JP2000356703A - 導電性反射防止膜 - Google Patents
導電性反射防止膜Info
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- JP2000356703A JP2000356703A JP11167940A JP16794099A JP2000356703A JP 2000356703 A JP2000356703 A JP 2000356703A JP 11167940 A JP11167940 A JP 11167940A JP 16794099 A JP16794099 A JP 16794099A JP 2000356703 A JP2000356703 A JP 2000356703A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 膜総数が３層であっても、反射光の低減、コ
ントラストの向上、帯電防止、電磁波遮蔽及び耐熱性に
優れ、陰極線管の輝度が低下したり、映像が二重に見え
ることのない導電性反射防止膜を提供する。 【解決手段】 本発明の導電性反射防止膜は、基体上に
形成される３つの層を含み、基体側から順に第１、第
２、第３の層と呼ぶ時、第１の層は屈折率１．９〜２．
１の導電性を有する酸化物からなる透明層であり４０〜
１００ｎｍの幾何学的厚みを有し、第２の層は屈折率が
２．０〜２．５で、可視域の吸収係数が０．３０〜３．
６の着色層であり６０〜１２０ｎｍの幾何学的厚みを有
し、第３の層は屈折率が１．４〜１．５５の透明層であ
り５０〜１１０ｎｍの幾何学的厚みを有する。
ントラストの向上、帯電防止、電磁波遮蔽及び耐熱性に
優れ、陰極線管の輝度が低下したり、映像が二重に見え
ることのない導電性反射防止膜を提供する。 【解決手段】 本発明の導電性反射防止膜は、基体上に
形成される３つの層を含み、基体側から順に第１、第
２、第３の層と呼ぶ時、第１の層は屈折率１．９〜２．
１の導電性を有する酸化物からなる透明層であり４０〜
１００ｎｍの幾何学的厚みを有し、第２の層は屈折率が
２．０〜２．５で、可視域の吸収係数が０．３０〜３．
６の着色層であり６０〜１２０ｎｍの幾何学的厚みを有
し、第３の層は屈折率が１．４〜１．５５の透明層であ
り５０〜１１０ｎｍの幾何学的厚みを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性反射防止膜
に関し、特に４００℃以上の熱処理が施される陰極線管
用ガラスパネルの前面に形成するのに適した導電性反射
防止膜に関するものである。
に関し、特に４００℃以上の熱処理が施される陰極線管
用ガラスパネルの前面に形成するのに適した導電性反射
防止膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、陰極線管の表示面であるパネ
ル前面には、反射光の低減やコントラストの向上が要求
されており、最近では、帯電防止や人体に悪影響を及ぼ
す極低周波の電磁波を遮蔽することも求められるように
なってきている。
ル前面には、反射光の低減やコントラストの向上が要求
されており、最近では、帯電防止や人体に悪影響を及ぼ
す極低周波の電磁波を遮蔽することも求められるように
なってきている。
【０００３】そのため、陰極線管のパネル前面に各種の
多層膜を形成することによって、陰極線管に、反射光の
低減、コントラストの向上、帯電防止及び電磁波遮蔽の
機能を付与することが試みられており、これらの特性を
満足させる導電性反射防止膜として、例えば、特表平６
−５１０３８２号公報には、基体側から順に、ＮｂＮを
含む層、ＴｉＯ2を含む層、ＳｉＯ2を含む層からなる導
電性反射防止膜が提案されている。
多層膜を形成することによって、陰極線管に、反射光の
低減、コントラストの向上、帯電防止及び電磁波遮蔽の
機能を付与することが試みられており、これらの特性を
満足させる導電性反射防止膜として、例えば、特表平６
−５１０３８２号公報には、基体側から順に、ＮｂＮを
含む層、ＴｉＯ2を含む層、ＳｉＯ2を含む層からなる導
電性反射防止膜が提案されている。
【０００４】また、特開平９−１５６９６４号公報に
は、基体側から順に、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆから選ばれた
金属の酸化物を主成分とする層、ＳｉＯ2層からなる導
電性反射防止膜が提案されている。
は、基体側から順に、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆから選ばれた
金属の酸化物を主成分とする層、ＳｉＯ2層からなる導
電性反射防止膜が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特表平
６−５１０３８２号公報や特開平９−１５６９６４号に
開示された導電性反射防止膜は、導電層がＮｂＮやＴｉ
Ｎ等の光吸収性を有する着色膜で、抵抗値を満足させる
と膜厚を変える事が困難であり、結果として裏面反射率
が大きくなる。このような導電性反射防止膜を光透過率
の高いガラスからなる陰極線管用ガラスパネル上に形成
すると、陰極線管に映し出された映像が二重に見えやす
いという欠点を有している。
６−５１０３８２号公報や特開平９−１５６９６４号に
開示された導電性反射防止膜は、導電層がＮｂＮやＴｉ
Ｎ等の光吸収性を有する着色膜で、抵抗値を満足させる
と膜厚を変える事が困難であり、結果として裏面反射率
が大きくなる。このような導電性反射防止膜を光透過率
の高いガラスからなる陰極線管用ガラスパネル上に形成
すると、陰極線管に映し出された映像が二重に見えやす
いという欠点を有している。
【０００６】また、従来の導電性反射防止膜は、導電層
が窒化物からなる着色膜であるため、４００℃以上の熱
処理により酸化が進行し、熱処理の前後で反射率の変動
が大きく、抵抗値の変動も大きいので、反射光の低減、
電磁波遮蔽能力の点で問題がある。
が窒化物からなる着色膜であるため、４００℃以上の熱
処理により酸化が進行し、熱処理の前後で反射率の変動
が大きく、抵抗値の変動も大きいので、反射光の低減、
電磁波遮蔽能力の点で問題がある。
【０００７】本発明の目的は、膜総数が３層であって
も、反射光の低減、コントラストの向上、帯電防止及び
電磁波遮蔽について優れた能力を有し、しかも耐熱性に
優れ、さらに陰極線管の輝度が低下したり、映像が二重
に見えることのない導電性反射防止膜を提供することで
ある。
も、反射光の低減、コントラストの向上、帯電防止及び
電磁波遮蔽について優れた能力を有し、しかも耐熱性に
優れ、さらに陰極線管の輝度が低下したり、映像が二重
に見えることのない導電性反射防止膜を提供することで
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の導電性反射防止
膜は、基体上に形成される３つの層を含み、基体側から
順に第１、第２、第３の層と呼ぶ時、第１の層は屈折率
１．９〜２．１の導電性を有する酸化物からなる透明層
であり４０〜１００ｎｍの幾何学的厚みを有し、第２の
層は屈折率が２．０〜２．５で、可視域の吸収係数が
０．３０〜３．６の着色層であり６０〜１２０ｎｍの幾
何学的厚みを有し、第３の層は屈折率が１．４〜１．５
５の透明層であり５０〜１１０ｎｍの幾何学的厚みを有
することを特徴とする。
膜は、基体上に形成される３つの層を含み、基体側から
順に第１、第２、第３の層と呼ぶ時、第１の層は屈折率
１．９〜２．１の導電性を有する酸化物からなる透明層
であり４０〜１００ｎｍの幾何学的厚みを有し、第２の
層は屈折率が２．０〜２．５で、可視域の吸収係数が
０．３０〜３．６の着色層であり６０〜１２０ｎｍの幾
何学的厚みを有し、第３の層は屈折率が１．４〜１．５
５の透明層であり５０〜１１０ｎｍの幾何学的厚みを有
することを特徴とする。
【０００９】本発明において吸収係数とは、物体を透過
する前後の光強度の対数比を意味している。記号を用い
て説明すると、物体に吸収される吸収光の放射束をａ、
物体に入射する入射光の放射束をｉ、物体表面で反射さ
れる反射光の放射束をｒ、物体を透過する透過光の放射
束をｔとするとき、ａ＝ｉ−ｒ−ｔという式が成り立
つ。Ｌａｍｂｅｒｔ−Ｂｏｕｇｕｅｒの法則により、入
射光の放射束ｉに対する透過光の放射束ｔの比の対数
は、物体を透過する光の透過距離ｘに比例するので、Ｉ
ｎ（ｔ／ｉ）＝−ｋｘの関係が成り立つ。このときの比
例係数ｋを吸収係数という。基板に薄膜を形成した場
合、薄膜の表面の反射と、基板と薄膜との界面での反射
とが生じ、これら二つの反射光が干渉するため、吸収係
数ｋは薄膜の反射率にも影響する。
する前後の光強度の対数比を意味している。記号を用い
て説明すると、物体に吸収される吸収光の放射束をａ、
物体に入射する入射光の放射束をｉ、物体表面で反射さ
れる反射光の放射束をｒ、物体を透過する透過光の放射
束をｔとするとき、ａ＝ｉ−ｒ−ｔという式が成り立
つ。Ｌａｍｂｅｒｔ−Ｂｏｕｇｕｅｒの法則により、入
射光の放射束ｉに対する透過光の放射束ｔの比の対数
は、物体を透過する光の透過距離ｘに比例するので、Ｉ
ｎ（ｔ／ｉ）＝−ｋｘの関係が成り立つ。このときの比
例係数ｋを吸収係数という。基板に薄膜を形成した場
合、薄膜の表面の反射と、基板と薄膜との界面での反射
とが生じ、これら二つの反射光が干渉するため、吸収係
数ｋは薄膜の反射率にも影響する。
【００１０】また、本発明の導電性反射防止膜は、第１
の層が、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3及びＺｎＯから選ばれた少
なくとも１種からなる透明層であることを特徴とする。
の層が、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3及びＺｎＯから選ばれた少
なくとも１種からなる透明層であることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の導電性反射防止膜は、第２
の層が、ＴｉＣＯＮからなる着色層であることを特徴と
する。本発明においてＴｉＣＯＮとは、ＴｉＯ2、Ｔｉ
Ｎ及びＴｉＣの混合物または化合物が混ざり合ったもの
を意味する。
の層が、ＴｉＣＯＮからなる着色層であることを特徴と
する。本発明においてＴｉＣＯＮとは、ＴｉＯ2、Ｔｉ
Ｎ及びＴｉＣの混合物または化合物が混ざり合ったもの
を意味する。
【００１２】また、本発明の導電性反射防止膜は、第３
の層が、ＳｉＯ2及びＳｉＯＮから選ばれた少なくとも
１種からなる透明層であることを特徴とする。
の層が、ＳｉＯ2及びＳｉＯＮから選ばれた少なくとも
１種からなる透明層であることを特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明において、最も基体側に形成される第１
の層は、４０〜１００ｎｍの幾何学的厚みを有する屈折
率１．９〜２．１の導電性を有する酸化物からなる透明
層であり、第２、第３の層との干渉効果により表面反射
光の低減、裏面反射光の低減及び導電性を付与する作用
を有している。膜の導電性、成膜性、成膜コスト等を考
慮すると、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3及びＺｎＯから選ばれた
少なくとも１種からなる層であることが好ましく、２種
以上を組み合わせてもよい。導電性反射防止膜の導電性
を調整するために、ＳｎにはＳｂをＺｎにはＡｌ等をド
ーピング材として使用することもできる。また、第１の
層は、上記のような導電性を有する酸化物からなる透明
層であるため、４００℃以上の熱処理を行った場合でも
窒化物の膜に比べて酸化が進まず、電気的特性及び光学
的特性がほとんど変化しない。
の層は、４０〜１００ｎｍの幾何学的厚みを有する屈折
率１．９〜２．１の導電性を有する酸化物からなる透明
層であり、第２、第３の層との干渉効果により表面反射
光の低減、裏面反射光の低減及び導電性を付与する作用
を有している。膜の導電性、成膜性、成膜コスト等を考
慮すると、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3及びＺｎＯから選ばれた
少なくとも１種からなる層であることが好ましく、２種
以上を組み合わせてもよい。導電性反射防止膜の導電性
を調整するために、ＳｎにはＳｂをＺｎにはＡｌ等をド
ーピング材として使用することもできる。また、第１の
層は、上記のような導電性を有する酸化物からなる透明
層であるため、４００℃以上の熱処理を行った場合でも
窒化物の膜に比べて酸化が進まず、電気的特性及び光学
的特性がほとんど変化しない。
【００１４】また、第２の層は、６０〜１２０ｎｍの幾
何学的厚みを有する屈折率が２．０〜２．５、可視域の
吸収係数が０．３０〜３．６の光吸収性を有する着色層
であり、第１、第３の層との干渉効果により表面反射光
の低減、裏面反射光の低減及びコントラストを向上させ
る作用を有している。成膜性、生産コスト等を考慮する
と、ＴｉＣＯＮからなる層であることが好ましい。
何学的厚みを有する屈折率が２．０〜２．５、可視域の
吸収係数が０．３０〜３．６の光吸収性を有する着色層
であり、第１、第３の層との干渉効果により表面反射光
の低減、裏面反射光の低減及びコントラストを向上させ
る作用を有している。成膜性、生産コスト等を考慮する
と、ＴｉＣＯＮからなる層であることが好ましい。
【００１５】さらに、第３の層は、５０〜１１０ｎｍの
幾何学的厚みを有する屈折率が１．４〜１．５５の透明
層で、第１、第２の層との干渉効果により表面反射光の
低減、裏面反射光の低減させる作用を有している。成膜
性、生産コスト等を考慮すると、ＳｉＯ2及びＳｉＯＮ
から選ばれた少なくとも１種物からなる層であることが
好ましく、これら２種を組み合わせてもよい。
幾何学的厚みを有する屈折率が１．４〜１．５５の透明
層で、第１、第２の層との干渉効果により表面反射光の
低減、裏面反射光の低減させる作用を有している。成膜
性、生産コスト等を考慮すると、ＳｉＯ2及びＳｉＯＮ
から選ばれた少なくとも１種物からなる層であることが
好ましく、これら２種を組み合わせてもよい。
【００１６】上記のような第１〜第３の膜層からなる本
発明の導電性反射防止膜は、透明膜であり、またＮｂＮ
やＴｉＮの膜を使用しないため、陰極線管パネル上に形
成しても、輝度が低下したり、画像が二重に見えること
がない。また、本発明の導電性反射防止膜は、酸化物か
らなる透明層が導電性を有するので、４００℃以上の温
度になる熱処理の前後で抵抗値及び反射率の変動を小さ
くすることができる。
発明の導電性反射防止膜は、透明膜であり、またＮｂＮ
やＴｉＮの膜を使用しないため、陰極線管パネル上に形
成しても、輝度が低下したり、画像が二重に見えること
がない。また、本発明の導電性反射防止膜は、酸化物か
らなる透明層が導電性を有するので、４００℃以上の温
度になる熱処理の前後で抵抗値及び反射率の変動を小さ
くすることができる。
【００１７】尚、各膜層の屈折率、吸収係数及び膜厚
は、反射低減、帯電防止、電磁波遮蔽の各特性を考慮し
て限定したものであり、屈折率や膜厚が上記の範囲外に
なった場合、これらの特性が不十分となりやすいため好
ましくない。
は、反射低減、帯電防止、電磁波遮蔽の各特性を考慮し
て限定したものであり、屈折率や膜厚が上記の範囲外に
なった場合、これらの特性が不十分となりやすいため好
ましくない。
【００１８】本発明においては、上記したような第１〜
第３の膜層以外にも、必要に応じて膜の密着性を向上さ
せたり、色調を調整する目的で、付加的な薄膜層を適宜
設けることも可能である。
第３の膜層以外にも、必要に応じて膜の密着性を向上さ
せたり、色調を調整する目的で、付加的な薄膜層を適宜
設けることも可能である。
【００１９】本発明の導電性反射防止膜の成膜方法とし
ては、一般的な薄膜形成手段が使用できる。例えば、ス
パッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、スピンコート
法、ゾルゲル法等が適用可能であるが、大面積化が容易
であることや膜厚を制御しやすいこと等を考慮すると、
スパッタリング法が最も好ましい。
ては、一般的な薄膜形成手段が使用できる。例えば、ス
パッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、スピンコート
法、ゾルゲル法等が適用可能であるが、大面積化が容易
であることや膜厚を制御しやすいこと等を考慮すると、
スパッタリング法が最も好ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の導電性反射防止膜
を実施例に基づいて詳細に説明する。
を実施例に基づいて詳細に説明する。
【００２１】表１は、実施例の試料Ｎｏ．１〜４の導電
性反射防止膜を構成するＴｉＣＯＮからなる第２の層の
各波長における吸収係数を示し、表２は、実施例の試料
Ｎｏ．１〜３の導電性反射防止膜を、表３は、実施例の
試料Ｎｏ．４の導電性反射防止膜と比較例の導電性反射
防止膜をそれぞれ示すものである。
性反射防止膜を構成するＴｉＣＯＮからなる第２の層の
各波長における吸収係数を示し、表２は、実施例の試料
Ｎｏ．１〜３の導電性反射防止膜を、表３は、実施例の
試料Ｎｏ．４の導電性反射防止膜と比較例の導電性反射
防止膜をそれぞれ示すものである。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】
【表３】
【００２５】表中の導電性反射防止膜は、次のようにし
て作製した。
て作製した。
【００２６】まず１７インチサイズの陰極線管パネルガ
ラスを準備し、その前面にマグネトロンスパッタ成膜装
置を用いて、表に示すような３層構造の導電性反射防止
膜を形成した。表中の膜構成の欄には、各膜層の材料、
幾何学的厚み及び屈折率を示した。
ラスを準備し、その前面にマグネトロンスパッタ成膜装
置を用いて、表に示すような３層構造の導電性反射防止
膜を形成した。表中の膜構成の欄には、各膜層の材料、
幾何学的厚み及び屈折率を示した。
【００２７】こうして得られた各試料を箱型電気炉に入
れ、４５０℃、６０分間の熱処理を行い、熱処理前後の
波長４５０ｎｍ、波長５５０ｎｍ、波長６２０ｎｍにお
ける反射率、抵抗値、膜透過率及び膜裏面反射率を測定
した。
れ、４５０℃、６０分間の熱処理を行い、熱処理前後の
波長４５０ｎｍ、波長５５０ｎｍ、波長６２０ｎｍにお
ける反射率、抵抗値、膜透過率及び膜裏面反射率を測定
した。
【００２８】その結果、実施例であるＮｏ．１〜４の各
試料は、比較例の試料に比べて、熱処理前と熱処理後の
反射率の変動が小さく、抵抗値の変動も小さかった。ま
た実施例の各試料は、膜透過率が高いため、高い輝度の
陰極線管が得られ、さらに膜裏面反射率が低いため、画
像が二重に見えることがないと推測される。
試料は、比較例の試料に比べて、熱処理前と熱処理後の
反射率の変動が小さく、抵抗値の変動も小さかった。ま
た実施例の各試料は、膜透過率が高いため、高い輝度の
陰極線管が得られ、さらに膜裏面反射率が低いため、画
像が二重に見えることがないと推測される。
【００２９】尚、表中の反射率は、瞬間マルチ反射率測
定器を用いて、１５°正反射を測定したものである。
定器を用いて、１５°正反射を測定したものである。
【００３０】また、抵抗値は、パネル短辺側の中央部に
超音波ハンダで電極を取り付け、電極間の抵抗をテスタ
ーで測定したものである。
超音波ハンダで電極を取り付け、電極間の抵抗をテスタ
ーで測定したものである。
【００３１】さらに、膜透過率は、自記分光光度計によ
って測定し、膜裏面反射率は、瞬間マルチ反射率測定器
によって測定した。
って測定し、膜裏面反射率は、瞬間マルチ反射率測定器
によって測定した。
【００３２】また、導電性反射防止膜を構成する第２の
層の各波長における吸収係数は、分光エリプソメータに
て測定した。
層の各波長における吸収係数は、分光エリプソメータに
て測定した。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明の導電性反射防止膜
は、膜総数が３層であっても、反射低減、帯電防止、電
磁波遮蔽について優れた能力を有し、しかも耐熱性に優
れ、さらに陰極線管パネル上に形成しても、輝度が低下
したり、画像が二重に見えることがないため、陰極線管
パネル上に成膜される導電性反射防止膜として好適であ
る。またこれ以外にも、成膜後に高温の熱処理が施され
る液晶ディスプレイ基板やプラズマディスプレイ基板等
の各種ディスプレイにも適用可能である。
は、膜総数が３層であっても、反射低減、帯電防止、電
磁波遮蔽について優れた能力を有し、しかも耐熱性に優
れ、さらに陰極線管パネル上に形成しても、輝度が低下
したり、画像が二重に見えることがないため、陰極線管
パネル上に成膜される導電性反射防止膜として好適であ
る。またこれ以外にも、成膜後に高温の熱処理が施され
る液晶ディスプレイ基板やプラズマディスプレイ基板等
の各種ディスプレイにも適用可能である。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2K009 AA06 BB02 CC03 CC14 DD02 DD03 DD04 DD06 EE03 4F100 AA12B AA12C AA17A AA20C AA25A AA28A AR00B AR00C AT00D BA03 BA04 BA07 BA10A BA10C BA10D BA14 GB41 JD08 JD14B JG01A JG03 JJ03 JL10B JN01A JN01C JN06 JN18A JN18B JN18C JN30B YY00A YY00B YY00C 4G059 AA07 AC04 EA01 EA02 EA03 EA05 EA12 EB04 GA02 GA04 GA12 5C032 AA02 DD02 DF01 DF02 DF03 DF05 DG01 DG02
Claims (4)
- 【請求項１】 基体上に形成される３つの層を含み、基
体側から順に第１、第２、第３の層と呼ぶ時、第１の層
は屈折率１．９〜２．１の導電性を有する酸化物からな
る透明層であり４０〜１００ｎｍの幾何学的厚みを有
し、第２の層は屈折率が２．０〜２．５で、可視域の吸
収係数が０．３０〜３．６の着色層であり６０〜１２０
ｎｍの幾何学的厚みを有し、第３の層は屈折率が１．４
〜１．５５の透明層であり５０〜１１０ｎｍの幾何学的
厚みを有することを特徴とする導電性反射防止膜。 - 【請求項２】 第１の層が、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3及びＺ
ｎＯから選ばれた少なくとも１種からなる透明層である
請求項１に記載の導電性反射防止膜。 - 【請求項３】 第２の層が、ＴｉＣＯＮからなる着色層
である請求項１に記載の導電性反射防止膜。 - 【請求項４】 第３の層が、ＳｉＯ2及びＳｉＯＮから
選ばれた少なくとも１種からなる透明層である請求項１
に記載の導電性反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11167940A JP2000356703A (ja) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | 導電性反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11167940A JP2000356703A (ja) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | 導電性反射防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000356703A true JP2000356703A (ja) | 2000-12-26 |
Family
ID=15858882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11167940A Pending JP2000356703A (ja) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | 導電性反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000356703A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004031813A1 (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-15 | Bridgestone Corporation | 反射防止フィルム |
| WO2015020318A1 (ko) * | 2013-08-05 | 2015-02-12 | (주)엘지하우시스 | 투명 도전성 필름 및 이의 제조방법 |
-
1999
- 1999-06-15 JP JP11167940A patent/JP2000356703A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004031813A1 (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-15 | Bridgestone Corporation | 反射防止フィルム |
| WO2015020318A1 (ko) * | 2013-08-05 | 2015-02-12 | (주)엘지하우시스 | 투명 도전성 필름 및 이의 제조방법 |
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