JPH10144563A - 金属化フィルムコンデンサ - Google Patents

金属化フィルムコンデンサ

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JPH10144563A
JPH10144563A JP8296090A JP29609096A JPH10144563A JP H10144563 A JPH10144563 A JP H10144563A JP 8296090 A JP8296090 A JP 8296090A JP 29609096 A JP29609096 A JP 29609096A JP H10144563 A JPH10144563 A JP H10144563A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は自己回復時の容量減少を抑制し、微
小誘電体破壊の拡大を防止する金属化フィルムコンデン
サの提供を目的とする。 【解決手段】 誘電体フィルム1の片面または両面に金
属蒸着電極2を形成した金属化フィルムを一対の金属蒸
着電極2が誘電体フィルム1を介して対向するように積
層、または巻回したコンデンサ素子の両端面に電極引出
部3を設け、その金属蒸着電極の抵抗値は電極引出部3
に接する部分の値が他の部分と比較して低くなうように
構成し、前記一対の少なくとも一方の金属蒸着電極はフ
ィルムの長手方向と幅方向に微小ブロック8を複数個形
成し、各ブロック隣接間にヒューズ部9を設けた構成と
するとともに、フィルム長手方向に一定間隔の電極区切
り部7を設けた金属化フィルムコンデンサ。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は力率改善用の電力用
コンデンサ,電気機器用のコンデンサ,各種電源回路用
のコンデンサおよび通信機器等に使用される金属化フィ
ルムコンデンサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、金属化フィルムの蒸着金属を微小
分割してヒューズ機構を付加するものやそのフィルムを
用いたコンデンサは特開平4−225508や特開平8
−31690などで公知となっており、これらの公知技
術を用いてヒューズ機構付の金属化フィルムコンデンサ
を製造することは可能である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の構成で金属化フィルムコンデンサとした場合、種
々の課題があった。すなわち、図6に示すように蒸着電
極を金属化フィルムの長手方向と幅方向に亘って微小ブ
ロック80に分割して複数個形成し、各ブロック80間
にヒューズ部60を設けた構成では、自己回復でクリア
リングできない微小破壊が発生した場合、過大な短絡電
流が流れヒューズ部60が動作してその部分を金属化フ
ィルムコンデンサから切離すが、その部分の面積は微小
なため、隣接する微小ブロック80間から回り込む電流
が隣接する微小ブロック80間のヒューズ部60をも動
作させてしまい、何ら問題のない部分までも容量減少さ
せてしまう問題点があった。
【0004】また、微小破壊のクリアリングによる短絡
電流でヒューズ部60が動作しない場合、そのブロック
での破壊が進行し続け誘電体破壊を引起こし、さらに進
行し続けると、その周辺のブロックへと破壊が広がり、
最悪の場合、金属化フィルムコンデンサが発煙、発火す
る場合があった。
【0005】さらに、図7に示すように保安機構付の金
属化フィルムコンデンサの場合、電極導出部となる金属
溶射部と金属化フィルムとの密着力向上のために金属溶
射部側の蒸着膜を厚くし、その他の部分はそれより薄い
構成とし、かつ一対の少なくとも一方の蒸着膜を長手方
向に電極区切り部70にて分割し、ヒューズ部60を形
成したコンデンサとする場合が多いが、保安機構とはフ
ィルムコンデンサ特有の自己回復作用でクリアリングで
きない破壊が発生した際、その箇所をクリアリングする
ための短絡電流のジュール熱によってヒューズ部60を
動作させるというものである。しかしながら、金属溶射
部側の蒸着膜を厚くした場合、クリアリングするための
エネルギがその他の部分に比して大きくなるためクリア
リングできない破壊が発生した場合、短絡電流が流れ続
け、蒸着膜が厚い箇所で誘電体破壊を引起こす場合があ
った。
【0006】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、金属化フィルムコンデンサの特性向上を図ることを
目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第1手段お金属化フィルムコンデンサは誘
電体フィルムの片面または両面に金属蒸着電極を形成し
た金属化フィルムを一対の電極が誘電体フィルムを介し
て対向するように積層、または巻回したコンデンサ素子
の両端面に電極引出部を設け、金属蒸着電極の抵抗値は
電極引出部に接する部分の値が他の部分と比較して低く
なるように構成し、前記一対の少なくとも一方の金属蒸
着電極は誘電体フィルムの長手方向と幅方向に亘って微
小ブロックを複数個形成し、各ブロック隣接間にヒュー
ズ部を設けた分割電極パターンを構成するとともに、か
つフィルム長手方向に一定間隔で分割電極パターンを区
切る電極区切り部を設けたものである。
【0008】また、本発明の第2手段の金属化フィルム
コンデンサは第1手段に加えて電極引出部に接する抵抗
値の低い低抵抗膜部の微小ブロック部は、その微小ブロ
ック面積が他の高抵抗膜部分の微小ブロック面積より小
さくしたものである。
【0009】また本発明の第3の金属化フィルムコンデ
ンサは第2手段に加えて蒸着金属を亜鉛または亜鉛・ア
ルミニウム合金としたものである。
【0010】
【発明の実施の形態】上記構成により、本発明の第1手
段の金属化フィルムコンデンサは、一方の金属蒸着電極
にはフィルムの長手方向と幅方向に亘って微小ブロック
を複数個形成し、各微小ブロック隣接間にヒューズ部を
設けた分割電極パターンを形成し、フィルム長手方向に
一定間隔で分割電極パターンを区切る電極区切部を設け
ているため、微小ブロックにおいて自己回復でクリアリ
ングできない微小破壊が発生した場合、隣接する微小ブ
ロック間から回り込む電流により、何ら問題のない微小
ブロック間のヒューズ部をも動作させることによる容量
減少の進行を抑制することや微小破壊のクリアリングに
よる短絡電流でヒューズ部が動作しない場合、その微小
ブロックでの破壊が進行し続け誘電体破壊が周辺のブロ
ックへ広がることによるコンデンサ全体の破壊を阻止す
る作用を有する。
【0011】また、本発明の第2手段の金属化フィルム
コンデンサは第1手段に加え電極引出部に接する低抵抗
膜部の微小ブロックは微小ブロック面積が他の高抵抗膜
部の微小ブロック面積より小さいため、微小破壊部のク
リアリング性が向上し、ヒューズ部の動作性が良化する
ため、金属溶射部側の蒸着膜を厚くした抵抗膜部のクリ
アリングできない破壊に対しても、蒸着膜が厚い箇所で
誘電体破壊を引起こすのを防止する作用をする。
【0012】また、本発明の第3手段の金属化フィルム
コンデンサは第2手段に加え、蒸着電極を亜鉛または亜
鉛・アルミニウム合金とすることにより、現在金属化フ
ィルムコンデンサの主流であるアルミニウム単体に比較
して、微小破壊時のクリアリングを行うのに小さなエネ
ルギですむ金属特性を生かして、アルミニウム蒸着コン
デンサより高電位傾度化、小形化を可能にする作用を有
する。
【0013】以下、本発明の実施の形態について、図1
ないし図5に沿って説明する。1はプラスチックフィル
ムよりなる誘電体フィルム、2は前記誘電体フィルム1
に真空連続蒸着機を用いて図2ないし図4のいずれかの
網目状の分割電極パターンに亜鉛とアルミニウムの合金
を蒸着した金属蒸着電極、2aは図5のように、分割電
極パターンのない金属蒸着電極、3は分割電極パターン
を有する金属化フィルムと分割電極パターンのない金属
化フィルムとを一対として積層、または巻回したコンデ
ンサ素子の両端面に金属溶射した電極引出部、4は前記
電極引出部3に接する部分が他の部分に比較して抵抗値
が低くなるように蒸着した蒸着電極2,2aα低抵抗膜
部、5は蒸着電極2,2aの高抵抗膜部、6は前記高抵
抗膜部5の一端に形成した電極マージン部、7はフィル
ム長手方向に一定間隔に金属蒸着電極2を区切る電極区
切り部で、この電極区切り部7は一直線(図2,図3)
のもの以外に山谷状の折線(図4)にて蒸着電極2を分
割できる。
【0014】8は金属蒸着電極2の網目状の分割電極パ
ターンの微小ブロックで、ヒューズ部9を介してフィル
ムの長手方向と幅方向に亘って複数個形成されている。
【0015】8a,8bはそれぞれ電極引出部3に隣接
する微小ブロックで、この微小ブロック8a,8bは微
小ブロック8の面積より小さいため、微小破壊部のクリ
アランス性が向上し、ヒューズ部9の動作性が良化す
る。
【0016】本実施の形態の金属化フィルムコンデンサ
の構成は、一方金属蒸着電極2が誘電体フィルムの長手
方向と幅方向に微小ブロック8を複数個形成し、各微小
ブロック8の隣接間にヒューズ部9を設けた構成とする
とともに、誘電体フイルム1の長手方向に一定間隔の区
切り部7を形成した金属化フィルムを用い、他方の金属
蒸着電極2aは微小ブロックも一定間隔の区切り部もな
い金属化フィルムを用いた金属化フィルムコンデンサを
示した。なお、双方の金属蒸着電極2が微小ブロック8
を有する一対の金属化フィルムを用いて、これらを積
層、または巻回し金属化フィルムコンデンサを形成して
も良い。
【0017】また、本発明の実施の形態では電極引出部
3に接する低抵抗膜部4の微小ブロック8a,8bはそ
の微小ブロック面積が、他の高抵抗膜部5の微小ブロッ
クより小さいため微小破壊部のクリアリング性が向上
し、ヒューズ部9の動作性が良化する利点がある。
【0018】また、本発明の実施の形態では、金属蒸着
電極2,2aを亜鉛または亜鉛・アルミニウム合金とす
ることにより、アルミニウム単体電極に比較して微小破
壊時のクリアリングを行うのに小さなエネルギですむ金
属特性を生かして、高電位傾度化、小形化が図れる利点
を有する。
【0019】
【実施例】つぎに、本実施の形態につき、具体的な数値
を用いて、詳細に説明する。まず、実施例Iとして、厚
さ6μmのポリプロピレンフィルムに、亜鉛とアルミニ
ウムの合金を真空連続蒸着機を用いて蒸着を行った。蒸
着膜抵抗値は金属溶射部側を2〜8Ω/□、その他の部
分を10〜30Ω/□とし、分割電極パターンを施した
金属化フィルムと分割電極パターンのない金属化フィル
ム(図5)とを一対とした巻回コンデンサとした。また
同様に実施例IIとして分割電極パターンを施した金属化
フィルム(図4)と分割電極パターンのない金属化フィ
ルム(図3)とを一対として巻回コンデンサとした。比
較用に従来例I(図6)、従来例II(図7)の巻回コン
デンサも同様に試作した。
【0020】最高許容温度化でのAC電圧ステップアッ
プ試験と同じく最高許容温度+15℃下でのAC電圧ス
テップアップ試験を実施したところ、(表1)に示す結
果となった。
【0021】
【表1】
【0022】表1のAC電圧ステップアップ試験は最高
許容温度下で定格電圧より12時間に50Vずつ昇圧し
ていった。コンデンサ静電容量がほぼ0となれば保安機
構が動作したとみなした。この場合、本実施例I,II、
従来例I,IIとも全数保安機構が動作しコンデンサ特性
に差が得られなかったため、さらに周囲温度を15℃上
昇させて同様に試験を実施した。
【0023】最高許容温度+15℃では本実施例I,II
は全数保安機構動作となったものの従来例Iでは6台が
従来例IIでは2台が破壊した。破壊箇所は従来例Iでは
金属溶射部側の蒸着膜が厚い箇所での破壊と中央部の蒸
着膜が薄い箇所での破壊であった。従来例IIでは全てが
金属溶射部側の蒸着膜が厚い箇所での破壊であった。こ
の結果により金属溶射部側の蒸着膜が厚い箇所での破壊
は、クリアリングするためのエネルギがその他の部分に
比較して大きくなるために破壊がクリアリングできず、
短絡電流が流れ続けたためにヒューズ部9で過大な発熱
を発生させ誘電体破壊を引起こしたと考えられる。ま
た、中央部の蒸着膜が薄い箇所での破壊は、微小破壊の
クリアリングによる短絡電流ではヒューズ部が動作せ
ず、そのブロックでの破壊が進行し続け誘電破壊が周辺
のブロックへ広がっていきコンデンサの破壊に至ったと
考えられる。
【0024】これに対し、実施例I,IIのコンデンサで
は電極引出部3に接する低抵抗膜部4は微小ブロック面
積が他の部分より小さいため微小破壊部のクリアリング
性が向上し、ヒューズ部の動作性も向上し、保安機構が
動作したと同時にフィルム長手方向に一定間隔の電極区
切り部7を有しているため微小破壊のクリアリングによ
る短絡電流でヒューズ部9が動作しない場合、微小ブロ
ック8での破壊が進行し続け誘電体破壊が周辺の微小ブ
ロック8へ広がっていくことによるコンデンサの破壊を
妨げたことにより、コンデンサ破壊に至らなかったと考
えられる。
【0025】また、同様のサンプルでJIS4908に
記載の自己回復性試験を実施した。その結果を(表2)
に示す。
【0026】
【表2】
【0027】実施例I,IIに比較し、従来例Iは微小ブ
ロック面積に対し分割電極面積が大きいために自己回復
時の短絡電流でヒューズが溶断され大きな容量現象につ
ながったと考えられる。
【0028】一方、従来例IIは従来例Iほどではないも
のの、ある微小ブロックの自己回復時にその隣接するブ
ロック間からの回り込む電流により、隣接する何ら問題
のないブロック間のヒューズ部をも動作させたため本実
施例より容量減少が大きくなったと考えられる。これに
対し、本実施例はフィルム長手方向に一定間隔の区切り
部を形成したため自己回復時の回り込み電流を抑制でき
何ら問題のない微小ブロックのヒューズ動作を抑制で
き、無意味な容量減少を低下できた結果となった。
【0029】また、電極引出部3に接する低抵抗膜部4
で自己回復が発生すると、自己回復エネルギが大きいた
めにほとんどの場合ヒューズが動作してしまい容量減少
につながるが、本実施例IIの場合は、そのことを考慮し
て電極引出部3に接する低抵抗膜部4は微小ブロック8
a,8bをさらに小さな面積とすることで容量減少を抑
制している。
【0030】
【発明の効果】以上のように、本発明の第1手段の金属
化フィルムコンデンサは、フィルム長手方向に一定間隔
の電極区切り部を有しているため、複数個の微小ブロッ
クに自己回復でクリアリングできない微小破壊が発生し
た場合、隣接する微小ブロック間からの回り込む電流が
隣接する何ら問題のないブロック間のヒューズ部をも動
作させることによる容量減少を抑制することや微小破壊
のクリアリングによる短絡電流でヒューズ部が動作しな
い場合、その微小ブロックでの破壊が進行し続け誘電体
破壊が周辺の微小ブロックへ順次広がることによるコン
デンサの破壊を防止することができるものである。
【0031】また、本発明の第2手段の金属化フィルム
コンデンサは第1手段に加え、電極引出部に接する低抵
抗膜部は微小ブロック面積が他の部分より小さく微小破
壊部のクリアリング性を向上させたため、ヒューズ部の
動作性も向上し、金属溶射部側の蒸着膜を厚くした場合
のクリアリングできない破壊に対しても、短絡電流が流
れ続け、蒸着膜が厚い箇所で誘電体破壊を引起こすこと
を防止できるものである。
【0032】また、本発明の第3手段の金属化フィルム
コンデンサは第2手段に加え、蒸着金属を亜鉛または亜
鉛・アルミニウム合金とすることにより、現在金属化フ
ィルムコンデンサの主流であるアルミニウム単体に比較
して微小破壊時のクリアリングを行うに大きなエネルギ
が必要である金属特性を生かして、アルミニウム蒸着コ
ンデンサより高電位傾度化、小型化が可能となるもので
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態における金属化フィルムコ
ンデンサの断面模式図
【図2】同実施の形態の一方の金属化フィルムの一部平
面図
【図3】同実施の形態の分割電極パターンの異なる一方
の金属化フィルムの一部平面図
【図4】同実施の形態の分割電極パターンのさらに異な
る一方の金属化フィルムの一部平面図
【図5】同実施の形態の他方の金属化フィルムの一部平
面図
【図6】従来例Iの一方の金属化フィルムの一部平面図
【図7】従来例2の分割電極パターンの異なる一方の金
属化フィルムの一部平面図
【符号の説明】
1 誘電体フィルム 2,2a 金属蒸着電極 3 電極引出部 4 低抵抗膜部 5 高抵抗膜部 6 電極マージン部 7 電極区切り部 8,8a,8b 微小ブロック 9 ヒューズ部

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】誘電体フィルムの片面または両面に金属蒸
    着電極を形成した金属化フィルムを一対の金属蒸着電極
    が誘電体フィルムを介して対向するように積層、または
    巻回したコンデンサ素子の両端面に電極引出部を設け、
    その金属蒸着電極の抵抗値は電極引出部に接する部分の
    値が他の部分と比較して低くなるように構成し、前記一
    対の少なくとも一方の金属蒸着電極はフィルムの長手方
    向と幅方向に亘って微小ブロックを複数個形成し、各微
    小ブロック隣接間にヒューズ部を設けた分割電極パター
    ンを構成とするとともに、かつフィルム長手方向に一定
    間隔で分割電極パターンを区切る電極区切り部を設けた
    金属化フィルムコンデンサ。
  2. 【請求項2】電極引出部に接する抵抗値の低い低抵抗膜
    部の微小ブロックはその微小ブロック面積が他の高抵抗
    膜部の微小ブロックの面積より小さくした請求項1記載
    の金属化フィルムコンデンサ。
  3. 【請求項3】蒸着金属を亜鉛または亜鉛・アルミニウム
    合金とした請求項2記載の金属化フィルムコンデンサ。
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