JPH10163785A - アッテネータおよび機器 - Google Patents
アッテネータおよび機器Info
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- JPH10163785A JPH10163785A JP32053396A JP32053396A JPH10163785A JP H10163785 A JPH10163785 A JP H10163785A JP 32053396 A JP32053396 A JP 32053396A JP 32053396 A JP32053396 A JP 32053396A JP H10163785 A JPH10163785 A JP H10163785A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】簡単な構成によりπ形電圧制御アッテネータの
制御電圧に対する減衰特性の非線形を容易に線形化して
減衰量を容易かつ高精度で制御することができるように
する。 【解決手段】複数個のＰＩＮダイオードＤ1 〜Ｄ4 をπ
形に接続してなるＰＩＮダイオード回路１２ａ、このＰ
ＩＮダイオード回路のバイアス端子１４に一定の直流電
圧を印加せしめるバイアス手段、ＰＩＮダイオード回路
のコントロール端子１５に制御電圧を印加してそのＰＩ
Ｎダイオードの内部抵抗を制御することにより交流入力
信号の減衰量を制御せしめるコントロール手段を有する
アッテネータ本体回路１２と、コントロール手段とＰＩ
Ｎダイオード回路との間に、直列に挿入された順方向の
ダイオード１７と抵抗１６との並列回路のリニアライザ
ー回路１３と、を具備している。
制御電圧に対する減衰特性の非線形を容易に線形化して
減衰量を容易かつ高精度で制御することができるように
する。 【解決手段】複数個のＰＩＮダイオードＤ1 〜Ｄ4 をπ
形に接続してなるＰＩＮダイオード回路１２ａ、このＰ
ＩＮダイオード回路のバイアス端子１４に一定の直流電
圧を印加せしめるバイアス手段、ＰＩＮダイオード回路
のコントロール端子１５に制御電圧を印加してそのＰＩ
Ｎダイオードの内部抵抗を制御することにより交流入力
信号の減衰量を制御せしめるコントロール手段を有する
アッテネータ本体回路１２と、コントロール手段とＰＩ
Ｎダイオード回路との間に、直列に挿入された順方向の
ダイオード１７と抵抗１６との並列回路のリニアライザ
ー回路１３と、を具備している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は携帯電話器等の移動体通
信機器やその他の高周波，マイクロ波帯電気機器等に好
適な高周波用π形アッテネータに係り、特に、ＰＩＮダ
イオードを使用したπ形電圧制御アッテネータの制御電
圧に対する減衰特性の非線形性の線形化を図ったπ形ア
ッテネータおよび機器に関する。
信機器やその他の高周波，マイクロ波帯電気機器等に好
適な高周波用π形アッテネータに係り、特に、ＰＩＮダ
イオードを使用したπ形電圧制御アッテネータの制御電
圧に対する減衰特性の非線形性の線形化を図ったπ形ア
ッテネータおよび機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、携帯電話器等の移動体通信機器
やその他の高周波，マイクロ波帯電気機器等ではアッテ
ネータが使用されるが、この種の従来のアッテネータの
一例としては図４に示すπ形アッテネータ１がある。
やその他の高周波，マイクロ波帯電気機器等ではアッテ
ネータが使用されるが、この種の従来のアッテネータの
一例としては図４に示すπ形アッテネータ１がある。
【０００３】このπ形アッテネータ１は例えば４個のＰ
ＩＮダイオードＤ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，Ｄ4 をπ形に配置し
て接続し、バイアス端子２に一定の直流バイアス電圧を
印加する一方、コントロール端子３に印加する制御用直
流電圧Ｖｃを種々制御することにより、各ＰＩＮダイオ
ードＤ1 〜Ｄ4 の内部抵抗を制御して、入力端子ＩＮよ
り入力されて、出力端子ＯＵＴから出力されるマイクロ
波等高周波信号ＲＦの減衰量を種々制御するようになっ
ている。
ＩＮダイオードＤ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，Ｄ4 をπ形に配置し
て接続し、バイアス端子２に一定の直流バイアス電圧を
印加する一方、コントロール端子３に印加する制御用直
流電圧Ｖｃを種々制御することにより、各ＰＩＮダイオ
ードＤ1 〜Ｄ4 の内部抵抗を制御して、入力端子ＩＮよ
り入力されて、出力端子ＯＵＴから出力されるマイクロ
波等高周波信号ＲＦの減衰量を種々制御するようになっ
ている。
【０００４】しかし、図５に示すようにこのπ形電圧制
御アッテネータ１では、制御電圧Ｖｃに対して減衰量Ａ
ＴＴ（ｄＢ）が曲線Ａに示すように非線形に変化し、特
に、その減衰特性の立上り領域では僅かな制御電圧Ｖｃ
の変化に対して減衰量が急激に増加するので、制御電圧
Ｖｃによる減衰量ＡＴＴの制御が必ずしも容易ではない
という問題がある。
御アッテネータ１では、制御電圧Ｖｃに対して減衰量Ａ
ＴＴ（ｄＢ）が曲線Ａに示すように非線形に変化し、特
に、その減衰特性の立上り領域では僅かな制御電圧Ｖｃ
の変化に対して減衰量が急激に増加するので、制御電圧
Ｖｃによる減衰量ＡＴＴの制御が必ずしも容易ではない
という問題がある。
【０００５】そこで、従来では、図６に示すように上記
π形電圧制御アッテネータ１のコントロール端子３と、
第１，第２のＰＩＮダイオードＤ2 ，Ｄ3 同士の中間接
続点３ａとを結ぶ通電路３ｂの途中に、折線近似型リニ
アライザー回路４を介在させて上記減衰特性の線形化を
図っている。
π形電圧制御アッテネータ１のコントロール端子３と、
第１，第２のＰＩＮダイオードＤ2 ，Ｄ3 同士の中間接
続点３ａとを結ぶ通電路３ｂの途中に、折線近似型リニ
アライザー回路４を介在させて上記減衰特性の線形化を
図っている。
【０００６】このリニアライザー回路４は、複数のトラ
ンジスタＱ1 ，Ｑ2 …Ｑn を制御電圧Ｖｃの大きさに応
じて段階的に順次動作させることにより、アッテネータ
１に与える制御電流Ｉｃを、アッテネータ１の減衰特性
の非線形を多段階で線形化するように各段で個別に制御
するようになっている。
ンジスタＱ1 ，Ｑ2 …Ｑn を制御電圧Ｖｃの大きさに応
じて段階的に順次動作させることにより、アッテネータ
１に与える制御電流Ｉｃを、アッテネータ１の減衰特性
の非線形を多段階で線形化するように各段で個別に制御
するようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のリニアライザー回路４では、制御電圧Ｖｃに
対する減衰特性の非線形を線形化するためには、全トラ
ンジスタＱ1 〜Ｑn の各動作点を各可変抵抗器Ｒｖによ
り段階的に動作するように調整しなければならず、調整
箇所が多くて煩わしいという課題がある。また、線形化
精度を上げるためにはトランジスタＱ1 〜Ｑn を多段に
設ける必要があり、部品点数の増大と構成の複雑化とを
招くという課題がある。
うな従来のリニアライザー回路４では、制御電圧Ｖｃに
対する減衰特性の非線形を線形化するためには、全トラ
ンジスタＱ1 〜Ｑn の各動作点を各可変抵抗器Ｒｖによ
り段階的に動作するように調整しなければならず、調整
箇所が多くて煩わしいという課題がある。また、線形化
精度を上げるためにはトランジスタＱ1 〜Ｑn を多段に
設ける必要があり、部品点数の増大と構成の複雑化とを
招くという課題がある。
【０００８】そこで本発明はこのような事情を考慮して
なされたもので、その目的は、簡単な構成によりπ形電
圧制御アッテネータの制御電圧に対する減衰特性の非線
形を容易に線形化して減衰量を容易かつ高精度で制御す
ることができるアッテネータおよびこれを具備した機器
を提供することにある。
なされたもので、その目的は、簡単な構成によりπ形電
圧制御アッテネータの制御電圧に対する減衰特性の非線
形を容易に線形化して減衰量を容易かつ高精度で制御す
ることができるアッテネータおよびこれを具備した機器
を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために次のように構成される。
するために次のように構成される。
【００１０】本願の請求項１に記載の発明は、複数個の
ＰＩＮダイオードをπ形に接続してなるＰＩＮダイオー
ド回路、このＰＩＮダイオード回路に一定の直流電圧を
印加せしめるバイアス手段、ＰＩＮダイオード回路に制
御電圧を印加してそのＰＩＮダイオードの内部抵抗を制
御することにより交流入力信号の減衰量を制御せしめる
コントロール手段を有するアッテネータ本体回路と、コ
ントロール手段とＰＩＮダイオード回路との間に、直列
に挿入された順方向のダイオードと抵抗との並列回路
と、を具備していることを特徴とする。
ＰＩＮダイオードをπ形に接続してなるＰＩＮダイオー
ド回路、このＰＩＮダイオード回路に一定の直流電圧を
印加せしめるバイアス手段、ＰＩＮダイオード回路に制
御電圧を印加してそのＰＩＮダイオードの内部抵抗を制
御することにより交流入力信号の減衰量を制御せしめる
コントロール手段を有するアッテネータ本体回路と、コ
ントロール手段とＰＩＮダイオード回路との間に、直列
に挿入された順方向のダイオードと抵抗との並列回路
と、を具備していることを特徴とする。
【００１１】なお、並列回路のダイオードとしてはシリ
コンＰＮ接合型ダイオード、シリコンのショットキーダ
イオード、ゲルマニウムダイオードがある。
コンＰＮ接合型ダイオード、シリコンのショットキーダ
イオード、ゲルマニウムダイオードがある。
【００１２】この発明によれば、コントロール手段から
ＰＩＮダイオード回路へ与えられる直流制御電流が所定
値以下の場合は、電流は並列回路の抵抗の方に流れる
が、その抵抗での電圧降下が並列回路のダイオードの順
方向電圧を超えたときはこのダイオードがオン（導通）
してＰＩＮダイオード回路へ流入する。
ＰＩＮダイオード回路へ与えられる直流制御電流が所定
値以下の場合は、電流は並列回路の抵抗の方に流れる
が、その抵抗での電圧降下が並列回路のダイオードの順
方向電圧を超えたときはこのダイオードがオン（導通）
してＰＩＮダイオード回路へ流入する。
【００１３】この並列回路のダイオードの導通時の制御
電流はこのダイオードの順方向Ｖ−Ｉ特性により制御電
圧に対して緩かなカーブで徐々に立ち上がるので、この
立上り領域により、アッテネータ本体回路の減衰特性の
急峻な立上げを緩和して線形化することができる。その
結果、アッテネータの減衰量を制御電圧により容易かつ
高精度に制御することができる。
電流はこのダイオードの順方向Ｖ−Ｉ特性により制御電
圧に対して緩かなカーブで徐々に立ち上がるので、この
立上り領域により、アッテネータ本体回路の減衰特性の
急峻な立上げを緩和して線形化することができる。その
結果、アッテネータの減衰量を制御電圧により容易かつ
高精度に制御することができる。
【００１４】また、このダイオードの順方向電圧降下は
小さいので、この発明を例えば電池駆動の携帯電話器等
の電子機器に組み込む場合には低電圧・小電力駆動が可
能となる。
小さいので、この発明を例えば電池駆動の携帯電話器等
の電子機器に組み込む場合には低電圧・小電力駆動が可
能となる。
【００１５】そして、この線形化機能を有する並列回路
は単にダイオードと抵抗の並列回路よりなるので、構成
が簡単であり、部品数の削減とコスト低減とを共に図る
ことができる。また、動作点等を調整する必要がなく、
調整作業を省略することができる。
は単にダイオードと抵抗の並列回路よりなるので、構成
が簡単であり、部品数の削減とコスト低減とを共に図る
ことができる。また、動作点等を調整する必要がなく、
調整作業を省略することができる。
【００１６】さらに、並列回路の抵抗の抵抗値を高めに
設定しておけばダイオードがＯＮする前の電流変化を任
意に緩やかにできる。これにより、アッテネータ減衰量
の変化を任意に緩やかにできる。
設定しておけばダイオードがＯＮする前の電流変化を任
意に緩やかにできる。これにより、アッテネータ減衰量
の変化を任意に緩やかにできる。
【００１７】本願の請求項２に記載の発明は、ダイオー
ドがシリコン接合型ダイオードであることを特徴とす
る。
ドがシリコン接合型ダイオードであることを特徴とす
る。
【００１８】この発明によれば、ダイオードがシリコン
接合型ダイオードであるので、このダイオードを順方向
に流れる制御電流の立上り領域を高めの抵抗と、ダイオ
ードの順方向Ｖ−Ｉ特性の立上り領域の緩やかさにより
アッテネータ本体回路の減衰特性の急峻な立上り領域に
容易に対応させて、その急峻部を線形化することができ
る。
接合型ダイオードであるので、このダイオードを順方向
に流れる制御電流の立上り領域を高めの抵抗と、ダイオ
ードの順方向Ｖ−Ｉ特性の立上り領域の緩やかさにより
アッテネータ本体回路の減衰特性の急峻な立上り領域に
容易に対応させて、その急峻部を線形化することができ
る。
【００１９】本願の請求項３に記載の発明は、請求項１
または２記載のアッテネータと、このアッテネータを含
む電気回路を内蔵する機器本体と、を具備していること
を特徴とする。
または２記載のアッテネータと、このアッテネータを含
む電気回路を内蔵する機器本体と、を具備していること
を特徴とする。
【００２０】この発明によれば、携帯電話器等の機器
は、減衰量を容易かつ高精度で制御することができる請
求項１または２記載のアッテネータを設けているので、
機器としても入力信号等の減衰量を容易かつ高精度で制
御することができる。
は、減衰量を容易かつ高精度で制御することができる請
求項１または２記載のアッテネータを設けているので、
機器としても入力信号等の減衰量を容易かつ高精度で制
御することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図１〜
図３に基づいて説明する。
図３に基づいて説明する。
【００２２】図１は本発明の一実施形態の電子回路図で
あり、この図において、アッテネータ１１はπ形電圧制
御アッテネータ本体回路１２に、並列回路であるリニア
ライザー回路１３を設けている。
あり、この図において、アッテネータ１１はπ形電圧制
御アッテネータ本体回路１２に、並列回路であるリニア
ライザー回路１３を設けている。
【００２３】アッテネータ本体回路１２は、図４で示す
従来のアッテネータ１と同様に構成されており、例えば
４個のＰＩＮダイオードＤ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，Ｄ4 をπ形
に配置して接続してなるＰＩＮダイオード回路１２ａ
と、バイアス端子１４に一定の直流バイアス電圧を印加
するバイアス手段と、コントロール端子１５に印加する
制御用直流電圧Ｖｃを種々制御することにより、各ＰＩ
ＮダイオードＤ1 〜Ｄ4の内部抵抗を制御して、入力端
子ＩＮより入力されて、出力端子ＯＵＴから出力される
マイクロ波等高周波信号ＲＦの減衰量を種々制御するコ
ントロール手段とを有する。
従来のアッテネータ１と同様に構成されており、例えば
４個のＰＩＮダイオードＤ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，Ｄ4 をπ形
に配置して接続してなるＰＩＮダイオード回路１２ａ
と、バイアス端子１４に一定の直流バイアス電圧を印加
するバイアス手段と、コントロール端子１５に印加する
制御用直流電圧Ｖｃを種々制御することにより、各ＰＩ
ＮダイオードＤ1 〜Ｄ4の内部抵抗を制御して、入力端
子ＩＮより入力されて、出力端子ＯＵＴから出力される
マイクロ波等高周波信号ＲＦの減衰量を種々制御するコ
ントロール手段とを有する。
【００２４】リニアライザー回路１３は抵抗１６と例え
ばシリコンＰＮ接合形等のダイオード１７との並列回路
を、上記アッテネータ本体回路１２のコントロール端子
１５と、ＰＩＮダイオードＤ2 とＤ3 との接続点１８と
を結ぶ通電路１９の途中に介在させることにより構成さ
れる。
ばシリコンＰＮ接合形等のダイオード１７との並列回路
を、上記アッテネータ本体回路１２のコントロール端子
１５と、ＰＩＮダイオードＤ2 とＤ3 との接続点１８と
を結ぶ通電路１９の途中に介在させることにより構成さ
れる。
【００２５】図２はこのリニアライザー用ダイオード１
７の順方向Ｖ−Ｉ特性を示しており、この特性は、順方
向に電圧Ｖを印加したときに流れる順方向電流Ｉが所定
の電圧降下（例えばシリコンＰＮ接合型ダイオードでは
約０．５Ｖ程度）後から徐々に流れ始めるが、この順電
流Ｉの立上り部Ｂでは順電圧Ｖの上昇に対して順電流Ｉ
の増え方は極めて緩慢であるという特徴を有する。
７の順方向Ｖ−Ｉ特性を示しており、この特性は、順方
向に電圧Ｖを印加したときに流れる順方向電流Ｉが所定
の電圧降下（例えばシリコンＰＮ接合型ダイオードでは
約０．５Ｖ程度）後から徐々に流れ始めるが、この順電
流Ｉの立上り部Ｂでは順電圧Ｖの上昇に対して順電流Ｉ
の増え方は極めて緩慢であるという特徴を有する。
【００２６】次に本実施形態の作用を説明する。
【００２７】コントロール端子１５の通電路１９に流れ
る直流制御電流Ｉｃが所定値よりも小さいとき、すなわ
ち、この制御電流Ｉｃがリニアライザー用抵抗１６を流
れたときの電圧降下がリニアライザー用ダイオード１７
の所定の電圧降下よりも小さいときは、リニアライザー
用抵抗１６側を流れてＰＩＮダイオード回路１２ａに流
入される。
る直流制御電流Ｉｃが所定値よりも小さいとき、すなわ
ち、この制御電流Ｉｃがリニアライザー用抵抗１６を流
れたときの電圧降下がリニアライザー用ダイオード１７
の所定の電圧降下よりも小さいときは、リニアライザー
用抵抗１６側を流れてＰＩＮダイオード回路１２ａに流
入される。
【００２８】そして、このリニアライザー用抵抗１６で
の電圧降下がリニアライザー用ダイオード１７の所定の
電圧降下を超えると、このダイオード１７がオン（導
通）するので、制御電流Ｉｃはこのダイオード１７側を
流れてＰＩＮダイオード回路１２ａに流入する。制御電
流Ｉｃが抵抗１６側のみを流れている領域（図３ではＣ
領域）では、その抵抗値を適当に設定することで、アッ
テネータ減衰量の変化を任意に緩やかにできる。また、
制御電流Ｉｃがリニアライザー用ダイオード１７側を流
れる際には、このダイオード１７の順方向Ｖ−Ｉ特性の
立上り部Ｂにより、さらに減衰量変化を直線的にでき
る。
の電圧降下がリニアライザー用ダイオード１７の所定の
電圧降下を超えると、このダイオード１７がオン（導
通）するので、制御電流Ｉｃはこのダイオード１７側を
流れてＰＩＮダイオード回路１２ａに流入する。制御電
流Ｉｃが抵抗１６側のみを流れている領域（図３ではＣ
領域）では、その抵抗値を適当に設定することで、アッ
テネータ減衰量の変化を任意に緩やかにできる。また、
制御電流Ｉｃがリニアライザー用ダイオード１７側を流
れる際には、このダイオード１７の順方向Ｖ−Ｉ特性の
立上り部Ｂにより、さらに減衰量変化を直線的にでき
る。
【００２９】上記構成により図３に示すように制御電圧
Ｖｃに対して減衰量ＡＴＴ（ｄＢ）が急激に増大せしめ
る急峻部Ａo およびＡ1 の傾斜を緩和させ、全体として
この減衰特性の非線形性を線形化することができる。な
お、上記リニアライザー用ダイオード１７は必ずしも１
個でなくてもよく、１個以上であればよい。また、この
ダイオード１７はショットキーダイオード、ゲルマニウ
ムダイオードでもよい。これらのダイオードは電圧降下
が小さいので、電池駆動の携帯電話器等の電子機器等に
組み込む場合には低電圧，小電力駆動が可能であるの
で、好都合である。
Ｖｃに対して減衰量ＡＴＴ（ｄＢ）が急激に増大せしめ
る急峻部Ａo およびＡ1 の傾斜を緩和させ、全体として
この減衰特性の非線形性を線形化することができる。な
お、上記リニアライザー用ダイオード１７は必ずしも１
個でなくてもよく、１個以上であればよい。また、この
ダイオード１７はショットキーダイオード、ゲルマニウ
ムダイオードでもよい。これらのダイオードは電圧降下
が小さいので、電池駆動の携帯電話器等の電子機器等に
組み込む場合には低電圧，小電力駆動が可能であるの
で、好都合である。
【００３０】そして、このように構成されたアッテネー
タ１１を携帯電話器や移動体電気通信機器やその他の高
周波、マイクロ波帯電気機器等の機器に設けることによ
り、コストアップを招かずに、電気信号の減衰量を高精
度かつ容易に制御することができる。
タ１１を携帯電話器や移動体電気通信機器やその他の高
周波、マイクロ波帯電気機器等の機器に設けることによ
り、コストアップを招かずに、電気信号の減衰量を高精
度かつ容易に制御することができる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように請求項１の発明は、
コントロール手段からＰＩＮダイオード回路へ与えられ
る制御電流が並列回路の抵抗、さらに引き続きダイオー
ド側を流れると、この制御電流はこの抵抗の抵抗値の大
きさ、およびダイオードの順方向Ｖ−Ｉ特性により制御
電圧に対して緩かなカーブで徐々に立ち上がるので、こ
の立上り領域により、アッテネータ本体回路の減衰特性
の急峻な立上げを緩和して線形化することができる。そ
の結果、アッテネータの減衰量を制御電圧により容易か
つ高精度に制御することができる。
コントロール手段からＰＩＮダイオード回路へ与えられ
る制御電流が並列回路の抵抗、さらに引き続きダイオー
ド側を流れると、この制御電流はこの抵抗の抵抗値の大
きさ、およびダイオードの順方向Ｖ−Ｉ特性により制御
電圧に対して緩かなカーブで徐々に立ち上がるので、こ
の立上り領域により、アッテネータ本体回路の減衰特性
の急峻な立上げを緩和して線形化することができる。そ
の結果、アッテネータの減衰量を制御電圧により容易か
つ高精度に制御することができる。
【００３２】また、このダイオードの順方向電圧降下は
小さいので、この発明を例えば電池駆動の携帯電話器等
の電子機器に組み込む場合には低電圧・小電力駆動が可
能となる。
小さいので、この発明を例えば電池駆動の携帯電話器等
の電子機器に組み込む場合には低電圧・小電力駆動が可
能となる。
【００３３】そして、この線形化機能を有する並列回路
は単にダイオードと抵抗の並列回路よりなるので、構成
が簡単であり、部品数の削減とコスト低減とを共に図る
ことができる。また、ダイオードの動作点は並列回路の
抵抗値のみで調整することができ、調整作業が非常に簡
略であることが特長である。
は単にダイオードと抵抗の並列回路よりなるので、構成
が簡単であり、部品数の削減とコスト低減とを共に図る
ことができる。また、ダイオードの動作点は並列回路の
抵抗値のみで調整することができ、調整作業が非常に簡
略であることが特長である。
【００３４】請求項２の発明によれば、ダイオードがシ
リコン接合型ダイオードの場合は他のダイオード例えば
ショットキーダイオード、ゲルマニウムダイオードなど
に比べ、順方向立上り電圧が大きいので、並列に入力さ
れる抵抗の値を大きくできる。すなわち、電流が抵抗側
のみを流れているときのアッテネータ減衰量の変化を緩
やかにするには有利である。
リコン接合型ダイオードの場合は他のダイオード例えば
ショットキーダイオード、ゲルマニウムダイオードなど
に比べ、順方向立上り電圧が大きいので、並列に入力さ
れる抵抗の値を大きくできる。すなわち、電流が抵抗側
のみを流れているときのアッテネータ減衰量の変化を緩
やかにするには有利である。
【００３５】請求項３の発明によれば、携帯電話器等の
機器は、減衰量を容易に制御することができる請求項１
または２記載のアッテネータを設けているので、機器と
しても入力信号等の減衰量を高精度で制御し得る。
機器は、減衰量を容易に制御することができる請求項１
または２記載のアッテネータを設けているので、機器と
しても入力信号等の減衰量を高精度で制御し得る。
【図１】本発明の一実施形態に係るアッテネータの電子
回路図。
回路図。
【図２】図１で示すリニアライザー用ダイオードの順方
向Ｖ−Ｉ特性図。
向Ｖ−Ｉ特性図。
【図３】図１で示すリニアライザー回路によりアッテネ
ータ本体回路の減衰特性を線形化した状態を示す図。
ータ本体回路の減衰特性を線形化した状態を示す図。
【図４】従来のπ型電圧制御アッテネータの電子回路
図。
図。
【図５】図４で示すアッテネータの減衰特性図。
【図６】従来のリニアライザー回路の一部省略電子回路
図。
図。
１１ アッテネータ １２ アッテネータ本体回路 １３ リニアライザー回路（並列回路） １４ バイアス端子 １５ コントロール端子 １６ リニアライザー用抵抗 １７ リニアライザー用ダイオード １８ 中間接続点 １９ 通電路
Claims (3)
- 【請求項１】 複数個のＰＩＮダイオードをπ形に接続
してなるＰＩＮダイオード回路、このＰＩＮダイオード
回路に一定の直流電圧を印加せしめるバイアス手段、お
よびＰＩＮダイオード回路に制御電圧を印加してそのＰ
ＩＮダイオードの内部抵抗を制御することにより交流入
力信号の減衰量を制御せしめるコントロール手段を有す
るアッテネータ本体回路と、 コントロール手段とＰＩＮダイオード回路との間に、直
列に挿入された順方向のダイオードと抵抗との並列回路
と、を具備していることを特徴とするアッテネータ。 - 【請求項２】 ダイオードがシリコン接合型ダイオード
であることを特徴とする請求項１記載のアッテネータ。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のアッテネータ
と、 このアッテネータを含む電気回路を内蔵する機器本体
と、を具備していることを特徴とする機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32053396A JP3912623B2 (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | アッテネータおよび機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32053396A JP3912623B2 (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | アッテネータおよび機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163785A true JPH10163785A (ja) | 1998-06-19 |
| JP3912623B2 JP3912623B2 (ja) | 2007-05-09 |
Family
ID=18122503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32053396A Expired - Fee Related JP3912623B2 (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | アッテネータおよび機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3912623B2 (ja) |
-
1996
- 1996-11-29 JP JP32053396A patent/JP3912623B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3912623B2 (ja) | 2007-05-09 |
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