JPH10173241A - チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法 - Google Patents
チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10173241A JPH10173241A JP8332360A JP33236096A JPH10173241A JP H10173241 A JPH10173241 A JP H10173241A JP 8332360 A JP8332360 A JP 8332360A JP 33236096 A JP33236096 A JP 33236096A JP H10173241 A JPH10173241 A JP H10173241A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- anode
- cathode
- side metal
- led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】部品としての信頼性を低下させることなく、各
種機器の薄型化、小型化に十分に対応できるチップ部品
型ＬＥＤ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】所定の間隔Ｌ１を存して同一平面上に配置
されたカソード側金属フィルム１とアノード側金属フィ
ルム２とを跨ぐようにして絶縁フィルム３が配置され、
この絶縁フィルム３の上にＬＥＤチップ４が配置される
とともに、このＬＥＤチップ４は、カソード面４ａとア
ノード面４ｂとがそれぞれの金属フィルム１，２上に位
置するように横方向に寝かせて配置され、カソード面４
ａとこれに対応するカソード側金属フィルム１及びアノ
ード面４ｂとこれに対応するアノード側金属フィルム２
とがそれぞれ導電性部材５によって直接接続され、これ
らＬＥＤチップ４と導電性部材５とが透光性樹脂６によ
って封止されている。
種機器の薄型化、小型化に十分に対応できるチップ部品
型ＬＥＤ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】所定の間隔Ｌ１を存して同一平面上に配置
されたカソード側金属フィルム１とアノード側金属フィ
ルム２とを跨ぐようにして絶縁フィルム３が配置され、
この絶縁フィルム３の上にＬＥＤチップ４が配置される
とともに、このＬＥＤチップ４は、カソード面４ａとア
ノード面４ｂとがそれぞれの金属フィルム１，２上に位
置するように横方向に寝かせて配置され、カソード面４
ａとこれに対応するカソード側金属フィルム１及びアノ
ード面４ｂとこれに対応するアノード側金属フィルム２
とがそれぞれ導電性部材５によって直接接続され、これ
らＬＥＤチップ４と導電性部材５とが透光性樹脂６によ
って封止されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種表示パネル
や、ＬＣＤのバックライト、照光スイッチ等の光源とし
て利用される表面実装用のチップ部品型ＬＥＤに係り、
より詳細には、薄型化、低コスト化を図ったチップ部品
型ＬＥＤ及びその製造方法に関する。
や、ＬＣＤのバックライト、照光スイッチ等の光源とし
て利用される表面実装用のチップ部品型ＬＥＤに係り、
より詳細には、薄型化、低コスト化を図ったチップ部品
型ＬＥＤ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のチップ部品型ＬＥＤの構造例を図
５及び図６に示す。
５及び図６に示す。
【０００３】図５に示すチップ部品型ＬＥＤは、カソー
ド側リードフレーム６０にＡｇペーストでＬＥＤチップ
６１を実装し、このＬＥＤチップ６１とアノード側リー
ドフレーム６２とを金属細線６３で接続し、さらに全体
を透光性樹脂６４で封止した構造となっている。
ド側リードフレーム６０にＡｇペーストでＬＥＤチップ
６１を実装し、このＬＥＤチップ６１とアノード側リー
ドフレーム６２とを金属細線６３で接続し、さらに全体
を透光性樹脂６４で封止した構造となっている。
【０００４】また、図６に示すチップ部品型ＬＥＤは、
基板７０の表面に形成された一方の配線パターン７４上
にＬＥＤチップ７１を接着し、基板７０の表面に形成さ
れた他方の配線パターン７５とＬＥＤチップ７１とを金
属細線７２で接続し、さらにＬＥＤチップ７１及び金属
細線７２を含む基板７０の表面全体を透光性樹脂７３で
封止した構造となっている。
基板７０の表面に形成された一方の配線パターン７４上
にＬＥＤチップ７１を接着し、基板７０の表面に形成さ
れた他方の配線パターン７５とＬＥＤチップ７１とを金
属細線７２で接続し、さらにＬＥＤチップ７１及び金属
細線７２を含む基板７０の表面全体を透光性樹脂７３で
封止した構造となっている。
【０００５】いずれのチップ部品型ＬＥＤも、リードフ
レーム６０，６２と基板７０の配線パターン７４，７５
という違いはあるものの、ＬＥＤチップ６１，７１と他
方の電極（アノード側リードフレーム６２，配線パター
ン７５）とを金属細線６３，７２で接続している点は共
通している。また、金属細線６３，７２を保護するた
め、金属細線６３，７２の高さを考慮して、十分な余裕
をとった厚みに樹脂封止している。
レーム６０，６２と基板７０の配線パターン７４，７５
という違いはあるものの、ＬＥＤチップ６１，７１と他
方の電極（アノード側リードフレーム６２，配線パター
ン７５）とを金属細線６３，７２で接続している点は共
通している。また、金属細線６３，７２を保護するた
め、金属細線６３，７２の高さを考慮して、十分な余裕
をとった厚みに樹脂封止している。
【０００６】因みに、図６に示すチップ部品型ＬＥＤの
実際の寸法例を図７に示す。ここで使用しているＬＥＤ
チップの寸法は、０．３×０．３×０．３（ｍｍ）であ
る。チップ部品型ＬＥＤとしての全体の寸法は、１．６
×０．８×０．８（ｍｍ）となる。つまり、厚みが０．
８（ｍｍ）となっている。
実際の寸法例を図７に示す。ここで使用しているＬＥＤ
チップの寸法は、０．３×０．３×０．３（ｍｍ）であ
る。チップ部品型ＬＥＤとしての全体の寸法は、１．６
×０．８×０．８（ｍｍ）となる。つまり、厚みが０．
８（ｍｍ）となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のチップ
部品型ＬＥＤでは、ＬＥＤチップ６１，７１と他方の電
極（アノード側リードフレーム６２，配線パターン７
５）とを接続するのに金属細線（通常はＡｕ線）６３，
７２を用いているが、この金属細線６３，７２は、通常
１０〜４０μｍと細いために外的応力に弱く、従って樹
脂にて封止する必要がある。
部品型ＬＥＤでは、ＬＥＤチップ６１，７１と他方の電
極（アノード側リードフレーム６２，配線パターン７
５）とを接続するのに金属細線（通常はＡｕ線）６３，
７２を用いているが、この金属細線６３，７２は、通常
１０〜４０μｍと細いために外的応力に弱く、従って樹
脂にて封止する必要がある。
【０００８】この場合、ＬＥＤチップ６１，７１の天面
（アノード面）から金属細線６３，７２をループ状に引
き出して他方の電極（アノード側リードフレーム６２，
配線パターン７５）まで配線しているため、ＬＥＤチッ
プ６１，７１の天面（アノード面）から金属細線６３，
７２の頂点まで１００〜２００μｍの高さが必要とな
る。そのため、封止樹脂（透光性樹脂）６４，７３の厚
みとしては、最低限でも金属細線６３，７２の頂点まで
の高さに相当する厚みを必要とする。通常は、この厚み
に一定の厚みを加えて金属細線６３，７２の保護を図っ
ている。
（アノード面）から金属細線６３，７２をループ状に引
き出して他方の電極（アノード側リードフレーム６２，
配線パターン７５）まで配線しているため、ＬＥＤチッ
プ６１，７１の天面（アノード面）から金属細線６３，
７２の頂点まで１００〜２００μｍの高さが必要とな
る。そのため、封止樹脂（透光性樹脂）６４，７３の厚
みとしては、最低限でも金属細線６３，７２の頂点まで
の高さに相当する厚みを必要とする。通常は、この厚み
に一定の厚みを加えて金属細線６３，７２の保護を図っ
ている。
【０００９】このように、従来のチップ部品型ＬＥＤで
は、その構造上、封止樹脂（透光性樹脂）６４，７３の
厚みが厚くなることから、近年の各種機器の薄型化、小
型化に十分に対応できないといった問題があった。
は、その構造上、封止樹脂（透光性樹脂）６４，７３の
厚みが厚くなることから、近年の各種機器の薄型化、小
型化に十分に対応できないといった問題があった。
【００１０】また、従来のチップ部品型ＬＥＤでは、金
属細線６３，７２の周囲を透光性樹脂６４，７３によっ
て封止しているが、はんだ付け時の外的応力により、若
しくは基板への取り付け後の基板の反り等の外的応力に
よって、金属細線６３，７２が断線することがあった。
特に、近年の各種機器の薄型化、小型化により小さな部
品が求められているが、封止樹脂部分を小さく（特に薄
く）しすぎると、金属細線６３，７２の断線が頻発して
信頼性が低下してしまうといった問題を生じる。
属細線６３，７２の周囲を透光性樹脂６４，７３によっ
て封止しているが、はんだ付け時の外的応力により、若
しくは基板への取り付け後の基板の反り等の外的応力に
よって、金属細線６３，７２が断線することがあった。
特に、近年の各種機器の薄型化、小型化により小さな部
品が求められているが、封止樹脂部分を小さく（特に薄
く）しすぎると、金属細線６３，７２の断線が頻発して
信頼性が低下してしまうといった問題を生じる。
【００１１】本発明はこのような問題点を解決すべく創
案されたもので、その目的は、部品としての信頼性を低
下させることなく、各種機器の薄型化、小型化に十分に
対応できるチップ部品型ＬＥＤ及びその製造方法を提供
することにある。
案されたもので、その目的は、部品としての信頼性を低
下させることなく、各種機器の薄型化、小型化に十分に
対応できるチップ部品型ＬＥＤ及びその製造方法を提供
することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の請求項１記載のチップ部品型ＬＥＤは、所
定の間隔を存して同一平面上に配置されたカソード側金
属フィルムとアノード側金属フィルムとを跨ぐようにし
てＬＥＤチップが配置されるとともに、このＬＥＤチッ
プは、カソード面とアノード面とがそれぞれの金属フィ
ルム上に位置するように横方向に寝かせて配置され、前
記カソード面とこれに対応するカソード側金属フィルム
及び前記アノード面とこれに対応するアノード側金属フ
ィルムとがそれぞれ導電性部材によって直接接続され、
これらＬＥＤチップと導電性部材とが前記金属フィルム
上で透光性樹脂によって封止されているものである。
め、本発明の請求項１記載のチップ部品型ＬＥＤは、所
定の間隔を存して同一平面上に配置されたカソード側金
属フィルムとアノード側金属フィルムとを跨ぐようにし
てＬＥＤチップが配置されるとともに、このＬＥＤチッ
プは、カソード面とアノード面とがそれぞれの金属フィ
ルム上に位置するように横方向に寝かせて配置され、前
記カソード面とこれに対応するカソード側金属フィルム
及び前記アノード面とこれに対応するアノード側金属フ
ィルムとがそれぞれ導電性部材によって直接接続され、
これらＬＥＤチップと導電性部材とが前記金属フィルム
上で透光性樹脂によって封止されているものである。
【００１３】また、本発明の請求項２記載のチップ部品
型ＬＥＤは、請求項１記載のものにおいて、前記導電性
部材をはんだ又は導電性ペーストとしたものである。
型ＬＥＤは、請求項１記載のものにおいて、前記導電性
部材をはんだ又は導電性ペーストとしたものである。
【００１４】また、本発明の請求項３記載のチップ部品
型ＬＥＤは、請求項１又は２記載のものにおいて、前記
ＬＥＤチップは、前記カソード側金属フィルムと前記ア
ノード側金属フィルムとを跨ぐようにして配置された絶
縁フィルムの上に配置されているものである。
型ＬＥＤは、請求項１又は２記載のものにおいて、前記
ＬＥＤチップは、前記カソード側金属フィルムと前記ア
ノード側金属フィルムとを跨ぐようにして配置された絶
縁フィルムの上に配置されているものである。
【００１５】また、本発明の請求項４記載のチップ部品
型ＬＥＤの製造方法は、金属フィルムを所定の間隔でエ
ッチング処理することにより、所定の間隔を存したカソ
ード側金属フィルムとアノード側金属フィルムとを形成
し、このカソード側金属フィルムとアノード側金属フィ
ルムとを跨ぐようにして絶縁フィルムを形成し、この絶
縁フィルム上に、ＬＥＤチップをそのカソード面とアノ
ード面とがそれぞれの金属フィルム上に位置するように
横方向に寝かせて配置し、前記カソード面とこれに対応
する金属フィルム及び前記アノード面とこれに対応する
金属フィルムとをそれぞれはんだ又は導電性ペーストに
よって直接接続し、これらＬＥＤチップと導電性部材と
を透光性樹脂によって封止するものである。
型ＬＥＤの製造方法は、金属フィルムを所定の間隔でエ
ッチング処理することにより、所定の間隔を存したカソ
ード側金属フィルムとアノード側金属フィルムとを形成
し、このカソード側金属フィルムとアノード側金属フィ
ルムとを跨ぐようにして絶縁フィルムを形成し、この絶
縁フィルム上に、ＬＥＤチップをそのカソード面とアノ
ード面とがそれぞれの金属フィルム上に位置するように
横方向に寝かせて配置し、前記カソード面とこれに対応
する金属フィルム及び前記アノード面とこれに対応する
金属フィルムとをそれぞれはんだ又は導電性ペーストに
よって直接接続し、これらＬＥＤチップと導電性部材と
を透光性樹脂によって封止するものである。
【００１６】 〔発明の詳細な説明〕 以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明
する。
する。
【００１７】図１は、本発明のチップ部品型ＬＥＤの構
造を示す正面図、図２は同平面図である。
造を示す正面図、図２は同平面図である。
【００１８】このチップ部品型ＬＥＤは、所定の間隔Ｌ
１を存して同一平面上にカソード側金属フィルム１とア
ノード側金属フィルム２とが配置され、このカソード側
金属フィルム１とアノード側金属フィルム２とを跨ぐよ
うにして絶縁フィルム３が配置され、この絶縁フィルム
３上に、ＬＥＤチップ４が配置されている。このＬＥＤ
チップ４は、カソード面４ａとアノード面４ｂとがそれ
ぞれの金属フィルム１，２上に位置するように横方向に
寝かせて配置されている。
１を存して同一平面上にカソード側金属フィルム１とア
ノード側金属フィルム２とが配置され、このカソード側
金属フィルム１とアノード側金属フィルム２とを跨ぐよ
うにして絶縁フィルム３が配置され、この絶縁フィルム
３上に、ＬＥＤチップ４が配置されている。このＬＥＤ
チップ４は、カソード面４ａとアノード面４ｂとがそれ
ぞれの金属フィルム１，２上に位置するように横方向に
寝かせて配置されている。
【００１９】そして、カソード面４ａとこれに対応する
カソード側金属フィルム１、及びアノード面４ｂとこれ
に対応するアノード側金属フィルム２とが、それぞれは
んだ又は導電性ペースト等の導電性部材５によって直接
接続され、これらＬＥＤチップ４と導電性部材５とが、
カソード側金属フィルム１及びアノード側金属フィルム
２上において透光性樹脂６によって封止された構造とな
っている。
カソード側金属フィルム１、及びアノード面４ｂとこれ
に対応するアノード側金属フィルム２とが、それぞれは
んだ又は導電性ペースト等の導電性部材５によって直接
接続され、これらＬＥＤチップ４と導電性部材５とが、
カソード側金属フィルム１及びアノード側金属フィルム
２上において透光性樹脂６によって封止された構造とな
っている。
【００２０】次に、上記構成のチップ部品型ＬＥＤの製
造方法を、図３を参照して説明する。
造方法を、図３を参照して説明する。
【００２１】銅箔やニッケル箔等からなる金属フィルム
を所定の間隔Ｌ１でエッチング処理することによってカ
ソード側金属フィルム１とアノード側金属フィルム２と
を形成する〔図３（ａ）参照〕。この場合、エッチング
処理後に、必要に応じて表面のめっき処理を施してもよ
い。例えば、金属フィルムが銅箔である場合には、ニッ
ケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）とでメッキを施す。
を所定の間隔Ｌ１でエッチング処理することによってカ
ソード側金属フィルム１とアノード側金属フィルム２と
を形成する〔図３（ａ）参照〕。この場合、エッチング
処理後に、必要に応じて表面のめっき処理を施してもよ
い。例えば、金属フィルムが銅箔である場合には、ニッ
ケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）とでメッキを施す。
【００２２】次に、カソード側金属フィルム１とアノー
ド側金属フィルム２とを跨ぐようにして絶縁フィルム３
を形成する〔図３（ｂ）参照〕。絶縁フィルム３は、エ
ッチングされた隙間７の保持のために形成するもので、
スクリーン印刷によって形成してもよく、また光反応性
樹脂（ＵＶ樹脂）を塗布後に紫外線を照射することによ
って形成してもよい。
ド側金属フィルム２とを跨ぐようにして絶縁フィルム３
を形成する〔図３（ｂ）参照〕。絶縁フィルム３は、エ
ッチングされた隙間７の保持のために形成するもので、
スクリーン印刷によって形成してもよく、また光反応性
樹脂（ＵＶ樹脂）を塗布後に紫外線を照射することによ
って形成してもよい。
【００２３】次に、この絶縁フィルム３上に、一定の間
隔Ｌ２を存して多数個のＬＥＤチップ４，４・・・を配
置する〔図３（ｃ）参照〕。
隔Ｌ２を存して多数個のＬＥＤチップ４，４・・・を配
置する〔図３（ｃ）参照〕。
【００２４】各ＬＥＤチップ４，４・・・は、そのカソ
ード面４ａとアノード面４ｂとがそれぞれの金属フィル
ム１，２上に位置するように横方向に寝かせて配置し、
カソード面４ａとこれに対応するカソード側金属フィル
ム１、及びアノード面４ｂとこれに対応するアノード側
金属フィルム２とを、それぞれはんだ又は導電性ペース
ト等の導電性部材５によって直接接続する〔図３
（ｄ）〕。
ード面４ａとアノード面４ｂとがそれぞれの金属フィル
ム１，２上に位置するように横方向に寝かせて配置し、
カソード面４ａとこれに対応するカソード側金属フィル
ム１、及びアノード面４ｂとこれに対応するアノード側
金属フィルム２とを、それぞれはんだ又は導電性ペース
ト等の導電性部材５によって直接接続する〔図３
（ｄ）〕。
【００２５】次に、これらＬＥＤチップ４と導電性部材
５とを透光性樹脂６によって封止することにより、一連
につながった状態の多数個のチップ部品型ＬＥＤを製造
する。この場合、カソード側金属フィルム１とアノード
側金属フィルム２との隙間７〔図３（ａ）参照〕に絶縁
フィルム３を形成しているので、表面（ＬＥＤチップの
上面側）から見たときに隙間７が無くなることから、樹
脂封止が容易なものとなる。つまり、樹脂が裏面側に回
り込むことを防止することができるので、裏面のはんだ
付け電極部に樹脂が回ることによる接続不良の発生を防
止することができるものである。
５とを透光性樹脂６によって封止することにより、一連
につながった状態の多数個のチップ部品型ＬＥＤを製造
する。この場合、カソード側金属フィルム１とアノード
側金属フィルム２との隙間７〔図３（ａ）参照〕に絶縁
フィルム３を形成しているので、表面（ＬＥＤチップの
上面側）から見たときに隙間７が無くなることから、樹
脂封止が容易なものとなる。つまり、樹脂が裏面側に回
り込むことを防止することができるので、裏面のはんだ
付け電極部に樹脂が回ることによる接続不良の発生を防
止することができるものである。
【００２６】この後、図３（ｄ）に破線９，９・・・で
示すように四方を切断して、個々のチップ部品型ＬＥＤ
に分離する。
示すように四方を切断して、個々のチップ部品型ＬＥＤ
に分離する。
【００２７】図３では、２個分を図示しているが、実際
には低コスト化のためマトリックス状に配置して製造す
る。
には低コスト化のためマトリックス状に配置して製造す
る。
【００２８】図４は、本発明のチップ部品型ＬＥＤの実
際の寸法例を示している。ここで使用しているＬＥＤチ
ップの寸法は、０．３×０．３×０．３（ｍｍ）であ
る。チップ部品型ＬＥＤとしての横幅と厚みの寸法は、
それぞれ１．０（ｍｍ）と０．４３〜０．４９（ｍｍ）
となっている。つまり、厚みが０．４３〜０．４９（ｍ
ｍ）となっており、図７に示した従来のチップ部品型Ｌ
ＥＤの厚み０．８（ｍｍ）に比べて、０．３７〜０．３
１（ｍｍ）薄くなっている。また、横幅の寸法について
も、本発明のチップ部品型ＬＥＤが１．０（ｍｍ）とな
っており、図７に示した従来のチップ部品型ＬＥＤの横
幅寸法１．６（ｍｍ）に比べて、０．６（ｍｍ）短くな
っている。
際の寸法例を示している。ここで使用しているＬＥＤチ
ップの寸法は、０．３×０．３×０．３（ｍｍ）であ
る。チップ部品型ＬＥＤとしての横幅と厚みの寸法は、
それぞれ１．０（ｍｍ）と０．４３〜０．４９（ｍｍ）
となっている。つまり、厚みが０．４３〜０．４９（ｍ
ｍ）となっており、図７に示した従来のチップ部品型Ｌ
ＥＤの厚み０．８（ｍｍ）に比べて、０．３７〜０．３
１（ｍｍ）薄くなっている。また、横幅の寸法について
も、本発明のチップ部品型ＬＥＤが１．０（ｍｍ）とな
っており、図７に示した従来のチップ部品型ＬＥＤの横
幅寸法１．６（ｍｍ）に比べて、０．６（ｍｍ）短くな
っている。
【００２９】なお、本発明のチップ部品型ＬＥＤでは金
属フィルム１，２を用いているが、両面基板を用いた場
合には、両面基板の絶縁基材の厚みが０．０６（ｍ
ｍ）、両面のフィルム厚みがそれぞれ０．０２（ｍｍ）
となって、全体で０．１（ｍｍ）となることから、金属
フィルムを使用することで、両面基板を使用するよりも
０．０１〜０．０７（ｍｍ）薄くなっている。
属フィルム１，２を用いているが、両面基板を用いた場
合には、両面基板の絶縁基材の厚みが０．０６（ｍ
ｍ）、両面のフィルム厚みがそれぞれ０．０２（ｍｍ）
となって、全体で０．１（ｍｍ）となることから、金属
フィルムを使用することで、両面基板を使用するよりも
０．０１〜０．０７（ｍｍ）薄くなっている。
【００３０】
【発明の効果】本発明のチップ部品型ＬＥＤは、所定の
間隔を存して同一平面上に配置されたカソード側金属フ
ィルムとアノード側金属フィルムとを跨ぐようにしてＬ
ＥＤチップが配置されるとともに、このＬＥＤチップ
は、カソード面とアノード面とがそれぞれの金属フィル
ム上に位置するように横方向に寝かせて配置され、カソ
ード面とこれに対応するカソード側金属フィルム及びア
ノード面とこれに対応するアノード側金属フィルムとが
それぞれはんだ又は導電性ペースト等の導電性部材によ
って直接接続され、これらＬＥＤチップと導電性部材と
が金属フィルム上で透光性樹脂によって封止された構造
となっている。また、ＬＥＤチップは、カソード側金属
フィルムとアノード側金属フィルムとを跨ぐようにして
配置された絶縁フィルムの上に配置された構造となって
いる。つまり、ＬＥＤチップのカソード面とこれに対応
するカソード側金属フィルム及びＬＥＤチップのアノー
ド面とこれに対応するアノード側金属フィルムとが、そ
れぞれはんだ又は導電性ペースト等の導電性部材によっ
て直接接続されており、金属細線を使用していないの
で、チップ部品型ＬＥＤのより薄型化、小型化が可能と
なるとともに、両面基板を用いずに金属フィルムを用い
ていることから、さらなる薄型化、小型化が可能となる
ものである。また、金属細線を使用していないので、は
んだ付け時の外的応力や、取り付けた基板の反り等の外
的応力によって断線するといったことがなく、部品とし
ての高い信頼性が得られるものである。
間隔を存して同一平面上に配置されたカソード側金属フ
ィルムとアノード側金属フィルムとを跨ぐようにしてＬ
ＥＤチップが配置されるとともに、このＬＥＤチップ
は、カソード面とアノード面とがそれぞれの金属フィル
ム上に位置するように横方向に寝かせて配置され、カソ
ード面とこれに対応するカソード側金属フィルム及びア
ノード面とこれに対応するアノード側金属フィルムとが
それぞれはんだ又は導電性ペースト等の導電性部材によ
って直接接続され、これらＬＥＤチップと導電性部材と
が金属フィルム上で透光性樹脂によって封止された構造
となっている。また、ＬＥＤチップは、カソード側金属
フィルムとアノード側金属フィルムとを跨ぐようにして
配置された絶縁フィルムの上に配置された構造となって
いる。つまり、ＬＥＤチップのカソード面とこれに対応
するカソード側金属フィルム及びＬＥＤチップのアノー
ド面とこれに対応するアノード側金属フィルムとが、そ
れぞれはんだ又は導電性ペースト等の導電性部材によっ
て直接接続されており、金属細線を使用していないの
で、チップ部品型ＬＥＤのより薄型化、小型化が可能と
なるとともに、両面基板を用いずに金属フィルムを用い
ていることから、さらなる薄型化、小型化が可能となる
ものである。また、金属細線を使用していないので、は
んだ付け時の外的応力や、取り付けた基板の反り等の外
的応力によって断線するといったことがなく、部品とし
ての高い信頼性が得られるものである。
【００３１】また、本発明のチップ部品型ＬＥＤの製造
方法は、金属フィルムを所定の間隔でエッチング処理す
ることにより、所定の間隔を存したカソード側金属フィ
ルムとアノード側金属フィルムとを形成し、このカソー
ド側金属フィルムとアノード側金属フィルムとを跨ぐよ
うにして絶縁フィルムを形成し、この絶縁フィルム上
に、ＬＥＤチップをそのカソード面とアノード面とがそ
れぞれの金属フィルム上に位置するように横方向に寝か
せて配置し、カソード面とこれに対応する金属フィルム
及びアノード面とこれに対応する金属フィルムとをそれ
ぞれはんだ又は導電性ペーストによって直接接続し、こ
れらＬＥＤチップと導電性部材とを透光性樹脂によって
封止するものである。すなわち、金属フィルムと絶縁フ
ィルムとで表裏の隙間なく構成されているので、ＬＥＤ
チップ周辺を樹脂で封止する際に、裏面側に樹脂が回る
のを確実に防止することができる。つまり、裏面のはん
だ付け電極部に樹脂が回ることによる接続不良の発生を
防止することができる。
方法は、金属フィルムを所定の間隔でエッチング処理す
ることにより、所定の間隔を存したカソード側金属フィ
ルムとアノード側金属フィルムとを形成し、このカソー
ド側金属フィルムとアノード側金属フィルムとを跨ぐよ
うにして絶縁フィルムを形成し、この絶縁フィルム上
に、ＬＥＤチップをそのカソード面とアノード面とがそ
れぞれの金属フィルム上に位置するように横方向に寝か
せて配置し、カソード面とこれに対応する金属フィルム
及びアノード面とこれに対応する金属フィルムとをそれ
ぞれはんだ又は導電性ペーストによって直接接続し、こ
れらＬＥＤチップと導電性部材とを透光性樹脂によって
封止するものである。すなわち、金属フィルムと絶縁フ
ィルムとで表裏の隙間なく構成されているので、ＬＥＤ
チップ周辺を樹脂で封止する際に、裏面側に樹脂が回る
のを確実に防止することができる。つまり、裏面のはん
だ付け電極部に樹脂が回ることによる接続不良の発生を
防止することができる。
【図１】本発明のチップ部品型ＬＥＤの構造を示す正面
図である。
図である。
【図２】本発明のチップ部品型ＬＥＤの構造を示す平面
図である。
図である。
【図３】本発明のチップ部品型ＬＥＤの製造方法を説明
するための図である。
するための図である。
【図４】本発明のチップ部品型ＬＥＤの実際の寸法例を
示す図である。
示す図である。
【図５】従来のチップ部品型ＬＥＤの構造の一例を示す
正面図である。
正面図である。
【図６】従来のチップ部品型ＬＥＤの構造の一例を示す
正面図である。
正面図である。
【図７】図６に示すチップ部品型ＬＥＤの実際の寸法例
を示す図である。
を示す図である。
１ カソード側金属フィルム ２ アノード側金属フィルム ３ 絶縁フィルム ４ ＬＥＤチップ ４ａ カソード面 ４ｂ アノード面 ５ 導電性部材（はんだ又は導電性ペースト） ６ 透光性樹脂
Claims (4)
- 【請求項１】 所定の間隔を存して同一平面上に配置さ
れたカソード側金属フィルムとアノード側金属フィルム
とを跨ぐようにしてＬＥＤチップが配置されるととも
に、このＬＥＤチップは、カソード面とアノード面とが
それぞれの金属フィルム上に位置するように横方向に寝
かせて配置され、前記カソード面とこれに対応するカソ
ード側金属フィルム及び前記アノード面とこれに対応す
るアノード側金属フィルムとがそれぞれ導電性部材によ
って直接接続され、これらＬＥＤチップと導電性部材と
が前記金属フィルム上で透光性樹脂によって封止されて
いることを特徴とするチップ部品型ＬＥＤ。 - 【請求項２】 前記導電性部材がはんだ又は導電性ペー
ストである請求項１記載のチップ部品型ＬＥＤ。 - 【請求項３】 前記ＬＥＤチップは、前記カソード側金
属フィルムと前記アノード側金属フィルムとを跨ぐよう
にして配置された絶縁フィルムの上に配置されているこ
とを特徴とする請求項１又は２記載のチップ部品型ＬＥ
Ｄ。 - 【請求項４】 金属フィルムを所定の間隔でエッチング
処理することにより、所定の間隔を存したカソード側金
属フィルムとアノード側金属フィルムとを形成し、この
カソード側金属フィルムとアノード側金属フィルムとを
跨ぐようにして絶縁フィルムを形成し、この絶縁フィル
ム上に、ＬＥＤチップをそのカソード面とアノード面と
がそれぞれの金属フィルム上に位置するように横方向に
寝かせて配置し、前記カソード面とこれに対応する金属
フィルム及び前記アノード面とこれに対応する金属フィ
ルムとをそれぞれはんだ又は導電性ペーストによって直
接接続し、これらＬＥＤチップと導電性部材とを透光性
樹脂によって封止することを特徴とするチップ部品型Ｌ
ＥＤの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33236096A JP3526380B2 (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33236096A JP3526380B2 (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10173241A true JPH10173241A (ja) | 1998-06-26 |
| JP3526380B2 JP3526380B2 (ja) | 2004-05-10 |
Family
ID=18254092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33236096A Expired - Fee Related JP3526380B2 (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3526380B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007027157A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Akita Denshi Systems:Kk | 発光ダイオード装置及びその製造方法並びに照明装置 |
| DE10008203B4 (de) * | 2000-02-23 | 2008-02-07 | Vishay Semiconductor Gmbh | Verfahren zum Herstellen elektronischer Halbleiterbauelemente |
| US8294165B2 (en) | 2006-03-30 | 2012-10-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device |
-
1996
- 1996-12-12 JP JP33236096A patent/JP3526380B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10008203B4 (de) * | 2000-02-23 | 2008-02-07 | Vishay Semiconductor Gmbh | Verfahren zum Herstellen elektronischer Halbleiterbauelemente |
| JP2007027157A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Akita Denshi Systems:Kk | 発光ダイオード装置及びその製造方法並びに照明装置 |
| US8294165B2 (en) | 2006-03-30 | 2012-10-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3526380B2 (ja) | 2004-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5670797A (en) | Compact light-emitting device with sealing member and light-transmitting resin seal | |
| CN100517680C (zh) | 布线基板、半导体装置及显示模块 | |
| JP3866058B2 (ja) | 半導体装置、配線基板及びテープキャリア | |
| JP5649878B2 (ja) | 半導体装置およびその検査方法、並びに電気機器 | |
| JPH07122787A (ja) | チップ部品型ｌｅｄの構造及びその製造方法 | |
| JP3311914B2 (ja) | チップ型発光ダイオード | |
| CN100424866C (zh) | 带式电路基板及使用该带式电路基板的半导体芯片封装 | |
| US10090229B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| US7508073B2 (en) | Wiring board, semiconductor device using the same, and method for manufacturing wiring board | |
| JP3526380B2 (ja) | チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法 | |
| JP2001077228A (ja) | 半導体パッケージ用プリント配線板およびその製造方法 | |
| JP2008103550A (ja) | 半導体装置 | |
| KR20020091797A (ko) | 리드 프레임, 이를 사용하는 반도체 디바이스 및 반도체디바이스의 제조 방법 | |
| JP2002222998A (ja) | 光半導体素子 | |
| JPH05109922A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2849479B2 (ja) | 半導体装置のパッケージ構造 | |
| JPH10256318A (ja) | 半導体装置、その製造方法及びその実装方法、これを実装した回路基板並びにフレキシブル基板及びその製造方法 | |
| JPH09116045A (ja) | リードフレームを用いたｂｇａタイプの樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3851541B2 (ja) | チップ部品およびその製造方法 | |
| CN217444383U (zh) | 单层基板的芯片封装结构及其电子电路 | |
| JPH02259728A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2001148517A (ja) | 発光デバイス | |
| TW202021160A (zh) | 高覆蓋率發光二極體載板 | |
| JPH05326814A (ja) | 電子回路素子搭載用リードフレーム | |
| JP2000150707A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031205 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040210 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040213 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080227 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090227 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100227 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100227 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110227 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140227 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |