US6564116B2
(en )
2003-05-13
Method for determining efficiently parameters in chemical-mechanical polishing (CMP)
US6594542B1
(en )
2003-07-15
Method and system for controlling chemical mechanical polishing thickness removal
US5851846A
(en )
1998-12-22
Polishing method for SOI
JPH01241823A
(ja )
1989-09-26
半導体装置の製造方法
JP2002126998A5
(https= )
2004-11-11
JP2002519859A5
(https= )
2006-02-09
KR970023772A
(ko )
1997-05-30
에스오아이 (soi) 구조를 갖는 본드 결합된 기판 및 그 제조 방법
JPH10125636A5
(https= )
2004-09-16
JPH0878369A
(ja )
1996-03-22
研磨の終点検出方法及びその研磨装置
JP2004106123A
(ja )
2004-04-08
研磨方法、cmp装置及び膜厚測定装置
JPS61120424A
(ja )
1986-06-07
誘電体分離基板の研磨方法
JPS6450439A
(en )
1989-02-27
Manufacture of semiconductor device
JP3054651B2
(ja )
2000-06-19
半導体圧力センサーおよびにその製造方法
JPH01302837A
(ja )
1989-12-06
半導体基板の製造方法
JPS6442823A
(en )
1989-02-15
Flattening of semiconductor device surface
JP3747389B2
(ja )
2006-02-22
研磨方法及び研磨制御装置
JP2000033563A
(ja )
2000-02-02
研磨代の管理方法およびこれを用いたウエーハの製造方法
JPS57100733A
(en )
1982-06-23
Etching method for semiconductor substrate
JP2519139B2
(ja )
1996-07-31
Si単結晶薄膜の厚さを均一化する方法
JPS644082A
(en )
1989-01-09
Manufacture of oscillatory type transducer
JPS5243385A
(en )
1977-04-05
Process for production of semiconductor integrated circuit
JPH03178172A
(ja )
1991-08-02
半導体圧力センサの製造方法
JPH0997776A
(ja )
1997-04-08
半導体基板の製造方法
JPH08243917A
(ja )
1996-09-24
研磨の終点検出方法及び研磨装置並びにそれを用いた半導体装置製造方法
Verner
1977
Internal Friction of Polished Silicon Plates