JPH10182221A - 容量性素子を有する物品 - Google Patents
容量性素子を有する物品Info
- Publication number
- JPH10182221A JPH10182221A JP9290007A JP29000797A JPH10182221A JP H10182221 A JPH10182221 A JP H10182221A JP 9290007 A JP9290007 A JP 9290007A JP 29000797 A JP29000797 A JP 29000797A JP H10182221 A JPH10182221 A JP H10182221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- capacitive element
- article
- oxide
- dielectric constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910004446 Ta2 O5 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 3
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/92—Capacitors having potential barriers
- H01L29/94—Metal-insulator-semiconductors, e.g. MOS
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】比誘電率の温度係数が比較的に低いＴａ2Ｏ5ベ
ースの誘電体材料を提供する。 【解決手段】Ｔａ酸化物が示す比誘電率の温度依存性よ
りも（Ｔａ，Ａｌ）酸化物は低い温度依存性を示す比較
的狭い組成範囲が存在することを発見した。例えば、Ｔ
ａ2Ｏ5は、１ＭＨｚ、２０℃で約２５０ppm／℃の温度
係数を示すが、Ａｌ／（Ａｌ＋Ｔａ）の原子比が約０．
０５４の（Ｔａ，Ａｌ）酸化物は、同じ条件の下で−５
ppm／℃の温度係数を示した。Ａｌ酸化物を加えること
によって、比誘電率の温度依存性をかなり減らしたこと
だけではなく、このことによって比誘電率を増加させる
ことができた。具体的には、（Ｔａ，Ａｌ）酸化物から
なる誘電体材料からなる容量性素子を有する物品に関す
る。
ースの誘電体材料を提供する。 【解決手段】Ｔａ酸化物が示す比誘電率の温度依存性よ
りも（Ｔａ，Ａｌ）酸化物は低い温度依存性を示す比較
的狭い組成範囲が存在することを発見した。例えば、Ｔ
ａ2Ｏ5は、１ＭＨｚ、２０℃で約２５０ppm／℃の温度
係数を示すが、Ａｌ／（Ａｌ＋Ｔａ）の原子比が約０．
０５４の（Ｔａ，Ａｌ）酸化物は、同じ条件の下で−５
ppm／℃の温度係数を示した。Ａｌ酸化物を加えること
によって、比誘電率の温度依存性をかなり減らしたこと
だけではなく、このことによって比誘電率を増加させる
ことができた。具体的には、（Ｔａ，Ａｌ）酸化物から
なる誘電体材料からなる容量性素子を有する物品に関す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｔａ酸化物ベース
の容量性素子及びこのような素子からなる物品に関す
る。
の容量性素子及びこのような素子からなる物品に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】多くの応用技術（例えば、マイクロ波パ
ーソナル通信機器）において、比較的高周波数におい
て、高い比誘電率、低損失、比誘電率の小さい温度係数
を有する誘電体材料を得ることは非常に望まれている。
このような誘電体は、温度に敏感でない共振回路を容易
にもたらす。
ーソナル通信機器）において、比較的高周波数におい
て、高い比誘電率、低損失、比誘電率の小さい温度係数
を有する誘電体材料を得ることは非常に望まれている。
このような誘電体は、温度に敏感でない共振回路を容易
にもたらす。
【０００３】現在用いられている誘電体材料（通常、酸
化ケイ素をベースにする）は、低い比誘電率のため、集
積回路内のキャパシタや他の容量性素子において結局は
用いることは困難であることが判明する。従って、より
魅力的な誘電体材料が求められている。
化ケイ素をベースにする）は、低い比誘電率のため、集
積回路内のキャパシタや他の容量性素子において結局は
用いることは困難であることが判明する。従って、より
魅力的な誘電体材料が求められている。
【０００４】マイクロエレクトロニクス製造が容易なた
め、及びマイクロエレクトロニクスの容易な製造プロセ
スにおいて良好な品質のフィルムを作ることができるの
で、Ｔａ2Ｏ5は特に興味深い誘電体である。しかし、Ｔ
ａ2Ｏ5は比誘電率の比較的大きな温度係数を有し、従っ
て、Ｔａ2Ｏ5ベースの容量性素子はそのキャパシタンス
の温度依存性が大きくなってしまう。ここで、「容量性
素子（キャパシティブ・エレメント）」とは、容量性の
特性を実質的に有する回路素子をいう。この語は、キャ
パシタの他に、フィルタや共振基をも包含する。
め、及びマイクロエレクトロニクスの容易な製造プロセ
スにおいて良好な品質のフィルムを作ることができるの
で、Ｔａ2Ｏ5は特に興味深い誘電体である。しかし、Ｔ
ａ2Ｏ5は比誘電率の比較的大きな温度係数を有し、従っ
て、Ｔａ2Ｏ5ベースの容量性素子はそのキャパシタンス
の温度依存性が大きくなってしまう。ここで、「容量性
素子（キャパシティブ・エレメント）」とは、容量性の
特性を実質的に有する回路素子をいう。この語は、キャ
パシタの他に、フィルタや共振基をも包含する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記以外の点はとても
優れているＴａ2Ｏ5を考えてみると、比誘電率の温度係
数が比較的に低いＴａ2Ｏ5ベースの誘電体材料は非常に
望まれている。
優れているＴａ2Ｏ5を考えてみると、比誘電率の温度係
数が比較的に低いＴａ2Ｏ5ベースの誘電体材料は非常に
望まれている。
【０００６】文献、K. Nomura et al., J. Electrochem
ical Society, Vol. 134, p.922(1987)、はＴａ2Ｏ5と
Ａｌ2Ｏ3の複合薄膜の蒸着及びこの複合薄膜の特性を報
告している。その特性としては、１〜１０００ｋＨｚの
範囲にわたる周波数の関数としてのキャパシタンス及び
消費ファクターがある（図５を見るとよい。）。文献、
K. Nomura et al., J. Electrochemical Society, Vol.
138, p. 3701(1991)、も見るとよい。
ical Society, Vol. 134, p.922(1987)、はＴａ2Ｏ5と
Ａｌ2Ｏ3の複合薄膜の蒸着及びこの複合薄膜の特性を報
告している。その特性としては、１〜１０００ｋＨｚの
範囲にわたる周波数の関数としてのキャパシタンス及び
消費ファクターがある（図５を見るとよい。）。文献、
K. Nomura et al., J. Electrochemical Society, Vol.
138, p. 3701(1991)、も見るとよい。
【０００７】
【課題を解決するための手段】我々は、Ｔａ酸化物が示
す比誘電率の温度依存性よりも（Ｔａ，Ａｌ）酸化物は
低い温度依存性を示す比較的狭い組成範囲が存在するこ
とを発見した。例えば、Ｔａ2Ｏ5は、１ＭＨｚ、２０℃
で約２５０ppm／℃の温度係数を示すが、Ａｌ／（Ａｌ
＋Ｔａ）の原子比が約０．０５４の（Ｔａ，Ａｌ）酸化
物は、同じ条件の下で−５ppm／℃の温度係数を示し
た。このことは、技術的にかなり驚くべきことである。
ここで、「（Ｔａ，Ａｌ）酸化物」とは、Ｔａ，Ａｌ、
酸素を主に含有する物質であって、ＴａとＡｌがすべて
の金属原子の９０原子％以上（好ましくは、９５原子％
以上）であるものをいう。
す比誘電率の温度依存性よりも（Ｔａ，Ａｌ）酸化物は
低い温度依存性を示す比較的狭い組成範囲が存在するこ
とを発見した。例えば、Ｔａ2Ｏ5は、１ＭＨｚ、２０℃
で約２５０ppm／℃の温度係数を示すが、Ａｌ／（Ａｌ
＋Ｔａ）の原子比が約０．０５４の（Ｔａ，Ａｌ）酸化
物は、同じ条件の下で−５ppm／℃の温度係数を示し
た。このことは、技術的にかなり驚くべきことである。
ここで、「（Ｔａ，Ａｌ）酸化物」とは、Ｔａ，Ａｌ、
酸素を主に含有する物質であって、ＴａとＡｌがすべて
の金属原子の９０原子％以上（好ましくは、９５原子％
以上）であるものをいう。
【０００８】Ａｌ酸化物を加えることによって、比誘電
率の温度依存性をかなり減らしたことだけではなく、こ
のことによって比誘電率を増加させることができた。さ
らに、我々は、この物質の比誘電率は、約１ｋＨｚ〜１
４ＧＨｚまでの周波数範囲にわたって実質的に一定であ
り、この物質は、比較的低い消費（例えば、２０℃、５
ＧＨｚにおいて約６００の品質ファクターＱ）を持つこ
とができることをも発見した。
率の温度依存性をかなり減らしたことだけではなく、こ
のことによって比誘電率を増加させることができた。さ
らに、我々は、この物質の比誘電率は、約１ｋＨｚ〜１
４ＧＨｚまでの周波数範囲にわたって実質的に一定であ
り、この物質は、比較的低い消費（例えば、２０℃、５
ＧＨｚにおいて約６００の品質ファクターＱ）を持つこ
とができることをも発見した。
【０００９】広い視点に立てば、本発明は、比較的温度
に影響されない容量性素子を有する物品（例えば、Ｉ
Ｃ、パーソナル通信装置）において用いられる。
に影響されない容量性素子を有する物品（例えば、Ｉ
Ｃ、パーソナル通信装置）において用いられる。
【００１０】具体的には、（Ｔａ，Ａｌ）酸化物からな
る誘電体材料からなる容量性素子を有する物品に関す
る。
る誘電体材料からなる容量性素子を有する物品に関す
る。
【００１１】この誘電体材料は、Ａｌ／（Ａｌ＋Ｔａ）
の原子比ｘが約０．０３〜０．１５の範囲にあり、この
比はこの誘電体材料が比誘電率の低い温度係数（例え
ば、１ＭＨｚ、２０℃で約５０ppm／℃より小さい温度
係数）を有するように選択される。
の原子比ｘが約０．０３〜０．１５の範囲にあり、この
比はこの誘電体材料が比誘電率の低い温度係数（例え
ば、１ＭＨｚ、２０℃で約５０ppm／℃より小さい温度
係数）を有するように選択される。
【００１２】この物質は、ＴａとＡｌの両方で物質の金
属原子含有量の９０原子％以上を保っている状態で、随
意に少量の添加物（例えば、ＴｉＯ2や他の金属酸化
物）を含んでいてもよい。
属原子含有量の９０原子％以上を保っている状態で、随
意に少量の添加物（例えば、ＴｉＯ2や他の金属酸化
物）を含んでいてもよい。
【００１３】
【発明の実施の形態】セラミックプロセス技術により用
意した公称組成（Ａｌ2Ｏ3）x（Ｔａ2Ｏ5）1 -xのバルク
サンプルを実験のために用意した。しかし、本発明はそ
のように限定されるわけではなく、例えば、同じ公称組
成の薄膜が同様な誘電体特性を持つ。このような薄膜
は、酸化物のターゲットから直接蒸着したり、金属フィ
ルムを酸化させたりして従来の技術により用意すること
ができる。この従来技術としては、スパッタリング、化
学気相成長法、レーザーアブレーション、電子ビーム蒸
着(e-beam evapolation)、がある。また、本発明の誘電
体は、ＴａとＡｌ以外の比較的少量の金属を含んでいて
もよく、例えば、Ｔａ2Ｏ5への少量のＴｉＯ2の添加
（例えば、８％）により、比誘電率がかなり増加する。
このように、誘電体内におけるＴｉＯ2や他の随意の特
性改善成分の存在も予想される。
意した公称組成（Ａｌ2Ｏ3）x（Ｔａ2Ｏ5）1 -xのバルク
サンプルを実験のために用意した。しかし、本発明はそ
のように限定されるわけではなく、例えば、同じ公称組
成の薄膜が同様な誘電体特性を持つ。このような薄膜
は、酸化物のターゲットから直接蒸着したり、金属フィ
ルムを酸化させたりして従来の技術により用意すること
ができる。この従来技術としては、スパッタリング、化
学気相成長法、レーザーアブレーション、電子ビーム蒸
着(e-beam evapolation)、がある。また、本発明の誘電
体は、ＴａとＡｌ以外の比較的少量の金属を含んでいて
もよく、例えば、Ｔａ2Ｏ5への少量のＴｉＯ2の添加
（例えば、８％）により、比誘電率がかなり増加する。
このように、誘電体内におけるＴｉＯ2や他の随意の特
性改善成分の存在も予想される。
【００１４】公称組成（Ａｌ2Ｏ3）ｘ（Ｔａ2Ｏ5）1-x
のセラミックディスクを所望のモル量で高純度Ｔａ2Ｏ5
（９９．９９３％）とＡｌ2Ｏ3（９９．９９％）を混合
して、これを大気中にて１３５０℃で６０時間加熱し、
その後機械的に粉砕することにより作った。得られた粉
末を、１０時間１４００℃で加熱し、再び粉砕し、圧力
を加えて厚さ約３ｍｍの直径１．３ｃｍ（０．５イン
チ）のペレットを作った。このペレットはＡｌ2Ｏ3の皿
の上に置かれたこのペレットと同じ組成の粉末の上に置
き、１５７５〜１６２５℃の温度で大気中にて２時間焼
くことにより高密度化させた。得られたペレットは、理
論的な密度の９０％よりも大きい密度を有した。この
（Ｔａ，Ａｌ）酸化物の製造プロセスは単なる例であ
り、他の方法により作ることができる。
のセラミックディスクを所望のモル量で高純度Ｔａ2Ｏ5
（９９．９９３％）とＡｌ2Ｏ3（９９．９９％）を混合
して、これを大気中にて１３５０℃で６０時間加熱し、
その後機械的に粉砕することにより作った。得られた粉
末を、１０時間１４００℃で加熱し、再び粉砕し、圧力
を加えて厚さ約３ｍｍの直径１．３ｃｍ（０．５イン
チ）のペレットを作った。このペレットはＡｌ2Ｏ3の皿
の上に置かれたこのペレットと同じ組成の粉末の上に置
き、１５７５〜１６２５℃の温度で大気中にて２時間焼
くことにより高密度化させた。得られたペレットは、理
論的な密度の９０％よりも大きい密度を有した。この
（Ｔａ，Ａｌ）酸化物の製造プロセスは単なる例であ
り、他の方法により作ることができる。
【００１５】粉末Ｘ線回折により分析して、このように
製造した材料がｘが０〜０．０７５のＴａ2Ｏ5型の固溶
体であり、アルミナを多く含むＴａ2Ｏ5型の固溶体と、
ｘが０．０７５〜０．２０の範囲のＡｌＴａＯ4とを含
有する多相材料であることを示した。ここでもちろん、
（Ａｌ2Ｏ3）x（Ｔａ2Ｏ5）1-xの表記は、開始組成
（「ノミナル（公称）」組成ともいう。）を表し、最終
産物において２つの酸素が必ずしも正確に示した比では
ない。
製造した材料がｘが０〜０．０７５のＴａ2Ｏ5型の固溶
体であり、アルミナを多く含むＴａ2Ｏ5型の固溶体と、
ｘが０．０７５〜０．２０の範囲のＡｌＴａＯ4とを含
有する多相材料であることを示した。ここでもちろん、
（Ａｌ2Ｏ3）x（Ｔａ2Ｏ5）1-xの表記は、開始組成
（「ノミナル（公称）」組成ともいう。）を表し、最終
産物において２つの酸素が必ずしも正確に示した比では
ない。
【００１６】このようにして作ったセラミックペレット
に５０：５０ Ｇａ-Ｉｎ合金ハンダでペレットの平坦表
面を被覆することにより電気接点を設けた。商業的に得
られるインピーダンスアナライザーを温度範囲−４０〜
１００℃で約５Ｖ／ｃｍの印加電界で１ｋＨｚ〜５ＭＨ
ｚの間の比誘電率（Ｋ）と消費ファクター（Ｄ：「tan
δ」や「１／Ｑ」とも表される）を測定するのに用い
た。
に５０：５０ Ｇａ-Ｉｎ合金ハンダでペレットの平坦表
面を被覆することにより電気接点を設けた。商業的に得
られるインピーダンスアナライザーを温度範囲−４０〜
１００℃で約５Ｖ／ｃｍの印加電界で１ｋＨｚ〜５ＭＨ
ｚの間の比誘電率（Ｋ）と消費ファクター（Ｄ：「tan
δ」や「１／Ｑ」とも表される）を測定するのに用い
た。
【００１７】図１には、実験例のｘが約０．０３〜０．
１５の範囲の公称組成（Ａｌ2Ｏ3）x（Ｔａ2Ｏ5）1-xの
物質の１ＭＨｚ、２０℃における比誘電率を示す。
１５の範囲の公称組成（Ａｌ2Ｏ3）x（Ｔａ2Ｏ5）1-xの
物質の１ＭＨｚ、２０℃における比誘電率を示す。
【００１８】図２には、多くの実験例のサンプルの比誘
電率の温度依存性を表すデータを示す。曲線２０はｘ＝
０及び０．０２５、曲線２１〜２４はそれぞれ、ｘ＝
０．０５、０．０７５、０．１及び０．１７５に対応す
る。ｘ＝０．２の曲線は、約２０℃より低い温度におい
てｘ＝０．１７５の曲線と、約２０℃より高い温度にお
いてｘ＝０．０７５の曲線と実質的に一致している。ｘ
＝０（及び０．０２５）とｘ＞０．０３に対する比誘電
率の温度依存性の大きな差違が図２により明らかであ
る。
電率の温度依存性を表すデータを示す。曲線２０はｘ＝
０及び０．０２５、曲線２１〜２４はそれぞれ、ｘ＝
０．０５、０．０７５、０．１及び０．１７５に対応す
る。ｘ＝０．２の曲線は、約２０℃より低い温度におい
てｘ＝０．１７５の曲線と、約２０℃より高い温度にお
いてｘ＝０．０７５の曲線と実質的に一致している。ｘ
＝０（及び０．０２５）とｘ＞０．０３に対する比誘電
率の温度依存性の大きな差違が図２により明らかであ
る。
【００１９】図３には、２０℃におけるｘ＝０のサンプ
ルの比誘電率と消費ファクターのデータを周波数の関数
として示した。曲線３０は、範囲１ｋＨｚ〜５ＭＨｚに
わたってのＫを、曲線３１は、だいたいの範囲１０ｋＨ
ｚ〜５ＭＨｚにわたってのＤを、曲線３２は、範囲１〜
１４ＧＨｚにわたってのＫを示す。
ルの比誘電率と消費ファクターのデータを周波数の関数
として示した。曲線３０は、範囲１ｋＨｚ〜５ＭＨｚに
わたってのＫを、曲線３１は、だいたいの範囲１０ｋＨ
ｚ〜５ＭＨｚにわたってのＤを、曲線３２は、範囲１〜
１４ＧＨｚにわたってのＫを示す。
【００２０】図４には、本発明の物質の誘電体特性の温
度依存性の詳細を何らかに与えてある条件に依存するも
のの測定結果を示す。曲線４０、４１は、ｘ＝０．１５
のサンプルに対応し、曲線４０は、１５２５℃で２時間
焼成した後のサンプルに対応し、曲線４１は、１５７５
℃で更に４時間焼成した後のサンプルに対応する。曲線
４２、４３は、ｘ＝０．０５６のサンプルに対応し、曲
線４２は、１６２５℃で焼成した後のサンプルに対応
し、曲線４３は、１１００℃で更に５時間アニールした
後のサンプルに対応する。また、図４には、同じサンプ
ル、処理条件のものに対する２０℃におけるＫの値（Ｋ
20）、２０℃におけるＤの値（Ｄ20）を示す。
度依存性の詳細を何らかに与えてある条件に依存するも
のの測定結果を示す。曲線４０、４１は、ｘ＝０．１５
のサンプルに対応し、曲線４０は、１５２５℃で２時間
焼成した後のサンプルに対応し、曲線４１は、１５７５
℃で更に４時間焼成した後のサンプルに対応する。曲線
４２、４３は、ｘ＝０．０５６のサンプルに対応し、曲
線４２は、１６２５℃で焼成した後のサンプルに対応
し、曲線４３は、１１００℃で更に５時間アニールした
後のサンプルに対応する。また、図４には、同じサンプ
ル、処理条件のものに対する２０℃におけるＫの値（Ｋ
20）、２０℃におけるＤの値（Ｄ20）を示す。
【００２１】図４の実験例のデータは、本発明の物質の
誘電体特性の処理詳細への依存を明解に示し、多くの応
用に対して誘電体特性を調整できることを提示してい
る。
誘電体特性の処理詳細への依存を明解に示し、多くの応
用に対して誘電体特性を調整できることを提示してい
る。
【００２２】第１表には、公称組成の関数としての誘電
体特性のまとめを示す。データを見てみると、全温度範
囲で、ｘがおおよそ０．０６≦ｘ＜０．１５の範囲で、
Ｔａ2Ｏ5で測定される比誘電率よりも適度に大きくなっ
ている。観測した比誘電率の正確な値は、調製ごとに若
干（〜±５から±１０）変化した。これはペレットの密
度及びセラミック粒子の配向性によると思われるが、適
度なＫの増加が全体として一貫して観測できた。また、
この物質は低いＤ値、結果として高いＱ値を一貫して示
した。表における低いＤ値は、ＭＨｚ周波数帯のこれら
の物質の固有の損失の上限と考えることができる。これ
は、測定値は測定回路からの貢献の分を修正されていな
いために起こる。従ってこれらの物質は、調べたこの周
波数範囲において高品質な誘電体であることができ、こ
の周波数範囲外においても高品質であることと考えられ
る。
体特性のまとめを示す。データを見てみると、全温度範
囲で、ｘがおおよそ０．０６≦ｘ＜０．１５の範囲で、
Ｔａ2Ｏ5で測定される比誘電率よりも適度に大きくなっ
ている。観測した比誘電率の正確な値は、調製ごとに若
干（〜±５から±１０）変化した。これはペレットの密
度及びセラミック粒子の配向性によると思われるが、適
度なＫの増加が全体として一貫して観測できた。また、
この物質は低いＤ値、結果として高いＱ値を一貫して示
した。表における低いＤ値は、ＭＨｚ周波数帯のこれら
の物質の固有の損失の上限と考えることができる。これ
は、測定値は測定回路からの貢献の分を修正されていな
いために起こる。従ってこれらの物質は、調べたこの周
波数範囲において高品質な誘電体であることができ、こ
の周波数範囲外においても高品質であることと考えられ
る。
【００２３】 第１表 （Ａｌ2Ｏ3）x（Ｔａ2Ｏ5）1-xの多結晶セラミックの誘電体特性 --------------------------------------------------------------------- -20℃ 20℃ 60℃ 100℃ ｘ Ｋ Ｄ Ｋ Ｄ Ｋ Ｄ Ｋ Ｄ --------------------------------------------------------------------- 0.0 32.85 0.0023 33.08 0.0010 33.31 0.0007 33.56 0.0019 0.025 29.79 0.0028 30.25 0.0019 30.58 0.0029 30.75 0.0034 0.05 30.37 0.0003 30.39 0.0003 30.40 0.0007 30.42 0.0011 0.054 34.28 0.0002 34.27 0.0002 34.26 0.0007 34.26 0.0012 0.056 39.50 0.0002 39.45 0.0002 39.41 0.0007 39.39 0.0013 0.06 37.34 0.0003 37.28 0.0004 37.23 0.0009 37.19 0.1115 0.075 40.03 0.0005 39.99 0.0005 39.96 0.1110 39.93 0.0016 0.10 41.74 0.0003 41.67 0.0004 41.61 0.0009 41.58 0.0015 0.125 37.15 0.0003 37.10 0.0004 37.06 0.0008 37.04 0.0014 0.15 33.80 0.0006 33.77 0.0005 33.74 0.0008 33.72 0.0013 0.175 29.22 0.0003 29.19 0.0003 29.16 0.0007 29.15 0.0012 0.20 25.02 0.0002 24.99 0.0002 24.98 0.0006 24.98 0.1110 0.20 25.02 0.0002 24.99 0.0002 24.98 0.0006 24.98 0.0010
【００２４】第２表には、サンプル（ｘ＝０から０．
２）に対する比誘電率Ｋ及びこのＫの温度係数（ＴＣ
Ｋ）を示す。ＴＣＫは｛（Ｋ100−Ｋ-40）／Ｋ20｝／１
４０℃として定義され、ここで、Ｋ100、Ｋ-40、Ｋ20は
それぞれ、１００℃、−４０℃、２０℃におけるＫであ
る。
２）に対する比誘電率Ｋ及びこのＫの温度係数（ＴＣ
Ｋ）を示す。ＴＣＫは｛（Ｋ100−Ｋ-40）／Ｋ20｝／１
４０℃として定義され、ここで、Ｋ100、Ｋ-40、Ｋ20は
それぞれ、１００℃、−４０℃、２０℃におけるＫであ
る。
【００２５】第２表 （Ａｌ2Ｏ3）x（Ｔａ2Ｏ5）1-xの多結晶セラミックの１
ＭＨｚにおける比誘電率の温度係数（ＴＣＫ） --------------------------------------- ｘ Ｋ20 ＴＣＫ（ppm/℃） --------------------------------------- 0.0 33.08 +250 0.025 30.25 +270 0.05 30.39 +13 0.054 34.27 -5 0.056 39.50 -20 0.06 37.28 -33 0.075 39.99 -19 0.10 41.67 -42 0.125 37.10 -25 0.15 33.77 -19 0.175 29.19 -30 0.20 24.99 -21
ＭＨｚにおける比誘電率の温度係数（ＴＣＫ） --------------------------------------- ｘ Ｋ20 ＴＣＫ（ppm/℃） --------------------------------------- 0.0 33.08 +250 0.025 30.25 +270 0.05 30.39 +13 0.054 34.27 -5 0.056 39.50 -20 0.06 37.28 -33 0.075 39.99 -19 0.10 41.67 -42 0.125 37.10 -25 0.15 33.77 -19 0.175 29.19 -30 0.20 24.99 -21
【００２６】第２表により容易にわかるとおり、ｘが０
又は小さい値（例えば、−０．０２５）における比較的
大きな正値（例えば、約２５０ppm/℃）から、より高い
ｘ値における比較的小さい値（例えば、約２５０ppm/
℃）へとＴＣＫは変化する。ｘ＝０．０５〜０．０６に
近い材料は特に低いＴＣＫを有し、この範囲においてＴ
ＣＫは通常符号を変える。
又は小さい値（例えば、−０．０２５）における比較的
大きな正値（例えば、約２５０ppm/℃）から、より高い
ｘ値における比較的小さい値（例えば、約２５０ppm/
℃）へとＴＣＫは変化する。ｘ＝０．０５〜０．０６に
近い材料は特に低いＴＣＫを有し、この範囲においてＴ
ＣＫは通常符号を変える。
【００２７】総じてこれらの関連する特性を考えてみる
と、ｘがおおよそ０．０３〜０．１５の範囲の組成が優
れた特性を有していることがわかる。このことは、我々
が知る限り従来技術には教示されていない奇遇な結果で
あり、本発明のこの組成の材料は、容量性素子（例え
ば、離散的又は集積されたキャパシタ、フィルタ、共振
器、集積キャパシタを有するマイクロエレクトロニクス
メモリ）を有する多くの物品において有益に用いること
ができ、特に、広い温度範囲にて動作させることを意図
した物品においては更に有益に用いることができる。
と、ｘがおおよそ０．０３〜０．１５の範囲の組成が優
れた特性を有していることがわかる。このことは、我々
が知る限り従来技術には教示されていない奇遇な結果で
あり、本発明のこの組成の材料は、容量性素子（例え
ば、離散的又は集積されたキャパシタ、フィルタ、共振
器、集積キャパシタを有するマイクロエレクトロニクス
メモリ）を有する多くの物品において有益に用いること
ができ、特に、広い温度範囲にて動作させることを意図
した物品においては更に有益に用いることができる。
【００２８】図５には、本発明の容量性素子５０の例、
具体的には、離散的キャパシタを示す。ここでは、上部
電極５１、下部電極５２、本発明の誘電体５３、カプセ
ル体５４を示してある。本発明の誘電体５３以外は、従
来技術のものであってよい。
具体的には、離散的キャパシタを示す。ここでは、上部
電極５１、下部電極５２、本発明の誘電体５３、カプセ
ル体５４を示してある。本発明の誘電体５３以外は、従
来技術のものであってよい。
【００２９】図６には、本発明の更なる容量性素子、具
体的には、集積ＭＯＳキャパシタ６０を示す。ここで
は、（通常ドープされる）半導体基板６１、本発明の誘
電体層６２、電極６３を示してある。本発明の誘電体層
６２以外は従来技術のものであってよい。
体的には、集積ＭＯＳキャパシタ６０を示す。ここで
は、（通常ドープされる）半導体基板６１、本発明の誘
電体層６２、電極６３を示してある。本発明の誘電体層
６２以外は従来技術のものであってよい。
【００３０】図７には、本発明の更なる容量性素子７
０、具体的には、スプリットリング共振器７１を示し、
誘電体メンバ７２が共振器のスロットの中に配置されて
いる。スプリットリング共振器は、知られている。誘電
体メンバ７２は、本発明の誘電体特性からなり、これに
よりキャパシタンスが増加し、温度安定性が増加した。
知られているように、複数の共振器をフィルタ内に組み
立てることができる。
０、具体的には、スプリットリング共振器７１を示し、
誘電体メンバ７２が共振器のスロットの中に配置されて
いる。スプリットリング共振器は、知られている。誘電
体メンバ７２は、本発明の誘電体特性からなり、これに
よりキャパシタンスが増加し、温度安定性が増加した。
知られているように、複数の共振器をフィルタ内に組み
立てることができる。
【００３１】本発明の離散的及び集積されたキャパシタ
は、パーソナル通信機器等において用いることができ、
本発明の共振器及びフィルタは、無線通信システムの基
地局や中継装置にて用いることができる。
は、パーソナル通信機器等において用いることができ、
本発明の共振器及びフィルタは、無線通信システムの基
地局や中継装置にて用いることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明により、比誘
電率の温度係数が比較的に低いＴａ2Ｏ5ベースの誘電体
材料を提供できた。Ｔａ酸化物が示す比誘電率の温度依
存性よりも（Ｔａ，Ａｌ）酸化物は低い温度依存性を示
す比較的狭い組成範囲が存在することを発見した。例え
ば、Ｔａ2Ｏ5は、１ＭＨｚ、２０℃で約２５０ppm／℃
の温度係数を示すが、Ａｌ／（Ａｌ＋Ｔａ）の原子比が
約０．０５４の（Ｔａ，Ａｌ）酸化物は、同じ条件の下
で−５ppm／℃の温度係数を示した。Ａｌ酸化物を加え
ることによって、比誘電率の温度依存性をかなり減らし
たことだけではなく、このことによって比誘電率を増加
させることができた。具体的には、（Ｔａ，Ａｌ）酸化
物からなる誘電体材料からなる容量性素子を有する物品
を提供できた。
電率の温度係数が比較的に低いＴａ2Ｏ5ベースの誘電体
材料を提供できた。Ｔａ酸化物が示す比誘電率の温度依
存性よりも（Ｔａ，Ａｌ）酸化物は低い温度依存性を示
す比較的狭い組成範囲が存在することを発見した。例え
ば、Ｔａ2Ｏ5は、１ＭＨｚ、２０℃で約２５０ppm／℃
の温度係数を示すが、Ａｌ／（Ａｌ＋Ｔａ）の原子比が
約０．０５４の（Ｔａ，Ａｌ）酸化物は、同じ条件の下
で−５ppm／℃の温度係数を示した。Ａｌ酸化物を加え
ることによって、比誘電率の温度依存性をかなり減らし
たことだけではなく、このことによって比誘電率を増加
させることができた。具体的には、（Ｔａ，Ａｌ）酸化
物からなる誘電体材料からなる容量性素子を有する物品
を提供できた。
【図１】Ａｌ／（Ａｌ＋Ｔａ）の原子比ｘに対する比誘
電率のデータを示すグラフ図である。
電率のデータを示すグラフ図である。
【図２】ｘの関数としての誘電体定数の温度依存性のデ
ータを示すグラフ図である。
ータを示すグラフ図である。
【図３】本発明の組成の例における比誘電率と消費ファ
クターの周波数依存性を示すデータのグラフ図である。
クターの周波数依存性を示すデータのグラフ図である。
【図４】比誘電率と消費ファクターの周波数依存性を示
す更なるデータのグラフ図である。
す更なるデータのグラフ図である。
【図５】本発明の容量性素子を示す断面図である。
【図６】本発明の容量性素子を示す側方図である。
【図７】本発明の容量性素子を示す側方図及び斜視図で
ある。
ある。
５０ 容量性素子 ５１ 上部電極 ５２ 下部電極 ５３ 誘電体 ５４ カプセル体 ６０ 集積ＭＯＳキャパシタ ６１ 半導体基板 ６２ 誘電体層 ６３ 電極 ７０ 容量性素子 ７１ スプリットリング共振器 ７２ 誘電体メンバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ.
Claims (6)
- 【請求項１】 誘電体材料（５３）からなる容量性素子
（５０）を有する物品であって、この誘電体物質は、比
誘電率及び比誘電率の温度係数を有し、かつ、（Ｔａ，
Ａｌ）酸化物からなり、 この誘電体特性は、Ａｌ／（Ａｌ＋Ｔａ）の原子比が約
０．０３〜０．１５の範囲にあり、このＡｌ／（Ａｌ＋
Ｔａ）の原子比は、この誘電体材料が１ＭＨｚ、２０℃
において約５０ppm／℃より小さい比誘電率の温度係数
の絶対値を有し、ＡｌとＴａの原子が両方でこの誘電体
特性の総金属原子量の少なくとも９０原子％を占めるよ
うに選択されることを特徴とする容量性素子を有する物
品。 - 【請求項２】 前記Ａｌ／（Ａｌ＋Ｔａ）の原子比は、
前記温度係数が１ＭＨｚ、２０℃において２０ppm／℃
より小さい絶対値を有することを特徴とする請求項１記
載の容量性素子を有する物品。 - 【請求項３】 ＡｌとＴａの原子が両方で前記誘電体特
性の総金属原子量の少なくとも９０原子％を占めるよう
に選択されることを特徴とする請求項１記載の容量性素
子を有する物品。 - 【請求項４】 ＡｌとＴａの原子が両方で前記誘電体特
性の総金属原子量の実質的に全量を占めるように選択さ
れることを特徴とする請求項３記載の容量性素子を有す
る物品。 - 【請求項５】 前記容量性素子は、第１及び第２導電性
メンバからなり、かつ、これら第１及び第２導電性メン
バの間に前記誘電体特性の層が配置されるキャパシタで
あることを特徴とする請求項１記載の容量性素子を有す
る物品。 - 【請求項６】 前記容量性素子は、ギャップを有する共
振素子であり、前記誘電体メンバがこのギャップの間に
配置され、この誘電体メンバは、前記誘電体特性からな
ることを特徴とする請求項１記載の容量性素子を有する
物品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/735,170 US5754392A (en) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | Article comprising a relatively temperature-insensitive Ta-oxide based capacitive element |
| US08/735170 | 1996-10-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10182221A true JPH10182221A (ja) | 1998-07-07 |
Family
ID=24954652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9290007A Pending JPH10182221A (ja) | 1996-10-22 | 1997-10-22 | 容量性素子を有する物品 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5754392A (ja) |
| EP (1) | EP0838847B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10182221A (ja) |
| DE (1) | DE69734047T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6576928B2 (en) | 2000-11-22 | 2003-06-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device capacitor with high permittivity tantalum pentoxide/niobium pentoxide dielectric |
| WO2011125721A1 (ja) | 2010-04-07 | 2011-10-13 | 東洋アルミニウム株式会社 | 電極構造体の製造方法、電極構造体およびコンデンサ |
| KR20120002997A (ko) | 2009-03-23 | 2012-01-09 | 도요 알루미늄 가부시키가이샤 | 전극 구조체, 콘덴서, 전지 및 전극 구조체의 제조 방법 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100451501B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2004-12-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체메모리소자의캐패시터형성방법 |
| KR100359860B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2003-02-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
| KR100444603B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2004-08-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 탄탈륨 펜타 옥사이드-알루미늄 옥사이드 유전체막 제조방법 및 이를 적용한 반도체 소자 |
| KR100444299B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2004-08-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
| GB201223375D0 (en) | 2012-12-24 | 2013-02-06 | Metalysis Ltd | Method and apparatus for producing metal by electrolytic reduction |
| GB201411433D0 (en) | 2014-06-26 | 2014-08-13 | Metalysis Ltd | Method and apparatus for electrolytic reduction of a feedstock comprising oxygen and a first metal |
| GB201411430D0 (en) | 2014-06-26 | 2014-08-13 | Metalysis Ltd | Method of producing metallic tanralum |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1521137A (en) * | 1974-11-07 | 1978-08-16 | Tdk Electronics Co Ltd | Ceramic dielectric composition |
| US4223369A (en) * | 1978-07-03 | 1980-09-16 | Sprague Electric Company | Monolithic capacitor with low firing zirconate and nickel electrodes |
| US4219866A (en) * | 1979-01-12 | 1980-08-26 | Sprague Electric Company | Ceramic capacitor having a dielectric of (Pb,La) (Zr,Ti)O3 and BaTiO3 |
| US4812426A (en) * | 1984-08-21 | 1989-03-14 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Lead-containing oxide powder |
-
1996
- 1996-10-22 US US08/735,170 patent/US5754392A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-10-14 EP EP97308126A patent/EP0838847B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-14 DE DE69734047T patent/DE69734047T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-22 JP JP9290007A patent/JPH10182221A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6576928B2 (en) | 2000-11-22 | 2003-06-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device capacitor with high permittivity tantalum pentoxide/niobium pentoxide dielectric |
| US6867090B2 (en) | 2000-11-22 | 2005-03-15 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing thereof |
| KR20120002997A (ko) | 2009-03-23 | 2012-01-09 | 도요 알루미늄 가부시키가이샤 | 전극 구조체, 콘덴서, 전지 및 전극 구조체의 제조 방법 |
| US8385051B2 (en) | 2009-03-23 | 2013-02-26 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Electrode structure, capacitor, battery, and method for manufacturing electrode structure |
| US8638545B2 (en) | 2009-03-23 | 2014-01-28 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Electrode structure, capacitor, battery, and method for manufacturing electrode structure |
| US8976509B2 (en) | 2009-03-23 | 2015-03-10 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Aluminum material |
| WO2011125721A1 (ja) | 2010-04-07 | 2011-10-13 | 東洋アルミニウム株式会社 | 電極構造体の製造方法、電極構造体およびコンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69734047T2 (de) | 2006-03-30 |
| DE69734047D1 (de) | 2005-09-29 |
| EP0838847B1 (en) | 2005-08-24 |
| EP0838847A2 (en) | 1998-04-29 |
| US5754392A (en) | 1998-05-19 |
| EP0838847A3 (en) | 2004-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Cava et al. | Improvement of the dielectric properties of Ta 2 O 5 through substitution with Al 2 O 3 | |
| Valant et al. | Ag (Nb, Ta) O3-based ceramics with suppressed temperature dependence of permittivity | |
| JPH10182221A (ja) | 容量性素子を有する物品 | |
| EP3154071B1 (en) | Dielectric composition and electronic component | |
| CA2404407A1 (en) | Tunable devices incorporating cacu3 ti4 o12 | |
| US6017485A (en) | Process for making a low electrical resistivity, high purity aluminum nitride electrostatic chuck | |
| JP3301581B2 (ja) | 誘電体材料 | |
| Mangalaraja et al. | Dielectric behavior of Ni1− xZnxFe2O4 prepared by flash combustion technique | |
| US5948216A (en) | Method for making thin film tantalum oxide layers with enhanced dielectric properties and capacitors employing such layers | |
| Cava et al. | Dielectric properties of Ta2O5–SiO2 polycrystalline ceramics | |
| Cava et al. | Dielectric properties of TiO2–Nb2O5 crystallographic shear structures | |
| Chen et al. | Effects of O2/Ar mixing and annealing on the properties of MgTiO3 films prepared by RF magnetron sputtering | |
| KR100532753B1 (ko) | 비스무트 파이로클로어 마이크로웨이브 유전체 | |
| Wang et al. | Mn4+ and W6+ substitution on Bi2O3–ZnO–Nb2O5-based low firing ceramics | |
| EP2871649B1 (en) | Dielectric composition, dielectric film, and electronic component | |
| RU2804938C1 (ru) | Способ получения керамического материала на основе оксидов висмута-цинка-ниобия | |
| JP4326346B2 (ja) | マイクロ波誘電体セラミック組成物、その製造方法及び当該組成物からなるデバイス | |
| Huang et al. | Effect of RF power on physical properties of MgTiO3 films by RF magnetron sputtering | |
| KR19980032949A (ko) | 비교적 온도에 영향을 받지 않는 Ｔａ산화물계 전기용량 소자를 포함하는 제품 | |
| JP2579138B2 (ja) | マイクロ波用誘電体組成物 | |
| Hong et al. | Rf sputtered bzn pyrochlore thin films for voltage tunable dielectric device applications | |
| JPH0676630A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JPH0656519A (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物 | |
| Lee et al. | Effect of thickness on the microwave dielectric properties of (Mg0. 93Ca0. 07) TiO3 thin films | |
| Cheng et al. | Properties of preferential (Zr0. 8, Sn0. 2) TiO4 thin films prepared by rf magnetron sputtering for microwave application |