JPH10178018A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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- JPH10178018A JPH10178018A JP33785796A JP33785796A JPH10178018A JP H10178018 A JPH10178018 A JP H10178018A JP 33785796 A JP33785796 A JP 33785796A JP 33785796 A JP33785796 A JP 33785796A JP H10178018 A JPH10178018 A JP H10178018A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】半導体装置の製造方法におい
て、該半導体装置におけるＡｌ等の金属配線をフォトリ
ソグラフィー技術による選択エッチングによって形成す
る方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method of forming a metal wiring such as Al in the semiconductor device by selective etching using a photolithography technique.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造方法において、フォト
リソグラフィー技術を用いて金属配線を選択エッチング
して形成する方法は、広く実施されている。つまり、半
導体基板の上に金属配線とする金属膜を堆積し、この金
属膜の上にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジ
スト膜をフォトマスクにより選択的に露光してフォトレ
ジスト膜に配線パターンを形成し、このパターン化フォ
トレジスト膜をマスクとして配線として不要な部分の金
属膜をエッチングにより除去し、金属配線を形成してい
た。2. Description of the Related Art In a method of manufacturing a semiconductor device, a method of forming a metal wiring by selective etching using a photolithography technique has been widely practiced. That is, a metal film serving as a metal wiring is deposited on a semiconductor substrate, a photoresist film is formed on the metal film, and the photoresist film is selectively exposed by a photomask to form a wiring pattern on the photoresist film. Was formed, and using the patterned photoresist film as a mask, unnecessary portions of the metal film as wiring were removed by etching to form metal wiring.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法では、
金属配線の金属表面の反射度が高いため、ハレーション
によってホトマスク通りの寸法の金属配線が得られない
という問題があった。ここでいうハレーションとは、露
光時に下地膜からの反射によって、狙いよりもパターン
が細かくなる現象である。このような反射により露光が
過剰となり、この過剰な露光が原因となって、フォトマ
スクの実際に硬化する部分の寸法が不正確になり、その
結果、形成される金属配線の寸法にずれが生じていた。
また、金属膜形成装置の状態などにより金属の表面の状
態が変動し、安定した寸法の金属配線が得られないとい
う問題もあった。その対策として、金属配線を構成する
金属膜の表面に、例えば、ＭｏＳｉ等の別の膜を形成
し、これを反射防止膜として用いる方法の検討が行われ
てきた。しかし、この方法においては、反射防止膜を構
成する金属の電気抵抗値が高いため、ボンディング時に
抵抗値の高い反射防止膜を除去する必要が生じ、この反
射防止膜の除去のために、工程が複雑化するという大き
な欠点があった。In the above conventional method,
Since the reflectance of the metal surface of the metal wiring is high, there is a problem that a metal wiring having a dimension corresponding to a photomask cannot be obtained due to halation. The halation here is a phenomenon that a pattern becomes finer than intended due to reflection from a base film during exposure. Such reflections result in overexposure, which results in inaccurate dimensions of the hardened portions of the photomask, which in turn results in deviations in the dimensions of the metal lines formed. I was
In addition, there has been a problem that the state of the surface of the metal fluctuates depending on the state of the metal film forming apparatus and the like, and metal wiring having a stable dimension cannot be obtained. As a countermeasure, a method of forming another film such as MoSi on the surface of the metal film forming the metal wiring and using this as an anti-reflection film has been studied. However, in this method, since the metal constituting the anti-reflection film has a high electric resistance, it is necessary to remove the anti-reflection film having a high resistance during bonding. There was a major drawback of increased complexity.
【０００４】したがって、本発明の課題は、工程を複雑
にすることなく、安定した寸法の金属配線パターンを得
ることのできる半導体装置の製造方法を提供することに
ある。Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of obtaining a metal wiring pattern having stable dimensions without complicating the process.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するために、鋭意、実験、検討を重ねたところ、半
導体基板上に堆積した金属膜の上にフォトレジスト膜を
形成する前に、半導体基板をプラズマ処理に曝すと、金
属膜の表面に光の反射度の小さな酸化膜が形成できるこ
とを知見するに至った。そして、このように、金属膜を
堆積した半導体基板をプラズマ処理することによって金
属膜上に光の反射度の小さな酸化膜を形成すれば、この
酸化膜が反射防止膜となって、レジストへの露光時の金
属膜によるハレーションを防止することができ、それに
より金属配線の寸法の細りを大幅に低減化することが可
能になることが判明した。さらに、形成された酸化膜
は、ワイヤボンディング時、ボンディング特性への影響
が問題にならない程に薄いことも知り得た。そして、こ
の時の効果的な酸化膜厚は、２０Åから１００Åの範囲
内であることも判明した。本発明は、これらの知見に基
づいて成されたものである。Means for Solving the Problems The present inventor has made intensive studies, experiments, and studies in order to solve the above-mentioned problems. As a result, before forming a photoresist film on a metal film deposited on a semiconductor substrate, In addition, they have found that when a semiconductor substrate is exposed to a plasma treatment, an oxide film having low light reflectance can be formed on the surface of a metal film. Then, as described above, if an oxide film having low light reflectance is formed on the metal film by performing plasma processing on the semiconductor substrate on which the metal film is deposited, this oxide film becomes an anti-reflection film, and It has been found that halation due to the metal film at the time of exposure can be prevented, thereby making it possible to significantly reduce the size reduction of the metal wiring. Furthermore, it has been found that the formed oxide film is so thin that the influence on the bonding characteristics during wire bonding is not a problem. It was also found that the effective oxide film thickness at this time was in the range of 20 ° to 100 °. The present invention has been made based on these findings.
【０００６】すなわち、本発明の請求項１の半導体装置
の製造方法は、半導体基板の上に金属膜を堆積し、この
金属膜の上にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレ
ジスト膜をフォトマスクにより選択的に露光してフォト
レジスト膜に配線パターンを形成し、このパターン化フ
ォトレジスト膜をマスクとして前記金属膜をエッチング
して、金属配線を形成する半導体装置の製造方法におい
て、前記金属膜を半導体基板上に形成した後、該半導体
基板をプラズマ処理することにより前記金属膜の表面を
２０Åから１００Åの膜厚だけ酸化し、その後、前記フ
ォトレジスト膜を形成することを特徴とする。That is, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the first aspect of the present invention, a metal film is deposited on a semiconductor substrate, a photoresist film is formed on the metal film, and the photoresist film is used as a photomask. Forming a wiring pattern on the photoresist film by selectively exposing the metal film, etching the metal film using the patterned photoresist film as a mask, and forming a metal wiring. After forming on the semiconductor substrate, the surface of the metal film is oxidized by a thickness of 20 ° to 100 ° by performing a plasma treatment on the semiconductor substrate, and thereafter, the photoresist film is formed.
【０００７】また、本発明の請求項２の半導体装置の製
造方法は、前記請求項１の半導体装置の製造方法におい
て、前記プラズマ処理が酸化プラズマの条件であること
を特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the first aspect, the plasma processing is performed under an oxidizing plasma condition.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
するが、本発明は以下の実施の形態例に限定されるもの
ではない。本発明の具体的な実施の形態として、以下
に、図１から図５を参照して説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to the following embodiments. A specific embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【０００９】半導体基板１の上に金属膜２が堆積されて
おり、この金属膜２を選択的にエッチングする場合を考
える。Consider a case where a metal film 2 is deposited on a semiconductor substrate 1 and this metal film 2 is selectively etched.
【００１０】図１は、半導体基板１の上に金属膜２が蒸
着された状態を示す図である。半導体基板１は、Ｓｉ基
板でも、ＧａＡｓ基板でも、その他の半導体基板でもよ
い。また、この基板に酸化膜があってもよい。金属膜２
は、Ａｌでも、Ａｌ−Ｓｉでも、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕで
も、その他の金属膜でもよい。この図１の半導体基板１
にプラズマ処理を施す。プラズマ処理のガスは酸化性の
ガスであればよい。酸化性のガスとしては、例えば、酸
素ガス、オゾンガス、Ｎ2 Ｏガス等がある。酸素プラズ
マ処理の装置は、酸化性のプラズマを発生させることの
できるものであれば、何でもよい。また、方法も特に限
定されない。FIG. 1 is a diagram showing a state where a metal film 2 is deposited on a semiconductor substrate 1. The semiconductor substrate 1 may be a Si substrate, a GaAs substrate, or another semiconductor substrate. Further, the substrate may have an oxide film. Metal film 2
May be Al, Al-Si, Al-Si-Cu, or another metal film. The semiconductor substrate 1 of FIG.
Is subjected to a plasma treatment. The gas for the plasma treatment may be an oxidizing gas. Examples of the oxidizing gas include an oxygen gas, an ozone gas, and an N 2 O gas. Any device can be used for the oxygen plasma treatment as long as it can generate oxidizing plasma. Also, the method is not particularly limited.
【００１１】酸素プラズマ処理により、図２に示すよう
に、金属膜２の表面に薄い酸化膜層３が形成される。こ
の時の酸化膜層３は、金属膜２の反射度が低減し、露光
時のハレーション防止に有効な２０Åの膜厚からボンデ
ィングに支障のない１００Åの範囲であることが望まし
い。酸素プラズマ処理を行った後、洗浄を行ってもよ
い。洗浄液、方法等は、特に限定されない。As shown in FIG. 2, a thin oxide film layer 3 is formed on the surface of the metal film 2 by the oxygen plasma treatment. At this time, it is desirable that the oxide film layer 3 has a thickness of 20 ° which is effective for preventing the halation at the time of exposure from the reflection of the metal film 2 and which is effective for preventing halation, and which has a thickness of 100 ° which does not hinder the bonding. After performing the oxygen plasma treatment, cleaning may be performed. The cleaning liquid, method and the like are not particularly limited.
【００１２】図３に示すように、前記酸化膜層３の上に
フォトレジスト層４を塗布により形成する。フォトレジ
スト層４に用いるレジスト材はネガ型またはポジ型いず
れでもよい。また、フォトレジスト層４を形成する前に
酸化膜層３に前処理を施してもよい。As shown in FIG. 3, a photoresist layer 4 is formed on the oxide film layer 3 by coating. The resist material used for the photoresist layer 4 may be either negative type or positive type. Further, before forming the photoresist layer 4, the oxide film layer 3 may be subjected to a pretreatment.
【００１３】図４に示すように、前記フォトレジスト層
４に対して、フォトマスクを用いて、選択的に露光し、
これを現像して、フォトレジスト層４に配線パターンを
形成する。As shown in FIG. 4, the photoresist layer 4 is selectively exposed using a photomask.
This is developed to form a wiring pattern on the photoresist layer 4.
【００１４】最後に、図５に示すように、前記パターン
化したフォトレジスト層４をマスクとして、前記金属膜
２の選択的エッチングを行う。エッチングはドライエッ
チングまたはウェットエッチングのいずれでもよい。方
法も特に限定しない。エッチングの後、前記パターン化
フォトレジスト層４を除去するが、その除去方法も特に
限定しない。Finally, as shown in FIG. 5, the metal film 2 is selectively etched using the patterned photoresist layer 4 as a mask. The etching may be either dry etching or wet etching. The method is not particularly limited. After the etching, the patterned photoresist layer 4 is removed, but the removing method is not particularly limited.
【００１５】図２の工程で形成した薄い酸化膜層３によ
り、金属膜２の表面での反射度が低減し、図４の工程で
行われる露光において、ハレーションが大幅に低減さ
れ、それに伴い、エッチングされて残る金属配線の細り
が少なくなり、フォトマスクの寸法に、より近い寸法の
金属配線を得ることができる。The thin oxide film layer 3 formed in the step of FIG. 2 reduces the reflectivity on the surface of the metal film 2 and significantly reduces halation in the exposure performed in the step of FIG. The thinning of the metal wiring remaining after etching is reduced, and a metal wiring having a size closer to the size of the photomask can be obtained.
【００１６】[0016]
【実施例】続いて、本発明の実施例を示す。以下の実施
例は、本発明を具体的に説明する例にすぎず、本発明を
限定するものではない。EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described. The following examples are merely examples for specifically describing the present invention, and do not limit the present invention.
【００１７】（実施例１）まず、スパッタリング法によ
り形成したＡｌ−１％Ｓｉ膜をつけたＳｉ基板を、フォ
トレジスト灰化装置（東京応化社製ＯＰＭ−ＥＭ−１０
００）にて、酸素ガス圧０．８Ｔｏｒｒ、基板温度は常
温、出力６００Ｗの条件で得られる酸素プラズマに、５
分間曝した。その結果、２０Å程度の膜厚の酸化膜が生
じた。(Example 1) First, an Si substrate provided with an Al-1% Si film formed by a sputtering method was placed on a photoresist ashing apparatus (OPM-EM-10 manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.).
00), an oxygen plasma obtained at an oxygen gas pressure of 0.8 Torr, a substrate temperature of room temperature, and an output of 600 W
Exposure for a minute. As a result, an oxide film having a thickness of about 20 ° was formed.
【００１８】次に、レジストと基板との密着性を上げて
現像時のレジストパターンのはがれを防止する公知のＨ
ＭＤＳ(Hexamethyldisilazane)による前処理を、前記酸
化膜に施し、その上にフォトレジストを２．３μｍの厚
さで塗布した。Next, a known H is used to increase the adhesion between the resist and the substrate to prevent the resist pattern from peeling off during development.
Pretreatment with MDS (Hexamethyldisilazane) was performed on the oxide film, and a photoresist was applied thereon with a thickness of 2.3 μm.
【００１９】その後、このフォトレジストをフォトマス
クを用いて選択的に露光し、これを現像して、フォトレ
ジストを配線パターン化した。この配線パターン化フォ
トレジストをマスクとして、Ｃｌ2 、ＣＦ4 、ＢＣｌ3
の混合ガスにより、前記Ａｌ−１％Ｓｉ膜を選択的にエ
ッチングし、金属配線パターンを形成した。Thereafter, the photoresist was selectively exposed using a photomask, and developed to develop a photoresist into a wiring pattern. Using this wiring patterned photoresist as a mask, Cl 2 , CF 4 , BCl 3
, The Al-1% Si film was selectively etched to form a metal wiring pattern.
【００２０】金属配線パターンの寸法測定は、走査型電
子顕微鏡を用いて行った。図６に、比較例として酸素プ
ラズマ処理を施さなかった場合と、酸素プラズマ処理を
５分間行った場合、酸素プラズマ処理を３０分間行った
場合、４５分間、６０分間、そして、１００分間行った
場合での、それぞれの金属配線パターンの寸法を示し
た。フォトマスクの寸法が３．８μｍであるのに対し、
酸素プラズマ処理を施さなかったものでは、金属配線パ
ターンの寸法は約３．２５μｍであり、５分間以上酸素
プラズマ処理したものでは、約３．４μｍとなり、酸素
プラズマ処理を施した方が明らかにフォトマスクに近い
寸法が得られることが確認された。この時の酸化膜厚
は、５分間で２０Åであり、１００分間で約５０Åであ
った。The dimensions of the metal wiring pattern were measured using a scanning electron microscope. FIG. 6 shows, as comparative examples, a case where oxygen plasma treatment was not performed, a case where oxygen plasma treatment was performed for 5 minutes, a case where oxygen plasma treatment was performed for 30 minutes, a case where oxygen plasma treatment was performed for 45 minutes, 60 minutes, and 100 minutes The dimensions of the respective metal wiring patterns are shown. While the dimensions of the photomask are 3.8 μm,
In the case where the oxygen plasma treatment was not performed, the dimension of the metal wiring pattern was about 3.25 μm, and in the case where the oxygen plasma treatment was performed for 5 minutes or more, the size was about 3.4 μm. It was confirmed that dimensions close to the mask could be obtained. At this time, the oxide film thickness was 20 ° for 5 minutes and about 50 ° for 100 minutes.
【００２１】（実施例２）金属膜にＡｌ−１％Ｓｉ−
０．５％Ｃｕを用い、同様にして金属配線パターンを形
成した場合の結果を、図７に示した。フォトマスクの寸
法が３．８μｍであるのに対し、酸素プラズマ処理を施
さなかったものでは、金属配線パターンの寸法は約３．
０μｍであり、５分間行ったものは約３．１μｍ、３０
分間行ったものは約３．２μｍとなり、実施例１の場合
と同様、酸素プラズマ処理を施した方が明らかにフォト
マスクに近い寸法の金属配線パターンが得られた。この
時の酸化膜厚は、５分間で２０Åであり、３０分間で約
５０Åであった。(Embodiment 2) Al-1% Si-
FIG. 7 shows the result when a metal wiring pattern was formed in the same manner using 0.5% Cu. While the dimensions of the photomask are 3.8 μm, the dimensions of the metal wiring pattern are about 3.30 μm without oxygen plasma treatment.
0 μm, about 3.1 μm, 30 minutes after 5 minutes.
The metal wiring pattern having a size of about 3.2 μm for about one minute was subjected to the oxygen plasma treatment, as in the case of Example 1, so that a metal wiring pattern having a size clearly closer to the photomask was obtained. At this time, the oxide film thickness was 20 ° for 5 minutes and about 50 ° for 30 minutes.
【００２２】（比較例１）実施例２と同様な金属膜に同
様な酸素プラズマ処理を２００分間施し、酸化膜厚を約
２００Åとした場合のボンディング性は、酸化膜厚が２
０Åの場合と比較してボンディングパワーを上げなけれ
ばならず、ボンディング特性が明らかに低下した。(Comparative Example 1) When the same oxygen plasma treatment was applied to the same metal film as in Example 2 for 200 minutes and the oxide film thickness was set to about 200 °, the bonding property was as follows.
The bonding power had to be increased as compared with the case of 0 °, and the bonding characteristics were clearly reduced.
【００２３】[0023]
【発明の効果】金属配線とする金属膜上にフォトレジス
トを塗布する前に、金属膜を堆積した基板に酸素プラズ
マ処理を施すことにより、金属膜の表面に薄い酸化膜が
形成され、それが反射防止膜として働くことにより、フ
ォトレジストを露光する際のハレーションによる影響を
小さくし、フォトマスクと金属配線パターンとの寸法差
を小さくすることができる。また、別個の膜を反射防止
膜として堆積することなく、金属膜表面に反射防止膜を
形成でき、ワイヤボンディング強度の低下もないことか
ら、プロセスを複雑化する必要がない。さらに、酸素プ
ラズマ処理には、例えば、通常のフォトレジスト灰化装
置が使用できるため、新たな設備投資を必要としない。According to the present invention, a thin oxide film is formed on the surface of a metal film by subjecting the substrate on which the metal film has been deposited to oxygen plasma treatment before applying a photoresist on the metal film serving as the metal wiring. By acting as an antireflection film, the influence of halation when exposing the photoresist can be reduced, and the dimensional difference between the photomask and the metal wiring pattern can be reduced. Further, the anti-reflection film can be formed on the surface of the metal film without depositing a separate film as the anti-reflection film, and there is no reduction in wire bonding strength, so that there is no need to complicate the process. Further, for the oxygen plasma treatment, for example, a normal photoresist incinerator can be used, so that no new capital investment is required.
【図１】発明の製造方法の工程を説明するためのもの
で、製造過程にある半導体装置の断面構成図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device in a manufacturing process, for explaining a process of a manufacturing method according to the present invention.
【図２】発明の製造方法の工程を説明するためのもの
で、製造過程にある半導体装置の断面構成図である。FIG. 2 is a cross-sectional configuration diagram of a semiconductor device in a manufacturing process, for explaining a process of a manufacturing method of the present invention.
【図３】発明の製造方法の工程を説明するためのもの
で、製造過程にある半導体装置の断面構成図である。FIG. 3 is a cross-sectional configuration diagram of a semiconductor device in a manufacturing process for describing steps of a manufacturing method of the present invention.
【図４】発明の製造方法の工程を説明するためのもの
で、製造過程にある半導体装置の断面構成図である。FIG. 4 is a cross-sectional configuration diagram of a semiconductor device in a manufacturing process for describing steps of a manufacturing method of the present invention.
【図５】発明の製造方法の工程を説明するためのもの
で、製造の完了した半導体装置の断面構成図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a completed semiconductor device for describing steps of a manufacturing method according to the present invention.
【図６】本発明の第１の実施例を説明するためのもの
で、金属膜にＡｌ−１％Ｓｉを用いた場合の金属配線パ
ターン寸法と酸素プラズマ処理時間の相関を示すグラフ
である。FIG. 6 is a graph for explaining the first embodiment of the present invention and is a graph showing a correlation between a metal wiring pattern dimension and an oxygen plasma processing time when Al-1% Si is used for a metal film.
【図７】本発明の第２の実施例を説明するためのもの
で、金属膜にＡｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕを用いた場
合の金属配線パターン寸法と酸素プラズマ処理時間の相
関を示すグラフである。FIG. 7 is a view for explaining a second embodiment of the present invention, and shows a correlation between a metal wiring pattern dimension and an oxygen plasma processing time when Al-1% Si-0.5% Cu is used for a metal film. FIG.
１ 半導体基板 ２ 金属膜 ３ 金属膜表面の酸化膜 ４ フォトレジスト層 Reference Signs List 1 semiconductor substrate 2 metal film 3 oxide film on metal film surface 4 photoresist layer
Claims (2)
金属膜の上にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレ
ジスト膜をフォトマスクにより選択的に露光してフォト
レジスト膜に配線パターンを形成し、このパターン化フ
ォトレジスト膜をマスクとして前記金属膜をエッチング
して、金属配線を形成する半導体装置の製造方法におい
て、 前記金属膜を半導体基板上に形成した後、該半導体基板
をプラズマ処理することにより前記金属膜の表面を２０
Åから１００Åの膜厚だけ酸化し、その後、前記フォト
レジスト膜を形成することを特徴とする半導体装置の製
造方法。A metal film is deposited on a semiconductor substrate, a photoresist film is formed on the metal film, and the photoresist film is selectively exposed by a photomask to form a wiring pattern on the photoresist film. Forming a metal film by using the patterned photoresist film as a mask to form a metal wiring, wherein the metal film is formed on a semiconductor substrate, and then the semiconductor substrate is subjected to plasma processing. To make the surface of the metal film 20
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: oxidizing the film by a thickness of {100}, and thereafter forming the photoresist film.
下で行われることを特徴とする請求項１に記載の半導体
装置の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein the plasma processing is performed under an oxidizing plasma condition.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33785796A JPH10178018A (en) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33785796A JPH10178018A (en) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10178018A true JPH10178018A (en) | 1998-06-30 |
Family
ID=18312644
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP33785796A Pending JPH10178018A (en) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10178018A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003107676A (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Hoya Corp | Mask blank, its manufacturing method and manufacturing method for mask |
| US7649582B2 (en) | 2001-12-28 | 2010-01-19 | Lg Display Co., Ltd. | Array substrate for a liquid crystal display device having multi-layered metal line and fabricating method thereof |
| JP2018056577A (en) * | 2017-11-15 | 2018-04-05 | 大日本印刷株式会社 | Film formation processing device, and imprint device |
-
1996
- 1996-12-18 JP JP33785796A patent/JPH10178018A/en active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041015 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050304 |