JPH10135156A - 電解メッキ法 - Google Patents
電解メッキ法Info
- Publication number
- JPH10135156A JPH10135156A JP8303917A JP30391796A JPH10135156A JP H10135156 A JPH10135156 A JP H10135156A JP 8303917 A JP8303917 A JP 8303917A JP 30391796 A JP30391796 A JP 30391796A JP H10135156 A JPH10135156 A JP H10135156A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- plating
- metal
- plated
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
す際、析出するメッキ金属の厚さを変えて、メッキ金属
表面の高さをそろえる方法を提供する。 【解決手段】 電源の一方に対抗電極を、他方に被メッ
キ部を接続し、電界メッキを行う際、第1の被メッキ部
には、電源との間に整流作用を有する素子、具体的には
半導体領域で構成したダイオードを接続し、電流を供給
し、第2の被メッキ部には、半導体領域の抵抗(バル
ク)を接続し、電流を供給する。その結果、整流素子を
接続した第1の被メッキ部上に析出するメッキ金属の厚
さと、第2の被メッキ部に析出するメッキ金属の厚さが
異なることになる。析出するメッキ金属の厚さは、供給
する電荷量により調節することができる。
Description
り金属薄膜を形成する電解メッキ法に関し、特に、被メ
ッキ部に供給する電荷量の差によって、形成する金属薄
膜の膜厚を調整可能とした電解メッキ法に関する。
メッキ法があり、これらはいずれも、水溶液中の金属イ
オンを還元し、金属を析出させ、金属膜を形成する方法
である。一般的に、短時間で厚い金属膜を形成する場
合、電解メッキ法が採用される。
リードフレームを金ワイヤで接続する際、半導体素子へ
のダメージの低減、あるいは金ワイヤの接着性を向上さ
せるため、半導体素子のボンディングパッド上に厚いメ
ッキ金属を形成する場合がある。また近年、半導体装置
表面にメッキ法によりバンプを形成し、接続を行う方法
が採用されている。
成する半導体装置の断面図を示す。図において、1はn
型半導体領域、2はn型半導体領域1表面に形成された
p型半導体領域、3はp型半導体領域2上に形成された
第1の電極、4はn型半導体領域1上に形成された第2
の電極、5は電源(図示せず)に接続する金属薄膜から
なるメッキ用電極、6はメッキ用電極5上に形成され、
被メッキ部を開口するホトレジスト、7はメッキ用電極
5に電荷を供給することにより析出するメッキ金属であ
る。
を、電源の正端子に接続した対抗電極(図示せず)に対
向させて配置し、メッキ液に浸積させ、電源から電流を
供給する。ホトレジスト6の開口部に露出するメッキ用
電極5表面では、メッキ液中に溶解している金属イオン
が還元され、メッキ用電極5表面に金属が析出する。ホ
トレジスト6で被覆された部分では、金属の析出は無い
ので、ホトレジスト6の開口部に露出する第1及び第2
の電極3、4上のみにメッキ金属7が析出することにな
る。電源から供給される電子は、メッキ用電極5を通
り、半導体装置(通常は、複数の半導体装置が形成され
た半導体ウエハ)全面に均一に供給される。そのため、
析出するメッキ金属7は、第1の電極3上と第2の電極
4上とで、同じ厚さになる。
は、多層配線やメサ構造等によって段差があり、平坦で
はない。段差のある表面に、従来の電解メッキ法によ
り、メッキ金属を形成すると、析出するメッキ金属7の
厚さは均一であるため、メッキされる表面の段差に応じ
て、メッキ金属7表面の高さがばらつくことになる。
イヤをボンディングする場合、ボンディング装置がボン
ディングパッドを認識しづらくなる場合がある。また、
メッキ法により形成したバンプ電極により、表面実装構
造とする場合、高さがばらついて、接続が取れなくなる
ことがある。本発明は、上記問題を解決するため、段差
のある半導体装置表面にメッキを施す際、段差の高さに
応じて析出するメッキ金属の厚さを変え、メッキ金属表
面の高さを揃えることができる電解メッキ法を提供する
ことを目的とする。
するため、電源の一方に対抗電極を、他方に被メッキ部
を接続し、電解メッキ法により前記被メッキ部に金属を
析出させる方法において、前記被メッキ部は少なくとも
第1及び第2の被メッキ部からなり、該第1の被メッキ
部は、電源と被メッキ部との間に整流作用を有する素子
を接続し、該第1の被メッキ部表面に析出する金属厚
が、前記第2の被メッキ部表面に析出する金属厚と異な
るように、前記電源から電荷を供給することにより、被
メッキ部に析出するメッキ金属の厚さを調節し、メッキ
金属表面の高さを揃えるものである。
は、整流作用を有する素子として、半導体装置内に形成
されたダイオードを利用することで、簡便に、被メッキ
部に析出するメッキ金属の厚さを調整することができ
る。
す。図において、1は表面に半導体素子が形成されるn
型半導体領域、2はn型半導体領域1表面に形成された
p型半導体領域、3はp型半導体領域2上に形成された
第1の電極、4はn型半導体領域1上に形成された第2
の電極、6は被メッキ部を開口するホトレジスト、7は
メッキ金属、8は電源(図示せず)に接続し、n型半導
体領域1上に形成したメッキ用電極である。
極4の高さは、同一ではない。このような構造の半導体
装置をメッキ液に浸積させ、次のように電解メッキを施
す。(なお、メッキを行う際には、メッキ用電極8やn
型半導体領域1側面は、メッキ液に接触しないように、
メッキ液に不溶のマスク材でコーティングしておく。)
電源の負端子に接続されたメッキ用電極8から供給され
た電子は、n型半導体領域1及びp型半導体領域2を介
して第1の電極3に供給される。一方、第2の電極4へ
供給される電子は、n型半導体領域1を通過するのみで
ある。このとき、電源の電圧の設定によって、第1の電
極3に供給される電荷(電子)量と第2の電極4の供給
される電荷(電子)量に差が生じる。
n型半導体領域1とp型半導体領域で構成されるpn接
合ダイオードの電流−電圧特性に従い供給されるのに対
し、第2の電極4に供給される電子は、n型半導体領域
1のもつバルク抵抗の電流−電圧特性に従い供給される
ことになる。
給される電流−電圧特性を模式的に示す。第1の電極3
に供給される電流は、曲線Aで示すように、順方向では
指数関数的に電流が増加するダイオードの整流特性を示
す。一方、第2の電極4に供給される電流は、直線Bで
示すように、比例特性を示す。曲線Aで示す電流をI
A、直線Bで示す電流をIBとすると、それぞれ次のよう
に表される。 IA=I0(exp(qV/kT)−1) IB=R・V ここで、I0は飽和電流、qは素電荷量、Vは印加電
圧、kはボルツマン定数、Tは温度、Rは抵抗である。
2の電極4の被メッキ部の面積を同じとすると、同一電
圧値における図2の曲線Aと直線Bの電流値に比例した
厚さのメッキ金属が、第1の電極及び第2の電極上に析
出することになる。第1の電極3と第2の電極の被メッ
キ部の面積が同一でない場合、電流密度に比例した厚さ
のメッキ金属が形成されるので、被メッキ部の面積に応
じて、曲線Aと直線Bが交わる電圧値以下の電圧値(I
A<IBの関係を満たす範囲)を適宜設定することで、第
1の電極3上に析出するメッキ金属の厚さに比べて、第
2の電極4上に析出するメッキ金属の厚さが厚くなり、
メッキ終了後のメッキ金属表面の高さが同じになるよう
に調整できる。
構成したpn接合ダイオードを備えた半導体装置上に電
解メッキを行う場合を説明したが、本発明はpn接合ダ
イオードに限定されるものではない。例えば、半導体装
置上に形成されたPIN接合ダイオードやショットキー
接合ダイオードのような整流特性を示す半導体素子で
も、同様に、析出するメッキ金属の厚さを調整すること
が可能である。また、半導体装置上に形成された3端子
素子、例えばPNP型トランジスタやショットキー接合
トランジスタ等の各端子のうち、整流特性をもつ端子を
選択して、整流特性を示す半導体素子を形成し、析出す
るメッキ金属の厚さを調整することも可能である。
物濃度、半導体の種類によっては、バルク抵抗が大き
く、順方向電流の大きいダイオードが形成される場合も
ある。このような半導体装置についても、本発明を適用
することが可能である。この場合、前述の実施の形態と
異なり、整流作用を有するダイオードを接続した電極上
に析出するメッキ金属厚に比べて、バルク抵抗が接続す
る電極上に析出するメッキ金属厚の方が薄くなる。段差
の上にバルク抵抗の接続する電極があり、段差の下に整
流作用を有するダイオードが接続されるような構造の場
合は、このような組み合わせを選択すればよい。
形成方法も、半導体領域の裏面側に接続させる方法に限
定されることなく、変更することができる。
て、常に析出メッキ金属の厚さに差が生じる電圧に調整
しても良いし、一定時間のみ析出メッキ金属の厚さに差
を生じる電圧に調整し、一定時間は、析出メッキ金属の
厚さに差を生じない電圧に調整しても良い。なお、電圧
を高く設定すると、析出メッキ金属の厚さの差が小さく
なる傾向となり、メッキ金属の質の低下を招くおそれが
あるので、比較的低い電圧で電流を供給するのが好まし
い。同様に、図2に示す直線Aと直線Bが交わる電圧以
上では、整流作用を有する素子を接続した被メッキ部の
方が、素子を接続しない被メッキ部に比べて電荷量が大
きくなるが、このような高い電圧設定でも、析出するメ
ッキ金属の質の低下を招き、好ましくない場合がある。
上に形成するメッキ金属の厚さを調整することによっ
て、メッキ金属の高さを一定に保つことが可能となる。
メッキ金属の高さを一定に保つことにより、半導体装置
のボンディングパッドに金ワイヤをボンディングする場
合、ボンディング装置がボンディングパッドを認識しづ
らいという問題を解消することができる。また、本発明
のメッキ法により形成したバンプ電極により、表面実装
を行う場合、半導体装置表面の高さがばらついても、バ
ンプ高さがばらつくことがないので、確実に接続するこ
とができる。
メッキ部に供給する電荷量を、整流素子を利用して調整
することによって、メッキ金属の厚さを簡便に調整する
ことが可能となった。本発明を半導体装置のボンディン
グパッドやバンプの形成に適用した場合、半導体装置表
面に高さのばらつきがあったとしても、メッキ金属の高
さを一定にすることができるので、ボンディングパッド
に認識の誤りや接続不良を防止することができ、歩留ま
り良く、半導体装置を製造することができる。
電流及び電圧を調整するのみであり、制御が簡便であ
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 電源の一方に対抗電極を、他方に被メッ
キ部を接続し、電解メッキ法により前記被メッキ部に金
属を析出させる方法において、 前記被メッキ部は少なくとも第1及び第2の被メッキ部
からなり、該第1の被メッキ部は、電源と被メッキ部と
の間に整流作用を有する素子を接続し、該第1の被メッ
キ部表面に析出する金属厚が、前記第2の被メッキ部表
面に析出する金属厚と異なるように、前記電源から電荷
を供給することを特徴とする電解メッキ法。 - 【請求項2】 請求項1記載の電解メッキ法において、 前記被メッキ部は、半導体装置表面に形成され、前記素
子は、該半導体装置内に形成されたダイオードであるこ
とを特徴とする電解メッキ法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30391796A JP3583878B2 (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 電解メッキ法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30391796A JP3583878B2 (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 電解メッキ法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10135156A true JPH10135156A (ja) | 1998-05-22 |
JP3583878B2 JP3583878B2 (ja) | 2004-11-04 |
Family
ID=17926836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30391796A Expired - Fee Related JP3583878B2 (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 電解メッキ法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3583878B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1562229A3 (en) * | 2003-12-17 | 2005-08-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing metal structures having different heights |
JP2012119438A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Renesas Electronics Corp | メッキ金属膜基板とその製造方法、及び半導体装置 |
WO2018181499A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 株式会社カネカ | 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法 |
-
1996
- 1996-10-30 JP JP30391796A patent/JP3583878B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1562229A3 (en) * | 2003-12-17 | 2005-08-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing metal structures having different heights |
US7148141B2 (en) | 2003-12-17 | 2006-12-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing metal structure having different heights |
JP2012119438A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Renesas Electronics Corp | メッキ金属膜基板とその製造方法、及び半導体装置 |
WO2018181499A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 株式会社カネカ | 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法 |
JPWO2018181499A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2019-11-07 | 株式会社カネカ | 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3583878B2 (ja) | 2004-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4466864A (en) | Methods of and apparatus for electroplating preselected surface regions of electrical articles | |
US7245006B2 (en) | Palladium-spot leadframes for high adhesion semiconductor devices and method of fabrication | |
US3993515A (en) | Method of forming raised electrical contacts on a semiconductor device | |
US3013955A (en) | Method of transistor manufacture | |
US3212160A (en) | Method of manufacturing semiconductive devices | |
JPH07193070A (ja) | 化合物半導体装置 | |
US3686698A (en) | A multiple alloy ohmic contact for a semiconductor device | |
JP3583878B2 (ja) | 電解メッキ法 | |
JP2004363518A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4498652B2 (ja) | 無電解メッキ方法 | |
US3636618A (en) | Ohmic contact for semiconductor devices | |
US4706870A (en) | Controlled chemical reduction of surface film | |
US3894919A (en) | Contacting semiconductors during electrolytic oxidation | |
US20030218230A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method therefor | |
US3249829A (en) | Encapsulated diode assembly | |
US5236873A (en) | Method for contacting a semiconductor component | |
JP3077361B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3212266B2 (ja) | バンプ形成装置およびバンプ形成方法 | |
JP3340648B2 (ja) | 半導体装置の電極形成方法 | |
US3012305A (en) | Electrically unsymmetrically conductive system and method for producing same | |
JP2754693B2 (ja) | メッキ電極の製造方法 | |
JPH0580141B2 (ja) | ||
US3070520A (en) | Semiconductor devices and methods of fabricating them | |
JPS6412105B2 (ja) | ||
KR960006965B1 (ko) | 반도체 팰리트용 베이스 접착방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040511 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040621 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040720 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040730 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120806 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120806 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130806 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |