JPH1013037A - Ic搭載用多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents
Ic搭載用多層プリント配線板の製造方法Info
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- JPH1013037A JPH1013037A JP8179892A JP17989296A JPH1013037A JP H1013037 A JPH1013037 A JP H1013037A JP 8179892 A JP8179892 A JP 8179892A JP 17989296 A JP17989296 A JP 17989296A JP H1013037 A JPH1013037 A JP H1013037A
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Abstract
なく微細回路を形成できるIC搭載用多層プリント配線
板の製造方法を提供する。 【解決手段】 均一な厚さの銅箔11bをエッチング処
理して外層導体回路14a、14fを形成し、該導体回
路14a、14fが最外層面に配置されるように基板1
2A、12B、12Cを積層した後、スルーホール用貫
通孔20を削孔し、次いでスルーホール用貫通孔20内
に銅めっき層26を被着してスルーホール24を形成す
る。また、スルーホール用貫通孔20内にめっきする際
に、開口部40にめっきレジスト30を被せてあるた
め、ボンディングパッド50相互をめっきによって短絡
させることが無い。
Description
軽量化及び低コスト化に適したIC搭載用多層プリント
配線板の製造方法に関する。
コスト化の要求が強まってきた中で、セラミックスから
なるICパッケージの代替として、プリント配線板から
なるICパッケージやプリント配線板に複数のICを直
接搭載するマルチチップモジュール化への動きが活発化
してきた。この動きにつれて、IC搭載用プリント配線
板も複雑な構造且つ、細線化、高多層化が進み、その製
造方法も複雑化してきている。特に、I/0端子を20
0個以上必要とする高集積度ICを直接搭載するプリン
ト配線板にあっては、ICとプリント配線板とを電気的
に接続するためのボンディングパッドを狭いピッチで配
設する必要がある。
配線板の製造方法にあっては、例えば、図8(A)に示
すように、構成する基板112Aおよび112Bに内層
導体回路114a、114bを形成した後に、内層のボ
ンディングパッドに対向する部分に溝116を形成す
る。そして、図8(B)に示すように基板112Aおよ
び112Bを接着材118を介して貼り合わせる。次
に、図8(C)に示すようにドリル加工により貫通孔1
20を設けた後、パネル銅めっきにより導体被膜122
を形成してスルーホール124を形成する。引き続き、
図8(D)に示すように、ドライフィルム133をラミ
ネートした後、露光、現像し、図8(E)に示すように
パターンめっき132を施してからドライフィルム13
3を剥離した後、図8(F)に示すようにエッチングに
よって外層導体回路134bを形成する。最後に、図8
(G)に示すように基板の不要な部分をルーター加工に
より除去することによって、IC搭載用の開口部140
を形成し、内層のボンディングパッド150を露出させ
る。
来の製造方法によれば、外層導体回路134a、134
bは、貼り合わせ後に孔明加工、パネル銅めっきを経て
から形成されるため、エッチングして除去しなければな
らない銅が厚いばかりでなく、めっき厚のバラツキによ
りエッチングし難く、必然的にIC搭載用多層プリント
配線板の導体回路の細線化が困難となり、小型化には不
利であった。
82号にてIC搭載用多層プリント配線板の製造方法を
提案した。この製造方法では、図6(A)に示すよう
に、予め基板112A、112Bに内層導体回路114
a、114bと同時に外層導体回路134a、134b
を形成する。そして、該基板112A、112BにIC
搭載用の開口部140a、140bを形成した後、図6
(B)に示すように接着材118を介在させて、該外層
導体回路134a、134bが最外層面に配置されるよ
うに基板112A、112Bを積層した後、スルーホー
ル用貫通孔120を削孔し、積層基板に導体被膜122
を配設する。その後、図6(C)に示すようにドライフ
ィルムをラミネートした後、露光、現像し、該スルーホ
ール用貫通孔120の開口部にエッチングレジスト13
0を形成する。次に、図6(D)に示すようにエッチン
グを行い該エッチングレジスト130以外の導体被膜1
22を除去する。最後に、エッチングレジスト130を
剥離した後、図6(E)に示すように、スルーホール用
貫通孔120の導体被膜122に、めっき層132を被
着することにより、スルーホール124を形成する。
あらかじめ最外層面となる導体回路134a、134b
を形成することにより、最外層面に導体回路を形成する
エッチング工程において、図8を参照して上述した厚さ
のバラツキが大きくなるパネル銅めっきによる導体被膜
の除去を無くしている。
方法においては、図6(E)に示す該スルーホール用貫
通孔120の導体被膜122に、めっき層132を配設
する工程にて、内層導体回路114bの露出部分である
ボンディングパッド150に対してもめっき層132が
付着し、図6(E)のA−A断面を表す図7のように、
めっき層132を介して隣接するボンディングパッド1
50間が短絡することがあった。
を鑑みてなされたものであり、その解決しようとする課
題は、ボンディングパッドの短絡を生じさせることな
く、微細回路を形成できるIC搭載用多層プリント配線
板の製造方法を提供することにある。
め、請求項1では、ICを搭載するための開口部および
該開口部内にICと電気的に接続されるボンディングパ
ッドが配設されてなるIC搭載用多層プリント配線板の
製造方法において、複数の基板に導体回路を形成する工
程と、前記基板にICを搭載するための開口部を形成す
る工程と、前記基板上に形成された前記導体回路が内外
層ともに配置されるように前記基板を積層する工程と、
前記積層した基板にスルーホール用貫通孔を削孔する工
程と、前記積層した基板に無電解めっきを施す工程と、
前記積層した基板の開口部にめっきレジストを形成する
工程と、前記スルーホール用貫通孔内壁に導体被膜を被
着することによりスルーホールを形成する工程と、前記
めっきレジストを剥離すると共に、前記積層した基板の
無電解めっきを除去する工程とを有することを技術的特
徴とする。
は、ICを搭載するための開口部および該開口部内にI
Cと電気的に接続されるボンディングパッドが配設され
てなるIC搭載用多層プリント配線板の製造方法におい
て、複数の基板に導体回路をボンディングパッドの厚み
にほぼ等しく形成する工程と、前記基板にICを搭載す
るための開口部を形成する工程と、前記基板上に形成さ
れた前記導体回路が内外層ともに配置されるように前記
基板を積層する工程と、前記積層した基板にスルーホー
ル用貫通孔を削孔する工程と、前記積層した基板に無電
解めっきを施す工程と、前記積層した基板の開口部にめ
っきレジストを形成する工程と、前記スルーホール用貫
通孔内壁に導体被膜を被着することによりスルーホール
を形成する工程と、前記めっきレジストを剥離すると共
に、前記積層した基板の無電解めっきを除去する工程と
を有することを技術的特徴とする。
Cを搭載するための開口部および該開口部内にICと電
気的に接続されるボンディングパッドが配役されてなる
IC搭載用多層プリント配線板の製造方法において、あ
らかじめ基板上に形成された導体回路14a、14fが
最外層面に配置されるように基板12A、12B、12
Cを積層した後、スルーホール用貫通孔20を削孔し、
次いで前記スルーホール用貫通孔20内にスルーホール
24を形成する。即ち、スルーホール24を形成する前
にあらかじめ最外層面となる導体回路14a、14fを
形成することにより、最外層面に導体回路を形成するエ
ッチング工程において従来方法の如き厚さのバラツキの
大きいパネル銅めっきによる導体被膜を除去する必要が
なく、均一な厚さの銅箔11bのみをエッチング処理し
て外層導体回路14a、14fを形成することができ、
最外層面の導体回路の細線化が可能となる。
ール用貫通孔20内にめっきによりスルーホール24を
形成する際に、開口部40にエッチングレジスト等に一
般的に使用される同種のドライフィルムをめっきレジス
ト30として被せてあるため、ボンディングパッド50
にめっきが被らなくなり、ボンディングパッド50相互
をめっきによって短絡させることが無くなる。
ール用貫通孔20内にめっきによりスルーホール24を
形成する際に、ボンディングパッド50にめっきが被ら
ない。このため、基板12A、12B、12Cに導体回
路(内層導体回路)14c、14eを形成する時点で、
該導体回路14c、14eをボンディングパッドの厚み
にほぼ等しく形成しておく。
プリント配線板の製造方法の実施例を図面によって説明
する。図1(A)に示すように、ガラスエポキシ樹脂板
11aの両面に銅箔11b、11bをラミネートした銅
張積層板11から成る基板12A、12B、12Cを出
発材料とし、両面の銅箔11bを常法に従い、パターン
状にエッチングすることにより、図1(B)に示すよう
に基板12Aの上面に外層導体回路となる導体回路14
aを、また、下面に内層導体回路となる導体回路14b
を形成する。同様に、基板12Bの上下面に内層導体回
路となる導体回路14c、14dを形成する。更に、基
板12Cの上面に内層導体回路となる導体回路14e
を、また、下面に外層導体回路となる導体回路14fを
形成する。
2Cとしてガラスエポキシ樹脂の銅張積層板11を用い
るが、基板材料としては、ガラスビスマレイミドトリア
ジン樹脂、ガラスポリイミド樹脂等の基板やポリエチレ
ンテレフタレート、ポリフェニルスルホン、ポイリミド
等のフィルムや射出成形基板等を使用することができ
る。
ティング法、半田剥離法、フルアディティブ法等の常
法、予め電解銅めっき等で導体回路を形成し、接着剤や
プリプレグに転写させる転写法等が用いることができ
る。
12A、12B、12Cの略中央部に金型パンチング加
工によりIC搭載用の開口部40を設ける。この開口部
40の形成は、金型によるパンチング加工の他にエンド
ミルによる切削加工等により行なうことができる。ま
た、開口部の穿設は、導体回路の形成前であっても形成
後であっても良い。射出成形基板の場合には、射出成形
の際に形成しておいてもよい。
に基板12A、12B、12Cを、予め基板12A、1
2B、12Cの開口部40に対応する開口部18aを設
けた接着剤18を介して貼り合わせる。即ち、基板12
Aの上面にエッチングにより形成した導体回路14a
と、基板12Cの下面に形成した導体回路14fとをI
C搭載用多層プリント配線板の外層導体回路として露出
させるように基板12A、12B、12Cを積層する。
ここで、接着材としては接着シートを使用する。この接
着剤18には、予め接着剤を印刷し、開口部をパッチン
グ加工等で形成した接着シート、又はプリプレグ等が使
われる。望ましくは、基板と同材質のものがよく、ガラ
スエポキシ樹脂板11aには、ガラスエポキシを浸漬さ
せたプリプレグが望ましい。また、接着剤が張り合わさ
れる導体回路には、回路の凹凸に対して十分にボイドの
まき込み無く接着させる為、接着剤塗布又は張り合わせ
前に予めソルダーレジスト227等の絶縁被膜により回
路表面をレベリングすると、更に良好な接着が得られ
る。
して成る積層体12の所定位置にドリル孔明け加工によ
り図2(F)に示すようにスルーホール用貫通孔20を
設ける。その後、図3(G)に示すように常法により積
層体12全体にめっき触媒を付けた後、無電解銅めっき
して導体被膜22を、0.1から5.0μm、好ましく
は1μm付着する。そして、積層体12の両面にドライ
フィルムレジストをラミネートした後、図3(H)に示
すように露光、現像によって開口部40のみをめっきレ
ジスト30によりマスクし、図3(I)に示すように貫
通孔20及び貫通孔20の開口部の周囲に、銅めっき層
26を少なくとも5〜40μm、好ましくは20μm厚
付けする。即ち、少なくともスルーホール用貫通孔20
内壁の導体被膜の厚さを5から40μmとしてスルーホ
ール24を完成する。この後、めっきレジスト30を水
酸化カリウム又は水酸化ナトリウム等により剥膜除去す
る。そして、図3(J)に示すようにエッチングにより
不要な導体被膜22を除去する。
に、開口部40に設けられためっきレジスト30を除去
し、開口部40内の導体被膜22をエッチングにより除
去する。その後、特願平6−293907号にて、チオ
硫酸ナトリウム等のチオ硫酸塩やチオシアン酸塩あるい
はシアン化合物等の表面処理によって開示されるよう
に、基板表面に残存しているめっき触媒が除去されるた
め、回路間(例えば、ボンディングパッド50間)にお
けるめっき触媒の残存に起因する絶縁不良が起き難い。
た積層体12に形成される導体被膜22の厚さが0.1
から5.0μmの範囲内であることが好ましい理由は、
導体被膜の厚さが0.1より薄いとめっきレジスト30
形成後の表面処理工程において、スルーホール24の側
壁面の導体被膜とスルーホールのランド部の導体被膜と
の接続部が剥がれる危険性があり、5μmより厚いと、
エッチング工程において、IC搭載用開口部40の側壁
面や基板の接着界面にエッチング残りが発生したり、必
要以上のエッチングによって導体被膜の厚みや形状を損
ねる危険性があるからであり、より好ましい膜厚は1か
ら3μmの範囲内である。
基板全体に0.1乃至5μmの厚みの無電解銅めっきを
施しても、0.1μm程度の無電解銅めっきを施した後
に、電解銅めっきによって厚みを調節してもよい。
上述したドライフィルムのラミネート以外にも、液体レ
ジストの塗布、ロールコーティング、カーテンコーティ
ング、印刷、さらには電着レジスト等の方法を適用する
ことができる。
回路を形成した後に、図4(K)に示すようにICと電
気的に接続されるボンディングパッド50及び外部端
子、チップ部品実装部を除いてソルダーマスクレジスト
36で保護を行う。
ッケル−金めっき又は銀めっき(図示せず)を施す。こ
れは、後述するようにIC52とボンディングパッド5
0とを金又はアルミワイヤーでワイヤーボンディングす
る際の接続を容易にするためである。なお、TAB実装
やフリップチップ実装する場合には、半田めっきを施
す。
ピン42をスルーホール24に半田付けすることにより
取り付ける。本実施態様では、IC搭載用多層プリント
配線板をマザーボードに実装するに際して、スルーホー
ル実装する。なお、スルーホール実装ではなく、表面実
装する場合には、チップキャリアと同様に実装用パッド
が基板の外周付近に配役される。また、マルチチップモ
ジュールの様な形態を成す場合には、コネクター接続端
子が設けられる。
いるため、図4(L)に示すように開口部40の裏面側
からヒートシンク46を取り付けて、ヒートシンク46
に直接IC52を搭載する。その後、図4(M)に示す
ように該ICの入出力端子52aとボンディングパッド
50との間をボンディングワイヤー54にて接続する。
なお、この実施態様では、発熱量の大きいIC52を用
いるため、開口部40の裏面側にヒートシンク46を配
設したが、ICの発熱量が小さいときには、図5に示す
ように最下層の基板12CにIC載置用の凹部40aを
設け、該凹部40aにIC54を収容することも可能で
ある。
ように予め各々の基板12A、12B、12Cの両面に
導体回路14a〜14fをエッチングで形成しているた
め、IC搭載用多層プリント配線板の外層導体回路14
a、14fを微細に形成できる。また、図3(H)に示
すように開口部40をめっきレジスト30により塞いで
あるため、スルーホール用貫通孔20の導体被膜22上
に、めっき層32を配設する工程にて、内層導体回路1
4c、14eの露出部分であるボンディングパッド50
に対してめっきが付着せず、図7を参照して上述した従
来技術のようにめっき層を介して隣接するボンディング
パッド50間が短絡することが無くなる。
ように積層体12全体に導電被膜22を被着した後、図
3(H)に示すように開口部40をめっきレジスト30
にて塞いだ。ここで、導電被膜22を被着する代わり
に、開口部40をめっきレジスト30にて塞いだ後に、
めっき触媒を付着させ、スルーホール用貫通孔20内に
無電解めっきにより導体被膜を付着してスルーホールを
形成することも可能である。ここで、めっき触媒として
はパラジウム系、あるいは、有機導電性ポリマーを用い
ることができ、貫通孔20内の導体被膜は、無電解めっ
きのみで厚付けしても、無電解めっきで薄付けして後に
電解めっきで厚付けしても、あるいは、直接電解めっき
で厚付けしてもよい。
の製造方法においては、予め銅箔の状態で各々の基板の
両面に導体回路を形成しておくことにより、微細回路を
安定して形成できる。また、開口部をめっきレジストに
より塞いであるため、スルーホール用貫通孔の導体被膜
にめっき層を配設する工程にて、導体回路の露出部分で
あるボンディングパッドに対してもめっきが付着せず、
めっき層を介して隣接するボンディングパッド間が短絡
しなくなる。
ト配線板の製造方法を示す工程概略図である。
ト配線板の製造方法を示す工程概略図である。
ト配線板の製造方法を示す工程概略図である。
ト配線板の製造方法を示す工程概略図である。
C搭載用多層プリント配線板の横断面図である。
造方法を示す工程概略図である。
造方法を示す工程概略図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 ICを搭載するための開口部および該開
口部内にICと電気的に接続されるボンディングパッド
が配設されてなるIC搭載用多層プリント配線板の製造
方法において、 複数の基板に導体回路を形成する工程と、 前記基板にICを搭載するための開口部を形成する工程
と、 前記基板上に形成された前記導体回路が内外層ともに配
置されるように前記基板を積層する工程と、 前記積層した基板にスルーホール用貫通孔を削孔する工
程と、 前記積層した基板に無電解めっきを施す工程と、 前記積層した基板の開口部にめっきレジストを形成する
工程と、 前記スルーホール用貫通孔内壁に導体被膜を被着するこ
とによりスルーホールを形成する工程と、 前記めっきレジストを剥離すると共に、前記積層した基
板の無電解めっきを除去する工程とを有することを特徴
とするIC搭載用多層プリント配線板の製造方法。 - 【請求項2】 ICを搭載するための開口部および該開
口部内にICと電気的に接続されるボンディングパッド
が配設されてなるIC搭載用多層プリント配線板の製造
方法において、 複数の基板に導体回路をボンディングパッドの厚みにほ
ぼ等しく形成する工程と、 前記基板にICを搭載するための開口部を形成する工程
と、 前記基板上に形成された前記導体回路が内外層ともに配
置されるように前記基板を積層する工程と、 前記積層した基板にスルーホール用貫通孔を削孔する工
程と、 前記積層した基板に無電解めっきを施す工程と、 前記積層した基板の開口部にめっきレジストを形成する
工程と、 前記スルーホール用貫通孔内壁に導体被膜を被着するこ
とによりスルーホールを形成する工程と、 前記めっきレジストを剥離すると共に、前記積層した基
板の無電解めっきを除去する工程とを有することを特徴
とするIC搭載用多層プリント配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8179892A JPH1013037A (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | Ic搭載用多層プリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8179892A JPH1013037A (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | Ic搭載用多層プリント配線板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1013037A true JPH1013037A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=16073733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8179892A Pending JPH1013037A (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | Ic搭載用多層プリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1013037A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002043454A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体パッケージ用基板の製造方法とその方法を用いた半導体パッケージの製造方法及びこれらの方法を用いた半導体パッケージ用基板と半導体パッケージ |
JP2006303202A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Cmk Corp | 部品内蔵型プリント配線板とその製造方法 |
-
1996
- 1996-06-19 JP JP8179892A patent/JPH1013037A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002043454A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体パッケージ用基板の製造方法とその方法を用いた半導体パッケージの製造方法及びこれらの方法を用いた半導体パッケージ用基板と半導体パッケージ |
JP2006303202A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Cmk Corp | 部品内蔵型プリント配線板とその製造方法 |
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