〜４０％）の反射防止膜を得
ることができる。例えば、ガラス基板の上に窒化チタン
膜（ＴｉＮ2 ）を２５．３３ｎｍ、窒化シリコン膜（Ｓ
ｉ3 Ｎ4 ）を３０．２０ｎｍ、酸化シリコン膜（ＳｉＯ
2 ）を６８．２３ｎｍ形成することにより、図３のグラ
フの様に平均反射率＝０．２７％、最大反射率＝０．３
７％、透過率＝６５％（吸収率３５％）、測定波長４３
０〜６５０ｎｍの帯電防止膜付き反射防止膜を得ること
ができる。このときの各膜における数値は作成条件
（Ａ）、（Ｂ）に基づきスパッタリングの成膜条件（ス
パッタリングプロセス条件であるパワー、成膜時の真空
度、スパッタガス・反応ガス混合比、ターゲット−サブ
ストレート（Ｔ−Ｓ）間距離）から個々に求められる。
尚、透過率５０〜９０％の範囲に窒化チタン膜を形成す
ることも可能である。
率）に応じて上記数値範囲内で変更可能であり、透過率
６０〜８０％（吸収率２０〜４０％）の反射防止膜を得
ることができる。例えば、ガラス基板の上に窒化チタン
膜（ＴｉＮ2 ）を２５．３３ｎｍ、窒化シリコン膜（Ｓ
ｉ3 Ｎ4 ）を３０．２０ｎｍ、酸化シリコン膜（ＳｉＯ
2 ）を６８．２３ｎｍ形成することにより、図３のグラ
フの様に平均反射率＝０．２７％、最大反射率＝０．３
７％、透過率＝６５％（吸収率３５％）、測定波長４３
０〜６５０ｎｍの帯電防止膜付き反射防止膜を得ること
ができる。このときの各膜における数値は作成条件
（Ａ）、（Ｂ）に基づきスパッタリングの成膜条件（ス
パッタリングプロセス条件であるパワー、成膜時の真空
度、スパッタガス・反応ガス混合比、ターゲット−サブ
ストレート（Ｔ−Ｓ）間距離）から個々に求められる。
尚、透過率５０〜９０％の範囲に窒化チタン膜を形成す
ることも可能である。
【００２４】また、窒化チタン膜（ＴｉＮ2 ）がコーテ
ィングされたディスプレイ画面の周囲にはアース取出端
子が設けられた集電部（図示せず）が形成されており、
膜内で発生した静電気はアース取出端子を通じてアース
に流れる。これにより、帯電防止が可能となる。
ィングされたディスプレイ画面の周囲にはアース取出端
子が設けられた集電部（図示せず）が形成されており、
膜内で発生した静電気はアース取出端子を通じてアース
に流れる。これにより、帯電防止が可能となる。
【００２５】
【発明の効果】本発明の請求項１に記載の反射防止膜に
よれば、基板に形成され、該基板に向かって入射する光
の反射を低減する反射防止膜は透過率制御膜で作成され
たので、従来の多層膜と同等またはそれ以上のワイドバ
ンドな波長領域で外光の映り込みを大幅に低減し、画像
のにじみ、ぼけなどによって解像度を劣化させず、低反
射膜を得ることが可能である。
よれば、基板に形成され、該基板に向かって入射する光
の反射を低減する反射防止膜は透過率制御膜で作成され
たので、従来の多層膜と同等またはそれ以上のワイドバ
ンドな波長領域で外光の映り込みを大幅に低減し、画像
のにじみ、ぼけなどによって解像度を劣化させず、低反
射膜を得ることが可能である。
【００２６】また、膜内で発生した静電気を集める集電
部が前記窒化チタン膜に形成され、該集電部を通じて前
記静電気が除電されるので、静電気や電磁波を遮蔽する
と共に透過率制御膜の採用により高コントラストが可能
となり、鮮明な画像が得られる。
部が前記窒化チタン膜に形成され、該集電部を通じて前
記静電気が除電されるので、静電気や電磁波を遮蔽する
と共に透過率制御膜の採用により高コントラストが可能
となり、鮮明な画像が得られる。
【００２７】さらに、前記窒化チタン膜に窒化シリコン
膜および酸化シリコン膜が積層された３層膜で作成され
るので、従来の多層膜と比べて製造時のインデックスタ
イムを大幅に短縮でき、製造コストを下げることができ
る。
膜および酸化シリコン膜が積層された３層膜で作成され
るので、従来の多層膜と比べて製造時のインデックスタ
イムを大幅に短縮でき、製造コストを下げることができ
る。
【図１】作成された反射防止膜の積層状態を示す断面図
である。
である。
【図２】可視光領域での波長に対して種々の薄膜金属材
料の比ｋ／ｎを示すグラフである。
料の比ｋ／ｎを示すグラフである。
【図３】本発明により形成された３層ＡＲ膜の波長対反
射率グラフである。
射率グラフである。
１０……ガラス基板、１１……窒化チタン膜（Ｔｉ
Ｎ2 ）、１２……窒化シリコン膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、１３
……酸化シリコン膜（ＳｉＯ2 ）
Ｎ2 ）、１２……窒化シリコン膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、１３
……酸化シリコン膜（ＳｉＯ2 ）
Claims (7)
- 【請求項１】 基板に形成され、該基板に向かって入射
する光の反射を低減する反射防止膜において、 光学干渉膜と透過率制御膜（導電膜）で作成されたこと
を特徴とする反射防止膜。 - 【請求項２】 前記透過率制御膜は、可視光領域の波長
に対して減衰係数ｋと屈折率ｎとの比ｋ／ｎが値０．１
〜値１の範囲にある窒化チタン膜であることを特徴する
請求項１記載の反射防止膜。 - 【請求項３】 前記窒化チタン膜に窒化シリコン膜およ
び酸化シリコン膜が積層された３層膜で作成されたこと
を特徴とする請求項２記載の反射防止膜。 - 【請求項４】 膜内で発生した静電気を集める集電部が
前記窒化チタン膜に形成され、該集電部を通じて前記静
電気が除電されることを特徴とする請求項２記載の反射
防止膜。 - 【請求項５】 前記窒化チタン膜は、光の透過率が５０
〜９０％の範囲に相当する膜厚に作成されたことを特徴
とする請求項２記載の反射防止膜。 - 【請求項６】 反射率が１％以下であることを特徴とす
る請求項３記載の反射防止膜。 - 【請求項７】 前記基板はディスプレイ画面を構成する
ガラス基板であることを特徴とする請求項１記載の反射
防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8347893A JPH10186103A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8347893A JPH10186103A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 反射防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10186103A true JPH10186103A (ja) | 1998-07-14 |
Family
ID=18393322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8347893A Pending JPH10186103A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10186103A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999044080A1 (fr) * | 1998-02-24 | 1999-09-02 | Asahi Glass Company Ltd. | Corps antireflecteur d'absorption de lumiere et procede de production de celui-ci |
| WO2001070493A1 (fr) * | 2000-03-22 | 2001-09-27 | Asahi Glass Company, Limited | Film stratifie fonctionnel, son procede de production et ecran cathodique sur lequel est colle ledit film |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP8347893A patent/JPH10186103A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999044080A1 (fr) * | 1998-02-24 | 1999-09-02 | Asahi Glass Company Ltd. | Corps antireflecteur d'absorption de lumiere et procede de production de celui-ci |
| US6344288B1 (en) | 1998-02-24 | 2002-02-05 | Asahi Glass Company, Limited | Light absorption antireflective body and method of producing the same |
| WO2001070493A1 (fr) * | 2000-03-22 | 2001-09-27 | Asahi Glass Company, Limited | Film stratifie fonctionnel, son procede de production et ecran cathodique sur lequel est colle ledit film |
| US6770344B2 (en) | 2000-03-22 | 2004-08-03 | Asahi Glass Company, Limited | Functional laminated film, its production process and CRT having said film attached thereto |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5521765A (en) | Electrically-conductive, contrast-selectable, contrast-improving filter | |
| CA1201630A (en) | Optical article having a conductive anti-reflection coating | |
| KR100563419B1 (ko) | 광 흡수성 반사방지체 및 그 제조 방법 | |
| EP1441239A1 (en) | Transparent laminate, method for producing the same, and plasma display panel | |
| JPH06510382A (ja) | 導電性光減衰型反射防止被膜 | |
| EP0753762B1 (en) | Electrically conductive, anti-reflection coating | |
| US7162141B1 (en) | Electro-conductive anti-reflection coating | |
| US5858519A (en) | Absorbing anti-reflection coatings for computer displays | |
| US20060055308A1 (en) | Plasma display filter with a dielectric/metallic layer stack of at least eleven layers | |
| KR20000047951A (ko) | 반사 방지막 및 표시 장치 | |
| JPH10186103A (ja) | 反射防止膜 | |
| JPH07192660A (ja) | 画像表示装置 | |
| JP2525838B2 (ja) | 反射防止膜付着透明板 | |
| EP1001280B1 (en) | Antistatic multilayer antireflection coating | |
| KR100840688B1 (ko) | 피디피 필터의 다층박막 구조 | |
| JPH01198701A (ja) | 着色反射防止膜 | |
| JP2001154001A (ja) | 導電性反射防止膜 | |
| JP2001056401A (ja) | 導電性反射防止膜 | |
| JP2715854B2 (ja) | 陰極線管 | |
| JP2001201606A (ja) | 導電性反射防止膜 | |
| JP2561757B2 (ja) | ブロンズ色ミラー | |
| KR970000902B1 (ko) | 저반사 코팅유리 및 그 제조방법 | |
| JP2000338302A (ja) | 反射防止膜及び画像表示装置 | |
| JP2000356703A (ja) | 導電性反射防止膜 | |
| CA1169115A (en) | Method for suppressing halo on face plate of cathode ray tube |