JPH10144616A - 半導体ウェーハ支持ボート - Google Patents
半導体ウェーハ支持ボートInfo
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- JPH10144616A JPH10144616A JP30020696A JP30020696A JPH10144616A JP H10144616 A JPH10144616 A JP H10144616A JP 30020696 A JP30020696 A JP 30020696A JP 30020696 A JP30020696 A JP 30020696A JP H10144616 A JPH10144616 A JP H10144616A
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- semiconductor wafer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 縦型の半導体ウェーハ支持ボートにおいて、
ウェーハを支持する支持部とウェーハとの熱伝導率が異
なっていたことにより生じていたスリップを回避するこ
と。 【解決手段】 本発明に係る半導体ウェーハ支持ボート
においては、ＳｉＣの特性を生かして強い枠体を形成
し、ウェーハを支持する部分はウェーハと同質の材料で
形成したことにより、強度的に問題がなく且つ製造コス
トの低減を図ると共に、ウェーハを同質の材料で支持す
ることで、熱伝導による温度上昇率を同じにして、スリ
ップの発生を解消することができる。
ウェーハを支持する支持部とウェーハとの熱伝導率が異
なっていたことにより生じていたスリップを回避するこ
と。 【解決手段】 本発明に係る半導体ウェーハ支持ボート
においては、ＳｉＣの特性を生かして強い枠体を形成
し、ウェーハを支持する部分はウェーハと同質の材料で
形成したことにより、強度的に問題がなく且つ製造コス
トの低減を図ると共に、ウェーハを同質の材料で支持す
ることで、熱伝導による温度上昇率を同じにして、スリ
ップの発生を解消することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐熱性の材料で形
成され、多数枚の半導体ウェーハを搭載して熱処理炉内
に導入し、高温で熱処理するための半導体ウェーハ支持
ボートに関するものである。
成され、多数枚の半導体ウェーハを搭載して熱処理炉内
に導入し、高温で熱処理するための半導体ウェーハ支持
ボートに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種のウェーハ支持ボートには、複数
のウェーハを略垂直にして横に並べて外周縁を支持す
る、所謂横型タイプと、複数のウェーハを横にして上下
方向に並べ各ウェーハの周辺近傍を複数箇所において支
持する、所謂縦型タイプの２種類がある。ところで、熱
処理炉の小型化及び搬送の容易さのメリットを考慮する
と共に、近年、ウェーハの大口径化に伴って、ウェーハ
支持ボートは横型タイプから縦型タイプに移行しつつあ
る。
のウェーハを略垂直にして横に並べて外周縁を支持す
る、所謂横型タイプと、複数のウェーハを横にして上下
方向に並べ各ウェーハの周辺近傍を複数箇所において支
持する、所謂縦型タイプの２種類がある。ところで、熱
処理炉の小型化及び搬送の容易さのメリットを考慮する
と共に、近年、ウェーハの大口径化に伴って、ウェーハ
支持ボートは横型タイプから縦型タイプに移行しつつあ
る。
【０００３】縦型のウェーハ支持ボートとしては、上部
を支持して吊垂させるタイプと、下部を支持して起立さ
せるタイプとがある。下部を支持する起立タイプとして
は、例えば特開平４−６８２６号公報に開示された構成
のものが従来例として公知である。この公知のウェーハ
支持ボートも含めて一般的に炭化珪素（ＳｉＣ）を材料
としてウェーハ支持ボートが形成されている。
を支持して吊垂させるタイプと、下部を支持して起立さ
せるタイプとがある。下部を支持する起立タイプとして
は、例えば特開平４−６８２６号公報に開示された構成
のものが従来例として公知である。この公知のウェーハ
支持ボートも含めて一般的に炭化珪素（ＳｉＣ）を材料
としてウェーハ支持ボートが形成されている。
【０００４】炭化珪素は、例えば半導体ウェーハと同質
材料であるシリコンに比べて安価であると共に、溶接が
可能で製作性に優れ、例えば１２００℃の高温において
も耐えられると言う特性を有していることから、近年、
半導体ウェーハの熱処理において使用されるウェーハ支
持ボートの材料として利用されている。
材料であるシリコンに比べて安価であると共に、溶接が
可能で製作性に優れ、例えば１２００℃の高温において
も耐えられると言う特性を有していることから、近年、
半導体ウェーハの熱処理において使用されるウェーハ支
持ボートの材料として利用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ＳｉＣで形
成されたウェーハ支持ボードであっても、半導体ウェー
ハを構成するシリコンとは熱伝導率が相違すること、及
び半導体ウェーハの外周近傍を複数箇所において支持す
る構造であることから、１２００℃前後の高温で熱処理
を行うと、図４で示したように、ウェーハａにおいて、
支持されている部分からウェーハの内部に向かって歪み
ｂが生ずるという現象が起きる。この歪みは、外見上で
は視認できないが、Ｘ線写真によって確認できる。
成されたウェーハ支持ボードであっても、半導体ウェー
ハを構成するシリコンとは熱伝導率が相違すること、及
び半導体ウェーハの外周近傍を複数箇所において支持す
る構造であることから、１２００℃前後の高温で熱処理
を行うと、図４で示したように、ウェーハａにおいて、
支持されている部分からウェーハの内部に向かって歪み
ｂが生ずるという現象が起きる。この歪みは、外見上で
は視認できないが、Ｘ線写真によって確認できる。
【０００６】この歪みが生ずる現象をスリップと称して
いるが、このスリップは、半導体ウェーハとその半導体
ウェーハを支持している支持部との熱伝導率の差によっ
て生ずるものであり、ウェーハ径が８インチ、１２イン
チと大口径になるにつれて大きくなると共に多くなる傾
向にある。そして、スリップが大きく且つ多くなるとウ
ェーハの品質の低下、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体の品質低
下、半導体製造の歩留りの低下等の不都合を招く原因に
なっている。
いるが、このスリップは、半導体ウェーハとその半導体
ウェーハを支持している支持部との熱伝導率の差によっ
て生ずるものであり、ウェーハ径が８インチ、１２イン
チと大口径になるにつれて大きくなると共に多くなる傾
向にある。そして、スリップが大きく且つ多くなるとウ
ェーハの品質の低下、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体の品質低
下、半導体製造の歩留りの低下等の不都合を招く原因に
なっている。
【０００７】このスリップをなくすためには、半導体ウ
ェーハと同質のシリコンでウェーハ支持ボート形成すれ
ば良いことになるが、シリコン自体は材料として高価で
あると共に、比較的脆く耐久性に乏しいという別の問題
点を有している。
ェーハと同質のシリコンでウェーハ支持ボート形成すれ
ば良いことになるが、シリコン自体は材料として高価で
あると共に、比較的脆く耐久性に乏しいという別の問題
点を有している。
【０００８】従って、縦型のウェーハ支持ボートにおい
ては、スリップをなくすことに解決しなければならない
課題を有している。
ては、スリップをなくすことに解決しなければならない
課題を有している。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記従来例の課題を解決
する具体的手段として本発明は、半導体ウェーハを熱処
理する際に使用される半導体ウェーハ支持ボートであっ
て、該ウェーハ支持ボートは、ＳｉＣで形成された枠体
と、半導体ウェーハと同質の材料で形成されたウェーハ
支持ロッドとから構成され、前記ウェーハ支持ロッド
は、前記枠体に着脱自在であることを特徴とする構成の
半導体ウェーハ支持ボートを提供するものである。
する具体的手段として本発明は、半導体ウェーハを熱処
理する際に使用される半導体ウェーハ支持ボートであっ
て、該ウェーハ支持ボートは、ＳｉＣで形成された枠体
と、半導体ウェーハと同質の材料で形成されたウェーハ
支持ロッドとから構成され、前記ウェーハ支持ロッド
は、前記枠体に着脱自在であることを特徴とする構成の
半導体ウェーハ支持ボートを提供するものである。
【００１０】前記枠体は、上部板と下部板と柱部材とか
ら構成され、前記上部板及び下部板には、ウェーハ支持
ロッドの端部を保持する保持部が形成されており、ウェ
ーハ支持ロッドには、ウェーハを支持するための複数の
支持部が形成されていること、ウェーハを支持するため
の各支持部の厚みは、半導体ウェーハの厚みと略同じで
あること、ウェーハ支持ロッドの支持部が形成されてい
ない側には、枠体の柱部材に係合する係合部が形成され
ていること、及び半導体ウェーハと同質の材料は、シリ
コンであることを含むものである。
ら構成され、前記上部板及び下部板には、ウェーハ支持
ロッドの端部を保持する保持部が形成されており、ウェ
ーハ支持ロッドには、ウェーハを支持するための複数の
支持部が形成されていること、ウェーハを支持するため
の各支持部の厚みは、半導体ウェーハの厚みと略同じで
あること、ウェーハ支持ロッドの支持部が形成されてい
ない側には、枠体の柱部材に係合する係合部が形成され
ていること、及び半導体ウェーハと同質の材料は、シリ
コンであることを含むものである。
【００１１】本発明に係る半導体ウェーハ支持ボートに
おいては、ＳｉＣの特性を生かして枠体を形成し、ウェ
ーハを支持する部分はウェーハと同質の材料で形成した
ことにより、強度的に問題がなく且つ製造コストの低減
を図ると共に、ウェーハを同質の材料で支持すること
で、熱伝導による温度上昇率を同じにして、スリップの
発生を解消することができるのである。
おいては、ＳｉＣの特性を生かして枠体を形成し、ウェ
ーハを支持する部分はウェーハと同質の材料で形成した
ことにより、強度的に問題がなく且つ製造コストの低減
を図ると共に、ウェーハを同質の材料で支持すること
で、熱伝導による温度上昇率を同じにして、スリップの
発生を解消することができるのである。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に本発明を図示の実施例により
更に詳しく説明する。図１は一部を分解して示した本発
明の半導体ウェーハ支持ボートを示すものであり、該ウ
ェーハ支持ボートは、予め全体を一体的に形成した枠体
１と、該枠体１に対して着脱自在に組み込まれる３本の
ウェーハ支持ロッド２、３、４とから構成されている。
更に詳しく説明する。図１は一部を分解して示した本発
明の半導体ウェーハ支持ボートを示すものであり、該ウ
ェーハ支持ボートは、予め全体を一体的に形成した枠体
１と、該枠体１に対して着脱自在に組み込まれる３本の
ウェーハ支持ロッド２、３、４とから構成されている。
【００１３】枠体１は、上部板５、下部板６及び複数本
（４本）の柱部材７、８、９、１０とから構成されてい
る。この枠体１は、耐久性及び耐熱性に優れると共に溶
接ができると言う特性を持つＳｉＣを材料として形成さ
れたものであり、予め上部板５と下部板６との間に柱部
材７、８、９、１０を配設し、これら各柱部材の上下端
部をそれぞれ上部板５及び下部板６に溶接して、全体を
ボート形状に一体的に形成したものである。
（４本）の柱部材７、８、９、１０とから構成されてい
る。この枠体１は、耐久性及び耐熱性に優れると共に溶
接ができると言う特性を持つＳｉＣを材料として形成さ
れたものであり、予め上部板５と下部板６との間に柱部
材７、８、９、１０を配設し、これら各柱部材の上下端
部をそれぞれ上部板５及び下部板６に溶接して、全体を
ボート形状に一体的に形成したものである。
【００１４】そして、これら柱部材の配設位置として
は、ウェーハ支持ボートに対して搭載される半導体ウェ
ーハが出し入れされる部分が前面側であり、その前面側
の両側に柱部材７、１０が所定の間隔をもって配設さ
れ、背面側に２本の柱部材８、９が近接した状態で配設
されている。
は、ウェーハ支持ボートに対して搭載される半導体ウェ
ーハが出し入れされる部分が前面側であり、その前面側
の両側に柱部材７、１０が所定の間隔をもって配設さ
れ、背面側に２本の柱部材８、９が近接した状態で配設
されている。
【００１５】上部板５及び下部板６は、略同一形状を呈
するものであり、上部板５には３本のウェーハ支持ロッ
ドの上端部が嵌合し、支持される３個の孔１１、１２、
１３が設けられ、これら孔は、例えば半月状または楕円
形状などの非円形である。また、下部板６には、後述す
るストッパー片が回転可能に取り付けられる３個の軸孔
１４、１５、１６が形成されると共に、柱部材７、１０
の近傍に回り止め用のボス部１７、１８が植設状態に設
けられている。なお、図示していないが、下部板６の下
面側には、下部板６が床面から適宜の高さに位置するよ
うに適宜形状の脚部が設けられている。
するものであり、上部板５には３本のウェーハ支持ロッ
ドの上端部が嵌合し、支持される３個の孔１１、１２、
１３が設けられ、これら孔は、例えば半月状または楕円
形状などの非円形である。また、下部板６には、後述す
るストッパー片が回転可能に取り付けられる３個の軸孔
１４、１５、１６が形成されると共に、柱部材７、１０
の近傍に回り止め用のボス部１７、１８が植設状態に設
けられている。なお、図示していないが、下部板６の下
面側には、下部板６が床面から適宜の高さに位置するよ
うに適宜形状の脚部が設けられている。
【００１６】３本のウェーハ支持ロッド２、３、４は、
半導体ウェーハと同質の材料、即ちシリコンを使用して
形成されるものであり、それぞれ内側を向く面に複数段
（例えば１２５段）の支持部１９、２０、２１が同一レ
ベルをもってそれぞれ整列して一体的に突出形成され、
それぞれの支持部において、各一つの支持部の厚さは載
置されるであろう半導体ウェーハの厚みと略同一の厚み
に形成してある。尚、半導体ウェーハと同質の材料とし
ては、ガリュウム砒素（ＧａＡｓ）またはガリュウム燐
（ＧａＰ）等がある。
半導体ウェーハと同質の材料、即ちシリコンを使用して
形成されるものであり、それぞれ内側を向く面に複数段
（例えば１２５段）の支持部１９、２０、２１が同一レ
ベルをもってそれぞれ整列して一体的に突出形成され、
それぞれの支持部において、各一つの支持部の厚さは載
置されるであろう半導体ウェーハの厚みと略同一の厚み
に形成してある。尚、半導体ウェーハと同質の材料とし
ては、ガリュウム砒素（ＧａＡｓ）またはガリュウム燐
（ＧａＰ）等がある。
【００１７】また、各ウェーハ支持ロッド２〜４は、支
持部１９〜２１が形成されていない側において、前記柱
部材が係合する溝状または凹部状の係合部２２、２３、
２４が長さ方向に沿って形成されている。特に、ウェー
ハ支持ロッド３の係合部２３は、両側縁のコーナーを切
り欠いた凹状を呈するものである。
持部１９〜２１が形成されていない側において、前記柱
部材が係合する溝状または凹部状の係合部２２、２３、
２４が長さ方向に沿って形成されている。特に、ウェー
ハ支持ロッド３の係合部２３は、両側縁のコーナーを切
り欠いた凹状を呈するものである。
【００１８】更に、各ウェーハ支持ロッドの上端部に
は、角柱状の突起２５、２６、２７が一体に突出形成さ
れると共に、各ロッドの下端側で、且つ支持部１９、２
０、２１が形成されている側に、後述するストッパー片
が係合する段差部または凹部２８、２９、３０が形成さ
れている。
は、角柱状の突起２５、２６、２７が一体に突出形成さ
れると共に、各ロッドの下端側で、且つ支持部１９、２
０、２１が形成されている側に、後述するストッパー片
が係合する段差部または凹部２８、２９、３０が形成さ
れている。
【００１９】各ウェーハ支持ロッド２〜４を枠体１に組
み付けた際に、各ロッドの上端部を支持する支持部材３
１、３２、３３が準備される。これら支持部材は、前記
上部板５の孔１１〜１３に嵌合する胴部３４、３５、３
６と、上部板５の上面に当接するフランジ部３７、３
８、３９を有すると共に、中心部に前記突起２５〜２７
がそれぞれ嵌合する角孔４０、４１、４２が貫通して形
成されている。
み付けた際に、各ロッドの上端部を支持する支持部材３
１、３２、３３が準備される。これら支持部材は、前記
上部板５の孔１１〜１３に嵌合する胴部３４、３５、３
６と、上部板５の上面に当接するフランジ部３７、３
８、３９を有すると共に、中心部に前記突起２５〜２７
がそれぞれ嵌合する角孔４０、４１、４２が貫通して形
成されている。
【００２０】この場合に、各支持部材の胴部３４〜３６
の大きさ形状は、孔１１〜１３の大きさ形状に略対応す
るものであり、孔１１〜１３が非円形状に形成されてい
ることから、一定の方向付けがなされて嵌合できるよう
になっている。
の大きさ形状は、孔１１〜１３の大きさ形状に略対応す
るものであり、孔１１〜１３が非円形状に形成されてい
ることから、一定の方向付けがなされて嵌合できるよう
になっている。
【００２１】また、各ウェーハ支持ロッドの下端部をそ
れぞれ支持するストッパー片４３、４４、４５は舌状の
板部材で形成され、下面側の一方の端部寄りにボス部４
６、４７、４８が一体に突出形成されている。これらの
ボス部は、下部板６に設けた軸孔１４〜１６にそれぞれ
嵌まって回転できるように軸受けされる。
れぞれ支持するストッパー片４３、４４、４５は舌状の
板部材で形成され、下面側の一方の端部寄りにボス部４
６、４７、４８が一体に突出形成されている。これらの
ボス部は、下部板６に設けた軸孔１４〜１６にそれぞれ
嵌まって回転できるように軸受けされる。
【００２２】前述したように構成された枠体１に対して
各ウェーハ支持ロッド２〜４を組み付ける場合に、先ず
上部板５の下面側から各ロッドの上端部の突起２５〜２
７が対応する孔１１〜１３にそれぞれ嵌まるようにして
下部板６上にセットする。この状態で、ウェーハ支持ロ
ッド２の係合部２２に柱部材７が嵌まり、ウェーハ支持
ロッド３の係合部２３に柱部材８、９が嵌まり、ウェー
ハ支持ロッド４の係合部２４に柱部材１０が嵌まるよう
にセットする。
各ウェーハ支持ロッド２〜４を組み付ける場合に、先ず
上部板５の下面側から各ロッドの上端部の突起２５〜２
７が対応する孔１１〜１３にそれぞれ嵌まるようにして
下部板６上にセットする。この状態で、ウェーハ支持ロ
ッド２の係合部２２に柱部材７が嵌まり、ウェーハ支持
ロッド３の係合部２３に柱部材８、９が嵌まり、ウェー
ハ支持ロッド４の係合部２４に柱部材１０が嵌まるよう
にセットする。
【００２３】このセット状態において、上部板５の上部
から、図３に示したように、各支持部材３１〜３３を各
孔１１〜１３に落とし込むようにして嵌め込み、同時に
各支持部材の角孔４０〜４２にウェーハ支持ロッド２〜
４の突起２５〜２７が嵌り込むように調整して取り付け
ると、各ウェーハ支持ロッド２〜４の取り付けにおける
角度的な位置決めが適正な状態でなされ、しかもウェー
ハ支持ロッドの上端部における回動またはガタツキがな
くなるのである。
から、図３に示したように、各支持部材３１〜３３を各
孔１１〜１３に落とし込むようにして嵌め込み、同時に
各支持部材の角孔４０〜４２にウェーハ支持ロッド２〜
４の突起２５〜２７が嵌り込むように調整して取り付け
ると、各ウェーハ支持ロッド２〜４の取り付けにおける
角度的な位置決めが適正な状態でなされ、しかもウェー
ハ支持ロッドの上端部における回動またはガタツキがな
くなるのである。
【００２４】次に、下部板６側において、各ストッパー
片４３〜４５のボス部４６〜４８をそれぞれ対応する軸
孔１４〜１６に嵌め、自由端を各ウェーハ支持ロッドの
下端部側において段差部または凹部２８〜３０にそれぞ
れ係合させることにより、各ウェーハ支持ロッド２〜４
の背面側を、各柱部材７〜１０に押し付けて位置決めを
行うと共に、下端部におけるガタツキを解消させて安定
させ、ウェーハ支持ボートの組立が完了する。
片４３〜４５のボス部４６〜４８をそれぞれ対応する軸
孔１４〜１６に嵌め、自由端を各ウェーハ支持ロッドの
下端部側において段差部または凹部２８〜３０にそれぞ
れ係合させることにより、各ウェーハ支持ロッド２〜４
の背面側を、各柱部材７〜１０に押し付けて位置決めを
行うと共に、下端部におけるガタツキを解消させて安定
させ、ウェーハ支持ボートの組立が完了する。
【００２５】なお、ウェーハ支持ロッド３は、背面側に
２本の柱部材８、９があることから全体的にガタツキが
なく、且つ強度的にも角度的にも安定したものとなる。
そして、ウェーハ支持ロッド２、４においても、背面側
の柱部材７、１０とその近傍に設けたボス部１７、１８
とによって、やはりガタツキの防止が図れると共に、強
度的にも角度的にも安定したものとなるのである。
２本の柱部材８、９があることから全体的にガタツキが
なく、且つ強度的にも角度的にも安定したものとなる。
そして、ウェーハ支持ロッド２、４においても、背面側
の柱部材７、１０とその近傍に設けたボス部１７、１８
とによって、やはりガタツキの防止が図れると共に、強
度的にも角度的にも安定したものとなるのである。
【００２６】このように構成された本発明のウェーハ支
持ボートは、枠体１とウェーハ支持ロッド２〜４とをそ
れぞれ別々に形成しておき、使用時において一つの枠体
に対して３本のウェーハ支持ロッドを組み付けるだけで
あるため、組み立てが簡単であると共に、使用後におい
て前記組み付け順序と逆の工程を行えば簡単に分解で
き、仮に３本のウェーハ支持ロッドの一つに不都合が生
じた場合には、簡単に取り替えることができるのであ
る。
持ボートは、枠体１とウェーハ支持ロッド２〜４とをそ
れぞれ別々に形成しておき、使用時において一つの枠体
に対して３本のウェーハ支持ロッドを組み付けるだけで
あるため、組み立てが簡単であると共に、使用後におい
て前記組み付け順序と逆の工程を行えば簡単に分解で
き、仮に３本のウェーハ支持ロッドの一つに不都合が生
じた場合には、簡単に取り替えることができるのであ
る。
【００２７】また、ウェーハ支持ロッドにおける支持部
の切削加工は困難であるが、ウェーハ支持ロッドを枠体
とは別部品としたことにより、多数本のロッドを隣接状
態に並べておいて、同時に切削加工することで精度の高
いものが効率良く且つ安価に製造できるのである。尚、
本発明に係るウェーハ支持ボートは一部組立式で且つ縦
型であり、吊垂式でも下部支持式でも使用できるもので
ある。
の切削加工は困難であるが、ウェーハ支持ロッドを枠体
とは別部品としたことにより、多数本のロッドを隣接状
態に並べておいて、同時に切削加工することで精度の高
いものが効率良く且つ安価に製造できるのである。尚、
本発明に係るウェーハ支持ボートは一部組立式で且つ縦
型であり、吊垂式でも下部支持式でも使用できるもので
ある。
【００２８】そして、実際に本発明に係るウェーハ支持
ボートを使用して、一般的に行っているものと同様の手
段で熱処理を行った。即ち、１２５枚のウェーハを搭載
した後、７５０℃程度にランプダウンされた熱処理炉内
にウェーハ支持ボートを搬入し、その後６０分程度の時
間を掛けて略１１５０℃程度までランプアップして熱処
理を行った。その結果、支持部で支持されていた部分
に、わずかな歪みが確認されたが、従来例に見られたよ
うな大きな歪みは認められず、実質的に半導体製品の品
質低下につながらない程度であった。従って、スリップ
現象を大幅に改善できたのである。
ボートを使用して、一般的に行っているものと同様の手
段で熱処理を行った。即ち、１２５枚のウェーハを搭載
した後、７５０℃程度にランプダウンされた熱処理炉内
にウェーハ支持ボートを搬入し、その後６０分程度の時
間を掛けて略１１５０℃程度までランプアップして熱処
理を行った。その結果、支持部で支持されていた部分
に、わずかな歪みが確認されたが、従来例に見られたよ
うな大きな歪みは認められず、実質的に半導体製品の品
質低下につながらない程度であった。従って、スリップ
現象を大幅に改善できたのである。
【００２９】このようにスリップ現象が生じないと言う
ことは、半導体ウェーハを支持している支持部におい
て、熱伝導率が違わなかったことに起因するものと推定
され、支持部の材質と厚さによって大きく作用されるこ
とが確認されたのである。
ことは、半導体ウェーハを支持している支持部におい
て、熱伝導率が違わなかったことに起因するものと推定
され、支持部の材質と厚さによって大きく作用されるこ
とが確認されたのである。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体ウェーハ支持ボートは、半導体ウェーハを熱処理する
際に使用される半導体ウェーハ支持ボートであって、該
ウェーハ支持ボートは、ＳｉＣで形成された枠体と、半
導体ウェーハと同質の材料で形成されたウェーハ支持ロ
ッドとから構成され、前記ウェーハ支持ロッドは、前記
枠体に着脱自在である構成にしたことにより、枠体とウ
ェーハの支持とをそれぞれ適材適所の異なった材料で形
成でき、特に、ＳｉＣの特性によってウェーハ支持ボー
ト自体の強度を充分維持して安価に提供できると共に、
半導体ウェーハの支持部は、そのウェーハと同質材料で
形成されているので、熱伝導率に差がないことから、ス
リップの発生が抑制できると言う優れた効果を奏する。
体ウェーハ支持ボートは、半導体ウェーハを熱処理する
際に使用される半導体ウェーハ支持ボートであって、該
ウェーハ支持ボートは、ＳｉＣで形成された枠体と、半
導体ウェーハと同質の材料で形成されたウェーハ支持ロ
ッドとから構成され、前記ウェーハ支持ロッドは、前記
枠体に着脱自在である構成にしたことにより、枠体とウ
ェーハの支持とをそれぞれ適材適所の異なった材料で形
成でき、特に、ＳｉＣの特性によってウェーハ支持ボー
ト自体の強度を充分維持して安価に提供できると共に、
半導体ウェーハの支持部は、そのウェーハと同質材料で
形成されているので、熱伝導率に差がないことから、ス
リップの発生が抑制できると言う優れた効果を奏する。
【００３１】また、ウェーハ支持ロッドに形成された半
導体ウェーハを支持するための各支持部の厚みは、半導
体ウェーハの厚みと略同じにしたことにより、更に熱伝
導率の差がなくなって、スリップの発生が解消されると
言う優れた効果を奏する。
導体ウェーハを支持するための各支持部の厚みは、半導
体ウェーハの厚みと略同じにしたことにより、更に熱伝
導率の差がなくなって、スリップの発生が解消されると
言う優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係る一実施例の半導体ウェーハ支持ボ
ートを分解して示した斜視図である。
ートを分解して示した斜視図である。
【図２】同実施例における半導体ウェーハ支持ボートの
一部を除去して示した斜視図である。
一部を除去して示した斜視図である。
【図３】同実施例におけるウェーハ支持ロットの上端部
を固定する状況を示す要部のみの斜視図である。
を固定する状況を示す要部のみの斜視図である。
【図４】従来例の装置によって熱処理した半導体ウェー
ハの状態を説明するための略示的平面図である。
ハの状態を説明するための略示的平面図である。
１……枠体、 ２〜４……ウェーハ支持ロッド、 ５…
…上部板、６……下部板、 ７〜１０……柱部材、 １
１〜１３……孔、１４〜１６……軸孔、 １７，１８…
…ボス部、 １９〜２１……支持部、２２〜２４……係
合部、 ２５〜２７……突起、２８〜３０……段差部ま
たは凹部、 ３１〜３３……支持部材、３４〜３６……
胴部、 ３７〜３９……フランジ部、４０〜４２……角
孔、 ４３〜４５……ストッパー片、４６〜４８……ボ
ス部、ａ……ウェーハ、ｂ……歪み、 ｃ……オリフラ
…上部板、６……下部板、 ７〜１０……柱部材、 １
１〜１３……孔、１４〜１６……軸孔、 １７，１８…
…ボス部、 １９〜２１……支持部、２２〜２４……係
合部、 ２５〜２７……突起、２８〜３０……段差部ま
たは凹部、 ３１〜３３……支持部材、３４〜３６……
胴部、 ３７〜３９……フランジ部、４０〜４２……角
孔、 ４３〜４５……ストッパー片、４６〜４８……ボ
ス部、ａ……ウェーハ、ｂ……歪み、 ｃ……オリフラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｎ
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体ウェーハを熱処理する際に使用さ
れる半導体ウェーハ支持ボートであって、 該ウェーハ支持ボートは、ＳｉＣで形成された枠体と、
半導体ウェーハと同質の材料で形成されたウェーハ支持
ロッドとから構成され、 前記ウェーハ支持ロッドは、前記枠体に着脱自在である
ことを特徴とする半導体ウェーハ支持ボート。 - 【請求項２】 枠体は、上部板と下部板と柱部材とから
構成され、 前記上部板及び下部板には、ウェーハ支持ロッドの端部
を保持する保持部が形成されており、 ウェーハ支持ロッドには、ウェーハを支持するための複
数の支持部が形成されていることを特徴とする請求項１
に記載の半導体ウェーハ支持ボート。 - 【請求項３】 ウェーハを支持するための各支持部の厚
みは、半導体ウェーハの厚みと略同じであることを特徴
とする請求項２に記載の半導体ウェーハ支持ボート。 - 【請求項４】 ウェーハ支持ロッドの支持部が形成され
ていない側には、枠体の柱部材に係合する係合部が形成
されていることを特徴とする請求項１、２または３に記
載の半導体ウェーハ支持ボード。 - 【請求項５】 半導体ウェーハと同質の材料は、シリコ
ンであることを特徴とする請求項１、２、３または４に
記載の半導体ウェーハ支持ボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30020696A JPH10144616A (ja) | 1996-11-12 | 1996-11-12 | 半導体ウェーハ支持ボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30020696A JPH10144616A (ja) | 1996-11-12 | 1996-11-12 | 半導体ウェーハ支持ボート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144616A true JPH10144616A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=17882008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30020696A Pending JPH10144616A (ja) | 1996-11-12 | 1996-11-12 | 半導体ウェーハ支持ボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10144616A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003521109A (ja) * | 1999-10-05 | 2003-07-08 | ジーコ・プロドゥクツィオーンス−ウント・ハンデルスゲゼルシャフト・エム・ベー・ハー | 半導体ウエハ用保持装置 |
| JP2005019748A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハの熱処理用治具及び熱処理方法 |
| CN108695138A (zh) * | 2017-03-29 | 2018-10-23 | 株式会社日立国际电气 | 衬底支承件、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 |
| JP2020136538A (ja) * | 2019-02-21 | 2020-08-31 | 光洋サーモシステム株式会社 | 基板支持装置 |
| CN114351256A (zh) * | 2020-10-13 | 2022-04-15 | 中国科学院微电子研究所 | 晶舟、拆装工具以及晶圆加工设备 |
-
1996
- 1996-11-12 JP JP30020696A patent/JPH10144616A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003521109A (ja) * | 1999-10-05 | 2003-07-08 | ジーコ・プロドゥクツィオーンス−ウント・ハンデルスゲゼルシャフト・エム・ベー・ハー | 半導体ウエハ用保持装置 |
| JP2005019748A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハの熱処理用治具及び熱処理方法 |
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| JP2020136538A (ja) * | 2019-02-21 | 2020-08-31 | 光洋サーモシステム株式会社 | 基板支持装置 |
| TWI798529B (zh) * | 2019-02-21 | 2023-04-11 | 日商捷太格特熱處理股份有限公司 | 基板支撐裝置 |
| CN114351256A (zh) * | 2020-10-13 | 2022-04-15 | 中国科学院微电子研究所 | 晶舟、拆装工具以及晶圆加工设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050216 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050704 |