JPH10138385A - 酸化物薄膜を備えたプラスチックフィルム及びその製造方法 - Google Patents
酸化物薄膜を備えたプラスチックフィルム及びその製造方法Info
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- JPH10138385A JPH10138385A JP30032396A JP30032396A JPH10138385A JP H10138385 A JPH10138385 A JP H10138385A JP 30032396 A JP30032396 A JP 30032396A JP 30032396 A JP30032396 A JP 30032396A JP H10138385 A JPH10138385 A JP H10138385A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低温で高強度の酸化物薄膜を形成すること。
【解決手段】 紫外線を照射したとき、該紫外線をＡｇ
膜３によって反射させることができ、ＰＥＴフィルム１
を保護できる。しかも、Ａｇ膜３によって反射した光が
酸化物薄膜２に再度照射され、光照射効率が向上し、酸
化物薄膜を十分に燒結させることができる。その結果、
第一の従来技術に比較し、真空装置等のように大がかり
な装置が不要になるばかりでなく、第二の従来技術に比
較し、温度が低くとも酸化物薄膜２を強固に形成するこ
とができ、また第三の従来技術に比較し、ＰＥＴフィル
ムにダメージを与えるおそれがない。
膜３によって反射させることができ、ＰＥＴフィルム１
を保護できる。しかも、Ａｇ膜３によって反射した光が
酸化物薄膜２に再度照射され、光照射効率が向上し、酸
化物薄膜を十分に燒結させることができる。その結果、
第一の従来技術に比較し、真空装置等のように大がかり
な装置が不要になるばかりでなく、第二の従来技術に比
較し、温度が低くとも酸化物薄膜２を強固に形成するこ
とができ、また第三の従来技術に比較し、ＰＥＴフィル
ムにダメージを与えるおそれがない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化物薄膜を備え
たプラスチックフィルムとその製造方法に係り、特に低
温で高強度を有するのに好適なプラスチックフィルムに
関するものである。
たプラスチックフィルムとその製造方法に係り、特に低
温で高強度を有するのに好適なプラスチックフィルムに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、酸化物薄膜の形成方法としては、
ガラス基板や金属板上にスパッタリングによって形成す
る物理的方法（以下、第一の従来技術という）と、ゾル
ゲル法のような塗布などの化学的な方法（以下、第二の
従来技術という）とがある。このうち、前者は真空装
置，イオンビームの出射装置などを用い、低い温度での
成膜が可能である。一方、後者はスピンコート，スプレ
ーなどの簡単な装置で基板上に塗布するものであり、通
常数百℃の温度で熱処理することによって成膜すること
ができる。従って、ゾルゲル法の塗布法などの化学的手
法では、耐熱性の低いプラスチック上への作成は困難で
ある。
ガラス基板や金属板上にスパッタリングによって形成す
る物理的方法（以下、第一の従来技術という）と、ゾル
ゲル法のような塗布などの化学的な方法（以下、第二の
従来技術という）とがある。このうち、前者は真空装
置，イオンビームの出射装置などを用い、低い温度での
成膜が可能である。一方、後者はスピンコート，スプレ
ーなどの簡単な装置で基板上に塗布するものであり、通
常数百℃の温度で熱処理することによって成膜すること
ができる。従って、ゾルゲル法の塗布法などの化学的手
法では、耐熱性の低いプラスチック上への作成は困難で
ある。
【０００３】ところが、近年、酸化物微粒子をシリカゾ
ル中に分散させ、これを塗布することで２００℃以下の
低温で成膜することが可能となり、プラスチックフィル
ム上への成膜に応用できるようになってきているものが
ある。特開平３−１８８９５８号公報に示される技術の
もの（以下、第三の従来技術という）は、光を照射させ
て低温で酸化物薄膜を得る方法が提案されている。
ル中に分散させ、これを塗布することで２００℃以下の
低温で成膜することが可能となり、プラスチックフィル
ム上への成膜に応用できるようになってきているものが
ある。特開平３−１８８９５８号公報に示される技術の
もの（以下、第三の従来技術という）は、光を照射させ
て低温で酸化物薄膜を得る方法が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記に示す従
来技術のものは、以下の点について配慮されていない。
即ち、スパッタリングのような物理的方法を用いる従来
技術では、真空装置やイオンビーム装置などの大がかり
なものを必要とし、生産コストが高い問題がある。しか
も、成膜時には熱が発生するので、プラスチックフィル
ムにダメージを与え、該フィルムに変形等が発生するお
それがある。
来技術のものは、以下の点について配慮されていない。
即ち、スパッタリングのような物理的方法を用いる従来
技術では、真空装置やイオンビーム装置などの大がかり
なものを必要とし、生産コストが高い問題がある。しか
も、成膜時には熱が発生するので、プラスチックフィル
ムにダメージを与え、該フィルムに変形等が発生するお
それがある。
【０００５】また、ゾルゲルのような塗布法などの化学
的方法を用いる第二の従来技術では、酸化物微粒子を分
散させたシリカゾルを用いると、熱処理の温度が低いた
めに酸化物を充分に燒結させることができず、従って、
プラスチックフィルム上に形成した酸化物薄膜の強度が
不充分となる問題がある。
的方法を用いる第二の従来技術では、酸化物微粒子を分
散させたシリカゾルを用いると、熱処理の温度が低いた
めに酸化物を充分に燒結させることができず、従って、
プラスチックフィルム上に形成した酸化物薄膜の強度が
不充分となる問題がある。
【０００６】さらに、光を照射させることにより、低温
で酸化物薄膜を形成する第三の従来技術では、光に含ま
れる紫外線等で酸化物薄膜の強度が向上するものの、紫
外線がプラスチックフィルム中の有機物を分解し、該フ
ィルムにダメージを与えてしまう問題がある。
で酸化物薄膜を形成する第三の従来技術では、光に含ま
れる紫外線等で酸化物薄膜の強度が向上するものの、紫
外線がプラスチックフィルム中の有機物を分解し、該フ
ィルムにダメージを与えてしまう問題がある。
【０００７】本発明の目的は、上記従来技術の問題点に
鑑み、プラスチックフィルム上に低温で高強度の酸化物
薄膜を容易に形成することができ、しかも生産コストの
低廉化を確実に図り得る酸化物薄膜を備えたプラスチッ
クフィルムを提供することにあり、他の目的は、上記プ
ラスチックを的確に製造し得る酸化物薄膜を備えたプラ
スチックフィルムの製造方法を提供することにある。
鑑み、プラスチックフィルム上に低温で高強度の酸化物
薄膜を容易に形成することができ、しかも生産コストの
低廉化を確実に図り得る酸化物薄膜を備えたプラスチッ
クフィルムを提供することにあり、他の目的は、上記プ
ラスチックを的確に製造し得る酸化物薄膜を備えたプラ
スチックフィルムの製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のプラスチックフ
イルムでは、酸化物薄膜とプラスチックフィルムとの間
に、コート液から析出して形成されるか、または塗布に
よって形成されたＡｇ膜と塗布によって形成された銅膜
との何れか一方の薄膜を形成することを特徴とするもの
である。
イルムでは、酸化物薄膜とプラスチックフィルムとの間
に、コート液から析出して形成されるか、または塗布に
よって形成されたＡｇ膜と塗布によって形成された銅膜
との何れか一方の薄膜を形成することを特徴とするもの
である。
【０００９】上述の如く、酸化物薄膜とプラスチックフ
イルムの間にＡｇ膜またはＣｕ膜の何れかが形成される
と、紫外線を低温で照射したとき、該紫外線をＡｇ膜ま
たはＣｕ膜によって反射させることができ、そのため、
プラスチックフィルムの有機物が紫外線によって分解す
るおそれがなくなり、またＡｇ膜の形成に際してはコー
ト液を用いて低温で形成するので、ＰＥＴフィルム１が
高温の影響を受けることもなく、従って、プラスチック
フィルムを保護することができる。しかも、Ａｇ膜また
はＣｕ膜によって反射した光が酸化物薄膜に再度照射さ
れ、光照射効率が向上し、酸化物薄膜を十分に燒結させ
ることができる。
イルムの間にＡｇ膜またはＣｕ膜の何れかが形成される
と、紫外線を低温で照射したとき、該紫外線をＡｇ膜ま
たはＣｕ膜によって反射させることができ、そのため、
プラスチックフィルムの有機物が紫外線によって分解す
るおそれがなくなり、またＡｇ膜の形成に際してはコー
ト液を用いて低温で形成するので、ＰＥＴフィルム１が
高温の影響を受けることもなく、従って、プラスチック
フィルムを保護することができる。しかも、Ａｇ膜また
はＣｕ膜によって反射した光が酸化物薄膜に再度照射さ
れ、光照射効率が向上し、酸化物薄膜を十分に燒結させ
ることができる。
【００１０】その結果、第一の従来技術に比較し、真空
装置等のように大がかりな装置が不要になるばかりでな
く、第二の従来技術に比較し、温度が低くとも酸化物薄
膜を強固に形成することができ、また第三の従来技術に
比較し、プラスチックフィルムにダメージを与えるおそ
れがない。
装置等のように大がかりな装置が不要になるばかりでな
く、第二の従来技術に比較し、温度が低くとも酸化物薄
膜を強固に形成することができ、また第三の従来技術に
比較し、プラスチックフィルムにダメージを与えるおそ
れがない。
【００１１】この場合、酸化物薄膜として、少なくとも
ＴｉＯ2とＺｒＯ2とＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ2との何れか一種
類により形成された第一層膜と、この第一層膜上にコー
ティングしかつ乾燥によって形成された第二薄膜とから
なる。該第二薄膜としては、ＴｉＯ2とＺｒＯ2とＩｎ2
Ｏ3とＳｎＯ2とＳｉＯ2との何れか一種類からなる。
ＴｉＯ2とＺｒＯ2とＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ2との何れか一種
類により形成された第一層膜と、この第一層膜上にコー
ティングしかつ乾燥によって形成された第二薄膜とから
なる。該第二薄膜としては、ＴｉＯ2とＺｒＯ2とＩｎ2
Ｏ3とＳｎＯ2とＳｉＯ2との何れか一種類からなる。
【００１２】また本発明のプラスチックフィルムでは、
酸化物薄膜としての第一層膜の屈折率が第二層膜の屈折
率より大きい部材で形成し、良好な反射防止特性を有し
たことを特徴とするものである。反射防止は、光の干渉
により行われるものがあり、高屈折率の膜上に低屈折率
の膜を積層すれば、反射防止特性が得られる。良く知ら
れているＩｎ2Ｏ3を主成分とするＩＴＯ、またＳｎＯ2
を主成分とするＡＴＯは、それぞれＳｉＯ2より屈折率
が大きく、積層化により反射防止効果が得られる。それ
以外としてはＴｉＯ2，ＺｒＯ2，Ｎｂ2Ｏ5等があり、こ
れらもＳｉＯ2より屈折率が大きい。
酸化物薄膜としての第一層膜の屈折率が第二層膜の屈折
率より大きい部材で形成し、良好な反射防止特性を有し
たことを特徴とするものである。反射防止は、光の干渉
により行われるものがあり、高屈折率の膜上に低屈折率
の膜を積層すれば、反射防止特性が得られる。良く知ら
れているＩｎ2Ｏ3を主成分とするＩＴＯ、またＳｎＯ2
を主成分とするＡＴＯは、それぞれＳｉＯ2より屈折率
が大きく、積層化により反射防止効果が得られる。それ
以外としてはＴｉＯ2，ＺｒＯ2，Ｎｂ2Ｏ5等があり、こ
れらもＳｉＯ2より屈折率が大きい。
【００１３】従って、良好な反射防止特性を得る酸化物
薄膜として、第一層膜は、ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，Ｉｎ
2Ｏ3，ＳｎＯ2，Ｎｂ2Ｏ5のうちの少なくとも何れか一
種類の酸化物であって、第二層膜は、ＳｉＯ2である。
また、第一層膜がＳｉＯ2，ＴｉＯ 2，Ｎｂ2Ｏ5，ＺｒＯ
2のうちの少なくとも一種のもので、これにＴｉＯ2，Ｎ
ｂ2Ｏ5，Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｒＯ2のうちの少なくと
も一種の微粒子が分散していてもよい。なお、反射率の
制御は各層膜の膜厚を制御すればよい。
薄膜として、第一層膜は、ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，Ｉｎ
2Ｏ3，ＳｎＯ2，Ｎｂ2Ｏ5のうちの少なくとも何れか一
種類の酸化物であって、第二層膜は、ＳｉＯ2である。
また、第一層膜がＳｉＯ2，ＴｉＯ 2，Ｎｂ2Ｏ5，ＺｒＯ
2のうちの少なくとも一種のもので、これにＴｉＯ2，Ｎ
ｂ2Ｏ5，Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｒＯ2のうちの少なくと
も一種の微粒子が分散していてもよい。なお、反射率の
制御は各層膜の膜厚を制御すればよい。
【００１４】さらに、本発明のプラスチックフイルムで
は、プラスチックフィルムの表面に形成されたＡｇ膜ま
たはＣｕ膜上に、コーティングしかつ乾燥して導電性を
有する酸化物薄膜を形成したことを特徴とするものであ
る。
は、プラスチックフィルムの表面に形成されたＡｇ膜ま
たはＣｕ膜上に、コーティングしかつ乾燥して導電性を
有する酸化物薄膜を形成したことを特徴とするものであ
る。
【００１５】プラスチックフイルム上に形成したＡｇ膜
またはＣｕ膜は、一般に導電性に優れるため、これだけ
で導電性フィルムとして機能する。しかし、プラスチッ
クフィルムに透過性が要求される場合は、Ａｇ膜または
Ｃｕ膜を薄くコートする必要がある。ところが薄くコー
トすると、Ａｇ膜またはＣｕ膜は表面抵抗値としては高
抵抗化するので、帯電防止のような高抵抗の膜でも十分
な機能を生じる場合は、薄いＡｇ膜またはＣｕ膜だけで
よい。
またはＣｕ膜は、一般に導電性に優れるため、これだけ
で導電性フィルムとして機能する。しかし、プラスチッ
クフィルムに透過性が要求される場合は、Ａｇ膜または
Ｃｕ膜を薄くコートする必要がある。ところが薄くコー
トすると、Ａｇ膜またはＣｕ膜は表面抵抗値としては高
抵抗化するので、帯電防止のような高抵抗の膜でも十分
な機能を生じる場合は、薄いＡｇ膜またはＣｕ膜だけで
よい。
【００１６】導電性プラスチックフィルムとして使用す
る場合、さらに低抵抗化が要求される。フイルムに透過
率の高い導電性フィルムとしての機能を付ける場合、透
明導電性の酸化物薄膜をコーティングする。この透明導
電性の酸化物薄膜の材料としては、上述したＩｎ2Ｏ3ま
たはＳｎＯ2を主体としたＩＴＯまたはＡＴＯを用いる
ことができる。ＩＴＯ，ＡＴＯ膜の導電性は、ＩＴＯ，
ＡＴＯを結晶化させることにより向上する。ゾルゲル法
によりＩＴＯ，ＡＴＯ膜を結晶化させるには数百℃の温
度が必要であり、プラスチックフィルム上では不可能と
なる。
る場合、さらに低抵抗化が要求される。フイルムに透過
率の高い導電性フィルムとしての機能を付ける場合、透
明導電性の酸化物薄膜をコーティングする。この透明導
電性の酸化物薄膜の材料としては、上述したＩｎ2Ｏ3ま
たはＳｎＯ2を主体としたＩＴＯまたはＡＴＯを用いる
ことができる。ＩＴＯ，ＡＴＯ膜の導電性は、ＩＴＯ，
ＡＴＯを結晶化させることにより向上する。ゾルゲル法
によりＩＴＯ，ＡＴＯ膜を結晶化させるには数百℃の温
度が必要であり、プラスチックフィルム上では不可能と
なる。
【００１７】そこで、予め結晶化したＩＴＯ，ＡＴＯの
微粒子を、ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2のうちの少なく
とも一種の酸化物中に分散させることにより、透明で導
電性の高い膜を形成する。即ち、本発明の導電性を有す
る酸化物薄膜としては、Ａｇ膜またはＣｕ膜の表面上に
コーティングしかつ乾燥して形成され、Ｉｎ2Ｏ3とＳｎ
Ｏ2との何れかを主成分とする第一の導電性層膜と、該
層膜の上にコーティングしかつ乾燥して形成され、かつ
第一の導電性層膜の微粒子間に分散するＳｉＯ2，Ｔｉ
Ｏ2，ＺｒＯ2の何れか一種類からなる第二層膜とからな
る。
微粒子を、ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2のうちの少なく
とも一種の酸化物中に分散させることにより、透明で導
電性の高い膜を形成する。即ち、本発明の導電性を有す
る酸化物薄膜としては、Ａｇ膜またはＣｕ膜の表面上に
コーティングしかつ乾燥して形成され、Ｉｎ2Ｏ3とＳｎ
Ｏ2との何れかを主成分とする第一の導電性層膜と、該
層膜の上にコーティングしかつ乾燥して形成され、かつ
第一の導電性層膜の微粒子間に分散するＳｉＯ2，Ｔｉ
Ｏ2，ＺｒＯ2の何れか一種類からなる第二層膜とからな
る。
【００１８】また本発明のプラスチックフイルムの製造
方法では、プラスチックフィルムの表面上に、コート液
から析出して形成されたＡｇ膜と塗布によって形成され
たＣｕ膜との何れか一方の薄膜を設け、次いで、何れか
一方の薄膜上に、ＴｉＯ2とＺｒＯ2とＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ
2とＮｂ2Ｏ5との何れか一種類をコーティングしかつ乾
燥して酸化物薄膜としての第一層膜を形成し、さらに、
第一層膜上に、ＴｉＯ2とＺｒＯ2とＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ2
とＳｉＯ2との何れか一種類をコーティングしかつ乾燥
して酸化物薄膜としての第二層膜を形成した後、第二層
膜に向かって紫外線を低温照射して酸化物薄膜を燒結す
ることを特徴とするものである。これにより、低温で強
固な酸化物薄膜を形成したプラスチックフィルムを的確
に製造し得る。
方法では、プラスチックフィルムの表面上に、コート液
から析出して形成されたＡｇ膜と塗布によって形成され
たＣｕ膜との何れか一方の薄膜を設け、次いで、何れか
一方の薄膜上に、ＴｉＯ2とＺｒＯ2とＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ
2とＮｂ2Ｏ5との何れか一種類をコーティングしかつ乾
燥して酸化物薄膜としての第一層膜を形成し、さらに、
第一層膜上に、ＴｉＯ2とＺｒＯ2とＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ2
とＳｉＯ2との何れか一種類をコーティングしかつ乾燥
して酸化物薄膜としての第二層膜を形成した後、第二層
膜に向かって紫外線を低温照射して酸化物薄膜を燒結す
ることを特徴とするものである。これにより、低温で強
固な酸化物薄膜を形成したプラスチックフィルムを的確
に製造し得る。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図１及び
図２により説明する。
図２により説明する。
【００２０】〔実施例１〕実施例のプラスチックフィル
ムは、図１に示すように、ポリエチレンテレフタートフ
ィルム（以下、ＰＥＴフィルムと略称す）１上に酸化物
薄膜２が形成されている。酸化物薄膜２は本例では、Ｉ
ｎ2Ｏ3を主成分とするＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2）か
らなる第一層膜２１と、その上に形成されたＳｉＯ2か
らなる第二層膜２２とからなっている。そして、これら
ＩＴＯの第一層膜２１及びＳｉＯ2の第二層膜２２から
なる酸化物薄膜２と、ＰＥＴフィルム１との間に、コー
ト液を析出することによって形成されたＡｇ膜３が設け
られている。
ムは、図１に示すように、ポリエチレンテレフタートフ
ィルム（以下、ＰＥＴフィルムと略称す）１上に酸化物
薄膜２が形成されている。酸化物薄膜２は本例では、Ｉ
ｎ2Ｏ3を主成分とするＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2）か
らなる第一層膜２１と、その上に形成されたＳｉＯ2か
らなる第二層膜２２とからなっている。そして、これら
ＩＴＯの第一層膜２１及びＳｉＯ2の第二層膜２２から
なる酸化物薄膜２と、ＰＥＴフィルム１との間に、コー
ト液を析出することによって形成されたＡｇ膜３が設け
られている。
【００２１】このＡｇ膜３は、予めＰＥＴフィルム１の
表面に銀コート液を塗布し、かつ低温で加熱乾燥するこ
とにより析出して形成される。
表面に銀コート液を塗布し、かつ低温で加熱乾燥するこ
とにより析出して形成される。
【００２２】このようなＡｇ膜３及び酸化物薄膜２を備
えたプラスチックフィルムを製作するには、次のように
して行う。
えたプラスチックフィルムを製作するには、次のように
して行う。
【００２３】まず、硝酸銀５ｗｔ％の水溶液にアンモニ
ア水を加えて沈殿させ、該沈殿が溶解するまでさらにア
ンモニア水を加え続け、その溶解後、これにアセトアル
デヒドを３ｗｔ％添加して銀コート液を作製しておく。
次いで、作製した銀コート液にＰＥＴフィルム１を浸し
た後、該ＰＥＴフィルム１をゆっくりと引き上げること
により、ＰＥＴフィルム１に銀コート液を塗布する。そ
の後、銀コート付きのＰＥＴフィルム１を６０℃で２〜
３分間程度乾燥させることにより、図１に示す如く、Ｐ
ＥＴフィルム１の表面にＡｇ膜３を析出して形成する。
ア水を加えて沈殿させ、該沈殿が溶解するまでさらにア
ンモニア水を加え続け、その溶解後、これにアセトアル
デヒドを３ｗｔ％添加して銀コート液を作製しておく。
次いで、作製した銀コート液にＰＥＴフィルム１を浸し
た後、該ＰＥＴフィルム１をゆっくりと引き上げること
により、ＰＥＴフィルム１に銀コート液を塗布する。そ
の後、銀コート付きのＰＥＴフィルム１を６０℃で２〜
３分間程度乾燥させることにより、図１に示す如く、Ｐ
ＥＴフィルム１の表面にＡｇ膜３を析出して形成する。
【００２４】また、ＰＥＴフィルム１のＡｇ膜３上に、
ＩＴＯ微粒子分散シリカゾルを塗布し、これを６０℃で
５分間加熱して乾燥することにより、ＰＥＴフィルム１
のＡｇ膜３上にＩＴＯからなる第一層膜２１を形成す
る。さらに、第一層膜２１の表面にシリカゾルを塗布
し、ＩＴＯの場合と同様６０℃で５分間加熱して乾燥す
ることにより、第一層膜２１上にＳｉＯ2からなる第二
層膜２２を形成し、これにより、ＩＴＯ／ＳｉＯ2から
なる酸化物薄膜２を積層する。
ＩＴＯ微粒子分散シリカゾルを塗布し、これを６０℃で
５分間加熱して乾燥することにより、ＰＥＴフィルム１
のＡｇ膜３上にＩＴＯからなる第一層膜２１を形成す
る。さらに、第一層膜２１の表面にシリカゾルを塗布
し、ＩＴＯの場合と同様６０℃で５分間加熱して乾燥す
ることにより、第一層膜２１上にＳｉＯ2からなる第二
層膜２２を形成し、これにより、ＩＴＯ／ＳｉＯ2から
なる酸化物薄膜２を積層する。
【００２５】但し、この状態では、何れの膜も触るだけ
で傷のつく弱い膜であるため、上記第二層膜２２に低圧
紫外線ランプを１２０℃の温度で２０分間照射し、これ
によってプラスチックフィルムを作製した。
で傷のつく弱い膜であるため、上記第二層膜２２に低圧
紫外線ランプを１２０℃の温度で２０分間照射し、これ
によってプラスチックフィルムを作製した。
【００２６】このように、ＰＥＴフィルム１上にＡｇ膜
３を析出して形成した後、そのＡｇ膜３上に塗布した第
一層膜２１及び第二層膜２２からなる酸化物薄膜２を低
温で乾燥し、かつ１２０℃の低温で紫外線を照射するこ
とにより形成するので、紫外線を照射したとき、該紫外
線をＡｇ膜３によって反射させることができる。そのた
め、ＰＥＴフィルム１中の有機物が紫外線によって分解
するおそれがなくなり、またＡｇ膜３の形成に際しては
コート液を用いて低温で形成するので、ＰＥＴフィルム
１が高温の影響を受けることもなく、従って、ＰＥＴフ
ィルム１を保護することができる。しかも、Ａｇ膜３に
よって反射した光が酸化物薄膜２に再度照射され、光照
射効率が向上し、酸化物薄膜を十分に燒結させることが
できる。
３を析出して形成した後、そのＡｇ膜３上に塗布した第
一層膜２１及び第二層膜２２からなる酸化物薄膜２を低
温で乾燥し、かつ１２０℃の低温で紫外線を照射するこ
とにより形成するので、紫外線を照射したとき、該紫外
線をＡｇ膜３によって反射させることができる。そのた
め、ＰＥＴフィルム１中の有機物が紫外線によって分解
するおそれがなくなり、またＡｇ膜３の形成に際しては
コート液を用いて低温で形成するので、ＰＥＴフィルム
１が高温の影響を受けることもなく、従って、ＰＥＴフ
ィルム１を保護することができる。しかも、Ａｇ膜３に
よって反射した光が酸化物薄膜２に再度照射され、光照
射効率が向上し、酸化物薄膜を十分に燒結させることが
できる。
【００２７】その結果、第一の従来技術に比較し、真空
装置等のように大がかりな装置が不要になるばかりでな
く、第二の従来技術に比較し、温度が低くとも酸化物薄
膜２を強固に形成することができ、また第三の従来技術
に比較し、ＰＥＴフィルムにダメージを与えるおそれが
ない。
装置等のように大がかりな装置が不要になるばかりでな
く、第二の従来技術に比較し、温度が低くとも酸化物薄
膜２を強固に形成することができ、また第三の従来技術
に比較し、ＰＥＴフィルムにダメージを与えるおそれが
ない。
【００２８】因みに、実施例の強度を比較するため、Ｐ
ＥＴフィルム上にＡｇ膜を用いないでＩＴＯ膜／ＳｉＯ
2膜の酸化物薄膜を直接形成したものを作製した。この
場合の酸化物薄膜も、１２０℃の低圧紫外線を照射しな
がら２０分間で加熱形成した。
ＥＴフィルム上にＡｇ膜を用いないでＩＴＯ膜／ＳｉＯ
2膜の酸化物薄膜を直接形成したものを作製した。この
場合の酸化物薄膜も、１２０℃の低圧紫外線を照射しな
がら２０分間で加熱形成した。
【００２９】比較においては、消しゴム試験及び引張り
試験により強度を調べた。即ち、消しゴム試験では、本
例のＡｇ膜３付きＰＥＴフィルム上の酸化物薄膜２と、
比較のＰＥＴフィルム上の酸化物薄膜とをそれぞれ２０
０回こすったところ、何れも酸化物薄膜のＳｉＯ2膜に
傷が見られなかった。しかし、引張り試験においては、
本例のものが１９．６ＭＰａであるのに対し、比較のも
のは９．８ＭＰａと半分の引張り強度しか得られなかっ
た。
試験により強度を調べた。即ち、消しゴム試験では、本
例のＡｇ膜３付きＰＥＴフィルム上の酸化物薄膜２と、
比較のＰＥＴフィルム上の酸化物薄膜とをそれぞれ２０
０回こすったところ、何れも酸化物薄膜のＳｉＯ2膜に
傷が見られなかった。しかし、引張り試験においては、
本例のものが１９．６ＭＰａであるのに対し、比較のも
のは９．８ＭＰａと半分の引張り強度しか得られなかっ
た。
【００３０】これは、本例のようにＡｇ膜３をコートし
たことにより、紫外線の影響をうけず、ＰＥＴフィルム
１を保護できると共に、全体としての引張り強度が確実
に上がることが確認できた。また、消しゴム試験から、
強度の高いＩＴＯ／ＳｉＯ2積層膜付きＰＥＴフィルム
を作製できることが明らかである。
たことにより、紫外線の影響をうけず、ＰＥＴフィルム
１を保護できると共に、全体としての引張り強度が確実
に上がることが確認できた。また、消しゴム試験から、
強度の高いＩＴＯ／ＳｉＯ2積層膜付きＰＥＴフィルム
を作製できることが明らかである。
【００３１】〔実施例２〕前述した実施例１ではＩＴＯ
微粒子のバインダーとしてＳｉＯ2を用いたが、本実施
例においては他の酸化物で代用したものである。
微粒子のバインダーとしてＳｉＯ2を用いたが、本実施
例においては他の酸化物で代用したものである。
【００３２】即ち、順を追って述べると、ＰＥＴフィル
ム１の表面に実施例１と同様にしてＡｇ膜３を形成し、
次いでＡｇ膜３上に実施例１と同様にしてＩＴＯからな
る第一層膜２１を形成する。その後、第一層膜２１の上
にバインダー用としての第二層膜２２を形成する。この
場合の第二層膜２２としては、イソプロポキシチタン，
イソプロポキシジルコニア，イソプロポキシスズ，イソ
プロポキシインジウムをそれぞれプロパノールに溶解
し、これらに微量の硝酸及び水を加えて攪拌することに
より、ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，ＳｎＯ2，Ｉｎ2Ｏ3のゾル溶
液をそれぞれ作成する。この作成したＴｉＯ2，Ｚｒ
Ｏ2，ＳｎＯ2，Ｉｎ2Ｏ3それぞのゾル溶液中に、上記Ａ
ｇ膜３及び第一層膜２１付きのＰＥＴフィルム１を浸し
た後に引き上げ、これを６０℃で５分間加熱して乾燥
し、その後１２０℃の紫外線を２０分間照射することに
より作成する。
ム１の表面に実施例１と同様にしてＡｇ膜３を形成し、
次いでＡｇ膜３上に実施例１と同様にしてＩＴＯからな
る第一層膜２１を形成する。その後、第一層膜２１の上
にバインダー用としての第二層膜２２を形成する。この
場合の第二層膜２２としては、イソプロポキシチタン，
イソプロポキシジルコニア，イソプロポキシスズ，イソ
プロポキシインジウムをそれぞれプロパノールに溶解
し、これらに微量の硝酸及び水を加えて攪拌することに
より、ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，ＳｎＯ2，Ｉｎ2Ｏ3のゾル溶
液をそれぞれ作成する。この作成したＴｉＯ2，Ｚｒ
Ｏ2，ＳｎＯ2，Ｉｎ2Ｏ3それぞのゾル溶液中に、上記Ａ
ｇ膜３及び第一層膜２１付きのＰＥＴフィルム１を浸し
た後に引き上げ、これを６０℃で５分間加熱して乾燥
し、その後１２０℃の紫外線を２０分間照射することに
より作成する。
【００３３】第二層膜２２として作成したそれぞれのＴ
ｉＯ2膜，ＺｒＯ2膜，ＳｎＯ2膜，Ｉｎ2Ｏ3膜を有する
プラスチックフィルムについても、実施例１と同様に消
しゴム試験と引張り試験とを行った。その結果、引張り
試験は何れのものの１９ＭＰａ以上であった。
ｉＯ2膜，ＺｒＯ2膜，ＳｎＯ2膜，Ｉｎ2Ｏ3膜を有する
プラスチックフィルムについても、実施例１と同様に消
しゴム試験と引張り試験とを行った。その結果、引張り
試験は何れのものの１９ＭＰａ以上であった。
【００３４】一方、消しゴム試験ではＴｉＯ2膜，Ｚｒ
Ｏ2膜が２００回こすっても傷が付かないのに対し、Ｓ
ｎＯ2膜，Ｉｎ2Ｏ3膜のそれぞれが１００回と半分でか
なりの傷が付いた。
Ｏ2膜が２００回こすっても傷が付かないのに対し、Ｓ
ｎＯ2膜，Ｉｎ2Ｏ3膜のそれぞれが１００回と半分でか
なりの傷が付いた。
【００３５】この結果によれば、ＴｉＯ2，ＺｒＯ2は実
施例１のようにＳｉＯ2からなる第二層膜膜２２の場合
と同様、バインダーとして強い酸化物薄膜を得ることが
できる。しかし、ＳｎＯ2，Ｉｎ2Ｏ3はそれ自身では膜
強度が不充分であるため、ＴｉＯ2，ＺｒＯ2またはＳｉ
Ｏ2中に添加するか、あるいは酸化物微粒子を分散させ
る方が好ましいと云うことがわかった。
施例１のようにＳｉＯ2からなる第二層膜膜２２の場合
と同様、バインダーとして強い酸化物薄膜を得ることが
できる。しかし、ＳｎＯ2，Ｉｎ2Ｏ3はそれ自身では膜
強度が不充分であるため、ＴｉＯ2，ＺｒＯ2またはＳｉ
Ｏ2中に添加するか、あるいは酸化物微粒子を分散させ
る方が好ましいと云うことがわかった。
【００３６】そこで、本例では、さらにＴｉＯ2，Ｚｒ
Ｏ2それぞれの溶液中に、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とするＩＴ
Ｏの微粒子，あるいはＳｎＯ2を主成分とするＡＴＯ微
粒子を分散させた溶液を作成し、これらをそれぞれＰＥ
Ｔフィルム１の第一層膜２１上にコートし、これを６０
℃で乾燥した後、１２０℃で２０分間紫外線を照射する
ことにより、ＩＴＯ分散ＴｉＯ2膜，ＡＴＯ分散ＴｉＯ2
膜，ＩＴＯ分散ＺｒＯ2膜，ＡＴＯ分散ＺｒＯ2膜をそれ
ぞれ形成する。それぞれのプラスチックフィルムについ
て消しゴム試験を行ったところ、何れの膜も２００回こ
すっても傷が付かず、強固な酸化物薄膜を有するプラス
チックフィルムを得ることができた。
Ｏ2それぞれの溶液中に、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とするＩＴ
Ｏの微粒子，あるいはＳｎＯ2を主成分とするＡＴＯ微
粒子を分散させた溶液を作成し、これらをそれぞれＰＥ
Ｔフィルム１の第一層膜２１上にコートし、これを６０
℃で乾燥した後、１２０℃で２０分間紫外線を照射する
ことにより、ＩＴＯ分散ＴｉＯ2膜，ＡＴＯ分散ＴｉＯ2
膜，ＩＴＯ分散ＺｒＯ2膜，ＡＴＯ分散ＺｒＯ2膜をそれ
ぞれ形成する。それぞれのプラスチックフィルムについ
て消しゴム試験を行ったところ、何れの膜も２００回こ
すっても傷が付かず、強固な酸化物薄膜を有するプラス
チックフィルムを得ることができた。
【００３７】〔実施例３〕ところで、実施例１のプラス
チックフィルムは、第一層膜２１として導電性のＩＴＯ
微粒子が分散しており、さらにＡｇ膜３が形成されてい
ることから導電性フィルムとなっている。しかし、Ａｇ
膜３の膜厚が厚いと、プラスチックフィルム全体として
の透過性が無くなるため、本例では、透過性を必要とす
るプラスチックフィルムを得るようにしたものである。
チックフィルムは、第一層膜２１として導電性のＩＴＯ
微粒子が分散しており、さらにＡｇ膜３が形成されてい
ることから導電性フィルムとなっている。しかし、Ａｇ
膜３の膜厚が厚いと、プラスチックフィルム全体として
の透過性が無くなるため、本例では、透過性を必要とす
るプラスチックフィルムを得るようにしたものである。
【００３８】例えば、硝酸銀として、ｗｔ％がそれぞれ
０．５と１．０と２．０と５．０と１０と２０との水溶
液にアンモニア水を加えて沈殿させ、該沈殿が溶解する
までさらにアンモニア水を加え続け、その溶解後、これ
にアセトアルデヒドを３ｗｔ％添加して銀コート液をそ
れぞれ作製しておく。次いで、作製した銀コート液にＰ
ＥＴフィルム１を浸し、該ＰＥＴフィルム１をゆっくり
と引き上げることにより、ＰＥＴフィルム１に銀コート
液を塗布する。その後、銀コート付きのＰＥＴフィルム
１を６０℃で乾燥させることにより、図２に示す如く、
ＰＥＴフィルム１の表面にＡｇ膜３を析出して形成す
る。
０．５と１．０と２．０と５．０と１０と２０との水溶
液にアンモニア水を加えて沈殿させ、該沈殿が溶解する
までさらにアンモニア水を加え続け、その溶解後、これ
にアセトアルデヒドを３ｗｔ％添加して銀コート液をそ
れぞれ作製しておく。次いで、作製した銀コート液にＰ
ＥＴフィルム１を浸し、該ＰＥＴフィルム１をゆっくり
と引き上げることにより、ＰＥＴフィルム１に銀コート
液を塗布する。その後、銀コート付きのＰＥＴフィルム
１を６０℃で乾燥させることにより、図２に示す如く、
ＰＥＴフィルム１の表面にＡｇ膜３を析出して形成す
る。
【００３９】また、ＰＥＴフィルム１のＡｇ膜３上に酸
化物薄膜２としてシリカゾルを塗布し、これを６０℃で
５分間乾燥した後、１２０℃で低圧紫外線ランプにより
２０分間照射することにより、ＰＥＴフィルム１とＡｇ
膜３とＳｉＯ2からなる酸化物薄膜２との三層構造のプ
ラスチックフィルムを作成した。
化物薄膜２としてシリカゾルを塗布し、これを６０℃で
５分間乾燥した後、１２０℃で低圧紫外線ランプにより
２０分間照射することにより、ＰＥＴフィルム１とＡｇ
膜３とＳｉＯ2からなる酸化物薄膜２との三層構造のプ
ラスチックフィルムを作成した。
【００４０】この場合、Ａｇ膜３については、硝酸銀濃
度の異なるそれぞれの溶液を用い、それぞれの溶液によ
って作成したプラスチックフィルムについて、透過率，
表面抵抗，膜厚を測定した結果を表１に示す。なお、膜
厚は酸化物薄膜２としてのシリカが表面にコーティング
されているため、フィルムを切断し、その断面をＴＥＭ
（透過型電子顕微鏡）を用いてＡｇ膜３の厚さを測定し
た。
度の異なるそれぞれの溶液を用い、それぞれの溶液によ
って作成したプラスチックフィルムについて、透過率，
表面抵抗，膜厚を測定した結果を表１に示す。なお、膜
厚は酸化物薄膜２としてのシリカが表面にコーティング
されているため、フィルムを切断し、その断面をＴＥＭ
（透過型電子顕微鏡）を用いてＡｇ膜３の厚さを測定し
た。
【００４１】
【表１】
【００４２】上記表１より、硝酸銀の濃度によりＡｇ膜
３の膜厚を制御できることが理解できよう。但し、電子
顕微鏡の観察ではＡｇ膜３の膜厚が５ｎｍ以下の極めて
薄いものの場合、Ａｇ膜の付いていない部分もあり、均
一性に劣ることも分かった。また、膜厚の増加に伴い、
透過率が確実に小さくなるばかりでなく、表面抵抗もほ
ぼ小さくなることが分かった。これらの結果から総合す
ると、プラスチックフィルムに透過性が要求される場
合、Ａｇ膜３の膜厚を３０ｎｍ以下に、より正確には１
０〜３０ｎｍにすることが好ましい。また、導電性が要
求される場合は２０ｎｍ以上にすることが好ましい。さ
らに、透過性と導電性との両方を満足するためには膜厚
が２０〜３０ｎｍにする必要があることが望ましい。
３の膜厚を制御できることが理解できよう。但し、電子
顕微鏡の観察ではＡｇ膜３の膜厚が５ｎｍ以下の極めて
薄いものの場合、Ａｇ膜の付いていない部分もあり、均
一性に劣ることも分かった。また、膜厚の増加に伴い、
透過率が確実に小さくなるばかりでなく、表面抵抗もほ
ぼ小さくなることが分かった。これらの結果から総合す
ると、プラスチックフィルムに透過性が要求される場
合、Ａｇ膜３の膜厚を３０ｎｍ以下に、より正確には１
０〜３０ｎｍにすることが好ましい。また、導電性が要
求される場合は２０ｎｍ以上にすることが好ましい。さ
らに、透過性と導電性との両方を満足するためには膜厚
が２０〜３０ｎｍにする必要があることが望ましい。
【００４３】〔実施例４〕実施例１では、ＩＴＯからな
る第一層膜２１上にＳｉＯ2からなる第二層膜２２が積
層されることにより、屈折率の異なる二種類の膜で反射
防止機能を果たしているが、本例では、その反射防止機
能をさらに良好にしたものである。
る第一層膜２１上にＳｉＯ2からなる第二層膜２２が積
層されることにより、屈折率の異なる二種類の膜で反射
防止機能を果たしているが、本例では、その反射防止機
能をさらに良好にしたものである。
【００４４】即ち、硝酸銀２ｗｔ％水溶液にアンモニア
を加えて沈殿させ、該沈殿が溶解するまでアンモニア水
を加え続け、その溶解後、これにアセトアルデヒドを５
ｗｔ％添加して銀コート液を作製し、この銀コート液に
ＰＥＴフィルムを浸した後、該ＰＥＴフィルムをを引き
上げることにより、ＰＥＴフィルム上に銀コート液を塗
布する。その後、銀コート付きのＰＥＴフィルムを実施
例１と同様に６０℃で乾燥し、ＰＥＴフィルム１の表面
にＡｇ膜３を析出して形成する。
を加えて沈殿させ、該沈殿が溶解するまでアンモニア水
を加え続け、その溶解後、これにアセトアルデヒドを５
ｗｔ％添加して銀コート液を作製し、この銀コート液に
ＰＥＴフィルムを浸した後、該ＰＥＴフィルムをを引き
上げることにより、ＰＥＴフィルム上に銀コート液を塗
布する。その後、銀コート付きのＰＥＴフィルムを実施
例１と同様に６０℃で乾燥し、ＰＥＴフィルム１の表面
にＡｇ膜３を析出して形成する。
【００４５】次に酸化物薄膜２の第一層膜２１として、
イソプロポキシチタン，イソプロポキシジルコニア，イ
ソプロポキシスズ，イソプロポキシインジウム，イソプ
ロポキシニオブを用意し、これらをそれぞれプロパノー
ルに溶解すると共に、微量の硝酸及び水を加えて攪拌す
ることにより、ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，ＳｎＯ2，Ｉｎ
2Ｏ3，Ｎｂ2Ｏ5それぞれのゾル溶液を作製する。
イソプロポキシチタン，イソプロポキシジルコニア，イ
ソプロポキシスズ，イソプロポキシインジウム，イソプ
ロポキシニオブを用意し、これらをそれぞれプロパノー
ルに溶解すると共に、微量の硝酸及び水を加えて攪拌す
ることにより、ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，ＳｎＯ2，Ｉｎ
2Ｏ3，Ｎｂ2Ｏ5それぞれのゾル溶液を作製する。
【００４６】このようにして作製したそれぞれのゾル溶
液を、ＰＥＴフィルム１表面のＡｇ膜３上に塗布し、こ
れを６０℃で５分間加熱して乾燥することにより、酸化
物薄膜２としての第一層膜２１をそれぞれ形成し、その
後、第一層膜２１の表面にシリカゾルを塗布して同様に
６０℃で５分間加熱し乾燥することにより酸化物薄膜と
しての第二層膜２２を形成する。従って、Ａｇ膜３上に
Ｔｉ０2／ＳｉＯ2と、ＺｒＯ2／ＳｉＯ2と、ＳｎＯ2／
ＳｉＯ2と、Ｉｎ2Ｏ3／ＳｉＯ2と、Ｎｂ2Ｏ5／ＳｉＯ2
とのそれぞれからなる積層膜を別個に形成する。
液を、ＰＥＴフィルム１表面のＡｇ膜３上に塗布し、こ
れを６０℃で５分間加熱して乾燥することにより、酸化
物薄膜２としての第一層膜２１をそれぞれ形成し、その
後、第一層膜２１の表面にシリカゾルを塗布して同様に
６０℃で５分間加熱し乾燥することにより酸化物薄膜と
しての第二層膜２２を形成する。従って、Ａｇ膜３上に
Ｔｉ０2／ＳｉＯ2と、ＺｒＯ2／ＳｉＯ2と、ＳｎＯ2／
ＳｉＯ2と、Ｉｎ2Ｏ3／ＳｉＯ2と、Ｎｂ2Ｏ5／ＳｉＯ2
とのそれぞれからなる積層膜を別個に形成する。
【００４７】次に、作製したそれぞれの酸化物薄膜を１
２０℃で紫外線を２０分照射することによりプラスチッ
クフィルムを作製する。
２０℃で紫外線を２０分照射することによりプラスチッ
クフィルムを作製する。
【００４８】上記の如き作製した積層膜の反射率を測定
したところ、以下の表２の結果となった。なお、反射率
は視感感度が最も大きい波長である５６０ｎｍの値を評
価した。
したところ、以下の表２の結果となった。なお、反射率
は視感感度が最も大きい波長である５６０ｎｍの値を評
価した。
【００４９】
【表２】
【００５０】表２により、反射率は何れもフィルム表面
反射率より低くなり、反射防止特性を有したプラスチッ
クフィルムを作製することができる。また、表面抵抗を
測定した結果、何れのフィルムも１０8Ω／□代の値で
あり、帯電防止効果も有している。このように、Ａｇ膜
３付きＰＥＴフィルム１上に、第一層膜２１と第二層膜
２２とからなる酸化物薄膜２を積層することにより、反
射防止機能と帯電防止機能とを有するプラスチックフィ
ルムを得ることができる。
反射率より低くなり、反射防止特性を有したプラスチッ
クフィルムを作製することができる。また、表面抵抗を
測定した結果、何れのフィルムも１０8Ω／□代の値で
あり、帯電防止効果も有している。このように、Ａｇ膜
３付きＰＥＴフィルム１上に、第一層膜２１と第二層膜
２２とからなる酸化物薄膜２を積層することにより、反
射防止機能と帯電防止機能とを有するプラスチックフィ
ルムを得ることができる。
【００５１】ところで、上記プラスチックフィルムは、
酸化物薄膜２を低温で形成しており、屈折率の値が酸化
物本来の値となっていない。
酸化物薄膜２を低温で形成しており、屈折率の値が酸化
物本来の値となっていない。
【００５２】そこで、第一層膜２１の屈折率を大きくす
るため、ＰＥＴフィルム上に以下の表３に示す如き材質
の第一層膜を形成し、その反射率を調べた。
るため、ＰＥＴフィルム上に以下の表３に示す如き材質
の第一層膜を形成し、その反射率を調べた。
【００５３】
【表３】
【００５４】結果は、上記のように反射率が何れも１％
以下となったが、第一層膜２１としては、所望のものを
それぞれ個々に選択してもよいが、何れかを組み合わせ
てもよいものである。このように高屈折率を有するＴｉ
Ｏ2，Ｎｂ2Ｏ5，ＺｒＯ2の何れかまたは混合系に、Ｔｉ
Ｏ2，Ｎｂ2Ｏ5，ＩＴＯ，ＡＴＯからなる酸化物微粒子
を分散することで優れた反射防止特性を有するプラスチ
ックフィルムを得ることができる。
以下となったが、第一層膜２１としては、所望のものを
それぞれ個々に選択してもよいが、何れかを組み合わせ
てもよいものである。このように高屈折率を有するＴｉ
Ｏ2，Ｎｂ2Ｏ5，ＺｒＯ2の何れかまたは混合系に、Ｔｉ
Ｏ2，Ｎｂ2Ｏ5，ＩＴＯ，ＡＴＯからなる酸化物微粒子
を分散することで優れた反射防止特性を有するプラスチ
ックフィルムを得ることができる。
【００５５】〔実施例５〕前述した実施例３の結果か
ら、透過率８０％以上では表面抵抗が１０7（Ω／□）
以上で、かつ１０4（Ω／□）以下の導電性フィルムと
するには、Ａｇ膜３だけでは不可能であることがわかっ
た。そこで、本例では、透明導電性酸化物を積層するこ
とにより、透過率８０％以上で、かつ低抵抗化が可能か
否かを調べた。
ら、透過率８０％以上では表面抵抗が１０7（Ω／□）
以上で、かつ１０4（Ω／□）以下の導電性フィルムと
するには、Ａｇ膜３だけでは不可能であることがわかっ
た。そこで、本例では、透明導電性酸化物を積層するこ
とにより、透過率８０％以上で、かつ低抵抗化が可能か
否かを調べた。
【００５６】即ち、硝酸Ａｇ２ｗｔ％の水溶液から実施
例４と同様にすることにより、ＰＥＴフィルム１上にＡ
ｇ膜３を析出して形成する。
例４と同様にすることにより、ＰＥＴフィルム１上にＡ
ｇ膜３を析出して形成する。
【００５７】次に、そのＡｇ膜３の表面上に、ＩＴＯ微
粒子分散液をそれぞれ１．０，２．０，５．０，１０ｗ
ｔ％塗布し、これらを６０℃で５分間乾燥することによ
りＩＴＯからなる第一層膜２１を形成し、この第一層膜
２１上に保護膜としてシリカゾルを塗布し、これを６０
℃で５分間乾燥してＡｇ膜３上にＩＴＯ／ＳｉＯ2の酸
化物薄膜２を形成し、これに前述した実施例と同様にし
て紫外線を照射することにより、プラスチックフィルム
を作製した。
粒子分散液をそれぞれ１．０，２．０，５．０，１０ｗ
ｔ％塗布し、これらを６０℃で５分間乾燥することによ
りＩＴＯからなる第一層膜２１を形成し、この第一層膜
２１上に保護膜としてシリカゾルを塗布し、これを６０
℃で５分間乾燥してＡｇ膜３上にＩＴＯ／ＳｉＯ2の酸
化物薄膜２を形成し、これに前述した実施例と同様にし
て紫外線を照射することにより、プラスチックフィルム
を作製した。
【００５８】この作製したプラスチックフィルムの透過
率及び表面抵抗を測定したところ、以下の表４の結果と
なった。なお、プラスチックフィルムの断面をＴＥＭ
（透過型電子顕微鏡）で観察したところ、第二層膜２２
中のＳｉＯ2が第一層膜２１のＩＴＯの微粒子間に侵入
していた。従って、酸化物薄膜２としては、ＩＴＯ微粒
子がＳｉＯ2中に分散した状態になっていることが確認
された。
率及び表面抵抗を測定したところ、以下の表４の結果と
なった。なお、プラスチックフィルムの断面をＴＥＭ
（透過型電子顕微鏡）で観察したところ、第二層膜２２
中のＳｉＯ2が第一層膜２１のＩＴＯの微粒子間に侵入
していた。従って、酸化物薄膜２としては、ＩＴＯ微粒
子がＳｉＯ2中に分散した状態になっていることが確認
された。
【００５９】
【表４】
【００６０】上記表４より、Ａｇ膜３が薄くかつ抵抗が
高い場合でも、酸化物薄膜２のＩＴＯ微粒子が分散する
ことにより、低抵抗化できることが確認された。この場
合、ＩＴＯ膜の代わりとして、ＡＴＯ微粒子を用いて同
様に第一層膜２２を作製した結果、表面抵抗が１０
4（Ω／□）代の導電性プラスチックフィルムが得られ
た。
高い場合でも、酸化物薄膜２のＩＴＯ微粒子が分散する
ことにより、低抵抗化できることが確認された。この場
合、ＩＴＯ膜の代わりとして、ＡＴＯ微粒子を用いて同
様に第一層膜２２を作製した結果、表面抵抗が１０
4（Ω／□）代の導電性プラスチックフィルムが得られ
た。
【００６１】このようなプラスチックフィルムは、酸化
物薄膜２としての第一層膜２１では膜強度がないため、
上述の如くＳｉＯ2からなる第二層膜２２を保護膜とし
ているが、該保護膜としてはＳｉＯ2の他、実施例２に
おいて前述した如く、ＴｉＯ2またはＺｒＯ2を用いるこ
ともできる。
物薄膜２としての第一層膜２１では膜強度がないため、
上述の如くＳｉＯ2からなる第二層膜２２を保護膜とし
ているが、該保護膜としてはＳｉＯ2の他、実施例２に
おいて前述した如く、ＴｉＯ2またはＺｒＯ2を用いるこ
ともできる。
【００６２】そこで、ＳｉＯ2の代わりに、ＴｉＯ2また
はＺｒＯ2を保護膜として同様にプラスチックフィルム
を作製し、その表面抵抗を測定すると共に、消しゴム試
験を行った。その結果は、何れの膜も抵抗値が１０
4（Ω／□）代の値であり、消しゴム試験では２００こ
すっても傷のない強い膜を得ることがわかった。
はＺｒＯ2を保護膜として同様にプラスチックフィルム
を作製し、その表面抵抗を測定すると共に、消しゴム試
験を行った。その結果は、何れの膜も抵抗値が１０
4（Ω／□）代の値であり、消しゴム試験では２００こ
すっても傷のない強い膜を得ることがわかった。
【００６３】このように、保護膜としてのＳｉＯ2，Ｔ
ｉＯ2，ＺｒＯ2膜の何れかに、導電性酸化物であるＡＴ
Ｏ微粒子とＩＴＯ微粒子との何れかを分散させることに
より、透過率が約８０％以上で、かつ抵抗の低い透明導
電性プラスチックフィルムを製作することができる。
ｉＯ2，ＺｒＯ2膜の何れかに、導電性酸化物であるＡＴ
Ｏ微粒子とＩＴＯ微粒子との何れかを分散させることに
より、透過率が約８０％以上で、かつ抵抗の低い透明導
電性プラスチックフィルムを製作することができる。
【００６４】なお、これまで述べた実施例１〜５の各々
では、硝酸銀に基づいてＡｇ膜３を形成した例を示した
が、Ａｇ膜３の代わりとしてＣｕ膜を形成しても、Ａｇ
膜３の場合とほぼ同様の結果を得ることができ、Ｃｕ膜
も有効である。このようなＡｇ，Ｃｕのコート液は、以
下のように作製したＡｇあるいはＣｕ微粒子分散液を用
いることができる。
では、硝酸銀に基づいてＡｇ膜３を形成した例を示した
が、Ａｇ膜３の代わりとしてＣｕ膜を形成しても、Ａｇ
膜３の場合とほぼ同様の結果を得ることができ、Ｃｕ膜
も有効である。このようなＡｇ，Ｃｕのコート液は、以
下のように作製したＡｇあるいはＣｕ微粒子分散液を用
いることができる。
【００６５】例えば、直径１ｍｍのＡｇあるいはＣｕ線
で電極を形成し、これに３０〜１００Ｖの直流電源と可
変抵抗をつなぐ。また、蒸留水を蒸発皿に入れ、氷で冷
やしておく。次に、蒸留水中でＡｇあるいはＣｕ電極を
接触させてから静かに話し、アークを生じさせると、Ａ
ｇ（Ｃｕ）の微粒子分散液が得られる。このときの電流
は５Ａくらいになるように可変抵抗で調節する。
で電極を形成し、これに３０〜１００Ｖの直流電源と可
変抵抗をつなぐ。また、蒸留水を蒸発皿に入れ、氷で冷
やしておく。次に、蒸留水中でＡｇあるいはＣｕ電極を
接触させてから静かに話し、アークを生じさせると、Ａ
ｇ（Ｃｕ）の微粒子分散液が得られる。このときの電流
は５Ａくらいになるように可変抵抗で調節する。
【００６６】また、分散液を蒸留水ではなく、有機溶媒
（エタノール，プロバノールなど）を用いるときは、直
流でなく高周波の交流を用いれば、作製することができ
る。このようにして得られたＡｇ，Ｃｕ微粒子分散液を
コート液に用いれば、フィルム上にコーティングして乾
燥することにより、簡単にＡｇ，Ｃｕ膜を得ることがで
きる。
（エタノール，プロバノールなど）を用いるときは、直
流でなく高周波の交流を用いれば、作製することができ
る。このようにして得られたＡｇ，Ｃｕ微粒子分散液を
コート液に用いれば、フィルム上にコーティングして乾
燥することにより、簡単にＡｇ，Ｃｕ膜を得ることがで
きる。
【００６７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の請求項１〜
３によれば、酸化物薄膜とプラスチックフィルムとの間
に、コート液から析出して形成されたＡｇ膜と塗布によ
って形成されたＣｕ膜との何れか一方の薄膜を形成した
ので、酸化物薄膜に紫外線を照射したとき、該紫外線を
前記一方の薄膜によって反射させることができ、また一
方の薄膜を低温で形成したとき、プラスチックフィルム
が高温の影響を受けることがないことにより、プラスチ
ックフィルムを確実に保護できる。従って、真空装置等
のように大がかりな装置が不要になるばかりでなく、温
度が低くとも酸化物薄膜２を強固に形成することがで
き、プラスチックフィルムにダメージを与えるおそれが
ない結果、低温で高強度の酸化物薄膜を容易に形成で
き、しかも低廉化を図り得る効果がある。
３によれば、酸化物薄膜とプラスチックフィルムとの間
に、コート液から析出して形成されたＡｇ膜と塗布によ
って形成されたＣｕ膜との何れか一方の薄膜を形成した
ので、酸化物薄膜に紫外線を照射したとき、該紫外線を
前記一方の薄膜によって反射させることができ、また一
方の薄膜を低温で形成したとき、プラスチックフィルム
が高温の影響を受けることがないことにより、プラスチ
ックフィルムを確実に保護できる。従って、真空装置等
のように大がかりな装置が不要になるばかりでなく、温
度が低くとも酸化物薄膜２を強固に形成することがで
き、プラスチックフィルムにダメージを与えるおそれが
ない結果、低温で高強度の酸化物薄膜を容易に形成で
き、しかも低廉化を図り得る効果がある。
【００６８】また、請求項４，５によれば、優れた反射
防止特性を有するプラスチックフイルムを得ることがで
きる効果がある。請求項６，７によれば、抵抗の低いプ
ラスチックフイルムを得ることができ、特に請求項７に
よれば、透過率が高くかつ抵抗の低い透明導電性プラス
チックを容易に得ることができる効果がある。
防止特性を有するプラスチックフイルムを得ることがで
きる効果がある。請求項６，７によれば、抵抗の低いプ
ラスチックフイルムを得ることができ、特に請求項７に
よれば、透過率が高くかつ抵抗の低い透明導電性プラス
チックを容易に得ることができる効果がある。
【００６９】そして、請求項８，９によれば、プラスチ
ックフィルムの表面上に、コート液から析出して形成さ
れたＡｇ膜と塗布によって形成されたＣｕ膜との何れか
一方の薄膜を設け、次いで、何れか一方の薄膜上に、Ｔ
ｉＯ2とＺｒＯ2とＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ2とＮｂ2Ｏ5との何
れか一種類をコーティングしかつ乾燥して酸化物薄膜と
しての第一層膜を形成し、さらに、第一層膜上に、Ｔｉ
Ｏ2とＺｒＯ2とＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ2とＳｉＯ2との何れか
一種類をコーティングしかつ乾燥して酸化物薄膜として
の第二層膜を形成した後、第二層膜に向かって紫外線を
低温照射して酸化物薄膜を燒結するように構成したの
で、低温で高強度の酸化物薄膜を備えたプラスチックフ
ィルムを的確に製造し得る効果がある。特に請求項９に
よれば、透過率が高くかつ抵抗の低い透明導電性プラス
チックを的確に製造し得る効果がある。
ックフィルムの表面上に、コート液から析出して形成さ
れたＡｇ膜と塗布によって形成されたＣｕ膜との何れか
一方の薄膜を設け、次いで、何れか一方の薄膜上に、Ｔ
ｉＯ2とＺｒＯ2とＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ2とＮｂ2Ｏ5との何
れか一種類をコーティングしかつ乾燥して酸化物薄膜と
しての第一層膜を形成し、さらに、第一層膜上に、Ｔｉ
Ｏ2とＺｒＯ2とＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ2とＳｉＯ2との何れか
一種類をコーティングしかつ乾燥して酸化物薄膜として
の第二層膜を形成した後、第二層膜に向かって紫外線を
低温照射して酸化物薄膜を燒結するように構成したの
で、低温で高強度の酸化物薄膜を備えたプラスチックフ
ィルムを的確に製造し得る効果がある。特に請求項９に
よれば、透過率が高くかつ抵抗の低い透明導電性プラス
チックを的確に製造し得る効果がある。
【図１】本発明のプラスチックフィルムの実施例１，実
施例２，実施例４，実施例５を示す断面図。
施例２，実施例４，実施例５を示す断面図。
【図２】本発明のプラスチックフィルムの実施例３を示
す断面図。
す断面図。
１…ＰＥＴフィルム、２…酸化物薄膜、２１…第一層
膜、２２…第二層膜、３…Ａｇ膜。
膜、２２…第二層膜、３…Ａｇ膜。
フロントページの続き (72)発明者 大石 知司 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 高橋 研 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 長井 陽三 大阪府茨木市下穂積一丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 古内 浩二 大阪府茨木市下穂積一丁目１番２号 日東 電工株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 プラスチックフィルム上に酸化物薄膜を
形成したものにおいて、酸化物薄膜とプラスチックフィ
ルムとの間に、コート液から析出して形成されるか、ま
たは塗布によって形成されたＡｇ膜と塗布によって形成
されたＣｕ膜との何れか一方の薄膜を形成することを特
徴とする酸化物薄膜を備えたプラスチックフィルム。 - 【請求項２】 プラスチックフィルム上に酸化物薄膜を
形成したものにおいて、酸化物薄膜とプラスチックフィ
ルムとの間に、コート液から析出して形成されるか、ま
たは塗布によって形成されたＡｇ膜と塗布によって形成
されたＣｕ膜との何れか一方の薄膜を形成し、該一方の
薄膜の表面上に前記酸化物薄膜として、少なくともＴｉ
Ｏ2とＺｒＯ2とＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ2との何れか一種類に
より形成された第一層膜と、該第一層膜上にコーティン
グしかつ乾燥によって形成された第二層膜とからなるこ
とを特徴とする酸化物薄膜を備えたプラスチックフィル
ム。 - 【請求項３】 前記第二層膜は、ＴｉＯ2とＺｒＯ2とＩ
ｎ2Ｏ3とＳｎＯ2とＳｉＯ2との何れか一種類からなるこ
とを特徴とする請求項２に記載の酸化物薄膜を備えたプ
ラスチックフイルム。 - 【請求項４】 プラスチックフィルム上に酸化物薄膜を
形成したものにおいて、酸化物薄膜とプラスチックフィ
ルムとの間に、コート液から析出して形成されるか、ま
たは塗布によって形成されたＡｇ膜と塗布によって形成
されたＣｕ膜との何れか一方の薄膜を形成し、前記酸化
物薄膜として、前記一方の薄膜上に形成される第一層膜
と、該第一層膜の上に形成される第二層膜とからなり、
第一層膜の屈折率が第二層膜の屈折率より大きい部材で
形成したことを特徴とする酸化物薄膜を備えたプラスチ
ックフィルム。 - 【請求項５】 前記酸化物薄膜は、少なくともＴｉＯ2
とＺｒＯ2とＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ2とＮｂ2Ｏ5との何れか一
種類をコーティングしかつ乾燥して第一層膜を形成する
と共に、該第一層膜上にＳｉＯ2をコーティングしかつ
乾燥して第二層膜を形成することを特徴とする請求項４
に記載の酸化物薄膜を備えたプラスチックフィルム。 - 【請求項６】 プラスチックフィルム上に酸化物薄膜を
形成したものにおいて、酸化物薄膜とプラスチックフィ
ルムとの間に、コート液から析出して形成されるか、ま
たは塗布によって形成されたＡｇ膜と塗布によって形成
されたＣｕ膜との何れか一方の薄膜を形成し、該一方の
薄膜の表面上に、コーティングしかつ乾燥して導電性を
有する酸化物薄膜を形成することを特徴とする酸化物薄
膜を備えたプラスチックフィルム。 - 【請求項７】 前記導電性を有する酸化物薄膜は、前記
一方の薄膜の表面上にコーティングしかつ乾燥して形成
され、Ｉｎ2Ｏ3とＳｎＯ2との何れかを主成分とする第
一の導電性薄膜と、該第一の導電性薄膜の上にコーティ
ングしかつ乾燥して形成され、かつ第一の導電性薄膜の
微粒子間に分散すると共に、ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，ＺｒＯ
2の少なくとも何れか一種類からなる第二層膜とからな
ることを特徴とする請求項６に記載の酸化物薄膜を備え
たプラスチックフィルム。 - 【請求項８】 プラスチックフィルム上に酸化物薄膜を
形成する方法において、プラスチックフィルムの表面上
に、コート液から析出して形成されるか、または塗布に
よって形成されたＡｇ膜と塗布によって形成されたＣｕ
膜との何れか一方の薄膜を設け、次いで、何れか一方の
薄膜上に、ＴｉＯ2とＺｒＯ2とＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ2とＮ
ｂ2Ｏ5との何れか一種類をコーティングしかつ乾燥して
酸化物薄膜としての第一層膜を形成し、さらに、第一層
膜上に、ＴｉＯ2とＺｒＯ2とＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ2とＳｉ
Ｏ2との何れか一種類をコーティングしかつ乾燥して酸
化物薄膜としての第二層膜を形成した後、第二層膜に向
かって紫外線を低温照射して酸化物薄膜を燒結すること
を特徴とする酸化物薄膜を備えたプラスチックフィルム
の製造方法。 - 【請求項９】 プラスチックフィルム上に酸化物薄膜を
形成する方法において、プラスチックフィルムの表面上
に、コート液から析出して形成されるか、または塗布に
よって形成されたＡｇ膜と塗布によって形成されたＣｕ
膜との何れか一方の薄膜を形成し、次いで、何れか一方
の薄膜上に、Ｉｎ2Ｏ3とＳｎＯ2との何れか一種類をコ
ーティングしかつ乾燥して酸化物薄膜としての第一層膜
を形成し、さらに、第一層膜上に、ＳｉＯ2とＴｉＯ2と
ＺｒＯ2との少なくとも何れか一種類をコーティングし
かつ乾燥して酸化物薄膜としての第二層膜を形成した
後、第二層膜に向かって紫外線を低温照射して酸化物薄
膜を燒結することを特徴とする酸化物薄膜を備えたプラ
スチックフィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30032396A JPH10138385A (ja) | 1996-11-12 | 1996-11-12 | 酸化物薄膜を備えたプラスチックフィルム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30032396A JPH10138385A (ja) | 1996-11-12 | 1996-11-12 | 酸化物薄膜を備えたプラスチックフィルム及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10138385A true JPH10138385A (ja) | 1998-05-26 |
Family
ID=17883399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30032396A Pending JPH10138385A (ja) | 1996-11-12 | 1996-11-12 | 酸化物薄膜を備えたプラスチックフィルム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10138385A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009028569A1 (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Asahi Glass Company, Limited | 導電体層の製造方法 |
-
1996
- 1996-11-12 JP JP30032396A patent/JPH10138385A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009028569A1 (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Asahi Glass Company, Limited | 導電体層の製造方法 |
| JP5296691B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2013-09-25 | 旭硝子株式会社 | 導電体層の製造方法 |
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