JPH1012484A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JPH1012484A JPH1012484A JP15932896A JP15932896A JPH1012484A JP H1012484 A JPH1012484 A JP H1012484A JP 15932896 A JP15932896 A JP 15932896A JP 15932896 A JP15932896 A JP 15932896A JP H1012484 A JPH1012484 A JP H1012484A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic body
- temperature
- electronic component
- electrodes
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 品質の優れた電極を生産性良くセラミック素
体の表面に形成する。 【解決手段】 セラミック素体１をスパッタリング装置
の真空チャンバー内にセットし、真空ポンプでチャンバ
ー内の気圧が０．５ｔｏｒｒ以下になるように荒引きす
る。次に、セラミック素体１を５０℃以上１５０℃未満
の温度にて予備加熱する。予備加熱が終了すると、再び
真空ポンプで真空チャンバー内を真空引きする。そし
て、真空チャンバー内の気圧が１０-3ｔｏｒｒの状態
で、スパッタリングを行ない、セラミック素体１の上下
面に電極２，３を形成する。
体の表面に形成する。 【解決手段】 セラミック素体１をスパッタリング装置
の真空チャンバー内にセットし、真空ポンプでチャンバ
ー内の気圧が０．５ｔｏｒｒ以下になるように荒引きす
る。次に、セラミック素体１を５０℃以上１５０℃未満
の温度にて予備加熱する。予備加熱が終了すると、再び
真空ポンプで真空チャンバー内を真空引きする。そし
て、真空チャンバー内の気圧が１０-3ｔｏｒｒの状態
で、スパッタリングを行ない、セラミック素体１の上下
面に電極２，３を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の製造方
法、特に、セラミック素体の表面に電極を設ける電子部
品の製造方法に関する。
法、特に、セラミック素体の表面に電極を設ける電子部
品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、セラミック素体の表面に例えば
スパッタリング法により電極を形成する場合には、セラ
ミック素体を予備加熱してセラミック素体に付着してい
る水分等の異物を除去する必要がある。そして、従来の
予備加熱は、セラミック素体を大気圧雰囲気中にセット
した後、１５０℃以上の温度にてセラミック素体を加熱
していた。このとき、加熱温度を１５０℃より低い温度
に設定すると、セラミック素体に付着している水分等の
異物を効率良く除去できなかった。
スパッタリング法により電極を形成する場合には、セラ
ミック素体を予備加熱してセラミック素体に付着してい
る水分等の異物を除去する必要がある。そして、従来の
予備加熱は、セラミック素体を大気圧雰囲気中にセット
した後、１５０℃以上の温度にてセラミック素体を加熱
していた。このとき、加熱温度を１５０℃より低い温度
に設定すると、セラミック素体に付着している水分等の
異物を効率良く除去できなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法では、セラミック素体の予備加熱温度を１５０℃以
上という高温に設定しなければならなかったので、スパ
ッタリング時においては、スパッタリングによる熱エネ
ルギーの影響を受けてセラミック素体の温度は更に上昇
し、２００℃以上になる。このため、以下の問題が発生
する。
方法では、セラミック素体の予備加熱温度を１５０℃以
上という高温に設定しなければならなかったので、スパ
ッタリング時においては、スパッタリングによる熱エネ
ルギーの影響を受けてセラミック素体の温度は更に上昇
し、２００℃以上になる。このため、以下の問題が発生
する。
【０００４】（１）スパッタリング終了後、すぐにセラ
ミック素体をスパッタリング装置から取り出すと、Ｃｕ
等の卑金属からなる電極が酸化し（例えばＣｕの場合、
１５０℃以上で酸化する）、誘電損失や半田濡れ性等が
低下する場合がある。 （２）また、電極の酸化を防止するためには、タクトタ
イムを長くしてセラミック素体の温度が十分下がるまで
の冷却時間を確保したり、冷却装置を新たに追加する必
要がある。
ミック素体をスパッタリング装置から取り出すと、Ｃｕ
等の卑金属からなる電極が酸化し（例えばＣｕの場合、
１５０℃以上で酸化する）、誘電損失や半田濡れ性等が
低下する場合がある。 （２）また、電極の酸化を防止するためには、タクトタ
イムを長くしてセラミック素体の温度が十分下がるまで
の冷却時間を確保したり、冷却装置を新たに追加する必
要がある。
【０００５】そこで、本発明の目的は、品質の優れた電
極を生産性良くセラミック素体の表面に形成することが
できる電子部品の製造方法を提供することにある。
極を生産性良くセラミック素体の表面に形成することが
できる電子部品の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る電子部品の製造方法は、気圧が１０ｔ
ｏｒｒ以下の減圧雰囲気中にセットされたセラミック素
体を５０℃以上１５０℃未満の温度にて予備加熱した
後、このセラミック素体の表面に乾式めっき法により電
極を形成する工程を備えたことを特徴とする。
め、本発明に係る電子部品の製造方法は、気圧が１０ｔ
ｏｒｒ以下の減圧雰囲気中にセットされたセラミック素
体を５０℃以上１５０℃未満の温度にて予備加熱した
後、このセラミック素体の表面に乾式めっき法により電
極を形成する工程を備えたことを特徴とする。
【０００７】ここに、乾式めっき法は、スパッタリング
法や真空蒸着法やイオンプレーティング法やプラズマ溶
射法等を意味する。また、電極の材料としては、例えば
Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｓｉ等の
卑金属、これらの合金あるいはこれらを主成分とする金
属材料が用いられる。
法や真空蒸着法やイオンプレーティング法やプラズマ溶
射法等を意味する。また、電極の材料としては、例えば
Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｓｉ等の
卑金属、これらの合金あるいはこれらを主成分とする金
属材料が用いられる。
【０００８】
【作用】以上の方法により、セラミック素体を気圧が１
０ｔｏｒｒ以下の減圧雰囲気中にセットした状態で予備
加熱を行うため、加熱温度が５０℃以上１５０℃未満の
低い温度でも、セラミック素体に付着している水分等の
異物が効率良く除去される。
０ｔｏｒｒ以下の減圧雰囲気中にセットした状態で予備
加熱を行うため、加熱温度が５０℃以上１５０℃未満の
低い温度でも、セラミック素体に付着している水分等の
異物が効率良く除去される。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電子部品の製
造方法の一実施形態について添付図面を参照して説明す
る。本実施形態では、電子部品として単板コンデンサを
例にして説明する。図１に示すように、ＢａＴｉＯ3や
ＳｒＴｉＯ3等の板状の誘電体セラミック素体１を準備
する。このセラミック素体１を、乾式めっき装置の真空
チャンバー内の所定の位置にセットする。次に、真空ポ
ンプで真空チャンバー内の気圧が１０ｔｏｒｒ以下にな
るように荒引きする。本実施形態では、０．５ｔｏｒｒ
の気圧に設定した。
造方法の一実施形態について添付図面を参照して説明す
る。本実施形態では、電子部品として単板コンデンサを
例にして説明する。図１に示すように、ＢａＴｉＯ3や
ＳｒＴｉＯ3等の板状の誘電体セラミック素体１を準備
する。このセラミック素体１を、乾式めっき装置の真空
チャンバー内の所定の位置にセットする。次に、真空ポ
ンプで真空チャンバー内の気圧が１０ｔｏｒｒ以下にな
るように荒引きする。本実施形態では、０．５ｔｏｒｒ
の気圧に設定した。
【００１０】次に、減圧雰囲気中のセラミック素体１を
５０℃以上１５０℃未満の温度にて予備加熱する。この
とき、セラミック素体１は、気圧が０．５ｔｏｒｒの減
圧雰囲気中にセットされた状態で予備加熱が行われるの
で、加熱温度が５０℃以上１５０℃未満の低い温度で
も、セラミック素体１に付着している水分等の異物を効
率良く除去することができる。
５０℃以上１５０℃未満の温度にて予備加熱する。この
とき、セラミック素体１は、気圧が０．５ｔｏｒｒの減
圧雰囲気中にセットされた状態で予備加熱が行われるの
で、加熱温度が５０℃以上１５０℃未満の低い温度で
も、セラミック素体１に付着している水分等の異物を効
率良く除去することができる。
【００１１】予備加熱が終了すると、再び真空ポンプで
真空チャンバー内を真空引きする。そして、真空チャン
バー内の気圧が１０-3〜１０-6ｔｏｒｒで安定した状態
で、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティン
グ、プラズマ溶射等の乾式めっき法により電極２，３を
セラミック素体１の上下面に形成する。電極２，３の材
料としては、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｚｎ，
Ｔｉ，Ｆｅ，Ｓｉ等の卑金属、これらの合金、あるいは
これらを主成分とする金属材料が用いられる。
真空チャンバー内を真空引きする。そして、真空チャン
バー内の気圧が１０-3〜１０-6ｔｏｒｒで安定した状態
で、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティン
グ、プラズマ溶射等の乾式めっき法により電極２，３を
セラミック素体１の上下面に形成する。電極２，３の材
料としては、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｚｎ，
Ｔｉ，Ｆｅ，Ｓｉ等の卑金属、これらの合金、あるいは
これらを主成分とする金属材料が用いられる。
【００１２】本実施形態では、真空チャンバー内の気圧
が１０-3ｔｏｒｒの条件下でスパッタリング法により、
Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｕ−Ｎｉ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｎｉ−Ｔ
ｉ，Ｎｉ−Ｓｉのそれぞれの材料で電極２，３をセラミ
ック素体１の上下面に形成した。電極２，３の形成が終
了すると、チャンバー内の真空引きが解除され、乾式め
っき装置からセラミック素体１が取り出される。このと
き、最初の予備加熱温度を低く（５０℃以上１５０℃未
満）設定しているので、装置からすぐに取り出してもＣ
ｕ等の電極２，３は酸化しにくく、誘電損失や半田濡れ
性が低下しにくくなる。また、仮に、乾式めっき中の熱
エネルギーの影響を受けてセラミック素体１の温度が上
昇して電極２，３が酸化される温度より高くなっても、
従来の製法と比較してその上昇温度は低く、冷却時間は
従来の製法より短くてすむ。
が１０-3ｔｏｒｒの条件下でスパッタリング法により、
Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｕ−Ｎｉ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｎｉ−Ｔ
ｉ，Ｎｉ−Ｓｉのそれぞれの材料で電極２，３をセラミ
ック素体１の上下面に形成した。電極２，３の形成が終
了すると、チャンバー内の真空引きが解除され、乾式め
っき装置からセラミック素体１が取り出される。このと
き、最初の予備加熱温度を低く（５０℃以上１５０℃未
満）設定しているので、装置からすぐに取り出してもＣ
ｕ等の電極２，３は酸化しにくく、誘電損失や半田濡れ
性が低下しにくくなる。また、仮に、乾式めっき中の熱
エネルギーの影響を受けてセラミック素体１の温度が上
昇して電極２，３が酸化される温度より高くなっても、
従来の製法と比較してその上昇温度は低く、冷却時間は
従来の製法より短くてすむ。
【００１３】こうして得られた単板コンデンサにおい
て、電極２，３のセラミック素体１との接着強度の測定
を行なったところ、図２に示すグラフが得られた（実線
１０参照）。グラフには、予備加熱温度が５０℃未満の
場合と１５０℃以上の場合も併せて記載している。グラ
フより、予備加熱温度が５０℃未満になると急激に電極
２，３の接着強度が低下していることが認められる。予
備加熱温度を５０℃より低い温度に設定すると、セラミ
ック素体に付着している水分等の異物を効率良く除去で
きなくなるからである。比較のために、従来の製造方法
（セラミック素体を大気圧雰囲気中で予備加熱して電極
を形成する方法）にて製作した単板コンデンサの電極の
接着強度の測定結果も併せて記載している（点線１
１）。
て、電極２，３のセラミック素体１との接着強度の測定
を行なったところ、図２に示すグラフが得られた（実線
１０参照）。グラフには、予備加熱温度が５０℃未満の
場合と１５０℃以上の場合も併せて記載している。グラ
フより、予備加熱温度が５０℃未満になると急激に電極
２，３の接着強度が低下していることが認められる。予
備加熱温度を５０℃より低い温度に設定すると、セラミ
ック素体に付着している水分等の異物を効率良く除去で
きなくなるからである。比較のために、従来の製造方法
（セラミック素体を大気圧雰囲気中で予備加熱して電極
を形成する方法）にて製作した単板コンデンサの電極の
接着強度の測定結果も併せて記載している（点線１
１）。
【００１４】なお、本発明に係る電子部品の製造方法は
前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲
内で種々に変更することができる。電子部品は、コンデ
ンサ以外に、圧電部品や正特性サーミスタやバリスタ等
であってもよい。
前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲
内で種々に変更することができる。電子部品は、コンデ
ンサ以外に、圧電部品や正特性サーミスタやバリスタ等
であってもよい。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、セラミック素体を気圧が１０ｔｏｒｒ以下の減
圧雰囲気中にセットした状態で予備加熱したので、５０
℃以上１５０℃未満の低い温度でもセラミック素体に付
着している水分等の異物を効率良く除去することができ
る。この結果、電極の接着強度や誘電損失や半田濡れ性
に優れた電極が形成され、新たな冷却装置の追加や冷却
のためのタクトタイムの延長を行うことなく、電極の酸
化防止を図ることができる。
よれば、セラミック素体を気圧が１０ｔｏｒｒ以下の減
圧雰囲気中にセットした状態で予備加熱したので、５０
℃以上１５０℃未満の低い温度でもセラミック素体に付
着している水分等の異物を効率良く除去することができ
る。この結果、電極の接着強度や誘電損失や半田濡れ性
に優れた電極が形成され、新たな冷却装置の追加や冷却
のためのタクトタイムの延長を行うことなく、電極の酸
化防止を図ることができる。
【図１】本発明に係る電子部品の製造方法の一実施形態
を示す電子部品の正面図。
を示す電子部品の正面図。
【図２】セラミック素体の予備加熱温度と電極接着強度
の関係を示すグラフ。
の関係を示すグラフ。
１…セラミック素体 ２，３…電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大菅 信義 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 吉田 和宏 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (1)
- 【請求項１】 気圧が１０ｔｏｒｒ以下の減圧雰囲気中
にセットされたセラミック素体を５０℃以上１５０℃未
満の温度にて予備加熱した後、このセラミック素体の表
面に乾式めっき法により電極を形成する工程を備えたこ
とを特徴とする電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15932896A JPH1012484A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15932896A JPH1012484A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012484A true JPH1012484A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15691421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15932896A Pending JPH1012484A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012484A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6674336B2 (en) | 2001-04-13 | 2004-01-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Non-reciprocal circuit element and communication device |
-
1996
- 1996-06-20 JP JP15932896A patent/JPH1012484A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6674336B2 (en) | 2001-04-13 | 2004-01-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Non-reciprocal circuit element and communication device |
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