JPH10161095A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH10161095A JPH10161095A JP8322632A JP32263296A JPH10161095A JP H10161095 A JPH10161095 A JP H10161095A JP 8322632 A JP8322632 A JP 8322632A JP 32263296 A JP32263296 A JP 32263296A JP H10161095 A JPH10161095 A JP H10161095A
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Abstract
易く、重いが品質は良好であった。割れ易さと重さを改
良するためにプラスチック基板を利用する液晶表示装置
があるが、耐熱性と液晶への不純物イオンの透過性、あ
るいは、膜の密着性との問題がある。両方の基板の欠点
を改善するための基板および液晶表示装置の構成を提供
する。 【解決手段】 液晶表示装置は、第1の基板1は金属基
板からなり、さらに該金属基板上には該金属基板の陽極
酸化膜からなる絶縁膜2を有し、絶縁膜2上には、信号
電極3あるいは、データー電極の少なくとも一方に接続
するスイッチング素子11を有し、該スイッチング素子
は表示電極9に接続する構造を有し、さらに前記金属基
板を該表示電極の反射板とする構成を採用する。
Description
に関し、薄く、軽く、しかも割れにくい液晶表示装置に
関するものである。また、割れにくい基板として金属基
板を利用し、さらに、金属基板上に設ける絶縁膜として
金属基板の陽極酸化膜を利用するものである。さらに、
金属基板上に、スイッチング素子として、金属−非線形
抵抗層−金属構造、あるいは、金属−半導体層−金属構
造からなる二端子型スイッチング素子、あるいは、ゲー
ト電極とゲート絶縁膜と半導体層と不純物イオンを含む
半導体層とソース電極とデーター電極とを有する三端子
型スイッチング素子を有するアクティブマトリクス型液
晶表示装置に関する。
の表示容量は、大容量化の一途をたどっている。その液
晶表示装置の構造は、第1の基板上に設ける信号電極に
液晶画素の表示電極を直接に接続するパッシブマトリク
ス型と、信号電極と表示電極の間にスイッチング素子を
有するアクティブマトリクス型がある。さらに、第1の
基板上の表示電極と対向するように液晶を介して対向電
極を設け、複数の信号電極と複数の対向電極をマトリク
ス状に配置し、信号電極と、対向電極に接続するデータ
ー電極に外部回路より所定の信号を印加する構造からな
る。
トリクス型)の液晶表示装置にマルチプレクス駆動を用
いる手段は、高時分割化するに従ってコントラストの低
下あるいは応答速度の低下が生じ、200本程度の走査
線を有する場合では、充分なコントラストを得ることが
難しくなる。
に、個々の画素にスイッチング素子を設けるアクティブ
マトリクスの液晶表示パネルが採用されている。
ルには、大別すると薄膜トランジスタを用いる三端子型
スイッチング素子と、非線系抵抗素子を用いる二端子型
スイッチング素子とがある。これらのうち構造や製造方
法が簡単な点と低温工程にて比較的製造可能な点では、
二端子型スイッチング素子が優れている。
ダイオード型や、バリスタ型や、TFD型などが開発さ
れている。
で、そのうえ製造工程が短いという特徴を備えている。
置ではないため、外部の光源を利用し液晶の光学変化に
より外部の光の変化を利用し表示を行う。そのため、観
察者と液晶表示装置と光源の位置関係には、大きく分け
ると2種類ある。一つ目は、光源と観察者が液晶表示装
置に対して同一面にある、いわゆる反射型液晶表示装置
であり、2つ目は観察者−液晶表示装置−光源の配置を
とる、いわゆる透過型液晶表示装置である。液晶表示装
置の長所である低消費電力化を目的とする場合には、特
に光源を必要とせず液晶表示装置の周囲の光源を利用す
る反射型液晶表示装置が有効である。
チング素子として二端子型スイッチング素子を有する液
晶表示装置の従来例を図面に基づいて説明する。
た従来技術における液晶表示装置の構成を示す平面図で
ある。さらに図16は、図15の平面図におけるA−A
線での断面を示す断面図である。以下、図15と図16
とを交互に用いて従来技術を説明する。
には、いずれもタンタル(Ta)膜からなる信号電極3
と信号電極3と一体構造からなる下部電極4を有する。
信号電極3と下部電極上には、酸化タンタル(Ta2 O
5 )からなる非線形抵抗層5を有する。
5と重なり合う上部電極6と上部電極6と一体構造の表
示電極9とを酸化インジウムスズ(ITO)膜にて設け
る。この上部電極9と非線形抵抗層5と下部電極4とに
より二端子型スイッチング素子を構成する。
置として使用する場合には、第1の基板1に対向するよ
うにプラスチック基板からなる第2の基板22を設け
る。この第2の基板22上には、表示電極9と対向する
ように透明導電性膜からなる酸化インジウムスズ(IT
O)膜で構成する対向電極15を有する。さらに対向電
極15には、外部回路の信号を印加するためのデーター
電極(図示せず)を接続している。
には、液晶17の分子を規則的に並べるための処理層と
して、それぞれ配向膜16、16を有する。さらにスペ
ーサー(図示せず)によって、第1の基板1と第2の基
板22とを所定の間隙寸法をもって対向させ、第1の基
板1と第2の基板22との間には、液晶17を封入して
いる。
板22のいずれか一方の液晶17と反対の面に反射板2
5を有する。液晶表示装置の表示モード、例えば、相転
移型ゲストホスト(pc−GH)モード、あるいは、ツ
イストネマティック(TN)モード等の種類により必要
な場合と不要な場合とがある。液晶表示装置は自己発光
しないため、信号電極3とデーター電極に外部回路より
駆動波形を印加し、スイッチング素子11を介して、表
示電極9と対向電極15との間の領域の液晶17の電圧
と光学特性変化を利用し、さらに、反射板25の反射特
性と外光とを利用し反射型の液晶表示装置は所定の画像
表示を行う。
示装置では、プラスチック基板の熱安定性、あるいは、
プラスチック基板を透過して液晶を劣化させる不純物イ
オンの防止膜、あるいは、膜の応力による反り、熱伝導
性等により、プラスチック基板上に設ける膜の形成温
度、あるいは、膜の種類を非常に限定するとともに、従
来のガラス基板を利用する製造方法がほとんど使用でき
ない状況である。
は、三端子型スイッチング素子をプラスチック基板上に
形成する場合には、各膜の性能、あるいは、多層による
応力の発生等により、さらに複雑な工程が必要となり、
さらに、スイッチング素子の特性の維持も難しい。
いても、低コストで良質のカラーフイルターがガラス基
板上で形成可能な現在、プラスチック基板上にカラーフ
イルターは、密着力の低下、製造工程の複雑さの点で大
きく遅れている。さらに、カラーフイルターの露光時間
が長時間かかるとの欠点および、パターンエッジが逆テ
ーパーになるとの問題もある。
/と対向電極の配線、あるいは非線形抵抗素子に欠陥が
発生した場合に、従来の基板では、基板と欠陥部との接
続を行い、欠陥部を目立たなくすることができなかっ
た。
型かつ軽量で壊れにくい液晶表示装置を形成するための
液晶表示装置の構造を提供することである。
に、本発明の液晶表示装置においては、下記記載の構成
を採用する。
は少なくとも信号電極を有し、第2の基板上には少なく
とも対向電極を有し、前記第1の基板と第2の基板とを
所定の間隔をもって対向し、信号電極と対向電極がお互
いに対向し画素部を構成し、前記第1の基板と第2の基
板との間に封入する液晶とを備えた液晶表示装置におい
て、前記第1の基板あるいは、第2の基板のいずれかは
金属基板からなり、さらに該金属基板上には、絶縁膜を
有し、該絶縁膜上に信号電極あるいは対向電極を設ける
構成を採用する。
は少なくとも信号電極を有し、第2の基板上には少なく
とも対向電極を有し、前記第1の基板と第2の基板とを
所定の間隔をもって対向し、信号電極と対向電極がお互
いに対向し画素部を構成し、前記第1の基板と第2の基
板との間に封入する液晶とを備えた液晶表示装置におい
て、前記第1の基板あるいは、第2の基板のいずれかは
金属基板からなり、さらに該金属基板上には、絶縁膜を
有し、該絶縁膜上に信号電極あるいは対向電極を設け、
さらに、前記信号電極あるいは対向電極とは絶縁膜に開
口部を設けて前記金属基板との電気的接続を行う接続部
を有する構成を採用する。
は少なくとも信号電極を有し、第2の基板上には少なく
とも対向電極を有し、前記第1の基板と第2の基板とを
所定の間隔をもって対向し、信号電極と対向電極がお互
いに対向し画素部を構成し、前記第1の基板と第2の基
板との間に封入する液晶とを備えた液晶表示装置におい
て、前記第1の基板あるいは、第2の基板のいずれかは
陽極酸化可能な金属基板からなり、さらに該金属基板上
には、該金属基板の陽極酸化膜からなる絶縁膜を有し、
該絶縁膜上に信号電極あるいは対向電極を設ける構成を
採用する。
は少なくとも信号電極を有し、第2の基板上には少なく
とも対向電極を有し、前記第1の基板と第2の基板とを
所定の間隔をもって対向し、信号電極と対向電極がお互
いに対向し画素部を構成し、前記第1の基板と第2の基
板との間に封入する液晶とを備えた液晶表示装置におい
て、前記第1の基板あるいは、第2の基板のいずれかは
金属基板からなり、さらに該金属基板上には、絶縁膜を
有し、該絶縁膜上には、信号電極と信号電極に接続する
スイッチング素子とスイッチング素子に接続する表示電
極とを有し、該スイッチング素子を構成する金属膜の一
部は前記金属基板に用いる材質と主成分が同一であるこ
とを特徴とする。
は少なくとも信号電極を有し、第2の基板上には少なく
とも対向電極を有し、前記第1の基板と第2の基板とを
所定の間隔をもって対向し、信号電極と対向電極がお互
いに対向し画素部を構成し、前記第1の基板と第2の基
板との間に封入する液晶とを備えた液晶表示装置におい
て、前記第1の基板あるいは、第2の基板のいずれかは
陽極酸化可能な金属基板からなり、さらに該金属基板上
には、該金属基板の陽極酸化膜からなる絶縁膜を有し、
該絶縁膜上には、信号電極と信号電極に接続するスイッ
チング素子とスイッチング素子に接続する表示電極とを
有し、さらに該表示電極の金属基板側あるは表示電極上
にカラーフィルターを設け、さらに前記金属基板を該表
示電極の反射板とすることを特徴とする。
第2の基板のいずれかに金属基板を利用する。さらに、
金属基板は延伸してるため、薄型である。また、軽量で
さらに割れにくい特徴を有する。しかし、金属基板上に
直接信号電極、あるいは、データー電極を複数本設ける
場合には、各電極間で電気的に短絡してしまう。そのた
め、金属基板上にまず絶縁膜を設ける。この絶縁膜はピ
ンホール等の欠陥がないことが要求されるため、金属基
板に陽極酸化性金属を採用する。さらに絶縁膜には陽極
酸化膜を採用することにより、金属基板上には非常にピ
ンホールの少ない絶縁膜を設けることができる。さら
に、金属基板上に陽極酸化膜を設けた後に、さらに絶縁
膜を設けてもよい。あるいは、ステンレス基板等に陽極
酸化性金属膜を設け、この金属膜を陽極酸化処理により
絶縁膜とすることにより金属基板の材質を広範囲に利用
できる。
反射型液晶表示装置の反射板として利用できる。さら
に、純度の優れる金属基板を利用することにより、従来
のプラスチック基板に利用していた液晶への不純物イオ
ンの透過防止用の膜を設ける必要がない。さらに、金属
基板からの液晶への不純物イオンの混入を厳しくする場
合においても、陽極酸化膜、あるいは、絶縁膜を形成す
ることにより問題がなくなる。
に、低温において化学変化を起こすことがないため、安
定である。そのため、金属基板上の絶縁膜上にスイッチ
ング素子を形成することが可能となり、特性も向上でき
る。
おいても、適度な温度での焼成が可能なため金属基板は
有効である。さらに、カラーフイルターのパターン形成
の露光工程の際に金属基板の反射特性を利用しカラーフ
イルターの裏面反射を利用し短時間でカラーフイルター
を露光でき、さらに、均熱性がよく、裏面からの反射が
あるため、エッジでの逆テーパーが抑えられる。さら
に、金属基板側に高温の必要な膜あるいは、応力の発生
する膜を形成し、対向する基板にプラスチック基板を利
用することにより、従来のプラスチック基板のみを利用
する場合に比較し良好な液晶表示装置が可能となる。
た場合に、金属基板と例えば表示電極とをレーザー溶融
処理を行い、絶縁膜を除去し、金属基板と表示電極とを
直接接続することにより、非線形抵抗素子の欠陥部の表
示内容を金属基板により制御し、欠陥を目立たなくする
ことができる。
施するための最良の形態における液晶表示装置の構成
を、図面を使用して説明する。
二端子型スイッチング素子と二端子型スイッチング素子
を用いる液晶表示装置の構成を、図1と図2を用いて説
明する。図1は本発明の第1の実施形態における液晶表
示装置の一部を拡大する平面図である。図2は図1の平
面図のB−B線における断面を示す断面図である。以
下、図1と図2を交互に用いて本発明の第1の実施形態
を説明する。
は、タンタルの陽極酸化膜である酸化タンタル(Ta2
O5)からなる絶縁膜2を有する。酸化タンタル膜は、
第1の基板1の表裏両面に設けてある。前記絶縁膜2上
の一方には、タンタル膜からなる信号電極3と信号電極
と一体構造の下部電極4とを設ける。さらに信号電極3
上と下部電極4上には、非線形抵抗層5としてタンタル
膜(Ta)の陽極酸化膜からなる酸化タンタル膜(Ta
2 O5 )を設ける。ここで、タンタル基板1上の酸化タ
ンタル2上にタンタル膜3、4を設けることにより、非
常に密着力の良好な構成となる。また、タンタル基板1
上の陽極酸化膜2と非線形抵抗層5との絶縁性は、陽極
酸化処理の際の電圧を変更することにより達成すること
ができる。
5を重なり合う上部電極6と上部電極6と一体構造から
なる表示電極9を酸化インジウムスズ膜にて設ける。下
部電極4と非線形抵抗層5と上部電極6によりスイッチ
ング素子11を構成する。また、非線形抵抗層5と絶縁
膜2がほぼ同一組成の膜のため、酸化インジウムスズ膜
の密着力の差を防止でき、スイッチング素子11の近傍
の上部電極6のパターン精度を向上することができる。
と表示電極9上には、カラーフイルター40を設ける。
カラーフイルター40は、感光性樹脂に顔料を含む材料
をパターン形成する方法より形成する。
置に利用する場合には、第1の基板1と対向する非常に
薄いマイクロガラスシートからなる第2の基板22を設
ける。この第2の基板22上には、第1の基板1上に設
ける表示電極9と対向するように酸化インジウムスズ
(ITO)膜からなる対向電極15を設ける。さらに対
向電極15は、外部回路の信号を印加するためのデータ
ー電極(図示せず)と接続する。
は、液晶17の分子を規則的に並べるための処理層とし
て、それぞれ配向膜16、16を有する。さらにスペー
サー(図示せず)によって、第1の基板1と第2の基板
22とを所定の間隙寸法をもって対向させ、第1の基板
1と第2の基板22との間に液晶17を封入する。さら
に、第2の基板22上に偏光板24を有する。
路より駆動波形を印加し、スイッチング素子11を介し
て、表示電極9と対向電極15との間の液晶17に光学
特性変化を発生させることにより液晶表示装置は所定の
画像表示を行う。表示電極9と対向電極15により液晶
画素を構成する。また、液晶表示装置は自己発光しない
ため、金属基板1の反射特性と外光とを利用し、観察者
へ表示情報を提示する。
ーフイルター40を有するため、表示電極9と対向電極
15の間にごみ等の異物が混入した場合でも、表示電極
9と対向電極15が電気的に短絡することが防止でき
る。また、反射型液晶表示装置の場合には、透過型液晶
表示装置に比較して暗い表示のため、カラーフイルター
の彩度を重視するより明るいカラーフイルター40の特
性が重要なため、カラーフイルター40を薄くすること
が可能となり、表示電極9と対向電極15間にカラーフ
イルター40を挿入しても表示品質を劣化させることが
ほとんどない。
り、金属基板1をグランド電位に接地することにより、
液晶表示装置の回路のノイズを外部に漏らすことの防止
と、外部のノイズを回路へ進入することを防止できる。
基板の場合には、工程中の最高温度を120℃までとし
たが、本実施形態を利用することにより、200℃から
250℃まで使用可能となったため、二端子型スイッチ
ング素子の電流−電圧特性の向上とバラツキの低減が可
能となり、良好な品質の液晶表示装置が可能となった。
液晶表示装置の構成を、図3と図4とを用いて説明す
る。本発明の第2の実施形態においては、信号電極と対
向電極をスイッチング素子を介さずに設けるパッシブマ
トリクス型の液晶表示装置への本発明の応用例を示す。
図3は本発明の第2の実施形態における液晶表示装置の
一部を拡大する平面図である。図4は図3の平面図のC
−C線における断面を示す断面図である。以下、図3と
図4とを交互に用いて本発明の第2の実施形態を説明す
る。
には、アルミニウム(Al)の陽極酸化膜である酸化ア
ルミニウム(Al2O3)からなる絶縁膜2を有する。陽
極酸化よりにより、酸化アルミニウム膜は第1の基板1
の表裏両面に設けてある。前記絶縁膜2上には、酸化イ
ンジウムスズ膜からなる信号電極3を設ける。この信号
電極は表示電極9を兼用するためストライプ形状をして
いる。アルミニウム基板を利用するため、反射効率を良
好にすることができる。さらに、アルミニウム基板は延
伸処理を行い、薄箔に加工後に電界エッチング処理によ
り鏡面加工してある。そのため陽極酸化膜の平坦性も非
常に良好である。
置に利用する場合には、第1の基板1と対向するプラス
チック基板からなる第2の基板22を設ける。この第2
の基板22上には、第1の基板1上に設ける表示電極9
と対向するように酸化インジウムスズ(ITO)膜から
なる対向電極15を設ける。さらに対向電極15は、外
部回路の信号を印加するためのデーター電極(図示せ
ず)と接続する。
は、液晶17の分子を規則的に並べるための処理層とし
て、それぞれ配向膜16、16を有する。さらにスペー
サー(図示せず)によって、第1の基板1と第2の基板
22とを所定の間隙寸法をもって対向させ、第1の基板
1と第2の基板22との間に液晶17を封入する。さら
に、第2の基板22上に偏光板24を有する。
路より駆動波形を印加し、スイッチング素子11を介し
て、表示電極9と対向電極15との間の液晶17に光学
特性変化を発生させることにより液晶表示装置は所定の
画像表示を行う。表示電極9と対向電極15により液晶
画素を構成する。また、液晶表示装置は自己発光しない
ため、金属基板1の反射特性と外光とを利用し、観察者
へ表示情報を提示する。
り、金属基板1をグランド電位に接地することにより、
液晶表示装置の回路のノイズを外部に漏らすことの防止
と、外部のノイズを回路へ進入することを防止できる。
合には、例えば、金属基板1上に配向膜を形成し、ポリ
マー液晶を紫外線にて硬化処理を行う方法がある。さら
に、液晶17と配向膜16のプレチルト角を大きくする
場合には、金属基板1の表面に指向性を持たせて凹凸を
形成し、陽極酸化処理を行うことにより配向性を有する
絶縁膜を設けることができる。
三端子型スイッチング素子と三端子型スイッチング素子
を用いる液晶表示装置の構成を、図5と図6を用いて説
明する。図5は本発明の第3の実施形態における液晶表
示装置の一部を拡大する平面図である。図6は図5の平
面図のD−D線における断面を示す断面図である。以
下、図5と図6を交互に用いて本発明の第3の実施形態
を説明する。
としてアルミニウムにタンタルを含む基板からなる第1
の基板1上には、アルミニウムとタンタルの複合膜の陽
極酸化膜である酸化アルミニウムと酸化タンタルの複合
酸化膜(Al2O3:Ta2O5)からなる絶縁膜2を有す
る。合金基板を利用することにより、アルミニウムの反
射率に近い反射効率と熱処理による劣化の防止を同時に
達成することができる。また、陽極酸化処理により、複
合酸化膜は第1の基板1の表裏両面に設けてある。前記
絶縁膜2上には、タンタル膜からなる信号電極3と信号
電極と一体構造のゲート電極35とを設ける。さらに信
号電極3上とゲート電極35上には、タンタル膜の陽極
酸化膜からなるゲート絶縁膜34を設ける。ここで、ア
ルミニウムとタンタルからなる金属基板1上の複合酸化
膜2上にタンタル膜3、35を設けることにより、非常
に密着力の良好な構成となる。
36を設ける。ゲート電極35と重なる半導体層36上
には、データー電極30に接続するソース電極31と表
示電極9に接続するドレイン電極32を設ける。また、
半導体層36とソース電極およびドレイン電極との間に
は不純物イオンを含むn型半導体層37を設ける。ささ
らに、ソース電極31とドレイン電極32との間の半導
体層36上には、薄膜トランジスターのチャネル部分の
特性の劣化防止のために保護用絶縁膜38を設ける。以
上により三端子型スイッチング素子である薄膜トランジ
スター41となる。ここで、特に薄膜トランジスター4
1の特性上重要であるゲート絶縁膜34と半導体層33
とは300℃程度の温度が必要なため、特に金属基板1
が有効となる。さらに、金属基板1は熱伝導が良好であ
ること、さらに金属基板1に引っ張り応力を掛けておく
ことにより金属基板1の反りを減少することが可能とな
る。
置に利用する場合には、第1の基板1と対向するプラス
チック基板からなる第2の基板22を設ける。この第2
の基板22上には、全面に酸化インジウムスズ(IT
O)膜からなる対向電極15を設ける。酸化インジウム
スズ膜のパターン形成を必要としないため、プラスチッ
ク基板22においても、使用に耐え、さらに酸化インジ
ウムスズ膜がプラスチック基板22を透過し、液晶17
へ混入する不純物イオンを防止する。
は、液晶17の分子を規則的に並べるための処理層とし
て、それぞれ配向膜16、16を有する。さらにスペー
サー(図示せず)によって、第1の基板1と第2の基板
22とを所定の間隙寸法をもって対向させ、第1の基板
1と第2の基板22との間に液晶17を封入する。本実
施形態においては、相転移型ゲストホスト(pc−G
H)モードを利用しているため、偏光板は必要としな
い。
路より駆動波形を印加し、薄膜トランジスター36を介
して、表示電極9と対向電極15との間の液晶17に光
学特性変化を発生させることにより液晶表示装置は所定
の画像表示を行う。表示電極9と対向電極15により液
晶画素を構成する。また、液晶表示装置は自己発光しな
いため、金属基板1の反射特性と外光とを利用し、観察
者へ表示情報を提示する。
端子型スイッチング素子と二端子型スイッチング素子を
用いる液晶表示装置の構成を、図7と図8を用いて説明
する。図7は本発明の第4の実施形態における液晶表示
装置の一部を拡大する平面図である。図8は図7の平面
図のE−E線における断面を示す断面図である。以下、
図7と図8を交互に用いて本発明の第4の実施形態を説
明する。
らなる第1の基板1の表面には可視光の波長(400ナ
ノメートルから800ナノメートル)の凹凸を設ける。
また凹部凸部の傾斜角度は45゜以内とし、散乱面とす
る。金属基板1の反りを防止する方法として裏面にも同
様に凹凸を設けている。さらに、第1の基板1上には、
シリコンとアルミニウムの陽極酸化膜である酸化アルミ
ニウムと酸化シリコンからなる複合酸化膜(Al2O3:
SiO2)からなる絶縁膜2を有する。陽極酸化によ
り、複合酸化膜は第1の基板1の表裏両面に設けてあ
る。前記絶縁膜2上には、アルミニウム膜からなる信号
電極3と信号電極と一体構造の下部電極4とを設ける。
さらに信号電極3上と下部電極4上と絶縁膜2上とに
は、非線形抵抗層5として炭素(C)と水素(H)合金
膜を設ける。信号電極3あるいは下部電極4にアルミニ
ウム膜を用いることにより金属基板1への応力を非常に
低減でき、金属基板1の反りを防止できる。さらに、合
金膜からなる非線形抵抗層5を全面に設けることにより
金属基板1から液晶17への不純物イオンの混入のバリ
ヤー層となる。さらに、金属基板1の表面に凹凸を有す
るため、表示電極9と金属基板1との電気的短絡の防止
にも兼用できる。
5と重なり合う上部電極6と上部電極6と一体構造から
なる表示電極9を酸化インジウムスズ膜にて設ける。下
部電極4と非線形抵抗層5と上部電極6によりスイッチ
ング素子11を構成する。ここで、金属基板1を溶液中
において再度電圧を印加し、金属基板1と表示電極9と
が電気的短絡を起こしている部分の酸化インジウムスズ
膜を電界エッチングする。これにより、図7に示すよう
に、短絡部52の周囲にエッチング孔51を設けること
が可能となり、金属基板1と表示電極9の電位的短絡が
修正でき、表示電極9は表示可能となる。
置に利用する場合には、第1の基板1と対向するプラス
チック基板からなる第2の基板22を設ける。この第2
の基板22上には、第1の基板1上に設ける表示電極9
と対向するように酸化インジウムスズ(ITO)膜から
なる対向電極15を設ける。さらに対向電極15は、外
部回路の信号を印加するためのデーター電極(図示せ
ず)と接続する。
は、液晶17の分子を規則的に並べるための処理層とし
て、それぞれ配向膜16、16を有する。さらにスペー
サー(図示せず)によって、第1の基板1と第2の基板
22とを所定の間隙寸法をもって対向させ、第1の基板
1と第2の基板22との間に液晶17を封入する。本実
施形態においては、相転移型ゲストホスト(pc−G
H)モードを利用しているため、偏光板は必要としな
い。
路より駆動波形を印加し、スイッチング素子11を介し
て、表示電極9と対向電極15との間の液晶17に光学
特性変化を発生させることにより液晶表示装置は所定の
画像表示を行う。表示電極9と対向電極15により液晶
画素を構成する。また、液晶表示装置は自己発光しない
ため、金属基板1の反射特性と外光とを利用し、観察者
へ表示情報を提示する。
を有する反射板として金属基板1を利用する場合におい
ても、金属基板1上の絶縁膜2の被服性と非線形抵抗層
5のほぼ全面に形成する方式と、表示電極9を形成後に
再度電圧を印加し、表示電極9と金属基板1との電気的
短絡部を電界エッチング処理により除去する方式を利用
することにより欠陥の少ない、明るく、破壊しにくい液
晶表示装置を得ることができる。
端子型スイッチング素子と二端子型スイッチング素子を
用いる液晶表示装置の構成を、図9と図10を用いて説
明する。図9は本発明の第5の実施形態における液晶表
示装置の一部を拡大する平面図である。図10は図9の
平面図のF−F線における断面を示す断面図である。以
下、図9と図10を交互に用いて本発明の第5の実施形
態を説明する。
らなる第1の基板1の表面にはシリコンとアルミニウム
の陽極酸化膜である酸化アルミニウムと酸化シリコンか
らなる複合酸化膜(Al2O3:SiO2)からなる絶縁
膜2を有する。陽極酸化により絶縁膜2を設けるため、
絶縁膜2は、第1の基板1の表裏両面に設けてある。前
記絶縁膜2の片面には絶縁膜2の形成されていない複数
の開口部53を有する。また、金属基板1の主成分であ
るアルミニウと同様のアルミニウム(Al)膜からなる
下部電極4を第1の基板2の表面に設ける開口部53と
接続部54で接続し、さらに絶縁膜2上に張り出す形状
にて設ける。図9には、最終的に下部電極4と一体構造
の接続部54は除去されるため、破線にて示してある。
下部電極4と接続部54上とには、非線形抵抗層5とし
てアルミニウム膜の陽極酸化膜である酸化アルミニウム
(Al2O3)を設ける。ここで、信号電極3あるいは下
部電極4にアルミニウム膜を用いることにより金属基板
1への応力を非常に低減でき、金属基板1の反りを防止
できる。また、下部電極4上に非線形抵抗層5を下部電
極4の一部を陽極酸化処理するための電極として金属基
板1と金属基板上の開口部53と接続部54とを利用す
る方法を採用する。金属基板1を陽極酸化処理の電極と
して利用するため、非常に低抵抗であり、また、断線の
心配がないため、大きな欠陥となることがなくなる。
5と重なり合いう上部電極とした2種類の上部電極を設
ける。まず、アルミニウム(Al)膜からなる信号電極
3と信号電極3と一体構造の信号電極用上部電極54を
設ける。さらに、アルミニウム(Al)膜からなる表示
電極9と表示電極9と一体構造の表示電極用上部電極5
5を設ける。信号電極3と表示電極9との間には2個の
非線形抵抗素子56、57とを有する。第1の非線形抵
抗素子56は、信号電極3に接続する信号電極用上部電
極54と非線形抵抗層5下部電極4とにより構成し、第
2の非線形抵抗層57は、表示電極9と接続する表示電
極用上部電極55と非線形抵抗層5と下部電極4とによ
り構成する。また、下部電極4と金属基板1との接続を
行う接続部54の一部を除去することにより、信号電極
3と表示電極9との間には2個の非線形抵抗素子56、
57が有効となる。
6とをアルミニウムあういは、アルミニウムを主成分と
する合金膜より形成形成することにより、熱膨張を同一
にすることができるため、温度の上下による膜の歪等を
非常に小さくすることができる。さらに、膜の応力を小
さくできるため、非線形抵抗素子56、57の特性の向
上と、低温での膜の密着力の向上になる。
置に利用する場合には、第1の基板1と対向するプラス
チック基板からなる第2の基板22を設ける。この第2
の基板22上には、第1の基板1上に設ける表示電極9
と対向するように酸化インジウムスズ(ITO)膜から
なる対向電極15を設ける。さらに対向電極15は、外
部回路の信号を印加するためのデーター電極(図示せ
ず)と接続する。
は、液晶17の分子を規則的に並べるための処理層とし
て、それぞれ配向膜16、16を有する。さらにスペー
サー(図示せず)によって、第1の基板1と第2の基板
22とを所定の間隙寸法をもって対向させ、第1の基板
1と第2の基板22との間に液晶17を封入する。本実
施形態においては、相転移型ゲストホスト(pc−G
H)モードを利用しているため、偏光板は必要としな
い。
路より駆動波形を印加し、スイッチング素子11を介し
て、表示電極9と対向電極15との間の液晶17に光学
特性変化を発生させることにより液晶表示装置は所定の
画像表示を行う。表示電極9と対向電極15により液晶
画素を構成する。また、液晶表示装置は自己発光しない
ため、金属基板1の反射特性と外光とを利用し、観察者
へ表示情報を提示する。
として金属基板1上の絶縁膜2上に反射効率の良好な表
示電極9を有するため、明るく、破壊しにくい液晶表示
装置を得ることができる。
端子型スイッチング素子と二端子型スイッチング素子を
用いる液晶表示装置の構成を、図11と図12を用いて
説明する。第6の実施形態は、第5の実施形態における
二端子型スイッチング素子の非線形抵抗素子に欠陥が発
生した際の欠陥救済後の構成を示す。図11は本発明の
第6の実施形態における液晶表示装置の一部を拡大する
平面図である。図12は図11の平面図のG−G線にお
ける断面を示す断面図である。以下、図11と図12を
交互に用いて本発明の第6の実施形態を説明する。
らなる第1の基板1の表面にはシリコンとアルミニウム
の陽極酸化膜である酸化アルミニウムと酸化シリコンか
らなる複合酸化膜(Al2O3:SiO2)からなる絶縁
膜2を有する。陽極酸化により絶縁膜2を設けるため、
絶縁膜2は、第1の基板1の表裏両面に設けてある。前
記絶縁膜2の片面には絶縁膜2の形成されていない複数
の開口部53を有する。また、金属基板1の主成分であ
るアルミニウと同様のアルミニウム(Al)膜からなる
下部電極4を第1の基板2の表面に設ける開口部53と
接続部54で接続し、さらに絶縁膜2上に張り出す形状
にて設ける。図11には、最終的に下部電極4と一体構
造の接続部54は除去されるため、破線にて示してあ
る。下部電極4と接続部54上とには、非線形抵抗層5
としてアルミニウム膜の陽極酸化膜である酸化アルミニ
ウム(Al2O3)を設ける。ここで、信号電極3あるい
は下部電極4にアルミニウム膜を用いることにより金属
基板1への応力を非常に低減でき、金属基板1の反りを
防止できる。また、下部電極4上に非線形抵抗層5を下
部電極4の一部を陽極酸化処理するための電極として金
属基板1と金属基板上の開口部53と接続部54とを利
用する方法を採用する。金属基板1を陽極酸化処理の電
極として利用するため、非常に低抵抗であり、また、断
線の心配がないため、大きな欠陥となることがなくな
る。
5と重なり合いう上部電極とした2種類の上部電極を設
ける。まず、アルミニウム(Al)膜からなる信号電極
3と信号電極3と一体構造の信号電極用上部電極54を
設ける。さらに、アルミニウム(Al)膜からなる表示
電極9と表示電極9と一体構造の表示電極用上部電極5
5を設ける。信号電極3と表示電極9との間には2個の
非線形抵抗素子56、57とを有する。第1の非線形抵
抗素子56は、信号電極3に接続する信号電極用上部電
極54と非線形抵抗層5下部電極4とにより構成し、第
2の非線形抵抗層57は、表示電極9と接続する表示電
極用上部電極55と非線形抵抗層5と下部電極4とによ
り構成する。また、下部電極4と金属基板1との接続を
行う接続部54の一部を除去することにより、信号電極
3と表示電極9との間には2個の非線形抵抗素子56、
57が有効となる。
6とをアルミニウムあういは、アルミニウムを主成分と
する合金膜より形成形成することにより、熱膨張を同一
にすることができるため、温度の上下による膜の歪等を
非常に小さくすることができる。さらに、膜の応力を小
さくできるため、非線形抵抗素子56、57の特性の向
上と、低温での膜の密着力の向上になる。
抗素子56の箇所に断線が発生し、表示電極9に信号電
極3の信号が印加できないため、金属基板1と表示電極
9とをレーザーにより溶着し、絶縁膜2を介することな
く金属基板1と表示電極9とを接続する部分として表示
電極接続部58と、下部電極4と金属基板1とを同様に
レーザーにより溶着し、絶縁膜2を介することなく金属
基板1と下部電極4とを接続する部分として下部電極接
続部59とを設けている。どちらか一方を設けることに
より金属基板1と表示電極9とを接続することができ
る。以上により、表示電極9に金属基板1を介して信号
を印加することが可能となるため、欠陥部を認識し難く
できる。
置に利用する場合には、第1の基板1と対向するプラス
チック基板からなる第2の基板22を設ける。この第2
の基板22上には、第1の基板1上に設ける表示電極9
と対向するように酸化インジウムスズ(ITO)膜から
なる対向電極15を設ける。さらに対向電極15は、外
部回路の信号を印加するためのデーター電極(図示せ
ず)と接続する。
は、液晶17の分子を規則的に並べるための処理層とし
て、それぞれ配向膜16、16を有する。さらにスペー
サー(図示せず)によって、第1の基板1と第2の基板
22とを所定の間隙寸法をもって対向させ、第1の基板
1と第2の基板22との間に液晶17を封入する。本実
施形態においては、相転移型ゲストホスト(pc−G
H)モードを利用しているため、偏光板は必要としな
い。
路より駆動波形を印加し、スイッチング素子11を介し
て、表示電極9と対向電極15との間の液晶17に光学
特性変化を発生させることにより液晶表示装置は所定の
画像表示を行う。表示電極9と対向電極15により液晶
画素を構成する。また、液晶表示装置は自己発光しない
ため、金属基板1の反射特性と外光とを利用し、観察者
へ表示情報を提示する。
として金属基板1上の絶縁膜2上に反射効率の良好な表
示電極9を有するため、明るく、破壊しにくい液晶表示
装置を得ることができる。
三端子型スイッチング素子と三端子型スイッチング素子
を用いる液晶表示装置の構成を、図13と図14を用い
て説明する。図13は本発明の第7の実施形態における
液晶表示装置の一部を拡大する平面図である。図14は
図13の平面図のH−H線における断面を示す断面図で
ある。以下、図13と図14とを交互に用いて本発明の
第7の実施形態を説明する。
ンタルの陽極酸化膜である酸化タンタル膜(Ta2O5)
からなる絶縁膜2を有する。また、陽極酸化処理によ
り、絶縁膜2は第1の基板1の表裏両面に設けてある。
前記絶縁膜2上には、タンタル膜からなる信号電極3と
信号電極と一体構造のゲート電極35と、信号電極3と
一定の間隔を有して設ける共通電極41と共通電極41
と一体構造の櫛歯型電極42とを設ける。さらに信号電
極3上とゲート電極35上と共通電極41と櫛歯型電極
42とには、タンタル膜の陽極酸化膜からなるゲート絶
縁膜34を設ける。ここで、タンタルからなる金属基板
1上の酸化タンタル2上にタンタル膜3、35を設ける
ことにより、非常に密着力の良好な構成となる。
36を設ける。ゲート電極35と重なる半導体層36上
には、データー電極30に接続するソース電極31と櫛
歯型電極42と一定の間隙を有して設ける表示電極9
と、表示電極9に接続するドレイン電極32を設ける。
また、半導体層36とソース電極およびドレイン電極と
の間には不純物イオンを含むn型半導体層37を設け
る。ささらに、ソース電極31とドレイン電極32との
間の半導体層36上には、薄膜トランジスターのチャネ
ル部分の特性の劣化防止のために保護用絶縁膜38を設
ける。以上により三端子型スイッチング素子である薄膜
トランジスター41となる。
置に利用する場合には、液晶17に電圧を印加するため
の電極は、表示電極9と櫛歯型電極42により形成され
ているため、液晶17を第1の基板1と所定の間隙を有
する基板により密閉するだけでよい。そのため、高分子
フィルムを第1の基板1上に熱圧着により張り付ける方
式でもよい。
り第1の基板1に対向する基板の材質等の利用範囲を拡
大することができる。また、信号電極3とデーター電極
に外部回路より駆動波形を印加し、薄膜トランジスター
36を介して、表示電極9と櫛歯型電極42との間の液
晶17に光学特性変化を発生させることにより液晶表示
装置は所定の画像表示を行う。また、液晶表示装置は自
己発光しないため、金属基板1の反射特性と外光とを利
用し、観察者へ表示情報を提示する。
明から明かなように、第1の基板1に金属基板を利用
し、第1の基板1上に絶縁膜を有する構造を利用するこ
とにより熱的に安定で、かつ薄型で壊れない基板を構成
できる。さらに、絶縁膜2として金属基板を陽極酸化処
理することにより形成する陽極酸化膜を利用することに
より、絶縁膜の形成が極めて簡単で、かつピンホールの
ない膜が得られる。また、金属基板の反射特性を利用
し、反射型液晶表示装置の反射板とすることができる。
子の構造、および三端子型スイッチング素子の構造と組
み合わせることにより、ガラス基板では達成することの
できない強度と、プラスチック基板では達成することの
できないスイッチング素子の電流−電圧特性を得ること
ができる。
設けることにより、金属基板の反射を利用しカラーフイ
ルターの露光時間の短縮が可能となる。さらに、透明基
板で発生する基板裏面からの戻り光によるパターンズレ
も完全に防止することができる。
板を陽極酸化処理することにより表示電極と金属基板と
の電気的短絡部分の電界エッチング処理が可能となり、
欠陥救済が可能となる。そのため、金属基板を利用する
ことによる弊害を防止できる。
することなく接続することにより、金属基板を介して信
号を表示電極に印加することが可能となり、欠陥部を認
識し難くすることができる。
の平面構造を示す図である。
の断面構造を示す図である。
の平面構造を示す図である。
の断面構造を示す図である。
の平面構造を示す図である。
の断面構造を示す図である。
の平面構造を示す図である。
の断面構造を示す図である。
の平面構造を示す図である。
置の断面構造を示す図である。
置の平面構造を示す図である。
置の断面構造を示す図である。
置の平面構造を示す図である。
置の断面構造を示す図である。
す図である。
す図である。
Claims (11)
- 【請求項1】 第1の基板上には少なくとも信号電極を
有し、第2の基板上には少なくとも対向電極を有し、前
記第1の基板と第2の基板とを所定の間隔をもって対向
し、信号電極と対向電極がお互いに対向し画素部を構成
し、前記第1の基板と第2の基板との間に封入する液晶
とを備えた液晶表示装置において、前記第1の基板ある
いは、第2の基板のいずれかは金属基板からなり、さら
に該金属基板上には、絶縁膜を有し、該絶縁膜上に信号
電極あるいは対向電極を設けることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項2】 第1の基板上には少なくとも信号電極を
有し、第2の基板上には少なくとも対向電極を有し、前
記第1の基板と第2の基板とを所定の間隔をもって対向
し、信号電極と対向電極がお互いに対向し画素部を構成
し、前記第1の基板と第2の基板との間に封入する液晶
とを備えた液晶表示装置において、前記第1の基板ある
いは、第2の基板のいずれかは金属基板からなり、さら
に該金属基板上には、絶縁膜を有し、該絶縁膜上に信号
電極あるいは対向電極を設け、さらに、前記信号電極あ
るいは対向電極とは絶縁膜に開口部を設けて前記金属基
板との電気的接続を行う接続部を有することを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項3】 第1の基板上には少なくとも信号電極を
有し、第2の基板上には少なくとも対向電極を有し、前
記第1の基板と第2の基板とを所定の間隔をもって対向
し、信号電極と対向電極がお互いに対向し画素部を構成
し、前記第1の基板と第2の基板との間に封入する液晶
とを備えた液晶表示装置において、前記第1の基板ある
いは、第2の基板のいずれかは陽極酸化可能な金属基板
からなり、さらに該金属基板上には、該金属基板の陽極
酸化膜からなる絶縁膜を有し、該絶縁膜上に信号電極あ
るいは対向電極を設けることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項4】 第1の基板上には少なくとも信号電極を
有し、第2の基板上には少なくとも対向電極を有し、前
記第1の基板と第2の基板とを所定の間隔をもって対向
し、信号電極と対向電極がお互いに対向し画素部を構成
し、前記第1の基板と第2の基板との間に封入する液晶
とを備えた液晶表示装置において、前記第1の基板ある
いは、第2の基板のいずれかは陽極酸化可能な金属基板
からなり、さらに該金属基板上には、該金属基板の陽極
酸化膜からなる絶縁膜を有し、該絶縁膜上に信号電極あ
るいは対向電極を設け、該金属基板と対向する基板はプ
ラスチック基板あるいは、薄板ガラス基板からなること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項5】 第1の基板上には少なくとも信号電極を
有し、第2の基板上には少なくとも対向電極を有し、前
記第1の基板と第2の基板とを所定の間隔をもって対向
し、信号電極と対向電極がお互いに対向し画素部を構成
し、前記第1の基板と第2の基板との間に封入する液晶
とを備えた液晶表示装置において、前記第1の基板ある
いは、第2の基板のいずれかは金属基板からなり、さら
に該金属基板上には、絶縁膜を有し、該絶縁膜上には、
信号電極と信号電極に接続するスイッチング素子とスイ
ッチング素子に接続する表示電極とを有し、該スイッチ
ング素子を構成する金属膜の一部は前記金属基板に用い
る材質と主成分が同一であることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項6】 第1の基板上には少なくとも信号電極を
有し、第2の基板上には少なくとも対向電極を有し、前
記第1の基板と第2の基板とを所定の間隔をもって対向
し、信号電極と対向電極がお互いに対向し画素部を構成
し、前記第1の基板と第2の基板との間に封入する液晶
とを備えた液晶表示装置において、前記第1の基板ある
いは、第2の基板のいずれかは金属基板からなり、さら
に該金属基板上には、絶縁膜を有し、該絶縁膜上には、
信号電極と信号電極に接続するスイッチング素子とスイ
ッチング素子に接続する表示電極とを有し、さらに前記
金属基板を該表示電極の反射板とすることを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項7】 第1の基板上には少なくとも信号電極を
有し、第2の基板上には少なくとも対向電極を有し、前
記第1の基板と第2の基板とを所定の間隔をもって対向
し、信号電極と対向電極がお互いに対向し画素部を構成
し、前記第1の基板と第2の基板との間に封入する液晶
とを備えた液晶表示装置において、前記第1の基板ある
いは、第2の基板のいずれかは陽極酸化可能な金属基板
からなり、さらに該金属基板上には、該金属基板の陽極
酸化膜からなる絶縁膜を有し、該絶縁膜上には、信号電
極と信号電極に接続するスイッチング素子とスイッチン
グ素子に接続する表示電極とを有し、さらに該表示電極
の金属基板側あるは表示電極上にカラーフィルターを設
け、さらに前記金属基板を該表示電極の反射板とするこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項8】 第1の基板上には少なくとも信号電極を
有し、第2の基板上には少なくとも対向電極を有し、前
記第1の基板と第2の基板とを所定の間隔をもって対向
し、信号電極と対向電極がお互いに対向し画素部を構成
し、前記第1の基板と第2の基板との間に封入する液晶
とを備えた液晶表示装置において、前記第1の基板ある
いは、第2の基板のいずれかは陽極酸化可能な金属基板
からなり、さらに該金属基板上には、該金属基板の陽極
酸化膜からなる絶縁膜を有し、該絶縁膜上には、信号電
極と信号電極に接続するスイッチング素子とスイッチン
グ素子に接続する表示電極とを有し、さらに該表示電極
の金属基板側あるは表示電極上にカラーフィルターを設
け、さらに前記金属基板を該表示電極の反射板とし、さ
らに金属基板と対向する基板はプラスチック基板からな
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項9】 前記スイッチング素子は、信号電極ある
いは、表示電極のいづれかに接続する下部電極と下部電
極上に設ける非線形抵抗層と該非線形抵抗層上に設ける
上部電極からなる二端子型スイッチング素子であること
を特徴とする請求項5から請求項8に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項10】 前記スイッチング素子は、信号電極に
接続するゲート電極とゲート電極とゲート絶縁膜と半導
体層と不純物イオンを含む半導体層とデーター電極に接
続するソース電極と表示電極に接続するドレイン電極と
からなる三端子型スイッチング素子であることを特徴と
する請求項5から請求項8に記載の液晶表示装置。 - 【請求項11】 第1の基板上には少なくとも信号電極
を有し、第2の基板上には少なくとも対向電極を有し、
前記第1の基板と第2の基板とを所定の間隔をもって対
向し、信号電極と対向電極がお互いに対向し画素部を構
成し、前記第1の基板と第2の基板との間に封入する液
晶とを備えた液晶表示装置において、前記第1の基板あ
るいは、第2の基板のいずれかは陽極酸化可能な金属基
板からなり、さらに該金属基板上には、該金属基板の陽
極酸化膜からなる絶縁膜を有し、さらに前記絶縁膜には
開口部を有し、さらに、前記開口部以外の絶縁膜上の一
部には、信号電極と、該信号電極と分離する表示電極を
有し、該信号電極と表示電極の間には複数のスイッチン
グ素子を有し、複数のスイッチング素子をお互いに接続
し、かつ該スイッチング素子の金属基板側に設ける下部
電極は、前記絶縁膜の開口部近傍まで設けてあり、開口
部には下部電極の一部が残存し、さらに信号電極あるい
は、表示電極あるいは、金属基板のいづれとも直接接続
されていない構造を有することを特徴とする液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32263296A JP3831028B2 (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32263296A JP3831028B2 (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10161095A true JPH10161095A (ja) | 1998-06-19 |
JP3831028B2 JP3831028B2 (ja) | 2006-10-11 |
Family
ID=18145886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32263296A Expired - Lifetime JP3831028B2 (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3831028B2 (ja) |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050627 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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