JPH10133212A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH10133212A JPH10133212A JP29149196A JP29149196A JPH10133212A JP H10133212 A JPH10133212 A JP H10133212A JP 29149196 A JP29149196 A JP 29149196A JP 29149196 A JP29149196 A JP 29149196A JP H10133212 A JPH10133212 A JP H10133212A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ラビング作業時に配向膜に発生する静電気を
ガードリングに逃がすこと及び液晶表示装置の色調不良
を生じることなく、ガードリングと画素電極膜の外端と
の短絡を防止することである。 【解決手段】 ガードリングの一辺と、ほぼ垂直に配設
された複数個の画素電極膜の外端の延長上に、複数個の
ほぼ矩形状のアイランドダミー電極膜を、前記ガードリ
ングと画素電極膜の外端との間に２箇所の細隙を介して
平行に設ける。
ガードリングに逃がすこと及び液晶表示装置の色調不良
を生じることなく、ガードリングと画素電極膜の外端と
の短絡を防止することである。 【解決手段】 ガードリングの一辺と、ほぼ垂直に配設
された複数個の画素電極膜の外端の延長上に、複数個の
ほぼ矩形状のアイランドダミー電極膜を、前記ガードリ
ングと画素電極膜の外端との間に２箇所の細隙を介して
平行に設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯テレビやカー
ナビゲーションの表示装置として利用されている液晶表
示装置の性能向上に関するものである。
ナビゲーションの表示装置として利用されている液晶表
示装置の性能向上に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置の配向膜の配向方向を整え
るラビング作業で配向膜に発生する静電気を逃がすため
に、前記液晶表示装置の上下基板の周縁に透明電極膜で
形成された駆動電圧が印加されない非駆動電極膜からな
るガードリングを配設することはよく知られている。以
下では一般的な従来例の図４〜図５について説明する。
図４は従来の液晶表示装置の展開斜視図である。同図
（Ａ）は上基板５０を示し、同図（Ｂ）はシール剤で形
成されたシール部５６を示し、同図（Ｃ）は下基板６０
を示す。図５は図４に示す従来の液晶表示装置の上基板
５０のＸ部分の上面から見た液晶表示装置の説明図であ
る。
るラビング作業で配向膜に発生する静電気を逃がすため
に、前記液晶表示装置の上下基板の周縁に透明電極膜で
形成された駆動電圧が印加されない非駆動電極膜からな
るガードリングを配設することはよく知られている。以
下では一般的な従来例の図４〜図５について説明する。
図４は従来の液晶表示装置の展開斜視図である。同図
（Ａ）は上基板５０を示し、同図（Ｂ）はシール剤で形
成されたシール部５６を示し、同図（Ｃ）は下基板６０
を示す。図５は図４に示す従来の液晶表示装置の上基板
５０のＸ部分の上面から見た液晶表示装置の説明図であ
る。
【０００３】図４（Ａ）において、上基板５０はガラス
または高分子フィルムからなる基板５１、透明電極膜及
び配向膜５２とで構成される。前記上基板５０の下面に
は約０．１μｍ厚みの透明電極膜でパターンニングされ
た幅約１００〜２００μｍのガードリング５３が上基板
５０の周縁に図示ではほぼコの字状であるが、また別な
方法では図示されていないが液晶駆動ＩＣのＣＯＧ（Ｃ
ｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）実装部の下部を通して閉回
路に配設される場合がある。同図（Ｂ）は液晶注入口が
図示されていないシール部５６の模式図である。下基板
６０は上基板５０と同様にガラスまたは高分子フィルム
からなる基板６１、透明電極膜及び配向膜６２とで構成
される。また、カラー液晶表示装置の場合には、基板と
配向膜の間にさらにカラーフィルタが配設されている。
前記下基板６０の下面には約０．１μｍ厚みの透明電極
膜でパターンニングされた幅約１００〜２００μｍのガ
ードリング６３がが前記基板６０の周縁に図示ではほぼ
コの字状であるが、また別な方法では図示されていない
がＣＯＧで実装されたＩＣの下部を通して閉回路のガー
ドリングが配設される場合もある。
または高分子フィルムからなる基板５１、透明電極膜及
び配向膜５２とで構成される。前記上基板５０の下面に
は約０．１μｍ厚みの透明電極膜でパターンニングされ
た幅約１００〜２００μｍのガードリング５３が上基板
５０の周縁に図示ではほぼコの字状であるが、また別な
方法では図示されていないが液晶駆動ＩＣのＣＯＧ（Ｃ
ｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）実装部の下部を通して閉回
路に配設される場合がある。同図（Ｂ）は液晶注入口が
図示されていないシール部５６の模式図である。下基板
６０は上基板５０と同様にガラスまたは高分子フィルム
からなる基板６１、透明電極膜及び配向膜６２とで構成
される。また、カラー液晶表示装置の場合には、基板と
配向膜の間にさらにカラーフィルタが配設されている。
前記下基板６０の下面には約０．１μｍ厚みの透明電極
膜でパターンニングされた幅約１００〜２００μｍのガ
ードリング６３がが前記基板６０の周縁に図示ではほぼ
コの字状であるが、また別な方法では図示されていない
がＣＯＧで実装されたＩＣの下部を通して閉回路のガー
ドリングが配設される場合もある。
【０００４】図５は図４（Ａ）に示す上基板５０のＸ部
の拡大模式図であるり、シール部５６を破線で示したも
のであり、説明を簡単にすために上基板５０と対応する
下基板６０の部材の数字を括弧内数字で表す。シール剤
で形成されたシール部５６の幅５７はガードリング５３
（６３）の幅５８（６８）をカバーするように配設され
る。幅約１００〜１２０μｍを有する複数個の画素電極
膜５４（６４）の一端５４ａ（６４ａ）が、ガードリン
グ５３ （６３）の一辺５３ａ（６３ａ）に沿って一定
の近接細隙５５（６５）を形成するように平行に配設さ
れる。
の拡大模式図であるり、シール部５６を破線で示したも
のであり、説明を簡単にすために上基板５０と対応する
下基板６０の部材の数字を括弧内数字で表す。シール剤
で形成されたシール部５６の幅５７はガードリング５３
（６３）の幅５８（６８）をカバーするように配設され
る。幅約１００〜１２０μｍを有する複数個の画素電極
膜５４（６４）の一端５４ａ（６４ａ）が、ガードリン
グ５３ （６３）の一辺５３ａ（６３ａ）に沿って一定
の近接細隙５５（６５）を形成するように平行に配設さ
れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来技術
を示す図４〜図５では以下のような問題が生じていた。
即ち、ラビング作業によって配向膜５２（６２）に発生
した静電気は、ガードリング５３（６３）に、画素電極
膜５４（６４）の一端５４ａ（６４ａ）との近接細隙５
５（６５）を経て逃がされる。しかし、前記ガードリン
グ５３（６３）の一辺と５３ａ（６３ａ）と、画素電極
膜５４（６４）の外端５４ａ（６４ａ）とで形成される
近接細隙５５（６５）が、透明電極膜のパターンニング
の製作誤差やゴミで短絡し短絡による品質不良が発生し
ていた。これを避けるために、前記近接細隙５５（６
５）を広げると、液晶表示装置の上下基板間の間隙の厚
みに透明電極膜の有無による差が生じて、液晶表示装置
の色調が変化して表示に伴う品質不良が発生した。従っ
て、液晶表示装置の色調不良をなくすことと、前記ガー
ドリング５３（６３）の一辺と５３ａ（６３ａ）と、画
素電極膜５４（６４）の一端５４ａ（６４ａ）との短絡
を防止することが重要な課題となる。
を示す図４〜図５では以下のような問題が生じていた。
即ち、ラビング作業によって配向膜５２（６２）に発生
した静電気は、ガードリング５３（６３）に、画素電極
膜５４（６４）の一端５４ａ（６４ａ）との近接細隙５
５（６５）を経て逃がされる。しかし、前記ガードリン
グ５３（６３）の一辺と５３ａ（６３ａ）と、画素電極
膜５４（６４）の外端５４ａ（６４ａ）とで形成される
近接細隙５５（６５）が、透明電極膜のパターンニング
の製作誤差やゴミで短絡し短絡による品質不良が発生し
ていた。これを避けるために、前記近接細隙５５（６
５）を広げると、液晶表示装置の上下基板間の間隙の厚
みに透明電極膜の有無による差が生じて、液晶表示装置
の色調が変化して表示に伴う品質不良が発生した。従っ
て、液晶表示装置の色調不良をなくすことと、前記ガー
ドリング５３（６３）の一辺と５３ａ（６３ａ）と、画
素電極膜５４（６４）の一端５４ａ（６４ａ）との短絡
を防止することが重要な課題となる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、少なくとも透明電極膜と配向膜とを有する
透明基板よりなる上基板及び下基板がシール部を挟み透
明電極が対向するように間隙を設けて配設されており前
記間隙には液晶が封入されおり前記透明電極膜が画素電
極膜とダミー電極膜及び非駆動電極膜とで構成された液
晶表示装置において、複数個の独立したアイランドダミ
ー電極膜を前記非駆動電極膜と近接細隙を介して配設し
たことを特徴とする。
に本発明は、少なくとも透明電極膜と配向膜とを有する
透明基板よりなる上基板及び下基板がシール部を挟み透
明電極が対向するように間隙を設けて配設されており前
記間隙には液晶が封入されおり前記透明電極膜が画素電
極膜とダミー電極膜及び非駆動電極膜とで構成された液
晶表示装置において、複数個の独立したアイランドダミ
ー電極膜を前記非駆動電極膜と近接細隙を介して配設し
たことを特徴とする。
【０００７】また、前記上基板または前記下基板の前記
アイランドダミー電極膜を前記下基板または前記上基板
の前記ダミー電極膜と対向する位置に配設したことを特
徴とする。
アイランドダミー電極膜を前記下基板または前記上基板
の前記ダミー電極膜と対向する位置に配設したことを特
徴とする。
【０００８】また、前記アイランドダミー電極膜の面積
を一画素の面積以下とすることを特徴とする。
を一画素の面積以下とすることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態を
図面に基づいて説明する。図１は図２（Ａ）の液晶表示
装置を示す上基板１０のＷ部分の上面から見た詳細説明
図である。図２は本発明の液晶表示装置の展開斜視図で
ある。図２（Ａ）は上基板１０を示し、図２（Ｂ）はシ
ール剤で形成されたシール部２２を示し、図２（３）は
下基板３０を示す。図３は図２（Ａ），図２（Ｂ）及び
図２（Ｃ）夫々のＸーＸ、ＹーＹ及びＺーＺ線の組み立
て断面図である。
図面に基づいて説明する。図１は図２（Ａ）の液晶表示
装置を示す上基板１０のＷ部分の上面から見た詳細説明
図である。図２は本発明の液晶表示装置の展開斜視図で
ある。図２（Ａ）は上基板１０を示し、図２（Ｂ）はシ
ール剤で形成されたシール部２２を示し、図２（３）は
下基板３０を示す。図３は図２（Ａ），図２（Ｂ）及び
図２（Ｃ）夫々のＸーＸ、ＹーＹ及びＺーＺ線の組み立
て断面図である。
【００１０】図２（Ａ）において、上基板１０はガラス
または高分子フィルムからなる基板１１、透明電極膜及
び配向膜１２とで構成される。前記上基板１０の下面に
は約０．１μｍ厚みの透明電極膜でパターンニングされ
た幅約１００〜２００μｍの駆動電圧が印加されない非
駆動電極膜からなるガードリング１３が前記基板１０の
周縁に図示ではほぼコの字状であるが、また別な方法で
は図示されていないが液晶駆動ＩＣのＣＯＧ実装部の下
部を通して閉回路に配設される場合もある。画素電極膜
１８は複数個の画素電極膜１８ａ，１８ｂ…で構成さ
れ、前記ガードリング１３の２辺にほぼ平行に、一辺に
ほぼ垂直になるように配設される。そして、前記ガード
リング１３の１辺１３ａに対向する画素電極膜１８の外
端部の延長上に、画素電極膜１８と同数の約（５０〜１
００）μｍ×（５０〜１００）μｍの矩形状のアイラン
ドダミー電極膜１７が設けられる。同様にして、前記ガ
ードリング１３の１辺１３ｂと画素電極膜１８との間
に、複数個のダミー電極膜１４とその両隅に櫛歯状ダミ
ー電極膜１５、１６が配設される。同図（Ｂ）は液晶注
入口が図示されていないがシール剤で形成されたシール
部２２の模式図である。
または高分子フィルムからなる基板１１、透明電極膜及
び配向膜１２とで構成される。前記上基板１０の下面に
は約０．１μｍ厚みの透明電極膜でパターンニングされ
た幅約１００〜２００μｍの駆動電圧が印加されない非
駆動電極膜からなるガードリング１３が前記基板１０の
周縁に図示ではほぼコの字状であるが、また別な方法で
は図示されていないが液晶駆動ＩＣのＣＯＧ実装部の下
部を通して閉回路に配設される場合もある。画素電極膜
１８は複数個の画素電極膜１８ａ，１８ｂ…で構成さ
れ、前記ガードリング１３の２辺にほぼ平行に、一辺に
ほぼ垂直になるように配設される。そして、前記ガード
リング１３の１辺１３ａに対向する画素電極膜１８の外
端部の延長上に、画素電極膜１８と同数の約（５０〜１
００）μｍ×（５０〜１００）μｍの矩形状のアイラン
ドダミー電極膜１７が設けられる。同様にして、前記ガ
ードリング１３の１辺１３ｂと画素電極膜１８との間
に、複数個のダミー電極膜１４とその両隅に櫛歯状ダミ
ー電極膜１５、１６が配設される。同図（Ｂ）は液晶注
入口が図示されていないがシール剤で形成されたシール
部２２の模式図である。
【００１１】下基板３０は上基板１０と同様にガラスま
たは高分子フィルムからなる基板３１や透明電極膜や配
向膜３２や図示はしていないカラーフィルタ等で構成さ
れる。前記下基板３０の上面には約０．１μｍ厚みの透
明電極膜でパターンニングされた幅約１００〜２００μ
ｍの駆動電圧が印加されない非駆動電極膜からなるガー
ドリング３３が前記基板３０の周縁に図示ではほぼコの
字状であるが、また別な方法では図示されていないがＣ
ＯＧ実装された駆動用ＩＣの下部を通うり閉回路に配設
される場合がある。画素電極膜３８は複数個の画素電極
膜３８ａ，３８ｂ…で構成され、前記ガードリング３３
の２辺にほぼ平行に、一辺３３ａにほぼ垂直になるよう
に配設される。下基板３０のガードリング３３と上基板
１０のガードリング３３とは、その開口部を除いて上下
に重なるように、また下基板３０の画素電極膜３８と上
基板１０の画素電極膜１８とはほぼ直交するように配設
される。そして 、前記ガードリング３３の１辺３３ａ
に対向する画素電極膜３８の外端部の延長上に、画素電
極膜３８と同数の約（５０〜１００）μｍ×（５０〜１
００）μｍの矩形状のアイランドダミー電極膜３７が設
けられる。同様にして、前記ガードリング３３の１辺３
３ｂと画素電極膜３８との間に、複数個のダミー電極膜
３４とその両隅に櫛歯状ダミー電極膜３５、３６が配設
される。なお、図２及び３で説明しなかった部材の関係
位置を示す符号の詳細は図３で説明する。
たは高分子フィルムからなる基板３１や透明電極膜や配
向膜３２や図示はしていないカラーフィルタ等で構成さ
れる。前記下基板３０の上面には約０．１μｍ厚みの透
明電極膜でパターンニングされた幅約１００〜２００μ
ｍの駆動電圧が印加されない非駆動電極膜からなるガー
ドリング３３が前記基板３０の周縁に図示ではほぼコの
字状であるが、また別な方法では図示されていないがＣ
ＯＧ実装された駆動用ＩＣの下部を通うり閉回路に配設
される場合がある。画素電極膜３８は複数個の画素電極
膜３８ａ，３８ｂ…で構成され、前記ガードリング３３
の２辺にほぼ平行に、一辺３３ａにほぼ垂直になるよう
に配設される。下基板３０のガードリング３３と上基板
１０のガードリング３３とは、その開口部を除いて上下
に重なるように、また下基板３０の画素電極膜３８と上
基板１０の画素電極膜１８とはほぼ直交するように配設
される。そして 、前記ガードリング３３の１辺３３ａ
に対向する画素電極膜３８の外端部の延長上に、画素電
極膜３８と同数の約（５０〜１００）μｍ×（５０〜１
００）μｍの矩形状のアイランドダミー電極膜３７が設
けられる。同様にして、前記ガードリング３３の１辺３
３ｂと画素電極膜３８との間に、複数個のダミー電極膜
３４とその両隅に櫛歯状ダミー電極膜３５、３６が配設
される。なお、図２及び３で説明しなかった部材の関係
位置を示す符号の詳細は図３で説明する。
【００１２】図３に示すように、上基板１０のガードリ
ング１３の幅１３ｃと下基板３０のガードリング３３の
幅３３ｃとがシール部２２の幅２２ａに上面から見てカ
バーされている。そして、封入された液晶７０の厚みに
対して、上基板１０のアイランドダミー電極膜１７と下
基板３０のダミー電極膜３４が対向するように構成され
ている。同様にして、図示されていないが、上基板１０
のダミー電極膜１４と下基板３０のアイランドダミー電
極膜３７が対向するように構成されている。
ング１３の幅１３ｃと下基板３０のガードリング３３の
幅３３ｃとがシール部２２の幅２２ａに上面から見てカ
バーされている。そして、封入された液晶７０の厚みに
対して、上基板１０のアイランドダミー電極膜１７と下
基板３０のダミー電極膜３４が対向するように構成され
ている。同様にして、図示されていないが、上基板１０
のダミー電極膜１４と下基板３０のアイランドダミー電
極膜３７が対向するように構成されている。
【００１３】また、図３に示されていないが、シール部
２２の幅２２ａ以内に、非駆動電極膜として、下基板３
０のダミー電極膜３４とガードリング３３及び前記ガー
ドリング３３の外側に作業者の人体に蓄積する静電気を
逃がすためのシールド電極膜を閉回路とせずに新たに設
けても良い。
２２の幅２２ａ以内に、非駆動電極膜として、下基板３
０のダミー電極膜３４とガードリング３３及び前記ガー
ドリング３３の外側に作業者の人体に蓄積する静電気を
逃がすためのシールド電極膜を閉回路とせずに新たに設
けても良い。
【００１４】図１は図２（Ａ）に示す上基板１０のＷ部
の拡大模式図であるが、説明を簡単にするために上基板
１０と対応する下基板３０の部材の数字を括弧内数字で
表す。シールド剤で形成されたシール部２２の幅２２ａ
はガードリング１３（３３）の幅１３ｃ（３３ｃ）をカ
バーするように配設される。幅約１００〜１２０μｍを
有する複数個のアイランドダミー電極膜１７（３７）の
外端１９（３９）が、ガードリング１３（３３）の一辺
１３ａ（３３ａ）に沿って一定の近接細隙２０（４０）
を形成するように平行に配設される。前記近接細隙２０
（４０）は約２０μｍ〜５０μｍである。同様に、前記
画素電極膜１４（３４）と前記アイランドダミー電極膜
１７（３７）との近接細隙２１も約２０μｍ〜５０μｍ
である。ゴミの大きさを考慮すると近接細隙２０（４
０）も前記アイランドダミー電極膜１７（３７）との細
隙（図示省略）も好ましくは約２０μｍである。
の拡大模式図であるが、説明を簡単にするために上基板
１０と対応する下基板３０の部材の数字を括弧内数字で
表す。シールド剤で形成されたシール部２２の幅２２ａ
はガードリング１３（３３）の幅１３ｃ（３３ｃ）をカ
バーするように配設される。幅約１００〜１２０μｍを
有する複数個のアイランドダミー電極膜１７（３７）の
外端１９（３９）が、ガードリング１３（３３）の一辺
１３ａ（３３ａ）に沿って一定の近接細隙２０（４０）
を形成するように平行に配設される。前記近接細隙２０
（４０）は約２０μｍ〜５０μｍである。同様に、前記
画素電極膜１４（３４）と前記アイランドダミー電極膜
１７（３７）との近接細隙２１も約２０μｍ〜５０μｍ
である。ゴミの大きさを考慮すると近接細隙２０（４
０）も前記アイランドダミー電極膜１７（３７）との細
隙（図示省略）も好ましくは約２０μｍである。
【００１５】以上の説明から明らかなように、複数個の
画素電極膜１４（３４）の外端１９（３９）と、ガード
リング１３（３３）の一辺１３ａ（３３ａ）との間には
島状のアイランドダミー電極膜１７（３７）があるの
で、前記両者の間には２箇所の絶縁帯を形成する近接細
隙２０（４０）と近接細隙２１（４１）とがが存在する
こととなる。そして、前記近接細隙２０（４０）及び近
接細隙２１（４１）の長さ約２０μｍ〜５０μｍは、配
向膜に発生する静電気を逃し、また液晶表示装置の近接
細隙が広すぎることにより基板間隙の間隙が広くなり間
隙ムラを生じるほどの長さを越えない近接細隙としてお
り間隙ムラによる色調変化生じることがなく、また塵な
どによる短絡防止を極めて減少させる近接細隙の長さと
しており、これらの条件を満足させる数値を実験的に選
択したものである。そして、前記アイランドダミー電極
膜１７（３７）の面積については、両者間の短絡を防止
すれば良いので幅は画素電極膜と同じとして長さにとく
に制限はないが画素電極膜の面積以下であれば差支えな
い。また、前記アイランドダミー電極膜１７（３７）の
形状に原理的に制限はないが 、設計の便宜上矩形形状
が望ましい。
画素電極膜１４（３４）の外端１９（３９）と、ガード
リング１３（３３）の一辺１３ａ（３３ａ）との間には
島状のアイランドダミー電極膜１７（３７）があるの
で、前記両者の間には２箇所の絶縁帯を形成する近接細
隙２０（４０）と近接細隙２１（４１）とがが存在する
こととなる。そして、前記近接細隙２０（４０）及び近
接細隙２１（４１）の長さ約２０μｍ〜５０μｍは、配
向膜に発生する静電気を逃し、また液晶表示装置の近接
細隙が広すぎることにより基板間隙の間隙が広くなり間
隙ムラを生じるほどの長さを越えない近接細隙としてお
り間隙ムラによる色調変化生じることがなく、また塵な
どによる短絡防止を極めて減少させる近接細隙の長さと
しており、これらの条件を満足させる数値を実験的に選
択したものである。そして、前記アイランドダミー電極
膜１７（３７）の面積については、両者間の短絡を防止
すれば良いので幅は画素電極膜と同じとして長さにとく
に制限はないが画素電極膜の面積以下であれば差支えな
い。また、前記アイランドダミー電極膜１７（３７）の
形状に原理的に制限はないが 、設計の便宜上矩形形状
が望ましい。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、複数個の画素電極膜１
４（３４）の一端１９（３９）と、ガードリング１３
（３３）の一辺１３ａ（３３ａ）との間には島状のアイ
ランドダミー電極膜１７（３７）があって、前記両者の
間には２箇所の絶縁帯が存在するので、透明電極膜のパ
ターンニング誤差や通常考えられるゴミの混入があって
も、同時に２箇所が短絡することはなく液晶表示装置の
品質不良が生じることは殆どない。
４（３４）の一端１９（３９）と、ガードリング１３
（３３）の一辺１３ａ（３３ａ）との間には島状のアイ
ランドダミー電極膜１７（３７）があって、前記両者の
間には２箇所の絶縁帯が存在するので、透明電極膜のパ
ターンニング誤差や通常考えられるゴミの混入があって
も、同時に２箇所が短絡することはなく液晶表示装置の
品質不良が生じることは殆どない。
【００１７】また、本発明によれば、アイランドダミー
電極膜１７（３７）とダミー電極１４（３４）とを上下
に対向配置できて、液晶表示装置の透明電極膜の有無に
よる厚みバラツキが発生せず、色調不良が発生しないの
で表示性能が向上する。
電極膜１７（３７）とダミー電極１４（３４）とを上下
に対向配置できて、液晶表示装置の透明電極膜の有無に
よる厚みバラツキが発生せず、色調不良が発生しないの
で表示性能が向上する。
【００１８】更に、本発明によれば、島状のアイランド
ダミー電極膜１７（３７）は画素面積より小さくて済む
ので液晶表示装置の表示面積が殆ど犠牲にならないので
製品コストを上げずに商品価値を向上させることができ
る。
ダミー電極膜１７（３７）は画素面積より小さくて済む
ので液晶表示装置の表示面積が殆ど犠牲にならないので
製品コストを上げずに商品価値を向上させることができ
る。
【図１】図２（Ａ）の液晶表示装置を示す上基板１０の
Ｗ部分の上面から見た詳細説明図である。
Ｗ部分の上面から見た詳細説明図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の展開斜視図である。
【図３】図２の組み立て断面図である。
【図４】従来の液晶表示装置の展開斜視図である。
【図５】図４に示す従来の液晶表示装置を示す上基板５
０のＸ部分の上面から見た説明図である。
０のＸ部分の上面から見た説明図である。
１０ 上基板 １１、３１ 基板 １２、３２ 配向膜 １３、３３ ガードリング １４、３４ ダミー電極膜 １５、１６、３５、３６ 櫛歯状ダミー電極膜 １７、３７ アイランドダミー電極膜 １８、３８ 画素電極膜 ２０、２１ 近接細隙 ２２ シール部 ３０ 下基板
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも透明電極膜と配向膜とを有す
る透明基板よりなる上基板及び下基板がシール部を挟み
透明電極が対向するように間隙を設けて配設されており
前記間隙には液晶が封入されおり前記透明電極膜が画素
電極膜とダミー電極膜及び非駆動電極膜とで構成された
液晶表示装置において、 複数個の独立したアイランドダミー電極膜を前記非駆動
電極膜と近接細隙を介して配設したことを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項２】 前記上基板または前記下基板の前記アイ
ランドダミー電極膜を前記下基板または前記上基板の前
記ダミー電極膜と対向する位置に配設したことを特徴と
する請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記アイランドダミー電極膜の面積を一
画素の面積以下とすることを特徴とする請求項１記載の
液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29149196A JPH10133212A (ja) | 1996-11-01 | 1996-11-01 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29149196A JPH10133212A (ja) | 1996-11-01 | 1996-11-01 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10133212A true JPH10133212A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17769564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29149196A Pending JPH10133212A (ja) | 1996-11-01 | 1996-11-01 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10133212A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007183497A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Yazaki Corp | 液晶表示装置 |
| US7439565B2 (en) | 2006-06-08 | 2008-10-21 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Active devices array substrate and repairing method thereof |
| US8873126B2 (en) | 2011-07-21 | 2014-10-28 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device and electronic apparatus |
-
1996
- 1996-11-01 JP JP29149196A patent/JPH10133212A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007183497A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Yazaki Corp | 液晶表示装置 |
| US7439565B2 (en) | 2006-06-08 | 2008-10-21 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Active devices array substrate and repairing method thereof |
| US8873126B2 (en) | 2011-07-21 | 2014-10-28 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device and electronic apparatus |
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