JPH10173103A - Epoxy resin compsn. for sealing semiconductor - Google Patents
Epoxy resin compsn. for sealing semiconductorInfo
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- JPH10173103A JPH10173103A JP33331696A JP33331696A JPH10173103A JP H10173103 A JPH10173103 A JP H10173103A JP 33331696 A JP33331696 A JP 33331696A JP 33331696 A JP33331696 A JP 33331696A JP H10173103 A JPH10173103 A JP H10173103A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、熱放散性に優れ、
かつ成形性、更には半田耐熱性に優れる半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a heat-radiating device,
The present invention also relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation which has excellent moldability and heat resistance.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、ＩＣ、ＬＳＩなどのプラスチック
封止された半導体デバイスは、チップの発熱容量の増加
によりプラスチックパッケージにおいてリードフレーム
からの熱放散のみならず、ヒートシンク、ヒートスプレ
ッダと呼ばれる熱放散性に優れる金属類をパッケージに
挿入したりしているが、製造工程が複雑になったり、ヒ
ートシンク、ヒートスプレッダのコストが高い等の問題
を有している。一方樹脂組成物自身の熱伝導性を高め、
ヒートシンク、ヒートスプレッダを取り除く試みも行わ
れているが、成形性が劣ったり、耐半田耐熱性が低下し
問題になっていた。2. Description of the Related Art In recent years, plastic-sealed semiconductor devices such as ICs and LSIs have become increasingly difficult to dissipate not only heat from a lead frame but also heat dissipation called a heat sink or a heat spreader in a plastic package due to an increase in heat generation capacity of a chip. Although excellent metals are inserted into the package, there are problems such as a complicated manufacturing process and a high cost of a heat sink and a heat spreader. On the other hand, enhance the thermal conductivity of the resin composition itself,
Attempts have been made to remove the heat sink and heat spreader, but this has been a problem due to poor moldability and reduced soldering heat resistance.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決するため種々の検討を行い、特定の構造を有す
る無機充填材の組み合わせにより熱放散性に優れ、かつ
成形性、更には耐半田耐熱性に優れる半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を提供するものである。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention has been studied in various ways, and the combination of inorganic fillers having a specific structure has excellent heat dissipation and moldability. An object of the present invention is to provide an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation having excellent solder heat resistance.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）エポキ
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）無機充填
材、（Ｄ）アミン系硬化促進剤を主成分とするエポキシ
樹脂組成物において、（Ａ）エポキシ樹脂がオルソクレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂を主成分とし、かつ
（Ｃ）無機充填材が含窒素無機化合物８０〜９８重量％
及び溶融シリカ２〜２０重量％からなることを特徴とす
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物であり、好ましくは
含窒素無機化合物が、シリコンナイトライド（Ｓｉ
Ｎ）、アルミニウムナイトライド（ＡｌＮ）又はボロン
ナイトライド（ＢＮ）であり、更に好ましくは含窒素無
機化合物が、溶融シリカで被覆されており、更には溶融
シリカの平均粒径が、０．２５〜２５μｍである半導体
封止用エポキシ樹脂組成物である。The present invention provides an epoxy resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) a phenol resin curing agent, (C) an inorganic filler, and (D) an amine-based curing accelerator. (A) an epoxy resin having an ortho-cresol novolak type epoxy resin as a main component, and (C) an inorganic filler containing 80 to 98% by weight of a nitrogen-containing inorganic compound.
And an epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor, comprising 2 to 20% by weight of fused silica, wherein the nitrogen-containing inorganic compound is preferably silicon nitride (Si).
N), aluminum nitride (AlN) or boron nitride (BN), more preferably the nitrogen-containing inorganic compound is coated with fused silica, and further the fused silica has an average particle size of 0.25 to 0.25. It is an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation having a thickness of 25 μm.
【０００６】本発明に用いるエポキシ樹脂は、主成分は
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂である。オ
ルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂は成形性及び
耐半田耐熱性に優れるという特徴を有している。実際に
は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の耐湿性向上のた
めに、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を精
製し、塩素イオン、ナトリウムイオン等の不純物イオン
が極力少ないことが好ましく、又硬化性のためにはエポ
キシ当量が１５０〜３００のものが好ましい。更には、
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂以外のエポ
キシ樹脂、例えばフエノールノボラック型エポキシ樹
脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポ
キシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリ
アジン核含有エポキシ樹脂、ビフェニル型又はスチルベ
ン型二官能エポキシ化合物等を併用し硬化性等を調整し
て使用することもできる。The main component of the epoxy resin used in the present invention is an ortho-cresol novolak type epoxy resin. Orthocresol novolak type epoxy resin is characterized by being excellent in moldability and soldering heat resistance. In fact, in order to improve the moisture resistance of the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, ortho-cresol novolac type epoxy resin is purified, and it is preferable that impurity ions such as chlorine ions and sodium ions are as small as possible. For this reason, those having an epoxy equivalent of 150 to 300 are preferable. Furthermore,
Epoxy resins other than ortho-cresol novolak type epoxy resin, for example, phenol novolak type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, triazine nucleus containing epoxy resin, biphenyl type or stilbene type bifunctional epoxy compound It is also possible to adjust the curability and the like by using them in combination.
【０００７】本発明に用いるフェノール樹脂硬化剤は、
分子中にフェノール性水酸基を有するものならば特に限
定するものではない。例えば、フェノールノボラック樹
脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、キシリ
レン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン樹脂、
又はこれらの変性樹脂が挙げられる。樹脂組成物の硬化
性のためには、水酸基当量は８０〜２５０のものが好ま
しい。The phenolic resin curing agent used in the present invention comprises:
There is no particular limitation as long as it has a phenolic hydroxyl group in the molecule. For example, phenol novolak resin, dicyclopentadiene-modified phenol resin, xylylene-modified phenol resin, triphenolmethane resin,
Or these modified resins are mentioned. For the curability of the resin composition, those having a hydroxyl equivalent of 80 to 250 are preferred.
【０００８】本発明に用いる無機充填材は、含窒素無機
化合物が８０〜９８重量％及び溶融シリカが２〜２０重
量％からなるものである。熱伝導性に優れる材料は樹脂
流動性が劣り、逆に、樹脂流動性に優れる材料は熱伝導
性に劣り両立するものは見出されていなかった。本発明
の含窒素無機化合物は、熱伝導性及び流動特性に優れて
いることを見出したものである。含窒素無機化合物とし
ては、ＳｉＮ（シリコンナイトライド）、ＡｌＮ（アル
ミニウムナイトライド）、ＢＮ（ボロンナイトライド）
等が挙げられるがこれに限定されるものではない。ま
た、含窒素無機化合物の化学的安定性を高めるために含
窒素無機化合物を溶融シリカで被覆することがより好ま
しい。無機充填材中の含窒素無機化合物は８０〜９８重
量％が好ましい。８０重量％未満であると熱伝導性が低
下するために好ましくない。溶融シリカでの被覆は、１
μｍ以下の皮膜が熱伝導性を損なわずに化学的安定性を
高めるために好ましい。化学的安定性とは、例えば、含
窒素無機化合物を高温高湿下で処理すると加水分解し
て、アンモニア等を発生する場合があるが、これらの現
象を抑えることをいう。The inorganic filler used in the present invention comprises 80 to 98% by weight of a nitrogen-containing inorganic compound and 2 to 20% by weight of fused silica. Materials with excellent thermal conductivity have poor resin fluidity, and conversely, materials with excellent resin fluidity have poor thermal conductivity and have not been found to be compatible. It has been found that the nitrogen-containing inorganic compound of the present invention is excellent in thermal conductivity and flow characteristics. As nitrogen-containing inorganic compounds, SiN (silicon nitride), AlN (aluminum nitride), BN (boron nitride)
And the like, but are not limited thereto. Further, in order to enhance the chemical stability of the nitrogen-containing inorganic compound, it is more preferable to coat the nitrogen-containing inorganic compound with fused silica. The nitrogen-containing inorganic compound in the inorganic filler is preferably 80 to 98% by weight. If it is less than 80% by weight, thermal conductivity is undesirably reduced. The coating with fused silica is 1
A coating having a thickness of not more than μm is preferred for enhancing the chemical stability without impairing the thermal conductivity. The chemical stability means that, for example, when a nitrogen-containing inorganic compound is treated under high temperature and high humidity, it is hydrolyzed to generate ammonia and the like, but it means to suppress these phenomena.
【０００９】更に、無機充填材中の溶融シリカは、樹脂
流動性、充填性を調節するために用いられる。溶融シリ
カの平均粒径としては０．２５〜２５μｍの溶融シリカ
が好ましい。０．２５μｍ未満であると流動性が損なわ
れるので好ましくない。２５μｍを越えると樹脂流動性
及び熱伝導性が損なわれるので好ましくない。更に溶融
シリカの形状は特に限定されないが、好ましいのは球状
である。無機充填材中の溶融シリカ量は、２〜２０重量
％が好ましい。２０重量％を越えると熱伝導性を損なわ
れるため好ましくない。Further, the fused silica in the inorganic filler is used for controlling resin fluidity and filling property. The average particle size of the fused silica is preferably from 0.25 to 25 μm. If it is less than 0.25 μm, the fluidity is impaired, which is not preferred. If it exceeds 25 μm, the fluidity of the resin and the thermal conductivity are undesirably impaired. Further, the shape of the fused silica is not particularly limited, but is preferably spherical. The amount of fused silica in the inorganic filler is preferably from 2 to 20% by weight. If it exceeds 20% by weight, thermal conductivity is impaired, which is not preferable.
【００１０】本発明に用いる硬化促進剤は、エポキシ基
とフェノール性水酸基との反応を促進するもので、含窒
素無機化合物を使用するためアミン系硬化促進剤を使用
する。アミン系硬化促進剤としては、１，８−ジアザビ
シクロ（５，４，０）ウンデセン−７、、ベンジルジメ
チルアミン、２−メチルイミダゾール等が挙げられ、こ
れらは単独でも併用してもよい。更に、特性を損なわな
い範囲でトリフェニルホスフィン等とを併用してもよ
い。The curing accelerator used in the present invention promotes the reaction between the epoxy group and the phenolic hydroxyl group. Since a nitrogen-containing inorganic compound is used, an amine-based curing accelerator is used. Examples of the amine-based curing accelerator include 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7, benzyldimethylamine, 2-methylimidazole and the like, and these may be used alone or in combination. Further, triphenylphosphine or the like may be used in combination as long as the properties are not impaired.
【００１１】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、（Ａ）〜（Ｄ）の他に、必要に応じてシランカップ
リング剤等のカップリング剤、酸化アンチモン等の難燃
剤、カーボンブラック等の着色剤、天然ワックス、合成
ワックス等の離型剤等の種々の添加剤を適宜配合しても
差し支えない。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を製造するには、（Ａ）〜（Ｄ）、その他の添加剤を
ミキサー等によって常温で十分に均一に混合した後、更
に熱ロール、又はニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕
して半導体封止用エポキシ樹脂成形材料とすることがで
きる。The epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor according to the present invention may further comprise, in addition to (A) to (D), a coupling agent such as a silane coupling agent, a flame retardant such as antimony oxide, and carbon black, if necessary. And various additives such as a colorant such as a wax and a release agent such as a natural wax and a synthetic wax. In order to produce the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, (A) to (D) and other additives are sufficiently and uniformly mixed at room temperature by a mixer or the like, and then further heated, kneaded, or the like. , And then cooled and pulverized to obtain an epoxy resin molding material for semiconductor encapsulation.
【００１２】[0012]
【実施例】以下本発明を実施例にて具体的に説明する。
実施例、比較例に用いた原料は以下のとおりである。 （Ａ）エポキシ樹脂 Ａ−１；オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（住友化学工業(株)、ＥＳＣＮ−１９５Ｌ） Ａ−２；ビフェニル型エポキシ化合物（油化シェルエポ
キシ（株）、ＹＸ４０００Ｈ） （Ｂ）フェノール樹脂硬化剤 Ｂ−１；フエノールノボラック樹脂（軟化点９５、水酸
基当量１０５） （Ｃ）無機充填材 Ｃ−１；シリコンナイトライド粉末 Ｃ−２；アルミニウムナイトライド粉末 Ｃ−３；ボロンナイトライド粉末 Ｃ−４；シリコンナイトライド粉末（シリカ溶融皮膜付
き） Ｃ−５；アルミニウムナイトライド粉末（シリカ溶融皮
膜付き） Ｃ−Ｆ６；溶融シリカ粉末（平均粒径 ０．１μm) Ｃ−Ｆ７；溶融シリカ粉末（平均粒径 ０．５μm) Ｃ−Ｆ８；溶融シリカ粉末（平均粒径 ３μm) Ｃ−Ｆ９；溶融シリカ粉末（平均粒径 ２０μm) Ｃ−Ｆ10；溶融シリカ粉末（平均粒径 ３５μm) Ｃ−１１；アルミナ粉末 （Ｄ）硬化促進剤 Ｄ−１；２−メチルイミダゾール Ｄ−２；１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデ
セン−７ Ｄ−３；トリフェニルホスフィン （Ｅ）その他の添加物 シリコーンオイル（信越化学工業(株)製、ＫＥ−１０
２） シランカップリング剤（信越化学工業(株)製、ＫＢＭ−
４０３） 三酸化アンチモン 臭素化エポキシ樹脂 カルナバワックス カーボンブラックThe present invention will be specifically described below with reference to examples.
The raw materials used in Examples and Comparative Examples are as follows. (A) Epoxy resin A-1; ortho-cresol novolac type epoxy resin (Sumitomo Chemical Co., Ltd., ESCN-195L) A-2: Biphenyl type epoxy compound (Yukaka Epoxy Co., Ltd., YX4000H) (B) Phenol Resin curing agent B-1; phenol novolak resin (softening point 95, hydroxyl equivalent 105) (C) inorganic filler C-1; silicon nitride powder C-2; aluminum nitride powder C-3; boron nitride powder C -4; silicon nitride powder (with silica fused film) C-5; aluminum nitride powder (with silica fused film) C-F6; fused silica powder (average particle size 0.1 μm) C-F7; fused silica powder ( C-F8; fused silica powder (average particle size 3 μm) C-F9; fused silica powder (average particle size 0.5 μm) C-F10; fused silica powder (average particle size 35 μm) C-11; alumina powder (D) curing accelerator D-1; 2-methylimidazole D-2; 1,8-diazabicyclo (5,4, 0) Undecene-7 D-3; Triphenylphosphine (E) Other additives Silicone oil (KE-10 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
2) Silane coupling agent (KBM-, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
403) Antimony trioxide Brominated epoxy resin Carnauba wax Carbon black
【００１３】尚、実施例、比較例における基本配合処方
は下記の通りである。 （Ａ）エポキシ樹脂 １１．０重量部 （Ｂ）フェノール樹脂硬化剤 ６．０重量部 （Ｃ）無機充填材 ７８．８重量部 （Ｄ）硬化促進剤 ０．２重量部 （Ｅ）その他の添加物 シリコーンオイル １．０重量部 シランカップリング剤 ０．５重量部 三酸化アンチモン ０．５重量部 臭素化エポキシ樹脂 １．０重量部 カルナバワックス ０．５重量部 カーボンブラック ０．５重量部The basic formulation in the examples and comparative examples is as follows. (A) Epoxy resin 11.0 parts by weight (B) Phenolic resin curing agent 6.0 parts by weight (C) Inorganic filler 78.8 parts by weight (D) Curing accelerator 0.2 parts by weight (E) Other additions Product Silicone oil 1.0 part by weight Silane coupling agent 0.5 part by weight Antimony trioxide 0.5 part by weight Brominated epoxy resin 1.0 part by weight Carnauba wax 0.5 part by weight Carbon black 0.5 part by weight
【００１４】《実施例１〜１０》《比較例１〜７》以上
を選択してヘンシェルミキサーにて混合し、７０〜１０
０℃で二軸ロールにて混練し、冷却後粉砕し半導体封止
用エポキシ樹脂組成物とした。得られた樹脂組成物をタ
ブレット化し、低圧トランスファー成形機にて１７５
℃、７０ｋｇ／ｃｍ2 、１２０秒の条件で８０ピンＱＦ
Ｐを成形し、更にポストモールドキュアとして１７５℃
で８時間の処理を行い、成形品を得た。この成形品を３
０℃、相対湿度６０％の雰囲気で１９２時間吸湿後、Ｉ
Ｒリフロー（２２０℃）での半田クラック試験を行っ
た。又１５０℃、７０ｋｇ／ｃｍ2 、１５分成形条件で
５０φ×５０ｍｍの成形品を得、プローブ型熱伝導率測
定機（昭和電工(株)製）を用いて常温で熱伝導率を測定
した。なお、各実施例及び比較例では使用する無機充填
材の含窒素無機化合物及び溶融シリカの種類とその添加
割合を表１〜表３の如くそれぞれ替えて評価した。更に
その他の基本配合処方と異なるものとしては下記の如く
である。 ・実施例10の硬化促進剤はＤ−２、比較例７の硬化促進
剤はＤ−３で、他の実施例、比較例はＤ−１ ・比較例１のエポキシ樹脂はＡ−２で、他の実施例、比
較例はＡ−１ にそれぞれ替えて評価した。これらの結果を表１〜表３
に示す。<< Examples 1 to 10 >><< Comparative Examples 1 to 7 >> These were selected and mixed with a Henschel mixer.
The mixture was kneaded with a biaxial roll at 0 ° C., cooled and pulverized to obtain an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation. The obtained resin composition is tableted and subjected to 175 low-pressure transfer molding.
80 pin QF under the conditions of ° C, 70 kg / cm 2 , 120 seconds
P is molded and 175 ° C as post-mold cure
For 8 hours to obtain a molded product. 3
After absorbing moisture for 192 hours in an atmosphere of 0 ° C. and a relative humidity of 60%, I
A solder crack test at R reflow (220 ° C.) was performed. A molded article of 50 mm × 50 mm was obtained under the molding conditions of 150 ° C., 70 kg / cm 2 , and 15 minutes, and the thermal conductivity was measured at room temperature using a probe type thermal conductivity measuring device (manufactured by Showa Denko KK). In each of the examples and comparative examples, the types of the nitrogen-containing inorganic compound and the fused silica used as the inorganic filler and the ratio of addition thereof were evaluated as shown in Tables 1 to 3, respectively. Further, the following are different from the other basic compounding formulations. -The curing accelerator of Example 10 is D-2, the curing accelerator of Comparative Example 7 is D-3, and the other Examples and Comparative Examples are D-1.-The epoxy resin of Comparative Example 1 is A-2. The other Examples and Comparative Examples were each evaluated in place of A-1. Tables 1 to 3 show these results.
Shown in
【００１５】評価方法としては下記のごとく行った。 熱伝導率：数値が高い方が良い。実用上、50×10-4以
上の数値が好ましい。 成形性１：バリ長さは短い方が良い。実用上、２以下
の数値が好ましい。 成形性２：異常があってはならない 信頼性：半田クラック試験で不良が発生してはならな
い。 以上の評価結果として、本発明のものは、熱伝導性、成
形性、信頼性のいずれも良好な結果であったが、本発明
以外のものは、熱伝導性、成形性、信頼性のいずれかに
問題が発生し実用性の無いことがわかった。The evaluation was performed as follows. Thermal conductivity: The higher the numerical value, the better. Practically, a numerical value of 50 × 10 −4 or more is preferable. Formability 1: The shorter the burr length, the better. For practical use, a value of 2 or less is preferable. Formability 2: There must be no abnormalities Reliability: Defects must not occur in the solder crack test. As the above evaluation results, those of the present invention showed good results in both thermal conductivity, moldability, and reliability, but those other than the present invention showed thermal conductivity, moldability, and reliability. A crab problem occurred and proved to be impractical.
【００１６】 表 １ 実 施 例 １ ２ ３ ４ ５ 《無機充填材の種類》 含窒素無機化合物の種類 C-1 C-2 C-3 C-4 C-5 その添加割合（重量％） 90 90 90 90 90 溶融シリカの種類 C-F8 C-F8 C-F8 C-F8 C-F8 その添加量（重量部） 10 10 10 10 10 《特 性》 熱伝導率(10-4cal／sec・cm・℃) 65 63 75 63 65 成形性１（バリ長さ：mm） 1.0 0.8 1.2 1.1 0.6 成形性２（充填性外観） 良好 良好 良好 良好 良好 信頼性（不良率：％） ０ ０ ０ ０ ０ Table 1 Example 1 2 3 4 5 << Type of inorganic filler >> Type of nitrogen-containing inorganic compound C-1 C-2 C-3 C-4 C-5 The addition ratio (% by weight) 90 90 90 90 90 Fused silica Type C-F8 C-F8 C-F8 C-F8 C-F8 Amount (parts by weight) 10 10 10 10 10 《Characteristics》 Thermal conductivity (10 -4 cal / sec ・ cm ・ ℃) 65 63 75 63 65 Formability 1 (Burr length: mm) 1.0 0.8 1.2 1.1 0.6 Formability 2 (Filling appearance) Good Good Good Good Good Reliability (defective rate:%) 0 0 0 0 0
【００１７】 表 ２ 実 施 例 ６ ７ ８ ９ 10 《無機充填材の種類》 含窒素無機化合物の種類 C-5 C-5 C-5 C-5 C-5 その添加割合（重量％） 83 97 90 90 90 溶融シリカの種類 C-F8 C-F8 C-F6 C-F9 C-F8 その添加量（重量部） 17 3 10 10 10 《特 性》 熱伝導率(10-4cal／sec・cm・℃) 53 86 62 59 63 成形性１（バリ長さ：mm） 0.3 1.5 0.4 1.4 1.2 成形性２（充填性外観） 良好 良好 良好 良好 良好 信頼性（不良率：％） ０ ０ ０ ０ ０ Table 2 Example 6 7 8 9 10 << Type of inorganic filler >> Type of nitrogen-containing inorganic compound C-5 C-5 C-5 C-5 C-5 The addition ratio (% by weight) 83 97 90 90 90 Fused silica Type C-F8 C-F8 C-F6 C-F9 C-F8 Amount added (parts by weight) 17 3 10 10 10 《Characteristics》 Thermal conductivity (10 -4 cal / sec ・ cm ・ ℃) 53 86 62 59 63 Formability 1 (Burr length: mm) 0.3 1.5 0.4 1.4 1.2 Formability 2 (Filling appearance) Good Good Good Good Good Reliability (defective rate:%) 0 0 0 0 0
【００１８】 表 ３ 比 較 例 １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ 《無機充填材の種類》 含窒素無機化合物の種類 C-5 C-5 C-5 C-5 C-5 C-9 C-5 その添加割合（重量％） 90 100 70 90 90 83 97 溶融シリカの種類 C-F8 C-F8 C-F8 C-F6 C-F10 C-F8 C-F8 その添加量（重量部） 10 0 30 10 10 17 3 《特 性》 熱伝導率(10-4cal／sec・cm・℃) 65 83 35 59 54 73 − 成形性１（バリ長さ：mm） 3.0 5.0 0.2 − 3.5 0.3 − 成形性２（充填性外観） ＊１ 良好 良好 ＊２ ＊３ 良好 ＊４ 信頼性（不良率：％） ０ 10 ０ − 20 100 − ＊１：硬化時離型しなかった ＊２：完全に充填できなかった ＊３：ゲートにボイドが発生 ＊４：硬化せず −：測定不能Table 3 Comparative Example 1 2 3 4 5 6 7 << Type of inorganic filler >> Type of nitrogen-containing inorganic compound C-5 C-5 C-5 C-5 C-5 C-9 C-5 The addition ratio (% by weight) ) 90 100 70 90 90 83 97 Types of fused silica C-F8 C-F8 C-F8 C-F6 C-F10 C-F8 C-F8 Amount added (parts by weight) 10 0 30 10 10 17 3 << Characteristics 》 Thermal conductivity (10 -4 cal / sec ・ cm ・ ℃) 65 83 35 59 54 73-Formability 1 (burr length: mm) 3.0 5.0 0.2-3.5 0.3-Formability 2 (filling appearance) * 1 Good Good * 2 * 3 Good * 4 Reliability (defective rate:%) 0 100 -20 100- * 1: No release during curing * 2: Could not be completely filled * 3: Void in gate Occurrence * 4: Not cured-: Measurement not possible
【００１９】[0019]
【発明の効果】本発明の半導体封止用樹脂組成物は、成
形性に優れ、この樹脂組成物で封止されたＩＣ，ＬＳＩ
等の半導体装置は、熱伝導性、信頼性（半田耐熱性）に
優れている。The resin composition for encapsulating a semiconductor of the present invention has excellent moldability, and ICs and LSIs encapsulated with this resin composition.
Are excellent in thermal conductivity and reliability (solder heat resistance).
Claims (4)
樹脂硬化剤、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）アミン系硬化促
進剤を主成分とするエポキシ樹脂組成物において、
（Ａ）エポキシ樹脂がオルソクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂を主成分とし、かつ（Ｃ）無機充填材が含窒
素無機化合物８０〜９８重量％及び溶融シリカ２〜２０
重量％からなるものであることを特徴とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。1. An epoxy resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) a phenol resin curing agent, (C) an inorganic filler, and (D) an amine-based curing accelerator as main components.
(A) The epoxy resin contains ortho-cresol novolak type epoxy resin as a main component, and (C) the inorganic filler contains 80 to 98% by weight of a nitrogen-containing inorganic compound and 2 to 20 fused silica.
An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor, comprising:
イド（ＳｉＮ）、アルミニウムナイトライド（ＡｌＮ）
又はボロンナイトライド（ＢＮ）である請求項１記載の
半導体封止用エポキシ樹脂組成物。2. The nitrogen-containing inorganic compound is silicon nitride (SiN) or aluminum nitride (AlN).
The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, which is boron nitride (BN).
されている請求項１又は２記載の半導体封止用エポキシ
樹脂組成物。3. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the nitrogen-containing inorganic compound is coated with fused silica.
５μｍである請求項１、２又は３記載の半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物。4. The fused silica has an average particle size of 0.25 to 2
The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, 2 or 3, which has a thickness of 5 µm.
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|---|---|---|---|
| JP33331696A JPH10173103A (en) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | Epoxy resin compsn. for sealing semiconductor |
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|---|---|---|---|
| JP33331696A JPH10173103A (en) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | Epoxy resin compsn. for sealing semiconductor |
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Family Applications (1)
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008179724A (en) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Nitto Denko Corp | Epoxy resin composition for semiconductor packaging and semiconductor device obtained by using the same |
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-
1996
- 1996-12-13 JP JP33331696A patent/JPH10173103A/en active Pending
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